晶振行业人士众所周知石英晶体原名称呼为水晶体，主要成分有天然和人工，人工主要成分SiO2，以及化学材料，和到光学材料，当然最主要的还是压电材料了。压电石英晶体最主要的特征是原子或者是分子，是非常有规律的排列。反映在宏观上是外形的对称性。人造水晶在高温高压下结晶而成。在电场的作用下，晶振内部产生应力而形变，从而产生机械振动，获得特定的频率。我们利用它的这种逆压电效应特性来制造石英晶体谐振器。
负载谐振频率
图1 表示AT切厚度切变石英晶体随切角变化的频率温度特性曲线。由于AT切频率温度特性等效于三次方程，因此在较宽的温度范围内有较好的频率稳定性。
等效电路
图2 为晶体的等效电路，可利用其表述晶体在谐振频率附近的工作特性。Co表示静态电容，是晶体两电极之间的电容再加上引线及基座带来的电容。R1， L1，C1组成晶体等效电路的动态臂，C1表示石英晶振的动态电容，L1为动态电感，R1为动态电阻。
谐振频率 fr 及
fa
晶体元件电气阻抗为纯电阻时，对应着两个频率，其中较低的一个为串联谐振频率 fr, 较高的一个为并联谐振频率 fa, 在 fr 时晶体元件对应的电阻值 Rr 称为晶体的谐振电阻，在近似情况下：
负载谐振频率
在规定条件下，晶振元件与一负载电容相串联或并联，其结合阻
抗为纯电阻时的两个频率中的一个频率即为 f L 。在串联电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的那个频率，而在并联电容时，负载谐振频率则是其中较高的那个频率。对某一个给定的负载电容值（ C L ），实际上这两频率是相等的，可近似表述为
负载电容
从SMD晶振的两个引脚向电路系统看去电路所呈现的全部有效电容，即为负载电容，它与晶体元件一起决定晶体在电路上的工作频率。
品质因素
“ Q ”值是晶体等效电路中动态臂谐振时的品质因素。振荡电路所能获得的最大稳定性直接与电路中晶体的 Q 值相关。 Q 值越高，晶体带宽（△ f ）越小，电抗值（ fs - fa ）变化越陡，外部电抗对晶体的影响越小。
石英晶片的制作流程
准备晶棒——晶片切割——晶片排盘——车圆加工——厚度分类——表面粗研——频率检查——表面精研——频率检查——频率分类——化学腐蚀——频率检查——频率分类
石英晶体的制作工艺流程
晶片清洗——镀膜——上架、点胶——微调——压封——检漏——老化——测试——终检——包装——入库
晶体谐振器主要技术指标
标称频率：有源晶振振荡器输出的中心频率或频率的标称值。频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差：在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的最大允许频率偏差。
负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。
工作温度范围：能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。
频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。
ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
ftref＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜] ft：晶振频率温度稳定度(不带隐含基准度)
ftref：频率温度稳定度(带隐含基准温)
fmax ：规定温度范围内测得的最高频率
fmin：规定温度范围内测得的最低频率
fref：规定基准温度测得的频率
说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft 指标的石英晶体振荡器,故ftref指标的晶体振荡器售价较高。负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容，用CL表示。
负载电容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF
激励电平：贴片晶振晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等
老化率：在确定时间内输出频率的相对变化。
基频：在振动模式最低阶次的振动频率。
泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
石英晶体谐振器 一、术语解释 1、标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。 2、工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。 3、调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度 （25±2℃）时工作频率的允许偏差。 5、老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。 7、负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。负载电容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就应选推荐值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。 