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材料分析方法 周玉 第二版

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第一章X 射线物理学基础

1、在原子序24(Cr)到74(W)之间选择7 种元素,根据它们的特征谱波长(Kα),用图解法验证莫塞莱定律。(答案略)

2、若X 射线管的额定功率为1.5KW,在管电压为35KV 时,容许的最大电流是多少?

答:1.5KW/35KV=0.043A。

4、为使Cu 靶的Kβ线透射系数是Kα线透射系数的1/6,求滤波片的厚度。

答:因X 光管是Cu 靶,故选择Ni 为滤片材料。查表得:μ m α=49.03cm2/g,μ mβ=290cm2/g,有公式,,,故:,解得:t=8.35um t

6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射,所需施加的最低管电压是多少?激发出的荧光辐射的波长是多少?

答:eVk=hc/λ

Vk=6.626×10-34×2.998×108/(1.602×10-19×0.71×10-10)=17.46(kv)

λ 0=1.24/v(nm)=1.24/17.46(nm)=0.071(nm)

其中h为普郎克常数,其值等于6.626×10-34

e为电子电荷,等于1.602×10-19c

故需加的最低管电压应≥17.46(kv),所发射的荧光辐射波长是0.071纳米。

7、名词解释:相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应

答:⑴当χ射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。

⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ射线长的χ射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。

⑶一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一个K 电子,当外层电子来填充K 空位时,将向外辐射K 系χ射线,这种由χ射线光子激发原子所发生的辐射过程,称荧光辐射。或二次荧光。

⑷指χ射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量,如入射光子的能量必须等于或大于将K 电子从无穷远移至K 层时所作的功W,称此时的光子波长λ称为K 系的吸收限。

⑸原子钟一个K层电子被光量子击出后,L层中一个电子跃入K层填补空位,此时多余的能量使L层中另一个电子获得能量越出吸收体,这样一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应。

第二章X 射线衍射方向

2、下面是某立方晶第物质的几个晶面,试将它们的面间距从大到小按次序重新排列:(123),(100),(200),(311),(121),(111),(210),(220),(130),(030),(221),(110)。

答:立方晶系中三个边长度相等设为a,则晶面间距为d=a/ 则它们的面间距从大小到按次序是:(100)、(110)、(111)、(200)、(210)、(121)、(220)、(221)、(030)、(130)、(311)、(123)。

4、α-Fe 属立方晶体,点阵参数a=0.2866。如用CrKαX 射线(λ=0.2291mm)照射,试求(110)、(200)及(211)可发生衍射的掠射角。

答:立方晶系的晶面间距:= a / ,布拉格方程:2dsinθ =λ,故掠射角θ =arcsin(λ /2 ),由以上公式得:2d(110)sinθ 1=λ,得θ 1=34.4°,同理θ 2=53.1°,θ 3=78.2°。

6、判别下列哪些晶面属于[111]晶带:(110),(231),(231),(211),(101),(133),(112),(132),(011),(212)。

答:(110)、(231)、(211)、(112)、(101)、(011)属于[111]晶带。因为它们符合晶带定律公式:hu+kv+lw=0

7、试计算(311)及(132)的共同晶带轴。

答:由晶带定律:hu+kv+lw=0,得:-3u+v+w=0 (1) , -u-3v+2w=0 (2) ,联立两式解得:w=2v, v=u, 化简后其晶带轴为:[112]。

第三章X 射线衍射强度

1、用单色X 射线照射圆柱柱多晶体试样,其衍射线在空间将形成什么图案?为摄取德拜图相,应当采用什么样的底片去记录?

答:当单色X 射线照射圆柱柱多晶体试样时,衍射线将分布在一组以入射线为轴的圆锥而上。在垂直于入射线的平底片所记录到的衍射花样将为一组同心圆。此种底片仅可记录部分衍射圆锥,故通常用以试样为轴的圆筒窄条底片来记录。

2、原子散射因数的物理意义是什么?某元素的原子散射因数与其原子序数有何关系?

答:(1)原子散射因数f是一个原子中所有电子相干散射波的合成振幅与单个电子相干散射波的振幅的比值。它反映了原子将X 射线向某一个方向散射时的散射效率。

(2)原子散射因数与其原子序数有何关系,Z 越大,f 越大。因此,重原子对X 射线散射的能力比轻原子要强。

3、洛伦兹因数是表示什么对衍射强度的影响?其表达式是综合了哪几个方面考虑而得出的?

答:洛伦兹因数是表示几何条件对衍射强度的影响。洛伦兹因数综合了衍射积分强度,参加衍射的晶粒分数与单位弧长上的积分强度。

4、多重性因数的物理意义是什么?某立方第晶体,其{100}的多重性因数是多少?如该晶体转变为四方系,这个晶体的多重性因数会发生什么变化?为什么?

答:(1)表示某晶面的等同晶面的数目。多重性因数越大,该晶面参加衍射的几率越大,相应衍射强度将增加。(2)其{100}的多重性因子是6;(3)如该晶体转变为四方晶系多重性

因子是4;(4)这个晶面族的多重性因子会随对称性不同而改变。

6、多晶体衍射的积分强度表示什么?今有一张用CuKα摄得的钨(体心立方)的德拜相,试计算出头4 根线的相对积分强度(不计算A(θ)和e-2M,以最强线的强度为100)。头4 根线的θ值如下:

答:多晶体衍射的积分强度表示晶体结构与实验条件对衍射强度影响的总和I = I0 λ3 32πR(e2 mc2 )2 V VC2 P|F|2φ(θ)A(θ)e?2M

即:查附录表F (p314),可知:20.20 Ir = P F 2 1+COS2θ sin2θcos θ = 14.12;29.20 Ir = P F 2 1+COS2θ sin2 θcos θ = 6.135 ;36.70 Ir = P F 2 1+COS2θ sin2θcos θ = 3.777 ;

43.60Ir = P F 2 1+COS2θ sin2 θcos θ = 2.911

不考虑A(θ) )、e?2M 、P 和|F|2 I1=100; I2=6.135/4.12=43.45; I3=3.777/14.12=26.75; I4=2.911/4.12=20.62

头4 根线的相对积分强度分别为100、43.45、26.75、20.26。

第四章多晶体分析方法

2、同一粉末相上背射区线条与透射区线条比较起来其θ较高还是较低?相应的d较大还是较小?既然多晶粉末的晶体取向是混乱的,为何有此必然的规律。

答:背射区线条与透射区线条比较,θ较高,相应的d较小。产生衍射线必须符合布拉格方程,2dsinθ=λ,对于背射区属于2θ高角度区,根据d=λ/2sinθ, θ越大,d越小。

3、衍射仪测量在入射光束、试样形状、试样吸收以及衍射线记录等方面与德拜法有何不同?

答:(1)入射X射线的光束:都为单色的特征X射线,都有光栏调节光束。不同:衍射仪法:采用一定发散度的入射线,且聚焦半径随2θ变化;德拜法:通过进光管限制入射线的发散度。

(2)试样形状:衍射仪法为平板状,德拜法为细圆柱状。

(3)试样吸收:衍射仪法吸收时间短,德拜法吸收时间长,约为10~20h。

(4)记录方式:衍射仪法采用计数率仪作图,德拜法采用环带形底片成相,而且它们的强度(I)对(2θ)的分布(I-2θ曲线)也不同;

4、测角仪在采集衍射图时,如果试样表面转到与入射线成30°角,则计数管与入射线所成角度为多少?能产生衍射的晶面,与试样的自由表面呈何种几何关系?

答:当试样表面与入射X射线束成30°角时,计数管与入射线所成角度为60°,能产生衍射的晶面与试样的自由表面平行。

第八章电子光学基础

1、电子波有何特征?与可见光有何异同?

答:(1)电子波与其它光一样,具有波粒二象性。(2)可见光的波长在390—760nm,在常用加速电压下,电子波的波长比可见光小5个数量级。

2、分析电磁透镜对电子波的聚焦原理,说明电磁透镜的结构对聚焦能力的影响。

答:电磁透镜的聚焦原理:利用通电短线圈制造轴对称不均匀分布磁场,是进入磁场的平行电子束做圆锥螺旋近轴运动。

电磁透镜的励磁安匝数越大,电子束偏转越大,焦距越短。

3、电磁透镜的像差是怎样产生的?如何来消除和减少像差?

