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碳化硅在聚合物中的应用

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碳化硅在聚合物中的应用

碳化硅在聚合物中的应用

2006-12-18 9:12:58 【文章字体:大中小】打印收藏关闭

由无机材料和有机高分子所组成的有机-无机杂化材料是近年来国内外研究较多的一种新型复合材料,它同时具有有机高分子和无机材料的优点。SiC 陶瓷具有硬度高、高温强度大、抗蠕变性能好、耐化学腐蚀、抗氧化性能好、热膨胀系数小及高热导率等优异性能,是一种在高温和高能条件下极具应用前景的材料。SiC用于制备金属基、陶瓷基和聚合物基复合材料,已经表现出优异的性能。此外,SiC在隐身吸波材料方面也有重要的应用。本文综述了SiC在聚合物中的应用。

1 碳化硅基本特性

SiC具有α和β两种晶型。β-Sic的晶体结构是立方晶系,Si和C分别组成面心立方晶格,Si——C的原子间距为0.1888nm,α-SiC存在着4H、15R

和6H等100余种多型体,其中,6H多型体在工业上应用最为广泛。在6H-SiC 中,Si与C交替成层状堆积,Si层间或C层间的距离为0.25nm,si-C的原子间距约为0.19nm。

在SiC的两种晶型之间存在一定的热稳定性关系。温度低于1 600℃时,SiC 以β-SiC存在;温度高于1600℃时,β-SiC通过再结晶缓慢转变成α-SiC 的各种型体(4H、6H和15R等)。4H-SiC在2000℃左右容易生成;而15R 和6H多型体均需在2100℃以上才能生成,但15R的热稳定性比6H多型体差,对于6H-SiC,即使温度超过2200℃也非常稳定。

SiC的硬度高、弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。纯的SiC不会被HC1、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液所侵蚀,但在空气中加热时

会发生氧化反应。值得指出的是,在干燥的高温环境中,温度超过900℃时,SiC表面会生成一层致密的、缓慢生长的二氧化硅膜,这层膜抑制了氧的进一步扩散,使其具有优异的抗氧化性能。在电性能方面,SiC是第三代半导体材料的核心之一,具有很多优点,如带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等,非常适于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器佣。此外,SiC还具有优良的导热性和吸波特性。

2 SiC填充改性聚合物

用无机物质填充改性有机高分子材料所制备的聚合物基复合材料是一类新

型材料,在性能(如耐磨性)提高的同时,还表现出一些新的性能(如吸波性能)。特别是对纳米无机填料改性高分子材料所制备的复合材料而言,在填料和基体之间形成了松散材料体积分数更大的界面层,所以在填料含量非常低的条件下就可以对材料的性能产生很大影响。这种特性尤其有利于提高热固性树脂基复合材料的耐磨性。

纪秋龙等用纳米SiC对环氧树脂进行了填充改性并对改性后复合材料的摩擦学性能进行了研究。由于纳米SiC与环氧树脂之间相容性较差,他们先对纳米SiC进行了表面大分子接枝预处理,在其表面引人聚丙烯酞胺,一方面改善了纳米SiC在环氧树脂基体中的分散性;另一方面也通过引人的酞胺基团与环氧树脂反应,通过化学键紧密联结起来,从而更有效地发挥纳米SiC的作用。结果表明,经纳米SiC填充的复合材料的耐磨性比未改性的环氧树脂提高了近4倍,摩擦系数降低了36%。Nathaniel chishohn等系统地研究了不同含量(1.5%~3.0%,质量分数,下同)的纳米SiC填充环氧树脂后树脂性能的变化,结果发现,经1.5%的纳米SiC填充改性后,树脂的力学性能比纯树脂的有明显提高,拉伸模量提高了44.9%,拉伸强度提高了15.8%。

还有人将粒径为10nm和30nm的微晶SiC掺人聚乙烯基咔唑和香豆素的共混物中,并测量了得到的复合材料的线性电致发光效应。在掺人了纳米微晶SiC 后,无论在静态区域还是在光引发区域,测定线性电致发光效应系数的响应

都明显增大。但相对于静态区域而言,光引发区域的线性电致发光效应系数要更大一些。在这种客体一主体材料中,纳米微晶SiC与其周围聚合物之间的界面层在电致发光效应中起主导作用。虽然估算出来的线性电致发光效应系数比已知的无机电致发光晶体低,但是在复合材料的均一区域上所得到的测量值却大得多。

李家俊等研究了SiC纤维体积含量小于2%的环氧树脂/碳化硅纤维复合吸波材料不同排布的吸波性能。结果表明,碳化硅纤维吸波性能与纤维的排布间距和纤维含量密切相关;正交排布试样的吸波效果总体上优于平行排布试样;在频率大于8 GHz、SiC纤维的间距为4mm如和SiC纤维含量为1600根/束时的正交排布方式下获得了-10 dB以下的反射衰减。

K.Kueseng和K.I.Jacoi先将纳米SiC分散在天然橡胶(NR)的聚合物溶液中,然后用蒸发干燥的方法除去溶剂、最终制得了橡胶纳米复合材料。研究发现,SiC含量为1.5%的橡胶试样的断裂应变比硫化后的纯橡胶试样减少了20%;试样的初始模量随着SiC含量的增加而增大,在SiC含量为1.5%时达到最大值。1.5%的SiC填充改性的NR的初始模量为1.44MPa极限强度为

9MPa,断裂伸长率为64.8%。而另有报道说40%的碳黑填充改性的NR的初始模量为1.6 MPa;极限强度为10.6MPa,断裂伸长率为434%。

Hassan Mahfuz等利用超声波将纳米SiC均匀地分散在液态的聚氨酯泡沫中,并将这种混合物浇铸到矩形模具中制成了纳米泡沫塑料板。热重分析发现,纯聚氨酯泡沫塑料的热分解温度为388℃,SiC含量为1%的泡沫塑料的热分解温度为433℃,而SiC含量为3%时热分解温度为379℃。出现热分解温度降低在宏观上可能是由于杂质在本体溶液中的依数性热力学效应所导致。通过扫描电镜分析发现,当SiC含量为1%时,晶胞尺寸增大到了535μm,但有一定数量的晶胞坍塌了;当SiC含量增加到3%时,几乎所有的晶胞都坍塌了佘这与热重分析得到的结果一致,说明SiC的填充量应在1%~3%之间,超过这个范围可能起不到有效的增强作用。

3 聚合物表面包覆改性SiC

粉体的表面包覆改性是指在原来单一组分的基元物质表面上均匀地引人1种或多种其他物质;以改变原来基元物质基本性质的方法。它最终使由这些改性原料生产出的材料的性能得到提高,功能和用途得到扩大,同时也使材料制造和成型工艺得到进一步完善和发展。表面包覆技术是制造此类刁刘刊斗的关键技术。王苹等先用有机硅烷偶联剂对SiC粉体进行预处理,然后使甲基丙烯酸甲酯在引发剂作用下在SiC粉体表面发生乳液聚合反应,对SiC粉体表面进行了聚电解质包覆改性价改性得到的复合材料粒子表面具有很强

的疏水性,有些样品几乎完全不溶于水。有研究表明,在SiC悬浮水溶液中,以FeCl3为氧化剂,聚吡咯可以发生氧化聚合反应包覆在SiC粒子的表面,形成一种新型SiC/聚吡咯导电复合材料。这种复合材料电导率的大小主要由聚毗咯在SiC表面的含量所决定。聚吡咯为35%时复合材料的电导率约为

2S/cm,与用向样的氧化剂在向样制备条件不制得的纯聚吡咯粉末的电导率在同一数量级范围内。

4 硅离子注放改性聚合物

离子注人聚合物表面改性是当前国际上极为关注的研究课题。采用离子注人可以有效地改善聚合物表面物理和化学特性,例如提高其表面强度,增强抗磨损性,改善导电性和光学性能。