8、负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 9、动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。 10、负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2 11、激励电平：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW、、、、50μW、20μW、10μW、1μW、μW等 12、基频：在振动模式最低阶次的振动频率。 13、泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。 二、应用指南 石英晶体谐振器根据其外型结构不同可分为HC-49U、HC-49U/S、 HC-49U/S?SMD、UM- 1、UM-5及柱状晶体等。 HC-49U适用于具有宽阔空间的电子产品如通信设备、电视机、电话机、电子玩具中。 HC-49U/S适用于空间高度受到限制的各类薄型、小型电子设备及产品中。 HC-49U/S?SMD为准表面贴装型产品，适用于各类超薄型、小型电脑及电子设备中。 柱状石英晶体谐振器适用于空间狭小的稳频计时电子产品如计时器、电子钟、计算器等。 UM系列产品主要应用于移动通讯产品中，如BP机、移动手机等。 石英晶体谐振器主要用于频率控制和频率选择电路。本指南有助于确保
电子电路专业术语 ADM Add Drop Multiplexer 分插复用器 利用时隙交换实现宽带管理，即允许两个STM-N信号之间的不同VC实现互连，并且具有无需分接和终结整体信号，即可将各种G.703规定的接口信号(PDH)或STM-N信号(SDH)接入STM-M(M>N)内作任何支路。 AON Active Optical Network 有源光网络 有源光网络属于一点对多点的光通信系统，由ONU、光远程终端OLT和光纤传输线路组成。 APON ATM Passive Optical Network ATM无源光网络 一种结合ATM 多业务多比特率支持能力和无源光网络透明宽带传送能力的理想长远解决方案，代表了面向21 世纪的宽带接入技术的最新发展方向。 ADSL Asymmetric Digital Subscriber Line 非对称数字用户线 非对称数字用户线系统ＡＤＳＬ是一种采用离散多频音ＤＭＴ线路码的数字用户线ＤＳＬ系统。 AA Adaptive Antenna 自适应天线 一种天线提供直接指向目标的波束，比如移动电话的天线，能够随目标移动自动调整功率等因素，也称为智能天线（SMART ANTENNA）。 ADPCM Adaptive Differential Pulse Code Modulation 自适应脉冲编码调制 一种编码技术，将模拟采样的比特数从8位降低到3到4位，完成传输信号的压缩，ITU-T推荐 G.721 为32位ADPCM定义了一种算法（每秒8000次采样，每次采样采4比特），与传统PCM编码相比，它的传输容量加倍。
ADFE Automatic Decree Feedback Equalizer 自适应判决反馈均衡器 一种利用判决后的信号作为后向抽头的输入信号，可以消除噪声对后向抽头信号的影响的均衡器技术。 AMI Alternate Mark Inversion 信号交替反转码 一种数字传输中常用的编码技术，逻辑0由空电平表示，而逻辑1由交替反转的正负电压表示。 AON All Optical Net 全光网 就是网中直到端用户节点之间的信号通道仍然保持着光的形式，即端到端的全光路，中间没有光电转换器。这样，网内光信号的流动就没有光电转换的障碍，信息传递过程无需面对电子器件处理信息速率难以提高的困难。 AOWC All Optical Wave Converter 全光波长转换器 是指不经过电域处理，直接把信息从一个光波长转换到另一个波长的器件。 ASK Amplitude Shift Keying 振幅键控 一种键控技术，对应二进制调制信号，承载信号在开启和关闭之间切换，也就是常说的 ON-OFF键控。 ATPC Automatic Transfer Power Control自动发信功率控制 技术的要点是微波发信机的输出功率在ATPC 控制范围内自动跟踪接手段接收电平的变化而变化。它的优点有可减少对相邻系统的干扰、减少上衰减问题、减低直流功率消耗、改善剩余误码特性、在衰落条件下使输出功率额外增加2dB。 AWF All Wave Fiber 全波光纤 消除了光纤1383nm的水峰，这样就在1350－1450nm波段能增加120多个新的波长（间隔100GHZ）。对于城市接入网的用户十分有利。 AU Administrative Unit 管理单元 提供高阶通道层和复用段层之间适配功能的
信号是运载信息的工具是消息的载体。信息的具体表现形式是信号信息是信号包含的内容，没有信息，信号将毫无意义。 AVR单片机是1997年由ATMEL公司研发出的增强型内置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精简指令集高速8位单片机。AVR的单片机可以广泛应用于计算机外部设备、工业实时控制、仪器仪表、通讯设备、家用电器等各个领域。 1997年，由Atmel公司挪威设计中心的A先生和V先生，利用Atmel公司的Flash新技术，共同研发出RISC精简指令集高速8位单片机，简称AVR Single chip microcomputer
