DDR和DDR2，DDR3从外观上的区别
1、防呆缺口DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
2、DDR内存的颗粒为长方形，DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形，而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一。
3、使用电压不同DDR2的电压1.8VDDR3的电压1.5V.
4 DDR1内存全是采用引角焊接技术，DDR2内存都是BGA焊接技术。
所谓的BGA焊接技术就是看不见引角有点象芯片用胶粘在PCB板上的
5 内存上有型号和编号可以知道PC4200 以上包括PC4200 都是DDR2的
DDR
DDR2
DDR3
关于DDR与DDR2的整理，ddr1与ddr2的区别
什么是 DDR？
DDR 内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称，全称 :Double Data Rate,DDR 内存是 SDRAM 向前发展的产品，本质上与 SDRAM 完全相同。
什么是 DDR2？
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。
什么是 DDR1？
有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用“DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。
区别分析:
DDR2 不能向下兼容 DDR, DDR2 内存芯片与内存模组与 DDR 有很大差异。例如，DDR2
的工作电压为 1.8 伏，低于 DDR 的 2.5 伏。
DDR2 DIMMs 不能插入 DDR 的插口，反之也不能，因为内存模组有专门的“ 键” 或者插口与其连接器相连。这些键必须与存储器中的一个键相连，才能插入模块。所有 DDR 和DDR2 模块类型是不同的，以防止插入了不兼容的插口。
如果外观看，很难区别 DDR2 和 DDR 主板。
特别提醒:
当 DIMM 键与插口键不匹配时，不要强行插入模组。
问：内存ddr1和ddr2的区别是什么？533 400 800是什么意思？
DDR1和DDR2分别是两个不同接口的。DDR1内存在一个周期内执行2条指令，当他工作频率是200MHZ时，就是我们常说的DDR400，同样道理，市场上还有DDR333，466，566，677甚至800的内存。
对于DDR2来说，因为设计的原因，它在1个周期内能解决4条指令，换句话说，工作频率同样是200的DDR2内存，我们称其为DDR2 800。
现在的新配机器已经都采用了DDR2作为标准的DIMM内存。包括AMD刚刚上市的AM2处理器也集成了DDR2内存控制器。可以这么说，除非是老机器升级内存可以选购DDR400内存，一般新配机器基本都是DDR2533或DDR2667的内存。
同代产品向下兼容，DDR1的333 和DDR1的400 可以混插，不同代的DDR不能混用。
软件的话用EVEREST比较准而且全面，能看整个电脑所有的硬件而且可以简单测试CPU 和内存的性能，CPU-Z体积比较小巧但只能测CPU和内存及主板。
如何从外观上区分ddr1和ddr2内存条？
一般DDRII内存的内存颗粒都是比较小，一眼就可以看到。还有就是一般在内存的品牌铭牌上面都会标注有（贴在内存颗粒上的）；
另外就是DDR内存是184pin，也就是说金手指那里是两面一共是184个触点，而DDRII 是240pin，240个触点。通过观察就会发现DDRII的金手指触片较细较密。
下图是金士顿DDR400 1G内存条图片
下图是金士顿DDRII667 1G内存条图片
DDRII667 1G 内存条图片
DDRII667 2G内存条图片
从外观区别DDR和DDR2，DDR3
收集者：小路发布于：https://www.doczj.com/doc/906919907.html, 发布时间：2009-11-18 13:29:41 发布人：小路
1、DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.
