当前位置:文档之家› 回转支承选型优化设计与运动特性分析

回转支承选型优化设计与运动特性分析

回转支承选型优化设计与运动特性分析
回转支承选型优化设计与运动特性分析

回转支承选型优化设计与运动特性分析

(万达回转支承研发所,徐州,20100416)

摘要:为满足工程机械产品市场个性化需求,以工程机械回转支承的选型优化设计为目标,建立回转支承装置齿轮传动系统的动力学模型,并基于ADAMS 软件对其进行动力学仿真分析。通过对齿轮动载荷历程的分析及研究结构设计参数对齿轮动态性能的影响,提出了回转支承装置的优化设计选型方法。在此基础上,还研究了齿轮激励对回转齿轮工作性能的影响,对回转支承的设计安装及使用具有一定的指导意义。

0 引言

工程机械产品市场极具个性化,不同的应用场合和使用需求对同一类型产品的结构和功能有不同的要求。回转支承装置一般是各种履带式工程机械的重要组成部分,其设计强度及动态特性将直接关系到整机的工作性能及使用安全。在工程机械行业中,回转支承装置价格昂贵,更换维修困难,因此回转支承早期失效是生产企业及用户不能接受的故障现象。

行业统计数据显示,回转支承早期失效有90%是由断齿所导致[1]。轮齿的折断形式主要有两种,一是弯曲疲劳折断,二是过载折断。引起疲劳折断的主要原因是传动系统的动载荷过大,而过载折断则通常是由于短时严重过载的冲击载荷作用,使轮齿承受的应力超过其极限应力所致。此外,载荷严重集中、动载荷过大均可能引起过载折断[2]。从设计角度看,目前的回转支承选型都是采用基于经验知识的静态选型计算,很难满足具体的个性化工况使用要求。

国内外学者在齿轮动力学、回转支承受载状况,回转支承故障诊断技术、齿轮变形因素及寿命分析等领域展开了相关研究,并取得了许多成果[3-9]。但大部分研究都没有从回转支承的个性化实际工况出发,从设计角度开展回转支承的选型和齿轮设计参数优化设计,很难在根本上解决回转支承的断齿问题。

本文以某打桩机回转支承为研究对象,基于虚拟仿真技术,根据打桩机实际工况,对回转支承装置进行动力学研究,分析回转齿轮设计参数对其动态性能的影响,提出回转支承优化设计选型方法。

1 回转支承装置的设计与选型

针对某中型液压打桩机械,参考《回转支承》标准JB/T2300-1999,根据其静态选型计算方法,通过计算回转支承静止时承受的轴向、径向力及倾覆力矩,选择单排四点接触球式回转支承QNA2000.50 作为液压打桩机的回转机构,其额定扭矩6000 Nm,最高扭矩7500 Nm,转速范围0.4-50r/min。该液压打桩机回转支承装置传递的是低速重载运动,因此选用HKYC2.5A 型回转液压马达,该马达可以直接驱动回转支承装置。

基于 Pro/E 软件建立回转支承装置的三维模型,如图1 所示。其中对回转平台及液压马达的外形特征进行了适当简化,但仍保持其质量、质心位置等信息,以保证仿真结果尽量接近实际情况。

2 回转支承装置的动态性能分析回转支承在工作过程中受力复杂,是该液压打桩机非常

关键的核心部件,对其进行动力学研究,即可在设计阶段分析和评价回转支承装置的动态特性。

2.1 回转齿轮机构的动力学建模本文以齿轮副扭转振动模型作为回转支承齿轮传动系

统的动力学模型,研究回转支承齿轮的动态啮合特性,简化模型如图2 所示。

2.2 回转支承装置的动力学分析运用 ADAMS 软件对回转支承装置进行动力学仿真分析,首先须确定动力学模型各参数矩阵。

(1)质量矩阵的计算ADAMS 中回转支承模型是由Pro/E 三维模型导入的,模型已包含各零部件的质量、质心及转动惯量等信息,ADAMS 软件能根据零件质量信息自动建立模型的质量矩阵及转动惯量矩阵。

(2)阻尼系数的计算齿轮传动系统阻尼主要包括粘性阻尼和结构阻尼。粘性阻尼一般由齿轮圆周润滑液等粘性介质产生的作用力,而结构阻尼则是由轮齿、轴承等结构本身的内摩擦引起的阻尼。本文根据式(5)计算齿轮传动系统阻尼。

(3)刚度矩阵的计算齿轮啮合刚度的大小与轮齿弹性变形量紧密相关,随轮齿从齿顶到齿根的不断啮合呈周期性变化,其周期为啮合齿轮的齿频周期。本文取回转齿轮等效啮合刚度作为仿真计算依据。

根据赫兹静力弹性接触理论,由式(6)可计算齿轮等效啮合刚度。

由回转支承选型结果可知驱动小齿轮及回转支承内齿圈材料分别为40Cr 和ZG42SiMn,0.3 1 2 ν =ν = , 51 E = 2.06×10 ,52 E = 1.96×10 。

齿轮的啮合传动实际是一种碰撞接触运动,因此利用ADAMS 碰撞函数——IMPACT函数仿真计算回转齿轮啮合力。由上式计算可得回转齿轮仿真参数如下:刚度系数:1.2×106 N / mm2;碰撞系数:1.5;阻尼系数:20N ? s /mm;嵌入深度:0.1mm。

回转驱动马达驱动速度为20r/min(即120 ?? / s ),负载扭矩为6.0 ×106 N ?mm,设定仿真时间为0.5s,仿真步长为0.001。

3 回转支承装置的优化设计选型

3.1 齿轮模数的影响保持其他仿真参数不变,通过改变回转齿轮的模数研究不同模数对回转支承动态啮合性能的影响。下面分别对第一系列模数m = 10,m = 12,m = 16的情况对回转支承装置进行动力学仿真分析。

