验证直流参数(Verifying DC Parameters)
1.IDD Gross Current Test
对象:VDD pin
目的:粗略检测流入VDD pin的电源电流是否过大.(在wafer test中很有用),判断是否有必要继续测试.
方法:因为不要求精确预置(而只是简单预置,为了使DUT在一个稳定的状态),所以IDD标准应该放宽,一般是2-3倍.
所有input用驱动接地或电源,outputs不加负载.
用PMU在VDD pin上加VDDmax(最坏情况),测电流,观察结果是否符合限制值.
错误分析:有除DUT之外的其它的系统耗电导致电流过大
电阻:在VDD和地之间的最小总电阻.
可以用一个等效电阻代替DUT来验证测试系统的精确性
2.IDD Static Current Test
对象: VDD pin
目的:检测当DUT预置在最低电流消耗逻辑状态下(静态),消耗的电流是否过大.(是检测CMOS器件中制程问题的有效方法)
方法:执行test vector pattern,将DUT精确预置在特定逻辑状态下.
其它的同IDD Gross Current Test.
错误分析:有除DUT之外的其它的系统耗电导致电流过大
电阻:在VDD和地之间的最小总电阻.
可以用一个等效电阻代替DUT来验证测试系统的精确性
3.IDD Dynamic Current Test
对象:VDD pin
目的:检测当DUT启动运行其功能时,消耗的电流是否过大
方法:在最高工作频率下,运行test vector pattern,将DUT预置在启动逻辑状态下在测试过程中pattern持续执行.
其它的同IDD Gross Current Test.
错误分析:有除DUT之外的其它的系统耗电导致电流过大
电阻:在VDD和地之间的最小总电阻.
可以用一个等效电阻代替DUT来验证测试系统的精确性
4.VOL/IOL;VOH/IOH
a.VOL/IOL(定流测压)
对象:output pin
目的:测试output在逻辑0状态的时候,输出电阻是否过大.
方法(串行/静态):VDD加VDDmin
预置outputs逻辑0.用PMU向output pin灌入一个固定IOL,测电压,与标准
做比较..重复步骤直到所有output pin都测完.
错误分析:1)VOL过大但是output逻辑状态正确,表明预置成功,可能器件本身有缺陷.
2)VOL过大而且output pin逻辑状态不正确,表明预置不成功,重新预置
电阻:output在0逻辑状态下的最大输出电阻(output pin与地之间)
用一个等效电阻代替失败的DUT pin可以用来验证测试系统的精确性
b.VOH/IOH(定流测压)
对象:output pin
目的:测试output在逻辑1状态的时候,输出电阻是否过大.
方法(串行/静态):VDD加VDDmin
预置outputs逻辑1.用PMU向output pin拉出一个固定IOH,测电压,与标准
做比较..重复步骤直到所有output pin都测完.
错误分析:1)VOH过小,但是output逻辑状态正确,表明预置成功,可能器件本身有缺陷.
2)VOH过小,约为-0.7v(保护二极管起了保护作用).而且output pin逻辑状态不正确,
表明预置不成功,重新预置
电阻:output在1逻辑状态下的最大输出电阻(output pin与VDD之间)
用一个等效电阻代替失败的DUT pin可以用来验证测试系统的精确性
5.IIL/IIH
a.IIL
对象:all input pins
目的:测试input pin到VDD电阻是否足够大
方法(串行/静态):VDD为VDDmax(最坏情况)
用Drive固定所有的input pin为逻辑1.
撤除被测试的pin的Drive,在用PMU使这个pin接VSS(logic 0),测电流.,比
较是否超过标准范围.重复操作直到所有pin都测完.
错误分析:有除DUT之外的其它的系统耗电导致电流过大
器件有缺陷.
电阻:input到VDD之间的最小电阻
用一个等效电阻代替可以用来验证测试系统的精确性
b.IIH
对象:all input pins
目的:测试input pin到地电阻是否足够大
方法(串行/静态):VDD为VDDmax(最坏情况)
用Drive固定所有的input pin为逻辑0.
撤除被测试的pin的Drive,在用PMU使这个pin接VDD(logic 1),测电流.,比
较是否超过标准范围.重复操作直到所有pin都测完.
错误分析: :有除DUT之外的其它的系统耗电导致电流过大
器件有缺陷.
电阻:input到地之间的最小电阻
用一个等效电阻代替可以用来验证测试系统的精确性
IIL/IIH并行测试法(parallel method)
每个input pin都连接一个PMU,同时开始测试,所以速度快,并且能够直到每个pin的测试情况
IIL/IIH Ganged测试法
所有input pin连再一起测一个总电流,这个方法之适合用于输入阻抗较大的电路,如CMOS电路.
6.IOZL/IOZH
对象:I/O pin和有高阻态的output pin.
目的:检测在高阻态下output pin和VDD之间的电阻是否足够大.
方法:output pin失去驱动能力,由PMU提供电压电流
预置在高阻态
PMU在output pin上加VSS,测拉出的电流,是否超过标准范围
错误分析:1)电流略超标,可能是DUT之外系统有其它耗电流,或DUT有缺陷
2)电流很大,DUT有严重缺陷,或者DUT未被正确预置
电阻:高阻态下pin到VDD之间的最小电阻
b.IOZH
对象:I/O pin和有高阻态的output pin.
目的:检测在高阻态下output pin和地之间的电阻是否足够大.
