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MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用

MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用
MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用

书山有路勤为径,学海无涯苦作舟

MPCVD 金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空

器件中的应用

金刚石膜是一种集众多优异性能于一身的新材料,尤其是其热导率高、绝缘性能好以及微波介电损耗低等特点,使金刚石膜在微波电真空器件领域有着重要的应用前景。目前,以微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法制备高品质金刚石膜的技术已趋向成熟。本文将针对微波电真空器件这一应用背景,简要介绍国内外高品质金刚石膜MPCVD 沉积技术的发展现状,进而对金刚石膜材料应用于微波电真空器件领域的一些典型实例进行简单的介绍。

金刚石具有一系列独特的性质,包括极高的热导率、极佳的介电强度和

很低的介电损耗等。正是出于这一原因,真空技术网(chvacuum/)认为金刚石在微波电真空器件领域有着重要的应用前景。

在最近的十余年里,以微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)方法为代表的金刚石膜沉积技术取得了长足的发展。应用MPCVD 技术,目前人们已可以制备尺寸较大、品质很高的金刚石膜材料。在此基础之上,金刚石膜作为一种结合了众多优异性能的实用材料在微波电真空器件领域中的应用已经开始崭露头角。

本文将首先简述MPCVD 方法沉积金刚石膜的原理,进而介绍国内外MPCVD 金刚石膜沉积技术的发展现状以及MPCVD 方法在制备高品质金刚石膜材料方面的应用情况。最后,我们将有选择地对金刚石膜材料应用于微波电真空器件领域的一些典型实例进行介绍。

1、MPCVD 方法金刚石膜沉积技术在各种可用于金刚石膜的沉积方法之中,MPCVD 方法是制备高品质金刚石膜的首选方法。从表1 可以看出,

金刚石薄膜的性能研究

金刚石薄膜的性能研究 金刚石薄膜的应用 由于金刚石的优异性质,加上CVD法大大降低了金刚石的生产成本而CVD金刚石薄膜的品质逐渐赶上甚至在一些方面超过天然金刚石而使得金刚石薄膜广泛地用于工业的许多领域: 1 工具领域 随着汽车、航空和航天工业的发展以及对材质轻量化、高比强度的要求日益提高,有色金属、碳纤维增强塑料(CFRP)、玻璃纤维增强塑料(GFRP)、纤维增强金属(FRM)以及石墨、陶瓷等新材料在工业中的应用日益广泛,因而对加工这些材料的刀具提出了更高的要求,金刚石的高硬度,耐磨损,高热导,低热膨胀系数,低摩擦系数,化学惰性等优点使得金刚石是加工非铁系材料的理想工具材料。HTHP金刚石在二十世纪60年代就被用于刀具领域,但由于其制备工艺复杂,价格昂贵,刀具种类受限而限制了其在工业上的广泛应用;将金刚石薄膜直接沉积在刀具表面,能极大地延长刀具的使用寿命,加工质量也大为提高。 2 热沉领域 目前国内半导体功率器件采用铜作热沉,在同时要求绝缘的场合采用氧化铍陶瓷。但氧化铍在制备过程中有剧毒物质产生,在发达国家已禁止使用。金刚石在室温下具有最高的热导率,是铜、银的5倍,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料 采用金刚石热沉(散热片)的大功率半导体激光器已经用于光通信,在激光二极管、功率晶体管、电子封装材料等方面都有应用;金刚石热沉商品也已在国外市场出现。金刚石热沉的另一应用前景是用于正在发展之中的多芯片技术(MCMs,Multi Chip Modules),这一技术的目标是把许多超大规模集成电路芯片以三维的方式紧密排列结合成为超小型的超高性能器件,而这些芯片的散热则是该技术的关键,显然金刚石薄膜是解决这一技术难题最理想的材料。 3 光学应用领域 金刚石的光学吸收在0.22μm左右,相当于真空紫外光波段,从此位置直到毫米波段,除位于~5μm附近由于双声子吸收而造成的微弱吸收峰(吸收系数~12.3cm-1)外,不存在任何吸收峰。 金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好。在军事可用作红外光学窗口和透镜的涂层。在民用方面可用作在恶劣环境(如冶金,化工等)下工作的红外在线监测和控制仪器的光学元件涂层。CVD金刚石膜通常沉积温度在800~1000℃左右,大多数光学材料衬底都不允许在这样高的温度下沉积金刚石膜,因此在低温下沉

电真空与电子材料技术

电真空及电子材料技术 1.新型霓虹灯制造专用设备2.车用多功能灯箱 3.行波管产品与技术 4.大功率速调管技术 5.光转换剂技术 6.新型电子粉系列产品技术

新型霓虹灯制造专用设备技术 针对国霓虹灯行业急需进行现代化技术改造的需要,我们自行研制、设计、开发出KD系列霓虹灯制造专用设备。 该设备具有高水平的霓虹灯生产流程和工艺,排气的真空度和充气压力全部由仪表指示,改变了“做霓虹灯要靠老师傅的经验”的局面。从而真正实现了生产效率高、质量高、对工人技术要求低的事实。 设备系列: KD—2型 KD—5型 KD—5A型合作方式:技术转让主要设备及电压: 1.工作电压380V或220V 2.2X—4A机械泵一台 3.专用电阻真空计一台 4.K—100金属扩散泵一台 5.高纯氩气、氖气钢瓶及充气 系统一套 6.300mA轰击变压器一台 7.

