中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案
电子技术基础
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
(A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变
4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( )
(A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容
5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( )
(A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围
(C) 提高共模抑制比
6．若A+B=A+C，则（）
(A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C
7．同步计数器中的同步是指（）
（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；
（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制
8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）
（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真
9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）
（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子
10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）
（A）增加（B）减少（C）不变
11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）
A、输入电阻高
B、输出电阻低
C、共模抑制比大
D、电压放大倍数大
12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2
13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2
D 、(000100110001)2
14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ）
A 、
B A B A +++ B 、B A B A +++
C 、B A B A +
D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ）
A. n n
Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T
17．多谐振荡器有（ ）
A 、两个稳定状态
B 、一个稳定状态，一个暂稳态
C 、两个暂稳态
D 、记忆二进制数的功能
18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度
______空穴浓度 （ ）
A 、等于、大于、小于
B 、小于、等于、大于
C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）
A 、稳压二极管与负载电阻串联
B 、稳压二极管与负载电阻并联。
C、限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联
20．输入失调电压UIO 是（）
A、两个输入端电压之差
B、输入端都为零时的输出电压
C、输出端为零时输入端的等效补偿电压。
21．抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路
A、差放
B、正弦
C、数字
22．下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是（）
A、变量译码器
B、加法器
C、数码寄存器
23．下列关于异或运算的式子中不正确的是（）
A、A⊕A =0
B、A⊕A=1
C、 A⊕0=A
24．下列门电路属于双极性的是（）
A、OC门
B、PMOC
C、CMOC
25．对于钟控RS触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS信号（）
A、RS=X0
B、RS=0X
C、RS=X1
二、填空题：
1．N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。
2．PN结具有_________特性。
3．三极管具有放大作用的外部条件是________、_________。
4．集成运放的输入级一般采用__________放大电路。
5．正弦波振荡的相位平衡条件是_____________幅度平衡条件是_________。
6．电压串联负反馈可以稳定输出_______并能使输入电阻________。
7．串联型稳压电源由基准、取样、________、_______ 四部分组成。