因此,通过改变模数大小对回转齿轮进行优化设计时,需综合考虑轮齿受力及动载荷波动幅度两个因素,在齿轮的承载能力范围内获得较好的动载荷历程。由表中可知当m = 10时齿轮啮合动载荷情况较好,然而由于液压打桩机回转支承工作时需承载较大的载荷,因此必须使回转齿轮受力尽量较小,以保证回转支承的工作质量,因此本文选用模数m = 12作为回转支承装置的优化模数。

3.2 小齿轮齿数的影响由式(7)可知通过改变小齿轮的齿数也可以达到改变啮合力的作用,本文取模数m = 12且不改变其他仿真参数,分析不同齿数对回转齿轮啮合动态性能的影响。本文分析了小齿轮齿数为18,20,22,23,25,28,29 时回转齿轮的啮合动态性能,其中图8 和图9 为回转小齿轮齿数18,20,22 1 z = 时回转齿轮传动的啮合力图。

由表 4 可知齿轮啮合平均力大小不随齿数的变化而改变,但其动载荷的波动幅度随齿数的增加而增大。因此可以通过改变齿轮齿数的方法对回转支承装置进行微调设计,使其动态性能更合理稳定。

由于液压打桩机回转支承并不是周期性运转,而是进行频繁的局部旋转运动,因此回转

支承经常处于启动制动状态,其启动性能对回转支承的影响也较大。此外小齿轮齿数越小,有可能发生根切现象。因此综合表4 结果分析比较可得当小齿轮齿数为20 时回转齿轮啮合情况较好。

综合上述分析结果,参考机械设计手册及回转支承标准对回转支承装置进行重新选型计算,最终确定回转支承齿轮参数如表5 所示。

4 回转支承装置的工作性能分析回转支承装置工作性能的影响因素有很多,其中比较关键的有马达的驱动速度、齿轮齿侧间隙和齿轮刚度系数。

4.1 马达驱动速度的影响液压马达具有无级调速功能,为了验证马达驱动速度是否对回转传动装置有影响,保持外部负载不变(6.0 ×106 N ?mm),在液压马达允许调整范围内,分析不同转速对传动装置的影响。

仿真结果表明,不同的驱动速度对回转齿轮动态性能有影响,通过动力学仿真分析结果可以为液压打桩机的施工操作提供技术指导。

4.2 齿轮齿侧间隙的影响齿轮啮合传动时为了在轮齿齿廓间形成润滑油膜,避免轮齿因受力变形、摩擦发热膨胀引起的挤轧现象,一般会在齿廓间留有一定间隙。然而间隙过大又会产生齿间冲击,从而影响齿轮传动的平稳性。因此本文将通过对回转支承齿轮传动系统进行动力学研究,分析不同齿侧间隙对回转齿轮动态性能的影响。

齿侧间隙与齿轮中心距有关,本文通过改齿轮中心距的方法研究齿侧间隙对轮齿传动的影响。

4.3 齿轮刚度系数的影响齿轮啮合刚度是指轮齿接触产生单位变形所需力的大小,齿轮重合度一般都大于1,因此在传动中轮齿一般处于单、双齿交替啮合状态。在齿轮连续啮合传动过程中,随着齿轮轮齿单齿双齿的不断交替接触,齿轮啮合刚度会呈周期性变化,从而导致齿轮振动。本文通过改变回转传动装置虚拟样机刚度系数大小,仿真得出回转齿轮受载情况如图17 和图18 所示。

由表 9 可知齿轮啮合趋于稳定所需的时间随刚度系数的增加而减少,且齿轮系统处于平稳传递过程时轮齿啮合平均力大小与刚度系数无关。但是齿轮动载荷波动程度与刚度系数变化情况并不同步,分析结果表明刚度系数1.0×106 时,齿轮啮合综合动态性能较好,与上述理论设计结果相符。

由式(6)知齿轮刚度系数与齿轮材料及结构参数有关,因此可以通过对回转支承装置进行动力学仿真分析,研究不同材料尺寸齿轮对其动态性能的影响,从而获得最优齿轮设计方案。

5 结论

针对某型液压打桩机回转支承,我们在虚拟装配建模、齿轮机构动力学仿真分析的基础上,进行了优化选型设计。通过研究有以下结论:

(1)根据液压打桩机实际工况,对齿轮机构设计参数优化选型后,回转支承齿轮啮合性能显着改善,与优化前的回转支承比较,齿轮啮合稳定时间缩短近200%,啮合力提高26.5%,啮合波动幅度减小近180%。

(2)马达驱动速度影响齿轮动载荷波动幅度,齿轮齿侧间隙影响齿轮啮合瞬间冲击力的大小,齿轮钢度系数对齿轮啮合稳定时间有显着影响。

[参考文献] (References)

[1] 侯宁,梁伟民.回转支承早期断齿分析及解决措施[J].建筑机械,2002,7:58-59

[2] 白金兰,王殿忠.有限元法在标准直齿圆柱齿轮轮齿弯曲疲劳强度计算中的应用[J],沈阳航空工业学院学报,2001.18(1):12-14.