方法:output pin失去驱动能力,由PMU提供电压电流
预置在高阻态
PMU在output pin上加VDD,测灌入的电流,是否超过标准范围
错误分析:1)电流略超标,可能是DUT之外系统有其它耗电流,或DUT有缺陷
2)电流很大,DUT有严重缺陷,或者DUT未被正确预置
电阻:高阻态下pin到地的最小电阻
7.Output Short Circuit Current(IOS)(定压0v测流)
目的:检测output在逻辑1的状态下,电压为0时输出电阻是否满足条件这个测试提供最坏的负载情况,保证短路时可以提供标准电流.
方法:预置输出逻辑1
用PMU在output pin上apply 0v.测得电流,与规定范围做比较
错误分析:电流超标,电阻不合适
无电流,逻辑错误(0)
电阻:在一个最大最小值范围内能保证电流不超范围
中医基础理论试题及答案 一、A型题(每小题1分，共10分) 1．下列哪一脏与血液生成关系最密切： A．心 B．肺 C．脾 D．肝 E．肾 2．气机的含义为： A．气的运动 B．气的运动形式 C．气的运动变化 D．气的升降运动 E．气的出入运动 3．主腐熟水谷的脏腑是： A．小肠 B．胃 C．大肠 D．脾 E．胆 4．月经的来潮与以下哪一组脏腑、经脉关系密切： A．心、肝、脾、冲脉、督脉 B．心、肺、肾、阳明脉、带脉 C．心、肾、冲脉、任脉、督脉 D.冲脉、任脉、带脉、心、脾 E．心、肝、脾、肾、冲脉、任脉 5．下列不属于奇恒之腑的是： A.脑 B．髓 C．脉 D．胆 E．命门 6．误治是指下列中哪一项： A．体实者用攻法 B．实证用攻 C．虚证用补 D．虚证用攻 E：体弱者用补法 7．下列中哪一项不属于饮食不洁： A．不清洁食物 B．不卫生食物 C．陈腐变质食物 D．有毒食物E．偏嗜某种食物 8．气在中医学中的基本概念是：
A.泛指机体的生理功能 B．构成世界的基本物质 C．构成人体的基本物质 D．维持人体生命活动的基本物质 E．构成人体和维持人体生命活动的最基本物质 9．“为胃行其津液”的脏是： A．肺 B．脾 C．肾 O．三焦 E．肝 10．《内经》所说：“大怒则形气绝，而血菀于上，使人薄厥”的病机，是指： A.气不摄血 B．气机逆乱 C．血随气脱 D．血随气逆 E．血随气结 二、D型题(每小题1分，共10分) 1．五脏发生病变时，按相生关系传变可出现哪两种传变： A．母病及子 B．侮其所不胜 C．克其所胜 D．子病及母 E．乘其所胜 2．以下哪两个脏腑有表里关系： A．脾 B．大肠 C．小肠 D．胃 E．肝 3．下列哪两项既属“五体”，又属奇恒之腑： A.脉 B．胆 C．脑 D．骨 E．髓 4．分别循行于躯干前后正中线的是下列中哪两项： A．冲脉 B．任脉 C．带脉 D．督脉 E．肾经 5．十二经脉分布于上肢内、外侧中线的两条经脉是下列中哪两项：A.手太阳 B．手少阴 C．手少阳 D．手太阴 E．手厥阴 6．下列病因和病邪性质、致病特点中，哪两项是相对应的：
安徽省马鞍山市高考地理一轮专题第2讲地图基础知识 姓名:________ 班级:________ 成绩:________ 一、单选题 (共14题；共40分) 1. （4分）读下面四幅等高线图，回答下列各题。 （1）图中坡度最陡的是（） A . ① B . ② C . ③ D . ④ （2）表示实地范围最大、内容最简略的是（） A . ① B . ② C . ③ D . ④ 2. （2分） (2016高三上·青州月考) 高一新生小明入学，从学校大门H出发按顺时针方向匀速沿学校外缘走了一圈，手机计步器显示走了3600步，计1800米（轨迹如右图）。回答下列各题。
（1）小明出发的校门，位于学校（） A . 东侧 B . 南侧 C . 西侧 D . 北侧 （2）学校面积最接近（） A . 18000平方米 B . 20000平方米 C . 200000平方米 D . 360000平方米 3. （2分） (2019高二下·浙江月考) 山地城镇的产业垂直地带性是指与人类活动息息相关的人口分布、产业布局等随着山体海拔高度的増加而呈带状分布的现象。重庆涪陵区大木乡位于武陵山国家森林公园西北山麓，是重庆典型的高山旅游度假型农村社区。左图为大木乡位置示意图，右图为山地城镇农业布局及级差地租关系图。完成小题。
（1）武陵山国家森林公园的典型植被是（） A . 亚热带常绿阔叶林 B . 热带季雨林 C . 温带落叶阔叶林 D . 亚热带常绿硬叶林 （2）在低海拔区域内（） A . ①曲线付租能力最强 B . ②曲线付租能力最弱 C . ③曲线付租能力最弱 D . ④曲线付租能力最强 4. （2分） (2018高二下·双峰开学考) 区域是地理学的主要研究对象之一，不同区域自然环境、人类活动都存在差异。下图为某区域示意图。读图，回答下列各题。 （1）图示区域中，县域界线划分的主要依据及其属性为（） A . 河流、明确的 B . 湖泊、模糊的 C . 山脉、明确的 D . 交通线、模糊的
第一章 半导体器件基础 ⒈ 讨论题与思考题 ⑴ PN 结的伏安特性有何特点？ ⑵ 二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？ ⑶ 硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同？ ⑷ 在结构上，三极管是由两个背靠背的PN 结组成的，那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别？ ⑸ 三极管是由两个背靠背的PN 结组成的，由很薄的基区联系在一起。那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用？ ⑹ 场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点？ ⒉ 作业题 题1.1 在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为3 17d cm 10 =N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。 题 1.2 若硅PN 结的317a cm 10 =N ，3 16d cm 10=N ，求T =300K 时PN 结的内建电位差。 题1.3 流过硅二极管的电流I D =1mA 时，二极管两端压降U D =0.7V ，求电流I D =0.1mA 和10mA 时，二极管两端压降U D 分别为多少？ 题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的，t U u ωsin m i ?=： ① 画出该电路的传输特性； ② 画出输出电压波形。 题图 1.4 题1.5 题图 1.5中二极管是理想的，分别求出题图1.5(a)、(b)中电压U 和电流I 的值。 (a) (b) 题图1.5 题1.6 在图题1.6所示电路中，取5-Vic半导体测试基础(中文版)88678
本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。 一．测试目的 Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。 测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。 另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。 二．测试方法 Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。 基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT 管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。 既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。 串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。缺点在于，从测试时间上考虑，会要求测试系统对DUT的每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。对于拥有PPPMU结构的测试系统来说，这个缺点就不存在了。 当然，Open-Short也可以使用功能测试（Functional Test）来进行，我会在后面相应的章节提及。
中医基础理论名词解释 1.整体观念：内外环境的统一性以及机体自身整体性的思想，叫做整体观念。 2.辨证论治：（1）辨证：对四诊所收集到的临床资料（病史和症状），在中医理论指导下进行分析，辨清其原因、性质、部位、邪正关系，概括、判断为某种性质的证候。 (2)论治：是根据辨证的结果，确定相应的治则、治法和方药，以及采用其他相应的治疗手段。 3. 证、病、症: (1)证：即证候，疾病发展过程中某一阶段病理生理反应状态的概括，包括病因、病位、病性、邪正关系、病变趋势及转归等本质。(2)症：即症状，疾病的临床表现，包括症状和体征，是病人主观感觉或医生检查所获得的结果。(3)病：即疾病，是指有特定的病因、发病形式、病变机理、发病规律和转归的一种病理过程。 4. 五行：指木，火，土，金，水五类物质要素及其运动变化。 5. 五行生克制化：是指五行之间既相互资生又相互制约，生中有克，克中有生，维持着事物之间平衡协调的变化与发展。 6.肝主疏泄:是指肝对于全身气机、血液和津液等方面具有疏通、畅达的功能。 7.心主血脉：心气推动血液在脉管中运行，流注全身，发挥营养和滋润作用。 8. 脾主运化:是指脾具有消化饮食水谷，转化为水谷精微将其吸收并将其转输至全身的功能。 9. 肺主宣发肃降: 宣发，肺气具有向上升宣和向外周布散的运动特性; 肃降，肺气具有向内向下清肃通降的运动特性。 10.肾主纳气：肾具有摄纳肺所吸入的自然界清气，保持吸气的深度，防止呼吸表浅的作用。 11.水火既济：又称“心肾相交”根据阴阳水火升降互济理论，心火必须下降于肾，资助肾阳，使肾水不寒；肾水必须上济于心，资助心阴，使心阳不亢，从而维持着心肾两脏生理功能协调平衡的关系。 12.乙癸同源：又称“肝肾同源”，肝藏血，肾藏精，精血同源互化，故称“肝肾同源”。 13. 体质：是个体在形态结构、代谢和生理机能等方面相对稳定的特性。
第一章 半导体器件基础测试题（高三） 姓名 班次 分数 一、选择题 1、N 型半导体是在本征半导体中加入下列 ___________ 物质而形成的。 A 、电子； B 、空穴； C 、三价元素； D 、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 A 、掺杂的工艺； B 、杂质的浓度: C 、温度； D 、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 _______________ 。 A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏； D 、发射结反偏、集电结反偏; 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 _____________________ 。 A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏； D 、发射结反偏、集电结反偏; 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A 、发射结正偏、集电结反偏； C 、发射结反偏、集电结正偏； 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其 A 、一 12V ； B 、一 6V ； C 、+6V ； D 、+12V 。 