2、DDR内存的颗粒为长方形
DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一
DDR2和防呆缺口 DD
3、使用电压不同
DDR2的电压1.8V DDR3的电压1.5V
参数不同之处https://www.doczj.com/doc/906919907.html, 好好购淘宝导购网
下一代DDR3内存技术与DDR2的区别
作者：海枫
DDR2内存的好日子还没过上几天，它的下一代产品DDR3又成为了人们关注的对象。在本届2006台北Computex会展上，威刚科技向人们展示了新一代的DDR3内存。威刚此次展示的vitesta DDR3无缓冲DIMM内存包括DDR3-1066和DDR3-1333两种规格，单条容量均为1GB，针脚数240，核心电压1.5+/-0.1V，延迟设定为CL7，虽然DDR3与DDR2一样存在高延迟的缺点，不过DDR3比DDR2拥有更高频率的优势。威刚科技表示，此次仅展示了
DDR3-1066/1333规格，但DDR3 1666也会很快到来。
在威刚最新推出的DDR3内存中，加入了数据同步设计（Data Synchronization），使电压降低为1.5V，这对以省电为诉求的笔记本计算机而言，电池续航力增加，电池寿命及热量可得到更好的改善。威刚DDR3系列初期将提供512M、1G容量规格，采用BGA封装，未来根据市场需求，相对地会推出2GB和4GB的更高容量。
目前DDR2尚未完全取代DDR内存，在目前的整机环境下，DDR2基本能够满足各类型电脑的应用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有哪些优势，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另外，也是由于速度提高的缘故，内存的
地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：
1．更高的外部数据传输率
2．更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
3．在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 DDR3与DDR2几个主要的不同之处：
突发长度（Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop （突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因
此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方?
DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM 的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR2的详解
RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。
RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。
“上古”时代的FP/EDO内存，由于半导体工艺的限制，频率只有25MHz/50MHz，自SDR以后频率从66MHz一路飙升至133MHz，终于遇到了难以逾越的障碍。此后所诞生的DDR1/2/3系列，它们存储单元官方频率（JEDEC制定）始终在100MHz-200MHz之间徘徊，非官方（超频）频率也顶多在250MHz左右，很难突破300MHz。事实上高频内存的出错率很高、稳定性也得不到保证，除了超频跑简单测试外并无实际应用价值。既然存储单元的频率（简称内核频率，也就是电容的刷新频率）不能无限提升，那么就只有在I/O （输入输出）方面做文章，通过改进I/O单元，这就诞生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的内存种类。
通常大家所说的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其实并非是内存的真正频率，而是业界约定俗成的等效频率，这些DDR1/2/3 内存相当于老牌SDR内存运行在400MHz、800MHz、1600MHz时的带宽，因此频率看上去很夸张，其实真正的内核频率都只有200MHz 而已！
内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。核心频率即为内存Cell阵列(Memory Cell Array，即内部电容)的刷新频率，它是内存的真实运行频率；时钟频率即I/O Buffer（输入/输出缓冲）的传输频率；而有效数据传输频率就是指数据传送的频率。
近年来内存的频率虽然在成倍增长，可实际上真正存储单元的频率一直在133MHz-200MHz之间徘徊，这是因为电容的刷新频率基本到了上限。而每一代DDR的推出，都能够以较低的存储单元频率，实现更大的带宽，并且为将来频率和带宽的提升留下了一定的潜力。
虽然存储单元的频率一直都没变，但内存颗粒的I/O频率却一直在增长，再加上DDR 是双倍数据传输，因此内存的数据传输率可以达到核心频率的8倍之多！
相信很多人都知道，DDR1/2/3内存最关键的技术就是分别采用了2/4/8bit数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍，与此同时I /O控制器也必须做相应的改进。预取，顾名思义就是预先/提前存取数据，也就是说在I/O控制器发出请求之前，存储单元已经事先准备好了2/4/8bit 数据。简单来说这就是把并行传输的数据转换为串行数据流，我们可以把它认为是存储单元内部的Raid/多通道技术，可以说是以电容为单位的。
这种存储阵列内部的实际位宽较大，但是数据输出位宽却比较小的设计，就是所谓的数据预取技术，它可以让内存的数据传输频率倍增。试想如果我们把一条细水管安装在粗水管之上，那么水流的喷射速度就会翻几倍。
DDR3内存的优势：低功耗低发热
通过8bit预取技术，DDR3内存的有效频率在DDR2的基础上再次翻倍，延续了SDR/DDR的生命。但DDR3并非是片面提升频率从而得到高带宽，实际上DDR3除了高频率之外，还有很多不为人知的优点。