[3] 颜海燕,唐进元,宋红光. 大变位对齿轮动力学性能影响的数值仿真分析[J]. 机械设计,2007.24(7):53-55

[4] 陈思雨,唐进元. 间隙对含摩擦和时变刚度的齿轮系统动力响应的影响[J].机械工程学报,2009.45(8):119-124

[5] 陈广艳,陈国定,李永祥,等.考虑齿侧间隙影响的直齿面齿轮传动动力学分析[J].机械科学与技术,2009.28(9): 1244-1251

文案出处:徐州昆仑大道9# 邮编:221000 编号:83309696

如何看懂MOSFET规格书

如何看懂MOSFET规格书 作为一个电源方面的工程师、技术人员,相信大家对MOSFET 都不会陌生。在电源论坛中,关于MOSFET 的帖子也应有尽有:MOSFET 结构特点/工作原理、MOSFET 驱动技术、MOSFET 选型、MOSFET 损耗计算等,论坛高手、大侠们都发表过各种牛贴,我也不敢在这些方面再多说些什么了。 工程师们要选用某个型号的 MOSFET,首先要看的就是规格书/datasheet,拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时,我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢?本帖的目的 就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点,有什么错误、不当的地方请大家指出,也希望大家分享一下自己的一些看法,大家一起学习。PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 datasheet2. 本 帖中有关 MOSFET datasheet 的数据截图来自英飞凌 IPP60R190C6 datasheet1VDSDatasheet 上电气参数第一个就是 V(BR)DSS,即 DS 击穿电压,也就是我们关心的 MOSFET 的耐压 此处V(BR)DSS的最小值是600V,是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态?

相信很多人的答案是“是!”,曾经我也是这么认为的,但这个正确答案是“不是!” 这个参数是有条件的,这个最小值600V是在Tj=25℃的值,也就是只有在Tj=25℃时,MOSFET上电压不超过600V 才算是工作在安全状态。 MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的,其实datasheet上有一张 V(BR)DSS与Tj的关系图(Table 17),如下:要是电源用在寒冷的地方,环境温度低到-40℃甚至更低的话,MOSFET V(BR)DSS值 所以在MOSFET使用中,我们都会保留一定的VDS的电压裕量,其中一点就是为了考虑到低温时MOSFET V(BR)DSS值变小了,另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰。2ID相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式(比如 20N60~),慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如 IPx60R190C6, 190 就是指Rds(on)~).其实从电流到 Rds(on)这种命名方式的转变就表明 ID 和 Rds(on)是有着直接联系的,那么它们之间有什么关系呢?在说明 ID 和 Rds(on)的关系之前,先得跟大家聊聊封装和结温:1). 封装:影响我们选择 MOSFET 的条件有哪些?a) 功耗跟散热性能 -->比如:体积大的封装相比

回转支承选型计算与结构

回转支承选型计算(JB2300-1999) ?转支承受载情况 回转支承在使用过程中,一般要承受轴向力Fa 、径向力Fr 以及倾覆力矩M 的共同作用,对不同的应用场合,由于主机的工作方式及结构形式不同,上述三种荷载的作用组合情况将有所变化,有时可能是两种载荷的共同作用,有时也有可能仅仅是一个载荷的单独作用。 通常,回转支承的安装方式有以下两种形式—座式安装和悬挂式安装。两种安装形式支承承受的载荷示意如下: 二、回转支承选型所需的技术参数 ?回转支承承受的载荷 ?每种载荷及其所占有作业时间的百分比 ?在每种载荷作用下回转支承的转速或转数 ?作用在齿轮上的圆周力 ?回转支承的尺寸 ?其他的运转条件

主机厂家可根据产品样本所提供的信息,利用静承载能力曲线图,按回转支承选型计算方法初步选择回转支承,然后,与我公司技术部共同确认。也可向我公司提供会和转支承相关信息,由我公司进行设计选型。 每一型号回转支承都对应一个承载力曲线图,曲线图可帮助用户初步的选择回转支承。 曲线图中有二种类型曲线,一类为静止承载曲线( 1 线),表示回转支承保持静止状态时所能承受的最大负荷。另一类为回转支承螺栓极限负荷曲线(8.8 、10.9 ),它是在螺栓夹持长度为螺栓工称直径 5 倍,预紧力为螺栓材料屈服极限70% 是确定的。 ?回转支承选型计算方法 ?静态选型 1 )选型计算流程图 2 )静态参照载荷Fa' 和M' 的计算方法:

?单排四点接触球式: 单排四点接触球式回转支承的选型计算分别按承载角45 °和60 °两种情况进行。 I、a=45° II、a=60° Fa'=(1.225*Fa+2.676*Fr)*fs Fa'=(Fa+5.046*Fr)*fs M'=1.225*M*fs M'=M*fs 然后在曲线图上找出以上二点,其中一点在曲线以下即可。 ?单排交叉滚柱式 Fa'=(Fa+2.05Fr)*fs M'=M*fs ?双排异径球式 对于双排异径球式回转支承选型计算,但Fr ≦10%Fa 时,Fr 忽略不计。当Fr ≧10%Fa 时,必须考虑轨道内侧压力角的变化,其计算请与我们联系。 Fa'=Fa*fs M'=M*fs ?三排滚柱式 三排滚柱式回转支承选型时,仅对轴向滚道负荷和倾覆力矩的作用进行计算。 Fa'=Fa*fs M'=M*fs ?动态选型 对于连续运转、高速回转和其它对回转支承的寿命有具体要求的应用场合,请与我公司联系。 ?螺栓承载力验算: ?把回转支承所承受的最大载荷(没有乘静态安全系数fs )作为选择螺栓的载荷。 ?查对载荷是否在所需等级螺栓极限负荷曲线以下;