吴瑜光等采用离子注人的方法将Si离子注人到聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜中。红外吸收测量结果表明了SiC和C颗粒的形成。这些颗粒的形成增强了注入层表面强化效果,改善了PEF薄膜的表面导电性能。PET薄膜的表面电阻率随着Si离子注人量的增加而明显不降。当Si离子的注人量为

2x1017cm-2时,PET薄膜的表面电阻率小于7.9Ω·m。表面硬度和弹性模量分别比未注入时提高了12.5倍和2.45倍。此外,Si离子注人的薄膜表面划痕比未注入的划痕窄而浅,说明薄膜的表面抗磨损性能得到了极大的增强。

5 聚合物接技改性SiC

超细粉体研磨粉碎后,在其新生表面产生一系列的变化,如孪晶、位错裂缝或杂质等缺陷,使粒子表面具有可以发生自由基反应的活性点,在适当的条件下,聚合物活胜单体可以在这些活性点上反应接枝于粒子表面,再引发聚合反应而得到包覆性固体颗粒。在接枝共聚反应中,人们常常采用偶联剂(钛酸酯类、有机硅烷类、铝酸酯类及磷酸酯类)先对粉体进行预处理。以有机硅烷类偶联剂为例,它是一种具有双亲结构基团的物质,它水解后可以和无机粉体表面的-OH反应、形成牢固的化学键;而经偶联剂处理后的粉体中因含有偶联剂的另一部分亲和性基团,也能产生活性中心,从而可以引发接枝共聚反应)。一般来说,聚合物接枝改性也会对粒子产生表面包覆作用。

魏明坤等先将SiC粉体用偶联剂KH-550处理,然后再将已经处理过的SiC 粉体和聚甲基丙烯酸甲酯发生接枝共聚反应。结果表明,用聚甲基丙烯酸甲酯接枝改性SiC粉体,掩盖了粉体原有的性质,有效地防止了粉体的团聚。而用这种改性后的SiC粉体制备的料浆,Zeta电位增大,流动性变好,且在保证成型流动性的条件下,将浆料的固相含量从40%(体积分数)提高到了50%。

吉晓莉等研究发现,丙烯酰胺与经过偶联剂KH-550预处理的SiC粉体可以发生接枝共聚反应,并在粉体表面形成偶联剂和丙烯酞胺的双包覆层。测试分析结果表明,偶联剂处理的SiC粉体经共聚反应后,透射电镜照片不但反映出粉体表面包覆上了一层有机物,还显示出这层有机物非常完整地覆盖了粉体原有的表面。而红外吸收光谱则显示出偶联剂与粉体表面的羟基发生了反应,形成了第一包覆层;而丙烯酞胺与改性SiC的接枝共聚反应产物以及它自身的聚合产物聚丙烯酞胺则形成了第二包覆层。正是这第二层包覆物质有效地改善了SiC粉体水基分散时的稳定性,同时也提高了粉体的分散性能。

为了克服纳米粒子在高分子材料中分散时容易团聚结块的缺点,Ron9 Min Zhi等采用接枝共聚的方法在纳米SiC粒子表面引人了聚丙烯酞胺,并对改性粒子填充环氧树脂的摩擦性能进行了研究。从未改性和接枝改性SiC粒子的扫描电镜照片中可以看出,未改性的SiC粒子的直径比厂家给出的大得多,这说明未改性的纳米粒子出现了严重的结块现象。而经接枝改性之后,在结

块区域周围出现了一层薄膜和很多微小的粒子。这说明接枝单体穿透了纳米粒子的结块区域,并且在该区域内外同时聚合。接枝改性SiC粒子填充环氧树脂比未改性SiC粒子填充改性环氧树脂的摩擦因数和比磨损率都小得多。此外,他们还发现,在环氧树脂中加人少量纳米粒子后树脂耐磨性的提高不仅与纳米粒子本身有关,还与粒子的掺入所引起的基体的增强作用有关。

6 结语

近年来研究发现,聚合物基复合材料用少量坚硬的无机物改性就可以显著地提高其力学性能和热学性能。SiC有机-无机复合材料就是一类用SiC陶瓷改性的聚合物基复合材料。现在这类复合材料被厂泛地应用在包装工业、涂料工业电子工业、汽车工业及舫空航天等工业。相信在不久的将来,随着SiC 有机-无机复合材料应用领域的不断拓宽改性研究的不断深人,SiC陶瓷将在更多领域发挥更大的作用。

氮化硅结合碳化硅材料的生产与应用_张林

氮化硅结合碳化硅材料的生产与应用 ◆ 张 林 孟宪省 山东工业陶瓷研究设计院 淄博255031 ◆ 赵光华 朱喜仲 水利部丹江口水利枢纽管理局碳化硅总厂 摘 要 阐述了氮化硅结合碳化硅窑具材料的生产技术、生产工艺流程及使用情况。指出作为现代窑具的替代产品,它具有较好的市场前景。 关键词 氮化硅结合碳化硅,工艺,生产,应用 1 生产工艺与性能 1.1 混料 压制料是按配方称量SiC砂和Si粉,倒入高效混料机,并均匀加入事先称量好且加水稀释的添加剂和临时结合剂。搅拌15~20min,并过筛,放入料仓困料24h以上。 挤出料是根据配方,用上述相似的方法进行混料和困料。并应额外加入可塑剂。 注浆料是先将Si粉放在水池中浸泡48h后,再由泥浆泵抽送到压滤机经压滤处理。根据配方称量SiC砂和Si饼,倒入高速搅拌罐并加入一定量的水、临时结合剂和悬浮剂搅拌2h。 1.2 成型 压制成型是将困好的料准确称量后,均匀布于模具中,振动加压成型,再经真空吸盘转移到储坯车上。 挤出成型是将混合料放入真空练泥机进行真空处理,使泥料均匀混合。泥料用塑料薄膜覆盖严实,困料24h,再经真空挤出成型机挤出。 浇注成型主要是满足异型件要求,由于SiC 砂和Si粉为瘠性料,自身密度大,导致泥浆的悬浮性差,易产生沉淀,使泥浆内颗粒分布不均匀。因此,配方中颗粒不能太粗且比例要适当,同时加入悬浮剂和解胶剂(一般采用明胶),并采用压力注浆。然后把经24h搅拌过的泥浆从储浆罐抽入压力注浆罐中,进行真空处理,注浆罐带有慢速搅拌机,加压后泥浆通过管道输送至浇注台的石膏模内成型;保持一定的压力和时间,待吃浆厚度达到要求后,空浆;坯体巩固后,脱模。 1.3 干燥 成型后粗修和整形的合格坯体,入储坯车至干燥室内。干燥室的热风来自热风炉(或窑炉余热利用),热风温度以100~120℃为好,有条件也可使用电热干燥。应严格控制升温速度,以免坯体出现变形或开裂。坯体干燥3天。达到干燥残余水分(一般<0.5%)后推出冷却,经精修坯体和生坯检查,合格的进入氮化炉烧成。 1.4 烧成 合格干燥品装入窑车进氮化室,对氮化反应空间密封后推入梭式窑,接上充氮管和抽真空管,升温至700~1450℃进行抽真空和氮化烧成。中高温氮化阶段(指1100℃以上),严格控制升温制度及氮气质量,氮气纯度应达到99.99%以上。在1180℃及1280℃两个反应高峰期应增加保温时间,以免反应过速出现“流硅”。 1.5 制品的性能 氮化硅结合碳化硅制品抗折强度随温度升高而提高,至1400℃时,强度开始下降,但到1500℃时仍保持常温抗折强度指标。氮化硅结合碳化硅材质的高温抗折强度是普通耐火材料的4~8倍;热膨胀系数是高铝耐火材料的一半;导热系数是一般耐火材料的7~8倍[1]。 生产应用 NAIHU O CAILIAO 1999,33(3)156~157,175  收稿日期:1998-09-07编辑:徐慧娟156  耐火材料1999/3

