模电自测练习--填空、选择题（A）
====== 二极管=======
*******（填空题）********
1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。导通后，硅管的管压降约为0.7V，锗管约为0.2V。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。半导体中的空穴带正电。
9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。
10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。
11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。
12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。
13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的，其工作温度较低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。
*********（选择题）***********
1. P 型半导体中的多数载流子是B，N 型半导体中的多数载流子是A。
A. 电子
B. 空穴
C. 正离子
D. 负离子
2. 杂质半导体中少数载流子的浓度C本征半导体中载流子浓度。 A. 大于 B. 等于 C. 小于
3. 室温附近, 当温度升高时, 杂质半导体中 C 浓度明显增加。
A. 载流子
B. 多数载流子
C. 少数载流子
4．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷5．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子
6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管B 。 A. 大 B. 小 C. 相等
7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流A 。
A. 增大
B. 减小
C. 不变
8．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。A．减小B．基本不变C．增大9．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。A．增大B．基本不变C．减小10．变容二极管在电路中主要用作( D )。A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器11．当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（A）。
A.多数载流子;
B.少数载流子;
C.既有多数载流子又有少数载流子
12．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C）。A.正常;B.已被击穿; C.内部断路13．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B）。
A.正常;
B.已被击穿;
C.内部断路
14．晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏15．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。 A.增大； B.减小； C.不变
16．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关
==== 三极管====
1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。硅管以NPN型居多，锗管以PNP型居多。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE减小。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为99 。
6．某晶体管的极限参数I CM=20mA、P CM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压U CE=10V时，工作电流I C不得超过10 mA；当工作电压U CE=1V时，I C不得超过20 mA；当工作电流I C=2 mA时，U CE 不得超过30 V。
7．晶体三极管三个电极分别称为发射极、基极和集电极，它们分别用字母E、b和C表示。
8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：NPN 管的u C > u B > u E , PNP管的u C < u B< u E ；工作在饱和区时i C< βi B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，则i B = 0 ，i C = 0 。
9．由晶体三极管的输出特性可知，它存在截止区、放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向电压，集电结须加反向电压。
10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结，另一个叫做发射结。
11．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高，集电区的面积大，基区尽可能地薄；第二（外部条件），使发射结正向偏置，集电结反向偏置。12．晶体三极管发射极电流I e、基极电流I b和集电极电流I c之间的关系是Ｉe=Ｉb＋ＩC。其中I c/I b叫做直
流电流放大系数，用字母
_
表示;ΔI
e
/ΔI b叫做交流电流放大系数，用字母β表示。
13．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变基极电流来控制集电极电流的，其实质是以微小电流控制较大电流。
14．硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7Ｖ，饱和电压降为0.3Ｖ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3Ｖ,饱和电压降为0.1V。
15．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加正向电压，集电结必定加正向或零电压。16．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为输入特性曲线;当基极电流I b一定时，集电极与发射极间的电压U ce与集电极电流人I c关系曲线称为输出特性曲线。
17．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿Ｕbe的增量＿和I b的增量的比值。
18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将较差;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能不稳定。
19 ．按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极、共集极和共基极三种基本放大电路。20．晶体三极管的穿透电流I ceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管小得多，所以硅三极管的热稳定性比锗三极管好。
1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为0.2V时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.７V时，就认为此二极管为硅二极管。