回转支承的选型设计

回转支承的选型计算 A.1 外载荷的确定 单排球式回转支承上的外载荷是组合后的总载荷,包括: a) 总倾翻力矩M, 单位为N?mm; b) 总轴向力P, 单位为N; c) 总倾翻力矩M 作用平面的总径向力Hr, 单位为 N。 在计算M、P、Hr 过程中,应根据主机的工作类型,考虑其工作条件,按实际计算工况,最不利载荷组合机型计算。 A.2 单排球式回转支承的当量静容量 按公式 (A.1)计算 C o=f0×d02×z×sinα…………………………………………(A.1) 式中: C o---当量静容量,单位为N; f o---静容量系数,按表A.1 选取,单位为N/mm2 ; d o---钢球公称直径,单位为mm; α---公称接触角,单位为(°); 对一般建筑机械,可取α=50°, 当2M/PD0≥10 时, 可取α=45°, 对于特殊受力的情况,应根据外力的大小,作用方向另行计算: z---钢球个数,按公式(A.2)计算 z=(πD0-0.5d0)/(d0 + b)………………………………………(A.2)

z取较小的圆整值; 式中: D o ---滚道中心直径,单位为mm; b---隔离块隔离宽度,单位为mm, 按表7选取。 表A.1 静容量系数f0 Static Capacity Factor A.3 选型计算 根据组合后的外荷载M、P、Hr ,按公式(A.3)计算当量轴向载荷: JB/T 10839-2008 C P =P+4.37M/D0 +3.44Hr …………………………………(A.3) 式中: C P ---当量轴向载荷,单位为N. 单排球式回转支承选型应满足下式要求: C0/C P≥f S 式中: f S---单排式回转支承安全系数, 按表A.2 选取

高层建筑结构选型设计及建筑结构优化设计杜琨

高层建筑结构选型设计及建筑结构优化设计杜琨 发表时间:2018-10-26T10:35:06.930Z 来源:《防护工程》2018年第13期作者:杜琨 [导读] 高层建筑类型,其社会经济效益更高,同时这种高层建筑的发展也是当前我国社会经济发展的产物和趋势 杜琨 天津中机建设工程设计有限公司 300381 摘要:高层建筑类型,其社会经济效益更高,同时这种高层建筑的发展也是当前我国社会经济发展的产物和趋势。在我国城市化进程不断加快的过程中,城市的规模及人口数量都处于扩大发展中,这就使得可利用的土地资源在逐渐减少,而高层建筑正好起到了对我国城市土地资源的缓解作用,并同时也满足了人们对建筑各项功能的要求和需求。但高层建筑的质量及有效功能的发挥,都是基于高层建筑在结构造型上的科学合理性。那么本文将重点探讨高层建筑结构选型设计及建筑结构的优化设计问题。 关键词:高层建筑;结构选型;设计;建筑结构;优化设计 城市化的步伐不断加快,也使得城市建设的范围扩展速度更快,高层建筑的建设有效缓解了城市土地资源的紧张状况。但随着高层建筑的规模与数量的持续性发展,由于其结构设计与选型不同于传统多层建筑,这就要求设计人员必须结合高层建筑的结构特点选择相应的结构形式,并对相关的设计及工艺进行优化,才能保障高层建筑的质量,促进建筑企业的可持续发展。 1. 高层建筑的结构选型设计 1.1高层建筑结构的类型 高层建筑的安全性与质量在很大程度上取决于高层建筑的结构选型。目前高层建筑结构的类型分为以下几种:框架结构、框架-剪力墙结构、筒体结构等。其中,框架结构的构成包括了梁柱、楼板等,结合建筑在功能上的不同来布置平面框架。框架结构造价更为低廉,但同时在水平荷载影响下,也会发生更大的变形,因此抗震效果不太好;框架-剪力墙这种结构类型,高层建筑剪力墙大部分布置于电梯间,通过核心筒对水平荷载予以承担,提高了抗震性,并也使得整体建筑的稳定性更好。但这种结构类型会受限于平面布局,容易发生质心和钢心无法重合的问题,在结构上太大的扭转,可能潜在一些安全隐患;筒体结构类型,其筒体的形成主要是在电梯间以及建筑外围布置剪力墙,这种结构最大的优势是刚度极高。 1.2高层建筑结构选型的影响因素 对高层建筑结构选型的影响,不仅包括建筑需求因素,还包括以下这些因素:第一,环境因素。高层建筑的环境条件主要是场地条件、防烈度、基本风压;其次是建筑方案特征,其包括了建筑的高宽比、高度、长宽比以及建筑体型,其中建筑体型又是由平面体型和立体体型构成;再者,建筑使用功能的要求。对于高层建筑,其使用功能基本上分为住宅、办公、旅馆、综合大楼等。某种功能的建筑,也许只有某几种结构形式可以与其匹配。如高层住宅的使用空间相对更小,分隔墙体会比非常多,而且每一层的平面布置大体一样,所以高层建筑的住宅功能相对来讲,更适合剪力墙或框架-剪力墙结构;最后,结构抗灾水平、现场施工情况、运营维护以及后期投入使用情况。 2. 高层建筑的结构设计分析 2.1对高层建筑结构设计中水平荷载控制的分析 高层建筑与低层建筑相比较来说,高层建筑的整体结构对水平载荷的承载量更大,所以高层建筑所具有的整体稳定性与其结构设计中水平荷载水平的控制情况有着直接关系,而且高层建筑承受的倾覆力矩也是取决于其水平荷载,这种关系是一种二次方倍数关系。所以在高层建筑的结构设计过程中,必须严格控制水平荷载,以此才可进一步控制因较大的水平荷载而发生的一连串稳定性问题。 2.2对抗侧刚度予以合理确定 高层建筑在结构设计中不同于低层建筑,这种高层建筑的结构设计会对结构侧移带来一定的影响。由于楼层高度的不断变化,会在水平荷载测量变形的作用下,其结构侧移也会随之更大。所以在高层建筑的结构设计时,必须确保其结构强度达到相应的要求,而且可以承受荷载作用所产生的内力影响,在这个过程中就需要具备一定的抗侧刚度,确保结构在水平荷载的作用下可有效控制侧移的状况。 2.3对测控的确定 高层建筑相较于低层建筑,前者的结构更容易出现侧移的问题,而且也成为高层建筑结构的重要影响因素。在高层建筑楼层越来越高时,那么相应的水平荷载侧变形也会更大。高层建筑一方面应有很高的强度,另一方面还要能够承受荷载作用所产生的内力作用及抗侧刚度,这样才能避免高层建筑结构发生侧移。 2.4有效控制高层建筑的结构抗震性能 高层建筑必须重视抗震性问题,抗震性能在很大程度上直接影响着整个建筑体的稳定性与质量。影响高层建筑抗震性的因素很多,在进行设计时,应综合考虑和分析设计人员的专业技能、水平以及相应施加的载荷,并严格控制结构选型,才能有效保障建筑的稳定性 2.5有效控制建筑的自重 高层建筑随着楼层的不断增加,相应地,结构对基础接轨的传递荷载量也在不断提高。若建筑整体的自重比地基的承载能力更大,那么建筑整体则会发生下沉,有可能导致建筑体出现倾斜或者是影响建筑的抗震性能。所以作为高层建筑的结构设计人员,必须从实际情况出发,制定完善而科学的建筑结构方案,不可使得高层建筑的荷载超出基础所能承受的最大承载能力,才能提升整个高层建筑体的稳定性与投入使用之后的质量。 3. 高层建筑结构的优化设计 3.1结合建筑的总高度进行结构的优化设计 在高层建筑中,可通过对钢骨砼柱—砼梁与钢管砼柱—钢梁的比较分析,钢梁组 合楼盖能更有效地降低梁柱截面,从而符合高层建筑使用的净高要求,同时中庭洞口各层相互交错的布置,通过钢梁组合楼盖使得传统支模的问题得以解决;另外,还可对塔楼标准层的室内梁高进行有效控制,内部净高超过了150~200mm;大多数的构件的加工工作都在工厂进行,这就有效提升了建筑产品的工业化水准,提高了整个建筑工程建设的施工效率。 3.2结合建筑的荷载进行结构的优化设计 当前大部分建筑企业在建设中的成本压力非常大,地下室的优化工作也必须予以重视。基于安全、效果以及建筑功能等,必须对消防

