当前位置:文档之家› 高频开关电源与可控硅整流器的区别

高频开关电源与可控硅整流器的区别

高频开关电源与可控硅整流器的区别

6脉冲12脉冲可控硅整流器原理与区别

6脉冲、12脉冲可控硅整流器原理与区别 2007-2-8 10:36:00文/厂商稿出处:https://www.doczj.com/doc/836732983.html, 摘要:本文从理论推导、实测数据分析、谐波分析和改善对策、性能对比四个方面详细阐述6脉冲和12脉冲整流器的原理和区别。对大功率UPS的整流技术有一个深入全面的剖析。 一、理论推导 1、6脉冲整流器原理: 6脉冲指以6个可控硅(晶闸管)组成的全桥整流,由于有6个开关脉冲对6个可控硅分别控制,所以叫6脉冲整流。 当忽略三相桥式可控硅整流电路换相过程和电流脉动,假定交流侧电抗为零,直流电感为无穷大,延迟触发角a为零,则交流侧电流傅里叶级数展开为:

(1-1) 由公式(1-1)可得以下结论: 电流中含6K?1(k为正整数)次谐波,即5、7、11、13...等各次谐波,各次谐波的有效值与谐波次数成反比,且与基波有效值的比值为谐波次数的倒数。 图1.1 计算机仿真的6脉冲A相的输入电压、电流波形2、12脉冲整流器原理: 12脉冲是指在原有6脉冲整流的基础上,在输入端、增加移

相变压器后在增加一组6脉冲整流器,使直流母线电流由12个可控硅整流完成,因此又称为12脉冲整流。 下图所示I和II两个三相整流电路就是通过变压器的不同联结构成12相整流电路。 12脉冲整流器示意图(由2个6脉冲并联组成) 桥1的网侧电流傅立叶级数展开为: (1-2) 桥II网侧线电压比桥I超前30?,因网侧线电流比桥I超前30? (1-3) 故合成的网侧线电流

(1-4) 可见,两个整流桥产生的5、7、17、19、...次谐波相互抵消,注入电网的只有12k?1(k为正整数)次谐波,即11、13、23、25等各次谐波,且其有效值与与谐波次数成反比,而与基波有效值的比值为谐波次数的倒数。 图1.2 计算机仿真的12脉冲UPS A相的输入电压、电流波形二、实测数据分析。 以上计算为理想状态,忽略了很多因数,如换相过程、直流侧电流脉动、触发延迟角,交流侧电抗等。因此实测值与计算值有一定出入。

整流器的原理

整流器的原理: 在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中,电网的高压交流功率通过变压器变换为直流功率。提到未来(不久的或遥远的)的其它类型整流器:以不可控二极管前沿产品为基础的斩波器、斩波直流/直流变换器或电流源逆变型有源整流器。显然,这种最新型的整流器在技术上包含较多要开发的内容,但是它能显示出优点,例如它以非常小的谐波干扰和1的功率因数加载于电网。 二极管整流器 所有整流器类别中最简单的是二极管整流器。在最简单的型式中,二极管整流器不提供任何一种控制输出电流和电压数值的手段。为了适用于工业过程,输出值必须在一定范围内可以控制。通过应用机械的所谓有载抽头变换器可以完成这种控制。作为典型情况,有载抽头变换器在整流变压器的原边控制输入的交流电压,因此也就能够在一定范围内控制输出的直流值。通常有载抽头变换器与串联在整流器输出电路中的饱和电抗器结合使用。通过在电抗器中引入直流电流,使线路中产生一个可变的阻抗。因此,通过控制电抗器两端的电压降,输出值可以在比较窄的范围内控制。 晶闸管整流器 在设计上非常接近二极管整流器的是晶闸管整流器。因为晶闸管整流器的电参数是可控的,所以不需要有载抽头变换器和饱和电抗器。 因为晶闸管整流器不包含运动部件,所以晶闸管整流器系统的维修减少了。注意到的一个优点是晶闸管整流器的调节速度较二极管整流器快。在过程特性的阶跃期间,晶闸管整流器常常调节很快,以致能够避免过电流。其结果是晶闸管系统的过载能力能够设计得比二极管系统小。 整流器的现状: 目前,业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分注重对贮存时间的控制。因为贮存时间ts过长,电路的振荡频率将下降,整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。虽然可以调整扼流圈电感及其他元器件参数来控制整机功率,但ts的离散性,将使产品的一致性差,可靠性下降。例如,在石英灯电子变压器线路中,贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡,从而

半导体整流技术与可控硅整流装置

半导体变流技术与可控硅整流装置 一. 概述 半导体变流技术是近代工业发展到半导体时代最典型的技术之一,他不仅在发电机励磁系统方面得到广泛的应用,在冶金、化工、机械制造、交通运输等各方面都得到广泛的应用。可以说,现代生活、生产无处不存在变流技术。 半导体变流技术是现代励磁系统最基本的技术之一。在发电机励磁系统上他不仅取代了传统的直流励磁机,而且在励磁调节方面取代了传统的磁放大器、相复励变压器和整流器,甚至在灭磁方面也部分取代了磁场断路器和灭磁电阻的作用。现代发电机励磁系统中,从电源的变换到发电机励磁能量的提供,无处不存在变流技术的应用。 本课程主要就半导体变流技术的几种典型应用和具体电路进行分析,同时介绍能达公司生产的STR系列整流装置的基本性能和技术指标。另外还利用一定的篇幅根据整流装置在现场的应用介绍一些装置的故障判断和处理方法。希望通过本课程能够对本公司生产人员在变流技术方面提供一定的帮助。 二. 变流技术的种类 根据变流技术的应用和具体电路,我们将变流技术分成如下几类: 单相半波整流 单相全波整流不可控整流 单相桥式整流 单相整流 单相半波可控整流 单相桥式半控整流可控整流 单相桥式全控整流半导体变流 三相零式整流不可控整流 三相桥式整流三相整流 三相半控桥可控整流 三相全控桥