8．F=A⊕B用与或式表示为____________。
9．CMOS门电路中不用的输入端不允许______通过大电阻接地的输入端相当于_______。10．二进制数1100转换成十进制是_________，十六进制是__________。
11．JK触发器具有清0、置1、_______，_______四种功能。
12．描述触发器逻辑功能的方法有____________、______________、驱动表、状态转换图。13．设计一位BCD码计数器，至少用________个触发器。
14．将数字信号转换成模拟信号，应采用_______转换。
15．模/数转换过程为取样、______、量化与_______。
16．利用半导体材料的某种敏感特性，如_______ 特性和_______ 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。 17．双极型三极管的电流放大作用是较小的_______电流控制较大的_______电流，所以双极型三极管是一
种_______控制元件。
18．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 19．多级放大器的极间耦合方式有_______________，_______________，______________。 20．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 21．功率管工作在甲乙类状态的目的是__________________。
22．在常温下，硅二极管的开启电压是__________V ，导通后在较大电流下时正向压降约_________V 。 23．RC 桥式振荡电路中，ω0=1/RC 时，Fu=________。
24．石英晶体有____个谐振频率，当电路的工作频率大于fs 而小于fp 时，晶体呈_______。 25．如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要______位二进制数码。
26．在TTL 门电路的一个输入端与地之间接一个10K Ω电阻，则相当于在该输入端输入 ______电平；在
CMOS 门电路的输入端与电源之间接一个1K Ω电阻，相当于在该输入端输入______ 电平。 27．TTL 电路的电源电压为______ V ， CMOS 电路的电源电压为______V 。
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出
01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为______ 。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM ， 该ROM 有______根地址
线。
30．能够实现“线与”的TTL 门电路叫______ 。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO= 0 ； 若 u I1=100μV ，u I2=80μV
则差模输入电压uId=20μV ；共模输入电压uIc=90 μV 。
32．逻辑电路按其输出信号对输入信号响应的不同，可以分为_________，_________两大类。
33．二极管的最主要特性是_________，它的两个主要参数是反映正向特性的_________和反映反向特性的
_________。
34．并联反馈的反馈量以_________形式馈入输入回路，和输入_________相比较而产生净输入量。 35．电源电压为+18V 的555定时器，接成施密特触发器，则该触发器的正向阀值电位V+为________，负向
阀值电位V －为________。
三、判断（每题1分，共10分）
1．稳压二极管稳压电路中，限流电阻可以取消。 （ ） 2．半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的 （ ）
3．反馈具有稳定输出量的作用。（）
4．在运算放大器的运用电路中，若存在反馈则运放工作在线性状态。（）
5．某放大器不带负载时的输出电压为1.5V，带上RL=5KΩ的负载后，测得输出电压下降为1V，则放大器的输出电阻RO=2.5KΩ。（）
6．差动放大电路中，恒流源的作用是提高共模抑制比（）
7．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合。（）
8．放大电路的A<0，说明接入的一定是负反馈。（）
9．最小项是构成逻辑函数的最小单元。（）
10．TTL与非门多余的输入端不容许接地。（）
11．硅稳压管稳压是利用二极管的反向截止区。（）
12．负反馈电路是不可能产生自激振荡的。（）
13．双、单极型三级管都是电流控制元件。（）
14．三级管只要工作在线性放大区就有Vc>Vb>Ve （）
15．三级管放大电路中，加入Re一定可稳定输出电流。（）
16．正弦波振荡电路的起振条件是|
.
A
.
F|=1。（）
17．TTL或门电路不使用的输入端可以接地。（）
18．CMOS逻辑与门电路，多余的输入端可以悬空。（）
19．CMOS传输门，具有双向传输特性。（）
20．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合（）
四、简答题
