“大数据”的摩尔定律
测试和测量应用中，工程师和科学家们每一天每一秒都可收集到大量的数据。欧洲核子研究中心的大型强子对撞机每运行一秒钟，就可以产生40兆兆字节(1E12)的数据。波音喷气引擎每运行30分钟就可产生10兆兆字节的运行信息。一架四引擎巨型喷气式飞机单程飞越大西洋可生成640兆兆字节的数据，将该数字乘以每天飞行的两万五千多架飞机，您就可以得到一个非常庞大的数据。事实上，一个被称之为“大数据”(Big Data)的时代已经来临，人们可能不关心使用什么型号的传感器或者数据采集设备，唯一关心的是如何从这些“大数据”中获取能为他们所用的信息。
数据生成量每两年增长一倍这一事实与电子领域的一个著名定律极其相似：摩尔定律。1965年，Gordon Moore提出：IC上可容纳的晶体管数目大约每两年便会增加一倍，这种趋势将持续“至少10年”。45年之后，摩尔定律仍在影响着整个信息和电子产业。该定律引发的结果之一是，尖端科技产品的成本越来越低，逐步可以为广大民众所接受，而这些最新的技术更加能够帮助工程师和科学家以前所未有的速度捕捉、分析和存储数据。试想一下，1995年全球制造的总硬盘空间仅为20拍字节(1E15)。现在，Google每天就要处理超过24拍字节的信息。当然，这些数据存储本身的成本也呈指数下降，从1998年的228美元/千兆字节(1E9)下降到2010年的0.06美元/千兆字节。如此变化加上摩尔定律引发的技术进步正在不断地加剧海量数据的出现。
然而从如此大量的数据中得出精确且有意义的结论是一个日益严峻的挑战，而“大数据”这个词描述的正是这种现象。海量数据为数据分析、搜索、数据整合、报告生成和系统维护带来了新的挑战，必须解决这一挑战才能跟上数据的指数增长步伐。技术调研公司IDC最近开展了一项关于数字数据的研究，包括测量文件、视频、音乐文件等。该研究预计这些数据每两年增长一倍。根据Adam Hadhazy于2010年5月在《生活科学》上发表的文章《全球数据超载，需以泽字节为单位》中写到：仅仅是2011年就产生了1.8泽字节（1E21字节）的数据。要想了解这个数据量的含义，我们假设：如果全球70亿人口加入微博，并连续不断地转发并评论连续一百年，这样产生的数据为1泽字节，然而仅仅2011年生成的数据就几乎是该数据量的两倍。Shawn Rogers于2011年9月在《信息管理》上发表的文章《海量数据正在改变商业智能和分析学》中提到：应对海量模拟数据挑战需要一个三层解决方案，包括：传感器或执行器、分布式自动化测试节点，以及IT基础设施或海量数据分析/挖掘。
图1 应对海量模拟数据挑战三层解决方案：传感器或执行器、分布式自动化测试节点，以及IT基础设施或海量数据分析/挖掘
从另一个角度来看，小型数据集通常会限制结论和预测的精确度。这就好比一个金矿，你所能知道的不过只是目前所看到的，剩下的金矿都被埋藏在尘土里不得而知，甚至无法估量。倘若要了解整个金矿的价值，就需要继续进行挖掘。数据领域是类似的，首先你要获得足够多的原始数据，然后才是去粗取精，去伪存真，将金矿上的尘土拂去，获得有用的有价值的信息。
海量数据有很多个来源。但是，工程师和科学家们最感兴趣的是来自于物理世界的数据。这些数据是捕捉到且经过数字化的模拟数据；因此，它们可以被称为“海量模拟数据”，其来源可以是振动、RF信号、温度、压力、声音、图像、光、磁、电压等测量值。
在测试和测量领域，人类每天以高达数泽字节的速率进行数据采集。海量模拟数据问题对于自动化测试和分析系统来说是一个日益严峻的挑战。如果是多个待测设备的情况，则需要许多分布式自动化测试节点（DATN），这些节点往往以并联方式连接到计算机网络。由于DATN 是具有软件驱动程序和图像的高效计算机系统，因此基于远程网络的系统管理工具需要自动进行配置、维护和升级。PXI系统具有不断演进的数据运算能力以及数据传输带宽，是一个非常理想的DATN的选择方案。更进一步，各大仪器厂商都在PXI平台上持续投入，为PXI 提供了非常丰富的I/O板卡选择。对于一些需要高密度运算的应用，美国NI公司将FPGA 以及PXI分布式运算引入到PXI平台，大大强化了每一个DATN节点的运算能力。
不断增长的测试和测量数据量迫使跨国公司需要不断为更多的工程师提供数据访问权。这需要可满足多用户访问需求的网络设备和数据管理系统，进而刺激了根据地域来分布数据和访问权的需求。提供分布式数据访问权的一个日益普及的方法是使用云技术。
海量模拟数据应用程序对服务器、存储空间和网络等IT设备具有极大的依赖性。此外，管理、组织和分析数据均需要软件。因此，传统IT技术属于用户捕捉数据后整体解决方案的一部分，用于确保动态和静态数据的高效传送、备份以及分析和视觉化。Averna、Virinco、NI和OptimalTest等供应商已提供可帮助管理海量模拟数据解决方案的产品。为了分析和管理来自数百万个文件的数十亿个数据点，工程师和科学家可使用NI DIAdem来挖掘、检查和生成相关测量数据的报告。他们还可以借助DIAdem来连接现有IT解决方案或创建可全局访问的新服务器，以更快速地根据数据做出决策。对于制造业，Averna开发的Proligent 和Virinco开发的WATS提供了产品质量、测试设备、流程和操作的可视化和控制解决方案。Qualcomm成功利用了OptimalT est开发的工具来优化器测试流程，该测试流程每个季度可
积累多达4泽字节的数据。（《评估工程》,2011年10月24日），并且将可执行测试数据可视化以帮助工程师确定趋势并积极做出决策。
随着高速捕捉海量数据成为一种必然趋势且越来越容易实现，工程师将面临的挑战是创建一个将自动化测试与IT设备紧密联系的端到端解决方案。这迫使测试和测量系统供应商与IT 供应商携手合作，为自动化测试应用提供集成式和捆绑式解决方案。广大的工程师与科研人员将从中受益，从而更加从容地面对“大数据”所带来的机遇和挑战。
1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12寸(300mm)，正在向18寸(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs?以及InP?等；绝缘体材料，如SiO2、SiON?和Si3N4?等；金属材料，如铝、金、钨以及铜等。