车用多功能灯箱 车用多功能灯箱具有流动广告宣传、后雾刹车警示、紫外线杀菌消毒功能、报警功能。 1.车载流动广告 随着我国经济的发展,车载户外广告媒介越来越受到商家重视。车载流动广告接触面广,广告效果明显,使人印象深刻,车载流动灯箱广告将为城市增加一个新的亮点。 2.后雾刹车灯(已获专利) 红光光谱为632.8纳米,在最恶劣的雨雾天气条件下,红光具有最强的大气穿透力,具有最佳的视见度和清晰度。红光灯应用到汽车领域做为后雾刹车灯使用,将大大减少各种事故。 3.紫外杀菌消毒灯 我们采用的冷阴极及使用先进设备和特殊工艺制作的紫外线杀菌灯具有长寿命、高可靠的特点,寿命可达5000小时以上。考虑到对人体有少量的伤害,紫外杀菌灯在车使用时,通过技术措施确保只能在车无人的情况下才能开启,并延时自动切断。 合作方式:技术转让、合资办厂、产品代理

常用微波元件

常用微波元件 关键词:微波元件、隔离器、环行器 引言: 微波元件的功能在于微波信号进行各种变换,按其变换性质可将微波元件分为以下三类: 一:线性互易元件 凡是元件中没有非线性和非互易性物质都属于这一类。常用的线性互易元件包括:匹配负载、衰减器、移相器、短路活塞、功分器、微波电桥、定向耦合器、阻抗变换器和滤波器等。 衰减器作为线性互易元件,其频率范围可以从0至26.5GHz, 功率高达2000W。 被应用于民用,军事,航天,空间技术等。 高标准的达到“两高一低”,高功率,高隔离度,低插损。 其频率的范围,主要由客户的需求,从而去定制频率。 以下简单介绍50W功率的同轴衰减器,此衰减值可达到60Db, 频率可为8GHz, 12.4GHz, 18GHz,N型接头。 正面背面侧面 二:线性非易元件 这类元件中包含磁化铁氧体等各向异性媒介,具有非互易特性,其散射矩阵是不对称的。但仍工作于线性区域,属于线性元件范围。常用的线性非互易性元件有隔离度、环形器等。 三:非线性元件 这类元件中含有非线性物质,能对微波信号进行非线性变换,从而引起频率的改变,并能通过电磁控制以改变元件的特性参量。常用的非线性元件有检波器,混频器,变频器以及电磁快控元件等。 微波元件分类:

近年来,为了实现微波系统的小型化,开始采用由微带和集中参数元件组成的微波集成电路,可以在一块基片上做出大量的元件,组成复杂的微波系统,完成各种不同功能。 简要的介绍波导型,同轴型,微带型的产品。 波导隔离器频率范围主要为:2.4-110GHz (具体的频段由客户定制) 于衰减器的使用范围类同,主要使用在民用,军事,航天,空间技术等。 同样具备“低插损,高隔离度,高功率”的特性。 优译波导隔离器 同轴:A :低频率12MHz 至 1875MHz, 含FM, VHF, UHF 等。 B :700MHz 至26.5GHz, 含GSM, CDMA, WCDMA, LTE, L.S.C.X 波段等。 优译同轴隔离器

金刚石

性质:最高硬度,最高热导率,最高传声速度,最宽透光波段,抗强酸强碱腐蚀,抗辐射,击穿电压高,介电常数小,载流子迁移率大,既是电的绝缘体,又是热的良导体,而掺杂后又可成为卓越的P 型(硼)或N 型(磷)半导体。 莫氏硬度为10,是所有已知材料中最硬的,可作耐磨涂层、切削工具、磨料、钻头等常温下金刚石的热导率为20W/cm?K,是所有物质中最高者,可用作散热器或热交换器金刚石不仅在上述各独立领域具有优越的性质,更重要的是这些极限性能的综合作用,使其成为不可替代的特殊物质 金刚石和石墨是碳的两种同素异构体,金刚石的化学成分是纯碳,石墨的化学成分也是纯碳。金刚石坚硬无比,而石墨质地非常软,这是因为石墨中的碳原子是成层排列的,原子间的结合力很小,金刚石中的碳原子则是交错整齐地排列成八面体结构,每个碳原子都紧密地与其他4个碳原子直接连接,构成一个牢固的结晶体。在常温常压下石墨是碳的稳定结晶形式,而金刚石是一种亚稳定状态,金刚石只有在高温高压下才是最稳定的,天然金刚石就是炭在地幔高温高压的条件下形成的。要在常温常压下破坏金刚石中的C-C键需要很高的能量,因此金刚石不会自动转变为石墨。在高温高压下,石墨中的碳原子会重新按金刚石的结构排列,而形成金刚石。

人工合成金刚石的方法从原理上基本可分为:高压法(静压法,动压法)和低压法(气相沉积法)。 静压法指的是通过液压机产生压力,通过电流加热产生高温,在金属熔剂作用下使原本在石墨稳定区饱和的碳在金刚石稳定区内变得过饱和,从而析出金刚石。该方法可以随意调节保温保压时间,可以根据需要控制晶体粒度、质量和晶形等,具有很强的操作性,是目前工业用磨料级金刚石合成使用的唯一方法。 动压法,又叫爆炸法。也要求高温高压条件,是利用烈性炸药TNT 等爆炸时产生的平面波直接作用于石墨,产生足够的温压。但高压高温是瞬间产生与消失,可瞬间形成细微粒金刚石,不需要复杂庞大的高温高压装置,费用低,设备较简单。动压法合成的金刚石颗粒更细,称为金刚石微粉。但是这种方法合成的金刚石的后处理十分困难,其提纯工艺非常复杂。 气相沉积法(CVD)是在低压、高温条件下,用加热、放电等方法激活碳基气体(如甲

类金刚石薄膜制备和应用

类金刚石膜调研 类金刚石薄膜发展史: 金刚石、类金刚石薄膜技术,是指利用各种光学薄膜制作技术制作接近天然金刚石和人造单晶金刚石特性(如在较宽光谱内均具有很高的光透过率--在2~15μm(微米)范围光的吸收率低到1%;具有很高的硬度、良好的导热性、耐腐蚀性以及化学稳定性高--1000℃(摄氏度)以上仍保持其化学稳定性等)的人造多晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜(又称为硬碳膜、离子碳膜、或透明碳膜)的一种技术。 光学应用金刚石、类金刚石薄膜主要采用低压化学汽相沉积(CVD)技术制备。低压CVD 技术包括热丝CVD法、等离子体CVD法、离子束蒸镀法、光/激光CVD法附加活性氢激光CVD 法等。 目前,CVD法制作金刚石薄膜已取得丰硕成果,但作为红外光学薄膜应用还需进一步解决金刚石薄膜对红外光学材料的粘着性和光散射的问题。CVD法制作的金刚石薄膜与硅基片的粘着性是不错的,但是与其他材料(如锗、硫化锌等)基片的粘着性就甚差,或是根本就粘着不到一起去。对于光散射的问题,则是要求如何更好地控制金刚石薄膜表面形态和晶粒结构。理想的CVD法制造的红外光学应用的金刚石薄膜或许是一种单晶结构的膜,但是,目前使用CVD法还不能制造单晶结构的金刚石薄膜。此外,大面积薄膜的制作、膜的光洁度等技术课题以及金刚石薄膜的制作成本问题,都有待于继续研究解决。 1.1金刚石、类金刚石薄膜研究进展 自1963年在一次偶然的机会出现了不寻常的硬度和化学性能好的化学汽相沉积(CVD)碳形式的薄膜后,国外有不少研究单位开始研究金刚石薄膜的沉积工艺.1971年,艾森伯格(Aisenberg)和沙博(Chabot)等人,利用离子束蒸镀法,以石墨作薄膜材料,通过氩气弧光放电使石墨分解电离产生碳离子。碳离子经磁场聚焦成束,在比较高的真空条件下,在低压沉积室内的室温下的基片上沉积出了硬碳膜。这种硬碳膜具有近似于金刚石的一些特性-如透明度高、电阻抗大、硬度高等。当时,这种膜被人们称作i形碳。直到1976年,斯潘塞(Spencer)等人对这种应碳膜的结构进行了探讨,结果确认膜中有金刚石等数种碳系结晶,后才被人们称之为类金刚石膜。就在这一年,德贾吉恩(Derjaguin)等人利用化学转变法合成出了金刚石薄膜。从此之后,低压CVD金刚石薄膜工艺引起了人们的注意。70年代中期,前苏联