Altium公司作为EDA领域里的一个领先公司，在原来Protel 99SE的基础上，应用最先进的软件设计方法，率先推出了一款基于Windows2000和Windows XP操作系统的EDA设计软件Protel DXP 计算机辅助设计(CAD-Computer Aided Design)指利用计算机及其图形设备帮助设计人员进行设计工作。 Dxp 薛晓花电路板单片机 keil Protues 编写程序和仿真 EDA quatuas2 VHDL语言文本输入，图形输入。数字信号 Matlab 虚拟仪器 Multisim . Labviw 田思 3G是英文3rdGeneration的缩写，指第三代移动通信技术。相对第一代模拟制式手机（1G）和第二代GSM、TDMA等数字手机（2G），第三代手机一般地讲，是指将无线通信与国际互联网等多媒体通信结合的新一代移动通信系统。它能够处理图像、音乐、视频流等多种媒体形式，提供包括网页浏览、电话会议、电子商务等多种信息服务。为了提供这种服务，无线网络必须能够支持不同的数据传输速度，也就是说在室内、室外和行车的环境中能够分别支持至少2Mbps（兆比特/每秒）、384kbps （千比特/每秒）以及144kbps(千比特/每秒)的传输速度。2G（second generation）表示第二代移动通讯技术。代表为GSM。以数字语音传输技术为核心。
三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件就是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态就是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流就是( A )而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2、1V,V B＝2、8V,V C＝4、4V,说明此三极管处在( A )。 A、放大区; B、饱与区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件就是( C ) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象就是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱与失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件就是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题就是(A)。
电子专业专业词汇公司内部档案编码：[OPPTR-OPPT28-OPPTL98-OPPNN08]
algebraic 代数 alumina 氧化铝 amber 琥珀 ammonia 氨 ampere 安培 amplitude 振幅 analogous 相似的；类似的 angular frequency 角频率anisotropic 各向异性 anode 阳极 antenna 天线 antiferromagnetic 反铁磁aperture 孔径；口径；光圈approximation 近似值 array factor 阵因子 astigmatic ray 散射线 astigmatic tube of rays 散光管射线asymptotic form 渐近形式 atomic number 原子序数 attenuation constant 衰减常数auxiliary 辅助的 axial ratio 轴比
azimuthal 方位角的 backscattered 反(背)向散射的 bakelite 人造树胶 bandwidth 带宽 barium 钡 barium tetratitanate 四钛酸钡 basis function 基函数 beryllium 铍（符号Be） Bessel function 贝塞尔函数 biconical transmission line 双锥传输线 bilinear formula 双线性公式 binomial 二项式；二项分配 binomial impedance transformer 二项式阻抗变压器binomial transformer 二项式变换器 bistatic 双站 boron 硼 bouncing plane waves bound electron 束缚电子 boundary condition 边界条件 boundary-value problem 边界值问题 brass 黄铜 Brewster angle 布儒斯特角
石英晶体谐振器应用 石英晶体谐振器的应用利用电信号频率等于石英晶片（或棒）固有频率时晶片因压电效应而产生谐振现象的原理制成的器件。它由石英晶片（或棒）、电极、支架和外壳等构成，在稳频、选频和精密计时等方面有突出的优点，是晶体振荡器和窄带滤波器等的关键元件。 石英晶体谐振器根据其外型结构不同可分为49U、49U/S、49U/S、1、5及柱状晶体等。 49U适用于具有宽阔空间的电子产品如通信设备、电视机、电话机、电子玩具中。 49U/S适用于空间高度受到限制的各类薄型、小型电子设备及产品中。 49U/S·SMD为准表面贴装型产品，适用于各类超薄型、小型电脑及电子设备中。 柱状石英晶体谐振器适用于空间狭小的稳频计时电子产品如计时器、电子钟、计算器等。 UM系列产品主要应用于移动通讯产品中，如BP机、移动手机等。 石英晶体谐振器应用于频率控制和频率选择电路。本指南有助于确保不出现性能不满意、成本不合适及可用性不良等现象。 1、振动模式与频率关系：