4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。
信息技术基础高考知识点大纲 第一章信息与信息技术 1．1信息及其特征 信息无处不在 1.物质、能源和信息（information）是人类社会的三大要素。 2.信息指数据（data）、信号、消息中所包含的意义。 3.信息是事物的运动状态和关于事物运动状态的描述。 4.世界上的万事万物都在不停地运动、变化，万事万物里都有信息。 5.信息是指对消息接受者来说是预先不知道的东西，所以具有“不确定性”。 信息的载体和形态 1．信息本身不是实体，必须通过载体才能体现，但不随载体的物理形式而变化。 2．语言、文字、声音、图像和视频等是信息的载体，也是信息的常见表现形态。 3．纸张可以承载文字和图像，磁带可以承载声音，电视可以承载语言、文字、声音、图像和视频，所以也把纸张、磁带、广播、电视、光盘、磁盘等称为信息的载体。 4．相同的信息，可以用多种不同的载体来表示和传播。 5．不存在没有载体的信息。 信息的五个特征 1．信息的表示、传播、储存必须依附于某种载体，载体就是承载信息的事物。 2．信息是可以加工和处理的。信息也可以从一种形态转换成另一种形态。 3．信息可以脱离它所反映的事物被存储和保留和传播。 4．信息是可以传递和共享的。信息可以被重复使用而不会像物质和能源那样产生损耗。 5．信息具有时效性。 1．2信息的编码 1.信息的代码：把用来表示信息的符号组合叫做信息的代码。 2.计算机只能识别和处理由“0”、“1”两个符号组成的数字代码。或称计算机只能识别机器语言。 3.冯·诺依曼：数据和程序都应采用二进制代码表示。 4.基本单位：字节，Byte简写“B”；最小单位：位，bit简写“b”。 5.1B=8b；1KB=1024B；1MB=1024KB；1GB=1024MB。 6.n位能最多表示2n个数，能表示的最大十进制数是2n-1。 7.进位制标识：二进制（B），十进制（D），十六进制（H） 8.二进制进位规则：逢二进一。 9.十六进制转换为二进制时，每一位十六进制数对应4位二进制数，反之相同。 如7FH=01111111B。其中H和B是进制标识符。 10.二进制——十进制：按权展开。如（110101）2=1*25+1*24+1*22+1*20=53 11.十进制——二进制：除2取余法。如26=（11010）2 1．2．2字符编码：1．计算机内的英文字符编码采用ASCII码，即美国国家信息交换标准码（AmericanStandardCodeforInformationInterchange）。该编码使用一个字节（byte）中的后7位二进制数， 最左用“0填充”，可以表27=128种编码。
半导体物理刘恩科答案（可编辑）第一题: 摩尔定律:一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍。 噪声容限:为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感，应当使“0”和“1”的区间越大越好。一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限NML和高电平噪声容限NMH来度量的，它们分别量化了合法的“0”和“1”的范围，并确定了噪声的最大固定阈值: NML VIL - VOL NMH VOH - VIH 沟道长度调制:在理想情况下，处于饱和区的晶体管的漏端与源端的电流是恒定的，并且独立于在这两个端口上外加的电压。但事实上导电沟道的有效长度由所加的VDS调制:增加VDS将使漏结的耗尽区加大，从而缩短了有效沟道的长度。 开关阈值:电压传输特性(VTC)曲线与直线Vout Vin的交点。 扇入:一个门输入的数目。 传播延时:一个门的传播延时tp定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同，所以需定义两个传播延时。tpLH定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间，而tpHL则为输出由高至低翻转的响应时间。传播延时tp定义为这两个时间的平均值:tp tpLH+tpHL /2。 设计规则:定义设计规则的目的是为了能够很容易地把一个电路概念转换成硅上的几何图形。设计规则的作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口，或者说是他们之间的协议。设计规则是指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规
定。它们包括图形允许的最小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求。 速度饱和效应:对于长沟MOS管，载流子满足公式:υ -μξ道的电场达到某一临界值ξc时，载流子的速度将由于散射效应(即PN结反偏漏电和亚阈值漏电。 动态功耗的表达式为:Pdyn CLVdd2f。可见要减小动态功耗可以减小Vdd，CL 及f。 减小Vdd，可以采用降低电压摆幅的方法，用NMOS代替PMOS，利用阈值损失，使Pdyn CLVdd(Vdd-Vt)f。Vdd降低是实现低压低功耗设计的有效办法，但是Vdd降低，会影响电路性能，例如噪声干扰作用会增大。 减低CL，包括本征电容、扇出电容、及引线电容。合理设计版图，减小寄生电容。 降低f，频率降低会影响系统性能，因此要折中考虑。 第三题: 第四题:a Nmos:VGS 2.5V，VDS 2.5V 饱和 ID k’/2 W/L VGS-VT 2 1+λVDS 115×10-6/2 2.5-0.43 2 1+0.06×2.5 283.3μAID k’ W/L [ VGS-VT VDSAT-VDSAT2/2] 1+λVDS 146μA Pmos:VGS -0.5V，VDS 5V夹断饱和ID k’/2 W/L VGS-VT 2 1+λVDS 30×10-6/2 0.5-0.4 2 1+0.1×1.25 0.17μA b Nmos:VGS 3.3V，VDS V 1)若不考虑速度饱和，则晶体管工作在线性区 ID k’ W/L [ VGS-VT VDS-VDS2/2] 115×10-6[ 3.3-0.43 2.2-2.22/2]