上面的分类只是按照应用最多的情况进行的分类,实际应用中远较上面的要多。比如六相整流、十二相整流等等。由于这些电路在励磁系统中应用的较少,我们在分类时就没有将他们列入。实际上,在早期的模拟式自动励磁调节器的电压测量回路中,为了保证测量电压的纹波系数,六相和十二相整流电路应用的还是很普遍的,只是现代微机励磁调节器采用交流电压采样方式以后,对测量电压的纹波要求相对降低了而不怎么采用了。 三. 单相整流电路 3.1单相半波整流电路 单相半波整流电路接线图及波形图见图一 单相半波整流是半导体变流技术中最基本的电路。他是利用半导体二极管的单向导电性,将交流电转换为直流电最基本的方法。由于二极管的单向导电性,变压器二次电压只有正方向电流才能够通过二极管而施加到负载上,而负方向由于二极管的阻断作用而不能施加到负载上,因此,负载上获得的平均电压仅为变压器二次电压的一半。由于存在二极管导通压降和变压器二次绕组的压降,故电路中: 245.0U U d = 由于在电路的输出侧装有滤波电容器,负载上的最高电压将可以达到变压器二次电压的峰值电压,即22u u d = ;同时,由于电容器的放电作用,在变压器二次电压下降时,负载 上的电压并不随二次电压下降而下降,而是由电容器的放电曲线所决定。单相半波整流电路的波形图见图一(b )。图中:兰色曲线为变压器二次电压,红色曲线为无滤波电容器时的整流输出电压,棕色曲线为有滤波电容器时负载上的电压。 当整流二极管换为可控硅,电路变化为可控单相整流电路时,负载上的平均整流电压由: 2 cos 145.0)(sin 221 2 2α ωωπ π α +== ?U t td U U d 决定。

电子镇流器的工作原理与常见故障修

电子镇流器的工作原理与常见故障修 一、概述 自GE公司的因曼博士(Inman)等在1938年发明了实际应用的荧光灯,到现在已有近70年的历史。虽然新型光源不断出现,但在一定的时间范围内,荧光灯作为主要照明光源的地位可能难以改变。在日光灯发展的过程中,廉价实用的电感镇流器和启辉器,解决了荧光灯的启动与限流问题,对荧光灯迅速发展和普及曾起到过积极推动作用。然而,时至今日,资源变得越来越紧张了,电感镇流器消耗太多的有色金属使人们一定要想办法用更廉价的电子产品来替代它,电子镇流器在上世纪八十年代应运而生,到目前已 经非常普及。 电子镇流器所用元器件少,电路简单,容易制造,并且市场需求量大,是电子爱好者开始创业时的首选产品,有条件的同学,如果打算出去后大干一场的话,也可以考虑先制造电子镇流器。据我所知在仙 桃市,就有几个人在专门制造电子镇流器。 本讲座开办的目的是让同学们关注灯具的变化,了解日光灯电子镇流器的工作原理,学会修理和制 造电子镇流器。 二、普通日光灯的缺陷 普通日光灯的缺陷除消耗有色金属太多外,其对电能的损耗也是不容忽视的。电感镇流器的绕组的欧姆损耗和铁芯的涡流损耗较大,约占灯功率损耗的15%左右。在荧光灯如此普及的今天,电感镇流器所消耗的总能量是十分巨大的。此外,电感镇流器的功率因数较低,一般为0.5左右,会造成电网的严重污染,电力部门不得不加大功率因数补偿电容,增加了电力成本。 三、电子镇流器的特点 电子镇流器的工作原理是将工频(50Hz或60Hz)电源变换成20~50KHz左右高频电源,直接点灯,无需其它限流器件。与电感镇流器相比,电子镇流器具有以下优点: 1、节能: 1)照明效率提高 普通荧光灯的工作频率为50Hz,其照明高效率因所谓的正电(或负电)降落的存在而很低,当电源频率在1000Hz以上时,这种正电(或负电)降落现象消失。而电子镇流器工作频率一般都在20一50kHz,不产生正电或负电电位跌落,这就是电子镇流器能提高照明效率的原因。 2)电子镇流器自身功率损耗低。 电子镇流器的自身消耗功率较难测量,经间接测量估算,工作点调整较好的电子镇流器,其自身消 耗一般都在灯功率的5%以下。 2、其它优点 由于应用了高频电感,电子镇流器体积小,重量轻;低电压可启动点燃灯管;无需启辉器;无频闪, 无噪声等等。 四、电子镇流器的组成与主流电路分析 1、电子镇流器的组成

