半导体项目立项报告
一、项目提出的理由
近日，世界银行发布《2019年营商环境报告：为改革而培训》（以下简称《报告》）显示，中国营商环境在全球的排名已从去年的第78位跃升至今年的第46位，提升32位，首次进入世界前50名。《报告》认为，中国在过去一年里为中小企业改善营商环境实施的改革数量创纪录，共有7项位列今年营商环境改善全球排名前十，也位居东亚太平洋地区之首。随着各项改革持续深化，我国营商环境持续改善，各类市场主体数量已经超过1亿户、增加近80%。有数据显示，自十八大以来，国务院部门行政审批事项削减44%，非行政许可审批彻底终结，中央政府层面核准的企业投资项目减少90%，行政审批中介服务事项压减74%。大幅放宽外资市场准入，全国、自贸试验区外商投资准入负面清单分别压减至48条、45条。
二、项目选址
项目选址位于xxx新兴产业示范基地。地区生产总值3356.04亿元，比
上年增长8.92%。其中，第一产业增加值268.48亿元，增长8.09%；第二产业增加值2080.74亿元，增长6.65%第三产业增加值1006.81亿元，增长10.44%。
一般公共预算收入250.60亿元，同比增长9.52%，一般公共预算支出435.25亿元，同比增长7.25%。国税收入398.27亿元，同比增长9.89%；地税收入亿元25.48，同比增长8.85%。
居民消费价格上涨1.17%。其中，食品烟酒上涨0.80%，衣着上涨1.17%，居住上涨0.86%，生活用品及服务上涨0.83%，教育文化和娱乐上涨0.64%，医疗保健上涨0.91%，其他用品和服务上涨1.08%，交通和通信上涨0.67%。
全部工业完成增加值1554.50亿元。规模以上工业企业实现增加值1259.40亿元，比上年增长8.04%。
节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。
三、建设背景及必要性
1、通过本期工程项目的建设可为社会提供众多就业职位，可为当地农村剩余劳动力和大学毕业生提供就业机会，有利于缓解当地就业压力，同时，可增加当地就业人的员的收入，进而提高当地人民生活水平和质量，对社会的发展具有促进作用。项目承办单位通过自身拥有的专业技术和前
期调研、询价掌握的市场信息等准备工作，已经建立起来的基础条件与优势将使各项工作顺利开展。
2、未来中国制造业结构升级，关键在于创新驱动模式的建立。英国官方智囊国家经济与社会研究院院长乔纳森?博特斯认为，国际金融危机后，发达经济体普遍开始重视高端制造业的发展。未来，中国制造业部门尤其是东部地区在沿产业链条上移过程中将面临激烈的竞争。要想在激烈竞争中立足，实现真正的创新驱动是不二选择。长期关注中国企业创新能力建设的牛津大学技术与管理发展研究中心主任傅晓岚教授表示，中国政府一直高度关注企业创新能力的建设，长期在研发、教育等领域维持了高额投入。当前《中国制造2025》战略的提出和细节办法的快速出台，更直接体现了政府提升制造业部门创新能力的决心和信心。就中国制造业创新驱动发展的前景，傅晓岚认为，当前中国制造业企业自主创新的内外部环境较以往已经得到了明显的改善，而且明显体现在政府创新激励机制上。目前，在推动创新发展中，已经摆脱了以往政府和市场“两分法”的定位。政府在强调市场在资源分配重要作用的同时，充分发挥其在前端创新、人才培养领域的作用。在激励机制方面，创新人才的管理评估机制及创新资源的分配机制也已经搭建了更为清晰且科学的框架。未来，政府在维持基础教育和前端创新投入的同时，还可以通过完善和梳理自主创新政策框架细节、推动国际合作、加强创新学科学研究等方式，提升中国制造业企业创新发展的能力和效果。英国皇家工程院院士林建国教授着重关注“走出去”战略对企业创新发展的带动作用。林建国表示，国际知名制造业企业几乎没
有一家是“闭门造车”的，通过科研合作等方式广泛吸收各国先进技术，是世界级制造业企业发展的必由之路。现在，越来越多的中国制造业企业开始“走出去”，激烈的国际竞争压力必然会促使其加大科研创新投入；与此同时，中国制造业企业也开始重视与海外研究机构合作，更为充分和深入的科研创新合作将有助于中国制造业企业提升自身的核心竞争优势。
3、项目投资环境优良，当地为招商引资出台了一系列优惠政策，为本期工程项目建设营造了良好的投资环境；项目建设地拥有完善的交通、通讯、供水、供电设施和工业配套条件，项目建设区域市场优势明显，对本期工程项目的顺利实施和建成后取得良好经济效益十分有利。
4、当今高速增长的中国经济又一次面临世界经济风云变幻的新一轮挑战，为确保中国经济的顺利发展，离不开相关工业的支撑和发展；建设好项目，将有助于发挥项目承办单位集聚效应、资源共享、充分协作、合理竞争，同时，在一定程度上还有助于快速提高当地项目产品制造工业的技术水平和行业市场竞争能力，对于项目产品制造企业为国家实现产业振兴计划、推进产业结构调整和优化升级，都具有十分重要的现实意义。
四、项目用地规模及控制指标
项目总用地面积28647.65平方米（折合约42.95亩）。