类金刚石薄膜的性能与应用

学科前沿知识讲座论文

类金刚石薄膜的性能与应用 摘要: 类金刚石膜(Diamond-like Carbon)简称DLC,就是一类性质类似于金刚石如具有高硬度、高电阻率、耐腐蚀、良好的光学性能等,同时其又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳膜。作为功能薄膜与保护薄膜,其广泛应用于机械、电子、光学、医学、航天等领域中。类金刚石膜制备方法比较简单,易实现工业化,具有广泛的应用前景。 关键词:超硬材料类金刚石薄膜制备气象沉积表面工程技术 引言 磨损就是工程界材料功能失效的主要形式之一,由此造成的资源、能源的浪费与经济损失可用“巨大”来表示。然而,磨损就是发生于机械设备零部件表面的材料流失过程,虽然不可避免,但若采取得力措施,可以提高机件的耐磨性。材料表面工程主要就是利用各种表面改性技术,赋予基体材料本身所不具备的特殊的力学、物理或化学性能,如高硬度、低摩擦系数、良好的化学及高温稳定性、理想的综合机械性能及优异的摩擦学性能,从而使零部件表面体系在技术指标、可靠性、寿命与经济性等方面获得最佳效果。硬质薄膜涂层因能减少工件的摩擦与磨损,有效提高表面硬度、韧性、耐磨性与高温稳定性,大幅度提高涂层产品的使用寿命,而广泛应用于机械制造、汽车工业、纺织工业、地质钻探、模具工业、航空航天等领域。 一、超硬薄膜材料

随着材料科学与现代涂层技术的发展,应用超硬材料涂层技术改善零部件表面的机械性能与摩擦学性能就是21世纪表面工程领域重要的研究方向之一。超硬薄膜就是指维氏硬度在40GPa 以上的硬质薄膜。到目前为止,主要有以下几种超硬薄膜: 1 金刚石薄膜 金刚石薄膜的硬度为50~100GPa(与晶体取向有关),从20世纪80年代初开始,一直受到世界各国的广泛重视,并曾于20世纪80年代中叶至90年代末形成了一个全球范围的研究热潮。金刚石膜所具有的最高硬度、最高热导率、极低摩擦系数、很高的机械强度与良好化学稳定性的优异性能组合使其成为最理想的工具与工具涂层材料。金刚石薄膜在摩擦学领域应用的突出问题,就就是在载荷条件下薄膜与基体之间的粘附强度以及薄膜本身的粗糙度问题,目前,己经有针对性地开展了大量的研究工作。随着研究工作的不断深入,金刚石薄膜将会为整个人类社会带来巨大的经济效益。 2 立方氮化硼(c-BN)薄膜 立方氮化硼(c-BN)薄膜的硬度为50~80GPa,它具有与金刚石相类似的晶体结构,其物理性能也与金刚石十分相似。与金刚石相比,c-BN的显著优点就是具有良好的热稳定性与化学稳定性,适用于作为超硬刀具涂层,特别就是用于加工铁基合金的刀具涂层。 3 碳氮膜 碳氮膜就是新近开发的超硬薄膜材料,理论预测它具有达到与超过金刚石的硬度。已有的研究表明CNx薄膜的硬度可高达72GPa,可与DLc相比拟。同时CNx薄膜具有十分独特的摩擦磨

类金刚石碳

类金刚石薄膜的合成与应用 荆晶中南大学长沙湖南2010年11月 摘要:本文简要介绍了类金刚石薄膜的结构,性质,用途及几种重要的合成方法,其中有离子束沉积法,溅射法,电子加强化学气相沉积法(EACVD),等离子体化学气相沉积法(PCVD),微波等离子体化学气相沉积法(MWPCVD)五种常见的方法。 (一)类金刚石的结构与性质 类金刚石(diamond like carbon,简称为DIC)薄膜是一种含有一定量金刚石键(sp3)的非晶碳的亚稳类型的薄膜,薄膜主要成分为碳。因为碳能够以三种不同的杂化方式sp3、sp2和spl存在(如图一),所以碳可以形成不同晶体的和无序的结构。这也使得对碳基薄膜的研究变得复杂化。在sp3杂化结构中,一个碳原子的四个价电子被分配到具有四面体结构的定向的sp3轨道中.碳原子与相邻的原子形成很强的键,这种键合方式我们通常也称之为金刚石键。在像石墨一样的sp2杂化结构中,碳的四个价电子中的三个进入三角形的定向的sp2轨道中并在一个平面上形成键,第四个电子位于同键一个平面的P π轨道。π轨道同一个或多个相邻的原子形成弱的π键。而在spl结构中,四个价电子中的两个进入π轨道后各自在沿着X轴的方向上形成键,而另外两个价电子则进入Y轴和Z轴的Pπ轨道形成π键。