? 1.根据涂子沛先生所讲，摩尔定律是在哪一年提出的？（单选题1分）得分：1分 o A.1988年 o B.2004年 o C.1965年 o D.1989年 ? 2.2015年，贵阳市的呼叫服务产业达到（）坐席。（单选题1分）得分：1分o A.3万 o B.5万 o C.10万 o D.20万 ? 3.以下说法错误的是哪项？（单选题1分）得分：1分 o A.大数据的思维方式遵循因果逻辑推理 o B.摩尔定律是戈登?摩尔提出的 o C.图灵测试是阿兰·图 o D.ENIAC于1946年诞生 ? 4.茂名PX事件发生后，下列哪个学校的化工系学生在网上进行了一场“PX词条保卫战”？（单选题1分）得分：1分 o A.北大 o B.清华 o C.浙大 o D.复旦
? 5.促进大数据发展部级联席会议在哪一年的4月13日召开了第一次会议？（单选题1分）得分：1分 o A.2014年 o B.2015年 o C.2013年 o D.2016年 ? 6.根据涂子沛先生所讲，哪一年被称为大数据元年？（单选题1分）得分：1分o A.2012年 o B.2010年 o C.2008年 o D.2006年 ?7.数据、信息与知识三者之间的变化趋势是（单选题1分）得分：1分o A.价值先增后减 o B.价值递减 o C.价值递增 o D.价值不变 ?8.具体来说，摩尔定律就是每（）个月，产品的性能将提高一倍。（单选题1分） 得分：1分 o A.18 o B.16 o C.12 o D.6
?9.“（）大数据交易所”2015年4月14日正式运营，目前，交易所已有包括京东、华为、阿里巴巴等超过300家会员企业，交易总金额突破6000万元。（单选题1 分）得分：1分 o A.毕节 o B.安顺 o C.贵阳 o D.遵义 ?10.（）说明如果联网越多，从介入方式、技术上越来越突破，则网络规模越大、成本越低，网络的成本可能会趋向于零。（单选题1分）得分：1分o A.吉尔德定律 o B.摩尔定律 o C.梅特卡尔夫定律 o D.新摩尔定律 ?11.以下说法错误的是哪项？（单选题1分）得分：1分 o A.大数据会带来机器智能 o B.大数据不仅仅是讲数据的体量大 o C.大数据的英文名称是large data o D.大数据是一种思维方式 ?12.美国首个联邦首席信息官是下列哪位总统任命的？（单选题1分）得分：1分 o A.克林顿 o B.奥巴马 o C.小布什
摩尔定律知识汇总 已经稳固运行了 50 年之久的摩尔定律就将迎来终结，但这背后也蕴藏着大量的机会。原文来自 Rodney Brooks 的博客。 摩尔定律到底从何而来 Moore, Gordon E., Cramming more components onto integrated circuits, Electronics, Vol 32, No. 8, April 19, 1965. Electronics 是一本 1930 年到 1995 年期间出刊的贸易期刊。1965 年，戈登·摩尔(Gordon Moore)发表于上的一篇长达四页半的文章可能是这本期刊最著名的文章了。这篇文章不仅阐明了一个趋势的开始，而且这种趋势逐渐成为一个目标/法则，统治了硅基电路产业(这是我们的世界中每一个数字设备的基础)五十年。摩尔是加州理工学院博士，是 1957 年成立的仙童半导体公司的创始人之一，同时自1959 年起担任该公司的研发实验室主任。仙童是以制造硅基半导体起家的，当时大多数半导体还是以锗为材料的，这种半导体工艺非常缓慢。
你可以从网络上搜到大量声称其原稿复印件的文件，但是我注意到其中有一些所谓的原稿中的图是重新画上去的，与我一直看到的原稿有些不同。下面我将再现原稿中的两张图表，据我所知，我的这份复制版是该杂志原稿的唯一复制版本，没有手动/人工的痕迹。 首先我要再现的是摩尔定律起源精华。然而，该论文中还有一个同样重要的早期图表，预测可能出现的硅基功能电路的未来产量。它的实际数据比这个少，而且正如我们所看到的，这张图表包含了真实的未来。 这是一张关于集成电路上元件数量的图。集成电路是经由一个类似于印刷的过程生产出来的。光以数种不同的模式打到薄薄的硅晶圆(wafer)上，同时会有不同的气体填充进它的气囊中。不同的气体会在硅晶圆表面引起不同的光致化学反应，有时会沉积某些类型的材料，有时会腐蚀材料。有了能塑造光线的精确光掩模(mask)，精确控制好温度和曝光时间，就能打印出一个二维电路。该电路上有晶体管、电阻和其它元件。其中很多可能是在单个晶圆上一次成型的，就像许多字母在一页纸上一次性印刷一样。在任意一个做好的晶圆上电路上，其良率是质量合格的芯片占一个晶圆上芯片总数的比例。然后这块硅晶圆会被切成几块，每一块上都包含了一个芯片，而且每一个电路都放在自己的塑料封装中，只露出几只小「腿」作为连接线，如果
数字集成电路设计期中考试复习提纲 第一章绪论 一、基本概念 1. 摩尔定律 2. 数字集成电路的抽象层次划分 3. 数字集成电路的基本设计流程 4. 电压传输特性 5. 再生性 6. DRC 7. LVS 二、基本计算 1. 芯片成品率的计算 三、复习题 1．根据实验一的内容，简述数字集成电路设计的基本流程。 2．简述数字集成电路设计的抽象层次。 3. Tanner 中包含哪些主要的工具？分别完成什么功能？ 4. 简述扇入和扇出的概念；当增大驱动门的扇出时，对该驱动门的动态性能 有何影响？试分析说明。 第二章制造工艺 一. 基本概念 1. 阱 2. 衬底 3. PMOS NMOS CMOS 4. 有缘区 5. 光刻 6. 掩膜版 7. 简化的CMOS 工艺流程 8. CMOS 集成电路的工艺分层结构 二. 复习题 1. 结合实验二的内容，通过简述LEDIT 绘制NMOS 晶体管的主要步骤，描述其工艺分层结构。 2. 什么是掩膜版，掩膜版如何实现CMOS 工艺分层？ 第三章器件 一．基本概念 1. 耗尽区 2. MOS 晶体管分类及导通原理 3. MOS 晶体管工作区域 4. MOS 晶体管等效电阻 5. MOS 管电容模型 二．基本公式及计算 1. 二极管电流公式 2. 二极管手工分析模型及简单电路分析 3. 二极管节电容计算公式 4. MOS 管手工分析模型