PLC输出电路(继电器,晶体管,晶闸管输出)区别和注意事项

PLC输出电路(继电器,晶体管,晶闸管输出)区别和注意事项 PLC的输出电路形式一般分为:继电器输出,晶体管输出和晶闸管输出三种。弄清这三种输出形式的区别,对于PLC的硬件设计工作非常有必要。下面以三菱PLC为例,简要介绍一下这三种输出电路形式的区别和注意事项,其它公司的PLC输出电路形式也大同小异。 1、晶体管输出电路 晶体管输出电路形式相比于继电器输出响应快(一般在0.2ms以下),适用于要求快速响应的场合;由于晶体管是无机械触点,因此比继电器输出电路形式的寿命长。 晶体管输出型电路的外接电源只能是直接电源,这是其应用局限的一方面。另外,晶体管输出驱动能力要小于继电器输出,允许负载电压一般为DC5V~30V,允许负载电流为0.2A~0.5A。这两点的使用晶体管输出电路形式时要注意。 晶体管输出电路的形式主要有两种:NPN和PNP型集电极开路输出。如下图所示: 图2 NPN集电极开路输出

图3 PNP集电极开路输出 由以上两图可看出这两种晶体管输出电路形式的区别:NPN型集电极开路输出形式的公共端COM只能接外接电源的负极,而PNP型的COM端只能接外接电源的正极。 和继电器输出形式电路一样,在驱动感性负载时也要在负载两端反向并联二极管(二极管的阴极接电源的正极)防止过电压,保护PLC的输出电路。 2、继电器输出电路 这是PLC输出电路常见的一种形式,其电路形式如下图所示。该种输出电路形式外接电源既可以是直流,也可以是交流。 图1 继电器输出 PLC继电器输出电路形式允许负载一般是AC250V/50V以下,负载电流可达2A,容量可达80~100VA (电压×电流),因此,PLC的输出一般不宜直接驱动大电流负载(一般通过一个小负载来驱动大负载,如PLC的输出可以接一个电流比较小的中间继电器,再由中间继电器触点驱动大负载,如接触器线圈等)。 PLC继电器输出电路的形式继电器触点的使用寿命也有限制(一般数十万次左右,根据负载而定,如连接感性负载时的寿命要小于阻性负载)。此外,继电器输出的响应时间也比较慢(10ms)左右,因此,在要求快速响应的场合不适合使用此种类型的电路输出形式(可以根据场合使用下面介绍的两种输出形式)。

可控硅整流器的原理、结构及用途

可控硅整流器的原理、结构及用途 发布日期:2012-06-08 浏览次数:459 核心提示:可控硅整流器,是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础,以智能数字控 制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械 可控硅整流器,是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础,以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。 晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又称作可控硅整流器(Silicon Controll ed Rectifier——SCR),以前被简称为可控硅。由于其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高的,而且工作可靠,因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。 自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。 可控硅整流器的工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic 2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G 的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。 可控硅整流器的结构 ◆从外形上来看,可控硅整流器也主要有螺栓型和平板型两种封装结构。

《弧焊电源》重要知识点

1.焊接电弧的物理本质的气体放电。 2.焊接引弧分:接触引弧、非接触引弧。 3.焊接电弧静特性:一定长度的电弧在稳定状态下,电弧电压U f与电弧电流I f 之间的关系,即焊接电弧的静特性伏安特性,可表示为:U f= f ( I f ) . 4.焊接电弧动特性:在一定的弧长下,当电弧电流很快变化的时候,电弧电压与电流瞬时值之间的关系,可表示为:u f= f ( i f ) . 5.电弧焊、埋弧焊多半工作在静特性的水平段;非熔化极气体保护焊、微束等离子弧焊、等离子弧焊多半工作在水平段,当焊接电流较大时才工作在上升段;熔化极气体保护焊(MAG、CO2焊)、水下焊基本工作在上升段。 6.交流电弧的特点:①电弧周期性地熄灭和引燃;②电弧电压和电流波形发生畸变;③热惯性作用较为明显。 8.影响交流电话稳定燃烧的因素:⑴空载电压U0,U0愈高,同等大小的引弧电压下,熄弧时间t x愈短,电弧就愈稳定;⑵引燃电压U yh,U yh愈高,引燃电弧愈短,电弧愈不易稳定;⑶电路参数,增加L或减小R,使比值增大,可使电弧趋于稳定燃烧;⑷电弧电流,电弧电流愈大,可导致U yh降低,电弧的稳定性提高;⑸电源频率f,f的提高,周期和电弧熄灭的时间t x1相应缩短,热惯性 作用增强,提高了电弧稳定性;⑹电极的热物理性能和尺寸,电极有较大的热容量和热导率,或尺寸较大,熔点较低,则电极散热较快,温度较低,U yh较大,电弧稳定性下。 9.提高交流电弧稳定性的措施,①提高弧焊电源频率;②提高电源的空载电压; ③改善电弧电流的波形;④叠加高压电。 10弧焊工艺对弧焊电源要求:①保证引弧容易;②保证电弧稳定;③保证焊接参数稳定;④具有足够宽度的焊接参数调节范围。 11.弧焊电源电气性能四个考虑方面:①对弧焊电源空载电压的要求;②对弧焊电源外特性的要求;③对弧焊电源调节性能的要求;④对弧焊电源动特性的要求。 12.电源外特性:在电源参数一定的条件下,改变负载时,电源输出的电压稳定值U y与输出电流稳定值I y之间的关系。 必须大于弧焊电源外特性曲线在该工 作点上的斜率 14.对弧焊电源外特性工作区段曲线的要求:⑴焊条电弧焊应采用缓降外特性的弧焊电源,有时采用恒流带外拖特性的弧焊电源,它能体现恒流特性使焊接参数

