10.1 PLD器件有哪几种分类方法？按不同的方法划分PLD器件分别有哪几种类型？
PLD器件通常有两种分类方法：按集成度分类和按编程方法分类。按集成度分类，PLD 器件可分为低密度可编程逻辑器件（LDPLD）和高密度可编程逻辑器件（HDPLD）两种。具体分类如下：
PLD LDPLD
HDPLD
PROM
PLA
PAL
GAL
CPLD
FPGA
按编程方法分类，PLD器件可分为一次性编程的可编程逻辑器件、紫外线可擦除的可编程逻辑器件、电可擦除的可编程逻辑器件和采用SRAM结构的可编程逻辑器件四种。
10.2 PLA、PAL、GAL和FPGA等主要PLD器件的基本结构是什么？
PLA的与阵列、或阵列都可编程；PAL的与阵列可编程、或阵列固定、输出结构固定；GAL的与阵列可编程、或阵列固定、输出结构可由用户编程定义；FPGA由CLB、IR、IOB 和SRAM构成。逻辑功能块（CLB）排列成阵列结构，通过可编程的内部互连资源（IR）连接这些逻辑功能块，从而实现一定的逻辑功能，分布在芯片四周的可编程I/O模块（IOB）提供内部逻辑电路与芯片外部引出脚之间的编程接口，呈阵列分布的静态存储器（SRAM）存放所有编程数据。
10.3 PAL器件的输出与反馈结构有哪几种？各有什么特点？
PAL器件的输出与反馈结构有以下几种：
（1）专用输出结构：输出端为一个或门或者或非门或者互补输出结构。
（2）可编程输入/输出结构：输出端具有输出三态缓冲器和输出反馈的特点。
（3）寄存器输出结构：输出端具有输出三态缓冲器和D触发器，且D触发器的Q端
又反馈至与阵列。
（4）异或输出结构：与寄存器输出结构类似，只是在或阵列的输出端又增加了异或门。
10.4 试分析图P10.4给出的用PAL16R4构成的时序逻辑电路的逻辑功能。要求写出电路的激励方程、状态方程、输出方程，并画出电路的状态转移图。工作时，11脚接低电平。图中画“×”的与门表示编程时没有利用，由于未编程时这些与门的所有输入端均有熔丝与列线相连，所以它们的输出恒为0。为简化作图，所有输入端交叉点上的“×”不再画，而改用与门符号里面的“×”代替。（提示：R为同步清0控制端，C为进位信号输出端）该时序逻辑电路由4个D触发器和若干门电路构成，设17、16、15、14引脚对应的D
触发器的输出分别用0123Q Q Q Q 、、、表示，电路的激励方程如下：
01203133Q Q Q Q Q Q Q R D +++= 01312022Q Q Q Q Q Q Q R D +++= 023023011Q Q Q Q Q Q Q Q R D +++=
输出方程为：
0123Q Q Q Q C =， 33Q Y =，22Q Y =，11Q Y =，00Q Y =
状态方程为：
012031333Q Q Q Q Q Q Q R D Q +++== 013120222Q Q Q Q Q Q Q R D Q +++== 023*******Q Q Q Q Q Q Q Q R D Q +++==
=0Q 1231231231230Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q R D ++++=
电路的状态转移图如下：
Q 3Q 2Q 1Q 0 / Y 3Y 2Y 1Y 0 C 1110
1100 1101
1001
0111
0110
1010
1000
0001
0000
0010
0011
0100 1111
1011 0101
/0000 1
/0001 1
/0011 1
/0010 1
/0110 1
/0111 1
/0101 1
/0100 1
/1100 1
/1101 1
/1111 1
/1110 1 /1010 1
/1011 1 /1001 1 /1000 0
电路的逻辑功能：
输出为循环码的模16加法计数器，R 为同步清0控制端，1有效，C 为进位信号输出端，为0时，表示计数器处于最大值。
10.5 GAL 和PAL 有哪些异同之处？各有哪些突出特点？
GAL 和PAL 相同之处：基本结构都是与阵列可编程，或阵列固定的PLD 。 相异之处：PAL 的输出结构固定，而GAL 的输出结构可由用户编程确定；相当一部分的PAL 器件采用熔断丝工艺，而GAL 器件采用EECMOS 工艺。
突出特点：用PAL器件设计电路时，不同的应用场合，应选用不同型号的PAL器件，且相当一部分的PAL器件为一次性编程。同一型号的GAL器件可应用于不同的设计场合，且可多次编程。
10.6 GAL16V8的OLMC有哪几种具体配置？
