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内存条的几种大小型号识别

内存条的几种大小型号识别
内存条的几种大小型号识别

我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标,

例如DDR266 DDR333之类的。但是你知道吗,同样的内存根据他的

品牌,出厂时间以及批号不同,它具有着不同的性能和稳定性,本

文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同

品牌但批号不同的内存的性能差异。另外,本文还将重点涉及内存

的制假和售假的方法。将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的

鉴别方法。(什么是油条?这里不卖豆浆,下文中将相信向您讲授油

条的做法)

鉴于SDRAM已经走到了生命的尽头,即将完全脱出市场,RDRAM

应用不广DDRII内存还未量产。所以本文将只涉及市场主流的DDR

内存。

我们先来说一下内存的基本知识,归纳成一句话就是:什么是内存?

内存就是随机存贮器(Random Access Memory,简称为RAM)。RAM分成两大类:静态随机存储器,即Static RAM(SRAM)和动态

随机存储器,Dynamic RAM(DRAM),我们经常说的“系统内存”就

是指后者,DRAM。

SRAM是一种重要的内存,它的用途广泛,被应用在各个领域。SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时可以保持数据完整性,即

保持数据不丢失。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据,为了实现这种结构,SRAM的电路结构非常复杂,往往要采用大量的

晶体管来构造寄存器以保留数据。采用大量的晶体管就需要大量的硅,因此就增加了芯片的面积,无形中增加了制造成本。制造相同

容量的SRAM比DRAM的成本贵许多,因此,SRAM在PC平台上就只

能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的

“系统内存”使用的应该是DRAM。由于SRAM的成本昂贵,其发展

受到了严重的限制,目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用

了SRAM。

DRAM的应用比SRAM要广泛多了。DRAM的结构较SRAM要简单许多,它的内部仅仅由一个MOS管和一个电容组成,因此,无论是集成度、生产成本以及体积,DRAM都比SRAM具有优势。目前,随着PC机的

