电子装联基础知识（第一期）
一、插装元器件（THT）
（一）电阻器
1．导体对电流的阻碍作用称为导体的电阻，用“R”表示，
单位：欧姆，简称欧，用Ω表示，常用还有兆欧（MΩ），千欧（KΩ）
换算公式：1MΩ=103 KΩ=106Ω 1 KΩ=103Ω（1000Ω）
2．电阻器的主要技术参数：额定功率、标称阻值、阻值误差。
（1）额定功率：
当电流通过电阻器时，电流会对电阻器做功，电阻器会发热。电阻器所承受的发热是有限的，当加在电阻器上的电功率大于它所承受的电功率时，就会因温度过高而烧毁。额定功率的单位：瓦（W）
一般电阻功率分为：1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W、10W等，额定功率越大，电阻器体积也越大。
（2）标称阻值：电阻器表面所标的阻值。常用的是用色环表示电阻的阻值（如附图）。
（3）阻值误差（或称偏差）电阻器上的标称值只表示该电阻器阻值在此标称值附近。一般电阻器的允许误差分为三个等级：I级为±5%（金色），Ⅱ
级为±10%（银色），Ⅲ级为±20%（无色）。电阻实际值与标称值的差，
在电阻末端用颜色表示，较常用的有1%、2%、5%，误差范围如附图所
示颜色。
3. 常用的几种电阻器：
RT - 碳膜电阻 RJ - 金属膜电阻 RX - 线绕电阻
附：色环电阻的标称：
色标 第一位数
第二位数
第三位数
应乘倍率 误差 黑 0 0 0 100 棕 1 1 1 101 ± 1% 红 2 2 2 102 ± 2% 橙
3 3 3 103 黄
4 4 4 104 绿
5 5 5 105 ± 0.5% 蓝
6 6 6 106 ± 0.25% 紫
7 7 7 107 ± 0.1%
灰 8 8 8 108 白 9 9 9 109 金 10-1 ± 5% 银 10-2 ± 10% 无色
± 20%
用英文字母表示误差（如在产品合格证上表示）
（二）电容器
1．凡是被绝缘体分开的两个导体所构成的总体都叫电容器。图形符号：
单位：法拉，简称法，用“F”表示。较小的单位为：微法（uF）、微微法（nF）、皮法（pF），1F =106uF =1012pF 1uF=106pF 1nF=103pF
2．电容器的主要技术参数：电容量、额定直流工作电压和电容量允许误差等。（1）电容量：指加上电压后存储电荷的能力大小。
电容量的表示分为：a）用数字符号标明的，前两位数字为有效数字，最
一位数字为有效数字后“0”的个数。
b）用色点或色环表示的与用色点表示的电阻阻值方
相同
如：106 = 106 = 10uf 473 = 47000 = 0.047uf
（2）耐压：指电容器允许使用的最高直流电压。应用时绝对不允许电路的工作电压超过电容的耐压。一旦工作电压超过电容器的耐压，电容器就
会击穿，造成不可修复的永久损坏。
直流工作电压数值表示与标称容量表示法相同。
（3）误差：用实际值和标称值之差除以标称值所得的百分数。
允差代号B=± 0.10pF C=± 0.25pF D=± 0.50pF F=± 1.0%
G=± 2.0% J=± 5.0% K=± 10% M=± 20%
S= -20%—+50% Z= -20%—+80%
3．常用的几种电容器及表示符号
CC - 高频瓷电容CT - 低频瓷电容CY - 云母电容CL - 涤纶电容*CA - 钽电解电容*CD- 铝电解电容（“*”有确定正负极性的电容）
如：CD11—16V —220uf ；
5%
CT4 — 4 — XR7 — 205 J — 630 63V CT4 — 4 — XR7 — 205 J — 102 1000V 直径 介质 容量 误差 电压（V ） （三） 晶体二极管（V ） 1．特性：具有单向导电性 2．符号：
3．常用的几种二极管：整流二极管、开关二极管、稳压二极管、发光二极管等。 （四） 集成电路（IC ）
1．集成电路：就是把一个电子单元电路或某一功能、、一些功能、、甚至某一整机的功能电路集中制作在一个晶片或瓷片之上，然后封装在一个便于安装焊接 的外壳之中。 2．符号：D
3．IC 外壳上主要有电路的型号、厂标及引脚顺序标记，其中引脚顺序标记，一般是正看IC 下排引脚的左边第一个脚为“1”。
二、SMT 简介 1．什么是SMT ？
A ．无引线元器件贴装在PC
B 表面经整体加热实现元器件与PCB 互连。 B ．薄膜电路属SMT 范畴。SMT 主要是指PCB 组装。
74HC138
1
13
24
12
2．SMT工艺的优点
A．组装密度高、体积小、重量轻、成本底。
B．高可靠、抗震能力强。
C．自动化能力高，生产率高。
3．什么是SMC/SMD？
A．SMC泛指无源表面安装元件总称，如：厚膜电阻、陶瓷电容、旦电容等。
B．SMD泛指有源表面安装元件：PLCC、SOT、SOIC、QFP等。
4．有源器件引脚的种类？
A．鸥翼型：QFP、SOP
B．J型：PLCC、SOJ
C．球型：BGA/CSP
三、阻容元件识别方法
2．片式电阻、电容识别标记
电阻电容
标印值电阻值标印值电容量
2R2 2.2Ω0R5 0.5PF
5R6 5.6Ω010 1PF
102 1KΩ110 11PF
682 6800Ω471 470PF
333 33KΩ332 3300PF