优化设计习题答案

第一、填空题 1.组成优化设计数学模型的三要素是 设计变量 、 目标函数 、 约束条件 。 2.函数()2 2 121 212,45f x x x x x x =+-+在024X ??=????点处的梯度为120-?? ???? ,海赛矩阵 为2442-????-?? 3.目标函数是一项设计所追求的指标的数学反映,因此对它最基本的要求是能用 来评价设计的优劣,,同时必须是设计变量的可计算函数 。 4.建立优化设计数学模型的基本原则是确切反映 工程实际问题,的基础上力求简洁 。 5.约束条件的尺度变换常称 规格化,这是为改善数学模型性态常用的一种方法。 6.随机方向法所用的步长一般按 加速步长 法来确定,此法是指依次迭代的步 长按一定的比例 递增的方法。 7.最速下降法以 负梯度 方向作为搜索方向,因此最速下降法又称为 梯 度法,其收敛速度较 慢 。 8.二元函数在某点处取得极值的充分条件是()00f X ?=必要条件是该点处的海赛矩阵正定 9.拉格朗日乘子法的基本思想是通过增加变量将等式约束 优化问题变成 无 约束优化问题,这种方法又被称为 升维 法。 10改变复合形形状的搜索方法主要有反射,扩张,收缩,压缩 11坐标轮换法的基本思想是把多变量 的优化问题转化为 单变量 的优化问题 12.在选择约束条件时应特别注意避免出现 相互矛盾的约束, ,另外应当尽量减少不必要的约束 。 13.目标函数是n 维变量的函数,它的函数图像只能在n+1, 空间中描述出来,为了在n 维空间中反映目标函数的变化情况,常采用 目标函数等值面 的方法。 14.数学规划法的迭代公式是 1k k k k X X d α+=+ ,其核心是 建立搜索方向, 和 计算最佳步长 15协调曲线法是用来解决 设计目标互相矛盾 的多目标优化设计问题的。

MOSFET选型注意事项及应用实例

MOSFET选型注意事项及应用实例 MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。作为电气系统中的基本部件,工程师如何根据参数做出正确选择呢?本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。1)沟道的选择。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N 沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。 2)电压和电流的选择。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220V AC 应用为450~600V。在连续导通模式下,MOSFET处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。3)计算导通损耗。MOSFET器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变