a) MOS 管漏极电流公式（MOS 管工作区域的判断） b) MOS 管沟道电容计算公式 三．复习题 1. MOS 管的工作区域是怎么划分的？简述各个工作区域的工作原理。 2. MOS 管的电容由哪几部分组成？ 3. 简述MOS 管在不同工作区域下沟道电容的变化情况。 4. 相关计算题。 第四章导线 一．基本概念 1. 导线的寄生参数 2. 导线寄生电容的产生原理 3. 导线集总模型与分布模型 4. 传输线 5. 反射系数 二．基本公式及计算 1. 导线的集总RC 模型分析 2. Elmore 延时计算公式 3. 导线的分布rc 模型分析 三、复习题 1. 简述集总RC 模型和分布rc 模型。 2. 简述传输线模型和分布rc 模型之间的区别。 3. 假设信号源内阻为零，分析不同负载阻抗条件下传输线响应。 4. 相关计算题。 第五章CMOS 反相器 一．基本概念与基本原理 1. 反相器的基本工作原理 2. 反相器的基本指标 3. 开关阈值 4. 本征电容 5. 等效扇出 二．基本公式与计算 1. 开关阈值的计算、开关阈值与PMOS 对NMOS 尺寸比的关系 2. 噪声容限、增益的计算 3. 传播延时的计算 4. 反相器链的延时 5. 反相器功耗的计算 6. 最优电源电压的计算 三、复习题 1. 分析反相器在不同工作状态下，PMOS 和NMOS 分别处在的工作区域，并画出VTC 曲线图示说明。 2. 反相器功耗由哪几部分组成？分析说明减小反相器功耗的主要手段。 3. 相关计算题。
摩尔定律的未来The future of Moore's Law 湖北师范学院 计算机科学与技术学院 文理学院 0704班 *** 20074152101**
摩尔定律的未来 计算机科学与技术学院 0704班蔡文慧 摘要：摩尔定律已经延续了43年，随着半导体芯片上晶体管数量的增长，芯片密度越来越大，继续维持摩尔提出的增长率将越来越难。但是，摩尔定律不会被终结。摩尔定律面临的挑战使得芯片工业不断发展，随着技术的进步，摩尔定律未来将会在不同领域得到更多的横向应用。 关键词：摩尔定律，半导体技术，石墨烯晶体管 The future of Moore's Law Name:Cai Wenhui College：Hubei Normal University Academy of Computer Science and Technology Class：0704 Number: 2007415210124 Abstract: The Moore's law has last with fourty-three years,as the chip on semiconductor's number increacing .But,Moore's law wasn't be dead. As tecloledge growing,it has be used more and more. Key words: Moore's Law , semiconductor , Graphene transistor 1.引言 到底什么是“摩尔定律”？归纳起来，主要有以下三种“版本”： （1）集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番。 （2）微处理器的性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一倍。 （3）用一个美元所能买到的电脑性能，每隔18个月翻两番。 它是英特尔公司创始人之一戈登?摩尔（Gordon Moore）总结的存储器芯片的增长规律。当然这种表述没有经过什么论证，只是一种现象的归纳。 2.摩尔定律的产生 1965年4月19日《电子学杂志》刊登了一位36岁的工程师的文章——《往集成电路里塞进更多元件》，这位名叫戈登·摩尔的工程师以一个拗口的句子，对芯片业作了一个预言。他说，为了求得最低成本，集成电路的复杂性大约每一年就会翻一番。摩尔的文章不长，算上几张图片和表格，也只有3页。而且，被安排在了毫不起眼的第114页。为了更加形象地表述，摩尔把自己的预言归结为:每过1
神秘的处理器制程工艺 摩尔定律指导集成电路(IC，Integrated Circuit)工业飞速发展到今天已经40多年了。在进入21世纪的第8个年头，各类45nm芯片开始批量问世，标志着集成电路工业终于迈入了低于50nm的纳米级阶段。而为了使45nm工艺按时“顺产”，保证摩尔定律继续发挥作用，半导体工程师们做了无数艰辛的研究和改进—这也催生了很多全新的工艺特点，像大家耳熟能详的High-K、沉浸式光刻等等。按照业界的看法，45nm工艺的特点及其工艺完全不同于以往的90nm、65nm，反而很多应用在45nm制程工艺上的新技术，在今后可能贯穿到32nm甚至22nm阶段。今天就让我们通过一个个案例，来探索一下将伴随我们未来5年的技术吧。 你能准确说出45nm是什么宽度吗？ 得益于厂商与媒体的积极宣传，就算非科班出身，不是电脑爱好者的大叔们也能知道45nm比65nm更加先进。但如果要细问45nm是什么的长度，估计很多人都难以给出一个准确的答案。而要理解这个问题，就要从超大规模集成电路中最基本的单元 —MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)晶体管说起。 我们用半导体制作MOS管就是利用其特殊的导电能力来传递0或者1的数字信号。在栅极不通电的情况下，源区的信号很难穿过不导电的衬底到达漏区，即表示电路关闭(数字信号0)；如果在栅极和衬底间加上电压，那么衬底中的电荷就会在异性相吸的作用下在绝缘氧化层下大量聚集，形成一条细窄的导电区，使得源区和漏区导通，那么电流就可以顺利从源区传递到漏区了(信号1)。这便是MOS最基本的工作原理。