104 100KΩ223 22000PF
564 560KΩ513 51000PF
说明：当阻值为1%精度时用四个数来表示——前三个数为有效数，第四位为“0”的个数，如：
CA — D — 476 — M — C — T
国标钽元件容值误差值额定包装
电容型号尺寸电压
CT41 — 0805 — B — 102 — K — 250 — N — T
二类片尺寸规格介质容值误差值额定端头包装
状电容电压材料
RC05 — K — 103 — J — A
电阻尺寸温度阻值误差包装
功率系数
三、表面贴装电子元件分类及举例： 1．分类
Chip
片电阻, 电容等, 尺寸规格（英制）：0201、0402、0603、0805、1206等 （公制）：0603、1005、1608、2125、3216等
钽电容, 尺寸规格: TANA 、TANB 、TANC 、TAND SOT 晶体管、SOT23、 SOT143、 SOT89等 Melf 圆柱形元件、 二极管、 电阻等
SOIC 集成电路, 尺寸规格: SOIC08、 14、 16、 18、 20、 24、 28、 32 QFP 密脚距集成电路
PLCC 集成电路, PLCC20、 28、 32、 44、 52、 68、 84 BGA 球栅列阵包装集成电路, 列阵间距规格: 1.27、 1.00、 0.80
CSP 集成电路, 元件边长不超过里面芯片边长的1.2倍, 列阵间距<0.50的μBGA
2．举例
电子装联基础知识（第二期）
一、IC 第一脚的的辨认方法
① IC 有缺口标志 ② 以圆点作标识
③ 以横杠作标识 ④ 以文字作标识（正看IC 下排引脚的左
边第一个脚为“1”）
二、阻容标称值的换算 1．电阻R （举例说明） NP77SB 74VHC02
1 OB36
HC08 13
24
12 OB36
HC08 1 13
24
12 T93151—1 HC02A
1 13
24 12 OB36
HC08
OB36 HC08 1 13
24
12 OB36 HC08
2．电容C
A．单位：法拉，简称法，用“F”表示，微法（uF）、微微法（nF）、皮法（pF）。B．换算法则：1 F=106 uF =1012 pF 1 uF =103 nF1uF=106pF C．举例：
一起来学习电子管基础知识（最适合初学者） 常见的电子管功放是由功率放大，电压放大和电源供给三部分组成。电压放大和功率放大组成了放大通道，电源供给部分为放大通道工作提供多种量值的电能。 一般而言，电子管功放的工作器件由有源器件（电子管，晶体管）、电阻、电容、电感、变压器等主要器件组成，其中电阻，电容，电感，变压器统称无源器件。以各有源器件为核心并结合无源器件组成了各单元级，各单元级为基础组成了整个放大器。功放的设计主要就是根据整机要求，围绕各单元级的设计和结合。 这里的初学者指有一定的电路理论基础，最好有一定的实做基础 且对电子管工作原理有一定了解的 （1）整机及各单元级估算 1，由于功放常根据其输出功率来分类。因此先根据实际需求确定自己所需要设计功放的输出功率。对于95db的音箱，一般需要8W输出功率；90db的音箱需要20W左右输出功率；84db音箱需要60W左右输出功率，80db音箱需要1 20W左右输出功率。当然实际可以根据个人需求调整。 2，根据功率确定功放输出级电路程式。 对于10W以下功率的功放，通常可以选择单管单端输出级；10－20W可以选择单管单端功放，也可以选择推挽形式；而通常20W以上的功放多使用推挽，甚至并联推挽，如果选择单管单端或者并联单端，通常代价过高，也没有必要。3，根据音源和输出功率确定整机电压增益。 一般现代音源最大输出电压为2Vrms，而平均电压却只有0.5Vrms左右。由输出功率确定输出电压有效值：Uout＝√￣（P·R），其中P为输出功率，R为额定负载阻抗。例如某8W输出功率的功放，额定负载8欧姆，则其Uout＝8V，输入电压Uin记0.5V，则整机所需增益A＝Uout/Uin＝16倍 4，根据功率和输出级电路程式确定电压放大级所需增益及程式。（OTL功放不在讨论之列） 目前常用功率三极管有2A3，300B，811，211，845，805 常用功率束射四极管与五极管有6P1，6P14，6P6P，6P3P（807），EL34，F U50，KT88，EL156，813 束射四极管和五极管为了取得较小的失真和较低的内阻，往往也接成三极管接法或者超线性接法应用。下面提到的“三极管“也包括这些多极管的三极管接法。 通常工作于左特性曲线区域的三极管做单管单端甲类功放时，屏极效率在20%－25%，这里的屏极效率是指输出音频电功率与供给屏极直流电功率的比值。工作于右特性曲线区域的三极管，多极管超线性接法做单管单端甲类功放时，屏极效率在25%－30%。 而标准接法的多极管做单管单端甲类功放时，屏极效率可以达到35%左右 关于电子管特性曲线的知识可以参照 以下链接：/dispbbs.asp?boardID=10&ID=15516&replyID=154656&skin=0 三极管及多极管的推挽功放由于牵涉到工作点，电路程式，负载阻抗，推动情况等多种因素左右，所以一般由手册给出，供选择。
2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。