高层建筑结构选型设计及建筑结构优化设计

高层建筑结构选型设计及建筑结构优化设计 发表时间:2018-10-01T12:51:32.433Z 来源:《基层建设》2018年第22期作者:彭宇明 [导读] 摘要:随着高层建筑规模的不断扩大和投资的不断增加,结构选型在建筑结构概念设计中起着重要的作用。 深圳市慧创建筑设计有限公司广东深圳 518000 摘要:随着高层建筑规模的不断扩大和投资的不断增加,结构选型在建筑结构概念设计中起着重要的作用。它将对建筑功能、工程造价和社会效益产生影响。正确处理高层建筑的结构选型和优化设计,对高层建筑的设计、施工、使用和维护具有重要意义。本文结合工程实例,分析了结构选型和优化的重要性,阐述了结构选型的关键,选择了合适的结构优化方案,旨在为提高高层建筑的安全性、降低成本提供依据。 关键词:高层建筑;结构选型;结构优化;设计 1 高层建筑结构选型设计 1.1 高层建筑结构类型分析 高层建筑结构的选择决定了高层建筑的整体安全性和可靠性,几种常见的结构类型可分为框架结构、框架剪力墙结构、剪力墙结构和筒体结构。①框架结构主要是由梁柱、楼板等部分组成,根据建筑功能的需求,完成对平面框架的布置。框架结构造价低,但在水平荷载影响下变形较大,抗震效果不佳;②框架-剪力墙结构,在高层建筑中,剪力墙主要布置在电梯室内,通过核心筒承受水平荷载,抗震能力强,整体稳定性高。但框架-剪力墙结构容易受平面布置的限制,出现质心和钢心不重合的现象,结构扭转过大,可能会出现的安全隐患; ③剪力墙结构具有较强的竖向和水平承载能力,对高层建筑的整体刚到和稳定性具有显著的提升效果,重点在于剪力墙的布置及自重的控制;④筒体结构,在电梯间及建筑外围布置剪力墙,形成筒体,该结构具有更高的刚度。 1.2 高层建筑结构选型的影响因素 除了建筑需求的影响外,高层建筑结构选型的主要因素可归纳为:①环境条件,主要包括设防烈度、场地条件、基本风压等;②建筑方案特征,主要包括方案建筑的高度、高宽比、长宽比和建筑形状,其中建筑形状包括平面形状和三维形状。平面形状由平面规则性、平面对称性、平面质量和刚度偏心等组成,立体形状由结构高宽比、立面内收形状、塔楼和层间刚度等组成;③建筑物使用功能要求,一般来说,高层建筑的功能可分为居住建筑、办公建筑、宾馆和综合楼。具有特定功能的建筑物可能只有几个与其匹配的结构类型。高层住宅由于其空间较小、隔墙较多、各层布置基本相同,更适合剪力墙或框架-剪力墙结构;④结构抗灾等级及现场施工、后期使用、运行维护等情况。 1.3 结构选型实施案例 本章以某工程为例,主要包括高层住宅楼和多层商务办公楼两部分,以及建筑总建筑占地面积 95388.440m 2 ,其中工程中主要以 1号楼、2 号楼、3 号楼为高层建筑,且楼层均为 36F,其中且高度分别为 117.390m、119.400m、119.400m。本工程主要采用钢柱、混凝土等材料。本章以1号楼为重点,1号楼共36层,设防烈度7度,基本风压 0.75kN/m 2 ,场地Ⅱ类。建筑平面对称布置,平面规则,间距小,隔墙多,各层平面布置基本相同。本工程考虑到竖向和水平荷载、施工成本等因素,采用剪力墙结构,通过合理布置剪力墙,控制了结构的整体刚度和侧向位移,使结构更加安全、稳定、经济。 2 建筑结构的优化设计 2.1 结合建筑类型进行优化 汶川地震震害结果表明,对于中小学等教育工程,由于使用功能要求,与其他建筑相比,教学楼竖向结构体系相对薄弱,强度和刚度不足,建筑结构不对称,容易在地震中倾倒。因此,在教育工程中,应在建筑物和楼梯间侧设置剪力墙,以提高建筑物结构的整体性和稳定性,使其具有良好的工作性能。 对于图书馆、博物馆等文化体育项目,根据馆藏图书、文物的特点,其装载量大,使用空间大,平面不规则。当结构垂直布置时,不需要按照传统的9m模数进行布置,某工程按12m模数进行柱网优化后,结构截面变化不大,但能较好地满足建筑物的功能要求。 2.2 结合建筑总高度进行优化 在某超高层建筑中,通过对型钢混凝土柱-混凝土梁和钢管混凝土柱-钢梁的对比分析,型钢梁组合楼板能有效减小梁柱截面,满足建筑净高要求,中庭入口楼层交错布置,采用型钢梁组合楼板解决传统模板支撑问题;可有效控制塔标准楼层室内梁的高度,内部净高150 -200 mm,绝大多数构件在工厂加工完成,大大提高了建筑产品的工业化水平,大大减少了施工现场的建筑垃圾,大大缩短了工期。 2.3 结合建筑荷载进行优化 越来越多的企业在工程建设过程中承受着巨大的成本压力,地下室优化的必要性不容忽视。在满足安全和建筑功能及效果的前提下,充分考虑了、消防车、人防等荷载,进行了平面布置,并对多种方案进行了比较。工程实例表明,在常规8.5m×8.5m柱网条件下,荷载越大,采用的板结构越大,建筑物含钢量最低,最经济。在结构优化过程中,应综合考虑各种因素,对建筑安全、美观和经济性进行综合比较,以实现工程的最大效益。 2.4 剪力墙结构优化理论在实际工程中运用 (1)进行结构计算时,应采用软件分析,以满足最大层间位移、周期比、位移比、轴压比等各项指标的要求。 (2)通过适当的缩减剪力墙的长度,减轻其自重,增加了高层建筑的内部使用空间。 (3)剪力墙肢节控制需要保证肢节在具体控制中以简单规则为依据,混凝土门窗洞口设计整齐,形成清晰的墙肢和连梁,使应力分布合理,提高了高层建筑的整体安全性和稳定性。