2、NPN型晶体三极管的发射区是N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P型半导体。
3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6ｍA。若晶体三极管的直流电流放大系数β=50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为0.12ｍA。4．共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极和发射极组成，它不但具有电流放
大、电压放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。
5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制漏极电流的，所以它的输入阻抗很高。
6．共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为180°，这是放大器的重要特征，称为放大器的倒相作用。
7．常用的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用阻容耦合电路．
8．放大器的静态是指没有输入信号时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用估算方法确定，也可以用图解方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有I b、I e和U c e。场效应晶体管的静态工作点由U G S、I d和U DS确定。
9．晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为电压放大和功率放大两类。
10．为了使放大器输出波形不失真，除需设置适当的静态工作点外，还需要采用稳定工作点的方法，且输入信号幅度要适中。
11．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生截止失真；静态工作点设置太高将产生饱和失真。
12．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使ＩC的正半周及Uce
的负半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的负半周及U ce的正半周失真。
13．晶体三极管工作在放大状态时U ce随I b而变化，如果I b增加，则U ce将减小；如果I b减小，则Uce将增大。因此，I b可以起调节电压作用。
14．在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Ｒb，则静态工作点沿着负载线上移，容易出现饱和失真；若增大R b，工作点沿着负载线下移，容易出现截止失真。
15．如果晶体三极管放大器EＣ增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线
右移。在晶体三极放大器中R C减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变陡。
16．对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻大些，以减轻信号源的负担，输出电阻小些，以增大带动负载的能力。
17．由于电容Ｃ具有隔直流通交流的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管ｃ、e极间总电压的交流部分。
18．为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在
C C c e s（或直流负载线的中点）。
2
19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料
，该放大电路的电压放大倍数为100 ，电压增
i0
益为40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1 ，输入电阻大，输出电阻小。
*********（选择题）***********
1．当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（C）。A.饱和状态;B.放大状态;C.截止状态2．当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C）。A.截止状态;B.放大状态;C.饱和状态3．当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（A）。
A.放大状态; B．饱和状态；C.截止状态
4．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（C）。
A.随基极电流的增加而增加；
B.随基极电流的增加而减小，
C.与基极电流变化无关，只决定于Uce 5．当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C）。
A.反向；
B.增大；
C.中断
6．当温度升高时，半导体电阻将（B）。A.增大；ｂ，减小；C.不变
7. 工作在放大状态的晶体管, 流过发射结的是A电流，流过集电结的是B 电流。A. 扩散B. 漂移
8. 晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。 A. 一种载流子 B. 两种载流子 C. 大 D. 小
9. 晶体管通过改变 A 来控制 C ；而场效应管是通过改变 B 控制 D ，是一种 F 控制器件。
A. 基极电流
B. 栅- 源电压
C. 集电极电流
D. 漏极电流
E. 电压
F. 电流
10．某NPN型管电路中，测得U BE=0 V，U BC= —5 V，则可知管子工作于( C )状态。
A．放大B．饱和C．截止D．不能确定
11．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B)。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管
C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管
12．输入( C)时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号
13·在绝对零度（0K）时，本征半导体中____B___ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数14·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生____D_____。
A. 负离子
B. 空穴
C. 正离子
D. 电子-空穴对
15、半导体中的载流子为______D___。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴
16、N型半导体中的多子是___A______。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
17、P型半导体中的多子是__ B _______。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
18、当PN结外加正向电压时，扩散电流____A_____漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等与
19、当PN结外加反向电压时，扩散电流______ B ___漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等于
20、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u o和u i的相位_B。A. 同相B. 反相C.相差90度