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 __________________ 。 A 、运用它的反向特性； B 、锗管使用在反向击穿区； C 、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域； D 、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 _______________________ A 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; B 、 用万用表的R X 10K 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； C 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转; D 、用万用表的R X 10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 9、电路如下图所示，则 A 、B 两点的电压正确的是 ________________ B 、发射结正偏、集电结正偏; D 、发射结反偏、集电结反偏; AB 两端的电压是 _____________
中医基础理论课程试卷 一、单项选择题（ 1～20 题，每题 1 分，计 20 分）（答题说明：请从每题的 5 个备选答案中选出 1个最佳答案，填在题干后的括号内） 1.中医学理论体系形成于（D） A.隋唐时期 B.金元时期 C.明清时期 D.战国至秦汉时期 E.春秋战国时期 2.金元四大家中，“养阴派”的代表人物是（D） A.刘完素 B.李杲 C.张从正 D.朱震亨 E.张元素 3.以下属于阴中之阳的是（C） A.心 B.脾 C.肝 D.肾 E.肺 4. “佐金平木”法确立的理论依据是（B） A.五行相生 B.五行相克 C.五行相乘 D.五行相侮 E.五行制化 5.脏腑之中，被称为“孤府”的是（C ） A.胆 B.胃 C.三焦 D.脾 E.脑 6.五脏与五窍的关系密切，其中肾开窍于（B） A.鼻 B.耳 C.口 D.舌 E.目 7. “罢极之本”是指（A） A.肝 B.肾 C.脾 D.胆 E.心 8.五脏中，与全身气机调节关系密切的是（A） A.肝与肺 B.心与肺 C.脾与肺 D.肾与肺 E.心与肾 9.具有“贯心脉行血气”功能的是（C）
A.元气 B.心气 C.宗气 D.营气 E.卫气 10. “吐下之余，定无完气”的理论基础是（D ） A.气能生津 B.气能行津 C.气能摄津 D.津能载气 E.津能化气 11.内脏下垂的主要病机是（C ） A.宗气虚 B.胃气虚 C.脾气虚 D.肾气虚 E.肺气虚 12.经络系统中，具有加强十二经脉在体表联系的是（D ） A. 正经 B.经别 C.经筋 D. 别络 E.奇经 13.手少阴心经与手太阳小肠经的交接部位是（D） A.拇指端 B.食指端 C.中指端 D.小指端 E.无名指端 14.平素畏热喜凉、好动易躁，易感暑热邪气的体质类型属于（B） A.偏阴质 B.偏阳质 C.痰湿质 D.阴阳平和质 E.气虚质 15.六淫邪气中，具有伤津而不耗气致病特征的是（D ） A. 风邪 B.火邪 C.暑邪 D. 燥邪 E.以上都不是 16.以下哪一项是错误的（B） A. 怒则气上 B.思则气缓 C.悲则气消 D.惊则气乱 E.劳则气耗 17.疾病发生的内在依据是（A） A. 正气不足 B.邪气侵袭 C.正邪相争 D.体质虚弱 E.气候异常 18.真寒假热证的病机是（C） A.阴损及阳 B.阳损及阴 C.阴盛格阳 D.阳盛格阴 E.阴盛转阳 19.临床上气虚病变以下列哪项为多见（D ） A.脾肾 B.肺肾 C.心肺 D.脾肺 E.心肾 20.阳病治阴的方法，适用于下列哪种病证（C）
第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
第一章半导体器件基础 1．试求图所示电路的输出电压Uo，忽略二极管的正向压降和正向电阻。 解： （a）图分析： 1）若D1导通，忽略D1的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则U O=1V，U D2=1-4=-3V。即D1导通，D2截止。 2）若D2导通，忽略D2的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则U O=4V，在这种情况下，D1两端电压为U D1=4-1=3V，远超过二极管的导通电压，D1将因电流过大而烧毁，所以正常情况下，不因出现这种情况。 综上分析，正确的答案是U O= 1V。 （b）图分析： 1.由于输出端开路，所以D1、D2均受反向电压而截止，等效电路如图所示，所以U O=U I=10V。
