肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15
?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V
?产品封装：TO-220F
?脚位长度：6-12mm
?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR
?型号全名：FCH20A15
?型号简称：20A15
?主要参数：20A 150V
?产品封装：TO-220F
?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR
?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基整流二极管的主要参数
?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：
肖特基二极管
肖特基二极管常用参数大全
型号制造商封
装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V
1SS294 TOS SC-59 0.1 40
0.60
BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32
BAT54A PS SOT23 0.20 30
0.50
10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65
10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6
0.34
SS12 GS DO214 1.00 20
0.50
MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39
10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53
RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55
RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55
SS14 GS DO214 1.00 40
0.50
MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60
10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57
SS16 GS DO214 1.00 60
0.75
10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8
MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5
10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51
15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55
PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45
.35
30BQ040 IR SMC 3.00 40 0 .51
30BQ060 IR SMC 3.00 60 0 .58
30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.7 9
STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84
MBRS340T3 ON - 3.00 40 0 .52
RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45
MBRS360T3 ON - 3.00 60 0 .70
30WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6 2
30WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7 0
30WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.91
30WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5 2
50WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5 3
50WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.5 7
6CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.58
6CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.81
1N5817 ON 轴
向 1.00 20 0.75
1N5818 ON 轴
向 1.00 30 0.55
SB130 GS 轴
向 1.00 30 0.50
1N5819 ON 轴
向 1.00 40 0.60
MBR150 ON 轴
向 1.00 50 1.00
MBR160 ON 轴
向 1.00 60 1.00
11DQ10 IR 轴
向 1.10 100 0.85
11DQ04 IR 轴
向 1.10 40 0.55
11DQ05 IR 轴
向 1.10 50 0.58
11DQ06 IR 轴
向 1.10 60 0.58
MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.43
1N5820 ON 轴
向 3.00 20 0.85
1N5821 ON 轴
向 3.00 30 0.38
1N5822 ON 轴
向 3.00 40 0.52
MBR360 ON 轴
向 3.00 60 1.00
SS32 GS DO214 3.00 20
3.00
SS34 GS DO214 3.00 40
0.50
31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.
85
SB530 GS 轴
向 5.00 30 0.57
SB540 GS DO201 5.00 40 0.
57
50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66
MBR735 GS TO220 7.50 35 0.
84
MBR745 GS TO220 7.50 45 0.
84
MBR745 IR TO220 7.50 45 0.
84
80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53
STQ080 IR TO220 8.00 80 0.
72
8TQ100 TO220 8.00 100
0.72
80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53
80SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53
HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.70
95SQ015 轴
向 9.00 15 0.31
90SQ040 轴
向 9.00 40 0.48
10TQ045 TO220 10.00 45 0.5 7
MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84
MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84
STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64
MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85
MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95
PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.70
10TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.84
10CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32
150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73
MBR1545CT IR TO220
pr 15.00 45 0.72
MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.72
16CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.72
16CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.72
18TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60
HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00
MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.36
20CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.64
20TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84
MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80
MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 45
32CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.49 30CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86
30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00
40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77
40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.58
40L15CW IR TO247 40.00 15 0.52
42CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.68
40L45CW IR TO247 40.00 45 0.70
40CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.98
52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73
STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.84
65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.51
85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.67
80CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045A IR D61 80.00 45 0.47 83CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52
125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95
182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54
200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54
200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48
STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91
203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55
301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83
440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41
肖特基整流二极管
型号额定I（AV）A VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A 反向恢复时间ns SB020 0.6 20 20 10
SB030 0.6 30 20 10
SB040 0.6 40 20 10
1N5817 1 20 25 10 1N5818 1 30 25 10 1N5819 1 40 25 10 SB120 1 20 40 10 SB130 1 30 40 10 SB140 1 40 40 10 SB150 1 50 40 5 SB160 1 60 40 5 SR120 1 20 40 20 SR130 1 30 40 20 SR140 1 40 40 20 SR150 1 50 40 20 SR160 1 60 40 20 SR180 1 80 40 20 SR1A0 1 100 40 20 SB220 2 20 50 20 SB230 2 30 50 20 SB240 2 40 50 20 SB250 2 50 50 20 SB260 2 60 50 20 SR220 2 20 50 10 SR230 2 30 50 10 SR240 2 40 50 10 SR250 2 50 50 10 SR260 2 60 50 10 SR280 2 80 50 10 SR2A0 2 100 50 10 1N5820 3 20 80 20 1N5821 3 30 80 20 1N5822 3 40 80 20 SB320 3 20 80 20 SB330 3 30 80 20 SB340 3 40 80 20 SB350 3 50 80 10 SB360 3 60 80 10 SR320 3 20 80 20 SR330 3 30 80 20 SR340 3 40 80 20 SR350 3 50 80 20 SR360 3 60 80 20 SR380 3 80 80 20 SR3A0 3 100 80 20 SB520 5 20 150 50 SB530 5 30 150 50