D. 不确定
21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u o和u ii的相位_A_。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定
22、既能放大电压，也能放大电流的是___ A _组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定
23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u o和u ii的相位_A。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定
24、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定
25、可以放大电流，但不能放大电压的是___ B _ 组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定
26、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是__ B ___组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是___ B___组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是___ C ___组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是__B_____组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
30、三极管是__D_器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流1．测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 kΩ的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻为(D)kΩ。A．0.5 B．1.0 C．2.0 D．4
2．为了获得反相电压放大，则应选用(A)放大电路。A．共发射极B．共集
电极C．共基极D．共栅极
3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间
接入( B )放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共源极
4．放大电路如图T3．1所示，已知R S＝R D，且电容器容量足够大，则该
放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B)。A．u0l= u02
B．u0l =－u02C．u0l＞u02D．u0l＜u02
5．在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E）。
A.PNP型的基极；
B.PNP型的集电极；
C.NPN型的基极；D．N PN型的发
射极E．PNP型的发射极；F．NPN型的基极
6．在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（B）。
A.晶体三极管将深度饱和；B．晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏
7．在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（A）。
A.晶体三极管将深度饱和；B．晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。
8．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B）。
A.饱和失真；
B.截止失真；
C.不失真
9．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A）。
A.饱和失真；
B.截止失真．
C.不失真
10．晶体三极管低频小信号放大器能（A）。A．放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号11．在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（B）A.偏高；B.偏低；C.适当
12．画放大器直流通道时，电容应视为（B）A.短路；B.开路；C.不变
13．在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为u o=（B）。
A. i c R c；
B. - R c i C；
C. -I c R c
D. I b R c
15．为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（A）。
A．发射结正偏，集电结正偏；B．发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏
16．共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C）。
A．同相位 B.相位差90o; C.相位共为1８0o；D．不能确定
17．在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C）。
A.电阻的阻值尽可能小；
B.提高输入信号的频率；
C.加大电容以减小容抗；D．尽可能减小时间常数。18．为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A）的方法。
A.减小I b B．减小ＲＣ C.提高E c的绝对值
19．为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使R b电阻值（B）。A.增大 B.减小；C.不变
20．如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（C）。
A.集电极电流减小；
B.集电极电压U ce上升；
C.集电极电流增大
21．在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（B）。
A.集电极电压Uce上升；
B.集电极电压U ce下降；
C.基极电流不变
22．在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数β( A)。 A.增大；ｂ，减小； C.不变
23．在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（B）A.增大；B.减小；C.不变
24．当交流放大器接上负载ＲＬ后，其交流负载线的斜率( E)。
A.由ＲL的大小决定；
B.若RＣ的大小不变，则交流负载线的斜率不变；
C.因电容Ｃ具有隔直流作用，所以斜率不变；D．由ＲＣ和R L的串联值决定；E．由R L和R c的并联值决定
==== 场效应管====
1．场效应管从结构上可分为两大类：结型、绝缘栅型或MOS ；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。由于场效应晶体管几乎不存在栅流，所以其输入直流电阻很大。
2．U GS(off)表示夹断电压，I DSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
3. 增强型场效应管当其U GS =0 时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在导电沟道，而增强型MOS 管则不存在导电沟道。
4. MOS 管的直流输入电阻比结型场效应管的大。
5．场效应晶体管一般采用自偏压（或栅极偏压）和分压式（或分压式自偏压两种偏置电路。
