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材料科学基础习题参考答案1

材料科学基础习题参考答案1
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1 习题参考答案

高分子化学第一章习题参考答案 思考题: 1 参考答案: 单体—带有某种官能团、并具聚合能力的低分子化合物,或能形成高分子化合物中结构单元的低分子化合物称为单体,如乙烯、丙烯、丁二烯,己二醇、己二酸、双酚A、环氧氯丙烷等 单体单元—聚合物中的结构单元与单体的元素组成相同,只是电子结构有所改变,这样的结构单元也称单体单元,如聚氯乙烯的单体单元为: 结构单元—构成高分子链并决定高分子结构以一定方式连接起来的原子组 合称为结构单元,如聚氯乙烯的结构单元为: 重复单元—聚合物中化学组成相同的最小单位称为重复单元(又称重复结 构单元或链节)。 链节—许多结构单元连接成大分子,类似一条链子,因此结构单元也称链 节。 2、参考答案: 低聚物——是指分子量较低的聚合物,没有通常高聚物的性能,如为交联 的环氧树脂,不饱和聚酯树脂预聚体。 聚合物——高分子也称聚合物或高聚物,如聚氯乙烯、聚碳酸酯、顺丁橡 胶等。 大分子——分子量较大的物质,分子结构较复杂。 3参考答案: 聚氯乙烯分子式: 聚合度=(50000~150000)/62.5=800~2400 聚苯乙烯分子式:

聚合度=(100000~300000)/104=961~2885 涤纶分子式: 聚合度=(18000~23000)/192=94~120 尼龙-66分子式: 聚合度=(12000~18000)/226=53~80 聚丁二烯分子式: 聚合度=(250000~300000)/54=4630~5556 天然橡胶分子式: 聚合度=(200000~400000)/68=2941~5882 4、:缩聚——缩聚是缩合聚合的简称,如己二酸与己二胺缩聚成聚己二酰己二胺。 聚加成——在聚合过程中既有聚合又有加成的聚合反应,如丁二醇与二异氰酸己酯聚加成生产聚氨酯。 逐步聚合——由低分子转变为高分子是缓慢逐步进行的聚合反应,例如己二酸与己二胺聚合成聚二酰己二胺 加聚——烯类单体双键断裂而后加成聚合起来的反应称为加聚,如醋酸乙烯酯加聚制备聚醋酸乙烯酯。 开环聚合——环状单体σ键断裂而后聚合成线性聚合物的反应称为开环聚合,如环氧乙烷聚合成聚氧乙烯。 连锁聚合——聚合物分子链迅速增长的聚合反应,如聚氯乙烯聚合。

最新第1-4章习题参考答案

第1章 一、简答题 1.关于Linux的版本有两种不同的称呼: 一种是内核版本,一种是发行版本。 2.简述Linux操作系统的特点 3.系统调用、库函数的区别和练习 从用户角度观察,系统调用和库函数都以C函数形式出现,提供给用户一种功能实现的接口,需要用户输入指定的参数,调用结束得到指定的返回值。 从实现者角度观察,库函数是在系统调用上层的函数,库函数一般指程序员可以使用的通用函数。 系统调用由两部分组成: (1)核心函数:是实现系统调用功能的代码,作为操作系统的核心驻留在内存中,是一种共享代码。运行在核心态。 (2)接口函数:是提供给应用程序的API,以库函数的形式存在于Linux的lib.a中,该库中存放了所有系统调用的接口函数的目标代码,用汇编语言书写。其主要功能是把系统调用号,入口参数地址传给相应的核心函数,并使用户态下运行的应用程序陷入核心态。 4.完成如下命令 (1)新建用户tom 和用户组student #useradd tom #passwd tom #groupadd student (2)新建文件file #touch file (3)将文件file 改名为test,然后将test拷贝到/home #mv file test #cp test /home (4)将/home/test文件的拥有着修改为tom,将文件所属组该为student #chown tom:student /home/test 第2章 一、填空题 1.Vi的三中工作模式:插入模式、命令模式、末行模式。 2.Gcc生成可执行文件的四个步骤:预处理、编译、汇编、链接。 3.Makefile 用来描述程序或工程中各个文件之间的相互联系 4.make。命令用来及时makefile文件中的命令 5.库分为静态库和共享库。 二、简答题 1.静态库和共享库的区别 (1)静态库的代码在编译时就已连接到开发人员开发的应用程序中。 (2)共享库只是在程序开始运行时才载入,在编译时,只是简单地指定需要使用的库函数。