该工程规划建筑系数79.59%，建筑容积率1.08，建设区域绿化覆盖率6.64%，固定资产投资强度182.08万元/亩。
五、土建工程指标
项目净用地面积28647.65平方米，建筑物基底占地面积22800.66平方米，总建筑面积30939.46平方米，其中：规划建设主体工程19498.84平方米，项目规划绿化面积2055.18平方米。
六、设备选型方案
本期工程项目生产工艺装备和检验设备的选用以“先进、高效、实用、节能、可靠”为原则，项目产品生产设备应具有效率高、质量好、物料损耗少、自动化程度高、劳动强度小、噪音低的特点。
项目计划购置设备共计99台（套），设备购置费2227.28万元。
节能设施先进并可进行多规格产品转换，项目运行成本较低，应变市场能力很强。
七、节能分析
1、项目年用电量1127244.56千瓦?时，折合138.54吨标准煤。
2、项目年总用水量7816.73立方米，折合0.67吨标准煤。
3、“半导体投资建设项目”，年用电量1127244.56千瓦?时，年总用水量7816.73立方米，项目年综合总耗能量（当量值）139.21吨标准煤/年。
达纲年综合节能量37.01吨标准煤/年，项目总节能率21.34%，能源利用效果良好。
办公及生活用水，选用节水水嘴等产品节约水资源；生产场所和办公及福利设施照明选用节能型灯具，避免不必要的浪费；要求做到人走灯灭，空调机、计算机、饮水机等设施必须做到无人时全部关闭。
八、环境保护
项目建成后，项目承办单位将加强环境管理监测工作，配置专业环境保护管理人员，负责公司日常生产过程中的环境监测管理工作；通过对施工、运营过程中所排污染物均实施一系列确实可行的污染防治措施，使污染物达标排放，对受纳环境影响较小，符合污染物总量控制目标，同时符合清洁生产的要求。
九、项目总投资及资金构成
项目预计总投资9343.81万元，其中：固定资产投资(固定资产投资)万元，占项目总投资的83.70%；流动资金1523.47万元，占项目总投资的16.30%。
十、资金筹措
半导体材料项目 立项报告 规划设计/投资方案/产业运营
摘要说明— 半导体材料属于电子化学品的一个重要分支，其具有最高的技术壁垒 和产业价值，因此是电子化学品行业内最重要的细分市场。半导体材料可 以按照下游应用分为面板材料、LED材料、集成电路材料。按照流程工艺，可以分为前道材料和后道材料。以集成电路为例，从晶圆开始到最终成品，需要经历上百个生产工序，前道包括硅片清洗、氧化、光刻、曝光显影、 刻蚀、掺杂、气相沉积、化学机械抛光、溅射等流程，后道包括贴膜、背磨、固定、划片、封装等流程，其中每一个环节都需要根据工艺要求选用 多种具备相关功能的半导体材料配合使用。 该半导体材料项目计划总投资6149.39万元，其中：固定资产投资4566.55万元，占项目总投资的74.26%；流动资金1582.84万元，占项目 总投资的25.74%。 达产年营业收入14422.00万元，总成本费用11115.97万元，税金及 附加127.90万元，利润总额3306.03万元，利税总额3889.93万元，税后 净利润2479.52万元，达产年纳税总额1410.41万元；达产年投资利润率53.76%，投资利税率63.26%，投资回报率40.32%，全部投资回收期3.98年，提供就业职位256个。 报告内容：总论、建设背景分析、项目市场分析、建设规划分析、选 址可行性分析、土建工程、工艺原则、项目环境影响情况说明、生产安全
保护、建设及运营风险分析、项目节能评价、实施安排方案、投资分析、项目经济收益分析、综合评价等。 规划设计/投资分析/产业运营
半导体材料项目立项报告目录 第一章总论 第二章建设背景分析 第三章建设规划分析 第四章选址可行性分析 第五章土建工程 第六章工艺原则 第七章项目环境影响情况说明第八章生产安全保护 第九章建设及运营风险分析第十章项目节能评价 第十一章实施安排方案 第十二章投资分析 第十三章项目经济收益分析 第十四章招标方案 第十五章综合评价
砷化镓材料国内外现状及发展趋势 中国电子科技集团公司第四十六研究所纪秀峰 1 引言 化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初，最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年，德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究，并指出它们具有Ge、Si等元素半导体材料所不具备的优越特性。五十多年来，化合物半导体材料的研究取得了巨大进展，在微电子和光电子领域也得到了日益广泛的应用。 砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。 2 砷化镓材料的性质及用途 砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构，导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心，即K=0处，这使其具有较高的电光转换效率，是制备光电器件的优良材料。 在300 K时，砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。 砷化镓（GaAs）材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。除在I C产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制做砷化镓太阳能电池。 表1 砷化镓材料的主要用途