15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使 净输入量 减小的反馈，称为 负反馈 。 为了判别反馈极性，一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区，使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等，而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。
现代电子装联先进制造技术的发展展望 陈正浩 中国电子科技集团公司第十研究所 摘要：本文在简要介绍先进制造技术的定义和主要内容的基础上，分析了电路设计的现状及发展态势，论述了电子装联的基本概念和电子装联技术的现状，从高密度细间距元器件、可制造性设计（DFM）、板级电路组装技术、微波组件组装焊接工艺技术、电子产品高密度小型化设计、整机级先进制造技术和微组装技术六个层面全方位叙述了现代电子装联先进制造技术的发展趋势。 关键词：先进制造技术电子装联可制造性设计板级电路组装技术微波组件微组装技术整机级先进制造技术 前言 2014年中国政府提出“中国制造-2025”，它的核心是：应用物联网、智能化等新技术提高制造业水平，将制造业向智能化转型，通过决定生产制造过程等的网络技术，实现实时管理。它“自下而上”的生产模式革命，不但节约创新技术、成本与时间，还拥有培育新市场的潜力与机会，就是以解决顾客问题为主。 在电子制造业中应该是“制造+互联网”，互联网只是实现“中国制造-2025”的一个工具。 在中国制造今后重点发展的项目中，新型电子信息技术位列其首，包含了航空装备、航天装备、船舶装备以及智能汽车等，这些重大项目无不与电子装联技术息息相关，可以说电子装联技术中的先进制造技术是决定这些项目能否成功的关键因素之一。 那么，什么是影响“中国制造-2025”成功实施的电子装联技术先进制造技术？在业界更多的人们局限于PCB/PCBA的SMT，这无疑是十分狭隘的。 本文立足于高可靠电子装备，从高密度细间距元器件、可制造性设计（DFM）、板级电路组装技术、微波组件组装焊接工艺技术、电子产品高密度小型化设计、整机级先进制造技术和微组装技术六个层面全方位叙述了现代电子装联先进制造技术的发展趋势。 一.先进制造技术基本理念 1.什么是先进制造技术？ 2008年以中国工程院院士童志鹏为总编，程辉明为主编的《先进电子制造技术》（第二版）是这样定义的：“先进制造技术是当代信息技术、综合自动化技术、现代企业管理技术和制造技术的有机结合，是传统制造技术不断吸收机械、电子、信息、材料、能源和现代管理等高新技术成果，并将其优化、集成并综合应用于产品设计、制造、检测、管理、销售、使用、服务的制造全过程，
课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 （填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以 通频带， 非线性失真。
10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ， 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中， 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。
单元 3 焊接工艺 焊接是电子产品组装过程中的重要工艺。焊接质量的好坏，直接影响电子电路及电子装置的工作性能。优良的焊接质量，可为电路提供良好的稳定性、可靠性，不良的焊接方法会导致元器件损坏，给测试带来很大困难，有时还会留下隐患，影响的电子设备可靠性。随着电子产品复杂程度的提高，使用的元器件越来越多，有些电子产品（尤其是有些大型电子设备）要使用几百上千个元器件，焊点数量则成千上万。而一个不良焊点都会影响整个产品的可靠性。焊接质量是电子产品质量的关键。因此，掌握熟练焊接操作技能对于生产一线的技术人员是十分重要的。 本单元主要介绍锡铅焊接的基础知识、焊料和焊剂的选用、手工焊接技术和自动焊接技术等内容。并安排了焊接训练。 3-1焊接的基础知识 3-1-1锡焊分类及特点 焊接一般分三大类：熔焊、接触焊和钎焊。 1．熔焊 熔焊是指在焊接过程中，将焊件接头加热至熔化状态，在不外加压力的情况下完成焊接的方法。如电弧焊、气焊等。 2．接触焊 在焊接过程中，必须对焊件施加压力(加热或不加热)完成焊接的方法。如超声波焊、脉冲焊、摩擦焊等。 3．钎焊 钎焊采用比被焊件熔点低的金属材料作焊料，将焊件和焊料加热到高于焊料的熔点而低于被焊物的熔点的温度，利用液态焊料润湿被焊物，并与被焊物相互扩散，实现连接。 钎焊根据使用焊料熔点的不同又可分为硬钎焊和软钎焊。使用焊料的熔点高于4500C的焊接称硬钎焊；使用焊料的熔点低于4500C的焊接称软钎焊。电子产品安装工艺中所谓的“焊接”就是软钎焊的一种，主要使用锡、铅等低熔点合金材料作焊料，因此俗称“锡焊”。 3-1-2焊接的机理 电子线路的焊接看似简单，似乎只不过是熔融的焊料与被焊金属（母材）的结合过程，但究其微观机理则是非常复杂的，它涉及物理、化学、材料学、电学等相关知识。