生物化学在工业及环境方面的应用

生物化学在工业及环境方面的应用 化工10904 杨庆序号18 学号200903052 生物化学是运用化学的理论和方法研究生命物质的边缘学科。其任务主要是了解生物的化学组成、结构及生命过程中各种化学变化。从早期对生物总体组成的研究,进展到对各种组织和细胞成分的精确分析。目前正在运用诸如光谱分析、同位素标记、X射线衍射、电子显微镜一级其他物理学、化学技术,对重要的生物大分子(如蛋白质、核酸等)进行分析,以期说明这些生物大分子的多种多样的功能与它们特定的结构关系。 生物化学在发酵、食品、纺织、制药、皮革等行业都显示了威力。例如皮革的鞣制、脱毛,蚕丝的脱胶,棉布的浆纱都用酶法代替了老工艺。近代发酵工业、生物制品及制药工业包括抗生素、有机溶剂、有机酸、氨基酸、酶制剂、激素、血液制品及疫苗等均创造了相当巨大的经济价值,特别是固定化酶和固定化细胞技术的应用更促进了酶工业和发酵工业的发展。70年代以来,生物工程受到很大重视。利用基因工程技术生产贵重药物进展迅速,包括一些激素、干扰素和疫苗等。基因工程和细胞融合技术用于改进工业微生物菌株不仅能提高产量,还有可能创造新的抗菌素杂交品种。一些重要的工业用酶,如α-淀粉酶、纤维素酶、青霉素酰化酶等的基因克隆均已成功,正式投产后将会带来更大的经济效益。据估计,全球发酵产品的市场有120~130亿美元,其中抗生素占46%,氨基酸占16.3%,有机酸占13.2%,酶占10%,其它占14.5%。发酵产品市场的增大与发酵技术的进步分不开。现代生物技术的进展推动了发酵工业的发展,发酵工业的收率和纯度都比过去有了极大的提高。目前世界最大的串联发酵装置

已达75 m\许多公司对发酵工艺进行了调整,从而降低了生产成本。如ADM (Archer Danie1s Mid1and)和Cargill公司在20世纪90年代初对其发酵装置进行改造,将以碳水化合物为原料的生产工艺改为以玉米粉为原料,从而降低了生产成本,ADM公司生产的赖氨酸成本比原先降低了一半。利用基因工程技术,不但成倍地提高了酶的活力,而且还可以将生物酶基因克隆到微生物中,构建基因菌产生酶。利用基因工程,使多种淀粉酶、蛋白酶、纤维素酶、氨基酸合成途径的关键酶得到改造、克隆,使酶的催化活性、稳定性得到提高,氨基酸合成的代谢流得以拓宽,产量提高。随着基因重组技术的发展,被称为第二代基因工程的蛋白质工程发展迅速,显示出巨大潜力和光辉前景。利用蛋白质工程,将可以生产具有特定氨基酸顺序、高级结构、理化性质和生理功能的新型蛋白质,可以定向改造酶的性能,从而生产出新型生化产品。 环境污染是指人类直接或间接地向环境排放超过其自净能力的物质或能量,从而使环境的质量降低,对人类的生存与发展、生态系统和财产造成不利影响的现象。具体包括:水污染、大气污染、噪声污染、放射性污染等。随着科学技术水平的发展和人民生活水平的提高,环境污染也在增加,特别是在发展中国家。环境污染问题越来越成为世界各个国家的共同课题之一。处理环境污染的方法日新月异,近年来生物化学的方法越来越得到人们的重视。 在生物化学技术发展的同时,污水化学处理技术也在不断发展,其主要特点是投资省、运行稳定、操作灵活、除磷效果好,但不能去除溶解性有机污染物,出水水质也难以达到二级处理的排放要求,运行费用往往偏高。 当代污水处理技术的最重要发展趋势就是生物处理与化学处理的结合,二者

铝碳化硅锆质耐火材料完整

学生毕业论文(设计) 课题名称:铝碳化硅锆质铁水罐不烧砖 的研制与使用 专业班级:材料工程0501 姓名:利鹏 系部:冶金学院 实习单位:莱芜钢铁集团 指导老师:田华孙华云 2008年05月06日 摘要:随着钢铁企业市场竟争的激烈,“优质、高效、低耗、环保”

的发展战略,是企业生存和发展的必经之路。在这种形势下,莱芜市耐火材料厂,本着“优质、高效、低耗、环保”的八字方针,开发研制出了一种新型的铁水罐砖,铝碳化硅锆质铁水罐不烧砖。这种材质的不烧砖,解决了传统的粘土砖粘铁挂渣现象,使用寿命在进行脱硫、脱硅、脱磷的处理时,仍大于1000次,同时它又是一种不烧砖,既节约了能源,又降低了排污污染,是目前较为理想的耐火材料。 关键词:铝碳化硅锆不烧砖铁水罐冷铁抗渗透 铝碳化硅锆质铁水罐不烧砖的研制与使用 1、铁水罐的构造 根据铁水罐内衬大致可分为3个区域,即上部、渣线部和罐底部。

各部位使用条件差异较大,砖的损毁特点也各有不同: 1.1铁水罐上部 在服役期间与铁水的熔渣接触较少,大部分时间暴露在高温氧化气氛中,由于砖中的石墨易被氧化,往往会导致砖体结构疏松,强度下降。对于上部用罐砖,既要提高其抗氧化性,又要提高对铁水,熔渣抗冲刷性。 1.2渣线部位 铁水罐渣线部位的砖在服役期浸泡在熔渣和铁水中,经受熔渣的长期的化学侵蚀,这是渣线部位铁水罐砖损毁的主要原因。 1.3罐底部及冲击区 罐底首先要承受高温铁水的强烈机械冲击,(高炉铁水口到铁水罐底的高度落差一般都在3-5米)。铁水罐罐底部在服役期间被高温铁水反复浸泡,受到铁水的熔损和热冲刷。在进行“三脱”处理时,在铁水底部喷吹强碱性造渣粉状材料,铁水的强烈搅动,加剧了对罐底的侵蚀,高温铁水的熔损、热冲击和机械冲刷是此部位耐火材料损毁的主要原因。 2、铁水罐的主要技术 2.1由烧成砖改为树脂C链结合不烧砖 制品中虽然含有碳、但不烧工艺使产品的热导率比烧成显著降低,保温性能好,铁水在单位时间内温降小,杜绝了罐内冷铁现象。 2.2材质配方的创新使用 原来铁水罐多是以铝Al2O3、SiC为主成分,根据我们研究和罐衬侵蚀机理,在配方中引入了具有熔态渣铁难以浸润的高温材料C成分,增加了ZrO2质增韧材料,提高制品的韧性。 2.3砖型设计的创新 该铁水罐砖型分为两部分设计:桶形罐衬由原来的万能旋转弧衬衬砖改为以圆扇面按角度分割出每个砖型,罐底球面部分利用球体分割法设计每个砖型,砖与砖之间严丝合缝,最大限度的降低了熔态渣铁渗漏机会,提高其全罐的安全性和耐用性。 3、采用的实验方法和技术路线