答:电磁透镜的像差包括球差、像散和色差。

(1)球差即球面像差,是磁透镜中心区和边沿区对电子的折射能力不同引起的,增大透镜的激磁电流可减小球差。

(2)像散是由于电磁透镜的轴向磁场不对称旋转引起。可以通过引入一强度和方位都可以调节的矫正磁场来进行补偿

(3)色差是电子波的波长或能量发生一定幅度的改变而造成的。稳定加速电压和透镜电流可减小色差。

4、说明影响光学显微镜和电磁透镜分辨率的关键因素是什么?如何提高电磁透镜的分辨率?

答:(1)光学显微镜分辨本领主要取决于照明源的波长;衍射效应和像差对电磁透镜的分辨率都有影响。

(2)使波长减小,可降低衍射效应。考虑与衍射的综合作用,取用最佳的孔径半角。

5、电磁透镜景深和焦长主要受哪些因素影响?说明电磁透镜的景深大、焦长长,是什么因素影响的结果?假设电磁透镜没有像差,也没有衍射埃利斑,即分辨率极高,此时它们的景深和焦长如何?

答:(1)电磁透镜景深为Df=2Δr0/tanα,受透镜分辨率和孔径半角的影响。分辨率低,景深越大;孔径半角越小,景深越大。

焦长为DL=2Δr0αM2/,M为透镜放大倍数。焦长受分辨率、孔径半角、放大倍数的影响。当放大倍数一定时,孔径半角越小焦长越长。

(2)透镜景深大,焦长长,则一定是孔径半角小,分辨率低。(3)当分辨率极高时,景深和焦长都变小。

第九章透射电子显微镜

1、透射电镜主要由几大系统构成?各系统之间关系如何?

答:(1)由三大系统构成,分别为电子光学系统、电源与控制系统和真空系统。

(2)电子光学系统是透射电镜的核心,为电镜提供射线源,保证成像和完成观察记录任务。供电系统主要用于提供电子枪加速电子用的小电流高压电源和透镜激磁用的大电流低压电源。真空系统是为了保证光学系统时为真空,防止样品在观察时遭到污染,使观察像清晰准确。电子光学系统的工作过程要求在真空条件下进行。

2、照明系统的作用是什么?它应满足什么要求?

答:照明系统由电子枪、聚光镜和相应的平移对中、倾斜调节装置组成。它的作用是提供一束亮度高、照明孔经角小、平行度好、束流稳定的照明源。要求:入射电子束波长单一,色差小,束斑小而均匀,像差小。

3、成像系统的主要构成及其特点是什么?

答:成像系统主要是由物镜、中间镜和投影镜组成。

(1)物镜:物镜是一个强激磁短焦距的透镜,它的放大倍数较高,分辨率高。

(2)中间镜:中间镜是一个弱激磁的长焦距变倍透镜,可在0到20倍范围调节。

(3)投影镜:和物镜一样,是一个短焦距的强激磁透镜。

4、分别说明成像操作与衍射操作时各级透镜(像平面与物平面)之间的相对位置关系,并画出光路图。

答:如果把中间镜的物平面和物镜的像平面重合,则在荧光屏上得到一幅放大像,这就是电子显微镜中的成像操作,如图(a)所示。如果把中间镜的物平面和物镜的后焦面重合,则在荧光屏上得到一幅电子衍射花样,这就是电子显微镜中的电子衍射操作,如图(b)所示。

5、样品台的结构与功能如何?它应满足哪些要求?

答:结构:有许多网孔,外径3mm的样品铜网。

(1)样品台的作用是承载样品,并使样品能作平移、倾斜、旋转,以选择感兴趣的样品区域或位向进行观察分析。透射电镜的样品台是放置在物镜的上下极靴之间,由于这里的空间很小,所以透射电镜的样品台很小,通常是直径3mm的薄片。

(2)对样品台的要求非常严格。首先必须使样品台牢固地夹持在样品座中并保持良好的热;在2个相互垂直方向上样品平移最大值为±1mm;样品平移机构要有足够的机械密度,无效行程应尽可能小。总而言之,在照相暴光期间样品图像漂移量应相应情况下的显微镜的分辨率。

6、透射电镜中有哪些主要光阑,在什么位置?其作用如何?

答:(1)透镜电镜中有三种光阑:聚光镜光阑、物镜光阑、选区光阑。

(2)聚光镜的作用是限制照明孔径角,在双聚光镜系统中,它常装在第二聚光镜的下方;物镜光阑通常安放在物镜的后焦面上,挡住散射角较大的电子,另一个作用是在后焦面上套取衍射来的斑点成像;选区光阑是在物品的像平面位置,方便分析样品上的一个微小区域。

7、如何测定透射电镜的分辨率与放大倍数。电镜的哪些主要参数控制着分辨率与放大倍数?

答:(1)分辨率:可用真空蒸镀法测定点分辨率;利用外延生长方法制得的定向单晶薄膜做标样,拍摄晶格像,测定晶格分辨率。放大倍数:用衍射光栅复型为标样,在一定条件下拍摄标样的放大像,然后从底片上测量光栅条纹像间距,并与实际光栅条纹间距相比即为该条件下的放大倍数。

(2)透射电子显微镜分辨率取决于电磁透镜的制造水平,球差系数,透射电子显微镜的加速电压。透射电子显微镜的放大倍数随样品平面高度、加速电压、透镜电流而变化。

8、点分辨率和晶格分辨率有何不同?同一电镜的这两种分辨率哪个高?为什么?

答:(1)点分辨率像是实际形貌颗粒,晶格分辨率测定所使用的晶格条纹是透射电子束和衍射电子束相互干涉后的干涉条纹,其间距恰好与参与衍射的晶面间距相同,并非晶面上原子的实际形貌相。

(2)点分辨率的测定必须在放大倍数已知时测定,可能存在误差;晶格分辨率测定图需要先知道放大倍数,更准确。所以,晶格分辨率更高。

第十章电子衍射

1、分析电子衍射与X射线衍射有何异同?

答:电子衍射的原理和X射线相似,是以满足(或基本满足)布拉格方程作为产生衍射的必要条件,两种衍射技术所得到的衍射花样在几何特征上也大致相似。但电子波作为物质波,又有其自身的特点:

(1)电子波的波长比X射线短得多,通常低两个数量级;

(2)在进行电子衍射操作时采用薄晶样品,薄样品的倒易点阵会沿着样品厚度方向延伸成杆状,因此,增加了倒易点阵和爱瓦尔德球相交截的机会,结果使略微偏离布拉格条件的电子束也可发生衍射。

(3)因电子波的波长短,采用爱瓦尔德球图解时,反射球的半径很大,在衍射角较小的范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面,从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面上。

(4)原子对电子的散射能力远高于它对X射线的散射能力(约高出四个数量级)

2、倒易点阵与正点阵之间关系如何?倒易点阵与晶体的电子衍射斑点之间有何对应关系?

答:倒易点阵是在正点阵的基础上三个坐标轴各自旋转90度而得到的。

关系:零层倒易截面与电子衍射束是重合的,其余的截面是在电子衍射斑基础上的放大或缩小。

3、用爱瓦尔德图解法证明布拉格定律。

答:作一个长度等于1/λ的矢量K0,使它平行于入射光束,并取该矢量的端点O作为倒点阵的原点。然后用与矢量K0相同的比例尺作倒点阵。以矢量K0的起始点C为圆心,以1/λ为半径作一球,则从(HKL)面上产生衍射的条件是对应的倒结点HKL(图中的P点)必须处于此球面上,而衍射线束的方向即是C至P点的联接线方向,即图中的矢量K的方向。当上述条件满足时,矢量(K- K0)就是倒点阵原点O至倒结点P(HKL)的联结矢量OP,即倒格失

R* HKL.于是衍射方程K- K0=R* HKL得到了满足。即倒易点阵空间的衍射条件方程成立。

又由g*=R* HK,2sinθ1/λ=g*,2sinθ1/λ=1/d,2dsinθ=λ,证毕。

9、说明多晶、单晶及非单晶衍射花样的特征及形成原理。

答:单晶衍射斑是零层倒易点阵截面上的斑点,是有规律的斑点;多晶衍射斑是由多个晶面在同一晶面族上构成的斑点,构成很多同心圆,每个同心圆代表一个晶带;非晶衍射不产生衍射斑,只有电子束穿过的斑点。

第十一章晶体薄膜衍衬成像分析

1、制备薄膜样品的基本要求是什么?具体工艺过程如何?双喷减薄与离子减薄各适用于制备什么样品?