ANSYS优化设计中的优化变量选择说明

ANSYS优化设计中的优化变量选择说明 本文介绍了ANSYS优化设计中的优化变量选择说明相关内容。 下面列出了许多如何定义设计变量,状态变量和目标函数的建议。 选择设计变量 设计变量往往是长度,厚度,直径或模型坐标等几何参数。其必须是正值。关于设计变量要记住的几点如下: & #61548; 使用尽量少的设计变量。选用太多的设计变量会使得收敛于局部最小值的可能性增加,在问题是高度非线性时甚至会引起不收敛。显而易见,越多的设计变量需要越多的迭代次数,从而需要更多的机时。一种减少设计变量的做法就是将其中的一些变量用其他的设计变量表示。这通常叫做设计变量合并。 设计变量合并不能用于设计变量是真正独立的情况下。但是,可以根据模型的结构判断是否允许某些设计变量之间可以逻辑的合并。例如,如果优化形式是对称的,可以用一个设计变量表示对称部分。 & #61548; 给设计变量定义一个合理的范围(OPVAR命令中的MIN和MAX)。范围过大可能不能表示好的设计空间,而范围过小可能排除了好的设计。记住只有正的数值是可以的,因此要设定一个上限。 & #61548; 选择可以提供实际优化设计的设计变量。例如,可以只用一个设计变量X1对图1-3a 的悬臂梁进行重量优化。但是,这排除了用曲线或变截面得到更小的重量的可能。为了包括这种设计,需要选择四个设计变量X1到X4(图1-3c)。也可以用另外一种设计变量选择方法完成该优化设计,见图1-3d。同时,要避免选择产生不实际结果或不需要的设计。 选择状态变量 状态变量通常是控制设计的因变量数值。状态变量的例子有应力,温度,热流率,频率,变形,吸收能,消耗时间等。状态变量必须是ANSYS可以计算的数值;实际上任何参数都能被定义为状态变量。选择状态变量的一些要点为:

MOSFET选型经验

功率MOSFET选型的几点经验 作者:Hugo Yu 使用功率MOSFET也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用。不正之处,希望大家不吝指正。 功率MOSFET的分类及优缺点 和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势(请查阅资料,不详述),但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。(可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧,看来理论总是跟实际有差距的,哈哈) MOSFET是电压控制型器件,三极管是电流控制型器件,这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的:优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件,这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。 言归正传,下面来看看具体如何选型— 功率MOSFET的选型 1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET? 前面说了,实际应用主要使用增强型功率MOSFET,但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢?如果你对这个问题有疑问,下面的图和注释会让你一目了然! a) N沟道MOSFET b) P沟道MOSFET 负载(Load)的连接方式决定了所选MOSFET的类型,这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时,采用P沟道MOSFET;当负载连接电源电压时,选择N沟道MOSFET。

回转支承的选型计算

回转支承的选型计算 A5 安装螺栓的选择 A.5.1 螺栓按GB/T3098.1 和GB/T5782选用,亦可自行设计大六角头螺栓。性能等级为8.8级,10.9级和12.9级 A.1 外载荷的确定 单排球式回转支承上的外载荷是组合后的总载荷,包括: a) 总倾翻力矩M, 单位为N?mm; b) 总轴向力P, 单位为N; c) 总倾翻力矩M 作用平面的总径向力Hr, 单位为 N。 在计算M、P、Hr 过程中,应根据主机的工作类型,考虑其工作条件,按实际计算工况,最不利载荷组合机型计算。 A.2 单排球式回转支承的当量静容量 按公式 (A.1)计算 Co=f0×d02×z×sinα…………………………………………………………(A.1) 式中: Co---当量静容量,单位为N; fo---静容量系数,按表A.1 选取,单位为N/mm2 ; do---钢球公称直径,单位为mm; α---公称接触角,单位为(°); 对一般建筑机械,可取α=50°, 当2M/PD0≥10 时, 可取α=45°, 对于特殊受力的情况,应根据外力的大小,作用方向另行计算: z---钢球个数,按公式(A.2)计算 z=(πD0-0.5d0)/(d0 + b)………………………………………(A.2) z取较小的圆整值; 式中: Do ---滚道中心直径,单位为mm; b---隔离块隔离宽度,单位为mm, 按表7选取。 表A.1 静容量系数f0 Static Capacity Factor A.3 选型计算 根据组合后的外荷载M、P、Hr ,按公式(A.3)计算当量轴向载荷: JB/T 10839-2008 C =P+4.37M/D0 +3.44Hr ………………………………………………(A.3) P 式中:

高层建筑结构基础选型和优化设计

浅谈高层建筑结构基础选型和优化设计摘要:高层建筑基础承担着将高层建筑上部结构的荷载传递给地基的重要作用,在设计时,应将高层建筑上部结构、基础与地基协同考虑。在地震区,凡是地基基础好的,建筑结构所受到的破坏就轻,危害就小,否则就破坏严重。在工程质量事故中,如果基础工程出现质量问题,补救起来相当困难,还会给工程造价和工期带来较大的影响。所以,在进行地基基础设计时,除了保证基础本身应具有足够的强度和刚度外,还应考虑地基的强度、稳定性及变形的要求,为使基础设计更合理,应综合考虑上部结构、基础和地基的共同作用。 关键词:高层建筑结构选型结构设计 the high-rise building foundation will bear the superstructure of load transfer to the important role of foundation, in the design, should will superstructure and foundation and foundation collaborative consideration. in earthquake zones, all good foundation, building structure damage by light, the harm is small, or destroyed. in the engineering quality accident, if the foundation engineering appear quality problem, remedy is very difficult, still can give a project cost and time limit for a project to bring greater effects. so, in the foundation design, in addition to ensure that the foundation itself is should have enough

mos管选型指导

MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题,下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如

电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 第二步:确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中,晶片中嵌入了一个深沟,通常是为低电压预留的,用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响,开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如,飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术,针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要,因为当标准MOSFET的击穿电压升高时,RDS(ON)会随之呈指数级增加,并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在击穿电压达到600V的情况下,实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说,这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步:确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及最大的结温。

