电子电路基础考试题1
一．填空题（每空1分）
1.物质按导电能力的强弱可分为（导体）（绝缘体）和（半导体）三大类，最常用的半导体材料是（硅）和（锗）
2.晶体二极管具有（单向导电性），即加正向电压时，二极管（导电），加反向电压时，二极管（截止）。一般硅二极管的开启电压约为（0.5）V锗二极管的开启电压约为(0.1)V;二极管导通后,一般二极管的正向压降约为(0.7)V,锗二极管的正向压降约为(0.3)V
3.晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是(发射结)正偏(集电结)反偏,电流分配关系是(Ie=Ib=Ic)
4.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即（放大）区，（饱和）区，和（截止）区，
5.由两只三极管构成的复合管的类型，取决于（输入管）三极管的类型，其电流放大系数β=（β1β2）
6.为了使放大器不失真地放大信号，放大器必须设置适当的（静态工作点），以保证三极管始终工作在（放大）区
7.某固定偏置放大器中，测得三极管集电极电位Uc≈0,则放大器中的三极管处于（饱和）状态，若测的Uc≈Vcc，则三极管处于（截止）状态。
8.对于一个放大器，为提高它带负载的能力，其输出电阻要（小），为减轻信号源的负担，其输入电阻要（大）
9.放大器有（共射极）.（共集电极）和（共基极）三种基本组态，
其中（共集电极）组态输出电阻最低，（共基极）组态输入电阻最低，（共射极）组态兼有电流和电压两种放大作用。
二．选择题（每题2分）
1.测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆挡拨到（A）。A．R*100或R*1k B。R*1 C。R*10k
2..电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A）。A．导通B。截止C。击穿
3.P型半导体中多数载流子是（D），N型半导体中多数载流子是（C）。A．正离子B。负离子C。自由电子D。空穴
4.用万用表不同欧姆挡测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（C）。
A．二极管的质量差B。万用表不同欧姆挡有不同的内阻C。二极管有非线性的伏安性
5.三极管的特性曲线是指它的（C）。
A．输入特性曲线B。输出特性曲线C。输入特性和输出特性曲线
6.某晶体三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，正常工作时集电极电流等于（A）。
A．0.98Ma B。1.02mA C。0.8mA
7.三极管组成放大器时，根据公共端的不同，可有（C）种连接方式。A．1 B。2 C。3
8.放大器的交流通路是指（C）。
A．电压回路B。电流回路C。交流信号流过的路径
9.共发射极基本放大器中，在保持发射极电流Ie不变的条件下，有人选用?值较高的晶体管，这样做的目的主要是为了（C）。
A．提高放大器的电压放大倍数 B。增强放大器带动负载的能力C．减轻信号源的负担 D。稳定放大器的输出电流
10.某电路的电压增益为-40dB，该电路是（C）
A.相同放大.
B.相反放大C衰减
三．判断题（每题1分）
1.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（T）
2.晶体二极管有一个PN结。所以有单向导电性。（T）
3.三极管的放大作用具体体现在Ic=?Ib。（T）
4.晶体二极管和三极管都是非线性器件。（T）
5.晶体三极管的只要性能是具有电压和电流放大作用。（F）
6.三极管是构成放大器的核心，三极管具有电压放大作用。（F）
7.放大器的输出电阻与负载电阻有关。（F）
8.计算放大器的电压放大倍数，必须是在不失真的情况下。（T）
9.交流信号输入放大器后，流过三极管的是交流电。（F）
10.共射放大器产生截止失真的原因，是它的静态工作点设置偏低。（T）
四．简答题（每题4分）
1.简述晶体二极管的单向导电性。
答：加正向电压时，二极管导通；加反向电压时，二极管截止。
2.三极管有哪三种连接方式？画出示意图。
答：有共发射极，共集电极，共基极三种连接方式。
图：
3.怎样用万用表判别三极管的类型和管脚？
答：万用表选R×100或R×1K挡，黑表笔接三极管任一脚，用红表笔分别接触其余两个管脚，如果两次测得的阻值均较小（或均较大），则黑表笔所接管脚为基极，两次测得的阻值均较小的是NPN型管，两次测得的阻值均较大的是PNP型管。如果两次测得的阻值相差很大，则应调换黑表笔所接管脚再测，直到找出基极为止。在确定基极后，如果是NPN型管，可将红、黑表笔分别接在两未知电极上，再用手把基极和黑表笔所接的极一起捏紧，记下此时万用表测得的阻值，然后对调表笔，用同样方法再测得一个阻值。比较两次测得结果，读数较小的一次黑表笔所接管脚为集电极，红表笔所接管脚为发射极。PNP型管测试方法相似，只需将红、黑表笔对调即可。
4.分析放大器主要有哪两种方法？各有何特点？
答：图解法和估算法
图解法：直观，但误差大，复杂。
估算法：简单，适用小信号分析。
五．分析、计算题(1题3分，2题5分，3题12分)
1.判断下图中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？
R
10v 5v V 1K 1K V 10v 10v R 1K V 20v
10v
R
答案a 导通 5m A b 截止 c 导通报10 m A
2.在下图所示电路中，RL=2K Ω，交流电压表pv2读数为20V ，问直流电压表A 的读书各为多少。
RL V A
V
u2
答案；直流电压为表读数为9V ，直流电压为表读数为4。5。
3.如图所示，图 a 为电路图，图b 为三极管的输出特性曲线，U BEQj =0.7V .
