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模电自测题1答案

模电自测题1答案
模电自测题1答案

2010上学期模拟电子技术自测题

一、选择题(从下列3-4个备选答案中选出一个或多个正确答案,并将其代号写在题干后面的括号中。)

1、N型半导体中的多数载流子是( A )

A.自由电子 B.空穴 C.正离子

2、要使放大电路的输出电压稳定,输入电阻增大,应引入( B )负反馈。

A.电压并联B.电压串联C.电流串联

3、某晶体管,测得电流I1=1.53mA,I2=1.5mA,I3=0.03mA,则可判断出三个电极为( A )

A.(1)为e极,(2)为c极,(3)为b极

B.(1)为c极,(2)为e极,(3)为b极

C.(1)为b极,(2)为c极,(3)为e极

4、选用差分放大电路的原因是( CD )

A.稳定放大倍数 B.提高输入电阻

C.抑制温漂 D.抑制零点漂移

5、对于共模抑制比K CMR,以下说法正确的是( BC )

A.K CMR越大则电路的放大倍数越稳定

B.K CMR越大则电路的对共模信号的抑制能力越强

C.K CMR越大则电路抑制温漂能力越强

D.K CMR越大则电路输入信号中差模成分越大

6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因有(ABC )。

A.电源电压不稳定

B.晶体管的老化

C.晶体管参数受温度影响

7、某两级放大器构成的多级放大电路中,第一级电压增益为

20dB,第二级电压放大倍数为10倍,则放大器总的增益为( BC )

A.200倍B.100倍C.40db D.30db

8、理想运放构成电路如图1所示,则( B )

A.u i>u o B.u i=u o C.u i

图1

9、PN 结加反向电压时,空间电荷区将( A )

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D.以上都有可能

10、互补输出级采用共集形式是为了使( C )

A.电压放大倍数大

B.不失真输出电压大

C.带负载能力强

11、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )

A.共射放大电路 B. 共集放大电路 C.共基放大电路

12、PN 结加正向电压时,空间电荷区将( C )

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D.以上都有可能

13、当信号频率等于放大电路的截止频率f L或f H时,放大倍数的值约下降到中频时的( B )

A. 0.5 倍

B. 0.7 倍

C. 0.9 倍

D. 2倍

14、在NPN管组成的共射放大电路中,当输入5mV/10kHz的正弦波时,输出电压波形出现了底部削平的现象,这种失真是( A )

A.饱和失真 B.截止失真 C.频率失真

15、某两级放大器构成的多级放大电路中,第一级电压增益为40dB,第

二级电压放大倍数为10倍,则放大器总的增益为( AD ) A.1000倍 B.400倍 C.400 dB D.60 dB

16、共集电极放大电路的特点是( AB )

A.输入电阻高

B.输出电阻小

C.电压放大倍数大

17、乙类功放电路,因静态工作点不合适引起的失真为( C )。

A.饱和失真 B.截止失真

C.交越失真 D.截顶失真

18、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 ( C )

A. 减小

B.不变

C.变大

19、以下不是集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )

A.便于设计

B. 不易制作大容量电容

C. 放大交流信号

20、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的( BD )

A.差模放大倍数数值增大

B.抑制共模信号能力增强

C.差模输入电阻增大

D.抑制温漂能力变强

21.温度升高时,晶体二极管的Is将( A )

A.增大

B.减小

C.不变

D.近似不变

22.PN结反向工作时,流过的电流主要是( B )

A.扩散电流

B.漂移电流

C.传导电流

D.扩散与漂移电流并存

23.已知某晶体管的α=0.99,则该管的β值是( D )

A.100

B.101

C.98

D.99

24.如改变三极管基极电压的极性,使发射结由正偏导通变为反偏,则集

电极电流( B )

A.反向

B.中断

C.增大

D.不变

25.共射基本放大电路中,若测得晶体管的VCQ≈VCC,则可以判别晶体管工作在( C )

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

D.击穿状态

26.差分放大器中用电流源代替Re是为了( C )

A.提高差模放大倍数

B.提高共模放大倍数

C.提高共模抑制比

D.提高差模输入电阻

27.所谓放大器工作在闭环状态是指( B )

A.考虑信号源内阻

B.有反馈通路

C.接入负载

D.信号源短路

28.负反馈放大电路的环路增益是指( C )