*********（选择题）***********
25．场效应晶体管源极输出器类似于（B）。A.共发射电路；B.共集电极电路；C.共基极电路
26．(D)具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管
C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管
27．当U GS＝0时，( B)管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管
28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B)。
A．N沟道JFET B．增强型PMOS管C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管
29、场效应管是利用外加电压产生的__B_来控制漏极电流的大小的。A. 电流 B. 电场 C. 电压
30、场效应管是__C__器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流
31、结型场效应管利用栅源极间所加的__A___来改变导电沟道的电阻。
A. 反偏电压
B. 反向电流
C. 正偏电压
D. 正向电流
32、场效应管漏极电流由__ C ___的漂移运动形成。A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子
33、P沟道结型场效应管的夹断电压U p为____A____。 A. 正值 B. 负值 C.u GS D. 零
34、N沟道结型场效应管的夹断电压U P为____B_____。 A. 正值 B. 负值 C. 零
35、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压U P为___ A _____。A. 正值 B. 负值 C. 零
36.当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。A.增大B.不变C.减小
====直流放大器、差分放大电路====
1．差分放大电路的输入电压U i1＝1 V，U i2＝0.98 V，则它的差模输入电压U id＝0.02 V，共模输入电压U iC＝0.99 V。
2．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。
3．两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为1000 倍，总电压增益为60 dB。
4．集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小零点漂移。
5．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为0 ，称为虚断。
6．集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。
7.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。
8.同相比例运算放大电路是一个深度的电压串联负反馈电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。
9. 参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
10．将交流电转换为直流电的过程称为整流。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为滤波。11．单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路、全波整流电路和桥式整流电路。
12．乙类互补对称功放由NPN 和PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。
1、静态时，让直接耦合放大器的输入端和输出端的工作电位为零电位，其工作电源往往采用正、负两组电源供电。直接耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会愈严重。
2．所谓温度漂移是环境发生变化，如电源电压和温度等因素的影响而引起漂移。为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级，均采用差动式放大电路。
3．差动式直流放大器的两种输入方式为差模输入和共模输入。评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的差模放大能力和共模抑制能力。
4．单端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入端和输出端的接地状况是输入和输出端各有一端接地。在单端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输入端接地。在双端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输出端接地。在双端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状是输入和输出端都没有接地点。
5．在差动式直流放大器中，R E的作用是通过电流负反馈来抑制管子的零漂。R E对共模信号呈现很强的负反馈作用；而对差摸信号则无负反馈作用。
6．比例运算放大器的输出电压和输入电压之比为固定常数。
7．当直接耦合放大器的输入信号为零时，它的输出电压作缓慢的和不规则的变化，这种现象称
10．在差动式直流放大器中，常用晶体三极管作恒流源来代替电阻ＲE。
11．根据反馈的相位不同，可分为正反馈和负反馈两种，在放大器中主要采用负反馈，正反馈主要用于振荡器。
12．所谓电压反馈是指反馈电量的大小与输出的电压成正比。所谓电流反馈是指反馈电量的大小与输出的电流成正比。
*********（选择题）***********
1．直流放大器可放大（C）。A．直流信号，B.交流信号；C.从直流信号到一定的工作频率的信号
2．差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于（A）。
A.有效地抑制零点漂移；
B.放大倍数增加；
C.输入阻抗增加
3．差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于（B）。
A.两个晶体三极管的放大倍数；
B.两个晶体三极管的对称程度；
C.各个晶体三极管的零点漂移
4．在典型的差动式直流放大器中，ＲE的作用是（B）。
A.对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性；
B．对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力；C．A和ｂ
５．在典型的差动放大器中，用恒流源代替ＲE的优点是（B）。
A.便于集成化；
B.避免辅助电源及E E的电压数值取得太高；
C.增加电压放大倍数
6．直接耦合放大器中，为了保证静态时输入端和输出端的工作电位为零电位，往往采用（C）。
A．正负两级电源供电； B.电位移动电路； C. A及B
7．在一个三级直接耦合放大器中，如各级的放大倍数均为10，各级自身的漂移输出均为0．01Ｖ，即当输入电压为零时，输出端的漂移电压最大为（C）。 A. 0.03V B. 0.11V C. 1.11V D、0.3V 8．造成直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是（C）。
A.电源电压的变化；
B.电阻、电容数值的变化；C．半导体器件参数的变化
9 ．差动式直流放大器以比直接耦合放大器，以多用一个晶体三极管为代价，换取（B）。
A.高的电压放大倍数；
B.抑制零点漂移能力，
C.电路形成对称
1. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 A 。
A 、严重
B 、轻微