不断发展,我们对于系统内存的要求越来越大,随着WindowXP的推出,软件对于内存的依赖更加明显:在WindowsXP中,专业版至少

需要180MB内存以上,而在实际使用中,128MB才能保证系统正常

运行。因此,随着PC的发展,内存的容量将不断扩大,速度也会不

断提升。

好了,下面我们在来说一下内存的速度问题。我们选择内存的速度,决定于你选用CPU的前端总线,例如你用的是P4A那你不需要

用DDR400才能满足3.2G带宽得需要因为P4A的前端总线是400MHZ,普通得DDR266能够提供2。1GB的带宽,此种内存适用于ATHLONXP

低频以及毒龙等中低端配置.已经不在主流市场之内。DDR333能够

提供2.7GB的内存带宽适用于AMD166MHZ外频的巴顿处理器。而

DDR400内存以及DDR433 DDR450内存将能够提供3.2GB以上的内存

带宽,主要应用在INTEL高端的P4C P4E上以及ATHLON64上面。当然,上文所述的仅仅是能够满足硬件系统的最低要求,由于p4的前

端总线的提高,内存和CPU之间瓶颈问题已经十分严重,新的内窜技

术必将产生.例如我们后面简要介绍到的双通道DDR和未来的DDR内存.当然,如果您拥有一颗像毒龙1.6G,ATHLONXP1800+(b0 1.5V低

压版),P41.8A ,AthlonXP2000+ ,P42.4C 巴顿2500+这样的具有

极品超品潜力的CPU那么我推荐您购买高一个性能档次的内存,例

如Athlon2000+配合DDR333的内存,这样基本所有的巴顿2000+都

可以超到2500+使用,市场上的假2500+就是用2000+超频而来的。

在WINXP系统的实际应用中,我们提出一个不规范的公式

内存容量〉内存速度〉内存类型也就是说就算是SD256M内存也

比128M的DDR400系统速度快,在选购内存的时候,我们建议XP系

统应该配备384M以上的内存,才能保证系统的快速运行。

下面我们在来说说内存的品牌差异

熟悉电脑的朋友们都知道,我们经常用到的内存品牌有:海盗船Kingsotne Kingmax 宇詹南方高科三星 HY 杂牌中用的颗粒编号

较多的是EACH的以及KingsMAN KingRAM等等。海盗船内存主要用

于服务器,我们大家在购买电脑的时候,在资金比较宽裕的情况下,我们推荐Kingstone的VALUERAM盒装内存,以及宇詹盒装内存(建

议购买英飞凌颗粒的)这两种内存提供内存的终身质保,大家完全

可以放心使用,如果资金不是很宽裕,建议购买HY的内存,经实践

证明HY的内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是,HY的内

存假货泛滥,关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购

买HY的内存,那我建议您一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子,那就要考考您的眼力了。基本上,我们不推荐您购买杂牌内存,杂牌内存在使用寿命和质保上都不能

令人满意,最后说一下Kingmax内存我们之所以不推荐,就是因为Kingmax内存与某些主板的兼容性不是很好但其自身的品质和性能

绝对也是一流的。我们希望您在购买的时候一定要试试,看有没有

兼容性问题。

下面我们来说一下相同品牌内存的选购。让我来为大家解读一些

品牌内存的颗粒编号含义:

HY XX X XX XX XX X X X X X - XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ?

12

这个是市场上流行的现代内存的标号。对应位置上1:不用我说你

也看出来了当然是代表HY生产的颗粒喽 2:内存芯片类型:5D :DDR SDRAMS 3:工艺与工作电压V :CMOS,3.3V U : CMOS, 2.5V 4:芯片容量和刷新速率: 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref

28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构

(数据宽度)4:X4(数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16

32 :x32 6:BANK数量: 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7:I/O界面:

1 :SSTL_3

2 :SSTL_2 8:芯片内核版本:空白:第一代 A :第二代

B :第三代

C :第四代 9:能量等级:空白 :普通 L :低能耗 10:

封装形式: T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11:工作

速度: 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200

我们再来看一下Kingstone内存的标号方法.

kvr *** X ** * c* / ***

1 2 3 4 5 6 7 8

1.KVR代表kingston value RAM

2.外频速度

3.一般为X

4.64为

没有ECC;72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存,没有S

字符表示普通的台式机或是服务器内存 6.3:CAS=3;2.5:CAS=2.5;2:CAS=27.分隔符号8.内存的容量

我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例:编号为ValueRAM

KVR400X64C25/256 这条内存就是。金士顿ValueRAM外频400MHZ不

带有ECC校验的CAS=2.5的256M内存

我想通过以上的方法,更能方便大家对于内存的理解和选购。接

下来我在强调一些有关内存的常见问题:

1. 内存的单面与双面,单Bank与双Bank的区别?

单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上,而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区

别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道,通常每

个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不

同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支

持4个Bank,而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主

板只支持4个Bank,而我们却用6个Bank的话,那多余的2个

Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank,也有可能是单Bank,这一点要注意。

2. 内存的2-2-3通常是什么意思?

这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内

存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge),tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间,数值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延迟,数值越小越好;CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间,

这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规

范的内存的重要标志之一。

3.内存的双通道技术和单通道有什么不同?

什么是双通道DDR技术呢?需要说明的是,它并非我前面提到的

D D R I I,而是一种可以让2条D D R内存共同使用,数据并行传

输的技术。双通道DDR技术的优势在于,它可以让内存带宽在原来

的基础上增加一倍,这对于P 4处理器的好处可谓不言而喻。400M

H z 前端总线的P 4 A处理器和主板传输数据的带宽为 3.2G B /s,而533 M Hz 前端总线的P4B处理器更是达到了4.3G B/s,而P4C

处理器更是达到了800MHZ 前端总线从而需要6. 4 G的内存带宽。

但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66规范外,根本没有内

存可以满足处理器的需要,我们最常用的DDR333本身仅具有2.7G

B/s的带宽。DDR400也只能提供3.2G /s的带宽。也就是说,如果

我们搭建双通道DDR400的内存,理论上提供2倍DDR400的带宽。

将从而根本的解决了CPU和内存之间的瓶颈问题。

4.DDR-Ⅱ和现在的DDR内存有什么不同?

DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的,它们的工作

时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333产

品直接过渡到DDR-II。DDR-II内存将采用0.13微米工艺,

容量为18MB/36MB/72MB,最大288MB,字节架构为X8、X18、X36,读取反应时间为2.5个时钟周期 (此段由于SOHU禁词限制,发不了)最后,我将为大家讲授内存的造假售假方法。(以下文字未经内

存厂商证实,仅仅为笔者长时间的经验积累,不承担相应的法律责任,特此声明)

现在的假货内存主要集中在HY普通条子和某些大厂内存(例如这

段时间沸沸扬扬的Kingmax)上面。这里面,大厂的内存条比较容

易识别,一般来讲,大厂盒装的正品内存在他的内存颗粒或者PCB

上都会有厂商的镭射防伪标签,内存标签清晰,字体规范,Kingmax

等品牌内存还带有800免费的防伪咨询电话,现场打电话就可以辨

别内存的真伪。因为大厂的内存价格相对透明,因此你在购买内存

的时候只要不贪图便宜,就应该可以买到正品大厂内存。而现在最

难鉴别的就是HY的内存,据笔者调查,现在市场上50%以上的HY

散装内存都是假货,但是,假货也分档次。比较有“良心”的假货

就是我们通常所说的REMARK(打磨)最常见的就是将HY的内存颗

粒表面用有机溶剂清洗,再标上更高内存性能的编号,例如将

DDR266的内存打磨成DDR333的内存出售或者打磨成Kingstone,Kingmax等大厂的内存出售,谋取利益。这样的内存在容量上没有

问题,但是因为一般都是在超标准频率下使用,必然导致系统的不

稳定。这种内存一般很好辨别,只要用手搓内存颗粒表面,用指甲刮,就能轻易的将表面的字迹去除,从而辨别真假。但是,一些手

段比较高明的造假者,做出来的内存表面进行了特殊处理,让你不

能够轻易的抹除字迹。对于这种内存,就要考考您的眼力了。一般

说来,正品的内存字迹都是激光“刻”印在内存颗粒上的,会在内

存颗粒上留下痕迹,打磨内存的奸商必然覆盖这些痕迹,看上去字

体不是那么的规范,字的大小也不是很一致。字体的边角不够圆滑。辨别类似的内存,就需要一些久经杀场的老鸟了。下面我将告诉大

家一种最为狠毒的制假方法,那就是本文开头提到的“油条”了。

我先简要讲述一下此种内存的制作“工艺”。这种内存主要生长在

我国南部省份,以深圳为甚。首先,不法奸商用极其低廉的价格(1000元人民币一吨)收购国外运来的洋垃圾,或者是在中国市场

上几乎可以不计成本的收购已经烧掉或者损坏的内存条,将这些内

存放到一个大油锅里面煮,去掉焊锡,清除焊点和内存表面的字迹。然后用香蕉水(剧毒,有强烈刺激气味)进行清洗。然后,挑出相

同的芯片重新焊在PCB上,再标上内存编号进行销售,这样的内存

千条采购价格以256M为例只有120元左右。可以说相当具有“性价比”,从而成为不法奸商们手中的“极品”以牟取暴利。这种内存

可以说是性能和稳定性皆无。但是,我们不得不佩服中国人的制假

方法,他们把这种内存做的和HY内存一模一样,只是内存PCB颜色

看上去有些许的不均匀。但是,这种内存基本上还是很好辨别,大

家在购买内存的时候,不要只看内存的表面字迹,应该注意一下内

存颗粒右下角的内存编号一般都是数字例如56787之类的,这种内

存由于大批量处理,一般在一条内存上你会发现有2种甚至更多种

的内存颗粒只要抓住这点,基本上可以识别出这种假货内存,另外,我们还可以闻一下内存,都会有一些余味(香蕉水的味道)

最后,笔者奉劝您在购买内存的过程中,不要贪图几十元的小便宜,而为您的系统带来不稳定甚至导致整机的故障。希望通过本文,能够对您在内存的选购方面有所帮助。希望大家都能够买到稳定性