基频1～35MHz 3次泛音10～75MHz 5次泛音50～150MHz 7次泛音100～200MHz 9次泛音150～250MHz 2、晶体电阻：对于同一频率，当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。 "信号源+电平表"功能由网络分析仪完成 Ri、R0：仪器内阻：一般为50Ω R1--滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。 R2--滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。 在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求，应按上图连接。 3、工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。 4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负
电子元器件知识 一、印制板（线路板、PCB板） 1、PCB板分类 A、单面板：PCB板只有一面有铜皮。 B、双面板：PCB板两面都有铜皮。 C、多层板：PCB板有多层铜皮。 2、PCB板术语 A、元件面：印有元器件的白油图和编号的那面。 B、焊接面：印制板上除元件面外的另一面。 C、绿油层：覆盖在铜皮上的一层绿色油层。 D、阻焊层：铜皮上没有绿油层的部分。 E、铜皮：用来连接元器件的引脚的一层覆盖在印制板上的细铜墙丝。 F、焊盘：焊接面上用来焊接元器件引脚，带有圆孔的圆形阻焊层。 G、焊点：焊有焊锡的焊盘。 H、过孔：双面板上用来连接两面上的铜皮的铜孔。 I：丝印：印制板的元件面印有用来标示元器件形状的白色线条。 二、元器件 1、电阻器 A、简称电阻，代表符号：R；单位：欧姆，单位符号：Ω（欧）、KΩ（千欧）、 MΩ（兆欧）。 B、换算关系：1MΩ=103KΩ=106Ω。 C、分类：碳膜电阻、精密电阻、贴片电阻、线绕电阻、压敏电阻、金属膜电阻、氧化膜电阻等。 D、额定功率：1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W等。 E、贴片电阻：103=103Ω=10K，4701=4700Ω=4.7KΩ，6R8=6.8Ω F、色环电阻辨认：
2、电容器 A 、电容器：简称电容，符号：C ；单位：法拉，单位符号：F （法）、UF （微法）、NF （纳法）、PF （皮法）。 B 、电路标示符号： 瓷片电容电解电容 C 、丝印符号： 电解电容瓷片/涤纶电容瓷片/涤纶电容 D 、换算关系：1F=106UF=109NF=1012PF E 、概念：彼此绝缘物质隔开面又相互靠近的两个导体组合成的容器，用能上能下储存容纳电荷。
燕山大学石英晶体振荡器设计报告 题目： 专业：电子信息工程 姓名：李飞虎 指导教师：李英伟 院系站点：信息科学与工程学院 2014年11 月17 日 高频石英晶体振荡器仿真报告
1.振荡器电路属于一种信号发生器类型，即表现为没有外加信号的情况下能自动生成具有一定频率、一定波形、一定振幅的周期性交变振荡信号的电子线路。振荡器起振时是将电路自身噪声或电源跳变中频谱很广的信号进行放大选频。此时振荡器的输出幅值是不断增长的，随着振幅的增大，放大器逐渐由放大区进入饱和区或者截止区，其增益逐渐下降，当放大器增益下降而导致环路增益下降到1时，振幅的增长过程将停止，振荡器达到平衡，进入等幅振荡状态。振荡器进入平衡状态后，直流电源补充的能量刚好抵消整个环路消耗的能量。 2，串联晶体振荡器 在串联型晶体振荡器中，晶体接在振荡器要求低阻抗的两点之间，通常接在反馈电路中。图1-1和图1-2显示出了一串联型振荡器的实际路线和等效电路。可以看出，如果将石英晶体短路，该电路即为电容反馈的振荡器。电路的实际工作原理为：当回路的谐振频率等于晶体的串联谐振频率时，晶体的阻抗最小，近似为一短路线，电路满足相位条件和振幅条件，故能正常工作；当回路的谐振频率距串联谐振频率较远时，晶体阻抗增大，是反馈减弱，从而使电路不能满足振幅条件，电路不能正常工作。串联型晶体振荡器只能适应高
次泛音工作，这是由于晶体只起到控制频率的作用，对回路没有影响，只要电路能正常工作，输出幅度就不受晶体控制。 图1-1 图1-2 设计参数在仿真图上，首先进行静态分析，根据仿真，各元件参数符合要求。对于振荡器，当该电路接为串联型振荡器时，晶体起到选频短路线的作用，（与三端电容振荡器相同）输出频率应为3MHZ. L1,C1,C2组成谐振回路，参数符合要求，即f0=3MHZ。 3.并联晶体振荡器 并联振荡器分为c-b型和b-e型。前者相对稳定。所以我设计的是c-b型。 参数分析与前者类似。交流参数确定时，并联振荡电路中晶振接在谐振回
石英晶体、晶振介绍 文摘2010-10-25 23:36:39 阅读50 评论0 字号：大中小订阅 石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器、手机等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。可以说只要需要稳定时钟的地方，就必需要有晶体振荡器。一：认识晶体、晶振 常见晶体振荡器有两类，一类是无源晶体，也叫无源晶振，另一类是有源晶振，也叫钟振。 无源晶体外形如下图： （HC-49S 插脚） （HC-49S/SMD 贴片） 无源晶体以以上两种封装的晶体最为常用，广泛应用于普通设备上，尤其是嵌入式设备，若对体积大小有要求，可以选择更小的贴片封装，如下图： （XG5032 贴片）（XS3225 贴片1，3脚有效，2，4脚为空脚） 当前消费类电子如手机，MP4，笔记本等，XS3225封装最为常用。具体关于晶体的封装及参数信息，请参考国内最大的高端晶体晶振厂家：浙江省东晶电子股份有限公司网站提供的信息：https://www.doczj.com/doc/a41593277.html,/product.aspx/23 无源晶体说穿了就是封装了一下晶体，在晶体两面镀上电极引出两根线即可，那么有源晶振就是在无源晶体的基础上加了一个晶体振