C 、和放大倍数无关。
2. 电路的A d越大表示 C ，A C越大表示 A ，K CMR越大表示 B 。
A 、温漂越大
B 、抑制温漂能力越强
C 、对差模信号的放大能力越强
3. 复合管组成的电路可以 B 。
A 、展宽频带
B 、提高电流放大系数
C 、减小温漂
D 、改变管子类型
4. 由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 B 。
A 、很大
B 、很小
C 、不太大
D 、等于零
5. 集成运放有 B 个输入端和 A 个输出端。 A 、1 B 、2 C 、3
6. 集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过U I cmax时，集成运放 A 。
A 、不能正常放大差模信号
B 、输入级放大管将击穿
7、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都D。A. 大B. 小C. 宽D.窄
8、多级放大电路的级数愈多则上限频率f H越__B_______。A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄
9、多级放大电路的级数愈多则高频附加相移__A_______。A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄10．某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为K u，则总的电压放大倍数为( D )。
A.3Ｋu；
B.K u
C. Ｋu2
D.Ｋu3
11．选用差分电路的原因是( A)。A．减小温漂B．提高输入电阻C．减小失真D．稳定放大倍数
12．差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的( D)增大。
A．差模电压增益D．共模电压增益C．差模输入电阻D．共模抑制比
*13．功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( B )。A．输出功率B．放大器效率C．放大倍数D．负载能力
*14．由两管组成的复合管电路如图T3．2所示，其中等效为PNP型的复合管是( A)。
*15．OTL电路负载电阻R L＝10Ω，电源电压V CC=10 V，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为( B)W。A．10 B，5 C．2.5 D．1.25
10．集成运算放大器构成的放大电路如图T3．3所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uom＝±10 V，ui＝5 V，则该放大电路的输出电压为( C)V。A．-5 B．0 C．5 D．10
====运算放大电路====
11、现有电路：A 、反相比例运算电路 B 、同相比例运算电路C 、积分运算电路 D 、微分运算电路，根据下列要求，分别选择一个电路填入空内。（1）为了得到电压放大倍数为100 的放大电路，应选用B。（2）为了得到电压放大倍数为－50 的放大电路，应选用A。
1、运算电路中一般均引入负反馈。凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。1
2、本章习题中的集成运放均为理想运放。分别选择“反相”或“同相”填入下列各空内。
（1）反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
（2）同相比例运算电路的输入电阻大，而反相比例运算电路的输入电阻小。
（3）同相比例运算电路的输入电流等于零，而反相比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。
（4）同相比例运算电路的比例系数大于1，而反相比例运算电路的比例系数小于零。
13、（1）同相比例运算电路可实现Au＞1的放大器。（2）反相比例运算电路可实现Au＜0的放大器。（3）微分运算电路可将三角波电压转换成方波电压。（4）同相求和运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零。（5）反相求和运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。
==== 反馈====
1，将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负反馈，若使净输入增加，则引入的是正反馈。2．反馈信号只含有直流量的，称为直流反馈，反馈信号只含有交流量的，称为交流反馈。3．反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是电压反馈，若反馈信号取自输出电流，则是电流反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是串联反
馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是并联反馈。
4．负反馈虽然使放大电路的增益减小，但能使增益的稳定提高，通频带展宽，非线性失真减小。
5．电压负反馈能稳定输出电压，使输出电阻减小；电流负反馈能稳定输出电流，使输出电阻增大。
6．放大电路中为了提高输入电阻应引入串联反馈，为了降低输入电阻应引入并联反馈。
7．负反馈放大电路中，其开环电压放大倍数Au=90，电压反馈系数Fu=0.1，则反馈深度为10 ，闭环放大倍数为9 。
8．深度负反馈放大电路有：x i≈x f ，即x id≈0 。
*********（选择题）
1．放大电路中有反馈的含义是( C)。
A．输出与输入之间有信号通路B．输出与输入信号成非线性关系
C．电路中存在反向传输的信号通路D．除放大电路以外还有信号通路
2．直流负反馈在放大电路中的主要作用是( D)。
A．提高输入电阻B．降低输人电阻C．提高增益D．稳定静态工作点
3．并联负反馈能使放大电路的( B)。
A．输人电阻增大B．输入电阻减小C．输入电阻不变D．输出电阻减小
4．在放大电路中，如果希望输出电压受负载影响很小，同时对信号源的影响也要小，则需引入负反馈的类型为( A)。A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联
5．负反馈放大电路中，A为开环放大倍数，F为反馈系数，则在深度负反馈条件下，放大电路的闭环放大倍数且，近似为( B)。A．F B．1／F C．A D．1+AF
6、已知交流负反馈有四种组态：A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈，选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。
（1）为了增大输入电阻、减小输出电阻，应在放大电路中引入A。（2）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 A ；（3）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 B ；（4）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 C ；（5）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 D 。（6）为了获得稳定的电流放大倍数，应在放大电路中引入 D 。（7）为了减小从信号源索取的电流，并得稳定的输出电流，应在放大电路引入 C 。
7、选择合适答案填入空内。A．电压B．电流C．串联D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入A负反馈；（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入B负反馈；（3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入C负反馈；（4）为了减小放大电路的输入电阻，应引入D负反馈；（5）为了增大放大电路的输出电阻，应引入B负反馈；（6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入A负反馈。
