sapphair公司从2003年至今，一直至力于整体型翅片管的开发研究，现在它已在锅炉、化工、船舶、余热发电、家装等各个领域内得到应用。面在锅炉行业中作为受热面利用最多，整体型翅片管的优势得到尽情发挥。
锅炉的受热面中，过热器、省煤器、空预器等都在应用整体型翅片管，现在应用的效果非常好，因为整体型翅片管具有以下六点优势：
1、整体型翅片管能够扩展换热效果（面积及传热系数）。以同的基管情况下：（以基管
为φ32X4为例，翅高12，翅距12）1米相当于：4米光管或者2.6米膜式结构
（间距62X3，扁钢30X3）或者1.5米扁钢缠绕焊接翅片管（扁钢12X3）。
2、整体型翅片管耐磨。由于整体型翅片管翅片与基管为一体成型，晶体结构一致，性
能稳定，况且翅片呈沙丘形状，与在受热时温度梯度形状吻合，在受热时翅片
外表面温度一致，热应力均匀，不会产生集中，也就不会产生强度薄弱点，（而
磨损的主要原因是因为高温点，应为σ低），另外，翅片对烟气具有导流作用，
导流的同时，使烟气的各项指标（温度、流速、灰分等）更加均匀，不会产生
烟气偏流，也就不会造成烟气集中冲刷某一区域或某一部位。因此比较耐磨。
而通常光管在径向左右30°、端部弯头、侧面靠墙管等部位是磨损严重的地方。
3、整体型翅片管刚度大大加强。刚度大小要看惯性矩大小，整体型翅片管的惯性矩是
相应光管的 4.76倍。（φ32X4的惯性矩35168mm2 ，而翅片管惯性矩
167613mm2 ，）支架间距光管是2.71m(3.55m老管规)，翅片管5.28 m（6.91m
老管规），如果在计算壁面温度达到460°附近时，支架间距将减少，所以有的
用户发生上级省煤器上几排管子在两支架中间折断的现象。发生这种现象是断
口齐整。而材质又没有发现问题。
4、整体型翅片管不积灰。积灰的原因是卡门涡流造成的：烟气流过管子时，在管子的
背面会形成负压区，在此区域，烟气流速为零甚至回流，烟气就在此积聚，灰
份就附着在管子表面。灰份的热阻比较大，灰越积越厚，热阻越来越大，传热
量越来越少，排烟温度升高了，锅炉的效率也就下降了。而翅片管对烟气的导
流克服了卡门涡流，同时也梳理了灰份的分布，使其在烟气中分布均匀。华鲁
恒升集团自从运行以来就不积灰（没有设吹灰设施），西交大做的实验报告也证
实了这一点。
5、传热性能稳定。一体型结构作为受热面，在多年（不吹灰）运行情况下，锅炉排烟
温度起伏变化不大，没有省煤器管爆管现象发生。
6、使用寿命长。同等运行状况下（煤质，温度，受热面位置），翅片管保证寿命大于
光管的2倍。一般情况下，光管寿命3~4年,则翅片管寿命至少7~8年。
针对希望240t/h锅炉的结构布置情况，省煤器改造方案论述如下：
（1）错列结构：S1XS2=100X75
（2）为防止低温腐蚀，在下级省煤器最下两排采取加厚处理，34X6翅高10，翅距12。
（3）为降低磨损，每级省煤器最上两排采取加加厚处理，34X6翅高10，翅距12。
（4）其它翅片管32X4翅高10，翅距12。
（5）弯头用烟气挡板遮挡，不受烟气冲刷。
（6）烟气流速取低值。（磨损与烟气流速的三次方成正比）
用户情况：
山东化鲁恒升集团4X280 t/h煤粉锅炉新建
山东东营华泰3X260煤粉锅炉新建
印度240t/h煤粉锅炉新建（印度标准，ASME材料SA210）
巴基斯坦75t/h流化床锅炉新建(中国标准20g,GB3087)
泰国35t/h流化床锅炉新建(中国标准20g,GB3087) 广东东莞35t/h流化床锅炉新建
山西山维集团35t/h流化床锅炉改造
山西径乐电厂75t/h流化床锅炉改造
陕西榆林2X240t/h煤粉锅炉改造
山西汾西矿业电厂35t/h流化床锅炉改造
省煤器结构比较表
希望改造比较表：
原有省煤器烟气侧阻力在800Pa左右，引风机压头H=4000Pa,流量
Q=300000m3/h则运行工况时功率P=4000X300000÷3600÷0.66=505050W=505KW
而通过改造：省煤器烟气侧阻力在300Pa, 引风机压头H=3700Pa,流量Q=300000m3/h则运行工况时功率P=3700X300000÷3600÷0.66=606060W=467KW
引风机功率下降38KW
按锅炉每年运行8000小时计算，通过改造，每年耗电节省38X8000=304000KW.h,按电价0.50元计算，则每年省电152000元。
改造后省煤器总图：
肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：
肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6
0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45