能一流的内存

如何看懂内存条上的型号

如何看懂内存条上的型号 参数内存条都是以(厂家名)(容量)(容量系数)(类型)(速度)的形式来表示的。中间可能夹着电压(3.3/5V)特殊标识在里面。 要知道它是什麽内存,只要从“-”标记往前数,第一个数字就是内存类型标识,0是普通FP,单数是EDO,双数是SDRAM。 以??064v160j10-10??为例。? ?就是厂家;64=64Mbit容量(是bit,不是Byte);v表示3.3V的内存;16是跟容量相关的系数。表示这块小芯片的位数是16,所以64位总线的Pentium机至少要用4片这样的小芯片才能构成可用的SIMM内存条。这时候这条由4片小芯片构成的SIMM内存条容量是64bit*4/8=32MB(也就是我们所说的32M一条的内存)。如果SIMM内存条上有16片这样的小芯片,就是128M一条的内存条。另一方面,如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片,就必须两条SIMM 内存条同时使用才能满足总线宽度。16bit*2片*两条=64bit(总线宽度)。而32bit总线的486,只要有两片这样的小芯片就可以构成完整可用的SIMM 内存组了。这时候SIMM的容量是64bit*2/8=16MB。0j是厂家的内部标识,没有固定的判别方法。10是双数,所以这是一条SDRAM。 再举一个实例:我的一条内存上印着HY57V168010ATC-10。 HY是指由韩国现代生产; V是表示3.3V工作电压; 16表示容量是16Mbit; 8表示小芯片是16/8=2M*8bit; 10表示是SDRAM; -10表示速度为10ns; 57和ATC都是厂家的内部标识,通常包括内存的封装方式、内存刷新时块的大小等等。 据此,大家可以算出:如果SIMM条上只有4片这样的小芯片,就只有8bit*4=32bit宽度,486上可以单用一条,容量是16Mbit*4/8=8MB;而586上必须用两条,容量是16Mbit*8/8=16MB;如果SIMM条上有16片这样的小芯片,就是一条可以在586上单用的32M条。 (转载自https://www.doczj.com/doc/882667654.html,)

主流DDR内存芯片与编号识别

我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中,经常会提到一些内存芯片编号, 最近在一些论坛中也发现了类似的话题,因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中,我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日,由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代,厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务,所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同,请以当时的新规则为准。 这里要强调的是,所谓的主流厂商,就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商,有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意,他们并不是真正 的生产,而只是封装!像胜创(KingMax)、金士顿(Kingston)、威刚(ADATA、VDATA)、宇瞻(Apacer)、勤茂(TwinMOS)等都出过打着自 己品牌的芯片,不过它们自己并不生产内存晶圆,而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流(除了自己,其他模组厂商不可 能用),厂商也没从公布完整详细的编号规则,有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此,本文所介绍的内容不包括它们,请读者见谅。 那么,现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢?我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出,排名前十的厂商是三星(SAMSUNG,韩国)、美光(Micron,美国)、英飞凌(Infineon,德国)、Hynix(韩国)、南亚(Nanya,中国台湾)、尔必达(ELPIDA,日本)、茂矽(Mosel Vitelic,中 国台湾),力晶(Powerchip,中国台湾)、华邦(Winbond,中国台湾)、 冲电气(Oki,日本)。

内存型号说明

Samsung 具体含义解释 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1(显存颗粒)。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A 代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第8位——为一个数字,表示内存的物理Bank,即颗粒的数据位宽,有3和4两个数字,分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言,数据宽度×芯片数量=数据位宽。这个值可以是64或128,对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片:4×16=64,双面内存单bank;256M内存 16M×16格式 8颗芯片:16×8=128,单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外,要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种,芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时,多出的部分主板就会认不出了,比如把256M认成128M就是这个原因,但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准,Q:SSTL-1.8V (1.8V,1.8V)。与DDR的2.5V电压相比,DDR2的1.8V是内存功耗更低,同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本,表示所采用的颗粒所属第几代产品,M 表示1st,A-F表示2nd-7th。目前,长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒,而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老,有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型,有G,S:FBGA(Leaded)、Z,Y:FBGA(Leaded-Free)。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装,而FBGA是主流(之前称为mBGA)。其实进入DDR2时代,颗粒的封装基本采用FBGA了,因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz,DDR最高频率就只到400MHz,像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准,“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power,就是常规的1.8V电压标准;“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power,是低电压版,适合超频,