材料科学基础习题

查看文本 习题 一、名词解释 金属键; 结构起伏; 固溶体; 枝晶偏析; 奥氏体; 加工硬化; 离异共晶; 成分过冷; 热加工; 反应扩散 二、画图 1在简单立方晶胞中绘出()、(210)晶面及[、[210]晶向。 2结合Fe-Fe3C相图,分别画出纯铁经930℃和800℃渗碳后,试棒的成分-距离曲线示意图。 3如下图所示,将一锲形铜片置于间距恒定的两轧辊间轧制。试画出轧制后铜片经再结晶后晶粒大小沿片长方向变化的示意图。 4画出简单立方晶体中(100)面上柏氏矢量为[010]的刃型位错与(001)面上柏氏矢量为[010]的刃型位错交割前后的示意图。 5画图说明成分过冷的形成。 三、Fe-Fe3C相图分析 1用组织组成物填写相图。 2指出在ECF和PSK水平线上发生何种反应并写出反应式。 3计算相图中二次渗碳体和三次渗碳体可能的最大含量。 四、简答题 1已知某铁碳合金,其组成相为铁素体和渗碳体,铁素体占82%,试求该合金的含碳量和组织组成物的相对量。 2什么是单滑移、多滑移、交滑移?三者的滑移线各有什么特征,如何解释?。 3设原子为刚球,在原子直径不变的情况下,试计算g-Fe转变为a-Fe时的体积膨胀率;如果测得910℃时g-Fe和a-Fe的点阵常数分别为0.3633nm和0.2892nm,试计算g-Fe转变为a-Fe的真实膨胀率。 4间隙固溶体与间隙化合物有何异同? 5可否说扩散定律实际上只有一个?为什么? 五、论述题 τC 结合右图所示的τC(晶体强度)—ρ位错密度 关系曲线,分析强化金属材料的方法及其机制。 晶须 冷塑变 六、拓展题 1 画出一个刃型位错环及其与柏士矢量的关系。 2用金相方法如何鉴别滑移和孪生变形? 3 固态相变为何易于在晶体缺陷处形核? 4 画出面心立方晶体中(225)晶面上的原子排列图。 综合题一:材料的结构 1 谈谈你对材料学科和材料科学的认识。 2 金属键与其它结合键有何不同,如何解释金属的某些特性? 3 说明空间点阵、晶体结构、晶胞三者之间的关系。 4 晶向指数和晶面指数的标定有何不同?其中有何须注意的问题? 5 画出三种典型晶胞结构示意图,其表示符号、原子数、配位数、致密度各是什么? 6 碳原子易进入a-铁,还是b-铁,如何解释? 7 研究晶体缺陷有何意义? 8 点缺陷主要有几种?为何说点缺陷是热力学平衡的缺陷?

材料科学基础习题及答案

习题课

一、判断正误 正确的在括号内画“√”,错误的画“×” 1、金属中典型的空间点阵有体心立方、面心立方和密排六方三种。 2、位错滑移时,作用在位错线上的力F的方向永远垂直于位错线并指向滑移面上的未滑移区。 3、只有置换固溶体的两个组元之间才能无限互溶,间隙固溶体则不能。 4、金属结晶时,原子从液相无序排列到固相有序排列,使体系熵值减小,因此是一个自发过程。 5、固溶体凝固形核的必要条件同样是ΔG<0、结构起伏和能量起伏。 6三元相图垂直截面的两相区内不适用杠杆定律。 7物质的扩散方向总是与浓度梯度的方向相反。 8塑性变形时,滑移面总是晶体的密排面,滑移方向也总是密排方向。 9.晶格常数是晶胞中两相邻原子的中心距。 10.具有软取向的滑移系比较容易滑移,是因为外力在在该滑移系具有较大的分切应力值。11.面心立方金属的滑移面是{110}滑移方向是〈111〉。 12.固溶强化的主要原因之一是溶质原子被吸附在位错附近,降低了位错的易动性。13.经热加工后的金属性能比铸态的好。 14.过共析钢的室温组织是铁素体和二次渗碳体。 15.固溶体合金结晶的过程中,结晶出的固相成份和液相成份不同,故必然产生晶内偏析。16.塑性变形后的金属经回复退火可使其性能恢复到变形前的水平。 17.非匀质形核时液体内部已有的固态质点即是非均匀形核的晶核。 18.目前工业生产中一切强化金属材料的方法都是旨在增大位错运动的阻力。 19、铁素体是α-Fe中的间隙固溶体,强度、硬度不高,塑性、韧性很好。 20、体心立方晶格和面心立方晶格的金属都有12个滑移系,在相同条件下,它们的塑性也相同。 21、珠光体是铁与碳的化合物,所以强度、硬度比铁素体高而塑性比铁素体差。 22、金属结晶时,晶粒大小与过冷度有很大的关系。过冷度大,晶粒越细。 23、固溶体合金平衡结晶时,结晶出的固相成分总是和剩余液相不同,但结晶后固溶体成分是均匀的。 24、面心立方的致密度为0.74,体心立方的致密度为0.68,因此碳在γ-Fe(面心立方)中的溶解度比在α-Fe(体心立方)的小。 25、实际金属总是在过冷的情况下结晶的,但同一金属结晶时的过冷度为一个恒定值,它与冷却速度无关。 26、金属的临界分切应力是由金属本身决定的,与外力无关。 27、一根曲折的位错线不可能是纯位错。 28、适当的再结晶退火,可以获得细小的均匀的晶粒,因此可以利用再结晶退火使得铸锭的组织细化。 29、冷变形后的金属在再结晶以上温度加热时将依次发生回复、再结晶、二次再结晶和晶粒长大的过程。 30、临界变形程度是指金属在临界分切应力下发生变形的程度。 31、无限固溶体一定是置换固溶体。 32、金属在冷变形后可形成带状组织。 33、金属铅在室温下进行塑性成型属于冷加工,金属钨在1000℃下进行塑性变形属于热加工。