荡电路，，比如采用一个74HC04或者54HC04之类的非门与晶体勾通三点式电容振荡电路，所以它具有电源，地，时钟输出三个脚，有些还会增加一个脚，就是晶振工作控制脚，当不需要工作的时候，可以关掉晶振降低功耗。如下图： （OS3225 与XS3225外形一样，只是脚位定义不同1：EN控制脚，2：GND地，3：OUT信号输出，4：VCC电源，一般为3.3V 或者5V）。 晶振内部振荡电路等效图如下： 非门5404的输出脚2就是信号输出脚。 二：晶体振荡电路原理分析（本篇由东晶电子网上独家代理创易电子提供技术文档https://www.doczj.com/doc/a41593277.html,） 我们以最常见得MCU振荡电路为例,参考电路如下：
1/f noise 1/f 噪声 16 bit microcomputer 16 位微型计算机 3 d distribution 三维分布 4 bit slice processor 4位片处理机 5 reference 5伏基准电压源 a d converter 模拟数字转换器模数转换器abbreviated code 缓冲存储器abbreviated dialing 快速呼叫 aberration 象差 abnormal glow discharge 异常辉光放电abnormal reflections 异常反射 abrasion 磨耗 abrasive 磨料 abrasive dust 磨粉 abrasive jet machining 磨料喷射加工abrasive jet trimming 磨料喷射蝶abrasive paste 磨蚀剂 abrasive trimming 研磨蝶 abrupt degradation 急剧退化 abrupt heterojunction 突变异质结 abrupt junction 突变结 absolute threshold of luminance 绝对亮度阈absorbed power 吸收功率 absorber 吸收剂 absorbing capacity 吸收能力 absorbing circuit 吸收电路 absorbing layer 吸收层 absorbing medium 吸收媒质 absorbing transition 吸收跃迁absorption 吸收 absorption band 吸收带 absorption length 吸收长度 absorption line 吸收线 absorption loss 吸收损失 absorption measurement 吸收测定absorption modulation 吸收灯absorption point 吸收点 absorption resistance 吸收电阻absorption thickness 吸收长度absorptivity 吸收能力 abutment joint 对接 ac cut quartz ac 截割水晶片accelerated aging 加速老化 accelerated particle 加速粒子
石英晶体振荡器的基本工作原理及作用 (1)石英晶体振荡器（简称晶振）的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化矽的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑胶封装的。(2)压电效应 若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐 振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。 (3)符号和等效电路石英晶体谐振器的符号和等效电路如图所示。当晶体不振动时，可把它看 成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个pF到几十pF。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L來等效。一般L的值为几十mH到几 百mH。晶片的弹性可用电容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1pF。晶片振动时因 摩擦而造成的损耗用R來等效，它的數值约为100Ω。由于晶片的等效电感很大，而C很小， R也小，因此回路的品质因數Q很大，可达1000～10000。加上晶片本身的谐振频率基本上只 与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定性。