工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%
众所周知，半导体芯片的功耗与晶体管数成正比，与工作电压的平方成正比，所以电压对其功耗与发热的影响最大。和CPU/GPU的发展类似，DRAM在提高频率和容量的同时，电压也在不断的降低。DDR1的标准电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。
理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%！
但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好的印象。
使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降。
时代在发展工艺在进步，DDR3作为最新产品自然会使用最先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降33%，还不到DDR2的一半！
经常关注笔记本的朋友应该会发现2008下半年很多品牌都开始标配DDR3内存，笔记本领先台式机开始普及DDR3，虽然笔记本CPU尚无法利用到DDR3内存的巨大带宽，但超低的功耗是非常诱人的，一些专为笔记本设计的内存将电压进一步降至1.35V，功耗仅为DDR2的37%，确实不可思议！
DDR3的最大误区：相对延迟变大，绝对延迟变小
在DDR3发布初期，由于其性能表现并没有想象中的那么好，所以很多人认为DDR3被它较高的延迟拖了后腿，事实上这个论调在DDR2初代内存身上也出现过，并不稀奇。那么DDR3真的是延迟太高影响性能了吗？
DDR3的I/O频率相比DDR2有了成倍的增加，为了保证高频率下数据精确的传递，DDR3的总体延迟相比DDR2有所提高。这些延迟的提高会一定程度上造成内存性能下降，但绝不会超过高频率带来的性能提升。事实上除了理论CL值这些延迟之外，内存真正的延迟还与工作频率有关。
片面地认为CL数值大就是DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的CL6-6-6，其内存延迟均为15ns。
内存实际延迟= CL值*1000/IO频率
通过公式代入计算就能得出，DDR3-1066 C7、DDR3-1333 C8、DDR3-1600 C9的实际延迟都要低于DDR2默认的15ns，和主流的DDR2-800 C5差不多。不论DDR2还是DDR3都有高频低延迟的型号，DDR3依然占据上风。
3个的区别是频率，还有延时，DDR1的最高速度是DDR400，DDR2最高可达1150（极个别的超频条子），而DDR3最低都有1333左右，这个就跟电脑处理器的主频是差不多的，但是呢，随着频率的提高，延时也加大了，所以，最低的DDR3速度不会比最高的DDR2快，同样，DDR2 533也比DDR400快不到哪里去。但同一类型不同频率的内存可以混用，只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的工作频率这样会造成性能浪费.
SDR有PC-100 和PC-133
DDR有226 333 400
DDR2有533 667 800 1066
DDR3有1066 1333 1600 2000 甚至更高
DDR3和DDR4内存有什么区别？ 与上一代DDR3内存相比，新一代DDR4内存的性能有了很大的提高，功耗也大大降低了。令所有人兴奋的是，它的价格目前与DDR3几乎相同。这将不可避免地使新安装的用户感到兴奋。 ddr3和ddr4可以一起使用吗，并且可以形成双通道吗？ 不幸的是，由于DDR4内存的接口已更改，因此新一代DDR4内存不再与旧主板兼容。目前，仅与Intel第六代CPU对应的100系列主板与DDR4兼容。至于AMD主板，只有在今年推出新的AM4接口之后才能添加对DDR4内存的支持。当前，市场上的所有AMD 平台都不支持DDR4内存。 由于接口的更改，DDR4内存中有284个金手指触点，每个触点之间的距离仅为0.85 mm（DDR 3内存中有240个金手指触点，距离为1mm）。由于这种变化，DDR4存储器的金手指部分还设计为在边缘的中部和边缘略显突出，在中心的高点和两端的低点之间具有平滑的曲线过渡。因此，DDR4具有弯曲作用，并且DDR4防呆端口的位置比DDR3更靠近中间。 DDR3和DDR4插座不同 由于兼容主板不同，因此无法普遍使用DDR4和DDR3内存，更不用说DDR3 + DDR4构成双通道了。ddr3和ddr4内存有什么区别？
1. DDR4内存芯片的外观变化明显，金手指弯曲 2. DDR4内存频率明显提高，达到4266MHz 3. DDR4内存容量显着增加，达到128GB 4. DDR4的功耗大大降低，电压达到1.2V甚至更低 ddr4和ddr3之间是否存在较大的性能差距？ 独立主机几乎没有改善，游戏性能最多可以提高10％。但是，与1600的ddr3相比，APU和集贤的游戏性能最多可以提高40％。总之，DDR4和DDR3内存不是通用的，并且不兼容。但是，目前市场上有DDR4和DDR3内存支持的100系列主板，对此类非主流主板的需求相对较小，因此不推荐使用。由于匹配了最新的平台，因此新平台的意义将在DDR3内存上失去。此外，旧的组装计算机用户不应该一时冲动购买DDR4内存，因为DDR4需要新一代100系列或200系列主板的支持，因此完全不能使用旧主板。如果您真的想体验DDR4内存的作用，则必须组装一台新计算机。
1．DDR的发展： 2003年秋季Intel公布了DDR2内存的发展计划。而随着当时CPU 前端总线带宽的提高和高速局部总线的出现，内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。处于主流DDR技术已经发展到极至，因此DDR2脱颖而出。 DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准 DDR内存的4bit预读取能力。下图为DDR和DDR2预读取能力的对比。 DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下（由2.5V降为1.8V），DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在 200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是 DDR的核心频率很难突破 275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 2007年中Intel表示支持DDR3的发展，随后DDR3慢慢走上了历史的舞台，根据由JEDEC协会所制定的规格来看，由技术面来切入DDR3与DDR2的异同点，DDR3拥有高频率低电压的优点，DDR3可以比DDR2运作时省下约30%的电力，速
