第1章检测题（共100分，120分钟）
一、填空题：（每空0.5分，共25分）
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）
3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错）
4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）
6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM 时，该管必被击穿。 （错）
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错）
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错）
三、选择题：（每小题2分，共20分）
1、单极型半导体器件是（ C ）。
A 、二极管；
B 、双极型三极管；
C 、场效应管；
D 、稳压管。
2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A 、三价；
B 、四价；
C 、五价；
D 、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。
A 、导通状态；
B 、截止状态；
C 、反向击穿状态；
D 、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管
（ C ）。
A 、已经击穿；
B 、完好状态；
C 、内部老化不通；
D 、无法判断。
5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。
A 、多子扩散；
B 、少子扩散；
C 、少子漂移；
D 、多子漂移。
6、测得NPN 型三极管上各电极对地电位分别为V E ＝2.1V ，V B ＝2.8V ，V C ＝4.4V ，
说明此三极管处在（ A ）。
A 、放大区；
B 、饱和区；
C 、截止区；
D 、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。
A 、较大；
B 、较小；
C 、为零；
D 、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。
A 、矩形方波；
B 、等腰三角波；
C 、正弦半波；
D 、仍为正弦波。
9、三极管超过
（
C ）所示极限参数时，必定被损坏。
A 、集电极最大允许电流I CM ；
B 、集—射极间反向击穿电压U （BR ）CEO ；
C 、集电极最大允许耗散功率P CM ；
D 、管子的电流放大倍数β。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）
A 、发射结正偏、集电结正偏；
B 、发射结反偏、集电结反偏；
C 、发射结正偏、集电结反偏；
D 、发射结反偏、集电结正偏。
3、图1-29所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10
i =V ，
二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断
时电阻R =∞），试画出u 0的波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i 第2章 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共21分） 1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。 2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。 3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。 7、反馈电阻R E 的数值通常为 几十至几千欧 ，它不但能够对直流信号产生 负反馈 作用，同样可对交流信号产生 负反馈 作用，从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱，一般在R E 的两端 并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E 。 8、放大电路有两种工作状态，当u i ＝0时电路的状态称为 静 态，有交流信号u i 输入时，放大电路的工作状态称为 动 态。在 动 态情况下，晶体管各极电压、电流均包含 直流 分量和 交流 分量。放大器的输入电阻越 大 ，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越 小 ，放大器带负载能力就越强。 二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共19分） 1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。 （错） 2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。 （对） 3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。 （错） 4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 （对） 5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。 （对） 6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。 （错） 7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。 （对） 8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（错） t 9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（错） 10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。