熟悉有关焊接的基础理论，才能对焊接中出现的各种问题心中有数，应付自如，从而提高焊点的焊接质量。 所谓焊接是将焊料、被焊金属同时加热到最佳温度，依靠熔融焊料添满被金属间隙并与之形成金属合金结合的一种过程。从微观的角度分析，焊接包括两个过程：一个是润湿过程，另一个是扩散过程。 1.润湿(横向流动) 又称浸润，是指熔融焊料在金属表面形成均匀、平滑、连续并附着牢固的焊料层。浸润程度主要决定于焊件表面的清洁程度及焊料的表面张力。金属表面看起来是比较光滑的，但在显微镜下面看，有无数的凸凹不平、晶界和伤痕，的焊料就是沿着这些表面上的凸凹和伤痕靠毛细作用润湿扩散开去的，因此焊接时应使焊锡流淌。流淌的过程一般是松香在前面清除氧化膜，焊锡紧跟其后，所以说润湿基本上是熔化的焊料沿着物体表面横向流动。润湿的好坏用润湿角
100道电子技术入门知识讲解——电的基础知识讲解.txt-两个人同时犯了错，站出来承担的那一方叫宽容，另一方欠下的债，早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。学电子基础很重要，如果你还是电子新手，你的一切迷惑将在这里揭晓！看完之后是否觉得茅舍顿开，那么恭喜你入门了！ 一、电的基础知识 1、电是什么？电有几种？电有何重要特性？ 电是最早从“摩擦起电”现象中表现出来实物的一种属性。电有正负两种。“同性相斥，异性相吸”是电的重要特性。 2、如何理解“电是实物的一种属性”？ 电来源于实物本身一般情况，实物本身就存在等量的正负电荷，因而不显示电的特性；由于某种原因当实物失去或得到某种电荷，对外才会显示电的特性。 3、“摩擦起电”是物体变成带电状态的唯一方法，请说明？ 不对。除了摩擦之外，受热、化学变化等其它原因都可能使物体变成带电状态。 4、什么是导体和绝缘体？举例说明。 容易导电的物体叫导体；极不容易导电的物体叫绝缘体。金属物和带杂质的水溶液都是导体；塑料、空气、干燥的木头是绝缘体。 5、塑料棒与羊毛摩擦后能吸起小纸绡，而金属物不能，所以金属物无法“摩擦起电”，对吗？为什么？ 不对，金属物同样可以“摩擦起电”只是因为金属为良导体，电荷很快通过人体对地放电中和，所以不显示带电状态。 6、各种导体导电性能都一样吗？ 不一样。例如铜的导电性能比铝好，铝的导电性能又比铁好。而带杂质的水溶液的导电性能较差，但还是属于导体。 7、导体为什么容易导电？而绝缘体不容易导电？ 导体存在可以移动的电荷，绝缘体中可以移动的电荷极少所以导体容易导电，而绝缘体不容易导电。 8、绝缘体在任何情况下都不导电吗？举例说明。 不对。如空气在电压达到一定强度，就会被电离变成导体。雷电就是空气在高压静电下突然变成导体的自然现象。 9、什么叫“击穿”现象？ 原来是绝缘体的物质处在高压电场下变成了导体，这一现象称为“击穿现象”，雷电就是空气被高压静电击穿的一种现象。 10、人体为什么也会导电？ 人体含有大量的溶解有其他物质的水溶液，因此也会导电。 11、电流是怎样形成的？ 导体中能够自由移动的电荷在外电力的作用下，进行有规则的移动，就形成电流。 12、表示电流大小的单位是用哪位科学家的名字来命名的他的主要贡献是什么？ 表示电流大小的单位是用法国科学家安培的名字来命名。安培的主要贡献是研究确定了电流与磁场之间的作用力关系。 13．导体中电流的方向是怎样规定的？ 电流的方向习惯上以正电荷移动的方向为正向。 14、金属导体依靠什么导电，其移动方向如何？ 金属导体依靠可以自由移动的“自由电子”来导电，“自由电子”带负电荷，其移动方向与正电荷移动方向相反。
11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数
载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ； 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。
浅谈现代电子装联工艺技术的发展走向 【摘要】现代芯片封装技术发展日新月异，它快速地推动了作为电子装联的主流SMT迈入了后SMT（post-SMT）时代。本文描述了现代电子装联技术的发展态势和目前已达到的技术水平，分析了促使其技术发展的驱动力。 【关键词】电子装联；SMT；发展 一、电子装联目前的发展水平 传统采用基板和电子元器件分别制作，再利用SMT技术将其组装在一起的安装方式，在实现更高性能，微型化、薄型化等方面，显得有些无能为力。电子安装正从SMT向后SMT（post-SMT）转变。通讯终端产品是加速开发3D封装及组装的主动力，例如手机已从低端（通话和收发短消息）向高端（可拍照、电视、广播、MP3、彩屏、和弦振声、蓝牙和游戏等）发展，要求体积小、重量轻、功能多。专家预测：2008年以后手机用存储器将超过PC用存储器。芯片堆叠封装（SDP），多芯片封装（MCP）和堆叠芯片尺寸封装（SCSP）等，将大量应用，装联工艺必须加快自身的技术进步，以适用其发展。