在SYN、AC0、AC1（n）的控制下，OLMC可配置成5种不同的工作模式：
（1）SYN=1，AC0=0，AC1（n）=1时，为专用输入模式；
（2）SYN=1，AC0=0，AC1（n）=0时，为专用组合输出模式；
（3）SYN=1，AC0=1，AC1（n）=1时，为反馈组合输出模式；
（4）SYN=0，AC0=1，AC1（n）=1时，为时序电路中的组合输出模式；
（5）SYN=0，AC0=1，AC1（n）=0时，为寄存器输出模式；
10.7 ispGAL16Z8在结构上与GAL16V8相比有哪些异同之处？
ispGAL16Z8除了包含有GAL16V8的结构外，比GAL16V8增加了4条引线：数据时钟DCLK，串行数据输入SDI，串行数据输出SDO及方式控制MODE；增加了与编程有关的附加控制逻辑和移位寄存器。
10.8 GAL16V8的电子标签有什么作用？它最多由几个字符组成？加密后电子标签还能否读出？
电子标签起到标识作用，可供用户存放各种备查的信息，如器件的编号、电路的名称、编程日期、编程次数等。电子标签最多可由8个字节的任意字符组成。它不受加密位的控制，随时都可访问读出。
10.9 GAL16V8用作时序逻辑设计时，其时钟和输出使能信号怎样加入？输出使能信号是高电平有效还是低电平有效？
GAL16V8用作时序逻辑设计时，1脚接时钟信号CLK，11脚接输出使能信号OE，OE为低电平有效。
10.10 GAL16V8每个输出最多可有多少个乘积项？如要求用GAL16V8来实现包含9个乘积项的函数F=PT1+ PT2+ PT3+ PT4+ PT5+ PT6+ PT7+ PT8+ PT9，怎么办？
GAL16V8每个输出最多可有8个乘积项。令F1= PT1+ PT2+ PT3+ PT4+ PT5+ PT6+ PT7，用2个OLMC来实现函数F（此时GAL16V8的OLMC工作在反馈组合输出模式，最多能实现7个乘积项相加），一个OLMC实现7个乘积项相加（即函数F1），从相应的芯片引脚输出并反馈到与阵列，使F1作为一个输入项，另一个OLMC实现F1和PT8、PT9相加，从相应的芯片引脚输出，从而实现函数F。
10.11 Xilinx公司LCA系列的FPGA由哪几种逻辑单元组成？这些逻辑单元分别起什么作用？
Xilinx公司LCA系列的FPGA由可编程逻辑模块（CLB）、可编程I/O模块（IOB）、可编程互连资源（IR）和静态存储器（SRAM）4种逻辑单元组成。
CLB用来实现规模不大的组合或时序逻辑电路；IOB用来连接内部逻辑电路与芯片外部引出脚；IR用来连接CLB与CLB，CLB与IOB，实现复杂的逻辑功能；SRAM存放编程数据。
10.12 XC2000系列的CLB的组合逻辑电路的输入线和输出线各有几根？能够实现什么样的逻辑函数？
XC2000系列的CLB的组合逻辑电路有4个输入线（A、B、C、D）和2个输出线（X、Y）。能够实现4变量组合逻辑函数、或两个3变量的组合逻辑函数、或含有A、B、C、D、Q五个变量的组合逻辑函数。
10.13 XC2000系列的IOB能够配置为哪几种IO形式？
XC2000系列的IOB能够配置为5种IO形式：组合输入、寄存器输入、组合输出、带三态控制的输出缓冲、双向I/O。
10.14 XC2000系列的IR有哪几种形式？分别起什么作用？
XC2000系列的IR可分为三类：金属线、开关矩阵和可编程连接点。金属线又可分为通用互连、直接互连和长线三种，金属线是连接各模块的通道，形成由多个CLB、IOB组成的电路；开关矩阵、可编程连接点都为可编程开关，用来连接各金属线段。
10.15 ispLSI器件在结构上分为几个部分？
ispLSI器件在结构上分为5个部分：通用逻辑模块（GLB）、集总布线区（GRP）、输出布线区（ORP）、输入/输出单元（IOC）和时钟分配网络。
10.16 ispLSI 1000 系列的GLB分几个部分？各有什么功能？
ispLSI 1000 系列的GLB分为4个部分：与阵列、乘积项共享阵列、4输出逻辑宏单元和控制逻辑。
与阵列：形成20个乘积项。乘积项共享阵列：允许GLB的4个输出共享来自与阵列的20个乘积项。4输出逻辑宏单元：用于实现组合输出或时序输出。控制逻辑：用于产生时钟信号、复位信号、输出使能信号。
10.17 ispLSI器件中乘积项有多种用途，请列出ispLSI 1000 系列20个乘积项的功能。
乘积项0，4，8，13可作为异或门的输入，或作为或门的输入，或直接作为触发器的输入。