现代内存颗粒编码细则

现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签: 分类:电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同,分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B(133MHz),延迟为2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二

所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR 内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K 刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成。有三种情况,分别是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型,由一个数字组成。分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成,这部分的字母在26个字母中的位置越*后,说明该内存颗粒的版本越新,目前为止HY内存共有5个版本,表现在编号上,空白表示第一版,“A”表示第二版,依次类推,到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗,如果该部分是空白,则说明该颗粒的功耗为普通,如果该部分出现了“L”字母,则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型,由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装,“Q”代表LOFP封装,“F”代表FBGA封装,“FC”代表FBGA(UTC:8 x 13mm)封装 第11部分代表堆叠封装,由一个或两个字母组成。空白代表普通;S代表

如何看内存条型号(容量)

金士顿 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位:兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC;72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存,没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3:CAS=3; C2.5:CAS=2.5; C2:CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例: 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY(现代HYNIX) 现代是韩国著名的内存生产厂,其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则: HY 5X X XXX XX X X X X-XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义: 1、HY代表现代. 2、一般是57,代表SDRAM. 3、工艺:空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位:16:16M4K刷新;64:64M,8K刷新;65:64M,4K刷新;128:128M,8K刷新;129:128M,4K刷新. 5、数据带宽:40:4位,80:8位,16:16位,32:32位. 6、芯片组成:1:2BANK,2:4BANK;3:8BANK; 7、I/O界面:一般为0 8、产品线:从A-D系列 9、功率:空白则为普通,L为低功耗. 10、封装:一般为TC(TSOP) 11、速度:7:7NS,8:8NS,10P:10NS(CL2&3),10S:10NS,(PC100,CL3),10:

教你怎么识别内存条

关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一:拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签(一个是金士顿的老人头标签,一个是总代理的标签。中国总代共有五个:(弼信恒盈AVNET 联强骏禾)第二:当着卖内存条的商人的面去 https://www.doczj.com/doc/882667654.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号,如果邮件反馈该内存条被反复验证,切忌千万不能要。要求更换!一定要没有被反复验证的,因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次! 第三:一定要有上面五个总代的标签,不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话,那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话,总之只相信总代理的标签! 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现,被一些不法之徒看中,假货由此也就混入市场。不过,除了假货之外,因Kingston合法代理商不同,所以贴的标也就不同,所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法: 购买时对内存防伪标的鉴别,金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时,看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色,而当视线与标签形成一个夹角以后,标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法,消费者在购买时就可以立即检验产品真伪,及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别: 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外,打800电话或全球网络查询网站 https://www.doczj.com/doc/882667654.html,/china/verifynew/真假识别,你只需向该网站提交相关的内存产品信息,该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子,再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示,通过800防伪电话查询。但是,对眼我要提醒大家,并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话:800-8571992。这年头什么东西没有假的,造一个假电话防伪标签太正常

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义,以识别自己购买内存是否为正品的文章,已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出,以及对颗粒编号的调整,早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场,不论是原厂还是兼容,使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见,再加上消费者因新编号定义不明,而受骗上当的例子仍然存在,因此,我们将对现代颗粒的最新编号定义,对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM: 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期,颗粒制造厂稍有个风吹草动,都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件,更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然,它并不是利润最高的产品,但由于是主流规格的原因,仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存,采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号,我们可以了解到如下一些信息:这是一款DDR SDRAM内存,容量256MB,使用了8颗粒结构,并占用2个bank数,封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢?下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:

整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下: 1.HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) 3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新) 5.内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片) 6.内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank) 7.接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18) 8.内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代) 9.能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型) 10.封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm)) 11.封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC)) 12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素) 13.速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200) 14.工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