A.A

B.F A

C. 1+F A

D. F

29.如果PN结的反向电流急剧增加,称为( C )

A.反向导通

B.反向截止

C.反向击穿

D.反向饱和

30.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为( A )

A.VC

B.VC>VB>VE

C.VC

D.VC>VE>VB

二、填空题

1、在本征半导体中加入五价元素可以形成N型半导体。

2、测得电路中NPN型硅管的各级电位如图2所示,则管子的工作状态是放大状态

图2

3、为了稳定放大电路的输出电压,应引入电压负反馈。

(选择电压或电流填入空内)

4、为了稳定放大电路的输出电流,应引入电流负反馈。

(选择电压或电流填入空内)

5、为了增大放大电路的输入电阻,应引入串联负反馈。

(选择串联或并联填入空内)

6、已知BJT管子两个电极的电流如图3所示,则另一电极的电流为

1.01MA ,管子的类型为(NPN或PNP) NPN 。

图3

7、在双端输入、双端输出的差动放大电路中,发射极R e公共电阻

对共模信号具有抑制作用。

8、集成运放的输入级多采用差动电路。

9、若三级放大电路中A u1、A u2为30dB,A u3为20dB,则其总电压增益为

80 dB。

10、整流电路是利用半导体二极管的单向导电性,完成整流作用的。

11、三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结正偏和集电结反偏。

12、测得处于放大状态的晶体管的直流电位如图4所示,

则三极管的管型是 PNP ,材料是硅。

图4

13、某放大电路负载开路时,U O=6V,接上3KΩ负载后,U O=4V,说明该放大电路的输出电阻R0= 1.5KΩ。

14、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图5所示,该电路是积分电

路。

图5

图5

15、在三极管单级放大电路中,已知A u1=-40,则其接法为共射

放大器。

16、稳压管在稳压过程中工作在反向击穿区。

17、整流电路是利用二极管的单向导电性。

18、电路的电压放大倍数的表达式

A = U0/UI (输出电压/输入电压)

u

19.PN结的反向击穿有雪崩和__齐纳______两种击穿。

20.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由__本佂激发______产生的。

21.衡量双极型三极管放大能力的参数是__电流放大倍数β或_α_____。

22.已知某晶体三极管的f T和β,则fβ=_FT/β_______。

23. 放大电路的失真按失真机理分为线性失真和___非线性_____失真两大类。

24.若引入反馈使放大器的增益__减小______,这样的反馈称为负反馈。

25. 放大电路中,为稳定静态工作点,应引入_直流负_______反馈。

三、简答题

1、电路如下图6所示:

(1)判断电路引入了哪种组态的反馈,并计算它们的反馈系数;

(2)估算电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。

反馈系数:F=Uf/Uo=R1/(R1+R2)

(2)在深度负反馈的条件下有:

Ui=Uf

Au=1/Fu=1+R2/R1

图6

图6

u

2、正弦波振荡器的组成部分及其各部分的作用。

(1)放大电路:放大信号将直流电源转化为信号能量

(2)反馈电路:构成正反馈满足相位平衡条件

(3)选频网络:选出满足振荡条件的单一频率信号

(4)稳幅环节:使振荡稳定,改善波形。

3、图7中,反馈元件R7构成级间负反馈,判断其反馈组态,并说明该负

反馈对放大电路放大倍数和输入输出电阻的影响。

u

图7

解:该电路为串联电压负反馈;该反馈减小放大倍数,增大输入电阻减小输出电阻。

4、在图8所示路中,请回答

1)调整管电路,采样电路,基准电压电路,比较放大电路和保护电路由哪些器件组成?

2)输出电压的范围

图8

解:(1)T1为调整管电路,R1、R2、R3为采样电路,DZ为基准电压电路,T2为比较放大电路,T3为保护电路

(2)Uo(最小)=(R1+R2+R3)/(R2+R3)*(Ube+Udz)

Uo(最大)=(R1+R2+R3)/(R3)*(Ube+Udz)

四、计算题

1、电路如图8所示,晶体管的 =60,'

r=100Ω。

bb

(1)求解Q点;

(2)画出微变等效电路

(3)

A 、R i和Ro;

u

图8

解:(1)Ib=(Ucc-Urb)/[Rb+(1+β)Rc]

Ic=βIb

Uce=Ucc-Ic(Rc+Re) (Ic≈Ie)