（对） 11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。（错） 12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（对） 13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。（对） 14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（对） 15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（错） 16、放大电路的集电极电流超过极限值I CM，就会造成管子烧损。（错） 17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（错） 18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。（对） 19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（对） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。 A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。 A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。 A、电阻R B； B、电阻R E； C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题是（A）。 A、管子的工作效率； B、不失真问题； C、管子的极限参数。 6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。 A、放大电路的电压增益； B、不失真问题； C、管子的工作效率。 7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A） A、带负载能力强； B、带负载能力差； C、减轻前级或信号源负荷。 8、功放电路易出现的失真现象是（C）。 A、饱和失真； B、截止失真； C、交越失真。 9、基极电流i B的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。 A、截止区； B、饱和区； C、死区。 10、射极输出器是典型的（C）。 A、电流串联负反馈； B、电压并联负反馈； C、电压串联负反馈。 四、简答题：（共23分） 1、共发射极放大器中集电极电阻R C 起的作用是什么？（3分） 答：R C 起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。 第4章 检测题 （共80分，100分钟） 一、填空题（每空0.5分，共25分） 1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5、 8421 BCD 码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。 9、8421BCD 码是最常用也是最简单的一种BCD 代码，各位的权依次为 8 、 4 、 2 、 1 。8421BCD 码的显著特点是它与 二进制 数码的4位等值 0～9 完全相同。 11、逻辑代数的基本定律有 分配 律、 结合 律、 交换 律、 反演 律和 非非 律。 12、最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。 13、卡诺图是将代表 最小项 的小方格按 相邻 原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的 最小项 之间，只允许 一位变量 的取值不同。 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作 “1” 或 “0” 。 二、判断正误题（每小题1分，共8分） 1、输入全为低电平“0”，输出也为“0”时，必为“与”逻辑关系。 （错） 2、或逻辑关系是“有0出0，见1出1”。 （错） 3、8421BCD 码、2421BCD 码和余3码都属于有权码。 （错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。 （对） 5、格雷码相邻两个代码之间至少有一位不同。 （错） 6、B A B A ?=+是逻辑代数的非非定律。 （错） 7、卡诺图中为1的方格均表示一个逻辑函数的最小项。 （对） 8、原码转换成补码的规则就是各位取反、末位再加1。 （对） 三、选择题（每小题2分，共12分） 1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2．、十进制数100对应的二进制数为（ C ）。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3、和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4、数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5、[＋56]的补码是（ D ）。 A 、00111000 B B 、11000111B C 、01000111B D 、01001000B 6、所谓机器码是指（ B ）。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 四、简述题（每小题3分，共12分） 1、数字信号和模拟信号的最大区别是什么？数字电路和模拟电路中，哪一种抗干扰能力较强？ 答：数字信号是离散的，模拟信号是连续的，这是它们的最大区别。它们之中，数字电路的抗干扰能力较强。 4、试述卡诺图化简逻辑函数的原则和步骤。 答：用卡诺图化简时，合并的小方格应组成正方形或长方形，同时满足相邻原则。