类金刚石具有类似于金刚石的性能特点,其硬度和耐磨性仅次于金刚石,具有极高的电阻率、电绝缘强度、热导率和光学性能,同时具有良好的化学稳定性和生物相容性等独特的性能特点[1]。国外已广泛应用于机械、电子、光学、声学、磁介质保护、计算机硬盘、食品饮料等包装以及医学等多个领域。类金刚石薄膜的迅速发展,预测它们将是二十一世纪应用最广泛,经济效益最大的新材料之一。 (二)类金刚石薄膜合成方法简介 目前,类金刚石薄膜大多采用低温低压合成法[2]。十多年来,特别是八十年代以前不断出现了一些采用低温低压合成类金刚石膜的新工艺和新装置。低温低压合成法大致可以分为化学气相沉积法、物理气相沉积法等离子体法等。下面简单介绍几种主要合成类金刚石薄膜的方法。 1,离子束沉积法。 等离子合成也称放电合成,是20世纪70年代迅速发展起来的。它是利用等离子体的特殊性质进行化学合成的一种新技术。

oDLC类金刚石镀膜技术知识介绍

oDLC类金刚石镀膜技术知识介绍 DLC(类金刚石薄膜)定义: 类金刚石薄膜是近年兴起的一种以sp3和 sp2键的形式结合生成的亚稳态材料,兼具了金刚石和石墨的优良特性,而具有高硬度.高电阻率.良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜,是英文词汇Diamond Like Carbon的简称,它是一类性质近似于金刚石,具有高硬度.高电阻率.良好光学性能等,同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。 DLC薄膜性能 机械性能:高硬度和高弹性模量、优异的耐磨性、低摩擦系数 电学性能:表面电阻高化学惰性大 光学性能:DLC膜在可见光区通常是吸收的,在红外去具有很高的透过率稳定性:亚稳态的材料、热稳定性很差,400摄氏度 oDLC镀膜技术解析: oDLC镀膜技术,是指通过纳米镀膜技术将DLC(类金刚石薄膜)均匀地沉积于钢化玻璃或者物质表面,形成一层独特的保护膜。借助类金刚石薄膜自身的高硬度优势提高钢化玻璃的表面硬度,改善其防刮抗压性能。、 oDLC镀膜技术的应用 由于DLC类金刚石有着和金刚石几乎一样的性质,因此,它的产品被广泛应用到机械、电子、光学和医学等各个领域。同时类金刚石膜有着比金刚石膜更高的新能价格比,所以相当广泛的领域内可以代替金刚石膜。 1、机械领域的应用 ①用于防止金属化学腐蚀和划伤方面 ②磁介质保护膜 2、电子领域的应用 ①UISI芯片的BEOL互联结构的低K值的材料 ②碳膜和DLC薄膜交替出现的多层结构构造共振隧道效应的多量子阱结构 3、光学领域的应用 ①塑料和聚碳酸酯等低熔点材料组成的光学透镜表面抗磨损保护层 ②DLC膜为性能极佳的发光材料之一:光学隙带范围宽,室温下光致发光和

金刚石线锯简介

金刚石线锯晶片切割简介 传统砂浆切割设备在2010年的快速发展,由于砂浆中使用的主要原料聚乙二醇(PEG)其COD值较高,对于水体环境影响较大,环保政策逐步严苛。 国外金刚线的推广程度较快,从2010年开始,瑞士MB的DW288、日本NTC 的PV500D、东洋的T-8252B、安永的TW-320C、高鸟的MWS-4450DD等均推出了不同型号的金刚石线多线切割机。例如日本有超过90% 金刚线切片如东洋、美国的MEMC、Sunpower ; 金刚线加工主要是静压使晶硅破碎,往复走线过程在晶硅表面形成刮擦状的非晶硅;形成脆性+塑性的独特的加工方式。

国内2012年随着环保政策的要求及金刚石线成本的降低,以及切割技术的进步,硅片厚度已经逐步从超过200um的水平逐步下降至180、160um的水平,硅片实验室切割水平硅片厚度已经可以达到140um,甚至更低的水平。 P型单晶普通电池和P型多晶PERC电池成本相当,单晶电池竞争力回升,多晶市场主导地位受到挑战。多晶硅光伏产品行业目前也在加速推进金刚线切割多晶硅及制绒技术的研究与应用。伴随电池技术进步,硅片薄片化是未来必然的发展趋势,通过薄片化可以降低硅片硅耗,提高硅片产量,进而降低硅片切割的硅成本。金刚线切片技术在单晶加工领域获得了巨大的推广。在成本和环保的双重压力下,国内多家单晶硅片生产公司如西安隆基、内蒙古中环、锦州阳光、卡姆丹克、申和热磁、晶龙等行金刚线切片。多晶金刚线方面上海卡姆丹克、浙江昱辉、保利协鑫、晶科等公司进行传统砂浆切割设备的改造,有改造成功案例。

金刚线简介: 目前日本厂商凭借先发优势,并依靠在金刚石工具制造行业积累的技术优势,在高端市场占据较大份额,代表企业包括旭金刚石(AsahiDiamond)、中村超硬(nakamura)等。日本的旭金刚石(AsahiDiamond)2007年6月就推出了成熟产品;美国Diamond Wire Technology (Meyer Burger AG)主要和梅耶博格公司合作。 国内主要为长沙岱勒、浙江瑞翌、杨凌美畅等厂家。 金刚石粉:其分级中SCMD-WD(金刚石线专用粉),采用高工艺、高强度MBD系列优质金刚石、经过特殊加工程序产生;产品形状较为规则,粒度分布较为集中,有效磨削颗粒集中,微粉颗粒强度高,杂质含量极低,具有良好的分散性、耐磨性。适用于有机、无极脆性材料的切割、磨削、抛光。 树脂结合剂金刚石线锯是一种采用树脂结合剂将金刚石磨粒固结于线锯基体表面而形成的固结磨料线锯,其制作工艺简单,生产成本低,生产效率高。在锯丝制造过程中,可以通过选择合适的添加剂种类和粒径、配比以及树脂结合剂的固化工艺来提高结合剂的强度和韧性。 树脂结合剂金刚石线锯的制造工艺分为四个主要过程: (1)调和树脂液 (2)金刚砂固定工序(金刚石磨料与树脂配料) ①基体表面预处理、涂抹树脂液;②配料涂覆、树脂液半硬化处理; ③检测④卷线 (3)烘烤固化。