8、在输入量不变的情况下，若引入反馈后D ，则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小
9、直流负反馈是指 C 。A．直接耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大直流信号时才有的负反馈C．在直流通路中的负反馈
10、交流负反馈是指C 。A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈
11、为了实现下列目的，应引入：A．直流负反馈B．交流负反馈
（1）为了稳定静态工作点，应引入 A ；为了稳定放大倍数，应引入 B ；（2）为了改变输入电阻和输出电阻，应引入 B ；为了抑制温漂，应引入 A ；为了展宽频带，应引入 B 。
12、对于放大电路，所谓开环是指B 。A．无信号源B．无反馈通路C．无电源D．无负载
而所谓闭环是指B 。A．考虑信号源内阻B．存在反馈通路C．接入电源D．接入负载
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
一 1．PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，所以PN结具有单向导电性。 2．有三个单管BJT放大电路，已知其电压增益分别为A v1＝20，A v2＝－10，A v3＝1，则可知它们分别为共基极放大电路、共发射极放大电路、共集电极放大电路。 3．乙类互补功率放大电路存在交越失真，可以利用甲乙类类互补功率放大电路来克服。 4．电压负反馈将使输出电阻减小，电流负反馈将使输出电阻增加。 二 1．整流电路是利用二极管的单向导电特性组成的，因此能将正负交替的正弦交流电压整流为直流电压。 2．工作在放大区的某三级管，当I B从20μA增达到40μA时，I c从1mA变为2mA，则它的β值约为50 。 3．表征场效应管放大作用的重要参数是g m，它反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。 4．滤波电路按照通带和阻带的相互位置不同可分为高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器。 5．为了稳定放大电路的静态工作点，可采用直流负反馈。为了改善稳定放大电路的动态性能，可采用电压负反馈。
1．稳压二极管稳压时是处于 反向 偏置状态，而二极管导通时是处于 正向 偏置状态。 2．在有源滤波器中，运算放大器工作在 线性 区；在电压比较器中，运算放大器工作在 非线性 区。 3．差分放大电路能够抑制 共模 信号，放大 差模 信号。 4．当NPN 型晶体管工作在放大区时，各电极电位大小关系为u C > u B > u E 。 5．正弦波振荡电路产生自激振荡的相位条件是 () 2,1,02==+n n F A π?? ，幅值条件是 1=? ?F A 。 四 1．P 型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。 2．稳压管在使用时应与负载 并联 ，并与输入电源之间必须加入一个 限流电阻 。 3．用万用表判断放大电路中处于正常放大工作的某个半导体三极管的类型和三个电极时，测出 各电极对地电位； 最为方便。 4．幅频失真和相频失真属于 线性 失真，截止失真和饱和失真属于 非线性 失真。 5．某差分式放大电路两输入端的信号为v i1=12mV ，v i2=4mV ，差模电压放大倍数为A vd ＝－75，共模电压放大倍数为A vc ＝－0.5，则输出电压v o 为 -604mv 。 6．负反馈放大器的闭环增益方程是 F A A A F +=1 。 7．理想情况下，_______高通滤波器_______在f →∞时的电压增益就是其通带电压增益
《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模电测试题A 班别：姓名：学号： 一、填空题（每空1分，共24分） 1、晶体管放大电路常采用分压式电流负反馈偏置电路,因为它具有稳定静态工作点的作用。 2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数__为1____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗__低___, 3、三种不同耦合方式的放大电路分别为:___直接耦合__、___阻容耦合__和__变压器耦合__，其中__直接耦合__能够放大缓慢变化的信号。 4、三端集成稳压器CW7912的输出电压为____-12____ V，而CW7809的输出电压则为 5、如图所示是一个共射单管放大器的输出电压波形,假定晶体管是PNP 型,则该信号的削波属于____饱和_______失真,将偏流电阻Rb调__大 ______可以消除失真。 6、图中二极管为理想器件，V1工作在_截止_ 状态； V2工作在____导通_______ 状态；UA为____-3_______ V。 7、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为40dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_60__d B，总的电压放大倍数为_____1000_______。 8、在典型的差动放大电路是,Re对_共模信号呈现很强的负反馈作用,而对__差模___信号则无负反馈作用. 9、差动放大电路，若两个输入信号u I1 = u I2，则输出电压，u O = 0；若u I1 = 80 μV，u I 2 = 20 μV则差摸电压u Id =30μV；共摸电压u Ic = 50μV。 10、有一负反馈放大器，在闭环时，当输入电压为0.1V时，输出电压为2V，而在开环时，对于0.1V的输入电压其输出电 压则有4V。该反馈的深度等于__2_____，反馈系数等于____0.025____。 二、选择题（把正确答案的序号填入下表内，每题2分,共36分） 1、二极管两端加上正向电压时( )。 A．一定导通 B．超过 0.3V 才导通C．超过死区电压才导通 D．超过 0.7V 才导通 2、若要提高放大器带负载能力，并对信号源的影响小，可采用的反馈组态为（）。 A. 电压串联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 3、集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。 A.增大放大倍数 B．减小温漂 C．提高输入电阻 D.提高稳定性 4、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ，则负载两端的平均电压是（）。 A.100V B.90V C.45V D.141V 5、工作在反向击穿状态的二极管是( )。 A．一般二极管 B．稳压二极管 C．发光二极管 D 光敏二极管 6、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是( )。 7、如图所示电路中集成运算最大输出电压为±10V，则输出电压Uo=（）。 A.0V； B.5V； C.+10V； D. -10V 8、理想集成运放工作在线性区时有（）。 A. U + = U ? B. U + > U ? C. U + < U ? D. 无法确定 9、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 10、测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____ A. 80 B. 60 C. 75 D. 100 11、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。 A.增加一倍 B.为双端输入时的一半 C.不变 D.不确定 12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.3V，则这只三极管是( )。