(1) 画出该放大器的直流通路和交流通路；
(2) 在图b 中作直流负载线和交流负载线；
R b c R L R Vcc 10v
6k 300k 3k 50uF 50uF 0
U U i
通信电子电路实验测试卷 题目：单调谐回路谐振放大器 1.静态工作点测量和计算 测试条件：ΩΩ,测量并计算下表中的电压电流值。确定三极管的工作状态，并说明理由。 实测() 计算() 晶体管工作区域和理由 2.测试条件：ΩΩ。用五点法测量并计算放大器的性能指标,测试数据填入下表。 信号发生器接入电路后，的实测值为.根据测试数据计算增益()，带宽，矩形系数和值。写出计算过程。 () 3.思考题：为什么用示波器对的实测值比信号发生器显示输出值有大约一倍的 误差？ 题目：单调谐回路谐振放大器 4.静态工作点测量和计算 测试条件：ΩΩ,测量并计算下表中的电压电流值。确定三极管的工作状态，并说明理由。 实测() 计算() 晶体管工作区域和理由 5.测试条件：ΩΩ。用五点法测量并计算放大器的性能指标,测试数据填入下表。
信号发生器接入电路后，的实测值为.根据测试数据计算增益()，带宽，矩形系数和值。写出计算过程。 () 6.思考题：为什么用示波器对的实测值比信号发生器显示输出值有大约一倍的 误差？ 题目：高频谐振功率放大器 1.测试条件：电源电压,输入信号。当负载电阻分别为ΩΩ时，测量功放管基 极电压，集电极电压和集电极平均电流，计算功放管的集电极电流基波分量，电源功率，集电极输出功率,功放管消耗功率和效率η. 1m 2.自己设计表格记录测试和计算数据。写出至少一组数据的计算和处理过程。 3.分析实验结果和理论计算是否一致，如不一致，说明可能存在的原因。 思考题：高频谐振功放的效率和工作状态有何关系？当负载为Ω时，本实验电路工作在什么状态，说明原因。 题目：高频谐振功率放大器 . 测试条件：电源电压,输入信号。当负载电阻分别为ΩΩ时，测量功放管基极电压，集电极电压和集电极平均电流，计算功放管的集电极电流基波分量1m，电源功率，集电极输出功率,功放管消耗功率和效率η. .自己设计表格记录测试和计算数据。写出至少一组数据的计算和处理过程。3.分析实验结果和理论计算是否一致，如不一致，说明可能存在的原因。 思考题：高频谐振功放的效率和工作状态有何关系？当负载为Ω时，本实验电路
1、画出图1所示，求电路的静态工作点，画出电路的微变等效电路，计算放大倍数，输入输入电祖。 图1 2、已知逻辑函数试用与非门实现之，至少需要几个与非门元件？并画出逻辑图。（8分） 3、放大电路如图2所示，设电源电压U CC＝10V，R B1＝35kΩ，R B2＝15kΩ，晶体管的放大倍数β＝60。为了使静态工作点I CQ＝1mA，U CEQ＝4V，问：R C，R E应为多大？ 图2 4、在图3所示电路中，电源电压为±15V，u i1＝1.1V，u i2＝1V；R1＝R2＝10k Ω, R3＝R4＝R F＝20kΩ。C F＝1μF试求：接入输入电压后，输出电压u o由0上升到10V所需的时间。 图3 5、反馈放大电路如图4所示。说明电路中有哪些反馈（包括级间反馈和本级反馈）？各具什 C B A C B A Y? ? ? ?＋ ＝ e S R S CC u o + – e S R S CC u o + – u i1 u i2
么作用？ 图4 6、已知某逻辑函数的真值表如下表所示，用卡诺图化简该逻辑函数，并作出电路图。 7、射极偏置电路如图5所示，BJT的β=60，V BE=0.7V。试求静态工作点Q的值以及电压放大倍数A V 。 图5 8、电路如图6所示，设集成运放是理想的，试求U O的值。
图6 9、由主从JK 触发器F l 和F 0组成的时序逻辑电路如题图7所示，设各触发器初始状态为0。试求：(1)写出电路的驱动方程、输出方程和状态方程；(2)列出A=1时的状态转换表，画出波形图(画4个CP)；(3)若A=0，则电路的工作情况如何? 10. 电路如图所示，判断反馈组态。 图7 A
N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V， V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则 复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。