1．已知三极管工作在线性放大区，各极对地电位如图所示：（6分）
1）试在图中补全三极管的符号，并标出b,c,e极；
2）三极管的材料为___________（硅管还是锗管）；
3）三极管的管型为___________（NPN还是PNP）。
2．已知下图中，二极管为理想器件，判断两个二极管是导通还是截止，并求U AO。（5分）
3．判断反馈类型（正负反馈、串并联反馈、电压电流反馈、交直流反馈）（1）判断下图中反馈元件Rf的反馈类型（8分）
O
A
（2）判断下图中R 的反馈类型（6分）
4．用基本公式和定理证明下列等式成立
（1）________
____________________B A B A B A AB +++=)(B A B A ABC B
A +++
（2）? A ?B ?C+ ABC=
（3）AB+BC+CA=(A+B)*(B+C)*(C+A) （4）A C C B B A A C C B B A ++=++ 5．求下列函数的对偶式Y ’及反函数?Y （1）Y=A （B+C ） （2）CD B A Y += （3）Y=A ?B+B ?C+C （?A+D ）
6．用公式法将下列函数化简成最简与或表达式 （1）Y= ?A ?BC+ ?ABC+ ABC + AB ?C （2）Y= ?A ?B ?C+ AC +B+C （3）Y=（A+B ）*（?A +?B ）+A （4）Y=ABC+?BC+ACD
7．用卡诺图法化简下列函数式为最简与或式
(a)
(b)
(a)
（1）C A C B A C B A Y ++==C B A BC A C B A C B A +++=A （2）C B A +++=C B A C B B A Y =A （3）Y=AD C B C A B A +++=?A+?C+BD （4）C B AC B A Y ++=
8．正确连接多余端，实现Y=A+B 的逻辑关系。（4分）
9．如图所示电路为数据比较器，试写出函数F 的简化表达式。(4分
)
10．写出下图电路的状态方程并画时序图（触发器初始状态为0）。（4分）
11．指出下列
555电路完成的功能。（4分）
B Y
B Y
（a ）
（b ）
12．写出由ROM 所实现逻辑函数的表 达式。 (8分)
13．分析用集成十进制同步可逆计数器CT74LS192组成的下列计数器分别是几进制计数器。CT74LS192的CR 为异步清零端（高电平有效），LD 为异步置数控制端（低电平有效），CPU 、CPD 为加、减计数脉冲输入端（不用端接高电平），CO 和BO 分别为进位和借位输出端。（7分）
五、综合分析计算设计题
1．如图所示的限幅电路中，已知输入信号为t V i ωsin 9=V,V E 6=,二极管为理想器件。试画出电压
Y 1
Y 2
O V 的波形。(8分)
2．画出下列电路的直流通路、交流通路、H 参数微变等效电路，并计算静态工作点、输入、输出电阻及电压增益。（16分）
3．放大电路分析如图示电路，已知
B C L =50 试求：
1）求静态工作点“Q ”
2）R L 接入情况下电路的电压放大倍数； 3）输入电阻Ri 和输出电阻Ro ；（12分）
4．图所示晶体管放大电路，设晶体管参数为β、r be ，U BE ≈0，要求列出下列各值的计算式。(8分) (1)静态工作点I B ，I C ，U CE ； (2)电压放大倍数Au 。
5．已知如图V ＣＣ=12V ，R B =100K Ω，R W =400K Ω，R C ＝4K Ω，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设U BE = 0 ）。 （10分）
6．已知电路如图所示，Ω=k R g 3001,Ω=k R g 1002,Ω=M R g 23,Ω=k R d 10，
Ω=K R 21，Ω=K R 102,
V V DD 20=,ms g m 1=,d r >>d R 。求：（1）画出小信号模型等效电路（2）
U
O
i
A
r r 和电压增益、输出电阻输入电阻。
7．写出下图输出与输入的关系表达式： 8．在图所示运放电路中，设各运放为理想运
放，试求： 1i u 、2i u 之间的关系式；
(1) u 01与
o
(2) u0与
1
i
u、
2
i
u、
3
i
u之间的关系式。
9．设计三人表决电路并画出电路图。（少数服从多数）。
10．分析下列时序逻辑电路，写出状态方程、列状态转换真值表、画状态转换图。
11．试画出用3线—8线译码器74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数的逻辑图。
12．试用74161设计计数长度为8的计数器，可采用几种方式？画相应的电路图与状态转换图。
13．画出74290构成的五十进制计数器的连线图。
14．试分析图示时序逻辑电路，写出驱动方程、状态方程和输出方程。画出当X=l时的状态图。并说明此时该电路的功能。设触发器的初态为00。
参考答案
一、选择题：1、C 2、C 3、C 4、B 5、C 6、C 7、C 8、B 9、B 10、A
11、C 12、B 13、B 14、C 15、B 16、A 17、C 18、A 19、C
20、C 21、A 22、C 23、B 24、A 25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴 2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏
4、差动
5、φA + φF=2nπ（n=0、1、2……）、AF=1
6、电压、电阻
7、放大、调整
8、A B+A B 9、悬空、低电平
10、12 C 11、取反保持
12、特征方程状态转换真值表
13、4 14、D/A
15、保持编码 16、热敏特性光敏特性
17、基极集电极电流 18、电容短路
19、直接耦合电容耦合变压器耦合
20、零无穷大 21、克服交越失真
22、0.5V 0.7V 23、1/3
24、2 感性 25、7
26、高高 27、5V 3—18V
28、10111111 29、11
30、OC门。 31、0 20 90
32、组合逻辑电路时序逻辑电路
33、单向导电性平均整流电流反向工作电压
34、电流电流 35、12V 6V
三、判断
1、×
2、√
3、×
4、×
5、√
6、×
7、√
8、×
9、√10、√ 11、×12、×
13、×14、×15、×16、×17、√18、×19、√ 20、√
四、简答题
1．1）0V引脚为基极b、0.3V引脚为发射极e, -5V引脚为集电极c极；
2）锗管；
3）PNP型。
2．D1截止 D2导通 U AO =0V 3．（1） a ：电压、并联、交直流、负反馈
b ：电流、串联、直流、负反馈 （2） a ：直流、电压、串联、负反馈 b ：交直流、电压、并联、负反馈。 4．用基本公式和定理证明下列等式成立
（1）________
____________________B A B A B A AB +++=)(B A B A ABC B A +++
解：等式左边0_________
________
____________________=+=+++A A B A B A B A AB 等式右边)(B A B A ABC B A +++=A A +=0 （2）? A ?B ?C+ ABC=
解：? A ?B ?C+ ABC=)(*)(C B A C B A ABC C B A ++++=+=
（3）AB+BC+CA=(A+B)*(B+C)*(C+A)
解：(A+B)*(B+C)*(C+A)=(AB+AC+B+BC)* (C+A)=(AC+B) * (C+A)=AC+BC+AB （4）A C C B B A A C C B B A ++=++
解：左式=)(*)(*)(A C C B B A A C C B B A +++=++=A C C B B A ++ 5．求下列函数的对偶式Y ’及反函数?Y
（1）Y=A （B+C ）
解：Y ’=A+BC ；?Y=? A+?B ?C （2）CD B A Y += 解：
（3）Y=A ?B+B ?C+C （?A+D ）
解：Y ’=（ A+?B ）（B+?C ）（C+? AD ）；?Y=（?A+B ）（?B+C ）（?C+A ?D ） 6．用公式法将下列函数化简成最简与或表达式
（1）Y= ?A ?BC+ ?ABC+ ABC + AB ?C =?AC+AB （2）Y= ?A ?B ?C+ AC +B+C =?A+B+C （3）Y=（A+B ）*（?A +?B ）+A=A+?AB=A+B （4）Y=ABC+?BC+ACD=C (A+?B)+ACD=AC+?BC 7．用卡诺图法化简下列函数式为最简与或式
（1）C A C B A C B A Y ++==C B A BC A C B A C B A +++=A
（2）C B A +++=C B A C B B A Y =A
（3）Y=AD C B C A B A +++=?A+?C+BD
（4）C B AC B A Y ++=
8．（a ）多余端接电源或与A 或B 接在一起 （b ）多余端接地或与A 或B 接在一起 9．F=B A B A ++ A B =A+B
10．Qn+1 = -
Qn 画图时初始Q 值为0，在cp 脉冲下降沿反转。 11． （a ）施密特触发器
（b ）多谐振荡器
(a)直流通路
(b)交流通路 12．写出由ROM 所实现的逻辑函数的表达式。 Y1 = A B C + B C + A B C + ABC Y2 = A BC + A B C + ABC
13．（a ）为6进制加计数器 （b ）为23进制加计数器
五、综合分析计算设计题
1．
2．（1）直流通路、交流通路、H 参数微变等效电路如下图：
（2）求静态工作点：
U B =V CC R 2/(R 1+R 2) U E =U B -U BE I E =U E /R 4
I C =I E
I B =I E /β （3）输入电阻、输出电阻
r be =300+(1+)26mv/I EQ
R i =U i /I i =R 1‖R 2‖(U i /I b )=R 1‖R 2[r be +(1+β)R E ] Ro=R C
（4）A U =Uo/U i =-（βR L ‖R C ）/[r be +(1+β)R E ]
3．放大电路分析
t
ω
解：（1）求静态工作点“Q ”
40A 30012
B C
C B
BEQ
CC BQ ==≈
-=
R U R U U I μA
mA
204.050BQ CQ =?==I I β
V
63212C CQ CC CEQ =?-=-=R I U U
再求三极管的动态输入电阻
963
)
mA (2mV)(26)501(300)mA (mV)(26)
1(300EQ be =++=++=I r βΩ963.0≈k Ω
（2）RL 接入情况下电路的电压放大倍数u A
为：
78963.0333
350be L -=+??