线性代数习题1参考答案

一.单项选择题 1. A 2. B 3.A 4. A 5. D 6. C 7.C 8.B 9..D 10.A 11.C 12.D 13.D 14.C 15.D 16.D 17.C 18.B 19.B 20.B 21.A 22.B 23.A 24.D 25.B 26. C 27.D 28.A 29.D 30.B 31.B 32.D 33.A 34.D 35.C 36. D 37.C 38.C 39.A 40.C 41.A 42. D 43.A 44.A 45. B 46.D 47.B 48.B 49.A 50.C 51.B 52.D 53.C 54.B 55.D 56.C 57.A 58.D 59.D 60.D 61.B 62.B 63.D 64.C 65.B 66.A 67.C 68.A 69.C 70.A 二.填空题 1.653010422-?? ? - ? ?--?? 2.0 3.0 4.125 5.4 6.9 7. ()()()y x z x z y --- 8.17 9.0 10.1 11. 1002011032?? ? ?- ? - ??? 12.()0,1,2T 13.3 14.2 15.0 16.3λ=- 17.-2 18.120220003?? ? ? ?-?? 19. 40 三、简答题

1.按行列式的定义,展开式的每项都是不同行不同列元素的乘积,所以具有3 x 的项只 有两项:3 443322115x a a a a -=;和3 2 1 43342211331x x x a a a a =--=)()(; 所以3 x 系数是:—2。 2.显然2121 2αααα-+,都是方程组的解。所以只要讨论它们线性无关。 任取两数21c c ,,使得02212211=-++)()(ααααc c 即 02221121=-++αα)()(c c c c ,因21αα,线性无关,所以 ?? ?=-=+.,0022 121c c c c ,而 ,031121≠-=-,所以021==c c 即2121 2αααα-+,线性无关,所以它们仍是这个方程组的基础解系。 3.按行列式的定义,展开式的每项都是不同行不同列元素的乘积,所以具有3 x 的项只 有两项:3 443322115x a a a a -=;和3 2 1 43342211331x x x a a a a =--=)()(; 所以3 x 系数是:—2。 4.显然2121 2αααα-+,都是方程组的解。所以只要讨论它们线性无关。 任取两数21c c ,,使得02212211=-++)()(ααααc c 即 02221121=-++αα)()(c c c c ,因21αα,线性无关,所以 ?? ?=-=+. , 0022121c c c c ,而 ,031121≠-=-,所以021==c c 即21212αααα-+,线性无关,所以它们仍是这个方程组的基础解系。 四.计算题

第1章课后习题参考答案

第一章半导体器件基础 1.试求图所示电路的输出电压Uo,忽略二极管的正向压降和正向电阻。 解: (a)图分析: 1)若D1导通,忽略D1的正向压降和正向电阻,得等效电路如图所示,则U O=1V,U D2=1-4=-3V。即D1导通,D2截止。 2)若D2导通,忽略D2的正向压降和正向电阻,得等效电路如图所示,则U O=4V,在这种情况下,D1两端电压为U D1=4-1=3V,远超过二极管的导通电压,D1将因电流过大而烧毁,所以正常情况下,不因出现这种情况。 综上分析,正确的答案是U O= 1V。 (b)图分析: 1.由于输出端开路,所以D1、D2均受反向电压而截止,等效电路如图所示,所以U O=U I=10V。

2.图所示电路中, E

解: (a)图 当u I<E时,D截止,u O=E=5V; 当u I≥E时,D导通,u O=u I u O波形如图所示。 u I ωt 5V 10V uo ωt 5V 10V (b)图 当u I<-E=-5V时,D1导通D2截止,uo=E=5V; 当-E<u I<E时,D1导通D2截止,uo=E=5V; 当u I≥E=5V时,uo=u I 所以输出电压u o的波形与(a)图波形相同。 5.在图所示电路中,试求下列几种情况下输出端F的电位UF及各元件(R、DA、DB)中通过的电流:( 1 )UA=UB=0V;( 2 )UA= +3V,UB = 0 V。( 3 ) UA= UB = +3V。二极管的正向压降可忽略不计。 解:(1)U A=U B=0V时,D A、D B都导通,在忽略二极管正向管压降的情况下,有:U F=0V mA k R U I F R 08 .3 9.3 12 12 = = - =