流变学在聚合物研究中的应用

流变学在聚合物研究中的应用 概述 高分子熔体的流变行为是由其长链分子的拓扑结构决定的。当高分子主链上引入一定数量和长度的支链后,其粘弹性质与线形高分子会有明显不同。长链支化聚合物剪切条件下会表现出与线形高分子类似的应变软化,但由于支链的限制将有更长的末端松弛时间 ,并在拉伸条件下表现出与线形高分子完全不同的应变硬化松弛过程。支化对聚合物粘弹性质的影响,无论对工业界还是科学研究都是一个十分重要和基础的课题。近年来的一系列研究表明:一方面通过引入相同或相似结构单元的长支链可以明显提高聚合物的熔体强度(这对于熔融纺丝、吹膜等熔体拉伸加工过程是十分有利的);另一方面也可以通过含有特征官能团支链的引入对聚合物进行改性,提高其光学、热学和力学性能。目前,随着控制聚合反应和机理研究的进一步深入,人们已能够直接得到各种具有明确拓扑结构的支化聚合物 ,如梳形[1]、星形、 H形聚合物[2]等 ,这对支化聚合物流变学的深入研究与探索起了极大的推动作用。 与线形高分子不同 ,支化高分子熔体是热流变复杂的 ,其流变学特性主要表现在: (1)支化减小了高分子的流体力学体积 ,降低了零切粘度 ,支链松弛过程的加入使得整个高分子的末端松弛时间延长; (2)长链支化聚合物在拉伸过程中会表现出明显的应变硬化 ,并使得时 - 温叠加原理不再有效; (3)支化高分子的拓扑结构对其整个松弛过程有显著的影响 ,支化密度和支链长度存在临界值 ,超过此临界值 ,支链松弛过程将会清晰地反映在动态粘弹谱上; (4)支化聚合物流变行为的温度依赖性是复杂的 ,多数支化聚合物的流变行为比相应线形聚合物有更强的温度依赖性 ,但也有一些支化聚合物和其相应线形高分子具有同样的温度依赖性 ,如聚异丁烯。 本文简介流变学在不同聚合物研究中的应用,并对流变学的发展方向做了展望。 1、流变学在聚乙烯研究中的应用 聚乙烯基本分为三大类,即低密度聚乙烯(LDPE)!高密度聚乙烯(HDPE)和线型低密度聚乙烯(LLDPE),三种聚乙烯分子结构见图如下

碳化硅的应用

碳化硅 碳化硅,又称为金钢砂或耐火砂,英文名Silicon Carbide,分子式SiC。 纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体,已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。绿色至蓝黑色。介电常数7。硬度9Mobs。A-是半导体。迁移率(300 K), cm2 / (VS),400电子和50空穴,谱带间隙eV,303(0 K)和2.996(300 K);有效质量0.60电子和1.00空穴,电导性,耐高温氧化性能。相对密度3.16。熔点2830℃。导热系数(500℃)22. 5 , (1000℃)23.7 W / (m2K)。热膨胀系数:线性至100℃:5.2×10-6/ ℃,不溶于水、醇;溶于熔融碱金属氢氧化物。 碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。碳化硅为晶体,硬度高,切削能力较强,化学性能力稳定,导热性能好。 黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体,一种是绿碳化硅,含SiC 97%以上,主要用于磨硬质含金工具。另一种是黑碳化硅,有金属光泽,含SiC 95%以上,强度比绿碳化硅大,但硬度较低,主要用于磨铸铁和非金属材料。 碳化硅的用途是十分广泛的,目前主要是用作磨料和耐火材料,这两项用途占了碳化硅产量中的大部分。通常磨料用的颗粒粒级很窄,反之耐火材料不同。下面分几个方面介绍碳化处的主要用途。 一、磨料 由于碳化硅具有很高的硬度、化学稳定性和一定的韧性,所以是一种用途很广的磨料,可用以制造砂轮、油石、涂附磨具或自由研磨。它主要是用于研磨玻璃、陶瓷、石材等非金属材料、铸铁及某些非铁金属,它与这些材料之间的反应性很弱。由于它是普通废料中硬度最高的材料,所以包常用以加工硬质合金、钛合金、高速钢刀具等难磨材料及修正砂轮用。碳化硅硬度仅次于金刚石,具有较强的耐磨性能,是耐磨管道、叶轮、泵室、旋流器,矿斗内衬的理想材料,其耐磨性能是铸铁、橡胶使用寿命的5~20倍,也是航空飞行跑道的理想材料之一。 其中黑色碳化硅和绿色碳化硅的应用也有所差别。黑碳化硅制成的磨具,多用于切割和研磨抗张强度低的材队如玻璃、陶瓷、石料和耐火物氯同时也用于铸铁零件和有色金属材料的磨削。绿碳化硅制成的磨具,多用于硬质合金、钦合金、光学玻璃的磨削,同时也用于缸缸和高速钢刀具的精磨。 由于其优良的耐磨性,碳化硅在冶金选矿行业中也有应用。参见《碳化硅在选矿工艺中的应用》。 二、耐火材料和耐腐蚀材料 这一用途是由于它的高熔点(分解温度)、化学惰性和抗热震性。日前生产碳化硅耐火材料的主要方法包括压制和烧结碳化硅、压制和再结晶碳化硅、浇注和再结晶碳化硅、碳化硅

高等数学知识在生物化学工程中的应用举例

高等数学知识在生物化学工程中的应用举例 高等数学是生命科学学院校开设的重要基础课程,数学方法为生物化学的深入研究发展提供了强有力的工具。下面仅举一些用高等数学基础知识解决生物化学工程中的一些实际问题的例子,旨在启发学生怎样正确理解和巩固加深所学的知识,并且强化应用数学解决实际问题的意识。 例1 在化工原理中常用的柏努利方程式中的应用 化工生产过程中常于密闭管道内输送液体,使液体流动的主要因素有(1)流体本身的位差;(2)两截面间的压强差;(3)输送机械向流体外作的外功。 流动系统的能量衡量常用柏努利方程式,下面来介绍柏努利方程式。 定态流动时液体的机械能衡量式为 ∑?-=+?+ ?f e p p h W v d p u z g 212 2 (1) 该式队可压缩液体和不可压缩液体均适用。对不可压缩液体,(1)式中?2 p p vdp 项应视过程性质(等温、绝热 或多变过程)按热力学原则处理,对不可压缩液体,其比容v 或者密度ρ为常数,故 ρ ρ ρp p p dp vdp p p p p ?= -= = ?? 2 12 2 1 ,代入(1)式有: ∑-=?+?+?f e h W p u z g ρ 22 或 ∑+++=+++f e h p u gz W p u gz ρ ρ22 22121122 (2) (2)式称为柏努利方程式。 需要注明的是,22u 为动能,gz 为位能,ρ p 为静态能,e W 为有效能,∑f h 为能量损耗,z ?为高度差。 例2 混合气体粘度的计算 常温下混合气体的计算式为 ∑∑=== n i i i n i i i i m M y M y 1 211 21 μμ (3) 其中m μ为常温下混合气体的粘合度(Pa.s );i y 为纯组分i 的摩尔分率;i μ为混合气体的温度下,纯组分i 的粘度(Pa.s );i M 为组分i 的分子量(Kg/kmol )。 例如:空气组分约为01.0,78.0,21.022Ar N O (均为体积积分率),试利用Ar N O ,,22的粘度数量,计算常温下C 020时空气的粘度?