-='-=r R A u
β
（3）输入电阻Ri 和输出电阻Ro ； 输入电阻Ri 为：
96.0963.0//300//be B ≈==r R R i k Ω
输出电阻Ro 为： 3C o ==R R k Ω
4．（1） I B =（U CC －U BE ）/[R B +（1+β）R E ] I C =βI B (1分)
U CE =U CC －I C R E (2分) （2） A U =（1+β）（R E // R L ）/[r be +（1+β）（R E // R L ）] 5．I B = U CC /（R B ＋200）= 40μA
I C =βI B =1.5m A U CE = U CC －I C R C =6V
I C ( mA)
μA
μA
μA μA B =0
CE (V)
6．
3.311≈+-=R g R g A m d m U
（3分） )//(213g g g i R R R r +≈
= 2075k （2分）
k R r d O 10=≈ （2分）
7．解：1）V O1/R 3= -V 1/R 1-V 2/R 2
V O1= -(R 3/R 1+R 3/R 2) 2）V O /R 5= -V O1/R 4
V O = (R 3/R 1+R 3/R 2) R 5/R 4 8．（1） u 01=－[(R3/R1) u i1+(R3/R2) ]u i2=－4 u i1－2 u i2
（2） u 0=[(R 4+R 6)/ R 4]*[R 7/ (R 5+R 7)] u i3 +(R 6/R 4)*(R 3/R 1)u i1 +(R 6/R 4)*(R 3/R 2) u i2=8u i1+4u i2+2u i3 9．解：（1） 设ABC 代表三个人，F 为表决结果，逻辑值为1表示同意、为0表示不同意。
（2）列真值表
（3）写逻辑函数表达式
F=A BC+A B C+AB C +ABC =AB+BC+AC （4）画逻辑电路图
10．解：1）写驱动方程
D 1= Q n 1 D2=Q n 2
2）写状态方程
Q 1n+1=D 1=Q n 1 （CP ↑） Q 2n+1=D 2=Q n 2 （Q 1n ↓）
3）列状态转换真值表（3分）
4）画状态转换图
00 → 01 ↑ ↓
11 ← 10
11．解：
逻辑电路如图所示。
12．解：（1）图（a ）采用异步清零法设计的8进制计数器，图（b ）是其状态转化图。
（2）图（c ）采用同步置数（初始值为0000）法设计的8进制计数器，图（d ）是其状态转化图。 （3）图（e ）采用进位信号同步置数（初始值为1000）法设计的8进制计数器，图（f ）是其状态转
化图。
（f ）
13． 74290构成的五十进制计数器的连线图。
14． T2=x ⊕Q n 1, k2= x ⊕Q n
1 （2）状态方程：Q n+1
1= J1*/ Q n
1+/k1* Q n
1=/ Q n
1
Q n+12=( x ⊕Q n 1) Q n 1+（x*Q n 1）Q n
2
（3）输出方程：Y= Q n 1 Q n
2 （4） 状态图：
（5）四进制减法计数器
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
《电子技术基础》复习题 直流稳压电源 一、单项选择题： 1．在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（）。 (a) 四只(b) 二只 (c) 一只 2．在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有（）。 (a) 电流放大特性(b) 单向导电的特性(c) 反向击穿的性能 3．在整流电路中，设整流电流平均值为I ，则流过每只 二极管的电流平均值I I D0 的电路是（）。(a) 单相桥式整流电路 (b) 单相半波整流电路(c) 单相全波整流电路 4．整流电路如图所示，设变压器副边电压有效值为 U 2，输出电流平均值为I O 。二极管承受最高反向电 压为2 2 U，通过二极管的电流平均值为I O且能正常工作的整流电路是下图中（）。
~ ~ ~ u O u O u O i O D 1D 2 () b () a - - - 5．整 流 电 路 如 图 所 示， 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 为U 2， 二 极 管D 所 承 受 的 最 高 反 向 电 压 是 （ ）。 (a) U 2 (b) 22U (c) 222U ～ u O - 6．整 流 电 路 中， 整 流 电 压u O 的 平 均 值 为U 2（U 2 为 变 压 器 副 边 电 压u 2 的 有 效 值）， 符 合 该 值 的 整 流 电 路 是 下 图 中（ ）。
～ ～ ～ ? u O u O D 1 () a (c) + - +- D 2 7．整 流 电 路 如 图 所 示， 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 为10 V ， 则 输 出 电 压 的 平 均 值 U O 是 （ ）。 (a) 9 V (b) V (c) V ～ u O + - 8．设 整 流 变 压 器 副 边 电 压u U t 222=sin ω，欲 使 负 载 上 得 到 图 示 整 流 电 压 的 波 形， 则 需 要 采 用 的 整 流 电 路 是（ ）。 (a) 单 相 桥 式 整 流 电 路 (b) 单 相 全 波 整 流 电 路 (c) 单 相 半 波 整 流 电 路
〖专业课〗 《电子技术基础》 课程标准
二Ｏ一二年八月 三年制中等职业教育 《电子技术基础》课程标准 一、概述 （一）课程性质。本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 （二）课程设计基本理念。注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 （三）课程设计思路。该课程是依据“电子技术应用专业工作任务与职业能力分析表”中的以能力目标指导下，基于职业教育的校企合作、工学结合、基于生产过程的工作项目设置的。其总体设计思路是，打破以知识传授为主要特征的传统学科课程模式，转变为以工作任务为中心组织课程内容，并让学生在完成具体的项目中学会完成相应的工作任务，并构建相关理论知识，发展职业能力。课程内容突出对学生职业能力的训练，理论知识的选取紧紧围绕工作任务完成的需要来进行，同时又充分考虑了中等职业教育对理论知识学习的需要，并融合了相关职业资格证书对知识、技能和态度的要求。项目设计以生产过程为线索来进行。教学过程中，要通过校企合作，校内实训基地建设等多种途径，采取工学结合、半工半读等形式，充分开发学习资源，给学生提供丰富的实践机会。教学效果评价采取过程评价与结果评价相结合的方式，通过理论与实践相结合，重点评价学生的职业能力。
