肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：
肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6
0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45
肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据
◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste，High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop，high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT
P+F倍加福接近开关 From：上海贵伦自动化设备有限公司https://www.doczj.com/doc/95532162.html,/product_list.asp?id=341 【产品介绍】 接近传感器 ■电感式传感器 ■电感式特殊型传感器 ■位置传感器，阀位回讯传感器 ■电容式传感器 ■磁式传感器 ■传感器安装附件 ●电感式传感器可广泛应用于对物体进行非接触式的高精度的位置测量的场合，可覆盖大多数的工业领域 特性： ■动作距离：0.2-100mm ■外壳材料：不锈钢，黄铜镀镍 ■极性反转保护 ■短路保护 ■LED显示在中间或四周 ■M8或M12连接器或端子连接
■传感器带PVC，PUR或硅电缆输出 ■2线，3线或4线DC，AC，NAMUR和AS-I技术 特殊系列： ■0mA…20mA模拟量输出 ■集成的速度监控达100Hz ■高压型传感器达350bar ■危险区域型传感器 ■不锈钢感应面 ■衰减系数为1 ■防护等级为IP68/IP69K ■防磁防焊型 ■铁质金属和非铁质金属选择型 ■温度扩展型：-40℃-+250℃ ●电容式传感器可用来检测包括金属物体和非金属物体在内的所有物体，其中包含有液位和流体控制 特性： ■不锈钢或塑料外壳的圆柱型，12，18或30mm ■矩形外壳从：5mm到80mm*80mm*40mm，感应距离在40mm内 ■可用于危险区域 ●磁式传感器 P+F公司的磁式传感器有M12外壳用于传统磁式物质检测，以及防护等级IP67，透过25mm不锈钢气缸检测气缸位置的磁式开关。 ●位置传感器 位置传感器主要用于监控电枢或阀门。它是在一个简单外壳下组合有两个传感器，这样安装简单，维护方便。P+F几十年的产品经检验NAMUR型位置传感器可用于危险区域。 位置传感器有安装于"传统盒子"内的，和直接安装于执行器上的两种。用户可以选择端子连接，连接器连接和电缆连接方式。阀门可通过传感器直接控制。 特性： ■可直接安装 ■在盒子中安装 ■可安装于盒中的线路板 ■直接AS-Interface连接 ■简单方便的安装 ■集成的阀门控制 （1）用字母表示 N-电感式 C-电容式 M-磁式
MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管 肖特基二极管MBR10200CT参数规格： 肖特基二极管MBR10200CT电流：10A； 肖特基二极管MBR10200CT电压：200V； 肖特基二极管MBR10200CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。 肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料 MBR10200CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI， 应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。 MBR10200CT肖特基相关参数如下： MBR10200CT电压Vrrm:200V MBR10200CT电流If平均：10A MBR10200CT正向电压Vf最大：0.87V MBR10200CT电流，Ifs最大：150A MBR10200CT工作温度范围：-40°C to+150°C
MBR10200CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220 MBR10200CT反向恢复电流，Irrm:10UA 肖特基系列型号： MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT 肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263, TO-220,TO-247,TO-3P
防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV，它以氧化锌为基料，加入多种添加剂，经过混料造粒， 压制成坯体，高温烧结，两面印烧银电极，焊接引出端，最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜，通流量大，响应速度快，缺点是寄生电容大，不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中，起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择：交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍，直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷，或者当承受不同电流冲击，造成管芯的压敏电阻体 分布不均，一些部位电阻会降低，导致漏电流增加，最终导致薄弱点微融化，最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器，它将过高的电压钳制至一个安全范围，藉以保护后 面的电路，有着比其它保护元件更快的反应时间，这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点：可分为单双向，响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后，性能不下降，可靠性高，体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小，且功率大的寄生电容也大，低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。
选型注意，单双向，电压，功率，电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大（KA级），漏电流小，寄生电容小等优点，缺点是其响应速度慢（μs级），动作电压精度低，有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法：min（UDC）≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量，1.15是电源波动系数。 特性曲线
肖特基二极管简介 肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基（Schottky）二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小； 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如 1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用 一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极 管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下： 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000 电流（A）均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电 压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中， 前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、
万联芯城销售ST,ON,TI等多家国际品牌原装进口肖特基二极管。肖特基二极管价格优秀，质量有保证。万联芯城专为终端工厂企业提供一站式电子元器件报价业务，与全国近5000家企业达成战略合作伙伴关系。点击进入万联芯城 点击进入万联芯城
我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对
于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据
常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060
30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045
MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050
倍加福接近开关选型 P+F接近开关选型德国倍加福接近开关选型接近开关选型电感式接近开关 "电感式传感器—可广泛用于对金属物体进行非接触式的高精度的位置测量的场合 基本品种：NBB、NBN、NEB、NCB、NJ、SJ、FJ、RJ、NMB系列。 外形：圆柱形、矩形、扁平形、槽形及环形、VaiKont（头部可转换）形。 感应范围：0.2-100mm 输入：AC、DC或AC/DC 输出：2、3或4线制、常开（NO）、常闭（NC）、常开常闭转换以及模拟量输出。输出电流：开关量输出（10-500mA）、模拟量输出（0-20mA）。 保护功能：具备极性保护、短路或过载保护、断路监视、过压保护 电容式接近开关 "电容式传感器—可用来检测包括金属和非金属物体在内的所有物体 基本品种：CJ系列 外形：圆柱形、矩形及扁平形。 感应范围：1-40mm 输入：AC、DC或AC/DC。 输出：开关量输出常开（NO）或常闭（NC），2，3或4线制。 保护功能：具有极性保护、短路保护。" 磁式传感器 "磁式传感器—能检测磁体（永磁体或电磁体）、铁磁体 基本品种：MJ系列、MB系列 外形：圆柱形及矩形 感应范围：25-60mm 输入：DC 输出：常开（NO）、常闭（NC）2线或3线制" 特殊传感器 说明：有耐高温型、防磁防焊型、金属检测无衰减型、材料选择型及增强型防护等级 IP68/IP69K、耐高压型350bar 等特殊传感器。欢迎来电来函索取更详细的资料。
选型对照如下： N B B 5 - 18 G M 50 - E2 （1）（2）（3）（4）（5）（6）（7）（8）（9） （1）用字母表示 N-电感式 C-电容式 M-磁式 R-环型（电感式） IA-模拟量（电感式） （2）用字母表示 B-基本系列 C-标准系列 J-原始系列 E-感应距离增大型（电感式） （3）用字母表示 B-齐平安装（电感式、电容式） N-非平安装（电感式、电容式） （4）用数字表示(mm) 0.2-100-开关距离（电感式） 10-43-环型传感器直径 2-30槽型传感器槽宽 （5）用数字（mm）或字母表示 圆柱型传感器直径采用数字表示 用字母F、F1、F2、F9、F10、F11、 F17、F29、F33、F41及V3，L1／L2 表等示各种形状的矩型传感器。 FP-方型（扁平型） U－感应头部可转换型（VariKont） （限位开关型） MIK-感应头部可转换型（小型限位开 关型）（VariKontM） （6）用字母表示 G-有螺纹 无字母-光杆 （7）用字母表示 M－金属外壳
常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00
30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57
SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4
备注：本资料仅供福大内部工作参考，不作为选型唯一依据。具体选型需结合各品牌最新样本参数进行，或咨询霍尼韦尔技术支持热线 400 633 6089。 福大霍尼韦尔总经销 14235致上 Honeywell Schneider Omron 外形 外壳 尺寸 感应距 安装方式 输出类型 接线方式 材料 离(mm)JSM802UD1C2 XS208BLNAL2C E2E-X2ME1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JSM802UD2C2 XS208BLPAL2C E2E-X2MF1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JSM802UD3C2 XS208BLNBL2C E2E-X2ME2 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JSM802UD4C2 XS208BLPBL2C E2E-X2MF2 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JSM81E5D1C2 XS108BLNAL2C E2E-X1R5E1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JSM81E5D2C2 XS108BLPAL2C E2E-X1R5F1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JSM81E5D3C2 XS108BLNBL2C E2E-X1R5E2 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JSM81E5D4C2 XS108BLPBL2C E2E-X1R5F2 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JSM802UD1Y XS208BLNAM12C E2E-X2ME1-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NO M12连接器JSM802UD2Y XS208BLPAM12C E2E-X2MF1-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NO M12连接器JSM802UD3Y XS208BLNBM12C E2E-X2ME2-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NC M12连接器JSM802UD4Y XS208BLPBM12C E2E-X2MF2-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NC M12连接器JSM81E5D1Y XS108BLNAM12C E2E-X1R5E1-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NO M12连接器JSM81E5D2Y XS108BLPAM12C E2E-X1R5F1-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NO M12连接器JSM81E5D3Y XS108BLNBM12C E2E-X1R5E2-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NC M12连接器JSM81E5D4Y XS108BLPBM12C E2E-X1R5F2-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NC M12连接器JM1204UD1C2 XS212BLNAL2C E2E-X5ME1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1204UD2C2 XS212BLPAL2C E2E-X5MF1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1204UD3C2 XS212BLNBL2C E2E-X5ME2 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM1204UD4C2 XS212BLPBL2C E2E-X5MF2 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1202ED1C2 XS112BLNAL2C E2E-X2E1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1202ED2C2 XS112BLPAL2C E2E-X2F1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1202ED3C2 XS112BLNBL2C E2E-X2E2 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m Jm1202ED4C2 XS112BLPBL2C E2E-X2F2 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1204UD1Y XS212BLNAM12C E2E-X5ME1-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM1204UD2Y XS212BLPAM12C E2E-X5MF1-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM1204UD3Y XS212BLNBM12C E2E-X5ME2-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM1204UD4Y XS212BLPBM12C E2E-X5MF2-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM1202ED1Y XS112BLNAM12C