电子行业的专业术语 现在随着英语的普及，越来越多的专业词汇需要被大家知道、学习，文章中介绍了关于计算机专业英语词汇，供大家学习。 UDTV Ultra High Definition TV 特高清晰度电视 UHF Ultra-High Frequency 特高频 ULF Ultra-Low Frequency 超低频 UNI User Network Interface 用户网接口 UP User Plane 用户平面 UPI User Premises Interface 用户室内接口 USS United States Standard 美国标准 USSB United States Satellite Broadcasting 美国卫星广播(公司) UV Ultra Violet 紫外(线) UW Ultrasonic Wave 超声波 V AM Video Access Module 视频接入模块 V AN value Added Network 增值网络 V AS value Added Service 增值业务 VB Video Animation System 视频动画系统 Virtual Bench 虚拟装置 VCA V oltage Controlled Amplifier 压控放大器 VCD Variable Capacitance Diode 变容二极管
Video CD 数字激光视盘 VCP Video Cassette Player 盒式放像机 VCR Video Cassette Recorder 盒式录像机 VD Vertical Drive 场驱动 VDA Video Distribution Amplifier 视分放大器 VDT Video Display Terminal 视频显示终端 VE Video Engineer 视频工程师 VEQ Video Equalizer 视频均衡器 VES Virtual Editing System 虚拟编辑设备 VESA Video Electronics Standard Association (美国)视频电子标准协会 VF Video Frequency 视频 VG Video Graphics 视频图形 VGA Video Graphics Array 视频图形阵列(显示卡) VHF Very High Frequency 甚高频 VHS Video Home System 家用视频系统 VIP Visual Image Processor 视频图像处理器 VITC Vertical Interval Time Code 场消隐期时间码 VITS Vertical Interval Test Signal 场消隐期测试信号 VLC Variable Length Coder 可变长度编码器 VLSI Very Large Scale Integrated Circuit 超大规模集成电路
《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min
实验四石英晶体振荡器 一、实验目的 1、熟悉石英晶体振荡器的基本工作原理； 2、掌握静态工作点对晶体振荡器工作的影响。 3、掌握晶体振荡器频率稳定度高的特点，了解晶体振荡器工作频率微调的 方法。 二、实验原理 1、电路与工作原理 一种晶体振荡器的交流通路如图4-1所示。若将晶体短路,则L1、C2、C3就构成了典型的电容三点式振荡器(考毕兹电路)。因此，图4-1的电路是一种典型的串联型晶体振荡器电路（共基接法）。若取L1=4.3μH、C2=820pF、C3=180pF，C4=20nF，则可算得LC并联谐振回路的谐振频率f≈6MHz，与晶体工作频率相同。图中，C4是微调电容，用来微调振荡频率 C5是耦合电容，R5是负载电阻。很显然，R5越小，负载越重，输出振荡幅度将越小。 图4-1 晶体振荡器交流通路 2、实验电路
如图4-2所示。1R03、1C02为去耦元件，1C01为旁路电容，并构成共基接法。1W01用以调整振荡器的静态工作点（主要影响起振条件）。1C05为输出耦合电容。1Q02为射随器，用以提高带负载能力。实际上，图4-2电路的交流通路即为图4-1所示的电路。 三、实验内容 1、观察振荡器输出波形，测量振荡频率和振荡电压峰值Vp-p。 2、观察静态工作点等因素对晶体振荡器振荡幅度和频率的影响。 四、实验步骤 （一）模块上电 将晶体振荡器模块⑤，接通电源，此时电源指示灯点亮。 （二）测量晶体振荡器的振荡频率 把示波器接到1P01端，顺时针调整电位器1W01，以改变晶体管静态工作点，读取振荡频率（应为6MHZ）。 （三）观察静态工作点变化对振荡器工作的影响
目录 一、石英谐振器概述 二、石英谐振器的工作原理 2、1石英晶体材料 2、2 石英晶体的压电效应 2、3 石英晶体的切型 2、4 石英片的基本振动模式（常见） 2、5 各种切型的频率温度特性 2、6 石英谐振器的组成和特性 2、7 石英谐振器的稳频条件及应用须知 2、8 石英谐振器的常用电参数的符号和意义 2．9 石英谐振器的常用测量方法 2．10 石英晶片的制造流程 2．11 石英晶体谐振器的制造流程 三、选择石英谐振器应考虑的问题 3、1 频率的选择 3、2 使用环境条件的考虑 3、3 根据用途合理选用石英谐振器 3、4 正确选择负载电容 3、5 激励电平的选择和控制 3、6 使用石英谐振器应注意的事项 四、石英振荡电路的应用 4、1 石英振荡电路的组成 4、2 振荡电路的Cg/Cd的选择要点和相关外围元件的注意事项4、3 根据选定的Cg/Cd 值计算XTAL的负载电容CL值。4、4 Rf 值选取 4、5 Rd的选取 4、6 其它注意事项 五、石英产品的性赖性试验 六、失效原因分析 七、今后发展方向