半导体集成电路项目 立项报告 一、建设背景 坚持深化改革。坚持全面深化改革体制机制，以制度创新为核心，积极推进供给侧改革，着力破除阻碍我市工业转型升级体制积弊、激 发创新创业活力，激发发展新动力。 坚持创新驱动。坚持以创新促转型、以创新带升级，加大创新支 持力度，优化创新创业环境，切实提高自主创新、集成创新、引进消 化吸收再创新能力，将创新打造成工业提档升级源动力。 坚持项目带动。坚持投资拉动扩大工业经济总量，加强对产业拉 动力强、税源潜力大、环境友好型项目的筛选和扶持，加强对智能化、绿色化技术改造项目的支持，夯实工业转型升级基础。 坚持对外开放。坚持全面推进全方位、多层次、宽领域对外开放，着力构建开放型工业经济体系，积极营造优质、高效发展环境，充分 利用“两种资源、两个市场”，培育工业发展新活力。
坚持两化融合。坚持以工业化带动信息化、以信息化促进工业化，充分发挥新一代信息技术集聚要素、提质增效升功能，着力推动信息 技术与工业深度融合，积极培育“互联网＋工业”的升级发展新模式。 坚持绿色共享。坚持倡导绿色低碳生产模式，支持工业企业开展 节能环保改造，研发环保型产品，促进经济效益与生态效益的有机统一，实现发展成果人民共享。 半导体集成电路是指在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半 导体集成电路装置，集成电路作为信息产业的基础和核心，是国民经 济和社会发展的战略性产业，国家给予了高度重视和大力支持。为推 动我国集成电路产业的发展，增强信息产业创新能力和国际竞争力， 国家出台了一系列鼓励扶持政策，为集成电路产业建立了优良的政策 环境，有关政策和法规的发布和落实，为集成电路行业提供了财政、 税收、技术和人才等多方面的支持，为企业创造了良好经营环境，有 力促进了本土集成电路行业的发展。 半导体集成电路是电子产品的核心器件，其产业技术的发展情况 直接关系着信息化水平的提升，半导体产业的技术进步在一定程度上 推动了新兴产业的发展，同时新兴产业的发展极大的提升了对半导体 集成电路的需求。2010年以来，我国半导体集成电路行业的专利申请
镓 镓在地壳中的含量不算太少，约占十万分之二，比锡还多。可是，提炼镓却比提炼锡困难得多，这是因为镓在大自然中很分散，没有形成集中的镓矿。平时，在某些煤灰、铁矿、锑铅矿、铜矿中，含有少量镓。 镓在常温下，看上去象一块锡，如果你想把它放在手心里，它马上就熔化了，成为银亮的小珠。原来镓的熔点很低，只有29．8℃。镓的熔点虽然很低，可是沸点却非常高，竟高达2070℃!人们就利用镓的这个特性来制造测量高温的温度计，人们常用这种温度计来测量反应炉、原子反应堆的温度。 镓具有较好的铸造特性，由于它“热缩冷胀”，被用来制造铅字合金，使字体清晰。在原子能工业中，用镓作为热传导介质，把反应堆中的热量传导出来。 镓与许多金属，如铋、铅、锡、镉，铟、铊等，生成熔点低于60℃的易熔合金。其中如含铟25％的镓铟合金(熔点16℃)，含锡8％的镓锡合金(熔点20℃)，可以用在电路熔断器和各种保险装置上，温度一高，它们就会自动熔化断开，起到安全保险的作用。 砷化镓 （gallium arsenide）化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结
构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。 GaAs拥有一些比Si还要好的电子特性，如高的饱和电子速率及高的电子移动率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会拥有较少的噪声。也因为GaAs有较高的崩溃电压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成Gunn diode (中文翻做甘恩二极管或微波二极管，中国大陆地区叫做耿氏二极管) 以发射微波。 GaAs的的另一个优点：它是直接能隙的材料，所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料，只能发射非常微弱的光。(但是，最近的技术已经可以用Si做成LED和运用在雷射。) 砷化镓在当代微电子和光电子产业中发挥着重要的作用，其产品50%应用在军事、航天方面，30%用于通信方面，其余用于网络设备、计算机和测试仪器。由于砷化镓优良的高频特性，它被广泛用于制造无线通信和光通信器件，半绝缘砷化镓单晶已经成为制造大功率微波、毫米波通信器件和集成电路的主要材料。 在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化锢、磷化镓、砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金