答:1、基本要求:(1)薄膜样品的组织结构必须和大块样品的相同,在制备过程中,组织结构不发生变化;(2)相对于电子束必须有足够的“透明度”;(3)薄膜样品应有一定的强度和刚度,在制备、夹持和操作过程中不会引起变形和损坏;(4)在样品制备的过程中不允许表面氧化和腐蚀。

2、工艺为:(1)从实物或大块试样上切割厚度为0.3mm-0.5mm厚的薄皮;(2)样品薄皮的预先减薄,有机械法和化学法两种;(3)最终减薄。

3、离子减薄:1)不导电的陶瓷样品;2)要求质量高的金属样品;3)不宜双喷电解的金属与合金样品。

双喷减薄:1)不易于腐蚀的裂纹端试样;2)非粉末冶金样式;3)组织中各相电解性能相差不大的材料;4)不易于脆断、不能清洗的试样。

2、什么是衍射衬度?它与质厚衬度有什么区别?

答:由于样品中不同位向的晶体的衍射条件不同而造成的衬度差别叫做衍射衬度。质厚衬度是由于样品不同微区间存在的原子序数或厚度的差异而形成的。

4、什么是消光距离?影响消光距离的主要物性参数和外界条件是什么?

答:(1)由于衍射束与透射之间存在强烈的相互作用,晶体内透射波与入射波的强度在晶体深度方向上发生周期性的振荡,此振荡的深度周期叫消光距离。

(2)影响因素:晶体特征,成像透镜的参数。

9、说明孪晶与层错的衬度特征,并用各自的衬度形成原理加以解释。

答:(1)孪晶的衬度特征是:孪晶的衬度是平直的,有时存在台阶,且晶界两侧的晶粒通常显示不同的衬度,在倾斜的晶界上可以观察到等厚条纹。

(2)层错的衬度是电子束穿过层错区时电子波发生位相改变造成的。其一般特征是:1)平行于薄膜表面的层错衬度特征为,在衍衬像中有层错区域和无层错区域将出现不同的亮度,层错区域将显示为均匀的亮区或暗区。2)倾斜于薄膜表面的层错,其衬度特征为层错区域出现平行的条纹衬度。3)层错的明场像,外侧条纹衬度相对于中心对称,当时,明场像外侧条纹为亮衬度,当时,外侧条纹是暗的;而暗场像外侧条纹相对于中心不对称,外侧条纹一亮一暗。4)下表面处层错条纹的衬度明暗场像互补,而上表面处的条纹衬度明暗场不反转。

10、要观察钢中基体和析出相的组织形态,同时要分析其晶体结构和共格界面的位向关系,如何制备样品?以怎样的电镜操作方式和步骤来进行具体分析?

答:把析出相作为第二相来对待,把第二相萃取出来进行观察,分析晶体结构和位向关系;利用电子衍射来分析,用选区光阑套住基体和析出相进行衍射,获得包括基体和析出相的衍射花样进行分析,确定其晶体结构及位向关系。

第十三章扫描电子显微镜

1、电子束入射固体样品作用时会产生哪些信号?它们各具有什么特点?

答:主要有六种:

1)背散射电子:能量高;来自样品表面几百nm深度范围;其产额随原子序数增大而增多.用作形貌分析,显示原子序数称度,定性地用作成分分析

2)二次电子:能量较低;对样品表面状态十分敏感。不能进行成分分析.主要用于分析样品表面形貌。

3)吸收电子:其衬度恰好和SE或BE信号调制图像衬度相反;与背散射电子的衬度互补。吸收电子能产生原子序数衬度,即可用来进行定性的微区成分分析。

4)透射电子:透射电子信号由微区的厚度、成分和晶体结构决定.可进行微区成分分析。

5)特征X射线: 用特征值进行成分分析,来自样品较深的区域。

6)俄歇电子:各元素的俄歇电子能量值很低;来自样品表面1—2nm范围。它适合做表面分析。

2、扫描电镜的分辨率受哪些因素影响?用不同信号成像时,其分辨率有何不同?所谓扫描电镜的分辨率是指用何种信号成像时的分辨率?

答:在其他条件相同的情况下,电子束的束斑大小、检测信号的类型以及检测部位的原子序数是影响扫描电镜分辨率的三大因素。不同信号成像时,其作用体不同,二次电子分辨率最高,其最用的体积最小。所以扫描电镜的分辨率用二次电子像分辨率表示。

3、扫描电镜的成像原理与透射电镜有何不同?

答:不用电磁透镜放大成像,而是以类似电视摄影显像的方式,利用细聚焦电子束在样品表面扫描激发出来的物理信号来调质成像的。

4、二次电子像和背射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处?

答:在成像过程中二者都可以表示表面形貌;二次电子像作用区域小,对表面形貌的作用力大;背散射电子作用区域大,对其表面形貌作用能力小。

第十四章电子探针显微分析

1、电子探针仪与扫描电镜有何异同?电子探针如何与扫描电镜和透射电镜配合进行组织结构与微区化学成分的同位分析?

答:二者结构上大体相同,但是探测器不同,电子探针检测仪根据检测方式有能谱仪和波谱仪,扫描电镜探测器主要是光电倍增管,对电子和背散射电子。

电子探针仪与扫描电镜再加一个能谱仪进行组合。

2、波谱仪和能谱仪各有什么优缺点?

答:(1)波谱仪是用来检测X射线的特征波长的仪器,而能谱仪是用来检测X射线的特征能量的仪器。

与波谱仪相比能谱仪:

(2)优点:1)能谱仪探测X射线的效率高;2)在同一时间对分析点内所有元素X射线光

子的能量进行测定和计数,在几分钟内可得到定性分析结果,而波谱仪只能逐个测量每种元素特征波长。3)结构简单,稳定性和重现性都很好;4)不必聚焦,对样品表面无特殊要求,适于粗糙表面分析。

(3)缺点:1)分辨率低;2)能谱仪只能分析原子序数大于11的元素;而波谱仪可测定原子序数从4到92间的所有元素;3)能谱仪的Si(Li)探头必须保持在低温态,因此必须时时用液氮冷却。

4、要分析钢中碳化物成分和基体中碳含量,应选用哪种电子探针仪?为什么?

答:对碳元素(6号元素)能谱仪分析仪误差大,应用波谱仪;能谱仪分析轻元素检测困难且精度低,波谱仪可分析原子序数从4到92间的所有元素。

5、要在观察断口形貌的同时,分析断口上粒状夹杂物的化学成分,选用什么仪器?用怎样的操作方式进行具体分析?

答:应选用配置有波谱仪或能谱仪的扫描电镜。具体的操作分析方法是:通常采用定点分析,也可采用线扫描方式。

材料分析方法课后答案(更新至第十章)

材料分析方法课后练习题参考答案 2015-1-4 BY:二专业の学渣 材料科学与工程学院

3.讨论下列各组概念的关系 答案之一 (1)同一物质的吸收谱和发射谱; 答:λk吸收〈λkβ发射〈λkα发射 (2)X射线管靶材的发射谱与其配用的滤波片的吸收谱。 答:λkβ发射(靶)〈λk吸收(滤波片)〈λkα发射(靶)。任何材料对X射线的吸收都有一个Kα线和Kβ线。如Ni 的吸收限为0.14869 nm。也就是说它对0.14869nm波长及稍短波长的X射线有强烈的吸收。而对比0.14869稍长的X射线吸收很小。Cu靶X射线:Kα=0.15418nm Kβ=0.13922nm。 (3)X射线管靶材的发射谱与被照射试样的吸收谱。 答:Z靶≤Z样品+1 或Z靶>>Z样品 X射线管靶材的发射谱稍大于被照射试样的吸收谱,或X射线管靶材的发射谱大大小于被照射试样的吸收谱。在进行衍射分析时,总希望试样对X射线应尽可能少被吸收,获得高的衍射强度和低的背底。 答案之二 1)同一物质的吸收谱和发射谱; 答:当构成物质的分子或原子受到激发而发光,产生的光谱称为发射光谱,发射光谱的谱线与组成物质的元素及其外围电子的结构有关。吸收光谱是指光通过物质被吸收后的光谱,吸收光谱则决定于物质的化学结构,与分子中的双键有关。 2)X射线管靶材的发射谱与其配用的滤波片的吸收谱。 答:可以选择λK刚好位于辐射源的Kα和Kβ之间的金属薄片作为滤光片,放在X射线源和试样之间。这时滤光片对Kβ射线强烈吸收,而对Kα吸收却少。 6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射,所需施加的最低管电压是多少?激发出的荧光辐射的波长是多少? 答:eVk=hc/λ Vk=6.626×10-34×2.998×108/(1.602×10-19×0.71×10-10)=17.46(kv) λ0=1.24/v(nm)=1.24/17.46(nm)=0.071(nm) 其中h为普郎克常数,其值等于6.626×10-34 e为电子电荷,等于1.602×10-19c 故需加的最低管电压应≥17.46(kv),所发射的荧光辐射波长是0.071纳米。 7、名词解释:相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应 答:⑴当χ射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。 ⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ射线长的χ射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。