(2)略

(3)Au=β(Rl+Rc)/rbe

Ri=Rb||rbe Ro=Rc

2、电路如图9所示,试求解:

(1)标出集成运放的“+”和“-”,并说明电路是哪种正弦波振荡电路;

(2)R

(3)振荡频率的调节范围。

图9

-解:(1)上“-” 下“+”

该电路为文式桥RC 振荡电路

(2)Rf+R ’w>2R

(3)f1=1/2∏R1C=1.59kHz f2=1/2∏(R1+R2)C=145Hz

3、图10中,已知三极管的参数1

bb r ,β,BE U ,CES U ,L c b R R R ,,均已知,电源电压为V CC ,求解以下几个问题。

(1)计算静态工件点Q ;

(2) 画出微变等效电路图;

(3) 试计算i R 、o R 、u A ;

图10

解:略

4、根据图11所示电路,推导出电路的传输特性,并说明运算电路的名称和特点。

图11

解:集成运放共作在线性区有“虚断”“虚短”两个特点

U+=U-=RfUi/(R+Rf)=RUo/(R+Rf)

Uo/Ui=Rf/R

同相比例放大器;特点:输入、输出同相位,有很高的输入电阻和很小的输出电阻等特点

5、在图示12电路中,设R1 = R F =10KΩ,R2=20KΩ,R’= 4KΩ,两个

输入电压U i1和U i2的波形如图12所示,试写出Uo的表达式,并在对应的坐标上画出输出电压Uo的波形,且标上相应电压数值。

图12

解:略

五、推导题

1、根据图13推导出电路的输出表达式,并说明电路的名称。

图13

解:由解点电流方程得:i1+i2=if

(Ui1-U-)/R1+(Ui2-U-)/R2=(U--Uo)/Rf

UO=-2Ui1-2Ui2+5Ui3

该电路为加减法运算器

2、根据图14

,并说明电路的名称。

图14

解:集成运放工作在线性区有“虚短”“虚断”两个特点U+=U-=0

因为流过C上的电流等于流过R1上的电流

所以:ic=ir=U1/R

其电容两端的电压等于电流积分

即:Uo=-Uc=-(1/C)∫icdi=-(1/RC)∫Uidi

该电路为反相积分电路

模电复习题和答案

《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出,所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,在数字电路中三极管作为开关使用时,它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中,当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E,V C=8V,V B=3.7V,则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域,三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管,所以我们说场效应管是 电压控制型器件,三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置;三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为0.1-0.2 V;硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大,共模抑制比K CMR为无穷大,差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ,单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ;整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V;LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%,理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流,则可采用B;如希望负载变化时输出电流稳定,应 引入D;如希望动态输出电阻要小,应引入A;(A 电压负反馈;B 并联负反馈;C 串联负反馈;D电流负反馈)。 18、在图示电路中,已知开环电压放大倍数Au=10000,若需要Auf =100,则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合;集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比,电压放大倍数较大;通频带较窄; 21、能使输入电阻提高的负反馈是C;能使输入电阻降低的负反馈是D; 能使输出电阻提高的负反馈是B;能使输出电阻降低的负反馈是A; (A 电压负反馈;B 电流负反馈:C 串联负反馈:D 并联负反馈)22、电压串联负反馈能稳定输出A ,并能使输入电阻D;

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A .大于 B.等于 C .小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B .空穴数增多,自由电子数基本不变 C .自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A .电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D . 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B .反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D . 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B . 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C从1m A变为2mA ,那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D . 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.P NP 硅管 C .NP N锗管 D.P NP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A .电流控制电流 B.电流控制电压 C .电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C .保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是 B 。 A .限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B .相反 C.相差90° D.相差270° 16、NP N管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

模电期末考试题

《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。(10分) 1只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。 (×)2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 (√)3负反馈越深,电路的性能越稳定。 (×)4零点漂移就是静态工作点的漂移。 (√)5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 (√)6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 (√)7半导体中的空穴带正电。 (√)8 P型半导体带正电,N型半导体带负电。 (×)9实现运算电路不一定非引入负反馈。 (×)10凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。 (×)二、选择填空(10分) (1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 A ;为了展宽频带,应在放大电路中引入 D 。 (A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈(2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中, C 。 (A)φA=-1800,φF=+1800 (B)φA=+1800,φF=+1800 (C)φA=00,φF=00 (3)集成运放的互补输出级采用 B 。 (A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B 。