2020年半导体材料行业分析报告 2020年12月
目录 一、半导体硅片规模持续扩大，国内企业加速追赶 (6) 1、半导体硅片市场规模持续扩大 (6) （1）半导体硅片处于产业链上游，发挥着重要的行业基础支撑作用 (6) （2）全球半导体硅片小幅波动，近来行业回暖后趋向稳态 (8) （3）受益下游应用需求拉动，中国半导体硅片行业市场规模持续扩大 (8) 2、境外企业垄断，国内企业加快追赶世界水平 (9) （1）半导体硅片行业壁垒高，长期被境外先进企业垄断 (9) （2）国内企业加大研发与投资，努力追赶世界先进水平 (10) 3、受益企业：立昂微 (10) 二、湿电子化学品集中度高，替代空间较大 (11) 1、湿电子化学品市场发展迅速，集中度较高 (11) 2、受益企业：晶瑞股份 (14) 三、特种气体国内空间巨大，国产替代大势所趋 (14) 1、特种气体市场增长迅速 (14) （1）半导体领域对特种气体的需求最大 (15) （2）电子气体分为电子特种气体和电子大宗气体 (16) （3）全球工业气体市场近年来呈现稳步增长的态势 (17) （4）我国人均工业用气水平较低，预计未来仍将保持两位数以上增长 (17) （5）特种气体市场规模发展迅速，预计未来仍将高速增长，空间广阔 (18) （6）电子气体是仅次于大硅片的第二大市场需求半导体材料 (19) （7）下游产业技术快速更迭，对特种气体产品技术要求持续提高 (19) 2、市场集中度较高，寡头垄断明显 (20) （1）特种气体市场具有较高的技术、客户认证、资金壁垒 (20) （2）较高的壁垒导致全球竞争格局高度集中 (21)
半导体产业园项目立项申请报告 规划设计/投资分析/产业运营
半导体产业园项目立项申请报告 半导体产业发展的驱动力：动能之一：我国半导体贸易逆差明显，国 产替代进口需求空间巨大中国集成电路产业发展落后，严重依赖进口。中 国集成电路产业存在明显的贸易逆差，发展落后于世界领先水平。2017年 中国的集成电路贸易逆差达到1,932亿美元，而集成电路进口额占中国进 口总额的比例则达到14%。根据CSIA数据统计，2006年我国半导体产业销 售额占国内半导体市场的份额仅为21.2%，2016年该数字上升至46%。2015年5月中国发布“中国制造2025”白皮书，提到中国芯片的自给率要在2020年达到20%，2025年达到70%。国产芯片份额的提升，必将给半导体 设备的国产化带来契机。动能之二：国家政策推动。当前国家政策支持力 度前所未有，随着政策、资金的逐步落实，有望实质性推动中国半导体产 业发展。中央政府半导体产业政策主要有：《十三五规划》、《大基金》、《中国制造2025》以及在税收补贴方面等的政策。 该半导体项目计划总投资10577.69万元，其中：固定资产投资 8740.39万元，占项目总投资的82.63%；流动资金1837.30万元，占项目 总投资的17.37%。 达产年营业收入12250.00万元，总成本费用9555.53万元，税金及附 加162.34万元，利润总额2694.47万元，利税总额3228.46万元，税后净
利润2020.85万元，达产年纳税总额1207.61万元；达产年投资利润率 25.47%，投资利税率30.52%，投资回报率19.10%，全部投资回收期6.73年，提供就业职位219个。 坚持节能降耗的原则。努力做到合理利用能源和节约能源，根据项目 建设地的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及“保护生态环境、节约土地资源”的原则进行布置，做到工艺流程顺畅、物料管线短捷、公用工程设施集中布置，节约资源提高资源利用率，做好节能减排；从而 实现节省项目投资和降低经营能耗之目的。 ...... 半导体处于整个电子信息产业链的顶端，是各种电子终端产品得以运 行的基础。被广泛的应用于PC，手机及平板电脑，消费电子，工业和汽车 等终端市场。按照其制造技术划分，半导体可以分为：集成电路，分立器件、光电子、传感器四大类。根据美国半导体协会统计数据，2016年全球 半导体产业中，集成电路占比超过80%，占据大部分市场份额，是重中之重。其中，在集成电路又分为逻辑电路、模拟电路、存储器和微处理器四大类。