一、概述: 压电效应是一八八零年由法国物理学家居里兄弟（皮埃尔居里和杰克居里）发现的。早期一战利用石英的压力效应制成强力超声波辐射器。二战时期利用石英晶体具有稳定的物理和化学性能，制成的元器件在稳频方面比其它元件显出突出的优越性，而广泛使用于通讯领域。 石英谐振器的稳频特性也不断提高，二战时可在10-6/周，19世纪50年代初10-8 /周，19世纪50年代末已可达10-9/周～10-10/周。 随着通信发展和制造技术的发展，石英谐振器的频率范围也逐渐向上发展从100KHZ ～10MHZ ，以后发展到数百MHz ，3RD 发展到1G 以上，5th 发展到2GHz 以上。 石英谐振器的使用范围也从军事领域发展民用各使用频标或时标领域如：电子表，电子玩具，彩电，收发讯机，家用电器，PC 机等各领域。 石英谐振器的产品体积也不断地缩小，从传统的大尺寸发展到J1，49U ，49S ；直到近年来发展SMD 表面贴装，尺寸进一步缩小，从7050，6035，5032，发展到4025，3225，2520，2016，已能够适应安装于更小型、微型的产品中去。 二、石英谐振器的工作原理： 2．1 石英晶体材料 石英是人造的二氧化硅（SiO 2 ）结晶体，因其形态晶莹透明如水，所以也称“水晶”。由 于天然水晶矿藏稀少，且常见的疵病较多，如：裂痕，气泡，包裹体，蓝针，双晶等。而制造石英谐振器的材料必须保证内部没有缺陷，否则会严重影响石英谐振器的性能。在人工合成水晶工业生产成功后，大部分石英谐振器都用人造水晶制造，从而降低成本，满足电子发展的需要。 （A ） 石英晶体的晶面和轴向 一个理想的石英晶体的外形，中间是个六面棱柱体，二端为两个六面棱锥体。石英晶体有六个柱面（M 面），六个大柱面（R 面），六个小棱面（r 面），六个X 面和六个S 面，总共有30个晶面。 石英晶体分左旋和右旋， 互称镜面对称，左右旋石英在物理上也呈镜象对称关系。 晶体按其结构对称，可分为七大晶系和32种对称类型（也称晶群），其中有十二类因其对称程度太高而无压电效应，另外二十类具有压电效应。石英晶体属于三角晶系32点群。 石英晶体的轴向，按其物理特性把X 轴称为电轴，因为该方向具有压电效应；把Y 轴称为机械轴，因为在Y 轴方向只产生形变而无压电效应；把Z 轴称为光轴，因为光线沿Z 轴方向不产生双折射现象。 （B ） 石英晶体的物理化学特性 石英晶体是各向异性结构晶体，轴向不同，物理化学性质也不同。石英晶体的主要物理特性，当温度为20℃时，它的密度为2.65g/cm 3，一级密度温度系数为-36.4×10-6/℃，硬度 是
algebraic 代数 alumina 氧化铝 amber 琥珀 ammonia 氨 ampere 安培 amplitude 振幅 analogous 相似的；类似的angular frequency 角频率anisotropic 各向异性 anode 阳极 antenna 天线 antiferromagnetic 反铁磁aperture 孔径；口径；光圈approximation 近似值 array factor 阵因子 astigmatic ray 散射线astigmatic tube of rays 散光管射线asymptotic form 渐近形式 atomic number 原子序数attenuation constant 衰减常数auxiliary 辅助的 axial ratio 轴比
azimuthal 方位角的 backscattered 反(背)向散射的 bakelite 人造树胶 bandwidth 带宽 barium 钡 barium tetratitanate 四钛酸钡 basis function 基函数 beryllium 铍（符号Be） Bessel function 贝塞尔函数 biconical transmission line 双锥传输线 bilinear formula 双线性公式 binomial 二项式；二项分配 binomial impedance transformer 二项式阻抗变压器binomial transformer 二项式变换器 bistatic 双站 boron 硼 bouncing plane waves bound electron 束缚电子 boundary condition 边界条件 boundary-value problem 边界值问题 brass 黄铜 Brewster angle 布儒斯特角
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案 电子技术基础(专科) 一、单项选择题： 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 [ ] A.掺入杂质的浓度 B.材料 C.温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于 [ ] A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 3.在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由 50变为100,则电路的放大倍数 [ ] A.约为原来的1/2倍 B.约为原来的2倍 C.基本不变 4.在OCL电路中，引起交越失真的原因是 [ ] A.输入信号过大 B.晶体管输入特性的非线性 C.电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了 [ ] A.提高差模电压增益 B.提高共模输入电压范围 C.提高共模抑制比 6.若 A+B=A+C，则 [ ] A.B=C B.B=C C.