在一块高纯硅晶圆上(在工艺中称为“P型半导体衬底”)通过离子扩散的方法制作出两个N型半导体的阱——通俗地讲P型是指带正电的粒子较多，N型则是带负电的粒子比较多。再通过沉积、光刻、氧化、抛光等工艺制造成如图中所示的MOS管，两个阱的上方分别对应源区(source)和漏区(drain)，中间的栅区(gate)和下方的衬底中间用一层氧化绝缘层隔开。我们通常说的90nm或者45nm工艺，就是指的栅极下方两个阱之间的长度，称之为导电沟道长度。 上图中给我们勾勒出来的是一个NMOS，当栅极接正向电压时，NMOS会导通。事实上还存在另外一种PMOS，其性质完全相反，当栅极接负电时，通过在绝缘区下方聚集正电荷来导通。 在实践中，工程人员很快就发现了单个MOS管在作为逻辑电路导通时，会有源源不断的电流通过，这使得MOS管功率居高不下。而事实上我们只需要传递信号就行了，无论是用电流，又或者是用电压方式，而不需要MOS管有较高的功耗。为了降低MOS管的工作功耗，可科学家们又开发了CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor 互补金属氧化物半导)电路。 CMOS的电路结构
一、单选题（共 39 道试题，共 78 分。）V 1. 下列哪种元件不在中央处理器的内部 A. 运算器 B. 控制器 C. 寄存器 D. 存储器 满分：2 分 2. 二进制数-0001100的补码表示为() A. 11110100 B. 11110010 C. 01110100 D. 11110000 满分：2 分 3. 下列哪种存储器的读取速度最快? A. 主存储器 B. CPU寄存器 C. 大容量辅助存储器 D. Cache 满分：2 分 4. 二进制数101011等于十进制中的多少 A. 86
B. 43 C. 101011 D. 110101 满分：2 分 5. 从列表的无序部分不经选择任取一元然后将其置于有序部分的正确位置上的排序算法是 A. 选择排序 B. 冒泡排序 C. 插入排序 D. 快速排序 满分：2 分 6. 布尔代数的运算不包括以下哪项 A. 和 B. 补 C. 积 D. 差 满分：2 分 7. 介于可行性研究和概要设计之间的软件生命周期阶段是 A. 问题定义 B. 需求分析 C. 算法设计 D. 软件测试 满分：2 分
8. 三变元卡诺图包含几个方块 A. 3 B. 6 C. 8 D. 9 满分：2 分 9. 被誉为第一位程序员的是() A. Augusta B. Leibniz C. Jacquard D. Babbage 满分：2 分 10. 计算机网络的发展始于 A. 20世纪50年代 B. 20世纪60年代 C. 20世纪70年代 D. 20世纪80年代 满分：2 分 11. 列在子程序名后的括号内的标识符叫作 A. 实参 B. 形参 C. 值参
摩尔定律概述 摩尔定律是指IC上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。摩尔定律是由英特尔(Intel)名誉董事长戈登·摩尔（Gordon Moore）经过长期观察发现得之。 计算机第一定律——摩尔定律Moore定律1965年，戈登·摩尔（GordonMoore）准备一个关于计算机存储器发展趋势的报告。他整理了一份观察资料。在他开始绘制数据时，发现了一个惊人的趋势。每个新芯片大体上包含其前任两倍的容量，每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18-24个月内。如果这个趋势继续的话，计算能力相对于时间周期将呈指数式的上升。Moore的观察资料，就是现在所谓的Moore定律，所阐述的趋势一直延续至今，且仍不同寻常地准确。人们还发现这不光适用于对存储器芯片的描述，也精确地说明了处理机能力和磁盘驱动器存储容量的发展。该定律成为许多工业对于性能预测的基础。在26年的时间里，芯片上的晶体管数量增加了3200多倍，从1971年推出的第一款4004的2300个增加到奔腾II处理器的750万个。 由于高纯硅的独特性，集成度越高，晶体管的价格越便宜，这样也就引出了摩尔定律的经济学效益，在20世纪60年代初，一个晶体管要10美元左右，但随着晶体管越来越小，直小到一根头发丝上可以放1000个晶体管时，每个晶体管的价格只有千分之一美分。据有关统计，按运算10万次乘法的价格算，IBM704电脑为1美元，IBM709降到20美分，而60年代中期IBM耗资50亿研制的IBM360系统电脑已变为3.5美分。到底什么是"摩尔定律'"？归纳起来，主要有以下三种"版本"： 1、集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番。 2、微处理器的性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一半。 3、用一个美元所能买到的电脑性能，每隔18个月翻两番。 以上几种说法中，以第一种说法最为普遍，第二、三两种说法涉及到价格因素，其实质是一样的。三种说法虽然各有千秋，但在一点上是共同的，即"翻番"的周期都是18个月，至于"翻一番"（或两番）的是"集成电路芯片上所集成的电路的数目"，是整个"计算机的性能"，还是"一个美元所能买到的性能"就见仁见智了。 [编辑本段]
一、多选题（共 5 道试题，共 10 分。） V 1. 计算机网络的拓扑结构包括 A. 星型拓扑 B. 网状拓扑 C. 树状拓扑 D. 环状拓扑 满分：2 分 2. 鼠标的主要部件有 A. 位置采样机构 B. 传感器 C. 专用处理芯片 D. 电荷耦合器件 满分：2 分 3. 布尔函数最小化的作用有 A. 降低成本 B. 提高电路可靠性 C. 在一块芯片上设计更合适的电路 D. 减少电路计算时间 满分：2 分 4. 计算机中操作系统的任务包括 A. 进程调度 B. 内存管理 C. 文件管理 D. 总线管理 满分：2 分 5. 操作系统的特性包括 A. 并发性
B. 共享性 C. 虚拟性 D. 不确定性 满分：2 分
1. 硬件是指计算机系统中有形设备和装置的总称 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 2. 实体是指某种抽象事物的集合 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 3. 软件危机完全是由软件自身的特点决定的 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 4. 如果有三个或更多重复字符出现，适宜使用行程长度编码进行压缩 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 5. 同步是一种进程相互合作的思想描述进程间相互制约的问题 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 6. 不同数形的两个数字可能表示同等数量的实体 A. 错误 B. 正确 满分：2 分