2．图所示电路中， E 解： （a）图 当u I＜E时，D截止，u O=E=5V； 当u I≥E时，D导通，u O=u I u O波形如图所示。 u I ωt 5V 10V uo ωt 5V 10V （b）图 当u I＜-E=-5V时,D1导通D2截止，uo=E=5V； 当-E＜u I＜E时，D1导通D2截止，uo=E=5V； 当u I≥E=5V时，uo=u I 所以输出电压u o的波形与（a）图波形相同。 5．在图所示电路中，试求下列几种情况下输出端F的电位UF及各元件(R、DA、DB)中通过的电流：( 1 )UA=UB=0V；( 2 )UA= +3V，UB = 0 V。( 3 ) UA= UB = +3V。二极管的正向压降可忽略不计。 解：（1）U A=U B=0V时，D A、D B都导通，在忽略二极管正向管压降的情况下，有：U F=0V mA k R U I F R 08 .3 9.3 12 12 = = - = 第1章半导体测试基础 第1节基础术语 描述半导体测试的专业术语很多，这里只例举部分基础的： 1．DUT 需要被实施测试的半导体器件通常叫做DUT（Device Under Test，我们常简称“被测器件”），或者叫UUT（Unit Under Test）。 首先我们来看看关于器件引脚的常识，数字电路期间的引脚分为“信号”、“电源”和“地”三部分。 信号脚，包括输入、输出、三态和双向四类， 输入：在外部信号和器件内部逻辑之间起缓冲作用的信号输入通道；输入管脚感应其上的电压并将它转化为内部逻辑识别的“0”和“1” 电平。 输出：在芯片内部逻辑和外部环境之间起缓冲作用的信号输出通道；输出管脚提供正确的逻辑“0”或“1”的电压，并提供合适的驱动 能力（电流）。 三态：输出的一类，它有关闭的能力（达到高电阻值的状态）。 双向：拥有输入、输出功能并能达到高阻态的管脚。 电源脚，“电源”和“地”统称为电源脚，因为它们组成供电回路，有着与信号引脚不同的电路结构。 VCC：TTL器件的供电输入引脚。 VDD：CMOS器件的供电输入引脚。 VSS：为VCC或VDD提供电流回路的引脚。 GND：地，连接到测试系统的参考电位节点或VSS，为信号引脚或其他电路节点提供参考0电位；对于单一供电的器件，我们称VSS为 GND。 2．测试程序 半导体测试程序的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。 测试程序通常分为几个部分，如DC测试、功能测试、AC测试等。DC测试验证电压及电流参数；功能测试验证芯片内部一系列逻辑功能操作的正确性；AC测试用以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。 程序控制测试系统的硬件进行测试，对每个测试项给出pass或fail的结果。Pass指器件达到或者超越了其设计规格；Fail则相反，器件没有达到设计要求，不能用于最终应用。测试程序还会将器件按照它们在测试中表现出的性能进行相应的分类，这个过程叫做“Binning”，也称为“分Bin”. 举个例子，一个微处理器，如果可以在150MHz下正确执行指令，会被归为最好的一类，称之为“Bin 1”；而它的某个兄弟，只能在100MHz下做同样的事情，性能比不上它，但是也不是一无是处应该扔掉，还有可以应用的领域，则也许会被归为“Bin 2”，卖给只要求100MHz的客户。 程序还要有控制外围测试设备比如Handler 和Probe 的能力；还要搜集和提供摘要性质（或格式）的测试结果或数据，这些结果或数据提供有价值的信息给测试或生产工程师，用于良率(Yield)分析和控制。 中医基础理论考试题库- 1.最早提出“六气病源说”的是 A.《黄帝内经》 B.《伤寒杂病论》 C.《神农本草经》 D.《难经》 E.《左传》 答案：1.E 2.《素问?脉要精微论》所说“四变之动，脉与之上下”，主要反映了 A.人体自身的完整性 B.人与自然环境的统一性 C.人与社会环境的统一性 D.辨证论治 E.以上都不是 答案：2.B 3.《灵枢?五癃津液别》所说“天寒衣薄则为溺与气，天暑衣厚则为汗”，说明了 A.人体自身的完整性 B.自然环境对人体生理的影响 C.社会环境对人体生理的影响 D.自然环境对人体病理的影响 E.社会环境对人体病理的影响 答案：3.B 4.《素问?疏五过论》所说“尝贵后贱”可致“脱营”，体现了 A.人体自身的完整性 B.自然环境对人体生理的影响 C.社会环境对人体生理的影响 D.自然环境对人体病理的影响 E.社会环境对人体病理的影响 答案：4.E 5. 中医学的基本特点是 A.五脏为中心的整体观 B.阴阳五行和脏腑经络 C.整体观念和辨证论治 D.望闻问切和辨证论治 E.辨证求因和审因论治 答案：5.C 6.人是一个有机的整体，其中心是 A.五脏 B.六腑 C. 经络 D.命门 E.脑 答案：6.A 7. 中医学关于“证”的概念是 A.对阴阳气血失调临床表现的概括 B.对疾病症状与体征的鉴别概括 C.对疾病表现症状的综合概括 D.对疾病症状与体征的分析概括 E.对疾病发展过程中某一阶段的病理概括答案：7.E 8. 中医认识和治疗疾病的主要依据是 A.病种 B.病名 C.症状 D.体征 E.证候 答案：8.E 9.属于中医学防治特点的确切表述是 A.同病异治 B.异病同治 C.审因论治 D.辨证论治 E.防重于治 答案：9.E 10. 中医理论中阴阳的概念是 A.代表相互对立的两种事物 广州市高考地理一轮专题第2讲地图基础知识A卷 姓名:________ 班级:________ 成绩:________ 一、单选题 (共14题；共40分) 1. （4分） (2017高三上·山东开学考) 下图为某河流域部分地区地层分布图，图中PQ距离为5cm 。在P 处测得北极星高度角为36°52'，Q处测得北极星高度角为36°56'，某日观测到太阳在正南时，国际标准时间为4点整。读图，完成下列问题。 （1） P点经度及该图比例尺分别是（） A . 90°E1:148000 B . 90°E1:74000 C . 120°E1:148000 D . 120°E1:74000 （2）下面能正确反映沿MN线地形剖面图和地层分布状况的是（） A . B . C . D . （3）从水循环的过程和地理意义角度分析，下列关于图示区域的说法正确的是（） ①流域内总体上降水量大于蒸发量②流域降水的水汽源自植物蒸腾 ③流域内河流主要参与海陆间循环④城市化使该流域径流量增加 ⑤流域的河流促进了该地区平原的形成 A . ①②④ B . ①③⑤ C . ②③⑤ D . ②④⑤ 2. （2分）下图为“某地的人口密度图”，若将其中图A放大成图B，地图所表达的内容不变，则图B中可能出现的变化有： ①比例尺变为1∶2 000 000； ②每点代表2 000人； ③图上1厘米代表实际距离10千米； ④人口密度为每平方千米50人。