第三代半导体面SiC碳化硅器件及其应用

件)器及其应用i三第代半导体面-SC(碳化硅以其优良的物理化学特性和电特性成为制SiC作为一种新型的半导体材料,造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率/高额电子器件最重器件的特性要的半导体材料.特别是在极端条件和恶劣条件下应用时,SiC器件和各类传感器已逐步成为SiCGaAs器件.因此,远远超过了Si器件和关键器件之一,发挥着越来超重要的作用. 从20世纪80年代起,特别是1989年第一种SiC衬底圆片进入市场以来,SiC器件和电路获得了快速的发展.在某些领域,如发光二极管、高频大功率和高电压器件等,SiC器件已经得到较广泛的商业应用.发展迅速.经过近10年的发展,目前SiC器件工艺已经可以制造商用器件.以Cree为代表的一批公司已经开始提供SiC器件的商业产品.国内的研究所和高校在SiC材料生长和器件制造工艺方面也取得厂可喜的成果.虽然SiC材料具有非常优越的物理化学特性,而且SiC器件工艺也不断成熟,然而目前SiC器件和电路的性能不够优越.除了SiC材料和器件工艺需要不断提高外.更多的努力应该放在如何通过优化S5C器件结构或者提出新型的器件结构以发挥SiC材料的优势方面. 1 SiC分立器件的研究现状 目前.SiC器件的研究主要以分立器件为主.对于每一种器件结构,共最初的研究部是将相应的Si或者GaAs器件结构简单地移植到SiC 上,而没有进行器件结构的优化.由于SiC的本征氧化层和Si相同,

均为SiO2,这意味上制造出来.尽管只是简SiC帕型器件都能够在M 器件特别是Si着大多数. 单的移植,可是得到的一些器件已经获得了令人满意的结果,而且部分器件已经进入厂市场.S iC光电器件,尤其是蓝光发光二极管在20世纪90年代初期已经进入市场,它是第一种大批量商业生产的SiC器件.日前高电压SiC肖特基二极管、SiC射频功率晶体管以及SiC MOSFET和MESFET等也已经有商业产品.当然所有这些SiC产品的性能还远没有发挥SiC材料的超强特性,更强功能和性能的SiC器件还有待研究与开发.这种简单的移植往往不能完全发挥SiC材料的优势.即使在SiC器件的一些优势领域.最初制造出来的SiC器件有些还不能和相应的Si或者CaAs器件的性能相比. 为了能够更好地将SiC材料特性的优势转化为SiC器件的优势,目前正在研究如何对器件的制造工艺与器件结构进行优化或者开发新结构和新工艺以提高SiC器件的功能和性能. 1.1 SiC肖特基二极管 肖特基二极管在高速集成电路、微波技术等许多领域有重要的应用.由于肖特基二极管的制造工艺相对比较简单,所以对SiC肖特基二极管的研究较为成熟.普渡大学最近制造出了阻断电压高达4.9kV 的4H-SiC肖特基二极管,特征导通电阻为43mΩ?c㎡,这是目前SiC 肖特基二极管的最高水平. 通常限制肖特基二极管阻断电压的主要因素是金—半肖特基接触边

碳化硅的用途

碳化硅的用途 碳化硅是典型的多晶型化合物,按大类来分,有α-碳化硅和β-碳化硅两种。α-碳化硅做为磨料有黑、绿两种品种。β-碳化硅是制备碳化硅类陶瓷的主要原料。碳化硅的用途十分广泛,如:冶金、机械、化工、建材、轻工、电子、发热体。磨料可作为冶金工业的净化剂、脱氧剂和改良剂。在机械加工方面可作为合成硬质合金刀具;加工后的硅碳板可作为耐火材料用于陶瓷烧制的棚板。通过精加工后生产的微粉,可用于高科技电子元器件和远红外线辐射材料的涂料。高纯度精微粉可供国防工业航空航天器皿的涂层。对国际国内各经济领域的用途十分广阔。 碳化硅半导体能应对“极端环境”,据称,碳化硅晶片甚至可以经受住金星或太阳附近的热度。前期的研究表明,即使在560摄氏度的高温中,碳化硅晶片在没有冷却装置的情况下仍能正常运作。碳化硅晶片在通讯领域具有广阔的运用前景,能让高清晰电视发射器提供更清晰的信号和图像;也可以用在喷气和汽车引擎中,监测电机运转。同时,它还可运用于太空探索领域,帮助核动力飞船执行更繁杂的任务。法国物理学家预言,在芯片制造领域,碳化硅取代硅已为时不远。 1、磨料--主要因为碳化硅具有很高硬度,化学稳定性和一定韧性,所以碳化硅能用于制造固结磨具、涂附磨具和自由研磨,从而来加工玻璃、陶瓷、石材、铸铁及某些非铁金属、硬质合金、钛合金、高速钢刀具和砂轮等。

2、耐火材料和耐腐蚀材料---主要因为碳化硅具有高熔点(分解度)、化学惰性和抗热振性,所以碳化硅能用于磨具、陶瓷制品烧成窑炉中用棚板和匣钵、炼锌工业竖缸蒸馏炉用碳化硅砖、铝电解槽衬、坩锅、小件炉材等多种碳化硅陶瓷制品。 3、化工用途--因为碳化硅可在溶融钢水中分解并和钢水中离氧、金属氧化物反应生成一氧化碳和含硅炉渣。所以它可作为冶炼钢铁净化剂,即用作炼钢脱氧剂和铸铁组织改良剂。这一般使用低纯度碳化硅,以降低成本。同时还可以作为制造四氯化硅原料。 4、电工用途--用作加热元件、非线性电阻元件和高半导体材料。加热元件如硅碳棒(适用于1100~1500℃工作各种电炉),非线性电阻元件,各式避雷阀片。 5、其它配制成远红外辐射涂料或制成碳化硅硅板用远红外辐射干燥器中。 碳化硅用途细分: 1、有色金属冶炼工业的应用 利用碳化硅具有耐高,强度大,导热性能良好,抗冲击,作高间接加热材料,如坚罐蒸馏炉,精馏炉塔盘,铝电解槽,铜熔化炉内衬,锌粉炉用弧型板,热电偶保护管等。 2、钢铁行业方面的应用 利用碳化硅的耐腐蚀,抗热冲击耐磨损,导热好的特点,用于大型高炉内衬提高了使用寿命。 3、冶金选矿行业的应用

生物技术在化学品生产中的应用

第十五节生物技术在化学品生产中的应用 作者:谭天伟文章来源:石化技术与应用点击数:2243 更新时间: 2011-07-08 生物化工是利用生物体(酶、微生物、细胞及细胞组织)结合化学和工程系原理进行化学品的加工或提供相应的社会服务(如环境治理)。生物化工有时又称为生物加工过程,生物化工生产的产品有以下几类:精细化学品,如维生素、色素等;生物材料,如生物可降解材料聚乳酸、壳聚糖及手性化合物等;医药及生物制剂,如青霉素、头孢、干扰素等;农用化学品,如生物农药、微生物肥料等;功能性食品及食品、饲料添加剂等。 1、生物技术从医药领域逐渐向化工领域转移,使传统的以石油为原料的化学工业发生变化。从而向条件温和、以可再生瓷源为原料的生物加工过程转移 目前生物技术主要用于医药及农业领域,但高效的生物转化技术越来越多地被用于化学品的生产。倒如1,3丙二醇(PDO)是一种重要的化工原料,可以合成聚酯PrT(聚对苯二甲酸丙二酯)。目前国际上主要是采油化学法生成PrT,如荷兰Shell采用环氧丙烷催化加氢用酰化法生成,副产物多,选择性差。现已开始研究采用生物发酵法生产1,3丙二醇,如美国杜邦通过基因工程方法开发了以淀粉为原料生产1.3丙二醇的工艺,该工艺不产生污染物.并通过发酵法合成的1,3丙二醇合成了聚酯PrT,2000年3月杜邦公司已宣布批量生产1,3丙二醇。 甘油是用途广泛的化工原料,目前有2条生产工艺路线:化学法和生物发酵法。化学法主要采用环氧丙烷水解工艺。发酵法以淀粉为原料,环境上有一定优势。我国目前在甘油发酵技术上达到国际领先水平,可以生产药用和食品级甘油。我国目前的生物法甘油年生产能力已达1万t以上。但发酵法甘油和化学法甘油的竞争还是很激烈的.二者的经济性在很大程度上取决于石油的价格。 乙醛酸是合成香兰素和许多中间体的重要原料,乙醛酸目前主要采用化学法生产.工艺路线有乙二醛氧化法.氯乙酸氧化法及草酸电解法,生产厂家主要集中在日本、美国和德国等发达国家。其中草酸电解法由于反应条件较温和,转化率高,目前被国内外大多数厂家采用。化学法工艺的主要问题是反应条件苛刻(240℃),乙醛酸转化率低,仅60%一80%,环境污染严重。由于转化率低.分离纯化工艺复杂,一般乙醛酸产品纯度仅40%,而90%纯度的乙醛酸价格比40%纯度的乙醛酸高5~6倍。