在A=0的条件下，B=C 7.同步计数器中的同步是指 [ ] A.各触发器同时输入信号 B.各触发器状态同时改变 C.各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失 真，这种失真是 [ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.频率失真 9.对PN结施加反向电压时，参与导电的是 [ ] A.多数载流子 B.少数载流子 C.既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 [ ] A.增加 B.减少 C.不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 [ ] A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路，正确的接法是 [ ] 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为 [ ] A.(01000011)2 B.(01010011)2 C.(10000011)2 D.1)2 14.N个变量的逻辑函数应该有最小项 [ ] A.2n个 B.n2个 C.2n个 D.(2n-1)个 A +AB转换成或非－或非式为 [ ] 15.函数F=B
AN2867 应用笔记 ST微控制器振荡器电路 设计指南 前言 大多数设计者都熟悉基于Pierce(皮尔斯)栅拓扑结构的振荡器，但很少有人真正了解它是如何工 作的，更遑论如何正确的设计。我们经常看到，在振荡器工作不正常之前，多数人是不愿付出 太多精力来关注振荡器的设计的，而此时产品通常已经量产；许多系统或项目因为它们的晶振 无法正常工作而被推迟部署或运行。情况不应该是如此。在设计阶段，以及产品量产前的阶 段，振荡器应该得到适当的关注。设计者应当避免一场恶梦般的情景：发往外地的产品被大批 量地送回来。 本应用指南介绍了Pierce振荡器的基本知识，并提供一些指导作法来帮助用户如何规划一个好的 振荡器设计，如何确定不同的外部器件的具体参数以及如何为振荡器设计一个良好的印刷电路 板。 在本应用指南的结尾处，有一个简易的晶振及外围器件选型指南，其中为STM32推荐了一些晶 振型号(针对HSE及LSE)，可以帮助用户快速上手。
目录ST微控制器振荡器电路设计指南目录 1石英晶振的特性及模型3 2振荡器原理5 3Pierce振荡器6 4Pierce振荡器设计7 4.1反馈电阻R F7 4.2负载电容C L7 4.3振荡器的增益裕量8 4.4驱动级别DL外部电阻R Ext计算8 4.4.1驱动级别DL计算8 4.4.2另一个驱动级别测量方法9 4.4.3外部电阻R Ext计算 10 4.5启动时间10 4.6晶振的牵引度(Pullability) 10 5挑选晶振及外部器件的简易指南 11 6针对STM32?微控制器的一些推荐晶振 12 6.1HSE部分12 6.1.1推荐的8MHz晶振型号 12 6.1.2推荐的8MHz陶瓷振荡器型号 12 6.2LSE部分12 7关于PCB的提示 13 8结论14
电子厂专业术语 ISO 国际标准化组织（ISO,International Organization for Stan-dardization缩写）。OEM是英文Original Equipment Manufacturer的缩写，意思是原设备制造商 R&D (research&design) 研发 ODM，即Original design manufacture(原始设计商)的缩写。 ---------------------------------------------- P/N Part Number 料号 L/N Lot Number 批号 ---------------------------------------------- IQC incoming quality control RD research development center IPQC in process quality control RD HQ research development center head quarter FQC final quality control QA quality assurance BOM bill of material PVT product verification test OQC outgoing quality control PRP phase review process QE quality engineering PM project management DCC document center control PJE project engineer ECN engineering change notice PE product engineer ECR engineering change request NPI new product introduction MRB material review bom MP mass production CAR corrective action request MFG manufacturing FPC flexible printed circuit board ME mechanical engineer NCR non conforming report KBD keyboard OBE out of box evaluation