回转支承选型计算

回转支承选型计算 一、回转支承承载 回转支承在使用过程中,一般要承受轴向力Fa,径向力Fr以及倾覆力矩M的共同作用,对不同的应用场合,由于主机的工作方式及结构型式不同,上述三种载荷的作用组合情况将有所变化,有时可能是两种载荷的共同作用,有时也有可能仅仅是一个载荷的单独作用。 通常,回转支承的安装方式有以下两种型式——座式安装和悬挂式安装。两种安装形式支承承受的载荷示意如下: 客户在选型时,若所用回转支承为座式安装,可按下面的选型计算来进行选型;若所用回转支承为悬挂式安装或其他安装型式,请与我公司技术部进行联系。 二、回转支承的选型 1、结构型式的选择 常用回转支承的结构型式有四种:单排球式、交叉滚柱式、双排球式、三排柱式。 根据我们的经验和计算,有以下结论: ? Do ≤1800时,单排球式为首选型式;Do >1800时,优先选用三排柱式回转支承。 ? 相同外形尺寸的回转支承, 单排球式的承载能力高于交叉滚柱式和双排异径式。 ? Q系列单排球式回转支承,尺寸更紧凑,重量更轻,具有更好的性价比,为单排球式的首选系列。 2、回转支承的选型计算 单排球式回转支承的选型计算 ①计算额定静容量 C O = 0.6× D O×do0.5 式中:C O─── 额定静容量, kN D O─── 滚道中心直径, mm do───钢球公称直径, mm ②根据组合后的外载荷,计算当量轴向载荷 Cp = Fa + 4370M/D O + 3.44Fr 式中:Cp ─── 当量轴向载荷, kN M ───倾覆力矩,kN·m Fa ───轴向力,kN Fr ───径向力,kN ③安全系数 fs = Co / Cp fs值可按下表选取 三排柱式回转支承的选型计算 ①计算额定静容量 Co= 0.534×D O×do0.75 式中:C O───额定静容量, kN D O─── 滚道中心直径, mm do ─── 上排滚柱直径, mm ②根据组合后的外载荷,计算当量轴向载荷 Cp = Fa + 4500M/D O 式中:C p─── 当量轴向载荷, kN

汽车选型优化设计方案周杰

课程设计题目气车选型优化方法分析 学院: 汽车与交通工程 专业: 汽车服务1001班 指导教师:___________ 赵显新 __________ 学号: _________ 201823189003 ________ 学生姓名:_____________ 周杰___________ 日期: ___________ 2018年7月________ 摘要 本文采用投资回收期法、寿命周期分析法、价值分析法、满足度评分法、费用效率分析法和层次分析法进行汽车选型研究,分析了每一种方法特点、实施步骤,重点分析了层次分析法的步骤及优缺点。对各种不同情形下的汽车选型具有重要的指导意义。关键词:选型优化;投资回收期法;寿命周期分析法;价值分析法;费用效率分析法;满足度评分法;层次分析法 一、前言 近年来,我国的汽车工业正以前所未有的速度飞速发展,汽车需求量不断增加,汽车工业已逐渐成为我国国民经济的支柱产业。由此可以看出,未来中国汽车市场还有很大的发展空间。然而消费者在动力性、经济性、可靠性等诸多因素中往往不知道如何取舍,选型过程中主观意识不强。同时乘用车的选型是一个复杂的过程,大部分消费者往往都是在买车前广泛收集信息,然后选定生产厂家,最后进入相应的4S 店在导购的帮助下完成选购。在这种选购方式

下,消费者主观思想只是起了一个导向作用,关键的选购过程还是在导购的指引之下完成的。而导购的介绍往往带有一定的局限性,利益出发点不同,他们需要对经销商负责,因此在某种程度上来说很难保证选购车型的公正。一旦考虑不慎,选择了一款不适合自己的车辆后,对消费者来说损失将会是巨大的。为了能够充分的保证消费者的利益,就有必要对当前乘用车选型进行研究,针对乘用车的主要性能指标,运用一定的数学方法,建立一种简单易操作的车型选购模型,制定一套较为系统全面的参考标准。运用这种选购模型,能够增强消费者自身在选购过程中的主导作用,选择一款实用、性价比较高的车型,实现效益的最大化。 二、国内外汽车选型概述 1、国外家用轿车选型研究 从国外家用轿车的普及情况来看,由于各国的经济状况、文化背景、生活习惯等方面的不同,进入家庭的轿车档次和车型不亦有差别。仔细分析,基本可分为二大类,一类是以美国为首的经济发达国家,国民收入较高,购买力强,普遍以排量在 2 升左右的中、高档轿车为主导车型进入家庭。另一类是以日本、意大利、韩国等次发达国家(日本已进入发达国家行列>为代表的国家,以排量在 1.5 升以下的小型、经济型轿车为主导车型进入家庭。不管哪种档次、哪种车型、凡是进入家庭的轿车,都必须满足以下要求: (1>以最小的外形尺寸获得最大的内部乘坐空间;(2>以最成熟的技术获得最可靠的使用性能;(3>以最先进的技术获得最经济的使用成本;(4>以最先进的技术获得最佳的使用安全性;(5>以最先进的产品开发技术和生产技术,获得最低的生产成本和销售价格。 依据上述要求,各国都紧紧结合本国国情研制完全适合国民消费需求的家用轿车。存在即为合理,可以这样讲,无论哪种轿车,都可能进入家庭。但随着社会经济的发展,国民收入增加,消费者消费观念的转变,各个时期都有一种主导车型<畅销车型) 作为进入家庭用车的主车型,其它车型则作为辅助车型进入家庭。从日本普及家庭用车的过程来看,它走过了一段由中、高级轿车开始向低档型轿车转化,再向中、高级乃至高级轿车方向发展的过程。意大利的普及过程则有所不同,是从小排量微型车开始,逐步向中级或中、高级方向演变。法国和德国的普及过程,起点略比意大利高一些,美国则更高。这是国家经济发展和国民收入决定的,但总的趋势是普及初期会以排量小、成本低、功能全、性能可靠的经济实用型轿车为主导车型进入家庭。随着时间的推移,老百姓经济状况有了很大的改观之后,再逐步考虑更换车型,此时将会以大排量、高档次的豪华车型。

常用mos管(选型)

常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档