SB540 5 40 150 50 SB550 5 50 150 25 SB560 5 60 150 25 SR520 5 20 150 50 SR530 5 30 150 50 SR540 5 40 150 50 SR550 5 50 150 25 SR560 5 60 150 25 SR580 5 80 150 25 SR5A0 5 100 150 25
肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：
肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6
0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45
常用整流二极管 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明1A5 600V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 1A6 800V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 6A8 800V/6.0A 400A/1.1V/10uA[T60] D9.1X9.1d1.3 1N4002 100V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4004 400V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4006 800V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4007 1000V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N5398 800V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5399 1000V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5402 200V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5406 600V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5407 800V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5408 1000V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 RL153 200V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL155 600V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL156 800V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL203 200V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL205 600V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL206 800V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL207 1000V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RM11C 1000V/1.2A 100A/0.92V/10uA D4.0X7.2d0.78 MR750 50V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR751 100V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR752 200V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR754 400V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR756 600V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR760 1000V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 常用整流二极管(全桥） 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明RBV-406 600V/*4A 80A/1.10V/10uA 25X15X3.6 RBV-606 600V/*6A 150A/1.05V/10uA 30X20X3.6 RBV-1306 600V/*13A 80A/1.20V/10uA 30X20X3.6 RBV-1506 600V/*15A 200A/1.05V/50uA 30X20X3.6 RBV-2506 600V/*25A 350A/1.05V/50uA 30X20X3.6 常用肖特基整流二极管SBD 型号VRM/Io IFSM/ VF Trr1/Trr2 封装用途说明EK06 60V/0.7A 10A/0.62V 100nS D2.7X5.0d0.6 SK/高速 EK14 40V/1.5A 40A/0.55V 200nS D4.0X7.2d0.78 SK/低速 D3S6M 60V/3.0A 80A/0.58V 130p SB340 40V/3.0A 80A/0.74V 180p SB360 60V/3.0A 80A/0.74V 180p SR260 60V/2.0A 50A/0.70V 170p MBR1645 45V/16A 150A/0.65V <10nS TO220 超高速
肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据
二极管封装大全 篇一：贴片二极管型号、参数 贴片二极管型号.参数查询 1、肖特基二极管SMA（DO214AC） 2010-2-2 16:39:35 标准封装： SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206 篇二：常见贴片二极管三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 二极管： 名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称 SMC SMB SMA SOD-106 SC-77A SC-76/SC-90A SC-79 三极管： LDPAK
DPAK SC-63 SOT-223 SC-73 TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAK SOT-723 SOT-923 VMT3 篇三：常用二极管的识别及ic封装技术 常用晶体二极管的识别 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长
1N系列稳压管
快恢复整流二极管
常用整流二极管型号和参数 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392硅整流二极管 100V,1.5A, 1N5393硅整流二极管 200V,1.5A, 1N5394硅整流二极管 300V,1.5A, 1N5395硅整流二极管 400V,1.5A, 1N5396硅整流二极管 500V,1.5A, 1N5397硅整流二极管 600V,1.5A, 1N5398硅整流二极管 800V,1.5A, 1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A, 1N5400硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401硅整流二极管 100V,3A, 1N5402硅整流二极管 200V,3A, 1N5403硅整流二极管 300V,3A, 1N5404硅整流二极管 400V,3A,
1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAS40W/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES z Low Forward Voltage z Fast Switching BAS40W MARKING: 43? BAS40W-06 MARKING: 46 BAS40W-05 MARKING ：45 BAS40W-04 MARKING ：44 Maximum Ratings @T a =25℃ Parameter Symbol Limit Unit Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC b locking v oltage V RRM V RWM V R 40 V Forward continuous c urrent I FM 200 mA Power d issipation P D 150 mW Thermal r esistance j unction to a mbient R θJA 667 ℃/W Junction temperature T J 125 ℃ Storage temperature range T STG -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in M ax U nit Reverse breakdown voltage V (BR) I R = 10μA 40 V Reverse voltage leakage current I R V R =30V 200 nA Forward voltage V F I F =1mA I F =40mA 380 1000 mV Diode capacitance C D V R =0,f =1MHz 5 pF Reverse r ecovery time t r r I rr =1mA, I R =I F =10mA R L =100? 5 n s B,Jul,2012 【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 https://www.doczj.com/doc/042709984.html,
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管 肖特基二极管MBR10200CT参数规格： 肖特基二极管MBR10200CT电流：10A； 肖特基二极管MBR10200CT电压：200V； 肖特基二极管MBR10200CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。 肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料 MBR10200CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI， 应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。 MBR10200CT肖特基相关参数如下： MBR10200CT电压Vrrm:200V MBR10200CT电流If平均：10A MBR10200CT正向电压Vf最大：0.87V MBR10200CT电流，Ifs最大：150A MBR10200CT工作温度范围：-40°C to+150°C
MBR10200CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220 MBR10200CT反向恢复电流，Irrm:10UA 肖特基系列型号： MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT 肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263, TO-220,TO-247,TO-3P
肖特基二极管简介 肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
常用整流二极管型号大全lzg 极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插 二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频 二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频 二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片 二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率 二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41 IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 普通整流二极管参数(二) 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 RL201 50 2 70 5 1 DO--15 RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41
1?塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V.1 DO-201AD 16 BY550-200 ?1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1 .1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1 .1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1 .1 PX 20 ERA15-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02 ?13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02 ?13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02 ?13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200- 1000V r 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2?快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s (1 )快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060
30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045
MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针