中国大学MOOC网课电子技术实验测验题及作业 实验一、常用电子仪器的使用 常用电子仪器的使用单元测试 1单选(10分)要测量频率为2KHz正弦波的有效值，选用哪种仪器( )。正确答案：A A.示波器 B.直流稳压电源 C.数字万用表 D.函数信号发生器 2单选(10分)当用万用表测量某支路电流时，不需要进行的操作是( )。 A.按AUTO切换自动量程或手动量程。 B.选择DCI直流或ACI交流电流档。 C.把万用表串联到该支路中。 D.选择COM和0.1A或1.5A插孔 正确答案：A 3单选(10分)某电路需5mV的正弦波信号作为输入，可提供该信号的是（）。 A.数字示波器 B.函数信号发生器 C.直流稳压电源 D.数字万用表 正确答案：B 4单选(10分) 在用示波器测量信号大小时，哪个参数代表有效值（）。 A.峰峰值（Vpp） B.均方根值（Vrms） C.平均值（Vavs） D.幅值（Vamp）正确答案：B 5单选(10分)若被测信号是含有直流偏置的正弦信号，示波器应该选择（）。 A.交流耦合方式 B.接地 C.直流耦合方式 D.低频抑制耦合方式 正确答案：C 6判断(10分)函数信号发生器连接端子左侧的output按钮点亮时，才表示该通道信号允许输出。√ 7判断(10分) 为更好地用示波器观察小信号，需采用高频抑制和平均获取方式。√ 8判断(10分) 可以用万用表测量PN结是否正常来判断二极管和三极管的好坏。√ 9判断(10分) DF1731直流稳压电源可以提供三路可调输出电源。× 10判断(10分) 示波器的探头选“*10”时，表示将输入的信号放大10倍。√ 实验一作业：总结用数字万用表判断二极管、三极管的方法
一. 桥式整流电路 1二极管的单向导电性：二极管的PN结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型： 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V，锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程： 当u 2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载R L 是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止，负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。 波形形成过程：输出端接负载R L 时，当电源供电时，向负载提供电流的同时也
向电容C充电，充电时间常数为τ 充=（Ri∥R L C）≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响，电容上电压将随u 2迅速上升，当ωt=ωt 1 时，有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0，所有二极管截止，这时电容C通过R L 放电，放电时间常数为R L C，放 电时间慢，u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时，u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大，又开始充电过程，u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0，ωt 3 后，电容通 过R L 放电。如此反复，周期性充放电。由于电容C的储能作用，R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间，输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧（3~5）T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中，经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ，每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器 1信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度，但同时必须让有用信号顺利通过。 与电源滤波器的区别和相同点：两者区别为：信号滤波器用来过滤信号，其通带是一定的频率范围，而电源滤波器则是用来滤除交流成分，使直流通过，从而保持输出电压稳定；交流电源则是只允许某一特定的频率通过。 相同点：都是用电路的幅频特性来工作。 2LC串联和并联电路的阻抗计算:串联时，电路阻抗为Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC) 并联时电路阻抗为Z=1/jωC∥(R+jωL)= 考滤到实际中，常有R<<ωL,所以有Z≈
《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题（每空1分，共32分） 1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。 4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。 9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。 10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）