第4章 滴灌系统水力学原理 滴灌与喷灌相似，它们均采用为压力管道系统。但滴灌一般工作压力较低，用水率较小。滴灌管网通常由毛管、支管和干管构成。毛管是与支管连接的带滴头的小口径塑料管或直接由厂家生产的滴头和毛管合二为一的滴灌管和滴灌带。通过毛管设计对田块进行均匀地灌水；支管把水输送到毛管，它也需要适当设计，以使水能均匀地流入毛管；于管作为输水系统输送全部水并调节滴灌系统的水压。 理想的滴灌系统应当是所有的滴头在灌溉时出流量相等。以使每棵作物能在灌溉时吸收等量的水分。实际上完全达到上述要求是不可能的。因为滴头的出流量受到水压的变化和制造变差的影响。水压的变化可以通过水力设计来控制，制造变差则由生产厂家的工艺水平所决定。滴灌系统水力学原理则是进行滴灌系统水力设计的基础。 第１节 水力学基本方程 滴灌系统管网设计的理论基础是水力学，而水力学的许多分析计算均以自然界物质运动的普遍规律为依据，其中最主要的是牛顿运动定律以及质量、能量和动量守恒定律。质量既不能产生也不会消失；能量只能从一种形式转化为另一种形式；动量也只能随作用力和时间而变化。水力学中，质量守恒关系用液流的连续性方程表示；能量守恒方程具体表现为伯努利方程（D ．Bernoulli ），在水力学上简称能量方程；确定水流动量变化和作用力之间的关系时，动量守恒原理特别有用。连续性方程、能量方程和动量方程是解决管流问题的最基本方程。 4.1.1水的主要物理性质 ⑴密度 单位体积液体的质量通常用ρ表示。密度的法定计量单位为kg/m 3，一般情况下，水有不可压缩性，清水的密度受温度和压强变化的影响很小，实际上可视为常数，水的密度ρ=102（kg ·s 2/m 4）。 W m = ρ （4-1） 式中：ρ——液体密度； m ——液体质量；
地下滴灌技术的优点 1.节水省肥，并能充分利用水肥。由于直接向根系提供水，供水时不会形成地表水，可以有效减少地表水分蒸发，供水稳定，土壤升温快，通气性好，水、肥、热、气协调，利于作物对水分和肥料的吸收利用，并能有效解决水资源短缺的问题。 2.显著提高劳动生产率。不需要每年回收和安装设备，同时还通过相应配套农艺的机械化、自动化实施，极大地提高了劳动生产率和降低了劳动强度。 3.提高作物产量和品质。据有关农业中对地下滴灌研究可知,地下滴灌管埋设在地表下10～40cm处，通过科学及精确地施肥、灌水，使灌溉施肥更有效，与目前的传统耕作相比，节肥30～60%。作物在各个生长环节都能有效地吸收到所需的养分和水分，从而最大限度地提高了作物的产量和品质。有关地下滴灌对草坪的生长影响,国内尚未有相关深入的试验研究和报道.目前,北京林业大学草业科学专业正在做有关的试验研究. 4.有效地防治病虫害。该系统对农药的施用具有独特的作用。利用环保内吸型原液农药及杀菌剂进行滴灌，可对地下病虫害进行触杀、胃杀、熏蒸；可抑杀产于作物根部表土层及作物嫩叶上的虫卵及幼虫，可以对作物根系层土壤的特定病菌进行防病杀菌处理(如有些作物的根腐问题)，同时，耕作表土层土壤干燥，可减少杂草生长和病菌感染，便于田间机械操作和防止土壤板结。 5.有效地延长多年生作物的宿根性。由于表土土壤疏松，更有利于作物呼吸和根系发育，其根系更深，对宿根性作物延长生长期更具有作用，在草坪中可延长绿期。 6.系统操作简单易行，可实现全自动水肥轮灌模式。由于地下滴灌系统铺设长度较长，其相应的滴灌支路间距增大，控制阀门也相对减少，从而自控系统和操作更加简易便捷。 7.滴灌管及系统设备使用年限长。由于主管道和滴灌管埋在地下，没有紫外线照射危害，没有回收、铺设和运输的机械破坏，从而使得滴灌毛管使用年限长，机械损坏小，同时也方便大田机械化操作等。 8.能够产生良好的环境效应。地下滴灌技术可以安全有效地将肥料或农药直接输送到作物根系附近，植物根区以下几乎没有深层渗漏和可溶性盐类，减少了对土壤和地下水的污染，在一定程度上保护了环境。这是对高尔夫的环境问题的关注的一个很好的回击。 9.所需的运行压力较小。一般为0.1-0.5MPa。这在很大程度上节约了建造成本。 以上这些优点只是针对地下滴灌在大田作物的长期运用中而总结出来的。高尔夫球场因其具有特殊的实际情况，不可能完全吻合于大田作物。 地下滴灌在高尔夫球场的运用可行性分析 建造的可行性：虽然不同的球场有不同的地形和设计，同一球场的不同的球洞又有不同的地形和设计。可能比较平坦也可能高差相差比较大，但已有的大田滴灌系统对不同的地形
肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据