材料分析方法答案

第一章 一、选择题 1.用来进行晶体结构分析的X射线学分支是() A.X射线透射学; B.X射线衍射学; C.X射线光谱学; D.其它 2. M层电子回迁到K层后,多余的能量放出的特征X射线称() A.Kα; B. Kβ; C. Kγ; D. Lα。 3. 当X射线发生装置是Cu靶,滤波片应选() A.Cu;B. Fe;C. Ni;D. Mo。 4. 当电子把所有能量都转换为X射线时,该X射线波长称() A.短波限λ0; B. 激发限λk; C. 吸收限; D. 特征X射线 5.当X射线将某物质原子的K层电子打出去后,L层电子回迁K层,多余能量将另一个L层电子打出核外,这整个过程将产生()(多选题) A.光电子; B. 二次荧光; C. 俄歇电子; D. (A+C) 二、正误题 1. 随X射线管的电压升高,λ0和λk都随之减小。() 2. 激发限与吸收限是一回事,只是从不同角度看问题。() 3. 经滤波后的X射线是相对的单色光。() 4. 产生特征X射线的前提是原子内层电子被打出核外,原子处于激发状态。() 5. 选择滤波片只要根据吸收曲线选择材料,而不需要考虑厚度。() 三、填空题 1. 当X射线管电压超过临界电压就可以产生X射线和X射线。 2. X射线与物质相互作用可以产生、、、、 、、、。 3. 经过厚度为H的物质后,X射线的强度为。 4. X射线的本质既是也是,具有性。 5. 短波长的X射线称,常用于;长波长的X射线称 ,常用于。 习题 1.X射线学有几个分支?每个分支的研究对象是什么? 2.分析下列荧光辐射产生的可能性,为什么? (1)用CuKαX射线激发CuKα荧光辐射; (2)用CuKβX射线激发CuKα荧光辐射; (3)用CuKαX射线激发CuLα荧光辐射。 3.什么叫“相干散射”、“非相干散射”、“荧光辐射”、“吸收限”、“俄歇效应”、“发射谱

材料分析方法课后习题答案

第十四章 1、波谱仪和能谱仪各有什么优缺点 优点:1)能谱仪探测X射线的效率高。 2)在同一时间对分析点内所有元素X射线光子的能量进行测定和计数,在几分钟内可得到定性分析结果,而波谱仪只能逐个测量每种元素特征波长。 3)结构简单,稳定性和重现性都很好 4)不必聚焦,对样品表面无特殊要求,适于粗糙表面分析。 缺点:1)分辨率低。 2)能谱仪只能分析原子序数大于11的元素;而波谱仪可测定原子序数从4到92间的所有元素。 3)能谱仪的Si(Li)探头必须保持在低温态,因此必须时时用液氮冷却。 分析钢中碳化物成分可用能谱仪;分析基体中碳含量可用波谱仪。 2、举例说明电子探针的三种工作方式(点、线、面)在显微成分分析中的应用。 答:(1)、定点分析:将电子束固定在要分析的微区上用波谱仪分析时,改变分光晶体和探测器的位置,即可得到分析点的X射线谱线;

用能谱仪分析时,几分钟内即可直接从荧光屏(或计算机)上得到微区内全部元素的谱线。 (2)、线分析:将谱仪(波、能)固定在所要测量的某一元素特征X射线信号(波长或能量)的位置把电子束沿着指定的方向作直线轨迹扫描,便可得到这一元素沿直线的浓度分布情况。改变位置可得到另一元素的浓度分布情况。 (3)、面分析:电子束在样品表面作光栅扫描,将谱仪(波、能)固定在所要测量的某一元素特征X射线信号(波长或能量)的位置,此时,在荧光屏上得到该元素的面分布图像。改变位置可得到另一元素的浓度分布情况。也是用X射线调制图像的方法。 3、要在观察断口形貌的同时,分析断口上粒状夹杂物的化学成分,选用什么仪器用怎样的操作方式进行具体分析 答:(1)若观察断口形貌,用扫描电子显微镜来观察:而要分析夹杂物的化学成分,得选用能谱仪来分析其化学成分。 (2)A、用扫描电镜的断口分析观察其断口形貌:

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材料现代分析方法试题5 材料学院材料科学与工程专业年级班级材料现代分析方法课程200—200学年第学期()卷期末考试题( 120 分钟) 考生姓名学号考试时间 题号得分分数 主考教师:阅卷教师: 材料现代分析方法试题5(参考答案) 一、基本概念题(共10题,每题5分) 1.若X射线管的额定功率为1.5kW,在管电压为35kV时,容许的最大电流是多少? 答:1.5kW/35kV=0.043A 2.证明()、()、()、(01)、(12)晶面属于[111]晶带。 答:根据晶带定律公式Hu+Kv+Lw=0计算 ()晶面:1×1+1×+0×1=1—1+0=0 ()晶面:1×1+1×+1×1=1—2+1=0 ()晶面:×1+2×1+1×1=(—3)+2+1=0 (01)晶面:0×1+×1+1×1=0+(—1)+1=0 (12)晶面:1×1+×1+1×2=1+(—3)+2=0 因此,经上五个晶面属于[111]晶带。 3.当X射线在原子例上发射时,相邻原子散射线在某个方向上的波程差若不为波长的整数倍,则此方向上必然不存在放射,为什么?

答:因为X射线在原子上发射的强度非常弱,需通过波程差为波长的整数倍而产生干涉加强后才可能有反射线存在,而干涉加强的条件之一必须存在波程差,且波程差需等于其波长的整数倍,不为波长的整数倍方向上必然不存在反射。4.某一粉末相上背射区线条与透射区线条比较起来,其θ较高抑或较低?相应的d较大还是较小? 答:背射区线条与透射区线条比较θ较高,d较小。 产生衍射线必须符合布拉格方程2dsinθ=λ,对于背射区属于2θ高角度区, 根据d=λ/2sinθ,θ越大d越小。 5.已知Cu3Au为面心立方结构,可以以有序和无序两种结构存在,请画出其有序和无序结构[001]晶带的电子衍射花样,并标定出其指数。 答:如图所示: 6.(1)试说明电子束入射固体样品表面激发的主要信号、主要特点和用途。(2)扫描电镜的分辨率受哪些因素影响? 给出典型信号成像的分辨率,并说明原因。(3)二次电子(SE)信号主要用于分析样品表面形貌,说明其衬度形成原理。(4)用二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处? 答:(1)背散射电子:能量高;来自样品表面几百nm深度范围;其产额随 原子序数增大而增多.用作形貌分析、成分分析以及结构分析。 二次电子:能量较低;来自表层5-10nm深度范围;对样品表面状态十分敏感.不能进行成分分析.主要用于分析样品表面形貌。