度方面DDR3从800Mbps起跳最高可以至1600Mbps，几乎是DDR2的二倍速度，正因为高传输率的关系，DDR3可以在一个时序(Clock)之中传出8bit的数据，比起DDR2的4bit也是二倍的数据传输量，低电压更是DDR3的优势之一，1.5V 的电压比DDR2的1.8V降低了17%。 下面的图表总结了DDR，DDR2，以及DDR3的一些重要的区别： 2、认识内存相关工作流程与参数 首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。 DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）就是逻辑Bank （Logical Bank，下面简称Bank）。
DDR3和DDR4的区别 近两年是DDR4内存大行其道的时间，海量的DDR4产品流入市场，并迅速占领市场份额，但DDR3仍然占领者市场的半壁江山，许多用户在选购内存时都不知道该如何选择，毕竟同样容量的两者价格相差也不大。那么两者究竟有哪些区别呢？ 1.外观 在外观上两者差别不大，一般只能通过标签上的信息和卡槽位置不同来辨别。 在卡槽方面，DDR4相比较于DDR3，卡槽的缺口位置更靠近中央，台式机内存金手指的触点数量上从240个增加到284个，触点之间的间距从1mm缩小到0.85mm，毕竟在总长度不变的情况下（133.35±0.15mm），数量增加间距就变小了。笔记本专用
的内存条金手指触点数量从204个增加到256个，间距从0.6mm缩小到0.5mm。高度方面都有略微的增加，不过并不是影响使用的参数，一般不做考虑。 另外一个非常显著的特点就是，台式机4代内存的金手指水平方向上进行了更改，不再是一条平直的线，而是略带弯曲，即中间略长、两头略短，这样的设计主要是为了更加方便内存条的插拔。但笔记本的内存金手指并没有做这样的设计，毕竟笔记本的内存很少存在插拔的情况。
2.容量 在容量上面，ddr3和ddr4代的常规规格分别是4G和8G、8G和16G。 DS技术（3-Dimensional Stack，三维堆叠）是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量，从理论上讲单条最大128G，不过并没有在消费级产品中实现，况且容量越大，其对应的价格也就越高昂，普通消费者难以承受，并且随着系统和应用对内存容量需求越来越大，目前市面上主要流通的就是8GB和16GB这两个容量规格，4G容量的ddr3内存都在逐渐退出市场。 3.频率 频率一直是内存产品的重要参数之一，几乎大部分用户在选购内存时，第一看容量，第二就会看频率，毕竟频率是关系到性能的重要展现。ddr3的频率在过去的时间里被我们所熟悉，看到这些数字第一时间都会联想到是内存频率，从早期的800、1066到中期的1333、1600再到后期的1866、2133、2400，ddr3内存可以说陪伴我们近10年之久，不过一般2133和2400存在于超频领域比较多。 而对于ddr4内存而言，其频率是2133起跳，目前常见的频率是2133、2400、2666、2800、3000、3200这几个，主流消费级的频率集中在2133和2400这两个频率，3000+基本存在于超频领域，日常需求根本用不到这么高的频率。 4.电压 在电压方面，内存产品的电压是在一路走低，常见工作电压见下表
D D R与D D R的区别分析 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】
D D R4时代将来临D D R4与D D R3区别解析 令人期盼已久的DDR4时代终于来临了！那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？星宏伟业跟大家一起来看一下： 内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 内存频率提升明显，可达4266MHz 内存容量提升明显，可达128GB 功耗明显降低，电压达到、甚至更低 很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。 其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMMDDR4内存有256个触点，SO-DIMMDDR3有204个触点，间距从毫米缩减到了毫米。 第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。 频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是s，比之DDR3-1866高出了超过
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机处理器 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。 什么是DDR1? 有时候大家将老的存储技术DDR 称为DDR1 ，使之与DDR2 加以区分。尽管一般是使用“DDR” ，但DDR1 与DDR 的含义相同。 DDR1规格 DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格）DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR 规格）DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） [1][2][3]什么是DDR2?