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低
C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）
电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑
触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
电子技术基础课程标准 [ 课程名称] 《电子技术基础》 [ 适用专业] 中等职业学校电工电子专业 [ 课程性质] 本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。主要内容分为两类：第一类为模拟电子技术。第二类为数字电子技术。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 [ 课程目标] 1、知识目标与技能目标 通过本课程的学习，使学生掌握电子技术各种基本功能电路的组成、基本工作原理、性能特点，熟悉电子技术工艺技能和电子仪器的正确使用方法，初步具有查阅电子元器件手册，正确使用元器件的能力、读识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。能复述逻辑门电路的功能，并能利用逻辑门电路设计简单的组合逻辑电路，并能分析简单时序逻辑电路的功能。为后续课程学习准备必要的知识，为今后从事实际
工作打下必要的基础。 2、过程与方法学会理论联系实际，使课内与课外实验，科技活动紧密结合，提高学生学习兴趣，增强掌握运用所学理论知识解决相关专业领域实际问题的能力。 充分利用实验设备，加大实验比重，使学生动手能力明显提高。培养学生查阅科技资料的能力。 3、情感态度与价值观参与科技活动的热情，勇于探究与日常生活有关 的电学问题；享受快乐的学习过程及学习成果，养成持之以恒的学习精神；形成主动与他人合作的精神，具有团队精神；关心国内外科技发展现状与趋势，有强烈的使命感与责任感。 [ 课程基本理念] 注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 [ 课程内容和要求] 序 教学内容课程内容与要求考核要求 号 1 晶体二极1 、熟悉二极管器1. 半导体的概念；二极管的单
《电子技术基础》复习要点 课程名称：《电子技术基础》 适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余） 辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社 复习要点 第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子
浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 ◆单向导电性：正向导通，反向截止。 ◆正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 ◆死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 ?分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: ◆若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); ◆若V阳 。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题 一、填空题 1、多极放大电路常用的耦合方式有三种： 耦合、 耦合和 耦合。 2、半导体中中存在两种载流子： 和 。纯净的半导体称为 ，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为 。杂质半导体分为两种： 半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是 。当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 ，这是制造半导体器件的基础。 3、在本征半导体中加入5价元素可形成 半导体，加入3价元素可形成 半导体。 4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的 通路。 若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为 失真和 失真。 5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。 6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数 ；负反馈使放大倍数 ；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是 ，交流负反馈能够 改善放大电路的 。 7、电压负反馈使输出 保持稳定，因而 了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而 了输出电阻。串联负反馈 了放大电路的输入电阻；并联负反馈则 了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态： 式、 式、 式和 式。 8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的 成分，同时，尽量保留其中的 成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于 电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低 成分。 