乘积项12，17，18，19可不加入相应的或门，乘积项12用作乘积项时钟或复位信号，乘积项19可用作复位信号或输出使能信号。
其余乘积项作或门的输入。
思考题 1. 在电极界面附近的液层中，是否总是存在着三种传质方式为什么每一种传质方式的传质速度如何表示 答：电极界面附近的液层通常是指扩散层，可以同时存在着三种传质方式（电迁移、对流和扩散），但当溶液中含有大量局外电解质时，反应离子的迁移数很小，电迁移传质作用可以忽略不计，而且根据流体力学，电极界面附近液层的对流速度非常小，因此电极界面附近液层主要传质方式是扩散。三种传质方式的传质速度可用各自的电流密度j 来表示。 3. 旋转圆盘电极和旋转圆环-圆盘电极有什么优点它们在电化学测量中有什么重要用途 答：旋转圆盘电极和旋转圆环-圆盘电极上各点的扩散层厚度是均匀的，因此电极表面各处的电流密度分布均匀。这克服了平面电极表面受对流作用影响不均匀的缺点。它们可以测量并分析极化曲线，研究反应中间产物的组成及其电极过程动力学规律。 6. 稳态扩散和非稳态扩散有什么区别是不是出现稳态扩散之前都一定存在非稳态扩散阶段为什么 答：稳态扩散与非稳态扩散的区别，主要看反应离子的浓度分布是否为时间的函数，即稳态扩散时()i c f x =，非稳态扩散时(,)i c f x t =。稳态扩散出现之前都一定存在非稳态扩散阶段，因为反应初期扩散的速度比较慢，扩散层中各点的反应粒子是时间和距离的函数；而随着时间的推移，扩散的速度不断提高，扩散补充的反应粒子数与反应消
耗的反应离子数相等，反应粒子在扩散层中各点的浓度分布不再随时间变化而变化，达到一种动态平衡状态。 习题 6. 已知25℃时，在静止溶液中阴极反应Cu2+ + 2e →Cu受扩散步骤控制。Cu2+离子在该溶液中的扩散系数为1×10-5cm2/s，扩散层有效厚度为×10-2cm，Cu2+离子的浓度为L。试求阴极电流密度为cm2时的浓差极化值。 7. 在含有大量局外电解质的LNiSO4溶液中，用旋转圆盘电极作阴极进行电解。已知Ni2+离子的扩散系数为1×10-5cm2/s，溶液的动力黏度系数为×10-2cm2/s，试求： （1）转速为10r/s时的阴极极限扩散电流密度是多少 （2）上述极限电流密度比静止电解时增大了多少倍设静止溶液中的扩散层厚度为5×10-3cm。
第十一章化学动力学 1.反应为一级气相反应，320 oC时 。问在320 oC加热90 min的分解分数为若干？ 解：根据一级反应速率方程的积分式 答：的分解分数为11.2% 2.某一级反应的半衰期为10 min。求1h后剩余A的分数。 解：同上题， 答：还剩余A 1.56%。 3．某一级反应，反应进行10 min后，反应物反应掉30%。问反应掉50%需多少时间？ 解：根据一级反应速率方程的积分式 答：反应掉50%需时19.4 min。
4． 25 oC时，酸催化蔗糖转化反应 的动力学数据如下（蔗糖的初始浓度c0为1.0023 mol·dm-3,时刻t的浓度为c） 使用作图法证明此反应为一级反应。求算速率常数及半衰期；问蔗糖转化95%需时若干？ 解：数据标为 利用Powell-plot method判断该反应为一级反应，
拟合公式 蔗糖转化95%需时 5. N -氯代乙酰苯胺异构化为乙酰对氯苯胺 为一级反应。反应进程由加KI溶液，并用标准硫代硫酸钠溶液滴定游离碘来测定。KI只与A反应。数据如下： 计算速率常数，以表示之。。 解：反应方程如下
根据反应式，N -氯代乙酰苯胺的物质的量应为所消耗硫代硫酸钠的物质的量的二分之一， 作图 。
6．对于一级反应，使证明转化率达到87.5%所需时间为转化率达到50%所需时间的3倍。对于二级反应又应为多少？ 解：转化率定义为，对于一级反应， 对于二级反应， 7．偶氮甲烷分解反应 为一级反应。287 oC时，一密闭容器中初始压力为21.332 kPa，1000 s后总压为22.732 kPa，求。 解：设在t时刻的分压为p， 1000 s后，对密闭容器中的气相反应，可以用分压表示组成：
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