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2 =80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压 u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω ， R E 2.1k Ω， R L 3.9k Ω ， r bb’ Ω，电流放大系数β50，电路中电容容量足够 大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ 0.6V )； 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 R L
模电题目 一、填空题 1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。 2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。 3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。 3.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。 5．集成运放主要包括输入级、(中间放大级)、(输出级)和 (偏置)电路。其中输入级一般采用(差模)电路。 6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。 7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。 8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。 9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。 10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器 11．半导体二极管具有（单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。 12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种( 电压) 控制型器件。 13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。 14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。 15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。 16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。 17．在一个交流放大电路中，测出某晶体管三个管脚对地电位为：（1）端为1.5V，（2）端为4V，（3）端为2.1V，则（1）端为（发射）极；（2）端为（集电）极；（3）端为（基）极；该管子为（NPN）型晶体管。 18．若要设计一个输出功率为10W的乙类功率放大器，则应选择PCM至少为（4 ）W的功率管两只。 19．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为（电流），输入端比较量为（串联）的负反馈放大器，它使输入电阻（增大），输出电阻（增大）。 20．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（增大）。 21. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈（阳性）；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（感性）；其余情况下石英晶体呈（容性）。
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍, 即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A . T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A . 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u o 的最大值为（ B ）。 A. 5 V B . 7 V C. 2 V 二、填空题：（总 16 分，每空 2 分）
第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ )
1、工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚。两 个输入端的电位相等称为虚，若反相输入情况下同相端接地，反相端又称为虚。即使理想运放器在非线性工作区，虚结论也是成立的。 2、稳定静态工作点应加反馈；稳定放大倍数应加反馈；稳定 输出电压应加 \ 反馈；稳定输出电流应加反馈。 3、正弦波振荡电路发生自激振荡的相位平衡条件是；振幅平衡条件 是1 A . F = 4、集成运放实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路，内部通常 包含四个基本组成部分，即、、和。 5、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同，正反馈使放大倍数；负反 馈使放大倍数，但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是稳定静态工作点，不影响放大电路的动态性能，所以一般不再区分它们的组态。 6,测得工作在放大电路中的晶体三极管电流如图1所示，该管 是_______管，1、2、3脚依次为_________、_________、_________，β为_________。 7.用示波器观察PNP管共射单级放大器输出电压得到图2所示两种失 真波形，试指出失真类型a：_________，b：_________. 1.图2 8.电压并联负反馈放大器是一种输出端取样量为_______，输入端比较量为______的负反馈放大器，它使输入电阻________，输出端电阻______ _。9．10V的直流电压加在一个10Fμ的电容两端，则流过电容的电流等于A。 10.．某电阻两端的电压是10V，流过的电流是2A，则该电阻阻值等于 __________Ω。 11．差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__________
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
模拟电子技术 胡宴如（第3版）自测题 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
模电自测题 分析与计算（本题共60分）： 1．(本小题15分)放大电路如图1所示，电路中电容容量足够大，三极管的β＝50，r bb’＝200Ω，U BE＝0.6V，R B1＝120KΩ，R B2＝40KΩ，R C＝R L＝4KΩ，R E＝2.1KΩ，V CC＝12V，信号源内阻R S＝10KΩ， （1）估算电路的静态工作点I BQ、I EQ、U CEQ； （2）画出微变等效电路； （3）计算电路的放大倍数 A 、us A 、输入电阻R i和输出电阻R o的值。 u （4）去掉旁路电容C E，求电压放大倍数 A ，输入电阻R i。 u 2．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算深度负反馈的闭环电压增益A usf。 图1 图2 3．(本小题10分) 在图3中，已知u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o可能的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 图3 4．(本小题15分) 图4所示电路中，A1～A5都是理想运放。