如何辨别内存条的型号及大小

如何辨别内存条的型号及大小 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同,分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DD R500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;M代表DDR266(133M Hz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B(133MHz),延迟为2.5-3-3;L代表DDR200(1 00MHz),延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图

采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD =3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32b it。

教你认识计算机硬件及相关参数的识别(2--内存篇)(精)

二、内存(RAM) 1、什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存)。外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息,并且不依赖于电来保存信息,但是由机械部件带动,速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件,是CPU直接与之沟通,并用其存储数据的部件,存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路,内存只用于暂时存放程序和数据,一旦关闭电源或发生断电,其中的程序和数据就会丢失。既然内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,那么它是怎么工作的呢?我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的“动态”,指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。从一有计算机开始,就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进,从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、RDRAM、DDRAM、DDRII RAM等,内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。 2、如何理解内存、硬盘、CPU之间的关系呢?我们可以这样去理解----CPU把硬盘当中的数据读取到内存当中来执行,并把执行完的结果写到硬盘当中去。如果执行期间发生断电的情况那么由于CPU来不及把结果写回到硬盘之上,数据就丢失了。也就是说并不是CPU速度越快,计算机的运行速度就越快,计算机的运行速度也和内存容量的大小及内存的速度有关。 3、如何识别内存型号内存条一般都有标注大小,如果没有就要看颗粒的编号了,给个你看看: samsung内存例:samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k,代表是

内存规格参数

内存规格参数 内存这样小小的一个硬件,却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说,可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的,而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说,内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话,虽然不一定要把各种参数规格一一背熟,但起码有一个基本的认识,等真正需要用到的时候,查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前,桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种,其中DDR1内存已经基本上被淘汰,而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。 DDR2内存

第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进,从而其传输速度更快(可达800MHZ ),耗电量更低,散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压,从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。

内存型号说明

内存型号说明: Samsung 具体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量; 56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义: HY5DV641622AT-36

!!!!!!颗粒比拼 深度详解 教你如何直击本质看内存 如何识别ettutt颗粒和原厂major颗粒

!!!!!!颗粒比拼深度详解教你如何直击本质看内存如何识 别ettutt颗粒和原厂major颗粒 内存芯片比闪存芯片更加混乱,今天笔者就像大家介绍一些,市场上主流内存颗粒种类和他们的差别。 原厂颗粒与白片的区别 总的来看,内存颗粒分为原厂(major brand或者简称major,打印芯片原厂商标)/白片(大多数只打最下面一行小序号,少数不打字)/次品(downgraded,一般不会打字)。其中所谓“白片”又可以细分为ett、utt以及其他更差的等级。在正规市场上交易的一般就是major、ett、utt这几种。 那么major、ett、utt究竟是什么样的概念呢?大家都知道,内存芯片是晶圆经过切割封装后的产物。内存芯片厂商一般把这个任务放在封测厂做,在封装后立即进行测试。封测厂可能是厂商自己的,也可能是外包的。在一整个晶圆进行切割封装之前,要先进行基本的电性测试,看看晶圆的质量是否较差,或者晶圆的某些区域有潜在缺陷。 那些较差的晶圆,或者晶圆上较差的区域,在切割封装后就会成为utt/ett颗粒。但由于后续测试费用其实很贵,不做或者少做后续测试可以省很多钱,成本就低了,另外还有个好处就是其中可能有“神颗粒”就是所谓“超频极品”,这样所

谓“价廉物美”可以吸引内存条厂商来买。 晶圆 utt名字是untested就是未经测试,但实际上最基本的物理测试还是做的,而ett名为effectively tested,就是通过有效性测试的颗粒,测试工序比utt多了不少,质量也要强不少。但是它们都没有经过原厂major颗粒那样的严酷测试。原厂颗粒一般要在测试时通过物理条件来模拟颗粒在恶劣 环境下长时间工作几年老化以后的情况(但不会使颗粒真的老化),能通过这种测试的颗粒当然能够保证长时间使用的稳定性。只有这样的颗粒,才有资格打上原厂标。 所以,如果要论质量,不用说都知道major>ett>utt。当然,这里的质量和超频无关。 现货内存与期货内存的区别 来看两张dramexchange上的内存现货/期货价格图: 上边是现货 下边是期货 图中标明频率的是major芯片,标ett的是ett或者utt