半导体材料的应用及产业现状 摘要：超晶格概念的提出及其半导体超晶格的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想。本文将讲述半导体的特征及地位和作用，国内外产业化现状和进展情况等。 关键词：半导体材料，电阻率，多晶硅，单晶硅，砷化镓，氮化镓 1半导体材料的应用 1.1半导体材料的特征：半导体材料是指电阻率在107Ω?cm~10-3Ω?cm，界于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。 半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。晶体管对材料特性的要求：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。禁带宽度越大，晶体管正常工作的高温限也越高。 光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关。材料的非平衡载流子寿命越大，则探测器的灵敏度越高，而从光作用于探测器到产生响应所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长。因此，高的灵敏度和短的弛豫
半导体材料投资地图 光刻胶湿制程化学品 硅片靶材CMP抛光材料电子特气光掩膜113.8亿美元13.7亿美元20.1亿美元17.3亿美元16.1亿美元42.7亿美元40.4亿美元
沪硅产业硅片沪硅产业是中国大陆规模最大的半导体硅片企业之一，在中国大陆率先实现300mm半导体硅片规模化销售。主要产品为提供的产品类型涵盖300mm抛光片及外延片、200mm及以下抛光片、外延片及SOI硅片，在特殊硅基材料SOI硅片领域具有较强的竞争力。客户包括台积电、中芯国际、华虹宏力、华力微电子、长江存储、武汉新芯、华润微等。 半导体材料投资地图 CMP抛光材料鼎龙股份是国产CMP抛光垫领域的龙头企业，主要产品包括用于半导体晶圆的打磨和抛光过程的化学机械CMP抛光垫、清洗液和用于柔性面板显示产业的基材PI浆料，以及打印复印通用耗材，产品销往欧美、日韩、东南亚市场，拥有包括众多世界五百强在内的国内外知名大企业。公司2019年CMP材料客户拓展顺利，未来有望带来业绩增量。 鼎龙股份 安集科技CMP抛光材料安集科技主营产品为抛光液和光刻胶去除剂，客户包括中国大陆的中芯国际、长江存储、华虹宏力、华润微电子和中国台湾的台积电等。公司光刻胶去除剂具有国内领先技术水平；机械抛光液已在130-28nm技术节点实现规模化销售，14nm技术节点产品已进入客户认证阶段，10-7nm技术节点产品正在研发中。 靶材有研新材是国内规模最大、材料种类最齐全的高端电子信息用材料研发制造商，其核心业务为高纯金属材料/靶材业务和稀土业务，产品广泛应用于半导体、平板显示、太阳能等领域。公司技术实力雄厚，在高纯金属材料领域，已实现从高纯金属材料到靶材生产的一体化模式，靶材客户覆盖中芯国际、大连Intel、TSMC、UMC、北方华创等多家高端客户。 有研新材 江丰电子靶材主要产品为各种高纯溅射靶材，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，产品广泛应用于半导体、平板显示、太阳能等领域。目前，公司的超高纯金属溅射靶材产品在全球先端7nm FinFET(FF+)技术超大规模集成电路制造领域批量应用，成功参与电子材料领域的国际市场竞争。 公司主要从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务，产品根据基板材质的不同主要可分为石英掩膜版、
半导体外延片项目规划方案 规划设计/投资方案/产业运营
半导体外延片项目规划方案 近年来，全球硅晶圆出货量、市场规模和产能均得到明显提升，其中，6英寸及以下产品的产能和市场份额占比都趋于下降，而12英寸产品的重 要性得到明显提升，预计未来硅片尺寸增大化是必然趋势。从出货量来看，2015年以前，半导体硅晶圆的出货量一直是不温不火的状态。2016年，在 全球DRAM和3DNANDFlash出货量大幅增加的带动下，半导体硅晶圆的出货 量增长势头明显，2016年达到10738百万平方英寸，同比增长2.9%。但由 于全球硅晶圆国际几大工厂的产能有限，且产能利用率全部已经达到了100%的水平，导致出货量仍旧跟不上下游需求的步伐，进而造成硅晶圆价格出 现大幅上涨的情况。 该半导体外延片项目计划总投资20737.97万元，其中：固定资产投资15237.81万元，占项目总投资的73.48%；流动资金5500.16万元，占项目 总投资的26.52%。 达产年营业收入44791.00万元，总成本费用35766.12万元，税金及 附加377.49万元，利润总额9024.88万元，利税总额10647.18万元，税 后净利润6768.66万元，达产年纳税总额3878.52万元；达产年投资利润 率43.52%，投资利税率51.34%，投资回报率32.64%，全部投资回收期 4.56年，提供就业职位768个。
项目建设要符合国家“综合利用”的原则。项目承办单位要充分利用国家对项目产品生产提供的各种有利条件，综合利用企业技术资源，充分发挥当地社会经济发展优势、人力资源优势，区位发展优势以及配套辅助设施等有利条件，尽量降低项目建设成本，达到节省投资、缩短工期的目的。 ......
