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模电公式重要图

模拟电子技术基础中的常用公式必备

模拟电子技术基础中的常用公式第7章半导体器件主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。第8章基本放大电路主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。第9章集成运算放大器

主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。第10章直流稳压电源主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

第12章时序逻辑电路主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。重点：双稳态触发器。难点：寄存器、计数器。教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

模电知识总结

第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体－--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Ｓi、锗Ｇe）。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。４．两种载流子--－-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。６. 杂质半导体的特性＊载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。＊体电阻--－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。＊转型－--通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.ＰN结

＊ＰN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0．8V，锗材料约为０.２～0.3V。 * ＰＮ结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性---－－-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-－--同ＰN结。 *正向导通压降--－---硅管０.6~０.7V，锗管0．２~０.3Ｖ。 *死区电压--－---硅管0.5Ｖ，锗管０.1Ｖ。 3.分析方法-－----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低：若Ｖ阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路）; 若Ｖ阳

２) 等效电路法 ?直流等效电路法＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>Ｖ阴( 正偏),二极管导通（短路); 若V阳

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结【考试专用】

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。 3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。 4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。 5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 6、硅管和：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。 7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U ﹥）时便稳压为。 8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。 9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β/ (或β )和开关作用.

10、当输入信号很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。 11、失真有三种情况: ⑴截止失真原因、太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。调小，以增大、，使Q点上移。 ⑵饱和失真原因、太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。调大，以减小、，使Q点下移。 ⑶信号源过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。 1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。共射电路的输出电压U0与输入电压反相，所以又称反相器。共集电路的输出电压U0与输入电压同相，所以又称同相器。 2、差模输入电压12指两个大小相等，相位相反的输入电压。（是待放大的信号）共模输入电压12指两个大小相等，相位相同的输入电压。（是干扰信号）差模输出电压U0d 是指在作用下的输出电压。共模输出电压U0C是指在作用下的输出电压。差模电压放大倍数 U0d /是指差模输出与输入电压的比值。共模放大倍数0C 是指共模输出与输入电压的比值。（电路完全对称时=0）共模抑制比是指差模共模放大倍数的比，电路越对称越大，电路的抑制

模拟电子技术基础中的常用公式

7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：式中，iD为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为VT = kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602×10-19C；k为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J／K。室温下，可求得VT = 26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻RD 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID 之比，即 RD的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。 GS0103 交流等效电阻rd

rd亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧姆之间。需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。 GS0104 IZmin＜Iz＜IZmax 其中稳定电流IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。IZ 通常在最小稳定电流IZmin与最大稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生永久性击穿。故一般要求IZmin＜Iz＜IZmax 。 IC = INC + ICBO ≈ INC IB = IPB + IPE - ICBO ≈IPB - ICBO IE＝INE＋IPE ≈INE INE ＝ INC ＋IPB IE ＝IC ＋ IB