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法 可控硅的检测 1.单向可控硅的检测 万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏

。 2.双向可控硅的检测 用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电

压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。双向可控硅(TRIAC)在控制交流电源控制领域的运用非常广泛,如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角,从而达到控制供电电流的大小[1]。然而对其工作原理和结构的描述,以我们可以查悉的资料都只是很浅显地提及,大部分都是对它的外围电路的应用和工作方式、参数的选择等等做了比较多的描述,更进一步的--哪怕是内部方框电路--内容也很难找到。 由于可控硅所有的电子部件是集成在同一硅源之上,我们根本是不可能通过采用类似机械的拆卸手段来观察其内部结构。为了深入了解和运用可控硅,依据现有可查资料所给P 型和N型半导体的分布图,采用分离元器件--三极管、电阻和电容--来设计一款电路,使该电路在PN的连接、分布和履行的功能上完全与双向可控硅类似,从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的。 1 双向可控硅工作原理与特点 从理论上来讲,双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成,理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础[2-5]。 1.1单向可控硅 单向可控硅也叫晶闸管,其组成结构图如图1-a所示,可以分割成四个硅区P、N、P、N和A、K、G三个接线极。把图一按图1-b 所示切成两半,就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管。

浅谈电子整流器工作原理

浅谈电子整流器工作原理 前言 整流器(什么是整流器)是一个简单的将交流(AC)转化为直流(DC)的整流装置,它作为工业应用不可或缺的电子器件已越来越受到人们的亲睐。面对纷繁复杂的电子整流器件,怎样才能判别它的好坏呢?对于有用到电子整流器(整流器的作用)的人来说,了解其基础知识是必不可少的。小编通过搜集各种资料简要的对电子整流器的基础知识进行了以下总结。 电子整流器的工作原理(整流器原理) 电子整流器的基本工作原理如下图所示: 正常情况下,电子整流器通电后逆变器连同电感L、灯丝1、电容、灯丝2组成串联谐振电路,在一定时间内电容两端产生高压,这一高电压引起荧光灯弧光放电使荧光灯启动,然后谐振电路失谐,日光灯进入稳定的点燃状态。当出现灯管老化或者灯管漏气等异常状态时,荧光灯不能正常启动,上面的电路一直

处于谐振状态(除非灯丝烧断或电子整流器损坏),逆变器输出的电流不断增大,通常这个电流会升高到正常电流的3到5倍。如果这时不采取有效的保护措施,会造成极大危害。首先,过大的电流会导致逆变器中作为开关的三极管或场效应管及其它外围部件因过载而烧毁,甚至引起冒烟、爆裂等事故。同时,灯脚对地线或中线会形成长时间的极高电压,对于20W、36W、40W及其它大部分国标/非标灯的电子整流器,这一电压往往会达到一千伏或更高,这不仅为国标GB15143所严格禁止,而且也会危及人身、财产安全。GB15143-94“11、14”及GB15144-94“5.13”部分对电子整流器的异常状态试验包括:灯开路、阴极损坏、去激活、整流效应等,同时规定电子整流器在经过上述试验后不得发生安全性故障并能够正常工作。 电子整流器满足的两大功能要求 荧光灯的工作性能在很大程度上与相配套工作的电子整流器性能有关,在使用中应使荧光灯的工作性能和电子整流器的工作性能相匹配(如灯阻抗和灯的工作特性),以使荧光灯能工作在最佳状态, 使用中电子整流器应满足以下功能要求: ①能够限制和稳定荧光灯的工作电流。 ②在交流市电过零时,也能正常工作。

晶闸管整流电源技术方案

1.概述 1.1基本要求和技术指标 63MW晶闸管整流电源是大功率电弧加热设备的主要组成部分,主要为专用大功率电弧加热设备提供电源。该电源由主回路、控制系统构成。 主回路由交流进线部分、晶闸管整流器、直流回路等部分构成。 控制系统由模型计算机、整流器控制器、信号检测装置、触发隔离电路、保护电路等部分构成。 整流电源的主要数据为 额定输入电压:10 kV 额定输出电流:3 kA 输出功率:63MW 分组数量: 4 单组最大功率:16MV A 单组额定输出:3000A,5500V 主要技术指标 恒流特性输出时要求 调压范围:0-空载电压连续可调 恒流偏差:1 电流调节响应时间:20ms~40ms(能人工设定) 调节时间:300mS-3000mS(能人工设定) 电流调节超调量:<20% 调节过程中动态偏差:<5% 回升时间:100mS 晶闸管整流电源其它功能要求 (1)供电特性 电源输出电压能够自动平滑调节; 电源的整体控制能满足加热设备不同工艺要求; 电流给定,起弧电压给定以及各反馈环节工作可靠,性能稳定,相同状态下电参数应准确重复;