信号。 11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
戴维宁定理 1.举例说明测量一个线性有源二端网络的开路电压oc U 和等效入端电阻0R 的两种方法。 答：测开路电压oc U ： 方法一：直接测量 在有源二端网络输出端开路时，直接用电压表接开路两端， 即可测其输出端的开路电压oc U 。 方法二：零示法 （如右图所示） 在有源二端网络输出端外加一个与oc U 反向的可调的稳压 源U 。慢慢调节稳压源U ，使被测电路中的电流表示数为零。 根据补偿法可知oc U 等于稳压电源电压U 。（如右图所示） 测等效入端电阻0R 方法一：开路电压、短路电流法 在有源二端网络输出端开路时，用电压表直接测其输出端的开路电压oc U ，然后再将其输出端短路，用电流表测其短路电流SC I ，则等效内阻为： SC oc I U R =0 因此，只要测出有源二端网络的开路电压oc U 和短路电流SC I ,0R 就可得出，这种方法 最简便。但是，对于不允许将外部电路直接短路的网络（例如有可能因短路电流过大而损坏网络内部的器件时），不能采用此法。 方法二：外加电源法 令含源一端口网络中的所有独立电源置零，然后在端口处加一给定电压U ，测得流入端口的电流I （如右图）,则： I U R =0 也可以在端口处接入电流源I ＇，测得端口电源U ＇（如右图），则：'' 0I U R =
电流源实际也有一个内阻，是与理想恒流源并联的，当电压增加时，同样由于内阻的存在，输出的电流就会减少，因此，电流源的外特性也呈下降的趋势。 不是。当负载大于稳压源对电压稳定能力时，就不能再保持电压稳定了，若负载进一步增加，最终稳压源将烧坏。 实际的恒流源的控制能力一般都有一定的范围，在这个范围内恒流源的恒流性能较好，可以基本保持恒流，但超出恒流源的恒流范围后，它同样不具有恒流能力了，进一步增加输出的功率，恒流源也将损坏。 功率因数的提高 1．为提高电路功率因数所并联的电容器的电容值是否越大越好？ 答：不是。 功率因数由1cos ?提高到2cos ?，并联电容、无功容量的确定： U L 由上述向量图，有：21sin sin ??I I I L C -= 代入上式，得将 cos , cos 1 2??U P I U P I L == )tan tan (21CU U P I C ω??=-= )tan tan ( 212 ??ω-=U P C )tan tan (212φP CU Q C -==φω 综上所述可知，补偿容量不同功率因素提高也不一样： 欠补偿：功率因素提高适合。 全补偿：电容设备投资增加,经济效果不明显。 过补偿：使功率因数又由高变低（性质不同）。 综合考虑，功率因素提高到适当值为宜（0.95左右）。 2. 说明电容值的改变对负载的有功功率P 、总电流I ，日光灯支路电流RL I 有何影响？ 答：电容值的改变并不会影响负载的有功功率及日光灯支路的电流。 3． 提高电路的功率因数为什么只采用并联电容法，而不采用串联法？ 答：因为串联电容虽然也可以提高功率因数，但它会使电路中的电流增大，从而增大日光灯的有功功率，可能会超过它的额定功率而使日光灯损坏。
1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。
总分: 100 得分: 0 单选题(共100题) (1).关于集成运放的应用说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.在同应用中不可能有时处于开环状态有时处于闭环状态 得分:0 (2).对镜像电流源电路的说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:C.其交流内阻越小越好 得分:0 (3).以下关于负反馈的说法错误的是( )。(1分) 回答: 正确答案:D.可减小噪声 得分:0 (4).N沟道JFET参与导电的载流子是（）。(1分) 回答: 正确答案:A.自由电子 得分:0 (5).对于结型场效应管，当|Vgs|>|Vgs(off)|时，管子工作在（）。(1分) 回答: 正确答案:C.截止区 得分:0 (6).根据反馈放大器框图，当反馈信号与输入信号的极性相同，从而使净输入信号减小时，称此反 馈为（）。(1分) 回答: 正确答案:B.负反馈 得分:0 (7).对于电流放大器，我们希望（）。(1分) 回答: 正确答案:B.输入电阻小，输出电阻大 得分:0 (8).把交流电转化为直流电的过程称为（）。(1分) 回答: 正确答案:A.整流 得分:0 .