模电课程总结

模电课程总结报告一学期模电课也终将结束了，而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒，到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电，我觉得模电的难度要大一些，学习方法也有很大不同。课程学习方法 1.上课认真听讲，虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异，但是从听觉和视觉两方面得来的信息比自己看更有效，上课的互动也能加深学习印象，更重要的是模电离不开电路，单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间，有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题，比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过，但是很少有人注意到。 2.要有个线索，建立自己的知识树，注意前后的联系，不要脱节。比如：半导体材料的性质，半导体构成的元件，半导体元件组成的放大电路，处理电路。前后紧密相连，环环相扣，围绕着一个核心问题：信号的放大，运算，处理，转换，产生。在学习的时候，一定要从前往后切实的掌握基本概念，理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法，掌握工作原理，结构特点，性能特点。比如典型的差分电路，多级放大电路的基本组成，各种功率放大电路等，唯有如此，才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真，这也是模电数电的一个重大区别，数电电路复杂，但是一旦接对结果一定正确，而模电虽然电路简单，但是即使设计和电路都正确，结果还是出不来。这时就要具体分析电路，哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适，在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手，可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍，一方面对这些元件有个初步的认识，另一方面对参数的设置有具体的把握。课程学习成效 1.会看：电路的识别及定性分析，首先根据电路特征判断其属于哪种电路，然后根据电路特点判断其性能特点。 2.会选：在已知需求情况下选择电路形式，在已知功能情况下选择元器件类型，在已知性能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选，比如选择合适的放大电路，应根据动态静态，带负载能力输入电阻大小等来选择，选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流，带负载能力，输入电阻等来选择。 3.会算：电路的定量分析，例如对于放大电路会求解静态工作点，Au，输入输出电阻，上下限截止频率，会画出交直流等效电路；对于运算电路会求解运算关系等 4.会调：电路参数的调节和设置，主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参数，比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真，是由于哪些因素引起，相应调节对应参数 5.会设计：能够根据要求设计相应功能的电路，这是一个综合的富有创新性的能力。比如设计一个求解微分方程的电路，设计一个电压表等。课程学习感受我觉得模电是一门知识点杂多，但是主线清晰的学科，具有很强的工程性和实践性，对于我来说还是很有难度和挑战性的，但是迎难而上收获才会更多！

模拟电子技术基础中的常用公式必备

- 70 - 模拟电子技术基础中的常用公式第7章半导体器件主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。第8章基本放大电路主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。第9章集成运算放大器

- 72 - 第12章时序逻辑电路主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。重点：双稳态触发器。难点：寄存器、计数器。教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压輕qo 0￡) 00 GO e?；①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极；N区引出的电极一一阴极温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压一一0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流＜0.1叭，锗的开启电压一一0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ，端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb｝时号恳竽故审.歸

模电简答题

模电简答题 1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点? 答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。 2、什么是本征半导体和杂质半导体？答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。 3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。 4、制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂？答：按百万分之一数量级的比例掺入。 5、什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象? 答：多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。P型半导体与N型半导体接合后便会形成P-N结。 6、PN结最主要的物理特性是什么？答：单向导电能力和较为敏感的温度特性。 7、PN结还有那些名称？答：空间电荷区、阻挡层、耗尽层等。 8、PN结上所加端电压与电流是线性的吗?它为什么具有单向导电性? 答：不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚，电流几乎完全为零，宏观上呈现截止状态。这就是PN结的单向导电特性。 9、在PN结加反向电压时果真没有电流吗? 答：并不是完全没有电流，少数载流子在反向电压的作用下产生极小的反向漏电流。 10、二极管最基本的技术参数是什么？ I 答：最大整流电流 z 11、二极管主要用途有哪些？答：整流、检波、稳压等。 12、晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的? 答：通过电流分配关系。 13、能否用两只二极管相互反接来组成三极管？为什么？

(完整版)模电学习心得集

个人建议：认真分析几个典型电路，主要掌握晶体管的等效模型，以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了，模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕，开始不要太关注乱七八糟的内容，抓住主要的，次要的回过头来很容易解决。我现在大三，自动化的。个人建议就是，不要要求每字每句都会，大概的了解那些理论，就可以。在以后的学习中，你会慢慢地发现，理解原来的知识的！二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短，稳压电路，电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象，其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法，所不同的是，新增加了不少复杂的电气元器件。说到元器件，首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材，一开始都会介绍pn结的特性，个人觉得可以不要太在乎里面的结构，但其特性方程是一定要记得的。然后，二极管比较简单，就是一个单一的pn结，在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决（理想模型、恒压降模型、小信号模型，前两者是用于直流分析的，而最后一个是用于交流分析的）。而对于三极管，就相对来说复杂些，在此本人不想说书上有的东西，只想强调一下学习中该注意的问题： 1、对于三极管，它总共有三种工作状态，当它被放在电路中时，我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。（在模电的习题中，除非那道题是专门地考你三极管的状态，否则都是工作在放大区，因为只有这样，管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中，我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的） 2、既然管子基本在放大区，那么它的直流特性就有：be结的电压为0.7V（硅管，锗管是0.2V），发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系，我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是：ce间电压，三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢？这就要弄清直流和交流之间的关系了：在模电里，我们研究的对象都是放大电路，而其中的放大量都是交流信号，并且是比较微弱的交流信号。大家知道，三极管要工作是要一定的偏置条件的，而交流信号又小又有负值，所以我们不能直接放大交流信号，在此我们用的方法就是：给管子一个直流偏置，让它在放大区工作，然后在直流上叠加一个交流信号（也就是让电压波动，不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动，而是围绕你加的那个直流电压波动），然后由于三极管的性质，就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路：从以上的叙述，我们可以看出分析电路应该分为两部分：直流分析和交流分析。不同的分析下，电路图是不一样的，这是因为元件在不同的量下，它的特性不同。（例如电容在直流下就相当于开路，而在交流下可以近似为短路）。而三极管，在交流下就有一个等效模型，也就是把be间等效为一个电阻，ce间等效为一个受控电流源，其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