9、直流稳压电源一般由变压器电路、 及 和稳压电路四部分组成。 10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是 放大器，Av2是 放大 中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性. (10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性 电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2 3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。 《电子技术基础》课程标准教案 一、概述 （一）课程性质 本课程是高等职业技术学校机电一体化技术专业的核心课程，是本专业学生必修的专业基础技术课程。 通过本课程的学习和实践操作，使学生掌握电子技术的基础知识、一般分析方法和基础技能，为深入学习本专业有关后继课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。考虑到课程的基础性和应用性，一方面要求学生对基本概念、基本理论、基本工作原理要有所了解，更重要的要加强对学生综合分析和应用能力的培养。 （二）课程设计理念与思路 本课程贯彻以就业为导向，以能力为本位的职教思想。从高职学校培养应用型技术人才这一总目标出发，以应用为目的，以必需、够用为度，以职业能力分析为依据，设定课程培养目标，较大程度降低理论教学的重心，删除与实际工作关系不大的繁冗计算，以必备的相关基础知识和电子技术在工业中的应用为主线组织教学内容，注重培养学生的应用能力和解决问题的实际工作能力。 本课程在教学中，将实验室、实训室与教室整合为理论与实践融合互动的一体化情景氛围教学平台。即理论与实践融合互动的一体化情景氛围的教学实验室、实训室。实训室配置了常用工具、通用电子仪器仪表、常用元器件、实验实训装置等设施。创造了任务和条件就在手边的氛围环境，使学生产生强烈的实践学习的欲望、兴趣和冲动，激发了学生学习的潜能。 二、课程目标 （一）总目标 通过学习，使学生获得电子技术方面的基础知识和技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术在专业中的应用打好基础。 学习科学探究方法，发展自主学习能力，养成良好的思维习惯和职业规范，能运用相关的专业知识、专业方法和专业技能解决工程中的实际问题。 发展好奇心与求知欲，发展科学探索兴趣，培养坚持真理、勇于创新、实事求是的科学态度与科学精神，有振兴中华，将科技服务于社会的责任感。 理解科学技术与社会的相互作用，形成科学的价值观；培养学生的团队合作精神，激发学生的创新潜能，提高学生的实践能力。 （二）具体目标 1．知识与技能 （1）了解电子元器件的性能，能识别与检测常用电子元器件； （2）掌握电子线路的工作原理，并会分析具体的电子电路； （3）会使用万用表等常用电工仪表及常用电子仪器仪表来检测电子电路； （4）能阅读与理解整流电路及典型稳压电源的原理图； （5）能阅读与理解典型放大电路、运算放大电路； （6）能了解集成电路基本常识；重点理解集成电路在工业中的应用； （7）会使用常用电子仪表进行数字电路的测量与调试； （8）初步具有查阅电子元器件手册，撰写实验、实训技术报告和合理选用元器件的能力； 模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数 载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ； 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。 电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间：90分钟 满分：100分 一、 选择题 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2．测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4．由NPN 管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 （ ） （A ）饱和失真 （B ） 截止失真 （C ） 频率失真 5．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ） （A ）增加 （B ）减少 （C ）不变 6．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 7．晶体三极管工作在饱和状态时，满足（ ） A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8．稳压二极管正常工作时应工作在（ ）区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益i o F X X A 为（ ）。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10．图示电路中，AB 之间电压V 对应的方程式为（ ）。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题： 1．N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2．PN 结具有_________特性。 3．利用半导体材料的某种敏感特性，如_______ 特性和_______ 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。 4．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等于______。 X o 电子技术基础 、选择题: 1?在杂质半导体中，少子浓度主要取决于() (A)掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2 ?