为适应微型元器件组装定位的要求，新的精准定位工艺方法不断推出，例如日本松下公司针对0201的安装推出的“APC（Advanced Process Control）”系统，可以有效地减少工序中由于焊盘位置偏差和焊膏印刷位置偏差而引起的再流焊接的不良，作为继SMT技术之后（post-SMT）的下一代安装技术，将促使电子元器件、封装、安装等产业发生重大变革。驱使原来由芯片→封装→安装→再到整机的由前决定后的垂直生产链体系，转变为前后彼此制约的平行生产链体系，工艺技术路线也必将作出重大调整，以适应生产链的变革，PCB基板加工和安装相结合的技术是未来瞩目的重大发展方向。 二、高密度组装中的“微焊接”技术加速发展 高密度电子产品组装中的微焊接技术，是随着高密度面阵列封装器件（如CSP、FCOB等）在工业中的大量应用而出现的。其特点是： ★芯片级封装具有封装密度高，例如：在一片5mm×5mm的面积上集成了5000个以上的接点数； ★焊点大小愈来愈微细化，例如：间距为0.4mm的CSP其焊球的直径将小于0.15mm。在SMT组装各工序焊接缺陷大幅上升。像上述这样的凸形接合部的出现，加速了“微焊接”技术的快速发展。“微焊接”技术就意味着接合部（焊点）的微细化，密间距的焊点数急剧增加，接合的可靠性要求更高。归纳起来，“微焊接”技术正面临着下述两个基本课题：①“微焊接”工艺，由于人手不可能直接接近，基本上属于一种“无检查工艺”。为了实现上述要求的无检查工艺的目的，必须要建立确保焊点接触可靠性的保证系统（对制造系统的要求）。②由于焊点的微细化，焊接接合部自身的接续可靠性必须要确保。为此，要求有最完全的接
第1章检测题 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）
现代电子工艺技术的发展及未来走向 代芯片封装技术发展日新月异，它快速地推动了作为电子装联的主流SMT 迈入了后SMT（post-SMT）时代。超高性能、超微型化、超薄型化的产品设计技术的异军突起，使得传统的SMT流程和概念愈来愈显得无能为力了。本文针对这种咄咄逼人的发展形势，较全面地描述了现代电子装联技术的发展态势和目前已达到的技术水平，分析了促使其技术发展的驱动力。评述了未来的发展走向。 1 电子装联目前的发展水平 ⑴传统采用基板和电子元器件分别制作，再利用SMT技术将其组装在一起的安装方式，在实现更高性能，微型化、薄型化等方面，显得有些无能为力。电子安装正从SMT向后SMT（post-SMT） ⑵电子设备追求高性能、高功能，向轻薄短小方向发展永无止境，超小型便携电子设备的需求急速增加。急需要采用元器件复合化和三维封装的形式 ⑶通讯终端产品是加速开发3D封装及组装的主动力，例如手机已从低端（通话和收发短消息）向高端（可拍照、电视、广播、MP3、彩屏、和弦振声、蓝牙和游戏等）发展，要求体积小、重量轻、功能多。专家预测：2008年以后手机用存储器将超过PC用存储器。芯片堆叠封装（SDP），多芯片封装（MCP）和堆叠芯片尺寸封装（SCSP）等，将大量应用，装联工艺必须加快自身的技术进步，以适用其发展 ⑷板级三维安装工艺已近成熟 ⑸为适应微型元器件组装定位的要求，新的精准定位工艺方法不断推出，例如日本松下公司针对0201的安装推出的“APC(Advanced Process Control)”系统，可以有效地减少工序中由于焊盘位置偏差和焊膏印刷位置偏差而引起的再流焊接的不良 ⑹ 作为继SMT技术之后（post-SMT）的下一代安装技术，将促使电子元器件、封装、安装等产业发生重大变革。驱使原来由芯片→ 封装→ 安装→ 再到整机的由前决定后的垂直生产链体系，转变为前后彼此制约的平行生产链体系，工艺技术路线也必将作出重大调整，以适应生产链的变革； ⑺ PCB基板加工和安装相结合的技术是未来瞩目的重大发展方向。 2.高密度组装中的“微焊接”技术加速发展 ⑴高密度电子产品组装中的微焊接技术，是随着高密度面阵列封装器件(如CSP、FCOB等)在工业中的大量应用而出现的。其特点是： ·芯片级封装具有封装密度高，例如：在一片5 mm×5 mm的面积上集成了5 000个以上的接点数； ·焊点大小愈来愈微细化，例如：间距为0.4 mm的CSP其焊球的直径将小于0.15 mm。在SMT组装各工序焊接缺陷大幅上升 像上述这样的凸形接合部的出现，加速了“微焊接”技术的快速发展。 ⑵顾名思义“微焊接”技术就意味着接合部(焊点)的微细化，密间距的焊点数急剧增加，接合的可靠性要求更高。归纳起来，“微焊接”技术正面临着下述两个基本课题： ①“微焊接”工艺，由于人手不可能直接接近，基本上属于一种“无检查工艺”。为了实现上述要求的无检查工艺的目的，必须要建立确保焊点接触可靠性的保证系统(对制造系统的要求)。
数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】