半导体封装、测试项目立项申请报告（规划方案） 第一章基本信息 一、项目承办单位基本情况 （一）公司名称 xxx投资公司 （二）公司简介 公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。 公司实行董事会领导下的总经理负责制，推行现代企业制度，建立了科学灵活的经营机制，完善了行之有效的管理制度。项目承办单位组织机构健全、管理完善，遵循社会主义市场经济运行机制，严格按照《中华人民共和国公司法》依法独立核算、自主开展生产经营活动；为了顺应国际化经济发展的趋势，项目承办单位全面建立和实施计算机信息网络系统，建立起从产品开发、设计、生产、销售、核算、库存到售后服务的物流电子网络管理系统，使项目承办单位与全国各销售区域形成信息互通，有效
提高工作效率，及时反馈市场信息，为项目承办单位的战略决策提供有利的支撑。 上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入9142.85万元，同比增长17.97%（1392.39万元）。其中，主营业业务半导体封装、测试生产及销售收入为7630.04万元，占营业总收入的83.45%。 根据初步统计测算，公司实现利润总额1925.37万元，较去年同期相比增长329.70万元，增长率20.66%；实现净利润1444.03万元，较去年同期相比增长237.99万元，增长率19.73%。 二、项目概况 （一）项目名称 半导体封装、测试项目 （二）项目选址 xxx科技谷 （三）项目用地规模 项目总用地面积19022.84平方米（折合约28.52亩）。 （四）项目用地控制指标 该工程规划建筑系数50.10%，建筑容积率1.30，建设区域绿化覆盖率7.58%，固定资产投资强度173.08万元/亩。 （五）土建工程指标
2020年半导体行业分 析报告 2019年12月
目录 一、全球半导体呈现周期性，国产替代赋予成长性 (4) 1、全球半导体呈现周期性，新需求催生创新周期 (4) 2、国产替代赋予成长性，自主可控加速成长属性 (5) 3、国内半导体行业受到创新周期与国产替代双重影响 (6) 二、多重创新周期叠加，恰逢2020年 (7) 1、5G手机：2020年是5G换机周期年 (7) 2、TWS耳机：2020年是安卓TWS放量年 (9) 3、服务器：2020年是服务器重回增长年 (10) 4、游戏主机：2020年是主机换机周期年 (11) 三、上游产业链供不应求，景气度回升 (13) 1、代工：先进制程到成熟制程，景气度相继回暖 (13) （1）台积电：2019Q2起大反转 (13) （2）联电、中芯国际：2019Q3产能利用率提升 (14) （3）世界先进、华虹：预计2019Q4景气度回升 (15) 2、存储：NAND、DRAM价格已逐渐企稳，预计20Q2涨价 (16) 3、CIS：数量+像素双轮驱动，涨价开始积极扩产 (17) 4、封测：5G等需求拉动下19H2已回暖 (19)
全球半导体呈现周期性，国产替代赋予成长性。全球半导体行业因其下游需求的不断迭代，如大型机、家电到PC、笔记本到功能机、智能手机的迭代，而具有一定的周期属性。近年不断发生的中兴、华为事件、中美贸易摩擦等又加速促进了国产替代的进程。国内半导体行业受到下游需求创新周期和国产替代的双重影响。 多重创新周期叠加，恰逢2020年。半导体行业下游应用主要包括计算端（电脑、服务器）、通讯端（手机、有线通讯）和消费电子端（可穿戴、电视）等。（1）随着5G基站的进一步建设和配套应用的不断发展，2020年将迎来第一波5G换机潮；（2）受益于2019年Q3联发科、高通、华为等相继实现TWS蓝牙连接技术问题，打破苹果AirPods监听模式专利封锁，安卓TWS或将迎来行业拐点；（3）随着全球服务器库存逐渐消化完毕，企业持续进行的数字化转型和AI应用的推进，服务器在2020年将重回增长步伐；（4）游戏主机大厂索尼将在2020年推出新一代游戏机Playstation 5，也将对半导体产业链产生一定的拉动作用。5G手机、TWS耳机、服务器和游戏主机这四大创新周期将成为2020年半导体行业下游需求的主要增长点。此外，汽车、AIOT等也将驱动半导体行业复苏。 上游产业链供不应求，景气度回升。代工方面，第一梯队厂商台积电2019年Q2收入开始大反转，资本开支显著增加。第二梯队厂商联电、中芯国际2019年Q3产能利用率开始提升。第三梯队厂商世界先进、华虹2020年一季度产能已被订空；存储方面，NAND、DRAM 价格已逐渐企稳，2020年有反弹趋势；CIS方面，后置四摄手机时代
2011-2015年中国半导体材料行业市场调 研及投资前景预测报告 半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm，介于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。电子信息产业规模最大的是美国。近几年来，中国电子信息产品以举世瞩目的速度发展，半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。 中国报告网发布的《2011-2015年中国半导体材料行业市场调研及投资前景预测报告》共十六章。首先介绍了半导体材料相关概述、中国半导体材料市场运行环境等，接着分析了中国半导体材料市场发展的现状，然后介绍了中国半导体材料重点区域市场运行形势。随后，报告对中国半导体材料重点企业经营状况分析，最后分析了中国半导体材料行业发展趋势与投资预测。您若想对半导体材料产业有个系统的了解或者想投资半导体材料行业，本报告是您不可或缺的重要工具。 本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。 第一章半导体材料行业发展概述 第一节半导体材料的概述 一、半导体材料的定义 二、半导体材料的分类 三、半导体材料的特点 四、化合物半导体材料介绍 第二节半导体材料特性和制备 一、半导体材料特性和参数 二、半导体材料制备