金刚石薄膜

金刚石薄膜 类金刚石薄膜是近来兴起的一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料,兼具了金刚石和石墨的优良特性,而具有高硬度。高电阻率。良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。 结构 类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜,是英文词汇DiamondLikeCarbon的简称,它是一类性质近似于金刚石,具有高硬度.高电阻率.良好光学性能等,同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之间的不同结合方式,从而使其最终产生不同的物质:金刚石(diamond)-碳碳以sp3键的形式结合;石墨(graphite)-碳碳以sp2键的形式结合;而如同绪论里所述类金刚石(DLC)-碳碳则是以sp3和sp2键的形式结合,生成的无定形碳的一种亚稳定形态,它没有严格的定义,可以包括很宽性质范围的非晶碳,因此兼具了金刚石和石墨的优良特性;所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料,碳原子间的键合方式是共价键,主要包含sp2和sp3两种杂化键,而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。 由两个相同或不相同的原子轨道沿轨道对称轴方向相互

重叠而形成的共价键,叫做σ键。σ键是原子轨道沿轴方向重叠而形成的,具有较大的重叠程度,因此σ键比较稳定。σ键是能围绕对称轴旋转,而不影响键的强度以及键跟键之间的角度(键角)。根据分子轨道理论,两个原子轨道充分接近后,能通过原子轨道的线性组合,形成两个分子轨道。其中,能量低于原来原子轨道的分子轨道叫成键轨道,能量高于原来原子轨道的分子轨道叫反键轨道。以核间轴为对称轴的成键轨道叫σ轨道,相应的键叫σ键。以核间轴为对称轴的反键轨道叫σ*轨道,相应的键叫σ*键。分子在基态时,构成化学键的电子通常处在成键轨道中,而让反键轨道空着。 σ键是共价键的一种。它具有如下特点: 第一点,σ键有方向性,两个成键原子必须沿着对称轴方向接近,才能达到最大重叠;第二点,成键电子云沿键轴对称分布,两端的原子可以沿轴自由旋转而不改变电子云密度的分布;第三点,σ键是头碰头的重叠,与其它键相比,重叠程度大,键能大,因此,化学性质稳定。共价单键是σ键,共价双键有一个σ键,π键,共价三键由一个σ键,两个π键组成。 分类 类金刚石薄膜(DLC)是1种非晶薄膜,可分为无氢类金刚石碳膜(a-C)和氢化类金刚石碳膜(a-C:H)(图2)两类。无氢类金刚石碳膜有a-C膜(主要由sp3和sp2键碳原子相互混杂

电真空金属材料

常见的电真空金属简介 电真空材料即在真空状态下通电使用的材料,期中电真空金属材料,陶瓷材料,玻璃材料比较常见,这里只对点金属材料做一下介绍。 电真空金属材料种类繁多,包括难熔金属及其合金,费难熔金属及其合金,膨胀合金,磁性材料等。 难熔金属中,钨是人类最为常见的,由于其熔点高,所以一般采用粉末冶金执法来制造钨棒。钨丝在长期高温下会发生再结晶现象,使得强度变低,成为脆性材料。此外钨不与汞发生作用,能用于充汞器件。钨中加入高导电性的铜或银,可以用来制作高负荷的点接触材料。 钼一般也是采用粉末冶金发制造,拉直成的钼丝活碾压成的钼片也是纤维装晶粒组织。。纯钼在1000度下开始再结晶。可以加入少量氧化钾,二氧化硅等提高此无难度到1900。钼与氢气不起作用,因此,当用钼做高温加热元件时采用氢气保护。 此外还有机械性能很好的钽和铌都可以用来做点真空材料,这里不做详细介绍。 非难熔金属熔点不高,高温强度低,因此不能在高温下工作,常见的有镍、铁铜铝。 镍有很好的电焊性能,常用于收讯放大电子管中,也是很好的结构材料,用来被制造阳极,栅极,印迹及其他零件。铁的性质与镍相近,但不如镍,但价格低廉,所以有很大吸引力,在许多地方设法代替镍,所以放在一起介绍。镍铁都能吸收少量氢气,氢气在后者溶解较多,在真空加热是,镍吸收的氢气很容易放出,铁则困难多。铁能耐受离子轰击,阴极溅射比镍小,适用与制作气体放电管中的零件。另外,由于铁在500度的电阻温度系数大,细铁丝可以作为稳流管的灯丝。它们的合金中,无磁镍合金,镍锰合金,低碳钢等都是很好的真空材料。 铜具有高电导,高热导的优点,机械加工容易,蒸汽压不高,在电真空工业中用量不少,主要用作大中型发射管养鸡,微波管的慢波系统,收集极,谐振腔,磁控管的阳极块。纯铜在真空中加热到900度时才显著阵法,但铜中含有的杂质蒸发严重,例如锌的蒸发作为显著,所以,作为管零件用的铜材要求杂质含量低。铜的合金中,有弥散强化无氧,白铜,康铜,黄铜等都可以作为点真空材料使用,性能也很好。 铝熔点低,但密度小,蒸汽压低,导电导热性能好,而且在空气中稳定。阴极溅散小,受点在轰击时x射线辐射不显著,因此用来制作冷阴极放电管的阴极,电子束管中的偏转板等。 膨胀合金是热膨胀洗漱满足特定要求的合金材料,在电真空,半导体器件的生产中必不可少,根据热膨胀洗漱大小,可以分为低膨胀合金,定膨胀合金,高膨胀合金。 磁性材料一般分为两大类,软磁材料和硬磁材料,但是在电子枪零件中,或在其他一些有带电例子运动的构建中,为了不干扰电子或离子的运动轨迹,都要选用非磁性材料。 陈克强《材料科学基础与点真空材料》清华大学出版社

宝石级人造钻石(大颗粒单晶金刚石)的设备介绍MPCVD新型的方法

宝石级人造钻石(大颗粒单晶金刚石)的设备介绍----MPCVD新型的方法 介绍CVD金刚石设备,主要为微波CVD设备,是被公认的能够制备高品级的大颗粒金刚石和大面积金刚石厚膜。有需要CVD设备,主要提供1 kW 5 kW 8 kW 微波等离子体CVD 设备,也欢迎咨询! 目前化学气相沉积(CVD)法制备金刚石主要有:热丝CVD,直流电弧CVD,微波等离子体CVD。这些方法在本质上都是用某种形式的能量来激励和分解含碳化合物气体分子,并在一定条件下使金刚石在基片表面成核和生长。 用于刀具涂层的热丝设备能够工业化得直流设备能够制备高品级钻石的微波设备 热丝CVD 直流 CVD 微波CVD 各自的内部结构图,可以发现三者就是激发等离子体的方式不一样,有各自的优缺点 做出来的金刚石的质量也是不一样的哦,看对比就知道了

热丝主要用于刀具涂层上直流法生长不够稳定微波法最好,但是耗资较大 三者对比可是看的出来的哦,三种方法做出来的东西就是不一样的 因此,只有微波法能做出高品级金刚石!