DDR3基本知识 一、DDR3简介 DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。 DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。虽然如此，DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。 二、DDR存储器特性 1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据 DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取 数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。 2) 工作电压低 DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。 3) 延时小 延时性是DDR存储器的另一特性。存储器延时性可通过一系列数字体现，如用于DDR1的2-3-2-6-T1、3-4-4-8或2-2-2-5。这些数字表明存储器进行某一操作所需的时钟脉冲数，数字越小，存储越快。 这些数字代表的操作如下：CL- tRCD – tRP – tRAS – CMD。要理解它们，您必须牢记存储器被内部组织为一个矩阵，数据保存在行和列的交叉点。 ?CL：列地址选通脉冲（CAS）延迟，是从处理器发出数据内存请求到存储
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别 转贴 DDR2与DDR的区别 （1）DDR的定义： 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR 内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR 内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。 然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR 内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II 封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 要注意的是：DDR2不兼容DDR，除非主板标明同时支持。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题：
各类内存条DDR2和DDR3的区别 电脑内存条的作用、类型以及内存插槽。 内存条的作用 内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。其是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU 的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。 内存条类型和接口 一、DIMM（双inline记忆模块，双列直插内存模块）SDRAM接口；SDRAM dimm 为168Pin DIMM结构，如下图。金手指没面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入接口时，错误将内存反方向插入导致烧毁。 不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超
频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的 PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些 PC150、PC166规范的内存。 尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 二、DDR内存，DIMM DDRAM内存接口采用184pin DIMM结构，金手指每面有92pin，如下图所示（DDR内存金手指上只有一个卡口） 有184针的DDR内存（DDR SDRAM） SDRAM 内存条 [/caption] 芯片和模块 标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式 模组名称极限传输率 DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-1600
DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）二 原文地址：* DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）二作者：andyhzw 1．结构框图： 2．管脚功能描述
3．状态图： Power on: 上电 Reset Procedure: 复位过程 Initialization: 初始化 ZQCL: 上电初始化后，用完成校准ZQ电阻。ZQCL会触发DRAM内部的校准引擎，一旦校准完成，校准后的值会传递到DRAM的IO管脚上，并反映为输出驱动和ODT阻值。
ZQCS: 周期性的校准，能够跟随电压和温度的变化而变化。校准需要更短的时间窗口，一次校准，可以有效的纠正最小0.5%的RON和RTT电阻。 Al：Additive latency.是用来在总线上保持命令或者数据的有效时间。在ddr3允许直接操作读和写的操作过程中，AL是总线上的数据出现到进入器件内部的时间。 下图为DDR3标准所支持的时间操作。 Write Leveling:为了得到更好的信号完整性，DDR3存储模块采取了FLY_BY 的拓扑结构，来处理命令、地址、控制信号和时钟。FLY_BY的拓扑结构可以有效的减少stub的数量和他们的长度，但是却会导致时钟和strobe信号在每个芯片上的flight time skew,这使得控制器（FPGA或者CPU）很难以保持Tdqss ,tdss和tdsh这些时序。这样，ddr3支持write leveling这样一个特性，来允许控制器来补偿倾斜（flight time skew）。存储器控制器能够用该特性和从DDR3反馈的数据调整DQS和CK之间的关系。在这种调整中，存储器控制器可以对DQS信号可调整的延时，来与时钟信号的上升边沿对齐。控制器不停对DQS进行延时，直到发现从0到1之间的跳变出现，然后DQS的延时通过这样的方式被建立起来了，由此可以保证tDQSS。 MRS: MODE Register Set, 模式寄存器设置。为了应用的灵活性，不同的功能、特征和模式等在四个在DDR3芯片上的Mode Register中，通过编程来实现。模式寄存器MR没有缺省值，因此模式寄存器MR必须在上电或者复位后被完