(9).以下关于负反馈的说法错误的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.并联负反馈应取xi=vi 得分:0 (10).关于集成运放的闭环应用以下说法错误的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.包括触发器应用 得分:0 (11).关于发射极接电阻的共射放大器说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.该电阻减小了输出电阻 得分:0 (12).可将小信号放大器看成有源四端网络，则以下说法错误的是（）。(1分) 回答: 正确答案:B.输出电压除以输出电流为输出电阻 得分:0 (13).若两个单级放大器负载短路时的电流增益分别为A1和A2，两级级联后测得总的电流增益约等 于A1A2，则可判断（）。(1分) 回答: 正确答案:B.前级输出电阻远小于后级输入电阻 得分:0 (14).若系统是个无零三极点系统，A(s)的三个极点角频率满足wp3=10wp2=100wp1，则以下说法不 正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.反馈增益线与波特图交点在wp2和wp3之间时系统必稳定 得分:0 (15).一般而言，PN结击穿电压在-6V以下的属于（）。(1分) 回答: 正确答案:B.齐纳击穿 得分:0 (16).关于共基放大器的说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:A.可以放大电压 得分:0 (17).以下不属于三极管放大器基本组成部分的是（）。(1分) 回答: .
电子电路工程师必备的20种模拟电路 对模拟电路的掌握分为三个层次：初级层次：是熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟 电路。 中级层次：是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向，相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。高级层次是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要您愿意，受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。 一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性：伏安特性曲线：理想开关模型和恒压降模型： 2、桥式整流电流流向过程：输入输出波形： 3、计算：Vo, Io,二极管反向电压。 二、电源滤波器
1、电源滤波的过程分析：波形形成过程： 2、计算：滤波电容的容量和耐压值选择。 三、信号滤波器1、信号滤波器的作用：与电源滤波器的区别和相同点：2、LC 串联和并联电路的阻抗计算，幅频关系和相频关系曲线。3、画出通频带曲线。计算谐振频率。 四、微分和积分电路 1、电路的作用，与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析，画出电压变化波形图。 3、计算：时间常数，电压变化方程，电阻和电容参数的选择。 五、共射极放大电路 1、三极管的结构、三极管各极电流关系、特性曲线、放大条件。 2、元器件的作用、电路的用途、电压
一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
电子线路设计、测试与实验试题（1.5小时） 一、元器件与仪器操作简答题（共10分） 1．有一个5环电阻，色环排列是红黄黑红棕，该电阻阻值为___24k欧姆_，1%（可不要求）__；有一个瓷片电容上标注333，该电容的电容量为__0.033______μF。（2分） 2．选数字万用表量程为200Ω档位，测量某电阻时，其数字显示屏最左边显示1，说明什么问题？（1分） 答：该待测电阻的阻值大于200Ω。 3．信号发生器面板上的OFFSET旋钮有何作用？为了得到频率为500Hz，幅值为1V的正方波，如何在示波器的观察下设置和调节信号发生器？（2分） 答：信号发生器面板上的OFFSET旋钮对输入信号叠加一个直流偏置电压。（1分）在信号发生器面板上设置频率为500Hz，峰峰值为1V的方波（1分），然后在示波器的观察下顺时针调节信号发生器面板上的OFFSET旋钮，使之输出正方波。 4．用示波器的CH1通道测试波形时（CH2悬空），应如何设置示波器才能观察到稳定的波形？（2分） 答：（1）触发信源选CH1；（1分）（2）触发电平选为CH1信号变化范围之内。（1分）不能使用autoset 5．当示波器CH1、CH2两通道的探针悬空时，在示波器屏幕上可以观察到有50Hz 的小幅正弦信号，试说明产生这种现象的原因。（1分） 答：220V50Hz的市电通过示波器探测感应到示波器的输入端，测得的信号就是这个感应信号（工频信号；交流电）。 6．信号发生器输出峰峰值为1V，直接连到示波器的CH1通道观察时峰峰值为10V，为什么？（1分） 答：示波器CH1通道的倍程设置为10X。 7．在做三极管共射极放大电路实验中，当用示波器测试输入信号（由信号发生器产生）时，发现该信号为方波，但信号发生器的“函数信号输出”指示灯指示的是正弦信号，另外信号频率可调，在直流耦合下显示幅值为5V的正方波，试说明产生这种现象的原因。（1分） 答：示波器的输入信号取的是信号源的TTL输出信号。 二、性能指标测试与分析题（共5分） 1．简述测量一个放大电路的幅频特性的步骤，以及各个主要频点的意义和测量方法。（3分） 答：逐点测试法 （1）改变输入信号的频率（保持输入信号幅值不变） （2）逐点测量对应于不同频率的输出电压，计算电压增益（1分） （3）用坐标纸画出幅频特性曲线，横坐标为频率的对数，纵坐标为电压增益的分