7. 视频中的一幅图像叫做一帧 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 8. 软件仅指与计算机有关的程序 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 9. 摩尔定律是指一个集成电路板上能够容纳的电路数量每年增长一倍 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 10. 硬件是计算机系统中有形的装置和设备的总称 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 11. 稳定排序算法是指占用有限额外空间的算法 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 12. 编译器是把用高级语言编写的程序翻译成机器码的程序 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 13. 门是对电信号执行基础运算的设备，用于接受一个输入信号，生成一个输出信号 A. 错误 B. 正确 满分：2 分 14. 布尔代数提供的是在集合{0,1}上的运算和规则 A. 错误
摩尔定律及其局限性对微处理器的影响 一摩尔定律的来历 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。“摩尔定律”是由英特尔名誉董事长戈登·摩尔提出来的。 1965年，戈登·摩尔在准备一个关于计算机存储器发展趋势的报告时，整理了一份数据资料，结果却意外的发现了一个惊人的趋势。每个新芯片大体上包含其之前版本的容量的晶体管，而且每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18到24个月内。这个趋势如果继续，计算能力相对于时间周期将会呈指数上升。摩尔的观察资料，就是现在所谓的Moore定律，所阐述的趋势一直延续至今，且仍依然十分的准确。人们还发现这不光适用于对存储器芯片的描述，也精确地说明了处理机能力和磁盘驱动器存储容量的发展。该定律成为许多工业对于性能预测的基础。在过去的三十余年的时间里，芯片上的晶体管数量增加了上万倍，1971年推出的第一款4004仅仅拥有2300个晶体管，而在今天45纳米级的“上海”处理器已经出现。 由于高纯硅的独特性，集成度越高，晶体管的价格越便宜，这样也就引出了摩尔定律的经济学效益，在20世纪60年代初，一个晶体管要10美元左右，但随着晶体管越来越小，直小到一根头发丝上可以放1000个晶体管时，每个晶体管的价格只有千分之一美分。据有关统计，按运算10万次乘法的价格算，IBM704电脑为1美元，IBM709降到20美分，而60年代中期IBM耗资50亿研制的IBM360系统电脑已变为3.5美分。到底什么是"摩尔定律'"？归纳起来，主要有以下三种"版本"： 1、集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番。 2、微处理器的性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一半。 3、用一个美元所能买到的电脑性能，每隔18个月翻两番。 以上几种说法中，以第一种说法最为普遍，第二、三两种说法涉及到价格因素，其实质是一样的。三种说法虽然各有千秋，但在一点上是共同的，即"翻番"的周期都是18个月，至于"翻一番"（或两番）的是"集成电路芯片上所集成的电路的数目"，是整个"计算机的性能"，还是"一个美元所能买到的性能"就见仁见智了。 晶体管是一种简单的开关装置，利用通断路状态来处理0／1电子数据。在栅电极电压的影响下电流从晶体管内通过，而栅电极下存在栅介质，它主要用于隔离栅电极和沟道，保证
摘要:集成电路是信息社会经济发展的基石。通过对集成电路发展规律的分析，从集成电路的设计、制造、新产品研发和市场动态等方面，描述了集成电路的最新动态；探讨了集成电路的发展趋势；指出集成电路与其它学科、技术的结合，不断形成新的研究方向；新材料、新结构、新器件不断涌现，特征尺寸继续缩小，摩尔定律仍然起作用。 关键词:集成电路；微电子技术；摩尔定律；标准加工线；系统集成芯片中Abstract:Integrated circuit is the base of economic development of an informati on society. By analyzing the development law of IC’s, recent progresses in t he design and fabrication of IC’s are described, as well as the R & D of new products and market trends. The latest development trend of IC’s is discussed. It is pointed out that, by combining with other subjects and technologies, new research topics are emerging. With the advent of novel materials structures and devices, the feature size of integrated circuits ke eps scaling down, and the Moore’s law still works. Key words: Integrated c ircuit; Microelectronics; Moore’s law; Foundry; SOC 1 引言 集成电路和软件是信息社会经济发展的基石和核心。正如美国工程技术界最近评出20世纪世界20项最伟大工程技术成就中第五项电子技术时提到，/从真空管到半导体、集成电路，已成为当代各行各业智能工作的基石。集成电路是最能体现知识经济特征的典型产品之一。目前，以集成电路为基础的电子信息产业已成为世界第一大产业。随着集成电路技术的发展，整机与元器件之间的明确界限被突破，集成电路不仅成为现代产业和科学技术的基础，而且正创造着代表信息时代的硅文化[1]。