直接看看微波CVD金刚石的应用就知道好了:光学级金刚石能够应用到各个领域 更重要的是,可以做钻石的!

apollo公司生产0.28-0.67克拉的粉红CVD钻石,目前无色钻石最大可达16克拉 微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)是制备高品质金刚石膜的首选方法。主要优点为:无内部电极,可避免电极放电污染;运行气压范围宽; 能量转换效率高;可以产生大范围的高密度等离子体;微波和等离子体参数均可方便地控制等. 所以,它是制备大面积均匀、无杂质污染的高质量金刚石膜的有开 发前景的重要方法. MPCVD 装置通常分为微波系统、等离子体反应室、真空系统和供气系统等四大部分. 微波系统包括微波功率源、环行器、水负载、阻抗调配器,有时还包括测量微波入射和反射功率的定向耦合器及功率探头和显示仪表. 微波频率通常选用工业用加热频段的2. 45GHz. 真空和统由真空泵、真空阀门和真空测量仪器(包括真空规管和显示仪器) 组成. 供气系统由气源、管道和控制气体流量的阀和流量计等组成. 这三个部分各自都是通用型的,可以适用于各种类型的MPCVD 装置和其他用途的实验装置. 等离子体反应室包括微波与等离子体的耦合器、真空沉积室以及基片台等. 不同类型的PCVD 装置的区别在于等离子体反应室形式的不同. 从真空沉积室的形式来分,有石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式. 从微波与等离子体的耦合方式分,有表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式. 在过去的20年里,金刚石膜MPCVD装置经历了从早期的石英管、石英钟罩式,到后期的圆柱谐振腔式、椭球谐振腔式以及圆周天线式(CAP)谐振腔的发展。下面一一进行介绍: 1. 直接耦合石英管式MPCVD装置的结构 装置图

几种CVD制备金刚石薄膜的方法.

几种CVD制备金刚石薄膜的方法 1.热丝CVD法 此法又称为热解CVD法,Matsumoto等人采用热丝CVD法成功地生长出了金刚石薄膜。该法是把基片(Si、Mo、石英玻璃片等放在石英玻璃管做成的反应室内,把石英管内抽成真空后,把CH4和H2的混合气体输人到装在管中的钨丝附近(两种气体的流量比为0.5%-5%。用直流稳压电源加热钨丝到约2000℃,反应室内温度为700~900℃,基片温度为900℃左右,室内气体压力为1×103-1×105Pa。在这样的反应条件下,CH4和H2混合气中的H2被热解,产生原子态氢,原子态氢与CH4反应生成激发态的甲基,促进了碳化氢的热分解,促使金刚石SP3杂化C-C键的形成,使金刚石在基片上沉积,获得立方金刚石多晶薄膜。沉积速率为8-10μm/h 我国的金曾孙等人也用热丝CVD法生长出质量很好的金刚石薄膜。实验表明,基片温度和甲烷的浓度是薄膜生长最为重要的参数,它们对金刚石薄膜的结构、晶形、膜的质量和生长速率影响甚大。该法的特点是装置结构简单、操作方便、容易沉积出质量较好的金刚石膜。 2.电子加速CVD法 此法是在用热丝CVD法沉积金刚石薄膜过程中,用热电子轰击基片表面,加速金刚石在基片上沉积。与热丝CVD法不同的是,该法把电压正极接在用铝制成的基片架上,经加热的钨丝发射电子,电子在电场作用下轰击阳极的基片。CH4和H2的混合气体被输送到基片表面,由于热反应和热电子轰击的双重作用,使气体发生分解,形成各种具有活性的碳氢基团,促使具有双键和三键的碳离解,加速金刚石的成核和生长。基片可选用Si、SiC、Mo、WC、A12O3等材料。一般的工艺参数是:甲烷为ψ(CH4=0.5%~2.0%;气体流速为5-50cm3/min;基片温度在500~750℃之间;钨丝温度为2000℃;基片支架的电流密度为10mA/cm2,电压150V。用此法沉积出的金刚石薄膜的性质与天然金刚石基本相同,晶形完整,生长速率一般为3~5μm/h。此法的特点是通过电子轰击基片,从而加速了CH4和H2的分解,增加了基片表面上金刚石的

真空材料与工艺

真空材料与工艺 主讲人:张以忱 东北大学真空与流体工程研究中心

1 真空工程材料 1. 1 真空材料的种类 真空系统中所用的材料大致可分为两类: 1) 结构材料:是构成真空系统主体的材料,它将真空系统与大气隔开,承受着大气压力。这类材料主要是各种金属和非金属材料,包括可拆卸连接处的密封垫圈材料。 2) 辅助材料:系统中某些零件连接处或系统漏气处的辅助密封用的真空封脂、真空封蜡、装配时用的粘接剂、焊剂、真空泵及系统中用的真空油、吸气剂、工作气体及系统中所用的加热元件材料等。

1.2 真空材料的性能与选材基本原则1.2.1 材料的真空性能 1.2.1.1 材料的渗透性 由于在真空容器器壁两侧的气体总是存在压力差,气体从密度大的一侧向密度小的一侧渗入、扩散、通过和逸出固体阻挡层的过程称为渗透。该情况下的稳态流率称为渗透率。 从微观的角度来看,渗透过程是按以下步骤进行的(见图1)

图1 气体渗透过程示意图

气体渗透过程: 1). 首先,气体原子或分子碰撞到真空器壁的外表面并吸附在器壁的外表面;2). 吸附时有的气体分子能离解成原子态;3). 气体(分子或原子)在入射一侧的壁面表层达到与环境气压相对应的平衡溶解度;4). 由于表层浓度比较高,在浓度梯度的作用下气体向壁面的另一侧扩散,直到浓度均匀为止。扩散的 气体分子(原子),有的能与固体分子发生化学反应,形成化合物;有的只形成不稳定的“假化合物”;有的则构成溶质;5). 溶质气体扩散到器壁的另一面重新结合成分子态(如果存在步骤2时)后释放;或气体扩散到器壁的另一面后解吸和释出。