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第一章 X 射线物理学基础 1、在原子序24(Cr)到74(W)之间选择7 种元素,根据它们的特征谱波长(Kα),用图解法验证莫塞莱定律。(答案略) 2、若X 射线管的额定功率为,在管电压为35KV 时,容许的最大电流是多少? 答:35KV=。 4、为使Cu 靶的Kβ线透射系数是Kα线透射系数的1/6,求滤波片的厚度。 答:因X 光管是Cu 靶,故选择Ni 为滤片材料。查表得:μ m α =/g,μ mβ =290cm2/g,有公式,,,故:,解得:t= t 6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射,所需施加的最低管电压是多少?激发出的荧光辐射的波长是多少? 答:eVk=hc/λ Vk=×10-34××108/×10-19××10-10)=(kv) λ 0=v(nm)=(nm)=(nm) 其中 h为普郎克常数,其值等于×10-34 e为电子电荷,等于×10-19c 故需加的最低管电压应≥(kv),所发射的荧光辐射波长是纳米。 7、名词解释:相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应 答:⑴ 当χ 射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。 ⑵ 当χ 射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ 射线长的χ 射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。 ⑶ 一个具有足够能量的χ 射线光子从原子内部打出一个K 电子,当外层电子来填充K 空位时,将向外辐射K 系χ 射线,这种由χ 射线光子激发原子所发生的辐射过程,称荧光辐射。或二次荧光。 ⑷ 指χ 射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量,如入射光子的能量必须等于或大于将K 电子从无穷远移至K 层时所作的功W,称此时的光子波长λ 称为K 系的吸收限。 ⑸原子钟一个K层电子被光量子击出后,L层中一个电子跃入K层填补空位,此时多余的能量使L层中另一个电子获得能量越出吸收体,这样一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应。 第二章 X 射线衍射方向 2、下面是某立方晶第物质的几个晶面,试将它们的面间距从大到小按次序重新排列:(123),(100),(200),(311),(121),(111),(210),(220),(130),(030),(221),(110)。

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目录 第一章材料X射线衍射分析----------------------------------------------------------------------------1 第二章X射线衍射方向----------------------------------------------------------------------------------1 第三章X射线衍射强度----------------------------------------------------------------------------------2 第四章多晶体分析方法----------------------------------------------------------------------------------3 第八章电子光学基础-------------------------------------------------------------------------------------4 第九章透射电子显微镜----------------------------------------------------------------------------------5 第十章电子衍射-------------------------------------------------------------------------------------------7 第十一章晶体薄膜衍衬成像分析----------------------------------------------------------------------8 第十三章扫描电子显微镜-------------------------------------------------------------------------------10 第十五章电子探针显微分析----------------------------------------------------------------------------10

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材料结构分析试题1(参考答案) 一、基本概念题(共8题,每题7分) 1.X射线的本质是什么?是谁首先发现了X射线,谁揭示了X射线的本质?答:X射线的本质是一种横电磁波?伦琴首先发现了X射线,劳厄揭示了X射线的本质? 2.下列哪些晶面属于[111]晶带? (111)、(3 21)、(231)、(211)、(101)、(101)、(133),(-1-10),(1-12), (1- 32),(0 - 11),(212),为什么? 答:(- 1 - 10)(3 21)、(211)、(1 - 12)、( - 101)、(0 - 11)晶面属于[111]晶带, 因为它们符合晶带定律:hu+kv+lw=0。 3.多重性因子的物理意义是什么?某立方晶系晶体,其{100}的多重性因子是多少?如该晶体转变为四方晶系,这个晶面族的多重性因子会发生什么变化?为什么? 答:多重性因子的物理意义是等同晶面个数对衍射强度的影响因数叫作多重性因子。某立方晶系晶体,其{100}的多重性因子是6?如该晶体转变为四方晶系多重性因子是4;这个晶面族的多重性因子会随对称性不同而改变。 4.在一块冷轧钢板中可能存在哪几种内应力?它们的衍射谱有什么特点? 答:在一块冷轧钢板中可能存在三种内应力,它们是:第一类内应力是在物 体较大范围内或许多晶粒范围内存在并保持平衡的应力。称之为宏观应力。它能 使衍射线产生位移。第二类应力是在一个或少数晶粒范围内存在并保持平衡的内应力。它一般能使衍射峰宽化。第三类应力是在若干原子范围存在并保持平衡的内应力。它能使衍射线减弱。 5.透射电镜主要由几大系统构成? 各系统之间关系如何? 答:四大系统:电子光学系统,真空系统,供电控制系统,附加仪器系统。 其中电子光学系统是其核心。其他系统为辅助系统。 6.透射电镜中有哪些主要光阑? 分别安装在什么位置? 其作用如何? 答:主要有三种光阑: ①聚光镜光阑。在双聚光镜系统中,该光阑装在第二聚光镜下方。作用:限制

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1. X射线衍射的几何条件是d、θ、λ必须满足什么公式?写出数学表达式,并说明d、θ、λ的意义。(5分) 答:. X射线衍射的几何条件是d、θ、λ必须满足布拉格公式。(1分)其数学表达式:2dsinθ=λ(1分)其中d是晶体的晶面间距。(1分)θ是布拉格角,即入射线与晶面间的交角。(1分)λ是入射X 射线的波长。(1分) 4. 二次电子是怎样产生的?其主要特点有哪些?二次电子像主要反映试样的什么特征?用什么衬度解释?该衬度的形成主要取决于什么因素?(6分) 答:二次电子是单电子激发过程中被入射电子轰击出的试样原子核外电子。(1分) 二次电子的主要特征如下: (1)二次电子的能量小于50eV,主要反映试样表面10nm层内的状态,成像分辨率高。(1分) (2)二次电子发射系数δ与入射束的能量有关,在入射束能量大于一定值后,随着入射束能量的增加,二次电子的发射系数减小。(1分) (3)二次电子发射系数δ和试样表面倾角θ有关:δ(θ)=δ0/cosθ(1分) (4)二次电子在试样上方的角分布,在电子束垂直试样表面入射时,服从余弦定律。(1分) 二此电子像主要反映试样表面的形貌特征,用形貌衬度来解释,形貌衬度的形成主要取决于试样表面相对于入射电子束的倾角。(1分) 2. 布拉格角和衍射角: 布拉格角:入射线与晶面间的交角,(1.5 分) 衍射角:入射线与衍射线的交角。(1.5 分) 3. 静电透镜和磁透镜: 静电透镜:产生旋转对称等电位面的电极装置即为静电透镜,(1.5 分) 磁透镜:产生旋转对称磁场的线圈装置称为磁透镜。(1.5 分) 4. 原子核对电子的弹性散射和非弹性散射: 弹性散射:电子散射后只改变方向而不损失能量,(1.5 分) 非弹性散射:电子散射后既改变方向也损失能量。(1.5 分) 二、填空(每空1 分,共20 分) 1. X 射线衍射方法有劳厄法、转晶法、粉晶法和衍射仪法。 2.扫描仪的工作方式有连续扫描和步进扫描两种。 3. 在X 射线衍射物相分析中,粉末衍射卡组是由粉末衍射标准联合 委员会编制,称为JCPDS 卡片,又称为PDF 卡片。 4. 电磁透镜的像差有球差、色差、轴上像散和畸变。 5.透射电子显微镜的结构分为光学成像系统、真空系统和电气系统。 1. X射线管中,焦点形状可分为点焦点和线焦点,适合于衍射仪工作的是线焦点。 2. 在X 射线物象分析中,定性分析用的卡片是由粉末衍射标准联合委员会编制,称为JCPDS 卡片,又称为PDF(或ASTM) 卡片。 3. X射线衍射方法有劳厄法、转晶法、粉晶法和衍射仪法。 4. 电磁透镜的像差有球差、色差、轴上像散和畸变。 5. 电子探针是一种显微分析和成分分析相结合的微区分析。 二、选择题(多选、每题4 分) 1. X射线是( A D ) A. 电磁波; B. 声波; C. 超声波; D. 波长为0.01~1000?。 2. 方程2dSinθ=λ叫( A D ) A. 布拉格方程; B. 劳厄方程; C. 其中θ称为衍射角; D. θ称为布拉格角。 3. 下面关于电镜分析叙述中正确的是( B D ) A. 电镜只能观察形貌; B. 电镜可观察形貌、成分分析、结构分析和物相鉴定; C.电镜分析在材料研究中广泛应用,是因为放大倍数高,与分辨率无关; D.电镜在材料研究中广泛应用,是因为放大倍数高,分辨率高。