10.1 PLD器件有哪几种分类方法？按不同的方法划分PLD器件分别有哪几种类型？ PLD器件通常有两种分类方法：按集成度分类和按编程方法分类。按集成度分类，PLD 器件可分为低密度可编程逻辑器件（LDPLD）和高密度可编程逻辑器件（HDPLD）两种。具体分类如下： PLD LDPLD HDPLD PROM PLA PAL GAL CPLD FPGA 按编程方法分类，PLD器件可分为一次性编程的可编程逻辑器件、紫外线可擦除的可编程逻辑器件、电可擦除的可编程逻辑器件和采用SRAM结构的可编程逻辑器件四种。 10.2 PLA、PAL、GAL和FPGA等主要PLD器件的基本结构是什么？ PLA的与阵列、或阵列都可编程；PAL的与阵列可编程、或阵列固定、输出结构固定；GAL的与阵列可编程、或阵列固定、输出结构可由用户编程定义；FPGA由CLB、IR、IOB 和SRAM构成。逻辑功能块（CLB）排列成阵列结构，通过可编程的内部互连资源（IR）连接这些逻辑功能块，从而实现一定的逻辑功能，分布在芯片四周的可编程I/O模块（IOB）提供内部逻辑电路与芯片外部引出脚之间的编程接口，呈阵列分布的静态存储器（SRAM）存放所有编程数据。 10.3 PAL器件的输出与反馈结构有哪几种？各有什么特点？ PAL器件的输出与反馈结构有以下几种： （1）专用输出结构：输出端为一个或门或者或非门或者互补输出结构。 （2）可编程输入/输出结构：输出端具有输出三态缓冲器和输出反馈的特点。 （3）寄存器输出结构：输出端具有输出三态缓冲器和D触发器，且D触发器的Q端 又反馈至与阵列。 （4）异或输出结构：与寄存器输出结构类似，只是在或阵列的输出端又增加了异或门。 10.4 试分析图P10.4给出的用PAL16R4构成的时序逻辑电路的逻辑功能。要求写出电路的激励方程、状态方程、输出方程，并画出电路的状态转移图。工作时，11脚接低电平。图中画“×”的与门表示编程时没有利用，由于未编程时这些与门的所有输入端均有熔丝与列线相连，所以它们的输出恒为0。为简化作图，所有输入端交叉点上的“×”不再画，而改用与门符号里面的“×”代替。（提示：R为同步清0控制端，C为进位信号输出端）该时序逻辑电路由4个D触发器和若干门电路构成，设17、16、15、14引脚对应的D
第十一章市场失灵和微观经济政策 1、垄断是如何造成市场失灵的？ 解答：要点如下： 第一，在垄断情况下，厂商的边际收益小于价格.因此，当垄断厂商按利润最大化原则（边际收益等于边际成本）确定产量时，其价格将不是等于而是大于边际成本.这就出现了低效率的情况. 地二，为获得和维持垄断地位从而得到垄断利润的寻租活动是一种纯的浪费.这进一步加剧了垄断的低效率情况. 2、外部影响的存在是如何干扰市场对资源的配置的？ 解答：要点如下： 第一，如果某个人采取某项行动的私人利益小于社会利益（即存在外部不济），则当这个人采取该行动私人利益大于私人成本而小于社会成本时，他就采取这项行动，尽管从社会的角度看，该行动是不利的. 第三，上述两种情况均导致了资源配置失当.前者是生产不足，后者是生产过多. 3、如何看待“科斯定理”？它在资本主义社会适用吗？它在社会主义适用吗？ 解答：要点如下： 第一，科撕定理要求财产权明确.但是，财产权并不总是能够明确地加以规定.有的资源，例如空气，在历史上就是大家均可以使用的共同财产，很难将其财产权具体分派给谁；有的资源的财产权即使在原则上可以明确，但由于不公平问题、法律程序的成本问题也变得实际
上不可行. 第二，科斯定理要求财产权可以转让.但是，由于信息不充分以及买卖双方不能达成一致意见等等，财产权并与一定总是能够顺利地转让. 第三，即使财产权是明确、可在转让的，也不一定总能实现资源的最优配置.转让之后的结果可能是：它与原来的状态相比有所改善，但却不一定为最优. 第四，分配财产权会影响收入分配，而收入分配的变动可以造成社会不公平，引起社会动乱.在社会动乱的情况下，就谈不上解决外部影响问题了. 4、公共物品为什么不能依靠市场来提供？ 解答：要点如下： 第一，公共物品不具备消费的竞争性. 第二，由于公共物品不具备竞争的性，任何一个消费者消费一单位公共物品的机会成本是0.这意味着，没有任何消费者要为他所消费的公共物品去与其他任何人竞争.因此，时常不再是竞争的.如果消费者认识到他自己消费的机会成本为0，他就会尽量少支付给生产者以换取消费公共物品的权利.如果所有消费者均这样行事，则消费者们支付的数量就将不足以弥补公共物品的生产成本.结果便是低于最优数量的产出，甚至是0产出. 5、市场机制能够解决信息不完全和不对称问题吗？ 解答：要点如下：
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