农业灌溉系统的工作原理及功能特点为什么要节水灌溉？ 我国的水资源总量为2.8亿方，排名世界各国的第六位，但我国人口占世界总人口的五分之一还多。现状人均占有水资源量仅2200 方，不足世界人均数的四分之一，排在一百位之后，而且我国水资源在时间和空间的分布还极不均匀，南方多，北方少、。海河流域人均水资源量仅占几百立方米，远低于世界贫水国家的平均水平。2030年，我国人口增至16亿峰值时，人均水资源将降到1760 方，按国际上一般承认的标准，人均1760 方为用水紧张的国家，所以，我国被列为世界上十三个贫水国之一。 在中国农业用水量约占总用水量的80%左右，由于农业灌溉效率普遍低下，水的利用率仅为45%，而水资源利用率高的国家已达70%～80%，因而，解决农业灌溉用水的问题，对于缓解水资源的紧缺是非常重要的，这个时候智能农业灌溉系统在这种背景下应运而生了。 节省灌溉水的途径有哪些？ 采用各种防渗措施和管道输水，再加上加强管理可以减少输配水损失。采用节水的灌水技术，如小畦灌、喷滴灌、水稻控制灌溉等可减少田间损失。采取节水灌溉制度和农业措施可提高水的产出量。以上措施都要硬件和软件相结合，才
能效果更佳。 农业灌溉系统不仅可以提高源利用率，缓解水资源日趋紧张的矛盾，还可以增加农作物的产量，降低农产品的成本。基于传感器技术的智能农业灌溉系统是中国发展高效农业和精细农业的必由之路。 什么是农业灌溉系统？ 农业灌溉系统是根据作物需水规律和当地供水条件，高效利用降水和灌溉水，以取得农业最佳经济效益、社会效益和生态环境效益的综合措施。也就是说，节水灌溉包括技术、管理、经济等综合措施，非一单项手段。 智能农业灌溉系统也叫智能农业物联网精细农业自控系统，是为保证农业作物需水量的前提下，实现节约用水而提出的一整套解决方案。智能农业灌溉系统简单的说就是农业灌溉不需要人的控制，系统能自动感测到什么时候需要灌溉，灌溉多长时间；智能农业灌溉系统可以自动开启灌溉，也可以自动关闭灌溉；可以实现土壤太干时增大喷灌量，太湿时减少喷灌量。 农业灌溉系统工作原理： 农业灌溉系统工作时，湿度传感器采集土壤里的干湿度信号，检测到的湿度信号通过A/D模块转换，将标准的电流模拟信号转换为湿度数字信号，输入到可编程控制器。可编程控制器内预先设定50%-60%RH为标准湿度值，实际测得的湿度信号与50%-60%RH比较，可以分为：在这个范围内，超出这个范围，小于这个范围三种情况。 可编程控制器将控制信号传给变频器，变频器根据湿度值，相应的调节电动
农业灌溉技术在不断地进步和发展，让我们的农业产量也在不断提升中，从现在的灌溉方式来看, 滴灌的使用还是比较广泛的，其能够有非常后的资源效果，促进土壤更好的吸收养分，对农作物的增产来说有很好的帮助。虽然滴灌的优势比较多，不过在实际使用的过程中要注意的事情还是很多的，要能够了解其会产生的问题，从而能够更好地保障农作物种植效益。 滴灌是迄今为止农田灌溉最节水的灌溉技术之一。但因其价格较高，一度被称作“昂贵技术”，仅用于高附加值的经济作物中。近年来，随着滴灌带的广泛应用，“昂贵技术”不再昂贵，完全可以在普通大田作物上应用。现对大棚滴灌、果树滴灌和棉花滴灌如何布置与施工的技术作一简要介绍，其他宽行作物可参照实施。 滴灌是将具有一定压力的水，过滤后经管网和出水管道（滴灌带） 或滴头以水滴的形式缓慢而均匀地滴入植物根部附近土壤的一种灌水方法。滴灌与其他灌水技术相比较，具有许多不同的特点，其系统组成和其他灌水方法也不同。 滴灌的缺点 1．水的有效利用率高在滴灌条件下，灌溉水湿润部分土壤表面，可有效减少土壤水分的无效蒸发。同时，由于滴灌
仅湿润作物根部附近土壤，其他区域土壤水分含量较低，因此，可防止杂草的生长。滴灌系统不产生地面径流，且易掌握精确的施水深度，非常省水。 2．环境湿度低滴灌灌水后，土壤根系通透条件良好，通过注入水中的肥料，可以提供足够的水分和养分，使土壤水分处于能满足作物要求的稳定和较低吸力状态，灌水区域地面蒸发量也小，这样可以有效控制保护地内的湿度，使保护地中作物的病虫害的发生频率大大降低，也降低了农药的施用量。 3．提高作物产品品质由于滴灌能够及时适量供水、供肥，它可以在提高农作物产量的同时，提高和改善农产品的品质，使保护地的农产品商品率大大提高，经济效益高。 4．滴灌对地形和土壤的适应能力较强由于滴头能够在较大的工作压力范围内工作，且滴头的出流均匀，所以滴灌适宜于地形有起伏的地块和不同种类的土壤。同时，滴灌还可减少中耕除草，也不会造成地面土壤板结。 5．省水省工，增产增收。因为灌溉时，水不在空中运动，不打湿叶面，也没有有效湿润面积以外的土壤表面蒸发，故直接损耗于蒸发的水量最少；容易控制水量，不致产生地面径流和土壤深层渗漏。故可以比喷灌节省水35%—75%。对水源少和缺水的山区实现水利化开辟了新途径。由于株间
◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste，High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop，high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT
齐纳二极管和肖特基二极管 肖特基二极管（Schottky）SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成电路早已成为TTL 电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。 反向恢复时间 现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。 这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。 齐纳二极管 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。
果树滴灌的优点 果树滴灌技术，通俗的讲就是滴水灌溉。具体说来就是利用一整套的灌溉设备，把处理好的灌溉水或肥料溶液加压后经过各级管道输送到果园，再通过滴头将水或肥料以水滴的方式湿润果树的根系，使其周围的土壤湿润，含水值一直保持在最佳状态，目的是让果树保持良好的生长状态，并达到增产。 滴灌技术比较适合山地果园的灌溉，但较其他灌溉技术投资会稍微增加，灌溉设备也需从专业的部门购置，还需要注意技术上的管道堵塞问题。但这种技术不受地理位置的限制，具备很多不可比拟的优点。 与其他类型的灌溉技术相比较，滴灌技术更加节约水源。滴灌技术可以具有节制性的按照果树的需求进行滴水滋润，不会造成水资源的无端浪费，同时可以使果树处于最优化的土壤湿度状态，利于果木生长。于此同时，使用滴灌技术，可以随水流将果树所需的肥料和营养直接送达根系，比常规方法更加节约肥料，从而也更加充分的发挥了肥料的作用。与其他灌溉类型相比较，滴灌技术对果树的灌溉更加的均匀，其他的灌溉技术则难以达到同样的效果。这样更加利于提高果树的产品质量和数量，不尽有利于增产，还利于稳产。 利用滴灌技术，其中最明显的一个优点就是可以最大限度的节约灌溉用水。因为它是通过一个封闭的管路将水直接送达果树根部，避免了渠道输送过程中水的流失，同时也避免了田径流失、深层渗透等损失。这种滴灌技术对于高原地区和水资源匮乏地区来说，充分利用有效的水资源进行灌溉具有十分重要的意义。 滴灌技术更利于果树的生长发育。据相关机构实地测验，利用滴灌技术进行灌溉的果树比地面灌溉的果树长势更好，果树新梢的长度、粗度及新长出的叶片数都会增加一到二成。此外，安装灌溉系统的果园，更加省时省力，为果树作业带来了方便与快捷。 节水灌溉可实现适时适量的“精细灌溉”，对促进农业结构调整、农民增收和提升我国农业竞争力以及改善生态环境具有重要的现实意义。现将果树节水灌溉技术总结如下。 1管道灌溉技术 管道输水灌溉技术是世界上农业节水灌溉的一项重要技术。在美国，低压管道灌溉被认为是节水最有效和投资最省的灌水技术，全美近1/2大型灌区实现了管道化灌溉。管道灌溉是指用塑料或混凝土等管道输水代替土渠输水，输配水的利用率可达95%；并能有效提高输水速度，节省土地3%～4%，节省劳力，便于管理，适应各种地形，适合田园化建没。低压管道输水技术在我国北方井灌区已经得到普及。
肖特基二极管有哪些作用 肖特基二极管介绍： 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 肖特基二极管作用
肖特基（Schottky）二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小； 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如 1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用 一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极 管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下： 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000 电流（A）均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电 压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中， 前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、
常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060
30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045
MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050