一、填空题：（每空1分，共16分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（ 逻辑图 ）、（ 逻辑表达式 ）和（ 卡诺图 ）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（ 0 ）。 3．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。 4．施密特触发器有（ 两 ）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。 5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。 6．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ 20 ）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ 50 ）。 7．GAL 器件的全称是（ 通用阵列逻辑 ），与PAL 相比，它的输出电路是通过编程设定其（ 输出逻辑宏单元 ）的工作模式来实现的，而且由于采用了（ E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共16分） 1． 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解：1． 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成，图3由 CMOS 门电路构 成，试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解：．2. 三、已知电路及输入波形如图4（a ）（b ）所示，其中FF1是D 锁存器，FF2是维持-阻塞D 触发器，根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 （8分） 解： R ＋
9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是（） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则n+1=1Q 的是（） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是（） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器（） A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为（） A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为（） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为（） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）（对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴（ ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降（ ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开（） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域（） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（）
注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V0=。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.（10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q和Q的波形。27.（9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： （1）R开路；（2）R L开路；（3）稳压二极管V接反； （4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.（16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： （1）列出状态表，状态转换图；（2）说明计数器类型。
电子产品装联技术规范
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目次 1 主题内容与适应范围 (1) 2 引用标准 (1) 3 一般规定 (1) 4 钳装的一般规范 (1) 5 螺装规范 (2) 6 铆接规范 (3) 7 电装的一般规范 (4) 8 电子元器件的装前处理和插装规范 (6) 9 导线的端头处理和线扎制造规范 (13) 10 手工焊接规范 (16) 11 电缆束加工规范 (20)