简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=50μA/V 2，V t =1V ，以及W /L =10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS =5V 且V DS =1V ； （2）V GS =2V 且V DS =； （3）V GS =且V DS =； （4）V GS =V DS =5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处
第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。
电子技术实训试题库 一、填空类题 1、CW7906表示输出电压为V的稳压器。 2、在多级放大电路中，级数越多，通频带越。 3、为了有效地抑制零点漂移，常采用电路作为集成运放的前置级。 4、如图1所示放大电路，极间反馈类型为。 5、对三极管的引脚进行判别时，把万用表置于R?100Ω（或R k1 ?Ω档），把黑表笔与假定的基极引连，红表笔分别与另外两个极相连，测得其电阻值均很小，说明该管的类型为。 6、测得三极管各管脚对雪电压分别为U C=0.4V，U B=1.0V，U E=0.3V，则此三极管工作于状态。 7、在比例运算放大电路中，若闭环放大倍数A F=-3，则反馈系数F为。 8、将二进制数11011001转换为十进制数。 9、将异或门实现的函数C =改用同或门实现，其函数表达式为。 ? B A L? 10、图中画出了门电路的输入波形A、B，输出波形L、其中L对应的门电路类型为。 11、复合管的电流放大倍数β是 12、集成运放运用于时电压放大倍数趋于无穷大。 13、十进制数69转换为8421BCD码是 14、时序逻辑电路中最基本的单元一般是 15、JK触发器转化为T触发器的条件是 16、能将二进制代码转换为相应的输出信号的电路称为 17、如图所示电压跟随电路中，输入输出电阻的特点是 18、如图所示电路中已知U21=U22=20V（有效值），则U O2= 19、如图所示电路，满足深度负反馈，已知R1=100K，R2=50K=R F=2K反馈系数F=
20、74LS161是4位于一进制同步加法计算器，如图9所示连接后构成的计数器模 21、在某一振荡器中，如果反馈电路的系数F 是 0.02。那么开环放大器的放大倍数必须是 。 22、一低频小功率三极管，当I C =2mA 时，β=150，则此三极管的交流输入电阻r be = ,K Ω(精确到小数点后一位)。 23、如图所示为一晶体三极管外形，则其1脚是 极。 24、理想运算放大器的电路如图所示，u O = u i 。 25、一个全波整流电路，当输入40HZ 的正弦信号时，输入出信号的基波频率是 。 26、如图所示电路输出端Y 的最小顶表达式为 。 27、函数CD B A y +=的反函数是 。 28、逻辑函数D B B A y ?+=的最简表达式是 。 29、8421BCD 码100101110对应的十进制数是 。 30、反映D/A 转换器工作速度的指标是 。 31、晶体管和声效应管具有受控作用的器件，场效应管属于 式器件，其G 、S 的阻抗要 晶体管有B 、E 间的阻抗。 32、在调谐放大电路中，三极管集电极负载为 。为了较好地兼顾通频带和选择性，双调谐回路的耦合程度最好处于 状态。 33、将十进制（42.625）10转换成二进制数 。 34、利用对偶原则写出表达式))()()((C B C A B A B A F ++++=的对偶式 F '= 。 35、时序逻辑电路按工作方式可分为 和 。 36、正弦波振荡电路振幅平衡条件是 ，相位平衡条件是 。 用CMOS 或非门实现反相器功能时，或非门的多余端应接 。 37、文氏桥式正弦波振荡电路如图所示，R=12K Ω，C=0.03μF ，电路满足 的条件参数时,电路方能起振；电路的振荡频率为 。
经典的20个模拟电路原理及其电路图对模拟电路的掌握分为三个层次：初级层次：是熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟电路。 中级层次：是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向，相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。 高级层次:是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要您愿意，受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。 一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性： 伏安特性曲线： 理想开关模型和恒压降模型： 2、桥式整流电流流向过程： 输入输出波形： 3、计算：Vo, Io,二极管反向电压。
二、电源滤波器 1、电源滤波的过程分析： 波形形成过程： 2、计算：滤波电容的容量和耐压值选择。 三、信号滤波器 1、信号滤波器的作用： 与电源滤波器的区别和相同点： 2、LC 串联和并联电路的阻抗计算，幅频关系和相频关系曲线。 3、画出通频带曲线。 计算谐振频率。
四、微分和积分电路 1、电路的作用，与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析，画出电压变化波形图。 3、计算：时间常数，电压变化方程，电阻和电容参数的选择。