材料科学基础练习题

练习题 第三章 晶体结构,习题与解答 3-1 名词解释 (a )萤石型和反萤石型 (b )类质同晶和同质多晶 (c )二八面体型与三八面体型 (d )同晶取代与阳离子交换 (e )尖晶石与反尖晶石 答:(a )萤石型:CaF2型结构中,Ca2+按面心立方紧密排列,F-占据晶胞中全部四面体空隙。 反萤石型:阳离子和阴离子的位置与CaF2型结构完全相反,即碱金属离子占据F-的位置,O2-占据Ca2+的位置。 (b )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。 同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。 (c )二八面体型:在层状硅酸盐矿物中,若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体型结构 三八面体型:在层状硅酸盐矿物中,若全部的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型结构。 (d )同晶取代:杂质离子取代晶体结构中某一结点上的离子而不改变晶体结构类型的现象。 阳离子交换:在粘土矿物中,当结构中的同晶取代主要发生在铝氧层时,一些电价低、半径大的阳离子(如K+、Na+等)将进入晶体结构来平衡多余的负电荷,它们与晶体的结合不很牢固,在一定条件下可以被其它阳离子交换。 (e )正尖晶石:在AB2O4尖晶石型晶体结构中,若A2+分布在四面体空隙、而B3+分布于八面体空隙,称为正尖晶石; 反尖晶石:若A2+分布在八面体空隙、而B3+一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙,通式为B(AB)O4,称为反尖晶石。 3-2 (a )在氧离子面心立方密堆积的晶胞中,画出适合氧离子位置的间隙类型及位置,八面体间隙位置数与氧离子数之比为若干?四面体间隙位置数与氧离子数之比又为若干? (b )在氧离子面心立方密堆积结构中,对于获得稳定结构各需何种价离子,其中: (1)所有八面体间隙位置均填满; (2)所有四面体间隙位置均填满; (3)填满一半八面体间隙位置; (4)填满一半四面体间隙位置。 并对每一种堆积方式举一晶体实例说明之。 解:(a )参见2-5题解答。1:1和2:1 (b )对于氧离子紧密堆积的晶体,获得稳定的结构所需电价离子及实例如下: (1)填满所有的八面体空隙,2价阳离子,MgO ; (2)填满所有的四面体空隙,1价阳离子,Li2O ; (3)填满一半的八面体空隙,4价阳离子,TiO2; (4)填满一半的四面体空隙,2价阳离子,ZnO 。 3-3 MgO 晶体结构,Mg2+半径为0.072nm ,O2-半径为0.140nm ,计算MgO 晶体中离子堆积系数(球状离子所占据晶胞的体积分数);计算MgO 的密度。并说明为什么其体积分数小于74.05%?

材料科学基础作业解答

第一章 1.简述一次键与二次键各包括哪些结合键这些结合键各自特点如何 答:一次键——结合力较强,包括离子键、共价键和金属键。 二次键——结合力较弱,包括范德瓦耳斯键和氢键。 ①离子键:由于正、负离子间的库仑(静电)引力而形成。特点:1)正负离子相间排列,正负电荷数相等;2)键能最高,结合力很大; ②共价键:是由于相邻原子共用其外部价电子,形成稳定的电子满壳层结构而形成。特点:结合力很大,硬度高、强度大、熔点高,延展性和导电性都很差,具有很好的绝缘性能。 ③金属键:贡献出价电子的原子成为正离子,与公有化的自由电子间产生静电作用而结合的方式。特点:它没有饱和性和方向性;具有良好的塑性;良好的导电性、导热性、正的电阻温度系数。 ④范德瓦耳斯键:一个分子的正电荷部位和另一个分子的负电荷部位间的微弱静电吸引力将两个分子结合在一起的方式。也称为分子键。特点:键合较弱,易断裂,可在很大程度上改变材料的性能;低熔点、高塑性。 2.比较金属材料、陶瓷材料、高分子材料在结合键上的差别。 答:①金属材料:简单金属(指元素周期表上主族元素)的结合键完全为金属键,过渡族金属的结合键为金属键和共价键的混合,但以金属键为主。 ②陶瓷材料:陶瓷材料是一种或多种金属同一种非金属(通常为氧)相结合的化合物,其主要结合方式为离子键,也有一定成分的共价键。 ③高分子材料:高分子材料中,大分子内的原子之间结合方式为共价键,而大分子与大分子之间的结合方式为分子键和氢键。④复合材料:复合材料是由二种或者二种以上的材料组合而成的物质,因而其结合键非常复杂,不能一概而论。 3. 晶体与非晶体的区别稳态与亚稳态结构的区别 晶体与非晶体区别: 答:性质上,(1)晶体有整齐规则的几何外形;(2)晶体有固定的熔点,在熔化过程中,温度始终保持不变;(3)晶体有各向异性的特点。

习题一参考答案

重力勘查技术习题解答 习 题 一 参 考 答 案 1.名词解释:大地水准面;莫霍面。 2.决定各类岩(矿)石密度的主要因素是哪些 决定沉积岩、火成岩密度的主要因素各是什么 答:根据大量的测定和长期的研究结果,一般认为决定岩(矿)石密度大小的主要因素有:①岩(矿)石的矿物成分及含量;②岩(矿)石的孔隙度及孔隙中的含水量; ③岩(矿)石的埋藏深度。 决定沉积岩、火成岩密度的主要因素各是:孔隙度、矿物成分及含量。 3.试绘出图中A 、B 、C 各点的引力、惯性离心力和重力的方向。 4.重力位的导数: 重力位的一阶导数:x W ,y W ,z W 物理含义:重力场在相应坐标轴上的分量。 重力位的二阶导数:6个 yy xx W W 、、xy W :考察点附近等位面的曲率; xz W 、yz W :重力等位面的不平行性; zz W :重力垂直梯度,重力等位面的疏密性; 物理含义:ij W 表示i g 在j 方向的变化率。 重力位的三阶导数: zzz W , 物理含义:重力垂直梯度在垂直方向的变化率 5、假定地球是一个密度均匀的正球体,位于球心处单位质点所受的引力应是多大有人说,按牛顿万有引力定律,该处的引力应为无穷大(因为 ∞→→2 0lim r GM r ),对不对为什么 图1-1