利用卡诺图化简逻辑函数式的步骤如下： ①根据变量的数目，画出相应方格数的卡诺图； ②根据逻辑函数式，把所有为“1”的项画入卡诺图中； ③用卡诺圈把相邻最小项进行合并，合并时就遵照卡诺圈最大化原则； ④根据所圈的卡诺圈，消除圈内全部互非的变量，每一个圈作为一个“与”项，将各“与”项相或，即为化简后的最简与或表达式。 五、计算题（共43分） 1、用代数法化简下列逻辑函数（12分） ①B A C B A F ++=)(②BC B A C A F ++= ③ABC C B A C AB BC A C B A F ++++=④D C A C AB D C D C B B A F ++++=2 ②)13,12,9,8,7,6,5,3,2,1()(m ABCD F ∑= ③∑= =），、、、15 14, 12, 8, 7, 6, 1, 0() (m D C B A F ④∑∑+==））， 、、、12 9, ,3(15 14, 8, 7, 5, 1, 0() (d m D C B A F 3、完成下列数制之间的转换（8分） ①（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D ）16 ②（11101.1）2＝（29.5）10＝（35.4）8＝（1D.8）16 ③（57.625）10＝（71.5）8＝（39.A ）16 第5章 检测题（共100分，120分钟） 一、填空题（每空0.5分，共25分） 1、具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 2、具有“相异出1，相同出0”功能的逻辑门是 异或 门，它的反是 同或 门。 3、数字集成门电路按 开关 元件的不同可分为TTL 和CMOS 两大类。其中TTL 集成电路是 双极 型，CMOS 集成电路是 单极 型。集成电路芯片中74LS 系列芯片属于 双极 型集成电路，CC40系列芯片属于 单极 型集成电路。 4、功能为“有0出1、全1出0”的门电路是 或非 门；具有“ 有1出1，全0出0 ”功能的门电路是或门；实际中集成的 与非 门应用的最为普遍。 二、判断正误题（每小题1分，共10分） 1、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 （对） 2、3线—8线译码器电路是三—八进制译码器。 （错） 3、已知逻辑功能，求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。 （错） 4、编码电路的输入量一定是人们熟悉的十进制数。 （错） 5、74LS138集成芯片可以实现任意变量的逻辑函数。 （错） 6、组合逻辑电路中的每一个门实际上都是一个存储单元。 （错） 7、74系列集成芯片是双极型的，CC40系列集成芯片是单极型的。 （对） 8、无关最小项对最终的逻辑结果无影响，因此可任意视为0或1。 （对） 9、三态门可以实现“线与”功能。 （错） 10、共阴极结构的显示器需要低电平驱动才能显示。 （错） 三、选择题（每小题2分，共20分） 1、具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 2、下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。 A 、74LS85 B 、74LS138 C 、74LS148 D 、74LS48 3、七段数码显示管TS547是（ B ）。 A 、共阳极LED 管 B 、共阴极LED 管 C 、极阳极LC D 管 D 、共阴极LCD 管 4、八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（ B ）。 A 、2个 B 、3个 C 、4个 D 、8个 5、四输入的译码器，其输出端最多为（ D ）。 A 、4个 B 、8个 C 、10个 D 、16个 6、当74LS148的输入端70~I I 按顺序输入11011101时，输出02~Y Y 为（ B ）。 A 、101 B 、010 C 、001 D 、110 7、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（ D ）。 A 、与非门 B 、或门 C 、或非门 D 、异或门 8、多余输入端可以悬空使用的门是（ B ）。 A 、与门 B 、TTL 与非门 C 、CMOS 与非门 D 、或非门 9、译码器的输出量是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 10、编码器的输入量是（ C ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 四、简述题（每小题3分，共15分） 1、何谓逻辑门？何谓组合逻辑电路？组合逻辑电路的特点？ 答：数字电路中的门电路，其输入和输出之间的关系属于逻辑关系，因此常称为逻辑门。若逻辑电路的输出仅取决于输入的现态，则称为组合逻辑电路，其中输出仅取决于输入的现态就是组合逻辑电路的显著特点。 2、分析组合逻辑电路的目的是什么？简述分析步骤。 答：分析组合逻辑电路的目的是找出已知组合逻辑电路的功能，分析的步骤为四步：①根据已知逻辑电路图用逐级递推法写出对应的逻辑函数表达式；②用公式法或卡诺图法对的写出的逻辑函数式进行化简，得到最简逻辑表达式；③根据最简逻辑表达式，列出相应的逻辑电路真值表；④根据真值表找出电路可实现的逻辑功能并加以说明，以理解电路的作用。 五、分析题（共20分） 1、根据表5-11所示内容，分析其功能，并画出其最简逻辑电路图。（8分） 解： 2、图5-33所示是u A 、u B 两输入端门的输入波形，试画 出对应下列门的输出波形。（4分） ①与门 ②与非门 ③或非门 ④异或门 解：对应输入波形，可画出各门的输出 波形如右图红笔所示。 2、写出图5-34所示逻辑电路的逻辑函数表达式。（ 8分） t t F B (a ) F C (b) 图5-34 5.5.2逻辑电路图 异或门 解：（a （b 六、设计题（共10分） 1、画出实现逻辑函数C A C B A AB F ++=的逻辑电路。（5分） 设计：本题逻辑函数式可化为最简式为C AB F +=，逻辑电路为： 2、设计一个三变量的判偶逻辑电路。