第五章 5.1解： 3 32113 21211 21 3131133213 12123131,,,Q Y Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q Q J Q K Q J Q K Q J n n n =???????=+=+=??? ??======+++输出方程： 状态方程：驱动方程： 能自动启动的同步五进制加法计数器。 5.2解： 1 22 1122 1 12 122 1Q AQ Y Q Q A Q Q A Q Q Q A D Q D n n =???? ?==???? ?==++输出方程： 状态方程：驱动方程： 由状态转换图知：为一串行数据监测器， 连续输入四个或四个以上的1时，输出为1，否则为0 5.3解： 2 33232113 2 31211 21 32112 32133121 213 211Q Q Y Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q Q J Q Q K Q J K Q Q J n n n =???????+=+=?=???? ???====?=+++输出方程： 状态方程：，＝，，驱动方程： 5.4解： 2 1212 1121 111122111 Q Q A Q AQ Y Q Q A Q Q Q Q A Q A K J K J n n +=???? ?⊕==?? ?=⊕===++输出方程： ⊙状态方程：⊙＝驱动方程：
5.5解： 1233 0301213 10120312101320110 100 30 1230120 320 13201 00, 1Q Q Q Q Y Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q Q Q J Q Q K Q Q J Q K Q Q Q J K J n n n n ???=????? ?? ? ?+???=?+?=+?==?????? ?=??=?==??===++++输出方程： 状态方程：，＝，驱动方程： 5.6解： 5.7解： ∑
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
习题 一、名词解释 信息不对称逆向选择外部性外部经济外部不经济公共物品私人物品 市场失灵科斯定理 二、选择题 1、按照传统经济学的观点，哪项不是导致市场失灵的因素（） A、垄断； B、外部效应； C、公共物品； D、政府干预。 2、不完全竞争市场中出现低效率的资源配置是因为（） A、产品价格大于边际成本； B、产品价格小于边际成本； C、产品价格大于边际收益； D、产品价格小于边际收益。 3、下列哪项不是纠正外部效应所造成的资源配置不当的方法（） A、使用税收和津贴； B、规定财产权； C、企业合并； D、制定反托拉斯法 4、当某厂商的经济活动存在外部不经济时（） A、厂商产量大于帕累托最优产量； B、厂商产量小于帕累托最优产量； C、厂商产量等于帕累托最优产量； D、以上三种情况都有可能。 5、如果某一经济活动存在外部经济，则该活动的（D） A、私人成本小于社会成本； B、私人利益大于社会利益； C、私人利益等于社会利益； D、私人成本等于社会成本。 6、某人的吸烟行为会造成（） A、生产的外部经济； B、消费的外部经济； C、生产的外部不经济； D、消费的外部不经济。 7、当一个消费者的行动对他人产生了有利的影响，而自己却不能从中得到补偿，便产生了（） A、消费的外部经济； B、消费的外部不经济； C、生产的外部经济； D、生产的外部不经济。 8、科斯定理假设交易成本为（） A、0； B、1； C、大于1； D、介于0和1之间。 9、如果上游工厂污染了下游居民的饮水，按照科斯定理，下列说法中哪个正确？（）
A、不管产权是否明确，只要交易成本为零，问题都可妥善解决； B、只要产权明确，且交易成本为零，问题都可妥善解决； C、只要产权明确，不管交易成本有多大，问题都可妥善解决； D、不论产权是否明确，交易成本是否为零，问题都可妥善解决。 10、根据科斯定理，当市场不能有效的配置资源时，问题的最终来源通常是（） A、价格没有高到使人们不过度消费； B、价格没有低到使企业不过度生产； C、没有很好的界定产权； D、政府没有出面加以管制。 11、在消费或使用上，公共物品的特点是（） A、竞争性和排他性 B、竞争性和非排他性 C、非竞争性和排他性 D、非竞争性和非排他性 12、市场不能提供纯粹的公共物品，是因为（） A、公共物品不具有排他性； B、公共物品不具有竞争性； C、消费者都想“免费搭便车”； D、以上三种情况都是。 13、造成交易双方信息不对称的原因有（） A、卖方故意隐瞒信息； B、买方认识能力有限； C、完全掌握信息的成本太高； D、以上三种情况都有可能。 