摩尔定律 摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑 性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。摩尔定律在发现后的40多年里产生了巨大影响，但随着3D芯片等技术的耗尽，美物理学家加来道雄称该定律将在10年内崩溃。[1] 中文名摩尔定律 提出者戈登·摩尔（Gordon Moore）适用领域范围观测或推测 外文名Moore's Law 应用学科物理或自然 演化 摩尔第二定律， 新摩尔定律 目录 1发现背景 2发现人物 3主要特点
4定律验证 5修正演化 6意义介绍 7发展前景 8突破研究 9相关应用 1发现背景 早在1959年，美国著名半导体厂商仙童公司首先推出了平面型晶体管，紧接着于1961年又推出了平面型集成电路。这种平面型制造工艺是在研磨得很平的硅片上，采用一种所谓“光刻”技术来形成半导体电路的元器件，如二极管、三极管、电阻和电容等。只要“光刻”的精度不断提高，元器件的密度也会相应提高，从而具有极大的发展潜力。因此平面工艺被认为是“整个半导体的工业键”，也是摩尔定律问世的技术基础。 1965年时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的摩尔应邀为《电子学》杂志35周年专刊写了一篇观察评论报告，题目是：“让集成电路填满更多的元件”。在摩尔开始绘制数据时，发现了一个惊人的趋势：每个新芯片大体上包含其前任两倍的容量，每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18-24个月内。 如果这个趋势继续的话，计算能力相对于时间周期将呈指数式的上升。摩尔的观察资料，就是后来的摩尔定律，所阐述的趋势一直延续至今，且仍不同寻常地准确。
集成电路原理与设计重点容总结 第一章 绪论 摩尔定律：(P4) 集成度大约是每18个月翻一番或者集成度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。 集成度提高原因： 倍；二是芯片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。 等比例缩小定律：(种类 优缺点)(P7-8) 1.恒定电场等比例缩小规律（简称CE 定律） a.器件的所有尺寸都等比例缩小K 倍，电源电压也要缩小K 倍，衬底掺杂浓度增大K 倍，保证器件部的电场不变。 b.集成度提高K 2倍，速度提高K 倍，功耗降低K 2倍。 c.改变电源电压标准，使用不方便。阈值电压降低，增加了泄漏功耗。 2.恒定电压等比例缩小规律（简称CV 定律） a.保持电源电压和阈值电压不变，器件的所有几何尺寸都缩小K 倍，衬底掺杂浓度增加K 2倍。 b.集成度提高K 2倍，速度提高K 2倍。 c.功耗增大K 倍。部电场强度增大，载流子漂移速度饱和，限制器件驱动电流的增加。 3.准恒定电场等比例缩小规则(QCE) 器件尺寸将缩小K 倍，衬底掺杂浓度增加lK （1 《网络经济学》课程第1-3章自我学习复习题 教材：《网络经济学》胡春主编清华大学出版社北京交通大学出版社 第一章网络经济、数字产品及其供给 一名称解释 1.数字产品 答：数字产品是被数字化的信息产品，信息内容基于数字格式的交换物。 2.数字化产品 答：数字化产品（digitalized product）是指包含有数字化格式的交换物，包括所有被数字化的商品或服务。数字化产品包括有形数字产品和形数字产品。 3.网络外部性 答：1.根据梅特卡夫法则和正反馈现象性质，产品供应量大，产品对消费者的吸引力就大，产品的价值也就大，价格就可以较高。相反，消费者对低市场规模的产品只愿意出较低的价格。当一种产品对用户的价值随着采用相同产品或可兼容产品的用户增加而增大时，就出现了网络外部性。2.网络效应的雏形是网络价值，其产生的根本原因在于网络自身的系统性、网络内部信息流的交互性和网络基础设施长期垄断性当市场参与者不能把网络效应内化(Internalization)，网络效应就可以被称为网络外部性。 4.摩尔定律 答：.摩尔定律：指计算机硅芯片的功能每18个月翻一番，而价格以减半数下降；它揭示了信息技术产业快速增长的发动机和持续变革的根源。 5.正反馈机制 答：指在信息活动中由于人们的心理反应和行为惯性，在一定条件下，优势一旦出现，就会不断加剧而自行强化，出现滚动的累积效果。强者恒强，富者愈富。 6.负反馈机制 答：指在信息活动中由于人们的心理反应和行为惯性，在一定条件下，劣势一旦出现，就会不断加剧而自行强化，出现滚动的累积效果。弱者恒弱，贫者愈贫。 7.临界点 答：临界点指的是数字产品经过一个长的引入期后，到达的一个产品数量点，超过这个点会导致强者愈强，弱者愈弱。 8.临界容量 答：临界容量指的是数字产品经过一个长的引入期后，到达的一个产品数量值，超过这个值会导致强者愈强，弱者愈弱的状况，这个值就是临界容量。 9.赢家通吃 答指在信息活动中由于人们的心理反应和行为惯性，在一定条件下，优势一旦出现，就会不断加剧而自行强化，出现滚动的累积效果。强者恒强，富者愈富。 新媒体概论复习资料 一、名词解释： 媒介环境媒介环境是指大众传播机构在运作管理中所呈现出来的一种整体气氛，是由大众传播活动全体参与者的行为方式聚合后形成的一种习惯模式。新媒体新媒体是相对于传统媒体而言的，是报刊、广播、电视等传统媒体以后发展起来的新的媒体形态，是利用数字技术、网络技术，通过互联网、无线通 信网、卫星等渠道，以及电脑、手机、数字电视机等终端，向用户提供信 息和娱乐服务的传播形态。严格地说，新媒体应该称为数字化新媒体。2拟态环境“拟态环境”，也就是我们所说的信息环境，它并不是现实环境‘镜子式’的再现，而是传播媒介通过对象征性事件或信息进行选择和加工、 重新加以结构化以后向人们提示的环境。