E2E-X2E1-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NO M12连接器JM1202ED2Y XS112BLPAM12C E2E-X2F1-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NO M12连接器JM1202ED3Y XS112BLNBM12C E2E-X2E2-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NC M12连接器JM1202ED4Y XS112BLPBM12C E2E-X2F2-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NC M12连接器JM1808UD1C2 XS218BLNAL2C E2E-X10ME1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1808UD2C2 XS218BLPAL2C E2E-X10MF1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1808UD3C2 XS218BLNBL2C E2E-X10ME2 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM1808UD4C2 XS218BLPBL2C E2E-X10MF2 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1805ED1C2 XS118BLNAL2C E2E-X5E1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1805ED2C2 XS118BLPAL2C E2E-X5F1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1805ED3C2 XS118BLNBL2C E2E-X5E2 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM1805ED4C2 XS118BLPBL2C E2E-X5F2 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1808UD1Y XS218BLNAM12C E2E-X10ME1-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM1808UD2Y XS218BLPAM12C E2E-X10MF1-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM1808UD3Y XS218BLNBM12C E2E-X10ME2-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM1808UD4Y XS218BLPBM12C E2E-X10MF2-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM1805ED1Y XS118BLNAM12C E2E-X5E1-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NO M12连接器JM1805ED2Y XS118BLPAM12C E2E-X5F1-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NO M12连接器JM1805ED3Y XS118BLNBM12C E2E-X5E2-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NC M12连接器JM1805ED4Y XS118BLPBM12C E2E-X5F2-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NC M12连接器JM3015UD1C2 XS230BLNAL2C E2E-X18ME1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM3015UD2C2 XS230BLPAL2C E2E-X18MF1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM3015UD3C2 XS230BLNBL2C E2E-X18ME2 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM3015UD4C2 XS230BLPBL2C E2E-X18MF2 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM3010ED1C2 XS130BLNAL2C E2E-X10E1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM3010ED2C2 XS130BLPAL2C E2E-X10F1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM3010ED3C2 XS130BLNBL2C E2E-X10E2 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM3010ED4C2 XS130BLPBL2C E2E-X10F2 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM3015UD1Y XS230BLNAM12C E2E-X18ME1-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM3015UD2Y XS230BLPAM12C E2E-X18MF1-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM3015UD3Y XS230BLNBM12C E2E-X18ME2-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM3015UD4Y XS230BLPBM12C E2E-X18MF2-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM3010ED1Y XS130BLNAM12C E2E-X10E1-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NO M12连接器JM3010ED2Y XS130BLPAM12C E2E-X10F1-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NO M12连接器JM3010ED3Y XS130BLNBM12C E2E-X10E2-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NC M12连接器JM3010ED4Y XS130BLPBM12C E2E-X10F2-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NC M12连接器 Honeywell J(S)M 系列拥有更多更长检测距离的型号产品，具体信息请参考电感式接近传感器样本。
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：
肖特基二极管的工作原理和特点 肖特基二极管（SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源 整流,高频电源整流中。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极 管。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 基本原理是：在金属和N型硅片的接触面上，用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右，大多不高于60V，以致于限制了其应用范围。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管（SBD）的主要特点： 1）正向压降低：由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和 正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）反向恢复时间快：由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN 结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损 耗也特别小，尤其适合于高频应用。 3）工作频率高：由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。 4）反向耐压低：由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