现代材料分析方法试题及答案3

现代材料分析方法试题3 一、比较下列名词(每题 3分,共 15 分) 1. X 射线和标识X 射线, 2.布拉格角和衍射角, 3.静电透镜和磁透镜, 4.原子核对电子的弹性散射和非弹性散射, 5.热分析的热重法和热膨胀法 二、填空(每空 1 分,共20 分) 1. X 射线衍射方法有、、和。 2.扫描仪的工作方式有和两种。 3. 在X 射线衍射物相分析中,粉末衍射卡组是由委 员会编制,称为卡片,又称为卡片。 4. 电磁透镜的像差有、、和。 5.透射电子显微镜的结构分为系统、系 统和系统。 6. 影响差热曲线的因素有、、和。 三、回答下列问题(45 分) 1. X 射线衍射分析可对无机非金属材料进行哪些分析、研究?( 5 分) 2. 在X 射线衍射图中,确定衍射峰位的方法有哪几种?各适用于什么情况?(7 分) 3. 在电子显微分析中,电子的波长是由什么决定的?电子的波长与该因素的关系怎样?关系式?( 3 分) 4. 扫描电镜对试样有哪些要求?块状和粉末试样如何制备?试样表面镀导电膜的目的?(8 分) 5. 在透射电子显微分析中,电子图像的衬度有哪几种?分别适用于哪种试 样和成像方法?( 5 分) 6. 差热曲线中,如何确定吸热(放热)峰的起点和终点?起点和终点各代表什 么意义?( 5 分) 7. 红外光谱分析主要用于哪几方面、哪些领域的研究和分析?红外光谱法有什么特点?(7 分) 8. 光电子能谱分析的用途?可获得哪些信息?( 5 分)

现代材料科学研究方法试题3答案 一、比较下列名词(每题 3 分,共15 分) 1. X 射线和标识X 射线: X 射线:波长为0.01~1000? 之间的电磁波,(1 分) 标识X 射线:只有当管电压超过一定的数值时才会产生,且波长与X 射线管 的管电压、管电流等工作条件无关,只决定于阳极材料,这种X 射线称为标识 X 射线。(2 分) 2. 布拉格角和衍射角: 布拉格角:入射线与晶面间的交角,(1.5 分) 衍射角:入射线与衍射线的交角。(1.5 分) 3. 静电透镜和磁透镜: 静电透镜:产生旋转对称等电位面的电极装置即为静电透镜,(1.5 分) 磁透镜:产生旋转对称磁场的线圈装置称为磁透镜。(1.5 分) 4. 原子核对电子的弹性散射和非弹性散射: 弹性散射:电子散射后只改变方向而不损失能量,(1.5 分) 非弹性散射:电子散射后既改变方向也损失能量。(1.5 分) 5.热分析的热重法和热膨胀法 热重法:把试样置于程序控制的加热或冷却环境中,测定试样的质量变化对 温度或时间作图的方法,(1.5 分) 热膨胀法:在程序控温环境中,测定试样尺寸变化对温度或时间作图的方 法。(1.5 分) 二、填空(每空 1 分,共20 分) 1. X 射线衍射方法有劳厄法、转晶法、粉晶法和衍射仪法。 2.扫描仪的工作方式有连续扫描和步进扫描两种。 3. 在X 射线衍射物相分析中,粉末衍射卡组是由粉末衍射标准联合 委员会编制,称为JCPDS 卡片,又称为PDF 卡片。 4. 电磁透镜的像差有球差、色差、轴上像散和畸变。 5.透射电子显微镜的结构分为光学成像系统、真空系统和电气系统。 6. 影响差热曲线的因素有升温速度、粒度和颗粒形状、装填密度和压力和气氛。 三、回答下列问题(45 分) 1. X 射线衍射分析可对无机非金属材料进行哪些分析、研究?( 5 分) 答: (1). 物相分析:定性、定量( 1 分) (2). 结构分析:a、b、c、α、β、γ、d(1 分) (3). 单晶分析:对称性、晶面取向—晶体加工、籽晶加工(1分) (4). 测定相图、固溶度( 1 分) (5). 测定晶粒大小、应力、应变等情况( 1 分) 2. 在X 射线衍射图中,确定衍射峰位的方法有哪几种?各适用于什么情况?(7 分) 答: (1).峰顶法:适用于线形尖锐的情况。(1 分) (2).切线法:适用于线形顶部平坦,两侧直线性较好的情况。(1分) (3).半高宽中点法:适用于线形顶部平坦,两侧直线性不好的情况。(1 分) (4).7/8 高度法:适用于有重叠峰存在,但峰顶能明显分开的情况。(1 分) (5).中点连线法:(1 分) (6).抛物线拟合法:适用于衍射峰线形漫散及双峰难分离的情况。(1 分) (7).重心法:干扰小,重复性好,但此法计算量大,宜配合计算 机使用。(1 分)

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第一章 X 射线物理学基础 3.讨论下列各组概念的关系 答案之一 (1)同一物质的吸收谱和发射谱; 答:λk 吸收 〈λk β发射〈λk α发射 (2)X 射线管靶 材的发射 谱与其配 用的滤波 片的吸收谱。 答:λk β发射(靶)〈λk 吸收(滤波片)〈λk α发射(靶)。任何材料对X 射线的吸收都有一个K α线和K β线。如 Ni 的吸收限为 nm 。也就是说它对波长及稍短波长的X 射线有强烈的吸收。而对比稍长的X 射线吸收很小。Cu 靶X 射线:K α= K β=。 (3)X 射线管靶材的发射谱与被照射试样的吸收谱。 答:Z 靶≤Z 样品+1 或 Z 靶>>Z 样品 X 射线管靶材的发射谱稍大于被照射试样的吸收谱,或X 射线管靶材的发射谱大大小于被照射试样的吸收谱。在进行衍射分析时,总希望试样对X 射线应尽可能少被吸 收,获得高 的衍射强 度和低的背底。 材料分析方法 综合教育类 2015-1-4 BY :二专业の学渣 材料科学与工程学院

答案之二 1)同一物质的吸收谱和发射谱; 答:当构成物质的分子或原子受到激发而发光,产生的光谱称为发射光谱,发射光谱的谱线与组成物质的元素及其外围电子的结构有关。吸收光谱是指光通过物质被吸收后的光谱,吸收光谱则决定于物质的化学结构,与分子中的双键有关。2)X射线管靶材的发射谱与其配用的滤波片的吸收谱。 答:可以选择λK刚好位于辐射源的Kα和Kβ之间的金属薄片作为滤光片,放在X射线源和试样之间。这时滤光片对Kβ射线强烈吸收,而对Kα吸收却少。 6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射,所需施加的最低管电压是多少激发出的荧光辐射的波长是多少 答:eVk=hc/λ Vk=×10-34××108/×10-19××10-10)=(kv) λ 0=v(nm)=(nm)=(nm) 其中 h为普郎克常数,其值等于×10-34 e为电子电荷,等于×10-19c 故需加的最低管电压应≥(kv),所发射的荧光辐射波长是纳米。 7、名词解释:相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应 答:⑴当χ射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。 ⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ射线长的χ射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。 ⑶一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一个K 电子,当外层电子来

材料现代分析方法试题110有答案

材料现代分析方法试题1 材料学院 材料科学与工程 专业 年级 班级 材料现代分析方法 课程200—200学年第学期()卷期末考试题( 120分钟) 考生姓名学号考试时间 题 号得分分 数 主考教师:阅卷教师: 一、基本概念题(共10题,每题5分) 1.X射线的本质是什么?是谁首先发现了X射线,谁揭示了X射线的本质? 2.下列哪些晶面属于[11]晶带? (1)、(1)、(231)、(211)、(101)、(01)、(13),(0),(12),(12),(01),(212),为什么? 3.多重性因子的物理意义是什么?某立方晶系晶体,其{100}的多重性因子是 多少?如该晶体转变为四方晶系,这个晶面族的多重性因子会发生什么变化? 为什么? 4.在一块冷轧钢板中可能存在哪几种内应力?它们的衍射谱有什么特点? 5.透射电镜主要由几大系统构成? 各系统之间关系如何? 6.透射电镜中有哪些主要光阑? 分别安装在什么位置? 其作用如何? 7.什么是消光距离? 影响晶体消光距离的主要物性参数和外界条件是什么? 8.倒易点阵与正点阵之间关系如何? 画出fcc和bcc晶体的倒易点阵,并标出基本矢量a*, b*, c*。 9.红外测试样品需尽可能把游离水驱除干净。含游离水样品的红外谱图中在哪两个波数 范围会出现吸收峰? 10.一种化合物含有两个基团与各含一个基团的两种化合物的混合物,其红外谱图有大 的差别吗?为什么?一种化合物含有两个基团与各含一个基团的两种化合物的混合物,其红外谱图有大的差别吗?为什么? 二、综合及分析题(共5题,每题10分) 1.决定X射线强度的关系式是

, 试说明式中各参数的物理意义? 2.比较物相定量分析的外标法、内标法、K值法、直接比较法和全谱拟合法的优缺点? 3.请导出电子衍射的基本公式,解释其物理意义,并阐述倒易点阵与电子衍 射图之间有何对应关系? 解释为何对称入射(B//[uvw])时,即只有倒易点阵原点在爱瓦尔德球面上,也能得到除中心斑点以外的一系列衍射斑点? 4.单晶电子衍射花样的标定有哪几种方法?图1是某低碳钢基体铁素体相的电子衍射花样,请以尝试—校核法为例,说明进行该电子衍射花样标定的过程与步骤。 图1 某低碳钢基体铁素体相的电子衍射花样 5.分别指出谱图中标记的各吸收峰所对应的基团及振动?