测得某PNP型三极管各极点位为：UB=-3V UE=-4V UC=-6V, 则该管工作于() (A)放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中，若更换晶体管使3值由50变为100,则电路的放大倍数() (A)约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4 .在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A)输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾Re是为了( (A)提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C)提高共模抑制比 6 .若A+B=A+C 贝^( (A) B=C ; (B) B= C ; (C)在A=0的条件下，B=C 7 ?同步计数器中的同步是指( (A)各触发器同时输入信号；(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 &由NPNt组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 (A)饱和失真(B) 截止失真(C) 频率失真 9.对PN结施加反向电压时，参与导电的是 (A)多数载流子(B)少数载流子(C) 既有多数载流子又有少数载流子 10?当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 (A)增加(B)减少(C)不变 11?通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( A、输入电阻高 B 、输出电阻低 C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路，正确的接法是 13 .将代码（10000011）8421BCD 转换成二进制数为（ D. 17. 多谐振荡器有（ 空穴浓度 （ A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19.稳压管构成的稳压电路, 其接法是（ A 、 (01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、 (000100110001)2 14. N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ A 、2n 个 B 、n2 个 C 、2n 个 D. (2n-1)个 15 ?函数F=AB +AB 转换成或非-或非式为 A 、A +B +A +B B 、A +B +A +B 、AB +AB D 、A +B +A +B 16?图示触发器电路的特征方程 Qn+1 =（ A. —n — n TQ +TQ n B. T Q +TQn C. A 、两个稳定状态 、一个稳定状态, 一个暂稳态 C 、两个暂稳态 、记忆二进制数的功能 18?本征半导体电子浓度 空穴浓度，N 型半导体的电子浓度 空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 《电子技术基础》学科课程标准 吉林财经学校 电子教研室 《电子技术基础》学科课程标准 一、课程性质 （一）课程性质 本课程是一门电子技术方面的入门性质技术基础课程,它具有自身的体系，是实践性很强的课程。它的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术基础的某些领域，以及为电子技术基础在专业中的应用打好基础。 （二）基本理念 为保证教学的规范性及计划性,本着及时反映相关学科领域的最新成果、随着技术发展及时更新教学内容的原则特指定本课程标准。要求授课教师在保证学生掌握基本理论及基础知识的基础上，强调启发式教学，注重学生的创新能力的培养。本课程要求先行学完物理和电工基础。 （三）设计思路 1．体现21世纪电子技术的新知识、新器件、新工艺、新技术的应用。 2．体现能力本位的职教特色。 3．吸收了本课程先进的教学经验和教学改革成果，充分考虑中专学校的教学实际，力求内容简洁、重点突出。 4．加强对学生实践能力和应用能力的培养，减少验证性实验，增强提高应用能力的实验。 二、课程目标 本课程的教学目标是：使学生具备高素质劳动者和中初级专门人才所必需的电子技术的基本知识和基本技能，初步形成解决实际问题的能力，为学习专业知识和职业技能打下基础，并注意渗透思想教育，逐步培养学生的辨证思维，加强学生的职业道德观念。以培养学生综合职业能力为主线，同时课程进行整体优化。 （一）课程教学目标 基本知识教学目标是： 1. 电工与电子技术中的基本概念和基本原理； 2. 常用设备和器件的特性及应用范围、途径。 能力目标是： 1. 能正确使用常用电工电子仪器仪表； 2. 能阅读简单的电路原理图及设备的电路方框图； 3. 具有查阅手册等资料的能力； 4. 能处理电器及电子设备的简单故障。 思想教育目标是： 1. 初步具备辨证思维的能力； 2.具有热爱科学，实事求是的学风和创新意识、创新精神； 3.加强职业道德意识。 （二）教学基本要求 A. 模拟电路部分 1. 掌握常用半导体器件工作原理、特性和主要参数，并正确使用。 2. 掌握基本放大电路、多级放大电路和差动放大电路的工作原理，静态和动态性能 计算和分析。熟悉阻容耦合放大器的频率响应。 3. 掌握运算放大器特点、分析方法和基本应用（线性和非线性）。 4. 掌握放大器反馈极性的判别、负反馈的基本方式及其对放大器性能的影响。 5. 掌握正弦波振荡器、整流器、稳压器、比较器、功率放大器的电路组成、工作原 理及主要应用。 6. 正确运用下列分析方法：用于分析静态工作点、输出幅度和波形失真的图解法； 分析运算放大器的虚短、虚断法；判断正、负反馈的瞬时极性法；处理工程实际问题时的估算法。 7. 具有以下能力：初步读图能力；具有对基本电路性能指标的定量估算能力；根据 功能要求，具有选定适当基本电路和选择元器件的能力。 B. 数字电路部分 a. 器件及电路方面 1. 掌握半导体器件的开关特性，正确理解正、负及混合逻辑； 2. 熟悉集成门和集成触发器的结构，工作原理，主要参数； 3. 掌握基本功能电路的电路结构，工作原理和逻辑功能。 b. 基本分析方法电子技术基础试题
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