以上说法错误的有 A . 一项 B . 两项 C . 三项 D . 四项 3. （2分） (2016高一上·长春期末) 在一幅地图上量得甲、乙两地相距2厘米，两地实地距离100千米，这幅地图的比例尺是（）。 A . 1∶40 000 B . 1∶50 000 C . 1∶4 000 000 D . 1∶5 000 000 4. （2分） (2017高二下·临川期末) 在甲乙两张图幅大小相同的地图上，某两地间的图上距离分别为8厘米和4厘米。则（） A . 甲图表示的实地范围比乙图广 B . 进行工程建设选用乙图更为实用 第一章中医学的哲学基础 一、选择题 （一）A型题 1. 精气生万物的机理是天地阴阳二气的： A.互根互用 B.对立制约 C.交感合和 D.消长平衡 E.相互转化 2. 天、地、万物之间相互作用的中介是： A.气 B.气机 C.气化 D.彼此感应 E.神 3. 阴阳交感是指： A.阴阳二气的和谐状况 B.阴阳二气是运动的 C.阴阳二气的相互运动 D.阴阳二气在运动中相互感应而交合的过程 E.阴阳二气的对峙 4. “动极者镇之以静，阴亢者胜之以阳”说明阴阳的： A.交互感应 B.对立制约 C.互根互用 D.消长平衡 E.相互转化 5. “阴者，藏精而起亟也；阳者，卫外而为固也”说明阴阳的： A.制约 B.交感 C.消长 D.互根 E.互用 6. 根据阴阳属性的可分性，一日之中属于阴中之阴的是： A.上午 B.下午 C.前半夜 D.后半夜 E.以上均非 7. “阳病治阴”的方法适用于下列何证： A.阳损及阴 B.阳盛伤阴 C.阴虚阳亢 D.阳气暴脱 E.阳虚阴盛 8. 把“脾”归属土，主要采用的是何归类法： A.取象比类法 B.推演络绎法 C.以表知里法 D.试探法 E.反证法 9. “亢则害，承乃制”说明五行间的： A.相生 B.相克 C.相乘 D.相侮E制化 10. “见肝之病，知肝传脾”，从五行之间的相互关系看，其所指内容是： A.木疏土 B.木克土 C.木乘土 D.木侮土 E. 土侮木 11. 脾病传肾属于： A.相生 B.相克 C.相乘 D.相侮 E.母病及子 12 .属于“子病犯母”的是： A.脾病及肺 B.脾病及肾 C.肝病及肾 D.肝病及心 E.肺病及肾 13. 据五行相生规律确立的治法是： A.培土生金 B.佐金平木 C.泻南补北 D.抑木扶土 E.培土制水 14. “泻南补北”法适用于： A.肾阴虚而相火妄动 B.心阴虚而心阳亢 C.肾阴虚而心火旺 D.肾阴虚而肝阳 E.肾阳虚而心火越 （二）B 型题 A.寒者热之 B.热者寒之 C.阳病治阴 D.阴病治阳E滋阴扶阳 1. “益火之源，以消阴翳”指的是： 学校代码： 学号： HENAN INSTITUTE OF ENGINEERING 文献综述 题目仓储温湿度报警系统的设计 学生姓名 专业班级电气工程及其自动化二班 学号 系（部）电气信息工程系 指导教师(职称)蒋威（讲师） 完成时间 2011年 3 月 1日 仓储温湿度报警系统的设计综述 摘要：为保证日常工作的顺利进行，首要问题是加强仓库内温度与湿度的监测 工作，并及时报警提示。本文根据粮仓环境测试的特点，应用现代检测理论，对温室的温度、湿度等环境因子进行自动检测，并实现报警功能，首先介绍了粮仓自动监测系统的发展背景及现状，指出在控制监测方面存在的问题和需要进一步深入探讨、研究的各个方面。 关键词：粮仓、单片机、监测、传感器 目前，关于这类监测系统的研究，国内外公开发表的文献不多，下面是关于 单片机自动监测的一些主要文献： 文献[1] 这本书从应用角度出发，精选了国内外最新流行的智能仪器与数据采集系统中的一些有特色、功能很强的新型集成电路20多类100余种。内容涉及仪用放大器，运算放大器，隔离放大器，变送器，A／D、 D／A变换器， LED、LCD驱动器，看门狗定时器，UP电源监控器，数字电位器，闪烁存储器，实时时钟等器件。所优选的每一种器件除阐述其基本功能、电路特点、性能参数和管脚说明之外，更突出器件的使用方法和应用电路。对智能仪器设计、数据采集、自动控制、数字通信和计算机接口这部分设计具有很高的使用和参考价值。 文献[2] 这本书是"单片机应用技术丛书"中专门介绍单片机应用系统软件 设计的一本著作。书中总结了作者多年来在80C51系列单片机应用系统软件设计 中的实践经验，归纳出一整套应用程序设计的方法和技巧。在内容安排上，不仅 有实现功能要求的应用程序设计步骤、子程序、监控程序及常用功能模块设计方法，还以较大篇幅介绍了提高系统可靠性的抗干扰设计和容错设计技术以及程序测试的正确思想方法。附录中向读者提供了完整的系统程序设计样本和经过多年使用考验的定点运算子程序库与浮点运算子程序库的程序文本、注释及使用方法。对于本次设计主要参考的是应用程序设计步骤、子程序、监控程序及常用功能模块设计方法这一部分的内容。 文献[3] 提出MCS-51系列单片机应用系统的构成和设计方法。详细地阐述 了应用系统的前向通道（传感器通道接口）、后向通道（伺服驱动、控制通道接 口）、人机对话通道和相互通道（单片机应用系统之间的通信接口）的结构设计、 半导体C-V测量基础 作者：Lee Stauffer 时间：2009-07-29 来源:吉时利仪器公司 C-V测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息 通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。 这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。大学的研究实验室和半导体厂商利用这类测量评测新材料、新工艺、新器件和新电路。C-V测量对于产品和良率增强工程师也是极其重要的，他们负责提高工艺和器件的性能。