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电 脑维修培训】 课前热身 图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。 (图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别 防呆缺口：位置不同防插错 图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。 比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2 内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。 芯片封装：浓缩是精华 在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。 (图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚 FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。 (图3)DDR2和DDR3的方形内存颗粒-这是DDR2/DDR3与DDR一大显著差别 速度与容量：成倍提升 前面我们教大家如何计算内存带宽大小，其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽，这样才可以满足CPU的数据传输要求。
标题：Spartan6 FPGA 读写DDR3出现有规律的错误？ 问题描述： 1、我在调试DDR3时，用了一片MT41JM16JT-15E的DDR3，此片FLASH与SP605开发板相比MT41JM16JT-187E（本来想定此款的，但是此款没有工业级的）。遇到了如下几个问题： ●用了MIG生成之后DDR3控制器之后，参考ug388和ug416，按照步骤发现数据 全部正确的，灯也正常。 ●在XPS中修改原有基于SP605的设计，其结果如下： BEGIN mpmc PARAMETER INSTANCE = MCB_DDR3 PARAMETER C_NUM_PORTS = 1 PARAMETER C_PORT_CONFIG = 1 PARAMETER C_MCB_LOC = MEMC3 PARAMETER C_MEM_CALIBRA TION_SOFT_IP = TRUE PARAMETER C_MEM_SKIP_IN_TERM_CAL = 0 PARAMETER C_MEM_SKIP_DYNAMIC_CAL = 0 PARAMETER C_MCB_RZQ_LOC = K7 PARAMETER C_MCB_ZIO_LOC = M7 PARAMETER C_MEM_TYPE = DDR3 PARAMETER C_MEM_PARTNO = CUSTOM PARAMETER C_MEM_ODT_TYPE = 1 PARAMETER C_MEM_DATA_WIDTH = 16 PARAMETER C_PIM0_BASETYPE = 2 PARAMETER HW_VER = 6.03.a PARAMETER C_MPMC_BASEADDR = 0x88000000 PARAMETER C_MPMC_HIGHADDR = 0x8FFFFFFF PARAMETER C_MEM_PART_DATA_DEPTH = 64 PARAMETER C_MEM_PART_DATA_WIDTH = 16 PARAMETER C_MEM_PART_NUM_BANK_BITS = 3 PARAMETER C_MEM_PART_NUM_ROW_BITS = 13 PARAMETER C_MEM_PART_NUM_COL_BITS = 10 PARAMETER C_MEM_PART_CAS_A_FMAX = 333 PARAMETER C_MEM_PART_CAS_A = 5 PARAMETER C_MEM_PART_TRRD = 7500 PARAMETER C_MEM_PART_TRCD = 13500 PARAMETER C_MEM_PART_TCCD = 4 PARAMETER C_MEM_PART_TWR = 15000 PARAMETER C_MEM_PART_TWTR = 7500 PARAMETER C_MEM_PART_TREFI = 7800000 PARAMETER C_MEM_PART_TRFC = 110000 PARAMETER C_MEM_PART_TRP = 13500 PARAMETER C_MEM_PART_TRC = 49500 PARAMETER C_MEM_PART_TRASMAX = 70200000 PARAMETER C_MEM_PART_TRAS = 36000
DDR4与DDR3有什么区别?DDR4比DDR3好在哪里? 虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。 如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？下面就和小编一起来看看吧！ 1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。 第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。 频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供 2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
DDR4时代将来临DDR4与DDR3区别解析 令人期盼已久的DDR4时代终于来临了！那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？星宏伟业跟大家一起来看一下： 1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。 其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的
SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。 第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。 频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供 2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。 Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。 容量剧增最高可达128GB、更低功耗更低电压也是DDR4特有的产品噱头。更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V！威刚早些时候正式宣布了他们
内存条的分类和区别 内存条之间的种类的区别，本质上是速度不同，越新的内存种类速度越快。然后，为了保证不插错，物理插槽也有不同。 下图是DDR三代内存的外观上的不同的对比。 1、DDR1代，最高到533。 2、DDR2代，最高到1066。 3、DDR3代，最高到2400左右。 4、DDR4代，从2400开始起步。 内存主要看主频1代DDR266，DDR333,DDR400. 2代DDR533, DDR667,DDR800。 3代DDR1033,DDR1066,DDR1333等 内存条种类之间的区别 DDR2与DDR的区别与DDR相比，D DR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提
供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的D RAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DD R内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data R ate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，
内存条ddr3和ddr4的区别 比起原来购买品牌台式电脑，现在的用户更喜欢购买整机或者自己DIY组装电脑。内存则是必不可少的存在，它对计算机的性能影响非常的大。它是与处理器进行沟通传输的桥梁，大家在选择内存的时候会遇到DDR3和DDR4这两种规格的内存，那么DDR3和DDR4 有什么分别呢? 大家经常会看到DDR3 1600这样命名的内存，后面的数字就是频率的意思。DDR4频率和性能比DDR3要高，一般买DDR3的玩家都是注重性价比，都会自己超频。 其次呢，DDR4比DDR3功耗更低，发热也更小，DDR4更受笔记本的青睐。还有就是平台选择的问题，这两个内存插槽有所不一样，主板要选对。 电子产品买新不买旧，选择内存的时候还是要选择DDR4更省事，不要觉得觉得便宜就去买DDR3，同时选择内存条的时候，要记得选金士顿、海盗船这样的大品牌。 1.外观改变 DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。
2.DDR4内存频率与带宽提升明显 频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。 带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。 综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。
DDR和DDR2，DDR3从外观上的区别 1、防呆缺口DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。 2、DDR内存的颗粒为长方形，DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形，而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一。 3、使用电压不同DDR2的电压1.8VDDR3的电压1.5V. 4 DDR1内存全是采用引角焊接技术，DDR2内存都是BGA焊接技术。 所谓的BGA焊接技术就是看不见引角有点象芯片用胶粘在PCB板上的 5 内存上有型号和编号可以知道PC4200 以上包括PC4200 都是DDR2的 DDR
DDR2 DDR3 关于DDR与DDR2的整理，ddr1与ddr2的区别 什么是 DDR？ DDR 内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称，全称 :Double Data Rate,DDR 内存是 SDRAM 向前发展的产品，本质上与 SDRAM 完全相同。 什么是 DDR2？ DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 什么是 DDR1？ 有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用“DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。 区别分析: DDR2 不能向下兼容 DDR, DDR2 内存芯片与内存模组与 DDR 有很大差异。例如，DDR2 的工作电压为 1.8 伏，低于 DDR 的 2.5 伏。
内存条ddr3和ddr4的区别 ddr又称双倍速率同步动态随机储蓄器，它是在SDRAM内存基础上发展而来的，ddr3 ddr4都是内存规格，但ddr4比ddr3提升了不少性能，那么ddr3和ddr4到底有哪些区别? 1、规格不同：DDR3内存的起始频率仅有800MHz，最高频率可达2133MHz。而DDR4内 的起始频率就有2133MHz，最高频率可达3000MHz。更高频率的DDR4内存在各个方面的表和DDR3内存相比有着显著的提升，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps的带宽，那么DDR4-3200就是51.2GB/s，比DDR3-1866的带宽提升了70%。 2、功耗不同：通常情况下，DDR3的内存的工作电压为1.5V，耗电较多，而且内存条容 热降频，影响性能。而DDR4内存的工作电压多为1.2V甚至更低，功耗的下降带来的是更少电量和更小的发热，提升了内存条的稳定性，基本不会出现发热引起的降频现象。 3、内存容量不同：DDR4内存容量明显提升，可达128GB。上一代DDR3内存，最大容量 64GB，市场上实际能买到的是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。 4、外观不同：所有记忆的金手指一直是直的。直到DDR4内存，金手指的设计在中间略出，且边缘缩短了。这种设计有利于确保DDR4内存金手指接触内存插槽。该设计具有足够接触面以确保稳定信号传输，并且还解决了难以移除和插入存储器的问题。DDR4内存金手
中间的凹口(防呆口)比DDR3更靠近中间。这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。