答:不对,应为零,万有引力定律适应于两质点之间或两物体的大小相对于距离可以忽略的情况。 6、重力等位面上重力值是否处处相等为什么如果处处相等,等位面的形状如何如果重力有变化,等位面的形状又有何变化 答:等位面上重力位相等,重力值是矢量,有大小和方向,若处处相等则为平面。 7、利用用赫尔默特公式计算: 1)从我国最南边的南沙群岛(约北纬5)到最北边的黑龙江省漠河(约北纬 54),正常重力值变化有多大 请用用赫尔默特公式计算。 答:1901-1909年赫尔默特公式 2229.78030(10.005302sin 0.000007sin 2)/g m s ???=+- 南沙群岛处有:1 1.000040059g = 漠河有:2 1.00346367g = 则:2 210.003423611m/s g g -= 2)两极与赤道间的重力差是多大 3)若不考虑地球的自转,仅是由于地球形状引起的极地与赤道间重力差为多少 8、利用2c /g r =(c 为常数)计算地面的正常重力的垂直变化率。(取地球半径66.3710m r =?,g 取×106g.u.。 解:依题设,知道:2c /g r = 将上式对r 求导得到正常重力场随r 的变化率为 32c 2g g r r r ?=-=-? 代入所给值,得 3.076g.u g r ?=-? 答:地面的正常重力的垂直变化率为 3.076g.u -。 9、将地球近似看成半径为 6370km 的均匀球体,若极地处重力值为2m/s ,试估算地球的总质量为多少

java习题及答案第1章 习题参考答案

第1章习题解答 1.Java语言有那些特点? 答:Java语言的特点包括:平台无关性、面向对象、简单性、安全性、分布式、健壮性、解释型、多线程。 2.为什么说Java是结构中立的,具有跨平台特性? 答:无论哪种编程语言编写的程序最终都需要操作系统和处理器来完成程序的运行,平台无关性是指软件的运行不因操作系统、处理器的变化导致程序无法运行或出现运行错误。 以C++程序为例,C++编译器针对源程序所在平台进行编译、连接,然后生成机器指令,这样就无法保证C++编译器产生的可执行文件在所有平台上都被正确执行。如果更换了平台,可能需要修改源程序,并针对新的平台重新编译源程序。 相反,Java源代码不会针对一个特定平台进行编译,而是生成一种字节码中间文件(class 文件),这种文件是平台无关且体系结构中立的。也就是说,无论一个Java程序是在Windows、Solaris、Linux还是其他具有Java编译器的操作系统下编译,作为编译结果的字节码文件都是相同的,都可以在任何具有Java虚拟机(JVM)的计算机上运行。JVM能够识别这些字节码文件,JVM将字节码文件进行转换,使之能够在不同平台上运行。任何操作系统只要安装了JVM,就可以解释并执行这种与体系结构无关的字节码文件,实现了跨平台。 跨平台特性保证了Java的可移植性,任何Java源程序都可以移植到其他平台上。除此之外,Java的数据类型与机器无关,原始数据类型存储方式是固定的,避开了移植时可能产生的问题。例如,在任何机器上,Java的整型都是32位的,而C++中整型的存储依赖于目标计算机。另外Java的字符串采用标准的Unicode格式保存,也保证了Java的可移植性。 3.简述Java的3种主要平台,这些适合开发那种应用? 答:Java的开发平台(JDK)是开发人员用来构建Java应用程序的软件包,它包括:Java 虚拟机(JVM)、Java编译器(javac)、Java归档(jar)实用程序、Java文档(javadoc)实用程序等。目前,Java的运行平台主要分为下列3个版本。 (1)Java标准版 Java标准版即Java SE,曾被称为J2SE。Java SE提供了标准的JDK开发平台,利用该平台可以开发桌面应用程序、低端的服务器应用程序以及Java Applet程序。学习Java应当从Java SE开始,本书主要介绍Java SE。

材料科学基础试题及答案

第一章 原子排列与晶体结构 1. fcc 结构的密排方向是 ,密排面是 ,密排面的堆垛顺序是 ,致密度 为 ,配位数是 ,晶胞中原子数为 ,把原子视为刚性球时,原子的半径r 与 点阵常数a 的关系是 ;bcc 结构的密排方向是 ,密排面是 ,致密度 为 ,配位数是 ,晶胞中原子数为 ,原子的半径r 与点阵常数a 的关系 是 ;hcp 结构的密排方向是 ,密排面是 ,密排面的堆垛顺序是 , 致密度为 ,配位数是 ,,晶胞中原子数为 ,原子的半径r 与点阵常数a 的关系是 。 2. Al 的点阵常数为0.4049nm ,其结构原子体积是 ,每个晶胞中八面体间隙数 为 ,四面体间隙数为 。 3. 纯铁冷却时在912e 发生同素异晶转变是从 结构转变为 结构,配位数 , 致密度降低 ,晶体体积 ,原子半径发生 。 4. 在面心立方晶胞中画出)(211晶面和]211[晶向,指出﹤110﹥中位于(111)平面上的 方向。在hcp 晶胞的(0001)面上标出)(0121晶面和]0121[晶向。 5. 求]111[和]120[两晶向所决定的晶面。 6 在铅的(100)平面上,1mm 2有多少原子?已知铅为fcc 面心立方结构,其原子半径 R=0.175×10-6mm 。 第二章 合金相结构 一、 填空 1) 随着溶质浓度的增大,单相固溶体合金的强度 ,塑性 ,导电性 ,形成间 隙固溶体时,固溶体的点阵常数 。 2) 影响置换固溶体溶解度大小的主要因素是(1) ;(2) ; (3) ;(4) 和环境因素。 3) 置换式固溶体的不均匀性主要表现为 和 。 4) 按照溶质原子进入溶剂点阵的位置区分,固溶体可分为 和 。 5) 无序固溶体转变为有序固溶体时,合金性能变化的一般规律是强度和硬度 ,塑 性 ,导电性 。 6)间隙固溶体是 ,间隙化合物 是 。 二、 问答 1、 分析氢,氮,碳,硼在a-Fe 和g-Fe 中形成固溶体的类型,进入点阵中的位置和固 溶度大小。已知元素的原子半径如下:氢:0.046nm ,氮:0.071nm ,碳:0.077nm ,硼: 0.091nm ,a-Fe :0.124nm ,g-Fe :0.126nm 。 2、简述形成有序固溶体的必要条件。 第三章 纯金属的凝固 1. 填空