第三节产业链结构及发展阶段分析 一、半导体材料行业的产业链结构 二、半导体材料行业发展阶段分析 三、行业所处周期分析 第二章全球半导体材料行业发展分析 第一节世界总体市场概况 一、全球半导体材料的进展分析 二、全球半导体材料市场发展现状 三、第二代半导体材料砷化镓发展概况 四、第三代半导体材料GaN发展概况 第二节世界半导体材料行业发展分析 一、2010年世界半导体材料行业发展分析 二、2011年世界半导体材料行业发展分析 三、2011年半导体材料行业国外市场竞争分析 第三节主要国家或地区半导体材料行业发展分析 一、美国半导体材料行业分析 二、日本半导体材料行业分析 三、德国半导体材料行业分析 四、法国半导体材料行业分析 五、韩国半导体材料行业分析 六、台湾半导体材料行业分析 第三章我国半导体材料行业发展分析 第一节2010年中国半导体材料行业发展状况 一、2010年半导体材料行业发展状况分析 二、2010年中国半导体材料行业发展动态 三、2010年半导体材料行业经营业绩分析 四、2010年我国半导体材料行业发展热点 第二节2011年半导体材料行业发展机遇和挑战分析一、2011年半导体材料行业发展机遇分析
关于半导体项目 立项申请报告 一、项目建设背景 纵观国际国内发展环境，当前时期，区域仍处于大有作为的重要 战略机遇期，但也面临诸多矛盾叠加、风险隐患增多的严峻挑战。 从国际环境看。和平与发展的时代主题没有变，世界多极化、经 济全球化、文化多样化、社会信息化深入发展，世界经济在深度调整 中曲折复苏，新一轮科技革命和产业变革蓄势待发。同时，国际金融 危机深层次影响在相当长时期依然存在，全球经济贸易增长乏力，保 护主义抬头，外部环境中不稳定不确定因素增多。 从国内环境看。我国经济长期向好基本面没有改变，经济发展进 入新常态，正在向形态更高级、分工更复杂、结构更合理的阶段演化，经济发展方式正从规模速度型转向质量效率型，经济结构正从增量扩 能为主转向调整存量、做优增量并举的深度调整，经济发展动力正从 传统增长点转向新的增长点。特别是“四个全面”战略布局全面展开，创新、协调、绿色、开放、共享五大发展理念全面唱响，新型工业化、
信息化、城镇化和农业现代化协同并进，这为经济社会发展既提供了重要契机，也提出了更高要求。 当前时期，发展既面临风险挑战，也面临难得的历史机遇。总体来看，机遇大于挑战。 从机遇看。一是多重国家战略叠加效应集中释放。开发战略的深入实施，积极对接现代化建设示范区，为区域深入推进融合发展拓展了更加广阔的空间。二是重大改革发展平台活力竞相迸发。全面推进统筹发展综合改革试点，着力打造开发示范区，加快推进融合发展，为区域深入实施发展战略提供了强大动力。三是国家重要区域性综合交通枢纽功能不断完善。随着铁路等一批重大工程的建成，区域将成为国家互联互通的重要节点，为在更大范围内集聚发展要素、打造新的经济增长极提供了有力支撑。 从挑战看。发展还存在不平衡、不协调、不可持续的问题。一是经济下行压力加大，部分企业生产经营困难，创新能力不强，发展方式粗放，产业层次和附加值率不高，经济结构调整任务艰巨。二是城乡区域发展不够均衡，基本公共服务供给不足，收入差距仍然较大，贫困人口尚未消除，就业结构性矛盾仍然突出，社会保障支出压力加大，人口老龄化加剧，公民文明素质和社会文明程度有待提高。三是
半导体制造行业产业链 研究报告 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
半导体制造行业研究报告2017 1 对半导体制造设备行业的整体研究 通过对参加这次展会厂商的总体范围的了解，对半导体制造产业链的总体情况有了基本的认识，半导体制造涉及以下几个相关的细分行业。 晶圆加工设备 在半导体制造中专为晶圆加工的工序提供设备及相关服务的供应商，包括光刻设备、测量与检测设备、沉积设备、刻蚀设备、化学机械抛光(CMP)、清洗设备、热处理设备、离子注入设备等。 厂房设备 包括工厂自动化、工厂设施、电子气体和化学品输送系统、大宗气体输送系统等。晶圆加工材料 在半导体制造中提供原材料和相关服务的供应商，包括多晶硅、硅晶片、光掩膜、电子气体及化学、光阻材料和附属材料、CMP 料浆、低 K 材料等。 测试封装设备 在半导体测试和封装过程中提供设备及其他相关服务的供应商。主要涉及晶圆制程的后道工序，就是将制成的薄片“成品”加工为独立完整的集成电路。包括切割工具及材料、自动测试设备、探针卡、封装材料、引线键合、倒装片封装、烧焊测试、晶圆封装材料等。 测试封装材料 在半导体测试和封装过程中提供材料和相关服务的供应商，包括悍线、层压基板、引线框架、塑封料、贴片胶、上料板等。 子系统、零部件和间接耗材 为设备和系统制造提供子系统、零部件、间接材料及相关服务的厂商，包括质量流量控制、分流系统、石英、石墨和炭化硅等。 2 对电子气体和化学品输送系统行业的详细研究
电子气体和化学品输送系统涉及上游的电子气体产品提供商，半导体行业用阀门管件提供商，常规阀门管件提供商，气体供应设备提供商，气体输送系统设计、施工单位以及下游的后处理设备厂商。 电子气体 电子气体在半导体器件的生产过程中起着非常重要的作用，几乎每一步、每一个生产环节都离不开电子气体，并且电子气体的质量在很大程度上决定了半导体器件性能的好坏。 电子气体的纯度是一个非常重要的指标，其纯度每提高一个数量级,都会极大地推动半导体器件质的飞跃。同时，电子气体纯度也是区分气体厂商技术水平和生产能力的一个重要考量指标。 目前主要的气体产品公司多为欧美公司在中国的分公司，主要有法国液化空气公司，美国普莱克斯，德国林德公司，美国空气产品公司等。国内的品牌有苏州金宏气体，广东华特气体等。 半导体阀门管件 半导体阀门管件是气体输送系统和设备中重要的原材料，阀门管件的性能和质量水平也直接影响着气体输送系统的送气能力和运行稳定性，也会影响半导体产品的质量和性能。严重的情况下，一个阀门出现质量问题可能造成严重的生产事故。 半导体阀门管件的重要性也体现在其成本上，目前阀门管件等原材料的成本占据了气体输送系统和设备的大部分成本，但是，目前绝大部分供应要依赖进口品牌，并且是供不应求（货期较长），这造成了目前系统和设备厂商的运营成本居高不下。 此领域知名的厂商有APTECH,TESCOM,PARKER,SWAGELOK,KITZ，Valex等，但都为进口品牌，价格贵，交货期长（目前一般要2个月以上）。国产品牌目前主要的问题是半导体阀门管件产品种类少，并且产品并不成熟。通过和杰瑞，赛洛克等厂商的交流，了解到目前这些国内厂家公司规模多在一百人左右，新产品的研发能力和研发投入都十分有限，很难在短期内保质保量的供应市场上需求的半导体阀门管件。这也预示着电子气体输送系统和设备厂商在很长一段时间内还是要依赖进口品牌提供相应的材料，这种现状就要求系统和设备厂商有更好的成本和交货周期的管控能力，甚至在承接项目时做好提高其成本预算和延长交货期的准备。