可靠性工程师利用这类测量评估材料供货，监测工艺参数，分析失效机制。 采用一定的方法、仪器和软件，可以得到多种半导体器件和材料的参数。从评测外延生长的多晶开始，这些信息在整个生产链中都会用到，包括诸如平均掺杂浓度、掺杂分布和载流子寿命等参数。在圆片工艺中，C-V测量可用于分析栅氧厚度、栅氧电荷、游离子（杂质）和界面阱密度。在后续的工艺步骤中也会用到这类测量，例如光刻、刻蚀、清洗、电介质和多晶硅沉积、金属化等。当在圆片上完全制造出器件之后，在可靠性和基本器件测试过程中可以利用C-V测量对阈值电压和其他一些参数进行特征分析，对器件性能进行建模。 半导体电容的物理特性 MOSCAP结构是在半导体制造过程中形成的一种基本器件结构（如图1所示）。尽管这类器件可以用于真实电路中，但是人们通常将其作为一种测试结构集成在制造工艺中。由于这种结构比较简单而且制造过程容易控制，因此它们是评测底层工艺的一种方便的方法。 江苏省高考地理一轮专题第2讲地图基础知识 姓名:________ 班级:________ 成绩:________ 一、单选题 (共14题；共40分) 1. （4分）(2020·浙江) 我国某山脉主峰由古老的片麻岩构成，第四纪冰期时该地雪线高度为海拔3500~3600米。图一为该主峰附近地形图，图二为图一中某地的谷地景观图。完成下面小题。 （1）图二谷地景观可见于图一中的（） A . 甲地 B . 乙地 C . 丙地 D . 丁地 （2）图二谷地的成因是（） A . 构造断裂下陷 B . 流水侵蚀作用 C . 层挤压弯曲 D . 冰川侵蚀作用 2. （2分）(2018·浙江模拟) 下表为长江三角洲地区和东北地区人均耕地面积及谷物单产的比较数据。据此 完成下题。 上海江苏浙江黑龙江吉林辽宁全国人均耕地面积(公顷/人)0.020.070.050.310.210.100.10 单位面积谷物产量(千克/公 7 044 6 207 6 175 4 916 5 872 5 870 4 885 顷) （1）下列省市中人均谷物产量最低的是（） A . 上海 B . 浙江 C . 吉林 D . 黑龙江 （2）与东北地区比较，长江三角洲地区谷物单产高的主要原因是（） A . 土壤肥沃 B . 水热充足 C . 地形平坦 D . 机械化水平高 3. （2分）(2018·浙江模拟) 图为近20年全球平均气温相比于1961年至1990年平均值的增幅。读图，完成下题。 （1）关于近20年来全球平均气温变化的特点，下列叙述正确的是（） A . 气温呈逐年上升趋势 B . 2000年气温最低 C . 前10年平均值高于后10年 D . 近10年气温上升幅度趋缓 （2）关于近现代气候变化对我国地理环境的影响，可能的是（） A . 高山雪线不断下降 B . 冬季北方地区能源消耗增加 C . 内陆湖泊先增大后萎缩 D . 亚热带地区北界南移 4. （2分） (2020高三上·黑龙江开学考) 读下列经纬网地图（a、b、c 为等高线），回答下面下列小题。 （1）下列说法正确的是 A . 甲图在南半球，乙图在北半球 B . 甲图中是山地，乙图中是盆地 C . 甲图在西半球，乙图在东半球 D . 甲图中是盆地，乙图中是山地 （2）关于上图所表示的地理事象，以下说法错误的是（） A . 甲图比例尺较乙图小 B . 甲图坡度较乙图小 C . 甲图实际范围比乙图小 第一章半导体器件基础测试题（高三） 姓名班次分数 一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列____________ 物质而形成的。 A、电子； B、空穴； C、三价元素； D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 ________________ 。 A、掺杂的工艺； B、杂质的浓度： C、温度； D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确 的是 A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止； B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是 A、一12V ; C、+6V ;B、一6V ; D、 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 A、运用它的反向特性； C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域; 锗管使用在反向击穿区； D、都使用正向区 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 A、用万用表的 B、用万用表的 C、用万用表的 D、用万用表的R X 100 R X 10K R X 100 R X 10 , 或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转; 黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 第1.2讲地图基础知识 下图示意某GIS软件显示的某校部分建筑分布的地图窗口及其属性(如用途、建筑面积、建筑高度等)的浏览窗口(面积单位：m2；高度单位：m)。读图，完成下题。 1．若在该GIS软件中量算到学校局部用地的长为300 m、宽为220 m，要将此用地的平面图用1∶1 000的比例输出，则选用纸张幅面最小的是( ) A．A4纸(29.7 cm×21 cm) B．B4纸(36.4 cm×25.7 cm) C．A3纸(42 cm×29.7 cm) D．B3纸(51.5 cm×36.4 cm) 读我国南方某地等高线地形图，回答2～4题。 2．图示区域最大的高差可能是( ) A．350米B．400米 C．450米D．550米 3．