(A)β(B)β2 (C)2β(D)1+β (5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是 B ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 C 。 (A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路(6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C B u B B u E。 (A)> (B)< (C)= (D)≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 (A)大(B)小(C)相等 三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。解:二极管D截止,u0=-6V 四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位(V)①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ=0.7V,电流放大系数为β=80,r be=1.2 kΩ,R B=500 kΩ,R C=R L=5 kΩ,V CC=12V。

模电测试题

模电测试题A 班别:姓名:学号: 一、填空题(每空1分,共24分) 1、晶体管放大电路常采用分压式电流负反馈偏置电路,因为它具有稳定静态工作点的作用。 2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数__为1____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗__低___, 3、三种不同耦合方式的放大电路分别为:___直接耦合__、___阻容耦合__和__变压器耦合__,其中__直接耦合__能够放大缓慢变化的信号。 4、三端集成稳压器CW7912的输出电压为____-12____ V,而CW7809的输出电压则为 5、如图所示是一个共射单管放大器的输出电压波形,假定晶体管是PNP 型,则该信号的削波属于____饱和_______失真,将偏流电阻Rb调__大 ______可以消除失真。 6、图中二极管为理想器件,V1工作在_截止_ 状态; V2工作在____导通_______ 状态;UA为____-3_______ V。 7、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为40dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_60__d B,总的电压放大倍数为_____1000_______。 8、在典型的差动放大电路是,Re对_共模信号呈现很强的负反馈作用,而对__差模___信号则无负反馈作用. 9、差动放大电路,若两个输入信号u I1 = u I2,则输出电压,u O = 0;若u I1 = 80 μV,u I 2 = 20 μV则差摸电压u Id =30μV;共摸电压u Ic = 50μV。 10、有一负反馈放大器,在闭环时,当输入电压为0.1V时,输出电压为2V,而在开环时,对于0.1V的输入电压其输出电 压则有4V。该反馈的深度等于__2_____,反馈系数等于____0.025____。 二、选择题(把正确答案的序号填入下表内,每题2分,共36分) 1、二极管两端加上正向电压时( )。 A.一定导通 B.超过 0.3V 才导通C.超过死区电压才导通 D.超过 0.7V 才导通 2、若要提高放大器带负载能力,并对信号源的影响小,可采用的反馈组态为()。 A. 电压串联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 3、集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。 A.增大放大倍数 B.减小温漂 C.提高输入电阻 D.提高稳定性 4、在单相桥式整流电路中,设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ,则负载两端的平均电压是()。 A.100V B.90V C.45V D.141V 5、工作在反向击穿状态的二极管是( )。 A.一般二极管 B.稳压二极管 C.发光二极管 D 光敏二极管 6、放大电路采用负反馈后,下列说法不正确的是( )。 7、如图所示电路中集成运算最大输出电压为±10V,则输出电压Uo=()。 A.0V; B.5V; C.+10V; D. -10V 8、理想集成运放工作在线性区时有()。 A. U + = U ? B. U + > U ? C. U + < U ? D. 无法确定 9、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 10、测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____ A. 80 B. 60 C. 75 D. 100 11、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是()。 A.增加一倍 B.为双端输入时的一半 C.不变 D.不确定 12、在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,10V,9.3V,则这只三极管是( )。

模电数电题面试题集锦

模拟电路知识 1、基尔霍夫定理的内容是什么? 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律 电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流的代数和恒等于零。 电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压的代数和恒等于零。 2、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。 反馈,就是在电子系统中,把输出回路中的电量输入到输入回路中去。 反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点:降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用。 电压负反馈的特点:电路的输出电压趋向于维持恒定。 电流负反馈的特点:电路的输出电流趋向于维持恒定。 3、有源滤波器和无源滤波器的区别 无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器:集成运放和R、C组成,具有不用电感、体积小、重量轻等优点。 集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。(未知) 答案:FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点。 7、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在? OTP means one time program,一次性编程 MTP means multi time program,多次性编程 OTP(One Time Program)是MCU的一种存储器类型 MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASHROM 等类型。 MASKROM的MCU价格便宜,但程序在出厂时已经固化,适合程序固定不变的应用场合;FALSHROM的MCU程序可以反复擦写,灵活性很强,但价格较高,适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途; OTP ROM的MCU价格介于前两者之间,同时又拥有一次性可编程能力,适合既要求一定灵活性,又要求低成本的应用场合,尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。 8、单片机上电后没有运转,首先要检查什么? 首先应该确认电源电压是否正常。用电压表测量接地引脚跟电源引脚之间的电压,看是否是电源电压,例如常用的5V。 接下来就是检查复位引脚电压是否正常。分别测量按下复位按钮和放开复位按钮的电压值,看是否正确。 然后再检查晶振是否起振了,一般用示波器来看晶振引脚的波形,注意应该使用示波器探头的“X10”档。另一个办法是测量复位状态下的IO口电平,按住复位键不放,然后测量IO口