材料科学基础习题与答案

第二章 思考题与例题 1. 离子键、共价键、分子键和金属键的特点,并解释金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体高的原因? 2. 从结构、性能等面描述晶体与非晶体的区别。 3. 谓理想晶体?谓单晶、多晶、晶粒及亚晶?为什么单晶体成各向异性而多晶体一般情况下不显示各向异性?谓空间点阵、晶体结构及晶胞?晶胞有哪些重要的特征参数? 4. 比较三种典型晶体结构的特征。(Al 、α-Fe 、Mg 三种材料属种晶体结构?描述它们的晶体结构特征并比较它们塑性的好坏并解释。)谓配位数?谓致密度?金属中常见的三种晶体结构从原子排列紧密程度等面比较有异同? 5. 固溶体和中间相的类型、特点和性能。谓间隙固溶体?它与间隙相、间隙化合物之间有区别?(以金属为基的)固溶体与中间相的主要差异(如结构、键性、性能)是什么? 6. 已知Cu 的原子直径为2.56A ,求Cu 的晶格常数,并计算1mm 3 Cu 的原子数。 7. 已知Al 相对原子质量Ar (Al )=26.97,原子半径γ=0.143nm ,求Al 晶体的密度。 8 bcc 铁的单位晶胞体积,在912℃时是0.02464nm 3;fcc 铁在相同温度时其单位晶胞体积是0.0486nm 3。当铁由bcc 转变为fcc 时,其密度改变的百分比为多少? 9. 谓金属化合物?常见金属化合物有几类?影响它们形成和结构的主要因素是什么?其性能如? 10. 在面心立晶胞中画出[012]和[123]晶向。在面心立晶胞中画出(012)和(123)晶面。 11. 设晶面()和(034)属六晶系的正交坐标表述,试给出其四轴坐标的表示。反之,求(3121)及(2112)的正交坐标的表示。(练习),上题中均改为相应晶向指数,求相互转换后结果。 12.在一个立晶胞中确定6个表面面心位置的坐标,6个面心构成一个正八面体,指出这个

第章习题及参考答案 (1)

第1章习题及参考答案 一.单选题 1.(C )技术是基于Java Servlet以及整个java体系的Web开发技术。 A.CGI B.ASP C.JSP D.PHP 2.下面哪一个不是动态网页技术(D )。 A.https://www.doczj.com/doc/92802301.html, B.ASP C.JSP D.HTML 3.在客户端网页脚本语言中最为通用的是( A )。 A.JavaScript B.VB C.Perl D.ASP 4.下列描述错误的是( B )。 A.DHTML是HTML基础上发展的一门语言 B.HTML主要分为两大类:服务器端动态页面和客户端动态页面 C.客户端的DHTML技术包括HTML4.0、CSS、DOM和脚本语言 D.DHTML侧重于WEB内容的动态表现 5.可以不用发布就能在本地计算机上浏览的页面编写语言是(B )。 A.ASP B.HTML C.PHP D.JSP 6.一个HTML文档必须包含3个元素,它们是html、head和(B )。 A.script B.body C.title D.link 7.下面(C )是换行符标签。 A. B. C.
D. 8.为了标识一个HTML文件,应该使用的HTML标记是( C )。 A. B. C. D.