(2)运行工况 63MW电源采取负极接地方式。可分为两套独立的电源同时或单独运行。并满足以下运行工况: (3)机组组合和运行方式 整流机组可以通过串、并联输出满负荷运行,供电参数如下指标: 也能满足电弧加热器的主要工作点

单组运行时构成12相或以上整流,全系统构成24相或更多相整流。 多机组串联运行时,应允许在试验过程中一组或多组退出运行,允许若干组机组交流侧不供电投运,该机组作为其它机组串联运行通道使用。允许在实验过程中,投入新的机组 多机组串并联运行时,电源调节方式应满足以下要求: a.加热设备启动时采取等α角控制; b.运行过程中(含启动过程),允许一组机组定α角运行(即恒压运行)其

弧焊电源重要知识点

2.焊接引弧分:接触引弧、非接触引弧。 3.焊接电弧静特性:一定长度的电弧在稳定状态下,电弧电压U f与电弧电流I f 之间的关系,即焊接电弧的静特性伏安特性,可表示为:U f = f ( I f ) . 4.焊接电弧动特性:在一定的弧长下,当电弧电流很快变化的时候,电弧电压与电流瞬时值之间的关系,可表示为:u f = f ( i f ) . 5.电弧焊、埋弧焊多半工作在静特性的水平段;非熔化极气体保护焊、微束等离子弧焊、等离子弧焊多半工作在水平段,当焊接电流较大时才工作在上升段;熔 焊)、水下焊基本工作在上升段。 化极气体保护焊(MAG、CO 2 6.交流电弧的特点:①电弧周期性地熄灭和引燃;②电弧电压和电流波形发生畸变;③热惯性作用较为明显。 8.影响交流电话稳定燃烧的因素:⑴空载电压U0,U0愈高,同等大小的引弧电压下,熄弧时间t x愈短,电弧就愈稳定;⑵引燃电压U yh,U yh愈高,引燃电弧愈短,电弧愈不易稳定;⑶电路参数,增加L或减小R,使比值增大,可使电弧趋于稳定燃烧;⑷电弧电流,电弧电流愈大,可导致U yh降低,电弧的稳定性提高; ⑸电源频率f,f的提高,周期和电弧熄灭的时间t x1相应缩短,热惯性作用增强,提高了电弧稳定性;⑹电极的热物理性能和尺寸,电极有较大的热容量和热导率,或尺寸较大,熔点较低,则电极散热较快,温度较低,U yh较大,电弧稳定性下。 9.提高交流电弧稳定性的措施,①提高弧焊电源频率;②提高电源的空载电压; ③改善电弧电流的波形;④叠加高压电。 10弧焊工艺对弧焊电源要求:①保证引弧容易;②保证电弧稳定;③保证焊接参数稳定;④具有足够宽度的焊接参数调节范围。 11.弧焊电源电气性能四个考虑方面:①对弧焊电源空载电压的要求;②对弧焊电源外特性的要求;③对弧焊电源调节性能的要求;④对弧焊电源动特性的要求。 12.电源外特性:在电源参数一定的条件下,改变负载时,电源输出的电压稳定值U y与输出电流稳定值I y之间的关系。 必须大于弧焊电源外特性曲线在该工作点上的斜率 14.对弧焊电源外特性工作区段曲线的要求:⑴焊条电弧焊应采用缓降外特性的弧焊电源,有时采用恒流带外拖特性的弧焊电源,它能体现恒流特性使焊接参数稳定的特点,又可通过外拖性增大短路电流,提高了引弧性能和电弧熔透能力; ⑵熔化极弧焊(包括埋弧焊、气体的混合气体保护焊(MAG)等),①等速送丝控制系统的熔化极弧焊,在焊丝中电流密度较大,电弧静特性为上升的条件下,应尽可能采用平的弧焊电源外特性,此时自身调节作用才足够强烈,可使焊接规范

达林顿管和晶闸管的区别

达林顿管和晶闸管的区别 达林顿管的电路结构 1、 概述 达林顿管又称复合三极管。它是将两个三极管适当的连接在一起,以组成一个等效的新的三极管。这个新的三极管就是达林顿三极管。其放大倍数是两者放大倍数的乘ch éng 积j ī 。一般应用于功率放大器、稳压电源电路中。 2、 达林顿管的电路连接 达林顿三极管通常由两个三极管组成,这两个三极管可以是同型号的,也可以是不同型号的;可以是相同功率,也可以是不同功率。无论怎样组合连接,最后所构成的达林顿三极管的放大倍数都是二者放大倍数乘积。 达林顿管电路连接一般有四种接法:即NPN+NPN 、PNP+PNP 、NPN+PNP 、PNP+NPN 。 它们连接如图所示。 图a 、b 所示同极性接法;图c 、d 所示异极性接法。在实示应用中,用得最普遍是前两种同极性接法。通常,图a 接法达林顿三极管叫“NPN 达林顿三极管”;而图b 接法的达林顿三极管称为“PNP 达林顿管”。 两个三极管复合成一个新的达林顿管后,他的三个电极仍然叫: B →基极、 C →集电极、 E →发射极。 达林顿管有一个特点就是两个三极管中,前面三极管的功率一般比后面三极管的要小,前面三极管基极为达林顿管基极,后面三极管射极为达林顿管射极。所以达林顿管在电路中使用方法与单个普通三极管一样,只是放大倍数β是两个三极管放大倍数的乘积。 一、 达林顿管的特点与用途 1、 达林顿管的性能特点 (1) 放大倍数大(可达数百、数千倍); (2) 驱动能力强; (3) 功率大; (4) 开关速度快; (5) 可做成功率放大模块; (6) 易于集成化。 2、 达林顿管的主要用途 (1) 多用于大负载驱动电路; (2) 多用于音频功率放大器电路; (3) 多用于中、大容量的开关电路; (4) 多用于自动控制电路。 二、 达林顿管典型电路 1、 电子开关电路