78 公民新闻公民（非专业新闻传播者）通过大众媒体、个人通讯工具，向社会发布自己在特殊时空中得到或掌握的新近发生的特殊的、重要的信息。131 数字鸿沟“数字鸿沟”又称为信息鸿沟，即“信息富有者和信息贫困者之间的鸿沟”，由于信息和通信技术的全球发展和应用，造成或拉大的国与国之间 以及国家内部群体之间的差距。137 公共领域公共领域是指的是介乎于国家与社会（即国家所不能触及的私人或民间活动范围）之间、公民参与公共事务的地方，它凸显了公民在政 治过程中的互动。123 网络暴力是指网名在网络上的暴力行为，是社会暴力在网络上的延伸。264 数字电视指节目信号的摄取、记录、处理、传播、接受和显示均采用数字技术的电视系统，包括了节目采集、节目制作、节目传播到用户端接收的全过程。 41 网络报刊即通过互联网发行和传播的报刊，将多媒体技术、网络技术和通信技术应用到报刊出版、发行、利用的全过程。32 媒介融合将原先属于不同类型的媒介结合在一起；是指各种媒介呈现出多功能一体化的发展趋势。183 博客:就是以网络作为载体，简易、迅速、便捷地发布自己的心得，及时、有效、轻松地与他人进行交流，在集丰富多彩的个性化展示于一体的综合性平台。23 摩尔定律：指现代传播媒介的发展呈现出间隔越来越短，其容量和集合程度却越来越高的趋势。这一定律揭示了信息技术进步的速度。81 梅特卡夫定律：网络的价值等于网络节点数的平方，网络的价值与联网的用户数的平方成正比。是网络技术发展规律。84 病毒经济是网络经济时代孵化出来的畸形儿，高额利益的驱动，使得以经济利益为目标诉求的病毒制造与传播活动持续存在，并且不断兴盛。270 二、简述： 新媒体的主要特征和主要类型： 主要特征：1．交互性与即时性； 2．海量性与共享性； 3．多媒体与超文本； 4．个性化与社群化15--17 主要类型：互联网新媒体 手机新媒体 电视新媒体19 新媒体发展的驱动因素有哪些：1．技术与市场 集成电路制造工艺概述 目录 集成电路制造工艺概述 (1) 一、集成电路制造工艺的概念 (1) 二、集成电路制造的发展历程 (1) 三、集成电路制造工艺的流程 (2) 1.晶圆制造 (2) 1.1晶体生长(Crystal Growth) (2) 1.2切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) (2) 1.3包裹(Wrapping)/运输(Shipping) (2) 2.沉积 (3) 2.1外延沉积 (Epitaxial Deposition) (3) 2、2化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition) (3) 2、3物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition) (3) 3.光刻(Photolithography) (3) 4.刻蚀(Etching) (4) 5.离子注入 (Ion Implantation) (4) 6.热处理（Thermal Processing） (4) 7.化学机械研磨（CMP） (4) 8.晶圆检测（Wafer Metrology） (5) 9.晶圆检查Wafer Inspection (Particles) (5) 10.晶圆探针测试（Wafer Probe Test） (5) 11.封装（Assembly & Packaging） (6) 12.成品检测（Final Test） (6) 四、集成电路制造工艺的前景 (6) 五、小结 (6) 参考文献 (7) 集成电路制造工艺概述 电子信息学院电子3121班 摘要：集成电路对于我们工科学生来说并不陌生，我们与它打交道的机会数不胜数。计算机、电视机、手机、网站、取款机等等。集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路，在当今这信息化的社会中集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础，目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。关键词：集成电路、制造工艺 一、集成电路制造工艺的概念 集成电路制造工艺是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。 二、集成电路制造的发展历程 早在1952年，英国的杜默(Geoffrey W. A. Dummer) 就提出集成电路的构想。1906年，第一个电子管诞生；1912年前后，电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展；1918年前后，逐步发现了半导体材料；1920年，发现半导体材料所具有的光敏特性；1932年前后，运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象；1956年，硅台面晶体管问世；1960年12月，世界上第一块硅集成电路制造成功；1966年，美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。1988年，16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段。1997年，300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺，奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼，发展速度让人惊叹。2009年，intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争，使集成电路发挥了它更大的功能，更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了“电子管——晶《网络经济学》(第1-3章自我学习复习题)答案 准确版要点
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