材料分析方法周玉第二版.

第一章X 射线物理学基础 1、在原子序24(Cr)到74(W)之间选择7 种元素,根据它们的特征谱波长(Kα),用图解法验证莫塞莱定律。(答案略) 2、若X 射线管的额定功率为1.5KW,在管电压为35KV 时,容许的最大电流是多少? 答:1.5KW/35KV=0.043A。 4、为使Cu 靶的Kβ线透射系数是Kα线透射系数的1/6,求滤波片的厚度。 答:因X 光管是Cu 靶,故选择Ni 为滤片材料。查表得:μ m α=49.03cm2/g,μ mβ=290cm2/g,有公式,,,故:,解得:t=8.35um t 6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射,所需施加的最低管电压是多少?激发出的荧光辐射的波长是多少? 答:eVk=hc/λ Vk=6.626×10-34×2.998×108/(1.602×10-19×0.71×10-10)=17.46(kv) λ 0=1.24/v(nm)=1.24/17.46(nm)=0.071(nm) 其中h为普郎克常数,其值等于6.626×10-34 e为电子电荷,等于1.602×10-19c 故需加的最低管电压应≥17.46(kv),所发射的荧光辐射波长是0.071纳米。 7、名词解释:相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应 答:⑴当χ射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。 ⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ射线长的χ射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。 ⑶一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一个K 电子,当外层电子来填充K 空位时,将向外辐射K 系χ射线,这种由χ射线光子激发原子所发生的辐射过程,称荧光辐射。或二次荧光。 ⑷指χ射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量,如入射光子的能量必须等于或大于将K 电子从无穷远移至K 层时所作的功W,称此时的光子波长λ称为K 系的吸收限。 ⑸原子钟一个K层电子被光量子击出后,L层中一个电子跃入K层填补空位,此时多余的能量使L层中另一个电子获得能量越出吸收体,这样一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应。 第二章X 射线衍射方向 2、下面是某立方晶第物质的几个晶面,试将它们的面间距从大到小按次序重新排列:(123),(100),(200),(311),(121),(111),(210),(220),(130),(030),(221),(110)。

材料分析方法部分课后习题与答案

第一章X 射线物理学基础 2、若X 射线管的额定功率为,在管电压为35KV 时,容许的最大电流是多少 答:35KV=。 4、为使Cu 靶的Kβ线透射系数是Kα线透射系数的1/6,求滤波片的厚度。 答:因X 光管是Cu 靶,故选择Ni 为滤片材料。查表得:μ m α =/g,μ mβ =290cm2/g,有公式,,,故:,解得:t= t 6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射,所需施加的最低管电压是多少激发出的荧光辐射的波长是多少 答:eVk=hc/λ Vk=×10-34××108/×10-19××10-10)=(kv) λ 0=v(nm)=(nm)=(nm) 其中h为普郎克常数,其值等于×10-34 ] e为电子电荷,等于×10-19c 故需加的最低管电压应≥(kv),所发射的荧光辐射波长是纳米。 7、名词解释:相干散射、不相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应 答:⑴当χ 射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。 ⑵当χ 射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ 射线长的χ 射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。 ⑶一个具有足够能量的χ 射线光子从原子内部打出一个K 电子,当外层电子来填充K 空位时,将向外辐射K 系χ 射线,这种由χ 射线光子激发原子所发生的辐射过程,称荧光辐射。或二次荧光。 ⑷指χ 射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量,如入射光子的能量必须等于或大于将K 电子从无穷远移至K 层时所作的功W,称此时的光子波长λ 称为K 系的吸收限。 ⑸原子钟一个K层电子被光量子击出后,L层中一个电子跃入K层填补空位,此时多余的能量使L层中另一个电子获得能量越出吸收体,这样一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应。 第二章X 射线衍射方向 2、下面是某立方晶第物质的几个晶面,试将它们的面间距从大到小按次序重新排列:(123),(100),(200),(311),(121),(111),(210),(220),(130),(030),(221),(110)。

现代材料分析方法习题汇总及答案

材料分析测试方法复习题 简答题: 1. X 射线产生的基本条件 答:①产生自由电子; ②使电子做定向高速运动; ③在电子运动的路径上设置使其突然减速的障碍物。 2. 连续X 射线产生实质 答:假设管电流为10mA ,则每秒到达阳极靶上的电子数可达6.25x10(16)个,如此之多的电子到达靶上的时间和条件不会相同,并且绝大多数达到靶上的电子要经过多次碰撞,逐步把能量释放到零,同时产生一系列能量为hv (i )的光子序列,这样就形成了连续X 射线。 3. 特征X 射线产生的物理机制 答:原子系统中的电子遵从刨利不相容原理不连续的分布在K 、L 、M 、N 等 不同能级的壳层上,而且按能量最低原理从里到外逐层填充。当外来的高速度的粒子动能足够大时,可以将壳层中某个电子击出去,于是在原来的位置出现空位,原子系统的能量升高,处于激发态,这时原子系统就要向低能态转化,即向低能级上的空位跃迁,在跃迁时会有一能量产生,这一能量以光子的形式辐射出来,即特征X 射线。 4. 短波限、吸收限 答:短波限:X 射线管不同管电压下的连续谱存在的一个最短波长值。 吸收限:把一特定壳层的电子击出所需要的入射光最长波长。 5. X 射线相干散射与非相干散射现象 答: 相干散射:当X 射线与原子中束缚较紧的内层电子相撞时,电子振动时向四周发射电磁波的散射过程。 非相干散射:当X 射线光子与束缚不大的外层电子或价电子或金属晶体中的自由电子相撞时的散射过程。 6. 光电子、荧光X 射线以及俄歇电子的含义 答:光电子:光电效应中由光子激发所产生的电子(或入射光量子与物质原子中电子相互碰撞时被激发的电子)。 荧光X 射线:由X 射线激发所产生的特征X 射线。 俄歇电子:原子外层电子跃迁填补内层空位后释放能量并产生新的空位,这些能量被包括空位层在内的临近原子或较外层电子吸收,受激发逸出原子的电子叫做俄歇电子。 8. 晶面及晶面间距 答:晶面:在空间点阵中可以作出相互平行且间距相等的一组平面,使所有的节点均位于这组平面上,各平面的节点分布情况完全相同,这样的节点平面成为晶面。 晶面间距:两个相邻的平行晶面的垂直距离。 9. 反射级数与干涉指数 答:布拉格方程 表示面间距为d ’的(hkl )晶面上产生了n 级衍射,n 就是反射级数 干涉指数:当把布拉格方程写成: 时,这是面间距为1/n 的实际上存在或不存在的假想晶面的一级反射,若把这个晶面叫作干涉面,其间的指数就叫作干涉指数 10.衍射矢量与倒易矢量 答:衍射矢量:当束X 射线被晶面P 反射时,假定N 为晶面P 的法线方向,入射线方向用单位矢量S0λθ=Sin n d '2λ θn Sin d ='2:

(完整版)材料分析方法试题及答案07

材料现代分析方法试题7(参考答案) 一、基本概念题(共10题,每题5分) 1.欲用Mo靶X射线管激发Cu的荧光X射线辐射,所需施加的最低管电压是 多少?激发出的荧光辐射的波长是多少? 答:欲使Cu样品产生荧光X射线辐射, V =1240/λCu=1240/0.15418=8042,V =1240/λCu=1240/0.1392218=8907 激发出荧光辐射的波长是0.15418nm 激发出荧光辐射的波长是0.15418nm 2.判别下列哪些晶面属于[11]晶带:(0),(1),(231),(211),(01),(13),(12),(12),(01),(212)。 答:(0)(1)、(211)、(12)、(01)、(01)晶面属于[ 11]晶带,因为它们符合晶带定律:hu+kv+lw=0。答:(0)(1)、(211)、(12)、(01)、(01)晶面属于[11]晶带,因为它们符合晶带定律:hu+kv+lw=0。 3.用单色X射线照射圆柱多晶体试样,其衍射线在空间将形成什么图案?为摄取德拜图相,应当采用什么样的底片去记录? 答:用单色X射线照射圆柱多晶体试样,其衍射线在空间将形成一组锥心角不等的圆锥组成的图案;为摄取德拜图相,应当采用带状的照相底片去记录。4.洛伦兹因数是表示什么对衍射强度的影响?其表达式是综合了哪几方面考 虑而得出的? 答:洛伦兹因数是表示掠射角对衍射强度的影响。洛伦兹因数表达式是综合了样品中参与衍射的晶粒大小,晶粒的数目和衍射线位置对衍射强度的影响。5.给出简单立方、面心立方、体心立方以及密排六方晶体结构电子衍射发 生消光的晶面指数规律。 答:常见晶体的结构消光规律

材料现代分析方法试题及答案1

三、简答题(每题 5 分,共25 分) 1. 扫描电镜的分辨率和哪些因素有关?为什么? 和所用的信号种类和束斑尺寸有关,因为不同信号的扩展效应不同,例如二次电子产生的区域比背散射电子小。束斑尺寸越小,产生信号的区域也小,分辨率就高。 2.原子力显微镜的利用的是哪两种力,又是如何探测形貌的? 范德华力和毛细力。以上两种力可以作用在探针上,致使悬臂偏转,当针尖在样品上方扫描时,探测器可实时地检测悬臂的状态,并将其对应的表面形貌像显示纪录下来。 3. 在核磁共振谱图中出现多重峰的原因是什么? 多重峰的出现是由于分子中相邻氢核自旋互相偶合造成的。在外磁场中,氢核有两种取向, 与外磁场同向的起增强外场的作用,与外磁场反向的起减弱外场的作用。根据自选偶合的 组合不同,核磁共振谱图中出现多重峰的数目也有不同,满足“n+1”规律 4.什么是化学位移,在哪些分析手段中利用了化学位移? 同种原子处于不同化学环境而引起的电子结合能的变化,在谱线上造成的位移称为化学位移。在XPS、俄歇电子能谱、核磁共振等分析手段中均利用化学位移。 5。拉曼光谱的峰位是由什么因素决定的, 试述拉曼散射的过程。 拉曼光谱的峰位是由分子基态和激发态的能级差决定的。在拉曼散射中,若光子把一部分能量给样品分子,使一部分处于基态的分子跃迁到激发态,则散射光能量减少,在垂直方向测量到的散射光中,可以检测到频率为(ν0 - Δν)的谱线,称为斯托克斯线。相反,若光子从样品激发态分子中获得能量,样品分子从激发态回到基态,则在大于入射光频率处可测得频率为(ν0+ Δν)的散射光线,称为反斯托克斯线 四、问答题(10 分) 说明阿贝成像原理及其在透射电镜中的具体应用方式。 答:阿贝成像原理(5 分):平行入射波受到有周期性特征物体的散射作用在物镜的后焦面上形成衍射谱,各级衍射波通过干涉重新在像平面上形成反映物的特征的像。在透射电镜中的具体应用方式(5 分)。利用阿贝成像原理,样品对电子束起散射作用,在物镜的后焦面上可以获得晶体的衍射谱,在物镜的像面上形成反映样品特征的形貌像。当中间镜的物面取在物镜后焦面时, 则将衍射谱放大,则在荧光屏上得到一幅电子衍射花样;当中间镜物面取在物镜的像面上时,则将图像进一步放大,这就是电子显微镜中的成像操作。 五、计算题(10 分) 用Cu KαX 射线(λ=0.15405nm)的作为入射光时,某种氧化铝的样品的XRD 图谱如下,谱线上标注的是2θ的角度值,根据谱图和PDF 卡片判断该氧化铝的类型,并写出XRD 物相分析的一般步骤。 答:确定氧化铝的类型(5 分) 根据布拉格方程2dsinθ=nλ,d=λ/(2sinθ) 对三强峰进行计算:0.2090nm,0.1604nm,0.2588nm,与卡片10-0173 α-Al2O3 符合,进一步比对其他衍射峰的结果可以确定是α-Al2O3。 XRD 物相分析的一般步骤。(5 分) 测定衍射线的峰位及相对强度I/I1:再根据2dsinθ=nλ求出对应的面间距 d 值。 (1) 以试样衍射谱中三强线面间距d 值为依据查Hanawalt 索引。 (2) 按索引给出的卡片号找出几张可能的卡片,并与衍射谱数据对照。 (3) 如果试样谱线与卡片完全符合,则定性完成。 六、简答题(每题5 分,共15 分) 1.透射电镜中如何获得明场像、暗场像和中心暗场像? 答:如果让透射束进入物镜光阑,而将衍射束挡掉,在成像模式下,就得到明场象。如果把物镜光阑孔套住一个衍射斑,而把透射束挡掉,就得到暗场像,将入射束倾斜,让某一衍射束与透射电镜的中心轴平行,且通过物镜光阑就得到中心暗场像。 2.简述能谱仪和波谱仪的工作原理。 答:能量色散谱仪主要由Si(Li)半导体探测器、在电子束照射下,样品发射所含元素的荧光标识X 射线,这些X 射线被Si(Li)半导体探测器吸收,进入探测器中被吸收的每一个X 射线光子都使硅电离成许多电子—空穴对,构成一个电流脉冲,经放大器转换成电压脉冲,脉冲高度与被吸收的光子

材料分析方法_试卷1

材料现代分析方法试题1 材料学院材料科学与工程专业年级班级材料现代分析方法课程200—200学年第学期()卷期末考试题( 120 分钟) 考生姓名学号考试时间 主考教师:阅卷教师: 一、基本概念题(共10题,每题5分) 1.X射线的本质是什么?是谁首先发现了X射线,谁揭示了X射线的本质?2.下列哪些晶面属于[11]晶带? (1)、(1)、(231)、(211)、(101)、(01)、(13), (0),(12),(12),(01),(212),为什么? 3.多重性因子的物理意义是什么?某立方晶系晶体,其{100}的多重性因子是多少?如该晶体转变为四方晶系,这个晶面族的多重性因子会发生什么变化?为什么? 4.在一块冷轧钢板中可能存在哪几种内应力?它们的衍射谱有什么特点?5.透射电镜主要由几大系统构成? 各系统之间关系如何? 6.透射电镜中有哪些主要光阑? 分别安装在什么位置? 其作用如何? 7.什么是消光距离? 影响晶体消光距离的主要物性参数和外界条件是什么? 8.倒易点阵与正点阵之间关系如何? 画出fcc和bcc晶体的倒易点阵,并标 出基本矢量a*, b*, c*。 9.红外测试样品需尽可能把游离水驱除干净。含游离水样品的红外谱图中在哪两个波数范围会出现吸收峰? 10.一种化合物含有两个基团与各含一个基团的两种化合物的混合物,其红外谱图有大的差别吗?为什么?一种化合物含有两个基团与各含一个基团的两种化合物的混合物,其红外谱图有大的差别吗?为什么? 二、综合及分析题(共5题,每题10分) 1.决定X射线强度的关系式是

, 试说明式中各参数的物理意义? 2.比较物相定量分析的外标法、内标法、K值法、直接比较法和全谱拟合法的优缺点? 3.请导出电子衍射的基本公式,解释其物理意义,并阐述倒易点阵与电子衍射图之间有何对应关系? 解释为何对称入射(B//[uvw])时,即只有倒易点阵原点在爱瓦尔德球面上,也能得到除中心斑点以外的一系列衍射斑点? 4.单晶电子衍射花样的标定有哪几种方法?图1是某低碳钢基体铁素体相的电子衍射花样,请以尝试—校核法为例,说明进行该电子衍射花样标定的过程与步骤。 5.分别指出谱图中标记的各吸收峰所对应的基团及振动?

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