第三代半导体面SiC碳化硅器件及其应用

第三代半导体面-SiC(碳化硅)器件及其应用 作为一种新型的半导体材料,SiC以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率/高额电子器件最重要的半导体材料.特别是在极端条件和恶劣条件下应用时,SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件.因此,SiC器件和各类传感器已逐步成为关键器件之一,发挥着越来超重要的作用. 从20世纪80年代起,特别是1989年第一种SiC衬底圆片进入市场以来,SiC器件和电路获得了快速的发展.在某些领域,如发光二极管、高频大功率和高电压器件等,SiC器件已经得到较广泛的商业应用.发展迅速.经过近10年的发展,目前SiC器件工艺已经可以制造商用器件.以Cree为代表的一批公司已经开始提供SiC器件的商业产品.国内的研究所和高校在SiC材料生长和器件制造工艺方面也取得厂可喜的成果.虽然SiC材料具有非常优越的物理化学特性,而且SiC器件工艺也不断成熟,然而目前SiC器件和电路的性能不够优越.除了SiC材料和器件工艺需要不断提高外.更多的努力应该放在如何通过优化S5C器件结构或者提出新型的器件结构以发挥SiC材料的优势方面. 1 SiC分立器件的研究现状 目前.SiC器件的研究主要以分立器件为主.对于每一种器件结构,共最初的研究部是将相应的Si或者GaAs器件结构简单地移植到SiC上,而没有进行器件结构的优化.由于SiC的本征氧化层和Si相同,均为SiO2,这意味着大多数Si器件特别是M帕型器件都能够在Si C上制造出来.尽管只是简单的移植,可是得到的一些器件已经获得了令人满意的结果,而且部分器件已经进入厂市场.S iC光电器件,尤其是蓝光发光二极管在20世纪90年代初期已经进入市场,它是第一种大批量商业生产的SiC器件.日前高电压SiC肖特基二极管、SiC射频功率晶体管以及SiC M OSFET和MESFET等也已经有商业产品.当然所有这些SiC产品的性能还远没有发挥SiC 材料的超强特性,更强功能和性能的SiC器件还有待研究与开发.这种简单的移植往往不能完全发挥SiC材料的优势.即使在SiC器件的一些优势领域.最初制造出来的SiC器件有些还不能和相应的Si或者CaAs器件的性能相比. 为了能够更好地将SiC材料特性的优势转化为SiC器件的优势,目前正在研究如何对器件的制造工艺与器件结构进行优化或者开发新结构和新工艺以提高SiC器件的功能和性能.1.1 SiC肖特基二极管 肖特基二极管在高速集成电路、微波技术等许多领域有重要的应用.由于肖特基二极管的制造工艺相对比较简单,所以对SiC肖特基二极管的研究较为成熟.普渡大学最近制造出了阻断电压高达4.9kV的4H-SiC肖特基二极管,特征导通电阻为43mΩ?c㎡,这是目前SiC 肖特基二极管的最高水平. 通常限制肖特基二极管阻断电压的主要因素是金—半肖特基接触边沿处的电场集中.所以提高肖特基二极管阻断电压的主要方法就是采用不同的边沿阻断结构以减弱边沿处的电场集中.最常采用的边沿阻断结构有3种:深槽阻断、介质阻断和pn结阻断.普放大学采用的方法是硼注入pn结阻断结构,所选用的肖特基接触金属有Ni,Ti.2000年4月Cree和K ansai联合研制出一只击穿电压高达12.3kV的SiC整流器,主要采用了新的外延工艺和改进的器件设计.该器件具有很低的导通电阻,正向导通电压只有4.9 V ,电流密度高,可以达到100A/c㎡,是同类Si器件的5倍多. 1.2 SiC功率器件 由于SIC的击穿电场强度大约为Si的8倍.所以SiC功率器件的特征导通电阻可以做得小到相应Si器件的1/400.常见的功率器件有功率MOSFET、IGBT以及多种MOS控制闸流管等.为了提高器件阻断电压和降低导通电阻,许多优化的器件结构已经被使用.表1给出了

碳化硅主要用途__碳化硅用于耐火材料时特性

碳化硅主要用途__碳化硅用于耐火材料时特性 碳化硅主要用途是什么呢?碳化硅用于耐火材料时有哪些特性呢?碳化硅又名金刚砂,包括黑碳化硅和绿碳化硅,其中:黑碳化硅是以石英砂,石油焦和硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。那么碳化硅的主要用途有哪些? 【碳化硅主要用途】 一、磨料--主要是因为碳化硅具有很高的硬度,化学稳定性和一定的韧性,所以碳化硅能用于制造固结磨具、涂附磨具和自 由研磨,从而来加工玻 璃、陶瓷、石材、铸铁 及某些非铁金属、硬质 合金、钛合金、高速钢 刀具和砂轮等。 二、耐火材料和耐腐蚀 材料---主要是因为碳 化硅具有高熔点(分解 度)、化学惰性和抗热振性,所以碳化硅能用于磨具、陶瓷制品烧成窑炉中用的棚板和匣钵、炼锌工业竖缸蒸馏炉用的碳化硅砖、铝电解槽衬、坩锅、小件炉材等多种碳化硅陶瓷制品。 三、化工--因为碳化硅可在溶融钢水中分解并和钢水中的离氧、金属氧化物反应生成一氧化碳和含硅炉渣。所以它可作为冶炼钢铁的净化剂,即用作炼钢的脱氧剂和铸铁组织改良剂。这一般使用低纯度的碳化硅,以降低成本。同时还可以作为制造四氯化硅的原料。 四、电工--用作加热元件、非线性电阻元件和高半导体材料。加热元件如硅碳棒(适用于1100~1500℃工作的各种电炉),非线性电阻元件,各式的避雷阀片。

五、其它--配制成远红外辐射涂料或制成碳化硅硅板用远红外辐射干燥器中。【碳化硅用于耐火材料时特性】 1、还原气氛下使用温度一般可达1760℃; 2、抗热震性能好,能承受温度急剧变化,防止炉衬出现裂纹或断裂 3、因热态强度高,中高温条件时可承受一定应力,可作为结构材料 4、耐磨性能好,在一定温度下,可作为耐磨衬体 5、能耐受一定熔渣或热态金属,包括碱金属熔液的侵蚀和渗透 6、可承受一些炉气的作用,能用于气氛炉。 其中,碳化硅应用于耐火材料的关键技术有以下四种方式: 1、氧化物结合:以硅酸铝、二氧化硅等为结合剂; 2、氮化物结合:氮化硅、氧氮化硅和赛隆结合; 3、自结合:按碳化硅的当量比例加入石墨和金属硅,高温下反应生成;