如何判断内存条类型

如何判断内存条类型 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同,分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B (133MHz),延迟为2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图 采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生

产制造。第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。 第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成。有三种情况,分别是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank。 第7部分代表接口类型,由一个数字组成。分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18。 第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成,这部分的字母在26个字母中的位

教你识别显存颗粒编号

【菜鸟进阶】必读猛文---【教你识别显存颗粒编号】(包括4870的DDR5显存) 【转贴】 识至少要延伸到对显存的认识,这样你才能对一个显卡的性能做出较为准确的判断,这是我个人看过的 识类文章。所以推荐给大家。 显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注 显存却往往被新手朋友所忽视 这是一位网友买到的GDDR2版HD3850/GPU-Z截图,GDDR2显存频率低得可怜 ,严重影响HD3850性能发挥 真是一个惨痛的教训 那么如何看懂显存及颗粒的性能参数呢?本篇主要就是详解这个问题

先讲解一下有关显存性能的知识 显存速度与显存频率,ns(纳秒)与MHz的换算 大多数显存都是GDDR3显存,它的等效频率是实际频率的2倍(GDDR4和GDDR2也适用),不特别说明我们 等效频率 例如本人使用的七彩虹HD3850黄金版512M采用的是GDDR3 1.2NS显存 其理论速度换算为实际频率就是1/1.2=0.833GHz=833MHz(即GPU-Z上显示的)

est等等)看到的显存频率都是它的实际频率,换算成等效频率要乘以2,如上图的换算,我们平时讲的显另外GDDR5的等效频率是实际频率的4倍,目前采用GDDR5显存的显卡只有HD4870和HD4870X2 显存位宽=单颗显存位宽*显存数量...举两个例

上图用数字标出GTX280的16颗显存,每颗显存(容量/位宽)64M/32bit,16颗共1G/512bit

下载 (182.67 KB) 2009-5-19 15:20 X260相对于GTX280取掉其中两颗显存,每颗显存64M/32bit,所以GTX260的显存位宽是512bit-32bit 1024M-64M*2=896M 的想法,把GTX260空焊的那2颗显存加上去,组成16颗32bit,共512bit,多加两颗显存成本就换来GTX280的性能,那定显存位宽的却是GPU,因为显存位宽控制器是集成在GPU里面,NV已经将GTX260的核心屏蔽掉64bit显存控制器, 存位宽掌控在NV这个GPU制造商手里 存位宽*显存频率(MHz).显卡性能中最关键的是GPU,而接下来就是显存带宽,这是"第二 量 显存位宽就像河宽,宽度越大流量就越大,GPU交易量就越大

如何查看内存条的大小

当你拿到一条内存的时候,能看出它的容量吗?虽然我们可以把它插到机器上测试出来,但对于一个内行人来说,看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的,并且并不难做到。 通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多,但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了,国内市场上主流内存条所用的内存颗粒,主要是一些国际性的大厂所生产。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度

如何查看内存颗粒型号

内存的具体品牌和型号是什么 内存条是由一个PCB电路板上焊接上内存颗粒构成的,电路板只是连接电路的作用,真正内存的大小要看内存颗粒,一条内存条上的单颗粒容量都相同,内存条的容量等于颗粒容量*颗粒数。 通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多,但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了,国内市场上主流内存条所用的内存颗粒,主要是一些国际性的大厂所生产。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。

内存大全

内存大全 Samsung 具体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。 64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”

代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存

samsung内存识别法

芯片上的代码就是型号 内存条一般都有标注大小,如果没有就要看颗粒的编号了,给个你看看: samsung内存 例:samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表dram。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;28、27、2a代表128mbit的容量; 56、55、57、5a代表256mbit的容量;51代表512mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7b为7.5ns(cl=3);7c为7.5ns(cl=2);80为8ns;10 为10ns(66mhz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存,使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits(兆数位)×16片/8bits=256mb(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“b”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ecc内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ecc内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ecc校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

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