电真空无氧铜零件无污染电镀工艺

2004年全国电子电镀学术研讨会论文集 电真空无氧铜零件无污染电镀工艺 何家康 (中国振华(集团)科技股份有限公司宇光分公司550018) [摘要]介绍一种电真空器件无氧铜零件无荇染电镀镍、电镀银工艺。本工艺的实施是一种清洁电镀生产。 C关键词】无氧铜零件电镀工艺 1前言 无氧铜材料在真空电子器件中用量较大,部分无 氧铜零件需要电镀,一般采用电镀镍或电镀银,电镀 镍的作用:便于钎焊,使零件之间用焊料在真空炉或 氢炉焊接成为组件;电镀银的作用:增加外附件的导 电性能。 在以前的电镀工艺中,铜零件的电镀镍、电镀银 在前处理和电镀基本上要产生酸洗黄烟、氰化物废 水,对环境污染比较大。为了解决环境污染的问题, 我们在原来的工艺上进行大量试验,使电镀生产过程 无污染。 ’1 2工艺流程 … 2.1无氧铜零件电镀镍工艺流程: 1)超声波化学除油 常温化学除油剂20—45昏/L 温度:40—45℃ 时间:3~5min 2)热水洗 温度:45—50℃ 时阔:8—15s 3)冷水洗 4)活化(抛光) 工业级(98%)H2s0。 工业级NaN03 工业级HCl 聚乙二醇(M≥10000) 温度:25—40℃ 时间:0.5~2m抽 5)冷水洗 6)电镀镍 NiS0。?7l{20 Na,S04450mL/L 959/L 5mL/L O.5一lg/L 150~250∥L 80~100∥L NacllO一15∥L H380335—459/L DH:5—5.5 电流密度:O.5~1.OA/dm2 温度:室温 时问:40~60min(视镀层厚度而定) 有阴极移动装置效果更好。 7)回收(纯净水) 8)冷水洗 9)脱水 采用无水乙醇进行脱水 10)烘干 无氟铜零件电镀银工艺流程: 1)超声波化学除油 常温化学除油剂30—509/L 温度:40~45气 时问:3—5min 2)热水洗 温度:45—50℃ 时间:8—15s 3)冷水洗 4)活化(抛光) 工业级(98%)H2S04 工业级NaN03 工业级Hcl 聚乙二醇(M≥10000) 温度:25—40℃ 时间:O.5~2min 5)冷水洗 6)预镀银 AgN0, cs(NH:)2 pH:4 温度:窒温 450m∥L 959/L 5mL/L 0.5~1∥L 15~259/L 200一220g/L

微波原件

微波原件在振动筛的筛分选矿中也是市场用到的。下文就给大家讲解一下常用的常用微波元件有哪些,特点和原理又是什么。 微波元件在微波技术领域中有着广泛的应用,是微渡系统的重要组成部分之一。微波元件的种类很多,从大的方面可以分为3大类:线性互易元件、线性非互易元件和非线性元件。当然也可按其他标准划分为波导型,同轴线型、带状线和微带型。因为微波元件种类繁多,性能各异,而且处于日新月异的发展变化中.因此,下面仅介绍微波加热常用的几种元件。 1 测量线 测量线又称为驻波测量器.它分为渡导型和同轴线型两种,主要由开槽线和 装在探针上的探针及晶体检渡器组成图1-1所示为波导型测量线,开槽线1为一段标准的矩形波导.在波导宽通的中心线上开槽缝2,在高频电流的分布中分析过,此槽缝并不影响波导壁上的电流分布。检波器3通过探针4插入波导的槽 缝中耦合出部分微波功率。探针可以上下移动,控制探钊插入渡导中的深度可以调节耦合的强弱。耦台出来的微波功率经检渡器检波,用测量放大器或光点检测计5读取。当改变频率时,要调节装在探针座6 上的谐振腔7中的短路活塞8,使谐振腔在所测信号额率上谐振.此时检波电流最大,反应灵敏。探针座带着探针在开槽波导上左右自由移动。开槽波导有几个半渡长,当移动探针座时,可以测出几个驻波最大点和最小点,两相邻最大点或最小点之间的距离为一波导波长,探针的位置由标尺 9精密地读出。

2环流量 环流器又称环行器,一般具有3个分支,如图1-12所示,环流器上标有环行的方向,输入到某一个分支的微波只能接环流方向传到下一个分支中去。这样一束,就保征了微波管的稳定工作,防止了微波因多次反射损坏微波管。 在大功率的微波加热器中,为了降低成本.缩小体积,对输出功率小要求恒定的前提下,在微渡管能承受得的了外界驻波比范围内.一般也可不用环流器.

微波技术基础课程学习知识要点

《微波技术基础》课程学习知识要点 第一章 学习知识要点 1.微波的定义— 把波长从1米到0.1毫米范围内的电磁波称为微波。微波波段对应的频率范围为: 3×108Hz ~3×1012Hz 。在整个电磁波谱中,微波处于普通无线电波与红外线之间,是频率最高的无线电波,它的频带宽度比所有普通无线电波波段总和宽10000倍。一般情况下,微波又可划分为分米波、厘米波、毫米波和亚毫米波四个波段。 2.微波具有如下四个主要特点:1) 似光性、2) 频率高、3) 能穿透电离层、4) 量子特性。 3.微波技术的主要应用:1) 在雷达上的应用、2) 在通讯方面的应用、3) 在科学研究方面的应用、4) 在生物医学方面的应用、5) 微波能的应用。 4.微波技术是研究微波信号的产生、传输、变换、发射、接收和测量的一门学科,它的基本理论是经典的电磁场理论,研究电磁波沿传输线的传播特性有两种分析方法。一种是“场”的分析方法,即从麦克斯韦方程出发,在特定边界条件下解电磁波动方程,求得场量的时空变化规律,分析电磁波沿线的各种传输特性;另一种是“路”的分析方法,即将传输线作为分布参数电路处理,用克希霍夫定律建立传输线方程,求得线上电压和电流的时空变化规律,分析电压和电流的各种传输特性。 第二章 学习知识要点 1. 传输线可用来传输电磁信号能量和构成各种微波元器件。微波传输线是一种分布参数电路,线上的电压和电流是时间和空间位置的二元函数,它们沿线的变化规律可由传输线方程来描述。传输线方程是传输线理论中的基本方程。 2. 均匀无耗传输线方程为 () ()()()d U z dz U z d I z dz I z 2222220 -=-=ββ 其解为 ()()() U z A e A e I z Z A e A e j z j z j z j z =+=---120121ββββ 对于均匀无耗传输线,已知终端电压U 2和电流I 2,则: 对于均匀无耗传输线,已知始端电压U 1和电流I 1,则: ()()?????+=+= sin cos sin cos 022022Z z jU z I z I z Z jI z U z U ββββ