三、判断题 1、垄断造成的资源配置的低效率通常只能由政府进行管制。 2、由政府提供的产品都是公共物品。 3、根据科斯定理，外部性总是要求政府为了使外部性内部化而进行干预。 4、如果交易成本大于受影响各方对外部性达成协议的潜在利益，就没有解决外部性的私人办法。 5、公共资源被过度使用是因为公共资源对消费者是免费的。 6、私人市场难以提供公共物品是由于无法避免搭便车的问题。 7、一条拥挤的收费道路仍然是一种公共资源。 8、品牌能成为提供有用的质量信号。 四、计算题 1、某一产品的市场需求函数为Q=1000-10P，成本函数为C=40Q，求： （1）若该产品为一垄断厂商生产，利润最大化时的产量、价格和利润为多少？ （2）要达到帕累托最优，产量和价格为多少？ （3）社会纯福利在垄断性生产时损失了多少？ 2 假定有一企业，从私人角度看，每多生产1单位产品可多得12元，从社会角度看，每多生产1单位产品还可再多得4元，产品成本函数为C=Q2-40Q，试问：为达到帕累托最优，若用政府补贴办法，可使产量增加多少? 3、设一个公共牧场的成本是C＝5X2+2 000，X是牧场上养牛的头数。每头牛的价格
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
本章习题 5．1分析图题4.1a 电路的逻辑功能，列出逻辑功能表，画出R、S 输入图b 信号时的输出波形。 题5.1 逻辑功能表 解: 见题5.1 逻辑功能表和波形图。 5．2画出图题5.2各触发器在时钟脉冲作用下的输出波形。（初态为“0”） 解：波形见题5.2图。 5．3 画出图题4.3中各不同触发方式的D 触发器在输入信号作用下的输出波形 (初态为0)。 Q n S R Q n+1 Q — n+1 功能0 1 0 1 0 置位1 1 0 1 0 置位00 1 0 1 复位10 1 0 1 复位00 0 0 1 保持10 0 1 0 保持0 1 1 1 1 非法1 1 1 1 1 非法
解：波形见题5.3图。 5．4 图题5.4a由CMOS或非门和传输门组成的触发器，分析电路工作原理，说明触发器类型。如果用两个图a的电路构成图b电路，说明图b电路是什么性质的触发器。 解：图a为同步D触发器，CP为使能控制，低电平有效。当CP=“0”时，TG1通、TG2断，触发器根据D信号改变状态；当CP=“1”时，TG1断、TG2通，触发器状态保持。逻辑符号如图5.2a。图b为主从D触发器， 时钟CP的上升沿有效，逻辑符号 如图5.2b。 5．5 画出图题5.5（a）所示电 路在输入图（b）信号时的输出波 形。 解：当A=“1”时，CP的下降沿 使Q=“1”。当Q=“1”且 CP =“1”时，Q复位。波形见题5.5图。
5．6画出图题5.6（a）电路的三个输出Q2、Q1、Q0在图（b）信号输入时的波形变化图（初始状态均为“0”）。分析三个输出信号和输入信号的关系有何特点。 解：波形见题5.6图。输出信号按位序递增顺序比输入滞后一个CP周期。 5．7 画出图题5.7所示电路的三个输出Q2、Q1、Q0在时钟脉冲作用下波形变化图（初始状态均为“0”）。若三个输出组成三位二进制码，Q2为最高位，分析输出码和时钟脉冲输入个数之间的关系。 解：波形见题5.7图，输出码随时钟输入递减：“000”→“111”→“110” →“101” →“100” →“011” →“010” →“011” →“001” →“000”，每8个时钟周期循环一次。 5．8画出图题5.8电路在A、B信号作用下Q1、Q0、Y的输出波形。Q1、Q0的初始状态为“0”。 解：JK触发器连成T′触发器,A的下降沿使Q0变反；B的上升沿使Q1=Q0；而Q1=“1”时使Q0复位。波形见题5.8图。 5．9画出图题5.9（a）所示电路的输出Q1、Q2在图（b）输入信号作用下的波形。
第十一章 模/数转换器与数/模转换器 1．在图11.1.3所示的权电阻D/A 转换器中R 0 = 23R = 80K ， R f = 5K , 则R 1 = 22 R ， R 2 =21R ，R 3 =20R ，各应选择多大数？若REF V =5V ，输入的二进制数码D 3D 2D 1D 0 =1111；求输出电压v 0= ? 解：由于R 0 = 23R = 80K Ω， 所以R = R 0/23 = 10K Ω 故 R 1 = 22R = 40K Ω R 2 = 21R = 20K Ω R 3 = 20R = 10K Ω v 0 =-R 2R 3f REF V Σ3i=0D i 2i =ΩK 10×25 ×ΩK 53×15 = -4.69V 2. 