（1）当开关S闭合时，计算： u、2o u、3o u、4o u及o u的值。 1 o （2）t＝0时，将S打开，则经过多少时间， u＝0V ？ o 图4 5．(本小题10分)电路如图5所示，Vcc＝20V，R L＝8Ω，则：（1）该电路是什么电路？T1，T2，T3以及D1，D2的作用是什么？（2）当U i＝1sinωt（V），A US＝－10倍时，计算电路的最大输出功率P om。 图5 答案 四、分析与计算（本题共60分）：
1．(本小题15分) 解:(1) V 9.22 1 2 B B B B =?+= CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U U mA 09.1E E E C == ≈R U I I mA 02.0E B == β I I V 46.5)(C E C CC CE =?+-=I R R V U Ω =+=k ..4109 12651 200r be （2）略 (3) 70 ) //(be L C -≈- =r R R A u β Ω ≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω ==k 9.3C O R R 8 17s i i s o s .A R R R u u A u u -≈+= = Ω ≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 9 01E be L C u .R )(r )R //R (A -≈++- =ββ 2．(本小题10分) 解：直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流，交流时通过R f 形成电流并联负反馈，R f 与R e2构成反馈网络，F ＝I f /I o ，A usf ＝Uo/Us ＝IoR C2/I f Rs ＝R C2/RsF ＝（1＋R f /R e2）R C2/Rs 3．(本小题10分) 解：（1）正常情况下，U o ＝U L ＝（1.1～1.2）U 2＝11～12V 。（2）电容虚焊时，成为单相桥式整流电路，U o ＝0.9U 2＝9V 。（3）R L 开路时，U o ＝ 2 U 2＝14.14V 。（4）一只整流管和电容C 同时开路 时，成为半波整流电路，U o ＝0.45U 2＝4.5V 。 4．(本小题15分) 解：（1）S 闭合时，U D ＝0，U B ＝1V ，uo1＝2V ，uo2＝－1V ，uo3＝0V ，uo4＝1V ，uo ＝－6V ；（2） o u ＝0V 时， 30 215 23-= +o u ，得uo3＝－3V ，S 打开时，由uo3＝－ ?t o dt u C R 0 121，得t ＝0.03秒。 5．(本小题10分) 解：（1）为功率放大电路，T3所在电路是电压放大，T1和T2组成互补对称甲乙类功率放大，D1和D2用来消除交越失真。（2）P om ＝6.25W 。
填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5
(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。
`0001 01A1 在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。 `0002 01A1 在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。 `0003 01A1 PN结的导电特性是。 `0004 01A2 为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。 `0005 02A1 夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。 `0006 02A1 场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。 `0007 02A1 共射放大电路中输出电压与输入电压相位。 `0008 02A1 在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。 `0009 02A1 双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。 `0010 02A1 场效应管三个电极分别为极、极和极。 `0011 02A1 在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。 `0012 02A2 在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。 `0013 02A2 场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。 `0014 02A2 场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型 `0015 02A2 单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。 `0016 02A2 在电子线路中，一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力，R O越小，则带负载的能力。 `0017 02A2 双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。 `0018 02A2 双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。 `0019 02A3 单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。 `0020 02A3 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为。`0021 02A3 如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻。`0022 03A1 设计一个输出功率为20W的推挽放大器，若用乙类OCL电路，则应选功放管的最大允许管耗P cm必须大于（）W。 `0023 03A1 多级放大电路中常见的耦合方式有：，，，。 `0024 03A1 对差动放大电路来说，有用的或要放大的信号是信号；无用的或需要抑制的信号是信号。 `0025 03A1 大小相等、极性相反的信号称为信号；大小相等、极性相同的信号称为信号 `0026 03A2 乙类推挽功率放大器的（）较高，但这种电路会产生（）失真。为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在（）类状态。`0027 03A2 在设计OTL功率放大器时，选择功率放大管时要特别注意P CM大于（），V（BR）CEO大于（），I CM大于（）三个条件。 `0028 03A2 在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做。 `0029 03A2 多级直流放大电路最主要的问题是问题，解决的办法是采用电路。 `0030 03A2 甲类放大电路功放管导通角等于；乙类放大电路功放管导通角等于；甲乙类放大电路功放管导通角为。`0031 03A3 正常时OCL功率放大器的中点电压应为（），OTL功率放大器的中点电压应为（）。 `0032 03A3 在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功放管导通角最小的是类放大电路 `0033 03A3 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的很大。 `0034 04A1