配位聚合物的应用及其研究进展

配位聚合物在光电磁材料中的应用 姓名:吴娜学号:10207010 摘要:配位聚合物由于其特殊的结构及其在光电磁等方面优异的性能引起了科学家的广泛关注。本文综述了金属有机化合物在光电磁材料中的应用,并对新型多功能材料在设计、合成与应用方面的广阔前景作了展望。 关键词:配位聚合物;多功能材料;非线性光学;材料化学 引言: 配位聚合物(coordination polymers)或金属-有机框架(metal-organic frameworks,简称MOFs)是指利用金属离子与有机桥联配体通过配位键合作用而形成的一类具有一维,二维或三维无限网络结构的配位化合物[1]。近年来,配位聚合物作为一种新型的功能化分子材料以其良好的结构可裁性和易功能化的特性引起了研究者浓厚的兴趣。配合物有无机的金属离子和有机配体,因此它兼有无机和有机化合物的特性,而且还有可能出现无机化合物和有机化合物均没有的新性质。配位聚合物分子材料的设计合成、结构及性能研究是近年来十分活跃的研究领域之一,它跨越了无机化学、配位化学、有机化学、物理化学、超分子化学、材料化学、生物化学、晶体工程学和拓扑学等多个学科领域,它的研究对于发展合成化学、结构化学和材料化学的基本概念及基础理论具有重要的学术意义,同时对开发新型高性能的功能分子材料具有重要的应用价值[2-7]。并对分子器件和分子机器的发展起着至关重要的作用。配位聚合物在新的分子材料中将发挥重要的作用。配位化学理论在材料的分子设计中也将起着重要的指导作用。 材料按其性能特征和用途大致可划分为结构材料和功能材料两大类。功能材料种类繁多,功能各异,其共同的特点和发展趋势是:(1) 性能优异;(2)分子化;(3)巨大的应用前景。金属有机光电磁材料综合了这几方面特点,将发展成为新一代材料,其结构和性能决定了它的应用越来越广泛。以下是金属有机化合物分别在光电磁材料中的应用。 1 配位聚合物在光学材料中的应用 配位聚合物的光学性质研究主要集中在光致发光、电致发光以及非线性光学等方面[8]。 1.1光致发光和电致发光材料 当外界光照射到某些物质的时候,这些物质会发射出各种波长和不同强度的可见光,而当外界光停止照射时,这种发射光也随之消失,我们称这种发光现象叫光致发光( PL);当

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞 功率半导体多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前,功率半导体材料正迎来材料更新换代,这些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓),二者的物理特性均优于现在使用的Si(硅),作为节能王牌受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。将Si换成GaN或SiC等化合物半导体,可大幅提高产品效率并缩小尺寸,这是Si功率半导体元件(以下简称功率元件)无法实现的。 目前,很多领域都将Si二极管、MOSFET及IGBT(绝缘栅双极晶体管)等晶体管用作功率元件,比如供电系统、电力机车、混合动力汽车、工厂内的生产设备、光伏发电系统的功率调节器、空调等白色家电、服务器及个人电脑等。这些领域利用的功率元件的材料也许不久就将被GaN和SiC所替代。 例如,SiC已开始用于铁路车辆用马达的逆变器装置以及空调等。 电能损失可降低50%以上 利用以GaN和SiC为材料的功率元件之所以能降低电能损失,是因为可以降低导通时的损失和开关损失。比如,逆变器采用二极管和晶体管作为功率元件,仅将二极管材料由Si换成SiC,逆变器的电能损失就可以降低15~30%左右,如果晶体管材料也换成SiC,则电能损失可降低一半以上。 有助于产品实现小型化 电能损失降低,发热量就会相应减少,因此可实现电力转换器的小型化。利用GaN和SiC 制作的功率元件具备两个能使电力转换器实现小型化的特性:可进行高速开关动作和耐热性较高。 GaN和SiC功率元件能以Si功率元件数倍的速度进行开关。开关频率越高,电感器等构成电力转换器的部件就越容易实现小型化。 耐热性方面,Si功率元件在200℃就达到了极限,而GaN和SiC功率元件均能在温度更高的环境下工作,这样就可以缩小或者省去电力转换器的冷却机构。 这些优点源于GaN和SiC具备的物理特性。与Si相比,二者均具备击穿电压高、带隙宽、

碳化硅材料在汽车上面的应用探究

新型碳化硅材料在汽车上面的应用 1摩擦副材料的选配 由于航空用离合器是工作在高速、高温、高载荷状态下,楔块的材料应同时满足强度及耐磨损的需求,宜选用高强度、高温、硬度高、高导热性、耐热冲击、低热膨涨系数性质的材料, 根据以上使用特性,楔块常用材料一般选Cr14Mo4V、Gr4Mo4V、W18Gr4V、M -50、AMS6490等耐高温材料,硬度一般在HRC63左右。而相配合的内外套常选用镍铬钼材料(如18CrNi4A、SAE8640、AISI9310)或轴承钢ZGGr15等,滚道表面最小硬度不低于HRC60。 2 碳化硅等特种陶瓷的结构性能及种类 陶瓷的性能由两种因素决定。首先是物质结构,主要是化学键的性质和晶体结构。它们决定陶瓷材料的性能,如耐高温性、半导体性及绝缘性等。其次是显微组织,包括分布、晶粒大小、形状、气孔大小和分布、杂质、缺陷等。陶瓷材料在性能上有其独特的优越性。在热和机械性能方面,有耐高温、隔热、高硬度、耐磨耗等;在电性能方面有绝缘性、压电性、半导体性、磁性等;在化学方面有催化、耐腐蚀、吸附等功能;在生物方面,具有一定生物相容性能,可作为生物结构材料等。但也有它的缺点,其致命缺点是脆性。因此研究开发新型功能陶瓷是材料科学中的一个重要领域。近期研究表明:用不同配比的各种原料和陶瓷复合材料制成的纳米级原材料经烧结可提高韧性。这一发现吸引了许多研究者,成为国际上研究的热点。预期合成陶瓷研究将使全陶瓷内燃机尽快成为现实。这是21世纪的新挑战,将使汽车发动机、刀具、模具等方面面貌一新。 工程陶瓷目前有氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC),硅化钨(WSi2)、二氧化锆(ZrO2)、三氧化铝(A12O3)等。这些材料具有耐热、高硬度、耐磨、耐腐蚀、相对密度小等特点。若能用于燃气轮机,可使工作温度从目前的1100e提高到1370e,而热效率从60%提高到80%,应是理想的发动机材料。陶瓷材料种类繁多,各有特色,可制成各种功能元件。 碳化硅陶瓷是用碳化硅粉,用粉末冶金法经反应烧结或热压烧结工艺制成。碳化硅陶瓷最大特点是高温强度大、热稳定性好、耐磨抗蠕变性好。适用于浇注金属用的喉嘴、热电偶套管、燃气轮机的叶片、轴承等零件。同时由于它的热传导能力高,还适用于高温条件下的热交换器材料,也可用于制作各种泵的密封圈。氮化硅陶瓷抗温度急变性好,硬度高,其硬度仅次于金刚石、氮化硼等物质,用氮化硅陶瓷材料制作发动机,由于工作温度达到1370e,发动机效率可达30%,同时由于温度提高,可使燃料充分燃烧,排出废气污染成分大幅度降落,不仅降低能耗,并且减少了情形污染。氮化硅陶瓷原料丰富、加工性好,可以用低成本生产出各种尺寸精确的部件,特别是形状复杂的部件,成品率比其他陶瓷材料高。金属陶瓷,主要包括六大类:介电陶瓷、半导体陶瓷、磁性陶瓷、压电陶瓷、热电陶瓷、绝缘陶瓷等,该技术有助于节能环保。除了提高汽车的安全性和舒适性之外,如何提高环保性能也是一个焦点。 3 陶瓷发动机 陶瓷具有较好的高温强度、耐蚀性和耐磨性,尤其是氮化硅和碳化硅陶瓷,有可能作为高温结构材料来制造发动机。陶瓷发动机已成为当前世界各国竞相开发的目标之一。用陶瓷材料制造的发动机,具有以下优越性:陶瓷的耐热性好,这可以提高发动机的工作温度,从而使发动机效率大大提高。例如,对燃气轮机来说,目前作为其制造材料的镍基耐热合金,工作温度在1000e左右;若采用陶瓷材料,工作温度可达1300e,使发动机效率提高30%左右;工作温度高,可使燃料充分燃烧,排出废气中的污染成分大大减少。这不仅降低了能源消耗,而且减少了环