在图11.1.4T 形电阻网络D/A 转换器中REF V = 5V ，R f = 30K Ω, R = 10K Ω,求对应输入4位二进制数码为0101，0110，及1101的输出电压v 0 解：T 形电阻网络D/A 转换器中v 0=-4REF 2V ·R 3R f Σ 3i=0 D i 2i (n=4)，由于R f =3R ∴V 0 =-4REF 2V Σ3i=0D i 2i 。 所以当D 3D 2D 1D 0=0101时 V 0=-?1655=-1.56V 当D 3D 2D 1D 0=0110时 V 0=-?1656=-1.88V 当D 3D 2D 1D 0=1101时 V 0=-? 16513=-4.06V 3. 在T 形电阻网络D/A 转换器中，若n=10当D 9=D 7=1，其余位均为0，在输出端测得电压v 0=3.125V ，向该D/A 转换器的基准电压？设电路中R f =3R. 解：在T 形电阻网络D/A 转换器中 v 0=-R 3R f ·n REF 2V Σ n-1i=0D i 2i 当n=10时 v 0=-R 3R f ·10REF 2V Σ9i=0D i 2i 当D=D 9D 8D 7D 6D 5D 4D 3D 2D 1D 0=10100000000时， （1010000000）2 =（640）10 REF V =10792) 22(125.3+?=-1.95V 4.已知某D/A 转换电路，最小分辨电压 LSB V =5Mv ，最大满刻度输出电压m V =10V,试求 该电路输入数字量的位数n 应是多少？ 解： m LSB V v =121 -n n 2=LSB m v v +1=2001
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
第十一章 ( 三相电路)习题解答 一、选择题 1．对称三相Y 联接负载，各相阻抗为Ω+j3)3(，若将其变换为等效Δ联接负载，则各相阻抗为 C 。 A ．Ω+j1)1(； B ． 3Ω0 45/2； C ．Ω+j9)9(； D ．Ω+j3)3(3 2．如图11—1所示电路中，S 闭合时为对称三相电路，设0 0/U U A = V （A U 为A 相电源的电压），则S 断开时，负载端 C 。 A ．00/U U N A =' V ， 0120/-='U U N B V ； B ．00/U U N A =' ， 0180/U U N B =' V ； C ．030/23U U N A =' V ， 0150/23-='U U N B V ； D ．030/23-='U U N A V ， 030/2 3-='U U N B V ： 3．如图11—2所示对称三相电路中，线电流A I 为 D 。 A ．N A Z Z U + ； B ．N A Z Z U 3+ ； C ． 3 N A Z Z U + ； D ．Z U A 4．对称三相电路总有功功率为?=cos 3l l I U P ，式中的?角是 B 。 Ａ．线电压与线电流之间的相位差角； Ｂ．相电压与相电流之间的相位差角； Ｃ．线电压与相电流之间的相位差角； Ｄ．相电压与线电流之间的相位差角
5．如图11—3所示对称星形三相电路的线电流为2A ，当S 闭合后A I 变为 A 。 Ａ．6A ； B ．4A ； C ．34A ； D ．32A 》 解：设 0/0 U U A = ， 则0120/ -=U U B ， 0120/ U U C = ， 00150/3303-=-= U /U U A A BA ，0303/ U U C CA =， 开关闭合后 C B A I I I --= Z /U /U Z U U C A CA BA 003031503 +-= += 0000015015033012031503//Z U Z / /U /U A A A +-=+-= A 6233=?==Z U A 二、填空题 1．三相三线制电路中可用 二 瓦计法测量三相负载功率。在不对称三相四线制电路中，可用 三 瓦计法测量三相负载功率。 2．在图11—4所示三相电路中电源对称，C L X X R -==，电流表A 1的读数为5A ，电流表A 2的读数为59.2A ，电流表A 3读数为66.3A 。 解： 由于电源对称且有中线，若设A 相负载的相电压为0 0/U U A = ，则B 、C 两相的相电压分别为0120-=/U U B ，0120/U U C = ，由图11—4可见A 2的读数为 ，