电力电子(晶闸管整流)

一、概述 二、课程设计方案 本次课程设计的主要内容是利用晶闸管整流来设计直流电机控制系统,主要设计内容有 1、电路功能: (1)、用晶闸管缺角整流实现直流调压,控制直流电动机的转速。(2)、电路由主电路与控制电路组成,主电路主要环节:整流电路及保护电路。控制电路主要环节:触发电路、电压电流检测单元、驱动电路、检测与故障保护电路。 (3)、主电路电力电子开关器件采用晶闸管、IGBT或MOSFET。 (4)、系统具有完善的保护 2、系统总体方案确定 3、主电路设计与分析 (1)、确定主电路方案 (2)、主电路元器件的计算及选型 (3)、主电路保护环节设计 4、控制电路设计与分析 (1)、检测电路设计 (2)、功能单元电路设计 (3)、触发电路设计 (4)、控制电路参数确定 设计要求有一下四点: 1、设计思路清晰,给出整体设计框图; 2、单元电路设计,给出具体设计思路和电路; 3、分析所有单元电路与总电路的工作原理,并给出必要的波形分析。 4、绘制总电路图 5、写出设计报告; 主要的设计条件有: 1、设计依据主要参数 (1)、输入输出电压:(AC)220(1+15%)、 (2)、最大输出电压、电流根据电机功率予以选择 (3)、要求电机能实现单向无级调速 (4)、电机型号布置任务时给定 2、可提供实验与仿真条件 三、系统电路设计 1、主电路的设计 (1)、主电路设计方案 主电路的主要功能是实现整流,将三相交流电变为直流电。主要通过整流变压

器和三相桥式全控整流来实现。 整流变压器是整流设备的电源变压器。整流设备的特点是原方输入电流,而副方通过整流原件后输出直流。变流是整流、逆流和变频三种工作方式的总称,整流是其中应用最广泛的一种。作为整流装置电源用的变压器称为整流变压器。工业用的整流直流电源大部分都是由交流电网通过整流变压器与整流设备而得到的。 整流变压器是专供整流系统的变压器。整流变压器的功能: 1.是供给整流系统适当的电压, 2.是减小因整流系统造成的波形畸变对电网的污染。 目前在各种整流电路中,应用最为广泛的是三相桥式全控整流电路,其原理图如图1所示,习惯将其中阴极连接在一起的3个晶闸管(VT1、VT3、 VT5)称为共阴极组;阳极连接在一起的3个晶闸管(VT4、VT6、VT2)称为共阳极组。此外,习惯上希望晶闸管按从1至6的顺序导通,为此将晶闸管按图示的顺序编号,即共阴极组中与a、b、c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT1、VT3、VT5,共阳极组中与a、b、c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT4、VT6、VT2。从后面的分析可知,按此编号,晶闸管的导通顺序为 VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6。以下首先分析带电阻负载时的工作情况。 整流输出的波形在一周期内脉动6次,且每次脉动的波形相同,因此在计算其平均值时,只需对一个脉波(即1/6周期)进行计算即可。此外,以线电压的过零点为时间坐标的零点,于是可得当整流输出电压连续时(即带阻感负载时,或带电阻负载α≤60o时)的平均值为 带电阻负载且α>60o时,整流电压平均值为 输出电流平均值为I d = U d/R。 当整流变压器为图1中所示采用星形联结,带阻感负载时,变压器二次侧电流波形如图7中所示,为正负半周各宽120o、前沿相差180o 的矩形波,其有效值为

晶闸管可控硅的结构与工作原理

一、晶闸管的基本结构 晶闸管(SemiconductorControlled Rectifier 简称SCR )是一种四层结构(PNPN )的大功率半导体器件,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。它有三个引出电极,即阳极(A )、阴极(K )和门极(G )。其符号表示法和器件剖面图如图1所示。 图1 符号表示法和器件剖面图 普通晶闸管是在N 型硅片中双向扩散P 型杂质(铝或硼),形成211P N P 结构,然后在2P 的大部分区域扩散N 型杂质(磷或锑)形成阴极,同时在2P 上引出门极,在1P 区域形成欧姆接触作为阳极。 图2、晶闸管载流子分布 二、晶闸管的伏安特性 晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定