模拟电子技术基础中的常用公式必备

word 资料模拟电子技术基础中的常用公式第7章半导体器件主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。第8章基本放大电路主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。第9章集成运算放大器

word 资料第12章时序逻辑电路主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。重点：双稳态触发器。难点：寄存器、计数器。教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

电磁学主要公式和模型

电磁学主要公式和模型 Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT

电磁学主要公式和模型：静电学部分第一节库仑定律电场强度基本知识点： 1.库伦定律点电荷之间的作用力：，方向：两点连线，同性相斥，异性相吸。 2. 点电荷电场强度方向：负电荷，正电荷如图， 3.无限大带电平面的电场特点：两边都是匀强电场注意大小：方向 4.电场叠加原理 5.利用电场叠加原理求两个无限大带电平板空间的电场分布,比如下图第二节高斯定理基本知识点： 1.电通量 2.高斯定理：真空中闭合曲面的电通量等于曲面内包含的电荷的代数和除以，注意对高斯定理的理解，电通量只与高斯面内的电荷有关，与外面的电荷无关，但是高斯面上各点的电场强度与空间所有的电荷都有关。 3.高斯定理的应用：(1)求电通量，典型例题:半球壳的电通量 (2)求对称带电体的电场分布典型模型均匀带电球面时，时， (注意:该模型可以演变为两个同心均匀带电球面问题) 无限长均匀带电直线 (注意:该模型可以演变为无限长均匀带电圆柱面以及两个同轴无限长均匀带电圆柱面) 第三节电势电势能基本知识点： 1.电势：两点间的电势差与电势零点选择无关 2.点电荷电势(无穷远为电势零点) 3.电势叠加原理：空间某点的电势是所有带电体单独在该点产生的电势的叠加 4.均匀带电球壳电势分布 2 02 14r q q F πε= r e r q E 2 04πε= r i i e r q E E 204πε∑ ∑==??=S d E Φ0ε0ε∑?= ?i q S d E R r >r e r q E 2 04πε= R r <0=E r e r E 02πελ=??= 电势点 0A A r d E V r q V 04πε= i i i r q V V 04πε∑∑ ==

模电课程设计心得体会范文

模电课程设计心得体会范文【模电课程设计心得体会范文一】时间总是过得很快，经过一周的课程设计的学习，我已经自己能制作一个高保真音频功率放大器，这其中的兴奋是无法用言语表达的。学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子，不仅面临着期末考试，而且中间还有一些其他科目的实验，更为紧急的是，之前刚做完protel99的课程设计，本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说，显得很重。昨天刚考完复变，为了尽快完成模电的课程设计，我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难，为了尽快掌握它的用法，我照着原理图学习视频一步一步做，终于知道了如何操作。刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图，但离实际应用差距较大，有些器件很难找到，后来到网上搜索了一下相关内容，顺便到学校图书馆借相关书籍，经过不断比较与讨论，最终敲定了高保真音频功率放大器的电路原理图，并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。在做电路仿真时，我画好了电路原理图，修改好参数后，创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行，后来请教同学，他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的，开始是创建网络表时出现问题，后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的，这确实很难修改。输出时仿真波形总是一条直线，我弄了一晚上也找不出原因，整个人也显得焦躁不已。接下来，开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊

接实物，以为会比较轻松，但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同，要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线，增加了很大的难度。由于采用了电路板，为了使步线美观、简洁，还真是费了我们不少精力，经过不断的修改与讨论，最终结果还比较另人满意。经过这段课程设计的日子，我发现从刚开始的matlab到现在的pspice，不管是学习哪种软件，都给我留下了很深的印象。由于没有接触，开始学得很费力，但到后来就好了。在每次的课程设计中，遇到问题，最好的办法就是问别人，因为每个人掌握情况不一样，不可能做到处处都懂，发挥群众的力量，复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会，在很多时候，我遇到的困难或许别人之前就已遇到，向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。虽然最终实物做出来了，但这并不是我一个人做出来的。通过这次课程设计，我明白了一个团队精神的重要性，因为从头到尾，都是大家集体出主意，来解决中间出现的各种问题。从原理图的最终敲定，到波形的仿真，到元器件的选择与购买，到最后实物的焊接与调试，这都是大家分工合作的结果，正是因为大家配合得默契，每项工作都完成得很棒，衔接得很好，才使我们很快的完成了任务。尽管现在只是初步学会了高保真音频功率放大器设计，离真正掌握还有一定距离，但学习的这段日子确实令我收益匪浅，不仅因为它发生在特别的时间，更重要的是我又多掌握了一门新的技术，收获总是令人快乐，不是吗? 【模电课程设计心得体会范文二】在这次的模电课程设计中，我们对模电数电有了更清晰的认识。但是在一开始看见题目的时候，还是比较头疼的，不知道如何下手，但是随着慢慢的摸索，思路慢慢的出现了。这之间变化还是蛮大的，从最开始的不愿意动手到后来的因为

模拟电路总结

32.模拟电子电路总结 ①伏安特性曲线，二极管开启电压为0.7V/0.2V，环境温度升高后，二极管正向特性曲线左移，方向特性曲线下移。 ②晶体管工作在放大区的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 ③共射特性曲线：输入特性曲线和输出特性曲线。Uce增大时，曲线右移。截止区、放大区、饱和区。 ④结型场效应管U GS(off)和绝缘栅型场效应管U GS(th)。夹断区、恒流区、可变电阻区。 ⑤静态工作点设置为保证：一、放大不失真二、能够放大。两种共射放大电路：直接耦合、阻容耦合。放大电路分析方法：直流通路求静态工作点，交流通路求动态参数。截止失真，饱和失真。等效电路。 Re直流负反馈。晶体管单管三种接法：共射、共基、共集。共射：既放大电流又放大电压。输入电阻居中，输出电阻较大，频带窄。多用于低频放大电路。共基：只放大电压不放大电流。输入电阻小，电压放大和输出电阻与共射相当。频率特性最好。共集：只放大电流不放大电压。输入电阻最大，输出电阻最小，具有电压跟随特性。用于放大电路的输入级和输出级。场效应管；

基本共源放大电路、自给偏压电路、分压式偏置电路。多级电路耦合方式：直接耦合：良好的低频特性，可放大变化缓慢的信号。阻容耦合：各级电路静态工作点独立，电路分析、设计、调试简单。有大电容的存在不利于集成化。变压器耦合：静态工作点独立，不利于集成化，可实现阻抗变换，在功率放大中得到广泛的应用。零点漂移和温度漂移抑制温漂的方法：引入直流负反馈、采用温度补偿，电路中二极管。差分放大电路。差分放大电路中共模抑制比。互补对称输出电路。集成运放电路的组成：输入级：双端输入的差分放大电路，输入电阻高，差模放大倍数大，抑制共模能力强，静态电流小。中间级：采用共射（共源）放大电路，为提高放大倍数采用复合管放大电路，以恒流源做集电极负载。输出级：输出电压线性范围宽、输出电阻小（带负载能力强）非线性失真小。多互补对称输出电路。集成运放频率补偿：一、滞后补偿1.简单电容补偿2.密勒效应补偿二、超前补偿放大电路中反馈特性