（5分） *应用能力训练附加题：用与非门设计一个组合逻辑电路，完成如下功能：只有当三个裁判（包括裁判长）或裁判长和一个裁判认为杠铃已举起并符合标准时，按下按键，使灯亮（或铃响），表示此次举重成功，否则，表示举重失败。 解：附加题显然是一个三变量的多数表决电路。其中三个裁判为输入变量，按键为输出变量。普通裁判同意为1分，裁判长A 同意为2分，满3分时F 为1，同意举重成功；不足3分F 为0，表示举重失败。 F B C (a ) F C (b) 图9-43 9.5.2逻辑电路图 第1章习题 1-1 判断题 1．电荷的定向移动形成电流。（√） 2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。（√） 3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大。（√） 4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。（×） 5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。（×） 6．电流表必须串联在电路中应用，而电压表则必须并联在电路中应用。（√） 7．在选择电器时，电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。（√）8．额定功率越大的电器，其消耗的电能一定多。（×） 9．电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。（√） 10．电容器和电阻器虽然结构不同，其实是同一类型的电气元件。（×）11．电容器并联总电容量增加；电容器串联总电容量减小。（√） 12．对于同一个电容器，两端的电压越高其储存的电场能量越小。（√）1-2 计算题 1 一直流电流流过导体，已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？ 解：根据I=Q/t, 有 （1）I=6000C/60s=100A （2）I=6000C/1s=6000A 2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向，并问通过电流表A1和A2的电流是否相等？B、C、D各点的电位谁高谁低？ 图1-30 题2图 解：因为A1、A2是串联关系，流过的电流相等；电位的排序为：B＞C＞D 3 有两条长度为1km 、截面积为2mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？ 解： （1）铝导线常温下的电阻： =???==--6 3610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω （2）铜导线常温下的电阻： =???==--63610 210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为： 26 36m m 23.31073.810100283.0=???=--铝S 4 有两只灯泡，额定功率都为40W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上，哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？ 解： （1）工作电压为36V R =U 2/P =32.4Ω （2）工作电压为12V R =U 2/P =3.8Ω （3）串联接于48V 电源上 两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω 根据串联电阻分压公式有 2.434836 4.3211=?==U R R U V U 2=48-43.2=4.8V 额定电压为36V 的灯泡过压，灯丝会烧断。 5．计算下列灯泡的电阻及额定电压下的电流，并加以比较，澄清诸如“电 第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？ 练习题1 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题2分，总计40分)。 1、半导体二极管的主要特点是具有( )。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 2、在RC桥式正弦波振荡电路屮，当满足相位起振条件吋，则其屮电压放大电路的放大倍数必须满足( )才能起振。 (a) A v = 1 (b) A v = 3 (c) A v < 3 (d) A v >3 3、所谓晶体管输出特性曲线屮的线性区域是指( )□ (a)放大区(b)饱和区(c)截止区 4、要使放大器的输入电阻提高，输出电阻减小，该放大器应引入( )。 (a)电流申联负反馈個电压并联负反馈 ?电流并联负反馈(d)电压串联负反馈 5、理想运算放大器的开环电压放大倍数Ao是( )o (a)无穷大(b)零(c)约120dB 6、电路如图所示，其电压放大倍数等于( )o (a) I (b)2 (c)零 7、运算放大器电路如图所示，/?F1和/?F2均为反馈电阻，其反馈极性为()。 (a) /?F1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 ⑹Rpi和RF2引入的均为负反馈 (c) /?FI和RF2引入的均为正反馈(d) /?F1引入的为负反馈，/?F2引入的为正反馈 41 8、直流稳压电源屮滤波电路的Fl的是( )。 Q)将交流变为直流(b)将高频变为低频(c)将交流成分滤掉 9、姜消除乙类推挽放大器的交越失真，应改用( )推挽功率放大器。 (a)甲类(b)甲乙类(c)内类 10、整流电路如图所示，输出电流平均值厶=50 mA ,则流过每个二极管的电流平均值厶是( )o (a) ￡ =50 mA (b) ￡ =25 mA (c)厶=12.5 mA O ----- ——r^— --------------- + ZK D, ZK D2 11、余3 码01101001 对应的8421 BCD 码为( )。 (a) 00110110 (b) ()0111001 (c) 01100110 (d) 10011100 12、组合逻辑电路通常由( )组合而成。 (a) fl电路(b)触发器(c) 计数器(d)寄存器 13、已知逻辑函数式F二A3C + 4BC +ABC ,化简为最简与或式是 ( )o (a) F = A'B + B'C (b) F = A'C +AB (c) F = A*C + BC 14、为实现将D触发器转换为T触发器图1所示的虚框内应是( )o (a)或非门(b)与非门(c)异或门(d)同或门 《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷） 第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10 (3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101 二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补 模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ） 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件就是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态就是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流就是( A )而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2、1V,V B＝2、8V,V C＝4、4V,说明此三极管处在( A )。 A、放大区; B、饱与区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件就是( C ) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象就是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱与失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件就是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题就是(A)。 电工电子技术基础练习题（1） 1、固定偏置放大电路如图所示，已知U CC V =20，U BE .V =07，晶体管的电流放 大系数β=100，欲满足I C mA =2，U CE V =4的要求，试求电阻R B ，R C 的阻值。 o U CC 2、电 路 如 图 所 示， 已 知 晶 体 管 的β=60，r be k =1Ω，U BE =0.7 V ， 试 求:(1) 静 态 工 作 点 IB ，IC ，UCE 。 V 3、电 路 如 图 所 示， 已 知 晶 体 管β=100，计 算 电 路 的 静 态 值 I B ， I C ，U CE 。 4、如图：若U CC =6V ，R C =2kΩ,R B =200 kΩ, β=50,用估算法计算其静态工作点。 5、晶体管放大电路如下图所示： 已知β ＝100，r b e =1kΩ，Vcc=24V ，Rc ＝3kΩ，R b ＝600kΩ，RL ＝1.5kΩ，试近似计算：放大电路的输入电阻R i ；输出电阻Ro ；电压放大倍数A u 。 6、放大电路如图所示，晶体管的电流放大系数β=50， U BE .V =06 ，R B1=110 k Ω，R B2=10 k Ω，RC=6k Ω，RE =400Ω，RL ＝6 k Ω，求：(1) 计算静态工作点；(2)画出微变等效电路； u o 12V 7、电 路 如 图所示，已知β=50，r be k =1 Ω，要求：(1) 画出两个电 路 的 微 变 等 效 电 路 ；(2) 计算输入电阻，输出电 阻。 8、单相半波整流电路中， U1为变压器原边电压，U2为变压器副边电压，U O 为负载电阻R L 上的电压，若U1是400V ，U1和U2线圈扎数比是20：1，计算U O 9、单相桥式整流电路中，U1为变压器原边电压，U2为变压器副边电压， 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热 《电子技术基础》课程习题集 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说法正确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的 《电工电子学》 练习题 班级 学号 工业大学 二零一四年 第1章 电路的基本概念 1. 1 图中，五个元件代表电源或负载。电压和电流的参考方向如图所示。通过测量得知： A 41-=I ，A 62=I ，A 103=I ，V 1401=U ，V 902-=U ，V 603=U ， V 804-=U ， V 305=U ，试标出各电流的实际方向和各电压的实际极性，并指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 题1.1的电路 1.2 一电器的额定功率W 1N =P ，额定电压V 100N =U 。今要接到V 200的直流电源上，问应选下列电阻中的哪一个与之串联，才能使该电器在额定电压下工作。 （1） 电阻值ΩK 5，额定功率2W ； （2） 电阻值ΩK 10，额定功率W 5.0； （3） 电阻值ΩK 20，额定功率W 25.0； （4） 电阻值ΩK 10，额定功率W 2。 1.3 有一直流电源，其额定功率W 200N =P ，额定电压V 50N =U ，阻Ω=5.00R ，负载电阻 R 可以调节，其电路如图所示。试求 （1） 额定工作状态下的电流及负载电阻； （2） 开路状态下的电源端电压； （3） 电源短路状态下的电流。 1.4 在图示电路中，已知V 101=U ，V 41=E ，V 22=E ，Ω=41R ，Ω=22R ， Ω=53R ， 1、2两点间处于开路状态，试计算开路电压2U 。 题1.4的电路 1.5 求图示电路中开关S闭合和断开两种情况下a、b、c三点的电位。 题1.5的电路 1.6 求图示电路中A点的电位。 