9.在静态网页中,必须使用(A )标记来完成超级链接。 A.B.… C.…D.
  • 10.用HTML标记语言编写一个简单的网页,网页最基本的结构是(D )。 A. … … B. … C. … D. … … 11.以下标记符中,用于设置页面标题的是(A )。 A. B.<caption> C.<head> D.<html> 12.关于Web服务器,下列描述不正确的是(D )。 A.互联网上的一台特殊机,给互联网的用户提供WWW服务 B.Web服务器上必须安装Web服务器软件 C.IIS是一种Web服务器软件 D.当用户浏览Web服务器上的网页的时候,是使用C/S的工作方式。 13.在IIS的默认网站下创建了一个chapter1虚拟目录,如果想访问该目录下的1_1.htm页面,下面(C )是正确的。 A.http://localhost/chapter1B.http://localhost/https://www.doczj.com/doc/92802301.html,/chapter1 C.http://localhost/chapter1/1_1.htm D./chapter1/1_1.htm 14.如果外地朋友通过Internet访问你的计算机上的https://www.doczj.com/doc/92802301.html,文件,应该选择(D )。 A. http://localhost/chapter1/1-1.aspx B. /chapter1/1-1.aspx</p><h2>第1章_习题参考答案</h2><p>一、问答题 1.计算机为什么要采用二进制数?为什么还要引进八进制数、十六进制数? 答:计算机一般采用二进制数,是因为二进制在计算机内部电路上容易表示和实现。在电学中具有两种稳定状态(对应数字0和1)的物理量和电器件是很多的。另外,使用二进制运算简单、可靠。 采用八进制和十六进制数主要是在编程序时缩短对二进制数的写法。 2.什么是BCD码?十进制数的二进制编码与十进制数转换所得到的二进制数是否一样,为什么? 答:BCD码是用二进制数编码表示的十进制数。 十进制数的二进制编码(即BCD码)与十进制数转换所得到的二进制数是不相同的。 如:(73)10=(01110011)BCD (73)10=(1001001)2= 3.什么是ASCII编码?字符“5”与数字5有何区别? 答:ASCII码即美国标准信息交换码,它是7位编码,可以用来表示128个字符。 字符“5”与数字5是不同的,字符“5”是用ASCII码35H表示的,而数字5并不对应35H的表示关系。 4.汉字输入编码可分为几类?什么是汉字机内码?什么是汉字字模信息码?三者间有何关系? 答:汉字输入编码主要有数字编码、拼音编码和字形编码三大类型。 计算机内部使用的汉字编码称为汉字内码或汉字机内码。汉字机内码由国标码(GB2312-80)演化而来,把表示国际码的两个字节的最高位分别加1,就变成了汉字机内码。</p><p>汉字字模信息码即汉字字形码,用点阵方式来构造汉字字型。它们的关系是这样的,汉字输入编码是外部码,同一个汉字可以有不同的输入编码,但它们的汉字机内码是惟一的。汉字的输出则根据点阵方式构成的汉字字模信息码输出。 5.什么是冯·诺依曼体系结构? 答:冯·诺依曼体系结构是根据冯·诺依曼原理构建的计算机结构。冯·诺依曼原理是:计算机是依靠存储程序实现自动工作的。 冯·诺依曼的设计思想表现为以下几个方面: ①计算机由运算器、控制器、存储器、输入设备和输出设备五个基本部分组成; ②程序和数据存放在同一个存储器中; ③指令在存储器中顺序存放,一般顺序执行,也可因某种条件而改变执行顺序; ④机器以运算器为中心。 6.什么是微型计算机的总线结构?简要说明总线AB、CB、DB的概念。 答:微型计算机的总线结构是微型计算机以微处理器为核心,通过总线将存储器和输入输出设备联系起来进行信息的互相传递。 AB、DB和CB的表示含义是: AB是地址总线;DB是数据总线;CB是控制总线 7.说明微型计算机存储器的分类情况。内存和外存各有什么特点? 答:微型计算机的存储器可分为外存储器和内存储器两大类型。 内存储器由半导体材料制造而成,外存储器通常以磁性材料为主(如硬盘和软磁盘)也有用其它材料制造的。如用金属及合成材料制造光盘等。内存储器(即通常指的ROM和RAM)容量比外存储器要小,但速度快;外存储器(硬盘)容量大,但速度相对较慢。</p><h2>材料科学基础习题及答案</h2><p>《材料科学基础》习题及答案 第一章 结晶学基础 第二章 晶体结构与晶体中的缺陷 1 名词解释:配位数与配位体,同质多晶、类质同晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。 晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶体的晶格能、原子半径与离子半径、离子极化、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结构、铁电效应、压电效应. 答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。 配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。 同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH 值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。 多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。 位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式。 重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。 晶体场理论:认为在晶体结构中,中心阳离子与配位体之间是离子键,不存在电子轨道的重迭,并将配位体作为点电荷来处理的理论。 配位场理论:除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外,还考虑了共价成键的效应的理论 图2-1 MgO 晶体中不同晶面的氧离子排布示意图 2 面排列密度的定义为:在平面上球体所占的面积分数。 (a )画出MgO (NaCl 型)晶体(111)、(110)和(100)晶面上的原子排布图; (b )计算这三个晶面的面排列密度。 解:MgO 晶体中O2-做紧密堆积,Mg2+填充在八面体空隙中。 (a )(111)、(110)和(100)晶面上的氧离子排布情况如图2-1所示。 (b )在面心立方紧密堆积的单位晶胞中,r a 220= (111)面:面排列密度= ()[] 907.032/2/2/34/222==?ππr r</p><h2>【考研】材料科学基础试题库答案</h2><p>Test of Fundamentals of Materials Science 材料科学基础试题库 郑举功编</p><p>东华理工大学材料科学与工程系 一、填空题 0001.烧结过程的主要传质机制有_____、_____、_____ 、_____,当烧结分别进行四种传质时,颈部增长x/r与时间t的关系分别是_____、_____、_____ 、_____。 0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_____、_____、_____ 、_____ ,含有平移操作的对称要素种类有_____ 、_____ 。 