数电模电超有用知识点,值得拥有剖析

《数字电子技术》重要知识点汇总一、主要知识点总结和要求 1．数制、编码其及转换：要求：能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD 、格雷码之间进行相互转换。举例1：（37.25）10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解：（37.25）10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 )8421BCD 2．逻辑门电路： (1)基本概念 1）数字电路中晶体管作为开关使用时，是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2）TTL 门电路典型高电平为3.6 V ，典型低电平为0.3 V 。 3）OC 门和OD 门具有线与功能。 4）三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5）门电路参数：噪声容限V NH 或V NL 、扇出系数N o 、平均传输时间t pd 。要求：掌握八种逻辑门电路的逻辑功能；掌握OC 门和OD 门，三态门电路的逻辑功能；能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。举例2：画出下列电路的输出波形。解：由逻辑图写出表达式为：C B A C B A Y ++=+=，则输出Y 见上。 3．基本逻辑运算的特点：与运算：见零为零，全1为1；或运算：见1为1，全零为零；与非运算：见零为1，全1为零；或非运算：见1为零，全零为1；异或运算：相异为1，相同为零；同或运算：相同为1，相异为零；非运算：零变 1， 1 变零；要求：熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表（组合逻辑电路）或状态转换真值表（时序逻辑电路）：是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式：是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图：是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。

电路原理 -公式概要

电路原理-知识简要第一章基本元件和定律 1.电流的参考方向可以任意指定，分析时：若参考方向与实际方向一致，则i>0，反之i<0。电压的参考方向也可以任意指定，分析时：若参考方向与实际方向一致，则u>0反之u<0。 2．功率平衡一个实际的电路中，电源发出的功率总是等于负载消耗的功率。 3．全电路欧姆定律：U=E-RI 4．负载大小的意义：电路的电流越大，负载越大。电路的电阻越大，负载越小。 5．电路的断路与短路电路的断路处：I＝0，U≠0 电路的短路处：U＝0，I≠0 二．基尔霍夫定律 1．几个概念：支路：是电路的一个分支。结点：三条（或三条以上）支路的联接点称为结点。回路：由支路构成的闭合路径称为回路。网孔：电路中无其他支路穿过的回路称为网孔。 2．基尔霍夫电流定律：（1）定义：任一时刻，流入一个结点的电流的代数和为零。或者说：流入的电流等于流出的电流。（2）表达式：i进总和=0 或： i进=i出（3）可以推广到一个闭合面。 3．基尔霍夫电压定律（1）定义：经过任何一个闭合的路径，电压的升等于电压的降。或者说：在一个闭合的回路中，电压的代数和为零。或者说：在一个闭合的回路中，电阻上的电压降之和等于电源的电动势之和。（2）表达式：1 或： 2 或： 3 （3）基尔霍夫电压定律可以推广到一个非闭合回路三．电位的概念（1）定义：某点的电位等于该点到电路参考点的电压。（2）规定参考点的电位为零。称为接地。（3）电压用符号U表示,电位用符号V表示（4）两点间的电压等于两点的电位的差。