生物技术在应用药物化学中的应用

生物技术在应用药物化学中的应用 摘要:本文先简要地介绍生物技术中的主要几个技术分支,以及研究的方向还有应用药物化学的研究任务和目的,再通过技术的分析讨论生物技术在应用药物化学的研究中起到的重要作用。最后简单列举生物技术药物的发展现状。 关键词:生物技术;药物化学;应用 正文: 1.什么是生物技术 生物技术(Biotechnology),是指人们以现代生命科学为基础,结合其他基础科学的科学原理,采用先进的科学技术手段,按照预先的设计改造生物体或加工生物原料,为人类生产出所需产品或达到某种目的。生物技术是人们利用微生物、动植物体对物质原料进行加工,以提供产品来为社会服务的技术。生物技术是一门新兴的,综合性的学科。现代的生物技术主要包含基因工程、分子生物学、生物化学、遗传学、细胞生物学、胚胎学、免疫学、有机化学、无机化学、物理化学、物理学、信息学及计算机科学等多学科技术,可用于研究生命活动的规律和提供产品为社会服务等。 1.1.细胞工程 细胞工程(Cell engineering)是生物技术中最基础的,最重要的,是应用细胞生物学和分子生物学的理论和方法,按照人们的设计蓝图,进行在细胞水平上的遗传操作及进行大规模的细胞和组织培养。当前细胞工程所涉及的主要技术领域有细胞培养、细胞融合、细胞拆合、染色体操作及基因转移等方面。通过细胞工程可以生产有用的生物产品或培养有价值的植株,并可以产生新的物种或品系。 1.2.基因工程 基因工程(Genetic engineering)又称基因拼接技术和DNA重组技术,是以分子遗传学为理论基础,以分子生物学和微生物学的现代方法为手段,将不同来源的基因按预先设计的蓝图,在体外构建杂种DNA分子,然后导入活细胞,以改变生物原有的遗传特性、获得新品种、生产新产品。基因工程技术为基因的结构和功能的研究提供了有力的手段。基因工程是生物技术中的核心技术。其中包括:核酸分子杂交技术,DNA序列分析技术,基因定点突变技术以及聚合酶链反应技术等。[1] 1.3.蛋白质组学 蛋白质组(Proteomics)学本质上指的是一门大规模、高通量、系统化的研究某一类型细胞、组织或体液中的所有蛋白质组成,包括蛋白质的表达水平,翻译后的修饰,蛋白与蛋白相互作用等,由此获得蛋白质水平上的关于疾病发生,细胞代谢等过程的整体而全面的认识。虽然基因决定蛋白质的水平,但是基因表达的水平并不能代表细胞内活性蛋白的水平,蛋白质组学分析是对蛋白质翻译和修饰水平等研究的一种补充,是全面了解基因组表达的一种必不可少的手段。蛋白质组学相关技术的发展极大地推动了蛋白质组学的研究进展,使其在各研究领域得到了广泛的应用。[2]

碳化硅主要的四大应用领域

碳化硅硬度仅次于金刚石,具有较强的耐磨性能,是耐磨管道、叶轮、泵室、旋流器、矿斗内衬的理想材料,具耐磨性能是铸铁,橡胶使用寿命的5-20倍,也是航空飞行跑道的理想材料之一。碳化硅主要有四大应用领域,即:功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应,不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。 (碳化硅-图片) 1、作为磨料,可用来做磨具,如油石、磨头、砂瓦类等。 2、作为冶金脱氧剂和耐高温材料。 3、高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。 主要用途:用于3-12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。 用于半导体、避雷针、电路元件、高温应用、紫外光侦检器、结构材料、天文、碟刹、离合器、柴油微粒滤清器、细丝高温计、陶瓷薄膜、裁切工具、加热元件、核燃料、珠宝、钢、护具、触媒担体等领域。 折叠磨料磨具

主要用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏及光伏产品中单晶硅、多晶硅和电子行业的压电晶体等方面的研磨、抛光等。 折叠化工 折叠"三耐"材料 利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性,碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。 另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等;用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等碳化硅陶瓷材料;还可以制做火箭喷管、燃气轮机叶片等。此外,碳化硅也是高速公路、##飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一。 (碳化硅-图片) 折叠有色金属 利用碳化硅具有耐高温,强度大,导热性能良好,抗冲击,作高温间接加热材料,如坚罐蒸馏炉,精

碳化硅用途

碳化硅用途 碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。黑碳化硅是什么,他是怎么制作出来的 黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。 绿碳化硅是什么,他是怎么制作出来的 绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。 碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性, 在一些应用上成为最佳的半导体材料: 短波长光电器件, 高温, 抗幅射以及高频大功率器件. 其主要特性及与硅(Si)和砷化镓(GaAs)的对比. 宽能级(eV) 4H-SiC: 3.26 6H-Sic: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12 由于碳化硅的宽能级, 以其制成的电子器件可在极高温下工作. 这一特性也使碳化硅可以发射或检测短波长的光, 用以制作蓝色发光二极管或几乎不受太阳光影响的紫外线探测器. 高击穿电场(V/cm) 4H-SiC: 2.2x106 6H-SiC: 2.4x106 GaAs: 3x105 Si: 2.5x105 碳化硅可以抵受的电压或电场八倍于硅或砷化镓, 特别适用于制造高压大功率器件如高压二极管,功率三极管, 可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可让碳化硅器件紧密排列, 有利于提高封装密度. 高热传导率(W/cm?K@RT) 4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0.5 Si: 1.5 碳化硅是热的良导体, 导热特性优于任何其它半导体材料. 事实上, 在室温条件下, 其热传导率高于任何其它金属. 这使得碳化硅器件可在高温下正常工作. 高饱和电子迁移速度(cm/sec @E 2x105V/cm) 4H-SiC: 2.0x107 6H-SiC: 2.0x107 GaAs: 1.0x10 Si: 1.0x107 由于这一特性, 碳化硅可制成各种高频器件(射频及微波). 碳化硅的5大主要用途 1?有色金属冶炼工业的应用 利用碳化硅具有耐高温,强度大,导热性能良好,抗冲击,作高温间接加热材料,如坚罐蒸馏炉?精馏炉塔盘,铝电解槽,铜熔化炉内衬,锌粉炉用弧型板,热电偶保护管等? 2?钢铁行业方面的应用 利用碳化硅的耐腐蚀?抗热冲击耐磨损?导热好的特点,用于大型高炉内衬提高了使用寿命? 3?冶金选矿行业的应用 碳化硅硬度仅次于金刚石,具有较强的耐磨性能,是耐磨管道?叶轮?泵室?旋流器,矿斗内衬的理想材料,其耐磨性能是铸铁.橡胶使用寿命的5—20倍,也是航空飞行跑道的理想材料之一? 4?建材陶瓷,砂轮工业方面的应用 利用其导热系数?热辐射,高热强度大的特性,制造薄板窑具,不仅能减少窑具容量,还提高了窑炉的装容量和产品质量,缩短了生产周期,是陶瓷釉面烘烤烧结理想的间接材料?

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