电子产品装联技术规范 1 主题内容与适用范围 本标准规定了电子产品的装联技术规范，是设计、工艺、生产、检验的依据之一。 本标准适用于电子产品的装联。 2 引用标准 GB1360——78印制电路网络 GB152——76铆钉用通孔 3一般规范 3．1 凡是提交装联的材料、机械和电气零部件、外购件均应符合设计文件要求，并有合格证。3．2 产品的装联应保证实物与电理原图、装配图、接线图和工艺文件一致。凡材料、机械零部件和电气元器件的代用，以及设计、工艺的更改必须按规定的程序办理。 3．3 应根据产品的精密程度和装联零部件的特点，对装联场地的环境条件及操作方法提出相应的要求。不允许在装联过程中对被装配件造成任保损坏和降低其性能。电子产品的装联一般应在温度过25±5℃，相对湿度低于75%的洁净环境中进行，装联场所应有良好的接地和防静电设施。3．4 在整个装联过程中，操作者必须穿戴干净的工作服和工作帽，在装配印制电路板和镀银零部件时还应戴干细纱手套，严禁徒手拿、摸银质或镀银零件。 4 钳装的一般规范 4．1 机械零部件在装配前必须清洁。进行清洁处理后，对活动零件应重新干燥和润滑。对非金属材料制成的零部件，清洗所用溶剂不应影响零件表面质量和造成形变。 4．2 相同的机械零部件具有互换性。也允许在装配过程中进行修配调整。 4．3 只有在设计图纸有规定时才允许对外购件在不影响性能、指标的情况下进行补加工。 4．4 机械零部件在装配过程中不允许产生裂纹、凹陷、压伤等可能影响设备性能的其他损伤，因装配有可能使涂复层局部损伤时，事先应采用相应的预防措施。 4．5 弹性零件、如弹簧、簧片、卡圈等装配时，不允许超过弹性限度的最大负荷而造成永久性
电子学基础知识- 电子入门 电子学基础知识相关搜索: 电子学, 基础, 知识1. 电子学基本认识一、电路基本原理电流就是电荷在导线内流动的现象，电流的测量单位是安培(A) 。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差，我们称为电压。电压愈大，流动的电流便愈大，电压的测量单位是伏特(V) 电流流动时会遇到阻力，就是电阻。每种物质都有电阻值，优良的导体如铜、白金等，它们的电阻很小，电流很容易通过。电阻很大，大到电流无法通过的物质就是绝缘体，而介于导体和绝缘体之间就是我们在卖的半导体。电阻的测量单位是奥姆(Ω) 。 二、电流电流是指电线中电子流动的相反方向，也就市值子流动的方向，通常以I表示，其单位为安培A(Ampere)。直流电的电流方向固定由正极流向负极，并不会随时间而改变；而交流电的电流流向则会不断地交替变化，例如家庭用电的电流便是每秒正负极交替变换50 次的交流电，称为50 赫兹(Hz) 而在台湾地区交流电的频率为60Hz 三、电压电压是指能使电在电线中流动的力量，通常以E 表示，其单
位为伏特V(Volt) ，电流一般都是从高电压流向低电压，通常电源电位较高的一端以"+" 号表示，而电位较低的一端则以"_"表示。电池、水银电池等，电压包含1.5V 、3V 、9V 等，而家庭用电电压在台湾为交流110V ；在大陆为220V ；在日本为100V ；欧州为 240V 。 四、电阻电阻是指阻挡电流在电线流动的阻力，通常以R 表示，其单位为奥姆，任何物体都具有电阻，如同水流一般，物体的电阻大小随材质、长度、大小而异。电阻值大到不能导电的物质称为「绝缘体」，如塑料、木材等。电阻会消耗能量，消耗的能量通常以热的型式呈现，所以传输材料的电阻值愈低愈好，因此一般电线便采用导电性佳的铜线，为了减低能源的消耗，「低温超导体」已成为新兴的科技了。 四、电路符号电路是由各种不同的组件组成，其相互关系通常使用电路图描述，而电路图的每个基本组件均使用电路符号表示。 五、电路的基本概念一般电路包含电源、传导体、负载，而能工作的电路必须是「回路」，亦即电流能自电源绕行电路一周再回到原点，反之如果回路有缺口，导致电流无法流通，便称为「断路」或「开路」。如果电路回路之一没有负载，则称为「短路」，时因为回路只有导线上非常小的电阻值，因此电源会因阻力小而产生大电流，这些电流便被接在导线上以热能的方式消耗，导致电线燃烧，这便是常造成火灾的电线走火，家庭用电应该小心避免。 六、奥姆定律德国物理学家奥姆在发现了电流、电压、电阻三者之间
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下, 输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。
A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（ D）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（ C）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式