自我检查题 5.1 时序电路和组合电路的根本区别是什么？同步时序电路与异步时序电路有何不同？ 解答：从功能上看，时序电路任何时刻的稳态输出不仅和该时刻的输入相关，而且还决定于该时刻电路的状态，从电路结构上讲，时序电路一定含有记忆和表示电路状态的存储器。而组合电路任何时刻的稳态输出只决定于该时刻各个输入信号的取值，由常用门电路组成则是其电路结构的特点。 在同步时序电路中，各个触发器的时钟信号是相同的，都是输入CP 脉冲，异步时序电路则不同，其中有的触发器的时钟信号是输入cp 脉冲，有的则是其他触发器的输出，前者触发器的状态更新时同步的，后者触发器状态更新有先有后，是异步的。 5.2 画出图T5.2所示电路的状态和时序图，并简述其功能。 图T5.2 解: （1）写方程式 驱动方程 n Q K J 200== n Q K J 011== n n Q Q J 012=， n Q K 22= 输出方程：n Q Y 2= （2） 求状态方程 n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q J Q 02020202000010+=+=+=+ n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q J Q 01011010111111+=+=+=+ n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q J Q 01222201222212=+=+=+ （3）画状态图和时序图 状态图如下图所示：
101 /1 时序图如下图所示： CP Q 0Q 1 Q 2 5.3 试用边沿JK 触发器和门电路设计一个按自然态序进行计数的七进制同步加法计数器。 解： （1）状态图如下图： （2）求状态方程、输出方程 C Q Q Q n n n /1 01112+++的卡诺图如下图所示： 输出方程为n n Q Q C 12= 状态方程： n n n n n Q Q Q Q Q 120112+=+ n n n n n n Q Q Q Q Q Q 0120111+=+ n n n n n Q Q Q Q Q 120110+=+ 驱动方程： n n n n n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q 0122120121220112)(++=++=+ n n n n n n Q Q Q Q Q Q 1021011+=+
11-3图题11-3所示电路中，已知24cos(30)s u t V =+。，试求输出电压()u t 解：画出向量模型如右图所示。采用振幅向量，省略下标m. 12 12 12 (24)224302(262)0(12)1230j I j I j I j j I j I jI +-=∠-++-=+-=∠ 。。 整理得：2 2.68 3.4I =∠ 。，2 U 2 5.36 3.4I ==∠ 。 所以() 5.36cos( 3.4)u t t =+。 11-4 图题11-4所示，耦合系数12 K =，求输出电压U 。 解：12 K ==所以4j M j ω= 所以采用网孔电流法，网孔电流为21,I I 。 互感电压12j I j I ωω 和作为附加电压源后的向量模型如右图所示 网孔电流方程为 122121 (168)810048(148)4j j I j I j I j I j j I j I --=-++-= 整理得2 8.2299.46I =∠- 。 所以2 8.2299.46U =∠- 。
11-8电路图题11-8所示，试求对电源端的输入阻抗、电流12 I I 和。 解：列网孔方程 1212 (24)21202(22)0j I j I j I j I +-=∠-++= 。 整理得12 (22),2I j A I A =-= 所以12Z (33)22 i j j =Ω=+Ω- 11-9 已知空心变压器的参数：1122L =9H,R =200,L =4H,R =1000.5.k ΩΩ=及所接负载为800Ω电阻和1F μ电容串联，所接正弦电压源频率为400rad/s, 电压有效值为300V ，内阻为500,Ω内电感为0.25H .试求传送给负载的功率P 和空心变压器的功率传输效率。 解：(1)可以画出电路如上图所示。 M=3H = 做出向量模型后可以列出网孔方程为 1212 (500200100300)12003001200(10080016002500)0j j I j I j I j j I +++-=-+++-=