（5）注意电源的简化画法。四．理想电压源与理想电流源 1．理想电压源（1）不论负载电阻的大小，不论输出电流的大小，理想电压源的输出电压不变。理想电压源的输出功率可达无穷大。（2）理想电压源不允许短路。 2．理想电流源（1）不论负载电阻的大小，不论输出电压的大小，理想电流源的输出电流不变。理想电流源的输出功率可达无穷大。（2）理想电流源不允许开路。 3．理想电压源与理想电流源的串并联（1）理想电压源与理想电流源串联时，电路中的电流等于电流源的电流，电流源起作用。（2）理想电压源与理想电流源并联时，电源两端的电压等于电压源的电压，电压源起作用。 4．理想电源与电阻的串并联（1）理想电压源与电阻并联，可将电阻去掉（断开），不影响对其它电路的分析。（2）理想电流源与电阻串联，可将电阻去掉（短路），不影响对其它电路的分析。 5．实际的电压源可由一个理想电压源和一个内电阻的串联来表示。实际的电流源可由一个理想电流源和一个内电阻的并联来表示。五．支路电流法 1．意义：用支路电流作为未知量，列方程求解的方法。 2．列方程的方法：（1）电路中有b条支路，共需列出b个方程。（2）若电路中有n个结点，首先用基尔霍夫电流定律列出n-1个电流方程。（3）然后选b-（n-1）个独立的回路，用基尔霍夫电压定律列回路的电压方程。3．注意问题：若电路中某条支路包含电流源，则该支路的电流为已知，可少列一个方程（少列一个回路的电压方程）。六．叠加原理 1．意义：在线性电路中，各处的电压和电流是由多个电源单独作用相叠加的结果。 2．求解方法：考虑某一电源单独作用时，应将其它电源去掉，把其它电压源短路、电流源断开。 3．注意问题：最后叠加时，应考虑各电源单独作用产生的电流与总电流的方向问题。叠加原理只适合于线性电路，不适合于非线性电路；只适合于电压与电流的计算，不适合于功率的计算。七．戴维宁定理 1．意义：把一个复杂的含源二端网络，用一个电阻和电压源来等效。

模电知识点总结

第一章绪论 1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真 2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大第二章预算放大器 1.集成运放适合于放大差模信号 2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均为虚地。 3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈 4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。 5.根据输入输出表达式判断电路种类同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。反相：虚地。第三章二极管及其基本电路 1.二极管最主要的特征：单向导电性 2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型 3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路 4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关 5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂 6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏 7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏 8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容 9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行 10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大 11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管 13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升 14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好. 当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路 1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件 2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数 3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏 4.NPN,PNP,硅锗管的判断 5.工作在放大区的三极管，若当I b 以12A μ增大到22A μ时，I c 从1mA变为2mA，β约为100

模电实验总结报告

模电实验总结报告 Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT

模电实验总结报告在本学期的模电实验中一共学习并实践了六个实验项目，分别是：①器件特性仿真；②共射电路仿真；③常用仪器与元件；④三极管共射级放大电路；⑤基本运算电路；⑥音频功率放大电路。实验中，我学到了PISPICE等仿真软件的使用与应用，示波器、信号发生器、毫伏表等仪器的使用方法，也见到了理论课上学过的三极管、运放等元件的实际模样，结合不同的电路图进行了实验。当学过的理论知识付诸实践的时候，对理论本身会有更具体的了解，各种实验方法也为日后更复杂的实验打下了良好的基础。几次的实验让我发现，预习实验担当了不可或缺的作用，一旦对整个实验有了概括的了解，对理论也有了掌握，那实验做起来就会轻车熟路，而如果没有做好预习工作，对该次实验的内容没有进行详细的了解，就会在那里问东问西不知所措，以致效率较低，完成的时间较晚。由于我个人对模电理论的不甚了解，所以在实验原理方面理解起来可能会比较吃力，但半学期下来发现理论知识并没有占过多的比例，而主要是实验方法与解决问题的方法。比如实验前先要检查仪器和各元件（尤其如二极管等已损坏元件）是否损坏；各仪器的地线要注意接好；若稳压源的电流示数过大，证明电路存在问题，要及时切断电路以免元件的损坏，再调试电路；使用示波器前先检查仪器是否故障，一台有问题的示波器会给实验带来很多麻烦。做音频放大实验时，焊接电路板是我新接触的一个实验项目，虽然第一次焊的不是很好，也出现了虚焊的情况，但技术都是在实践中成熟，相信下次会做的更好些。而这种与实际相结合的电路，在最后试听的环节中，也给我一种成就感，想来我们的实验并非只为证实理论，也可以在实际应用上小试身手。