129电子技术现代电子装联工艺技术研究发展趋势 胡振华，冯 瑞，黄 霖,连 超 （中航工业计算所,西安 710065 ） 摘 要：本文介绍了目前按电子装联发展水平，提出电子装联技术发展的重要性，并阐述我国电子装联技术发展状况，对现代电子装联工艺技术研究发展趋势进行分析，以供参考。 关键词：电子装联;工艺技术;发展;趋势 1 目前电子装联的发展水平 目前，现代电子装联的发展目标主要是朝着高性能、微型化、薄型化的方向发展，然而传统安装方式是采用基板与电子元器件非别制作并采用SMT技术进行组装，显然不符合现代电子装联工艺技术发展的要求。电子安装的方向正由SMT转变为后SMT发展。3D 封装及组装的加速开发主要是服务于通讯终端产品，以手机产品为例，其主要发展方向就是由低端走向高端，即实现除了一般通话与收发短信息之外的拍照、电视、广博、MP3、彩屏、蓝牙、游戏等多功能的开发。相关专业人士做出分析：PC用存储器将会在若干年后被手机用存储器所代替，并且芯片堆叠封装、多芯片封装以及堆叠芯片尺寸封装等的应用将会越来越广泛，电子装联工艺技术为了适应其发展，必须加快自身技术发展的步伐。由于微型元器件组装定位的要求越来越高，为了迎合这一发展趋势，必须推出更加先进、准确的定位工艺方法，以日本某公司推出的“APC”系统为例，该系统针对0201的安装，传统工艺中焊盘位置以及焊膏印刷位置会由于出现偏差而导致再流焊接不良，而这一系统能够有效减少这一问题的影响。该技术可以说是SMT技术的延伸与发展，对于电子元器件、封装、安装等产业的发展有着十分重要的意义。促使前后彼此制约的的平行生产链体系代替了传统的由前决定后的垂直生产链体系，这对于工艺技术路线的调整有着深远的影响，生产链也势必由此发生巨大的变革。PCB基板加工与安装相结合的技术在未来有着十分美好的发展前景。 2 我国电子装联技术发展状况 在上世纪80年代之前，电烙铁的装联是我国电子工业中电子产品的主要装联方式；而在上世纪80年代以后，DIP双列直插式的IC封装方式逐步被SOIC，PLCC所代替，到了上世纪90年代，IC封装发展迅猛，IC封装由周边端子型转变为球栅阵列型更是取得了显著的成果。 随着片式元器件的迅猛发展，军级、七专级SMC/SMD的生产取得了很大的突破，本世纪初， SMC/SMD在我国电子装备中的使用率增长了超过65%~75%。而在部分小型化电子装备中BGA的应用也越来越广泛，目前，我国电子装备电路组装主要是采用以SMT 为主流的混合组装技术形式。 目前，DCA组装技术的应用越来越广泛，同一电路板的组装将会共同存在DIP、SMC/SMD以及倒装片的形式，同时MCM上安装CSP然后进行3D组装的3D+MCM的先进电子装联技术在部分先进的电子装备中也得到了广泛的应用。 3 电子装联技术发展的重要性 随着我国社会经济的不断进步，电子工业得到了快速的发展，目前电子装备正朝着小型化与高可靠性的方向发展，由此可见电子装联技术的发展必将受到足够的重视。关于电子装备的小型化与高可靠性的发展要求，具体介绍如下： 3.1 电子装备小型化 （1）高密度与新型元器件组装技术。以某高速数据传输设备为例，该设备采用ECL的元件封装形式，IC采用PLCC，可编程门阵列器件为308条脚的QFP、引脚间距0.3mm，器件表温由于ECL过大的电流而达到了70℃。在500×500cm的4层印制板进行布局时，采用芯片封装技术，使设备的散热性能、互连线长度以及信号的延迟得到优化，使数据的传输告诉有效，为设备的正常运行提供了可靠的保障。 以某高放输入单元为例，起初采用的是分立器件，经过互连后需要装入50×50×50mm的屏蔽盒中，然后其具有较多的互联点，导致其可靠性受到影响，因此为了缩小其外形，减小体积，使其性能得到提高，可以采用CSP技术。 以某信息传输及控制部分为例，为使信息传输及控制设备的体积重量得以降低，进而使其性能得以提高，应将整个电路固化在150×150×150mm的范围内，而传统电气互连技术会将体积增大超过5倍，因此为了满足技术指标要求，必须采取MCM技术。 以某RF功率放大器为例，为了促使其朝着轻量化、小型化的方向发展，并且还要保证其发射功率与发射效率，确保其工作具有稳定性。而目前只有多芯片系统设计与组装技术才能满足传统高密度互联技术无法满足的要求。 （2）立体组装技术。立体组装技术即指板级电路立体组装技术，又称为3D组装，该技术是以二维平面为基础，向三维空间叠加发展，最终实现立体电路结构的组装。相比于2D组装电路，3D组装电路在体积重量上就要小80%，由于三维空间组装的优势，在三维空间范围进行组装使能够使空间尺寸利用率、信号传输速度以及电路干扰等得到全面的优化。 3.2 电子装备的高可靠性 电子装联技术在电子设备中即指在电、磁、光、静电、温度等效应以及环境介质中任意两点或者多点之间的电气连通技术，是通过电子、光电子器件、基板、导线、连接器等零部件在电磁介质环境中经布局布线联合制成所设定的电气模型的工程实体制造技术。站在我国电子装联技术发展的的角度而言，焊点可以说是电气互连的“支撑点”。 我国军用电子产品的高密度组装技术的不合格率要求不大于百万分之五十，而传统电子装联技术完全无法达到这一要求，这势必要求我们采用先进的电子装联技术，提高电子装备的可靠性。 4 现代电子装联工艺技术研究发展趋势 在之后的一段长期的发展过程中，电子装联技术的发展主要可以考虑高密度与新型元器件组装技术、多芯片系统设计/组装技术、立体组装技术、整机级三维立体布线技术、特种基板互连技术、微波与毫米波子系统电气互联技术等技术的发展与研究。综上所述，未来电子装联技术工程的知识结构将会越来越复杂，并逐步走向复合化的道路。 参考文献: [1]魏伟.浅谈现代电子装联工艺技术的发展走向[J].电子世界,2014(10):154-154. [2]喻波.浅析我国电子装联技术的发展[J].军民两用技术与产品,2014(19):22-22. [3]张满.微电子封装技术的发展现状[J].焊接技术,2009,38(11):01-05.