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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

模电期末复习题目

模电题目 一、填空题 1.为使BJT发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的条件是(发射极正偏,集电极反偏)。 2.N型半导体是在纯硅或锗中加入(磷(+5))元素物质后形成的杂质半导体。 3.差分放大电路对(差模)信号有放大作用,对(共模)信号起到抑制作用。 3.在电容滤波和电感滤波中,(电感)滤波适用于大电流负载,(电容)滤波的直流输出电压高。 5.集成运放主要包括输入级、(中间放大级)、(输出级)和 (偏置)电路。其中输入级一般采用(差模)电路。 6.为稳定放大器的静态工作点,应在放大电路中引入(直流负)反馈,为稳定放大器的输出电压应引入(电压负)反馈。 7.与甲类功放电路相比,乙类互补对称功率放大电路的优点是(管耗小),其最高效率可达到(78.5%),但容易产生(交越)失真。 8.集成运算放大器是一种采用(直接)耦合方式的多级放大电路,它的输入级常采用差分电路形式,其作用主要是为了克服(共模干扰)。 9.若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度为(10)。 10.产生1Hz~1MHz范围内的低频信号一般采用(RC)振荡器,而产生1MHz以上的高频信号一般采用(LC)振荡器 11.半导体二极管具有(单向导电)作用,稳压二极管用作稳压元件时工作在(反向击穿)状态。 12.晶体三极管是一种(电流)控制型器件,当工作在饱和区时应使其发射结(正偏)集电结(正偏),而场效应管是一种( 电压) 控制型器件。 13.集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、(低)输出电阻的(直接)耦合方式的多级放大电路。 14.差分放大电路有四种输入-输出方式,其差模电压增益大小与输(出)有关而与输(入)方式无关。 15.在放大电路中引入(直流负)反馈可以稳定放大电路的静态工作点,。 16.三种组态的放大电路中(共发射极组态、共基极组态、共集电极组态)输入电阻最小的是(共集电极放大)电路。 17.在一个交流放大电路中,测出某晶体管三个管脚对地电位为:(1)端为1.5V,(2)端为4V,(3)端为2.1V,则(1)端为(发射)极;(2)端为(集电)极;(3)端为(基)极;该管子为(NPN)型晶体管。 18.若要设计一个输出功率为10W的乙类功率放大器,则应选择PCM至少为(4 )W的功率管两只。 19.电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为(电流),输入端比较量为(串联)的负反馈放大器,它使输入电阻(增大),输出电阻(增大)。 20.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(增大)。 21. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈(阳性);当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈(感性);其余情况下石英晶体呈(容性)。

模电(第四版)习题解答

第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确,用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零,则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解:U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V,稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态, 右图中稳压管没有击穿,故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示,V CC=15 V,试问: (1)R b=50k 时,Uo=? (2)若T 临界饱和,则R b=? 解:(1) = 100,U BE=0.7V。 大的特点。( √ )

最新模电数电复习题(已整理)

第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==,

2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A .交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.(24分) 1)射极输出器的特性归纳为:电压增益,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。 2)电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3)在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;大小相等,极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4)在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5)PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。 6)晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏, 结必须反偏。 7)晶体三极管有型和型两种类型。 8)画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短;.