的。通常用伏安特性曲线来描述它们之间的关系,如图3所示。 图3 晶闸管的伏安特性曲线 当晶闸管AK V 加正向电压时,1J 和3J 正偏,2J 反偏,外加电压几乎全部降落在2J 结上,2J 结起到阻断电流的作用。随着AK V 的增大,只要BO AK V V <,通过阳极电流A I 都很小,因而称此区域为正向阻断状态。当AK V 增大超过BO V 以后,阳极电流突然增大,特性曲线过负阻过程瞬间变到低电压、大电流状态。晶闸管流过由负载决定的通态电流T I ,器件压降为1V 左右,特性曲线CD 段对应的状态称为导通状态。通常将BO V 及其所对应的BO I 称之为正向转折电压和转折电流。晶闸管导通后能自身维持同态,从通态转换到断态,通常是不用门极信号而是由外部电路控制,即只有当电流小到称为维持电流H I 的某一临界值以下,器件才能被关断。 当晶闸管处于断态(BO AK V V <)时,如果使得门极相对于阴极为正,给门极通以电流G I ,那么晶闸管将在较低的电压下转折导通。转折电压BO V 以及转折电流BO I 都是G I 的函数,G I 越大,BO V 越小。如图3所示,晶闸管一旦导通后,即使去除门极信号,器件仍然然导通。 当晶闸管的阳极相对于阴极为负,只要RO AK V V <,A I 很小,且与G I 基本无关。但反向电压很大时(RO AK V V ≈),通过晶闸管的反向漏电流急剧增大,表现出晶闸管击穿,因此称RO V 为反向转折电压和转折电流。

可控硅及其整流电路

上次课内容 1、集成功放及应用。(了解) 2、变压器耦合功放的分析。(理解) 3、功放管的散热。(了解) 4、功率放大器一章习题课。 本次课内容(2学时)(可视学时情况选择讲授或不讲) 第七章 直流电源 §7-1 可控硅及其伏安特性 7-1-1 可控硅的结构和符号 图1 可控硅的结构 全称是硅可控整流元件,又名晶闸管。外形有平面型、螺栓型,还有小型塑封型等几种。图1(a)是常见的螺栓型外形,有三个电极:阳极a、阴极k 和控制极g。图1(b)是可控硅的符号。图1(c)是内部结构示意图。 图1(c):可控硅由、、、四层 半导体组成。从引出的是阳极a、从引出的 是阴极k、从引出的是控制极g;内部有三个结,分别用、和表示。 7-1-2 可控硅的工作原理 1P 122N P N 1P 2N 2P PN 1J 2J 3J 图2 可控硅工作特点的实验 演示电路如图2(a),阳极a 接电源正极、阴极k 接电源负极;开关S 断开,H 不亮,可控硅不导通。S 闭合,即控制极g 加正向电压,如图2(b),灯H 亮,可控硅导通。可控硅导通后,将S 断开,灯仍亮,如 图2(c),表明可 控硅仍导通,说明 可控硅一旦导通 后,控制极就失去 了控制作用。要关 断可控硅,可去掉正向电压或减小正向电流到可控硅难以维持导通,则可控硅关断。

如可控硅加反向电压,则无论是否加控制极电压,可控硅均不会导通。若控制极加反向电压,则无论可控硅阳极与阴极之间加正向还是反向电压,可控硅均不会导通。 可控硅的工作特点: 1、可控硅导通必须具备两个条件:一是可控硅阳极与阴极间必须接正向电压,二是控制极与阴极之间也要接正向电压; 2、可控硅一旦导通后,控制极即失去控制作用; 3、导通后的可控硅要关断,必须减小其阳极电流使其小于可控硅的维持电流。 H I 图3 可控硅工作原理分析 图3为可控硅的内部结构示意图: 可控硅可以看成由一只NPN 型三极管 与一只PNP 型三极管组成。如仅在阳 极a 和阴极k 之间加上正向电压,由 于三极管发射结无正偏电压而无 法导通。若a、k 间加上正向电压,并 在管的基极g 加上正向电压,使产生基极电流,此电流经管放 大以后,在集电极上产生2T 1T 1 T G I 1T 1T G I 1β的电流,又因为的集电极电流就是的基极电流,所以经过再次放大,在管的集电极电流就达到1T 2T 2T 2T G I 21ββ,而此电流又重新反馈到管作为的基极电流又一次被放大,如此反复下去,与两管之间因为有如此强烈的正反馈,使两只三极管迅速饱和导通,即可控硅阳极a 与阴极k 之间完全导通。以后由于基极上自动维持的正反馈电流,所以即使去掉基极g 上的正向电压,和仍能继续保持饱和导通状态。可控硅导通时,、饱和导通总压降约1V 左右,如果阳、阴极之间正向电压太低,使流过阳极的电流难以维持导通,、就截止,从而可控硅关断。 1T 1T 1T 1T 2T 1T 1T 1T 2T 1T 2T 1T 2T 可控硅控制极的电压、电流比较低(电压只有几伏,电流只有几十至几百毫安),但被控制的器件可以承担很大的电压和通过很大的电流(电压可达几千伏,电流可大到几百安以上)。可控硅是一种可控的单向导电开关,常用于以弱电控制强电的各类电路中。 7-1-3可控硅的主要参数 1、额定正向平均电流 在规定的环境温度和散热条件下,允许通过阳极和阴极之