题1.6的电路 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 第1章 电路的基本知识 1.1 电路的概念 （1）略 （2）电路通常由电源、负载和中间环节（导线和开关）等部分组成。 A ．电源的作用：将其他形式的能转换成电能。 B ．负载的作用：将电能转换成其他形式的能。 C ．中间环节的作用：传递、分配和控制电能。 1.2 电路中的主要物理量 （1）零、负电位、正电位 （2）3、1.5、3、1.5、0、3 （3）-7，-5 1.3 电阻 （1）3∶4 （2）查表1.3，知锰铜合金的电阻率?Ω?=-7 10 4.4ρm 根据S l R ρ=，得43.1104.41021.0376=???==--ρRS l m 1.4 欧姆定律 （1）电动势、内压降 （2）当R =∞ 时，电路处于开路状态，其特点是电路中电流为零，电源端电压等于电源电动势；当R =0时，电路处于短路状态，其特点是短路电流极大，电源端电压等于0。 （3）22.01000 220 === R U I A 由于22.0=I A=220mA 50>mA ，故此人有生命危险。 1.5 电功与电功率 （1）2540 1000 ===P W t h （2）略 （3）31680072002.0220=??==UIt W J 思考与练习 一、判断题 1.√ 2. × 3. √ 4. × 5. √ 6. × 7. × 8. √ 9. × 二、选择题 1. C 2. C 3. B 4. B 5. B 6. B 7. C 8. B 三、填空题 1．正、相反； 2．参考点； 3．负极、正极； 4．高、低、低、高； 5．材料、长度、横截面积、 S l R ρ =； 6．1800、±5％； 7．220 四、计算题 1．5510=-=-=b a ab V V U V 10)5(5=--=-=c b bc V V U V 15)5(10=--=-=c a ac V V U V 15-=-=ac ca U U V 2．2.012024===t Q I A Ω=== 202 .04I U R 3．（1）210 100220 =+=+= r R E I A （2）2001002=?==IR U V （3）20102=?==Ir U r V 4．（1）8804220=?==UI P W （2）15840001800880=?==Pt W J （3）1440018005.042 2 =??==Rt I Q J （4）1569600144001584000=-=-=Q W E J 第2章 直流电路的分析与计算 2.1 电阻的连接 （1）5.04 2 11=== R U I A 10205.022=?==IR U V 1210221=+=+=U U U V （2）由于1 2 2 212 21R R R U R U P P = = 故142820 101212=?== P R R P W 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.doczj.com/doc/466156152.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.doczj.com/doc/466156152.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.doczj.com/doc/466156152.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.doczj.com/doc/466156152.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.doczj.com/doc/466156152.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性. (10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性 习题答案电子技术基础与技能资源 1.填空题 （1）单向导电 导通 截止 （2）硅管 锗管 0.6~0.7 0.2~0.3 （3）最大整流电流 最高反向工作电压 （4）将电信号转换成光信号 将光信号转换成电信号 （5）将交流电网电压转换成为稳固的直流电压 （6）桥式整流 （7）将交流电变成单向脉动直流电 将脉动的直流电转换成较平滑的直流电 2.判定题 （1）（ √ ） （2）（ × ） （3）（ √ ） （4）（ √ ） （5）（ √ ） （6）（ √ ） 3.选择题 （1）C （2）B （3）B （4）C （5）A （6）D （7）C 4.分析与运算 解：a)VT 导通。Uao=－9V b)VT1导通，VT2截止。Uao=0V c)VT2导通，VT1截止。Uao=－4.5V 5.画图题 略 第1章 测试题一解答 1.填空题 （1）导体 绝缘体 （2）本征半导体 （3）P 型 （4）负极 正极 （5）反向击穿 （6）反向 （7）反偏 （8）半波整流 2.判定题 （1）（ × ） （2）（ × ） （3）（ × ） （4）（ √ ） （5）（ × ） （6）（ × ） 3.选择题 （1）C （2）C （3）D （4）A 4.分析与运算 （1）解：依照二极管的正向伏安特性曲线可知，若按此接法，由于电源本身内阻专门小，1.6V 电压几乎全加在二极管两端，通过二极管的电流会专门大，容易烧坏二极管，电源也会因过热而损坏，因此不承诺把二极管按此方法连接。 （2）解：8种接法；5个不同值，16V 、8.7V 、1.4V 、8V 、0.7V 。 （3）解：VD1、VD4接反，电容C 极性接反。 （4）解：V V U U O 1081209.09.02=?==； 空载时V V U U O 1681204.122=?≈=； 二极管承担反向电压可达168V 。 第1章 测试题二解答 1.填空题 （1）空穴 （2）0.5 0.2 《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。电工电子技术基础——习题解答
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