路。 二.(1.9分,2.9分,3.6分,共24分) 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ,R g2=100kΩ,R g3=2MΩ,R d=10kΩ,R2=10kΩ,+V DD=+20V,场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路; (2)求电压增益A v; (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问: a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模拟电子技术基础 胡宴如 自测题答案

模拟电子技术 胡宴如(第3版)自测题 第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由(D )构成。 A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B )。 A.减小B.基本不变C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大B.基本不变C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作(D )。、 A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×) 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×) 1.4 分析计算题 1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。

大学基础的数电模电试题及答案

一. 填空题 1、继电保护装置必须满足选择性、(快速性)、灵敏性和(可靠性)四个基本要求。 2、安全工作规程是中规定:设备对地电压高于(250V )为高电压;在250V 以下为低电压;安全电压为36V以下;安全电流为(10mA )以下。 3、软件测试时需要三类信息:软件配置、(测试配置)、(测试工具)。 4、存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为(12 )条、数据线为(8 )条。 5、产品质量特性包括:性能、(寿命)、可信性、(安全性)和经济性。 6、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 7、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 8、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开。 9、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 10、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 11、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 12、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。 13、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。 14、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F)。 15、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fH –fL),(1+AF)称为反馈深度。 16、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。

模电自测题

模电自测题 分析与计算(本题共60分): 1.(本小题15分)放大电路如图1所示,电路中电容容量足够大,三极管的β=50,r bb’=200Ω,U BE=0.6V,R B1=120KΩ,R B2=40KΩ,R C=R L=4KΩ,R E=2.1KΩ,V CC=12V,信号源内阻R S=10KΩ, (1)估算电路的静态工作点I BQ、I EQ、U CEQ; (2)画出微变等效电路; (3)计算电路的放大倍数 A 、us A 、输入电阻R i和输出电阻R o的值。 u (4)去掉旁路电容C E,求电压放大倍数 A ,输入电阻R i。 u 2.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算深度负反馈的闭环电压增益A usf。 图1 图2 3.(本小题10分) 在图3中,已知u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o可能的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 图3 4.(本小题15分) 图4所示电路中,A1~A5都是理想运放。

(1)当开关S闭合时,计算: u、2o u、3o u、4o u及o u的值。 1 o (2)t=0时,将S打开,则经过多少时间, u=0V ? o 图4 5.(本小题10分)电路如图5所示,Vcc=20V,R L=8Ω,则:(1)该电路是什么电路?T1,T2,T3以及D1,D2的作用是什么?(2)当U i=1sinωt(V),A US=-10倍时,计算电路的最大输出功率P om。 图5 答案 四、分析与计算(本题共60分):

1.(本小题15分) 解:(1) V 9.22 1 2 B B B B =?+= CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U U mA 09.1E E E C == ≈R U I I mA 02.0E B == β I I V 46.5)(C E C CC CE =?+-=I R R V U Ω =+=k ..4109 12651 200r be (2)略 (3) 70 ) //(be L C -≈- =r R R A u β Ω ≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω ==k 9.3C O R R 8 17s i i s o s .A R R R u u A u u -≈+= = Ω ≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 9 01E be L C u .R )(r )R //R (A -≈++- =ββ 2.(本小题10分) 解:直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流,交流时通过R f 形成电流并联负反馈,R f 与R e2构成反馈网络,F =I f /I o ,A usf =Uo/Us =IoR C2/I f Rs =R C2/RsF =(1+R f /R e2)R C2/Rs 3.(本小题10分) 解:(1)正常情况下,U o =U L =(1.1~1.2)U 2=11~12V 。(2)电容虚焊时,成为单相桥式整流电路,U o =0.9U 2=9V 。(3)R L 开路时,U o = 2 U 2=14.14V 。(4)一只整流管和电容C 同时开路 时,成为半波整流电路,U o =0.45U 2=4.5V 。 4.(本小题15分) 解:(1)S 闭合时,U D =0,U B =1V ,uo1=2V ,uo2=-1V ,uo3=0V ,uo4=1V ,uo =-6V ;(2) o u =0V 时, 30 215 23-= +o u ,得uo3=-3V ,S 打开时,由uo3=- ?t o dt u C R 0 121,得t =0.03秒。 5.(本小题10分) 解:(1)为功率放大电路,T3所在电路是电压放大,T1和T2组成互补对称甲乙类功率放大,D1和D2用来消除交越失真。(2)P om =6.25W 。

模电数电复习考试题(已整理)

第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5

(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

模电试题及答案

试题一 一、选择题:(每小题2分,共24分) (1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + (7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。 A .3d B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A .同相比例 B .微分 C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分) (1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。 (2)工作在放大区的晶体管,当I B从10μA增大到20μA,I C从1mA增大到2mA,它的β为 100 。 (3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用直接耦合放大方式。

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