桥式整流器原理电路

桥式整流器原理电路 桥式整流电路(如图5-5所示)是使用最多的一种整流电路。这种电路,只要增加两只二极管口连接成"桥"式结构,便具有全波整流电路的优点,而同时在一定程度上克服了它的缺点。 图5-5(a)为桥式整流电路图(b)为其简化画法 桥式整流电路的工作原理如下:e2为正半周时,对D1、D3和方向电压,Dl,D3导通;对D2、D4加反向电压,D2、D4截止。电路中构成e2、Dl、Rfz、D3通电回路,在Rfz,上形成上正下负的半波整洗电压,e2为负半周时,对D2、D4加正向电压,D2、D4导通;对D1、D3加反向电压,D1、D3截止。电路中构成e2、D2Rfz、D4通电回路,同样在Rfz 上形成上正下负的另外半波的整流电压。以上两种工作状态分别如图5-6(a)和(b)所示。

图5-6 桥式整流电路的工作原理示意图 如此重复下去,结果在Rfz,上便得到全波整流电压。其波形图和全波整流波形图是一样的。从图5-6中还不难看出,桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值,比全波整流电路小一半。 桥式整流电路的整流效率和直流输出与全波整流电路相同,变压器的利用率最高。现在常用的全桥整流,不用单独的四只二极管而用一只全桥,其中包括四只二极管,但是要标清符号,有交流符号的两端接变压器输出,+、-两端接入整流电路。 需要特别指出的是,二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。表5-1所列参数可供选择二极管时参考。 另外,在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用。 图5-7示出了二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时,由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻

弧焊电源答疑

题目内容: 1. 晶闸管弧焊电源的组成和特点是什么? 2. 晶闸管式弧焊整流器主电路形式、工作原理及其特点是什么? 3. 移相触发脉冲信号传输方式有哪几种? 4. 晶闸管式脉冲弧焊电源的主要特点有哪些? 主观题答案分数:(20分) 1. 答:一般晶闸管式弧焊整流器的组成包括:主电路由三相主变压器、晶闸管组和输出直流电感组成;维弧电路由二极管组和限流电阻构成;控制电路由给定电路、检测电路、比较电路和触发电路组成。主要特点:1)控制性能好可以用较小功率的触发信号,实现对大功率整流器的输出控制。2)动特性好,响应速度快内部电感小得多,系统时间常数只有十几个毫秒,电磁惯性小,其动特性可以采用电子电抗器加以控制和调节。3)调节性能好可通过不同的反馈方式实现对弧焊电源外特性形状的任意控制,焊接电流、电压可在较宽的范围内进行调节,并易于实现网压补偿。4)节能、省材。 2. 答:晶闸管式弧焊整流器主电路主要有三种:三相桥式半控电路、三相桥式全控电路以及带平衡电抗器双反星形电路。三相桥式半控电路只用三个晶闸管和三个触发单元,因而线路比较简单、可靠、经济

和较易调试,其整流变压器为普通三相降压变压器,易于制造。主要缺点是调至低压或小电流时波形脉动较明显,为满足对直流弧焊电源规定的脉动系数的要求,需配备大电感量的输出电路。三相桥式全控整流电路的输出电压每周有六个波峰,脉动较小,所需备用的输出电感量也较小,缺点是要用六只晶闸管,六套触发电路,电路复杂,增加了调试和维修的难度。带平衡电抗器双反星形可控整流电路相当于两组三相半波整流电路并联,同时有两个晶闸管并联导电,每管分担1/6的负载电流;有六个晶闸管,触发电路比三相桥式半控整流电路的要复杂;整流电压波形为每个波形六个波峰。 3. 答:1)电磁耦合采用脉冲变压器来传输脉冲信号。脉冲变压器的目的是在触发脉冲电压一定的情况下,触发电路由晶闸管门级导通电阻决定;在触发多个晶闸管时,可输出多路隔离的触发脉冲,并可改变脉冲的正负极性,实现主电路和控制电路之间的电气隔离。2)光电耦合由发光元件和光敏元件组成在一体的器件,采用光电耦合传递信号。有以下优点:驱动晶体管不承受感性负载产生的反电压,工况得到改善;以输出任意波形脉冲信号;光电耦合器件与脉冲变压器比,成本低,体积小,易于在电路板上安装焊接。3)直接传输将移相触发电路的脉冲信号经功率放大后,直接输出到主电路的晶闸管,结构简单但是控制电路和主电路之间没有隔离,已产生干扰。 4. 答:1)输出的脉冲电流波形为方波或带前沿尖峰的方波;2)脉冲电流和基本电流都是由同一电源供给,即是一体式脉冲弧焊电源;

可控硅晶闸管的基础知识

关于可控硅 一、可控硅的概念和结构? 晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。 二、可控硅的种类 可控硅有多种分类方法。 (一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。 (二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。 (三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。 (四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。 (五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。 图2 三、晶闸管的主要工作特性 为了能够直观地认识晶闸管的工作特性,大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来,通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极,阴极K接电源的负极,控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管,若采用KP1型,应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接,也就是说,给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S,小灯泡不亮,说明晶闸管没有导通;再按一下按钮开关SB,给控制极输入一个触发电压,小灯泡亮了,说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢? 图3 这个实验告诉我们,要使晶闸管导通,一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。 晶闸管的特点:是“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通,却不能使它关断。那么,用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断,可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档