微波电子器件

第一章 1.微波的重要地位: (1)由于波长短,容易通过聚束天线实现窄波束定向辐射,因而为无线电探测和定位提供了有效的手段。 (2)由于频率高、频带宽、信道容量大,因此在通信系统中也获得了广泛的应用。 (3 )由于微波是视距直线传播,几乎可以全天候穿透云雾、丛林甚至电离层,可以在地球和太空之间开辟一个窗口,这为人类进入太空和探测太空提供了技术手段。 2.微波系统中元器件分为无源器件和有源器件,其中有源器件又分为微波电真空器件和微波半导体器件。 3.价带顶和导带底在K 空间同一点的半导体称为直接带隙半导体。 4.n 型硅晶体中某些硅原子被磷原子替代,成键后多余一个电子,当杂质浓度并不太高时,每个磷原子在室温下都能施放一个导带电子,故称为施主杂质。若电子已电离,则称为电离施主杂质。 5.施主杂质这个多余电子处于束缚态时所对应的能量称为施主杂质能级,简称施主能级。 6.P 型硅晶体中硼原子替代硅原子,当杂质浓度并不太高时每个硼原子在室温下都能接受一个价带电子,故称为受主杂质。 7.将受主杂质束缚在空穴时所对应的能量称为受主杂质能级,简称受主能级。 8.将价带顶附近的电子激发到导带的过程称为本征激发。 9.使 e e ne μσ= 则电子迁移率为: 10.迁移率的物理意义是:在单位外电场作用下,电子所获得的定向漂移速度。 11.参数τ表征非平衡少子衰减至1/e 所需的时间,称为非平衡少子寿命。 12.直接复合是指导带中的电子释放近似等于禁带宽度的能量,跃迁至价带中的空状态而成为价带中电子的过程。其类型包括辐射复合、无辐射复合、俄歇复合。 13.间接复合与以下四个过程有关:a 导带电子落入复合中心,即复合中心俘获电子;b 复合中心向导带发射电子;c 复合中心向价带发射电子,即复合中心俘获价带空穴;d 复合中心俘获价带电子,即复合中心向价带发射空穴。 14.τp p D l =称为少子扩散长度,其物理意义为:非平衡少子数密度下降至注入处的1/e 所需扩散的距离。 15.爱因斯坦关系式:e k p p n T D D B n ==μμ 16.P-n 结的杂质分布一般可以归纳为突变结和缓变结:合金结和高表面浓度的浅扩散结,一般可以认为是突变结。 低表面浓度的深扩散结,一般可以认为是线性缓变结。 17.通常把在p-n 结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷,空间电荷所存在的区域称为空间电荷区。

《微波技术基础》课程学习知识要点

《微波技术基础》课程复习知识要点 (2007版) 第一章 “微波技术基础引论”知识要点 廖承恩主编的《微波技术与基础》是国内较为经典的优秀教材之一,引论部分较为详细的介绍了微波的工作波段、特点及其应用,大部分应用背景取材于微波通讯占主导地位的上世纪80’s / 90’s 年代。在科技迅猛发展的今天,建议同学们关注本网站相关联接给出的最新发展动态,真正做到学以致用,拓展自己的知识面,特别是看看微波在现代无线和移动通信、射频电路设计(含RFID )、卫星定位、宇航技术、探测技术等方面的应用,不要局限于本书的描述。(Microwaves have widespread use in classical communication technologies, from long-distance broadcasts to short-distance signals within a computer chip. Like all forms of light, microwaves, even those guided by the wires of an integrated circuit, consist of discrete photons ….. NATURE| Vol 449|20 September 2007)1 本章的理论核心是在对导行波的分类的基础上推导了导行系统传播满足的微波的波段分类、特点与应用(TE 、TM 、TEM )和基本求解方法,给出了导行系统、导行波、导波场满足的方程;(Halmholtz Eq 、横纵关系)、本征值---纵向场法、非本征值---标量位函数法(TEM )。{重点了解概念、回答实际问题,比如考虑一下如按如下的份类,RFID 涉及那些应用?全球定位系统GPS 呢?提高微波工作频率的好处及实现方法?} 1.微波的定义 把波长从1米到1毫米范围内的电磁波称为微波。微波波段对应的频率范围为: 3× 108Hz ~3×1011Hz 。在整个电磁波谱中,微波处于普通无线电波与红外线之间,是频率最高的无线电波,它的频带宽度比所有普通无线电波波段总和宽1000倍。一般情况下,微波又可划分为分米波、厘米波和毫米波三个波段。 2.微波具有如下四个主要特点:1) 似光性、2) 频率高、3) 能穿透电离层、4) 量子特性。 3.微波技术的主要应用:1) 在雷达上的应用、2) 在通讯方面的应用、3) 在科学研究方面的应用、 4) 在生物医学方面的应用、5) 微波能的应用。 4.微波技术是研究微波信号的产生、传输、变换、发射、接收和测量的一门学科,它的基本理论是 经典的电磁场理论,研究电磁波沿传输线的传播特性有两种分析方法。一种是“场”的分析方法,即从麦克斯韦方程出发,在特定边界条件下解电磁波动方程,求得场量的时空变化规律,分析电磁波沿线的各种传输特性;另一种是“路”的分析方法,即将传输线作为分布参数电路处理,用克希霍夫定律建立传输线方程,求得线上电压和电流的时空变化规律,分析电压和电流的各种传输特性。 f λ31081051010(m)(Hz)3103231063109-13101210-43101510-73101810-10无线电波 光波宇宙射 线 视频射频

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