喷灌技术与滴灌的优点 与介绍 公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]
一、喷灌技术 喷灌是将灌溉水加压（用泵或利用水源的自然落差）后，经管道输送至喷头，并由喷头将水射出，均匀地散成细小水滴对作物进行灌溉的节水型灌溉技术。与普通地面灌水方法相比较，具有以下优点： 1、节约用水与地面灌溉相比省水30－50%。 2、保持水土喷灌的水滴直径和喷灌强度可根据土壤质地进行调整，不会产生冲刷，避免水、土、肥的流失。 3、节地采用喷灌可节省占总面积7%－13%的田间沟渠占地，提高土地利用率。 4、节省劳力喷灌的应用提高了灌溉机械化程度和自动化程度，大大减轻了劳动强度，节省劳动力。 5、适应性强喷灌不受地形坡度和土壤透水性的限制，最适宜地面灌水方法难以实现的山丘区地形复杂的地方进行灌溉。 6、增加产量喷灌便于严格控制土壤水分，保持土壤肥力。同时可以调节田间小气候，在炎热季节起到降低叶面温度作用，并冲掉茎叶上的尘土，有利于植物的呼吸和光合作用，达到增产效果。对大田作物喷灌可增产20%左右，经济作物可增产30%以上，蔬菜可增产1－2倍，并可同时改善产品品质。 喷灌的适用范围较广，几乎适用于灌溉所有的旱作物，如谷物、蔬菜、果树、药材等。从地形来看，既适用于平原也适用于山丘地区；从土质来看，既适用于透水性大的土壤也适用于入渗率较低的土壤。喷灌不仅可用于农作物灌溉，而且可用于园林草地、花卉灌溉，同时可兼作喷洒肥料、农药、除霜冻、防暑降温和防尘等。 喷灌系统的种类很多，根据设备组成大体分为以下几类： 1、固定式喷灌系统它由水源、水泵机组、管道系统及喷头组成。除喷头外，系统其它组成部分在整个灌溉季节甚至常年固定不动（干管及支管多埋在地下）。固定式喷灌系统使用方便，作业效率高，运行成本低，工程占地少，便于实现自动化，但投资较高。 2、半固定式喷灌系统系统组成与固定式相同，其动力、水泵和干管固定，支管、坚管和喷头可以移动。优点是设备利率率高，投资相对较低，但劳动强度大。 3、机组式喷灌系统由各种大、中、小型喷灌机组组成喷灌系统。具有机动灵活、适应性强、投资较低等优点。常见的喷灌机组有轻型手抬式（担架式）
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：
常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00
30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57
SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4
肖特基二极管的工作原理和特点 肖特基二极管（SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源 整流,高频电源整流中。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极 管。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 基本原理是：在金属和N型硅片的接触面上，用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右，大多不高于60V，以致于限制了其应用范围。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管（SBD）的主要特点： 1）正向压降低：由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和 正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）反向恢复时间快：由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN 结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损 耗也特别小，尤其适合于高频应用。 3）工作频率高：由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。 4）反向耐压低：由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝
肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度
高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS 体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