0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是_____、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 。 0004.晶体有两种理想形态,分别是_____和_____。 0005.晶体是指内部质点排列的固体。 0006.以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为,所以属于这个球的四面体空隙数为。 0007.与非晶体比较晶体具有自限性、、、、和稳定性。 0008.一个立方晶系晶胞中,一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a,其晶面的晶面指数是。 0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性,当真实接触角θ时,粗糙度越大,表面接触角,就越容易湿润;当θ,则粗糙度,越不利于湿润。 0010.硼酸盐玻璃中,随着Na2O(R2O)含量的增加,桥氧数,热膨胀系数逐渐下降。当Na2O含量达到15%—16%时,桥氧又开始,热膨胀系数重新上升,这种反常现象就是硼反常现象。 0011.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种,CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为。 0012.固体质点扩散的推动力是________。 0013.本征扩散是指__________,其扩散系数D=_________,其扩散活化能由________和_________ 组成。0014.析晶过程分两个阶段,先______后______。 0015.晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积_________,晶体密度_________;而有Schtty缺陷时,晶体体积_________,晶体密度_________。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,_________是主要的;两种离子半径相差大时,_________是主要的。 0016.少量CaCl2在KCl中形成固溶体后,实测密度值随Ca2+离子数/K+离子数比值增加而减少,由此可判断其缺陷反应式为_________。 0017.Tg是_________,它与玻璃形成过程的冷却速率有关,同组分熔体快冷时Tg比慢冷时_________ ,淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_________,热膨胀系数_________。 0018.同温度下,组成分别为:(1) 0.2Na2O-0.8SiO2 ;(2) 0.1Na2O-0.1CaO-0.8SiO2 ;(3) 0.2CaO-0.8SiO2 的三种熔体,其粘度大小的顺序为_________。 0019.三T图中三个T代表_________, _________,和_________。 0020.粘滞活化能越_________ ,粘度越_________ 。硅酸盐熔体或玻璃的电导主要决定于_________ 。 0021.0.2Na2O-0.8SiO2组成的熔体,若保持Na2O含量不变,用CaO置换部分SiO2后,电导_________。0022.在Na2O-SiO2熔体中加入Al2O3(Na2O/Al2O3<1),熔体粘度_________。 0023.组成Na2O . 1/2Al2O3 . 2SiO2的玻璃中氧多面体平均非桥氧数为_________。 0024.在等大球体的最紧密堆积中,六方最紧密堆积与六方格子相对应,立方最紧密堆积与_______ 相对应。0025.在硅酸盐晶体中,硅氧四面体之间如果相连,只能是_________方式相连。</p><h2>习题1——指令系统 参考答案</h2><p>《汇编语言》习题1——指令系统参考答案 习题1-1 在8086CPU中,如果SS的内容设置为1A4BH,堆栈的长度为100H字节,问SP寄存器的初始化值为多少?SP初始指向哪个主存物理地址? 答:SP寄存器的初始化值为:100H SP初始指向的主存物理地址是:1A5B0H 习题1-2 分别说明下述8086指令中的源操作数和目的操作数的寻址方式。 指令目的操作数源操作数 (1) MOV ES, AX 寄存器寻址寄存器寻址 (2) ADD DS:[12H],AL 直接寻址寄存器寻址 (3) SUB BX,1200H 寄存器寻址立即寻址 (4) SHR AX,1 寄存器寻址立即寻址 (5) AND -28H[BP][DI], AX 基址变址寻址寄存器寻址 (6) MOV CX,LAB1[BX] 寄存器寻址基址/变址寻址 (7) SBB AX, [BX] 寄存器寻址寄存器间接寻址 (8) OR DX,-360H[SI] 寄存器寻址基址/变址寻址 (9) ADC VAR1,CX 直接寻址寄存器寻址 (10) XOR [DI],AX 寄存器间接寻址寄存器寻址 习题1-3分别说明下述指令语句的语法正确与否,如果有错,说明其错误。 指令正误 (1)MOV DS, 1234H 错误,立即数不能直接传送到段寄存器中 (2)ADD AH,AL 正确 (3)SUB CS,AX 错误,不能对CS直接操作 (4)MOV BX,[BX][SI] 正确 (5)ADC VAR1,[BP][DI] 错误,两个操作数不能同时都在存储器中 (6) SBB [BX][BP],AX 错误, 基址变址寻址方式中不能两个寄存器都是基址寄存器 (7)PUSH 5678H 错误,立即数不能作为源操作数直接压入堆栈 (8)SHL [BP][SI],CL 错误,目的操作数没有明确指明是字还是字节 (9)ROR AX,2 错误,移位次数大于1时,需将其提前存入CL中 (10)NEG AX,BX 错误,操作数个数错误 (11)LEA CS,AX 错误,目的操作数只能是16位通用寄存器 (12)MOV AL,BX 错误, 操作数位数不一致 (13)ADD DS:200H,AX 正确 (14)AND [BX][BP],AH 错误, 基址变址寻址方式中不能两个寄存器都 是基址寄存器 (15)OR BH,-16H[BP] 正确 (16)CLC AX 错误,操作数个数错误 (17)MUL AX,BX 错误,操作数个数错误 (18)DIV 12H 错误,源操作数不能是立即数 习题1-4 在8086中,如果(DS)=1A26H,(SS)=20B0H,(BX)=1200H,(SI)=0034H, (BP)=5700H(1B484H)=1234H,(26200H)=5678H,给出下面各指令或指令组执行后相应寄存器/存储单元的结果。</p> <div> <div>相关主题</div> <div class="relatedtopic"> <div id="tabs-section" class="tabs"> <ul class="tab-head"> <li id="5967439"><a href="/topic/5967439/" target="_blank">习题参考答案1章</a></li> <li id="12793977"><a href="/topic/12793977/" target="_blank">材料科学基础习题答案</a></li> <li id="8301924"><a href="/topic/8301924/" target="_blank">材料科学基础习题一</a></li> <li id="2747594"><a 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