图示区域中流量季节变化最小的河段是( ) A．①B．② C．③D．④ 4．某校地理研究性学习小组利用暑假调查该区域的土地利用状况，下列地点中最不适合成为宿营地的是 ( ) A．甲地B．乙地 C．丙地D．丁地 读等高线地形图，完成5～6题。 5．图中隧道( ) A．穿过等高线密集区，设计不合理 B．长度大约为6 000 m C．出入口受地质灾害影响较大 D．应建成“之”字形，以降低坡度 6．图中M、N、P、Q四点高差最大的一组是( ) A．MN B．PQ C．MQ D．NP 5．C 6.C 【解析】第5题，据图可知：图中隧道从鞍部穿过，选线合理；根据比例尺可以判断隧道长度大约为4 km左右；出入口位于鞍部的山谷地带，加之该地位于我国西南，降水集中的季节易引发滑坡等地质灾害；隧道应尽可能短，不应建成“之”字形。第6题，据图可判断图中等高距为100 m，M(600 m～700 m)、N(300 m～400 m)、P(200 m～300 m)、Q(200 m～300 m)，所以MQ之间的高差最大。 下图是大陆上某地区的等高线(单位：m)地形图，图中灰色区域为河流，图示区域内水平岩层被河流侵蚀切割。据此回答7～8题。 摘要： 本章节包括一下内容： ◆测试目的 ◆测试术语 ◆测试工程学基本原则 ◆基本测试系统组成 ◆PMU（精密测量单元）及引脚测试卡 ◆样片及测试程序 一、基础术语 描述半导体测试的专业术语很多，这里只例举部分基础的： 1．DUT 需要被实施测试的半导体器件通常叫做DUT（Device Under Test，我们常简称“被测器件”），或者叫UUT（Unit Under Test）。 首先我们来看看关于器件引脚的常识，数字电路期间的引脚分为“信号”、“电源”和“地”三部分。 信号脚，包括输入、输出、三态和双向四类， 输入：在外部信号和器件内部逻辑之间起缓冲作用的信号输入通道；输入管脚感应其上的电压并将它转化为内部逻辑识别的“0”和“1” 电平。 输出：在芯片内部逻辑和外部环境之间起缓冲作用的信号输出通道；输出管脚提供正确的逻辑“0”或“1”的电压，并提供合适的驱动 能力（电流）。 三态：输出的一类，它有关闭的能力（达到高电阻值的状态）。 双向：拥有输入、输出功能并能达到高阻态的管脚。 电源脚，“电源”和“地”统称为电源脚，因为它们组成供电回路，有着与信号引脚不同的电路结构。 VCC：TTL器件的供电输入引脚。 VDD：CMOS器件的供电输入引脚。 VSS：为VCC或VDD提供电流回路的引脚。 GND：地，连接到测试系统的参考电位节点或VSS，为信号引脚或其他电路节点提供参考0电位；对于单一供电的器件，我们称VSS为 GND。 2．测试程序 半导体测试程序的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。 测试程序通常分为几个部分，如DC测试、功能测试、AC测试等。DC测试验证电压及电流参数；功能测试验证芯片内部一系列逻辑功能操作的正确性；AC测试用以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。 程序控制测试系统的硬件进行测试，对每个测试项给出pass或fail的结果。Pass指器件达到或者超越了其设计规格；Fail则相反，器件没有达到设计要求，不能用于最终应用。测试程序还会将器件按照它们在测试中表现出的性能进行相应的分类，这个过程叫做“Binning”，也称为“分B in”. 举个例子，一个微处理器，如果可以在150MHz下正确执行指令，会被归为最好的一类，称之为“Bin 1”； 中医基础理论试题（附答案） 【典型试题】 一、选择题 （一）A型题 1.学习中医学的入门课程是： A.医古文 B.中医基础理论 C.中医临床医学 D.中医预防医学 E.中国医学史 2.中医学是发源于哪个国家的传统医学： A.中国 B.日本 C.印度 D.埃及 E.古希腊 3.我国现存医学文献中最早的一部典籍是： A.《伤寒杂病论》 B.《黄帝内经》 C.《难经》 D.《神农本草经》 E.《温疫论》 4.下列哪部著作提出以解剖方法直接观察人体： A.《伤寒论》 B.《金匮要略》 C.《黄帝内经》 D.《神农本草经》 E.《难经》 5.中医学中成功运用辨证论治的第一部专著是： A.《黄帝内经》 B.《难经》 C.《神农本草经》 D.《伤寒杂病论》 E.《小儿药证直诀》 6.我国第一部药物学专著是： A.《本草纲目》 B.《新修本草》 C.《黄帝内经》 D.《千金要方》 E.《神农本草经》 7.药物的“四气”、“五味”是在哪部著作中首次提出的： A.《神农本草经》 B.《本草纲目》 C.《新修本草》 D.《难经》 E.《医学纲目》 8.最早提出“七情和合”药物配伍的著作是： A.《神农本草经》 B.《本草纲目》 C.《新修本草》 D.《难经》 E.《千金要方》 9.我国第一部病因病机证候学专著是： A.《黄帝内经》 B.《难经》 C.《诸病源候论》 D.《三因极一病证方论》 E.《温病条辨》 10.提出病因“三因学说”的医家是： A.巢元方 B.华佗 C.张仲景 D.陈无择 E.扁鹊 11.下列著名医家中被称为“寒凉派”的代表是： A.叶天士 B.张从正 C.刘完素 D.朱丹溪 E.李杲 12.下列著名医家中被称为“攻邪派”的代表是： A.李杲 B.李中梓 C.吴又可 D.张子和 E.王清任 13.下列著名医家中被称为“补土派”的代表是： A.叶天士 B.李东垣 C.李中梓 D.张介宾 E.朱丹溪 14.下列著名医家中被称为“养阴派”的代表是： A.朱震亨 B.李东垣 C.张从正 D.刘完素 E.吴鞠通 15.提出“百病多因痰作祟”的医家是： A.李中梓 B.朱丹溪 C.李东垣 D.张介宾 E.赵献可 16.倡“阳常有余，阴常不足”理论的医家是：半导体测试基础
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