砷化镓材料 1 引言 化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初，最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年，德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究，并指出它们具有Ge、Si等元素半导体材料所不具备的优越特性。五十多年来，化合物半导体材料的研究取得了巨大进展，在微电子和光电子领域也得到了日益广泛的应用。 砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。 2 砷化镓材料的性质及用途 砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构，导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心，即K=0处，这使其具有较高的电光转换效率，是制备光电器件的优良材料。 在300 K时，砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。 砷化镓（GaAs）材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。除在I C产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制做砷化镓太阳能电池。 表1 砷化镓材料的主要用途
地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。 半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。 无机化合物半导体： 四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC 和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ -Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In 和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表 为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在 应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前 途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和 Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一 些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具 有闪锌矿结构。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素C u、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的 化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。 半导体材料 ⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族
无机半导体材料GaAs的结构、制备及应用 姓名：陈建春 年级：2008级应用物理（1） 学号：20084113 天津理工大学理学院 摘要：20世纪50年代，半导体器件的生产主要采用锗单晶材料，到了60年代， 由于硅单晶材料的性能远远超过锗，因而半导体硅得到了广泛的应用，在半导体材料中硅已经占据主导地位。大规模集成电路的制造都是以硅单晶材料为主的，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体如砷化镓、磷化镓、锑化铟等也越来越受到人们的重视，特别是砷化镓具有硅、锗所不具备的能在高温度频下工作的优良特性，它还有更大的禁带宽度和电子迁移率，适合于制造微波体效应器件、高效红外发光二极管和半导体激光器，因而砷化镓是一种很有发展前途的半导体材料。随着大规模集成电路制造工艺水平的提高，半导体化学的研究领域和对象也将不断地扩展。砷化镓(GaAs)是Ⅲ-Ⅴ组化合物半导体中最重要、用途最广的半导体材料。 关键词：GaAs 结构性质制备应用 1. 引言 化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是微电子和光电子的基础材料,而GaAs则是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料,也是目前研究得最成熟、生产量大的化合物半导体材料。由于GaAs具有电子迁移率高、禁带宽度大且为直接带隙,容易制成半绝缘材料、本征载流子浓度低、光电特性好、以及具有耐热、抗辐射性能好和对磁场敏感等优良特性。用GaAs材料制作的器件频率响应好、速度快、工作温度高,能满足集成光电子的需要。它是目前最重要的光电子材料,也是继硅材料之后最重要的微电子材料,它适合于制造高频、高速的器件和电路。 2. 基本结构原理[1] GaAs是一种无机非线性光学材料，它的导带极小值位于k=0处，等能面是球形等能面。导带底电子有效质量是各向同性的。m e*=0.068m0。由于这一导带底对应的能量水平较低，故相应的极值能谷称为下能谷。与此同时，在[100]方向还存在另一极小值，能量比k=0的极小值高0.36eV。由于它的能带曲率小，故对应的电子有效质量大，m e*=1.2m0，该导带的底部能量水平高，故称为上能谷。GaAs的价带极值位于k=0处，而且也有两支在k=0重合。有一支重空穴，一支轻空穴。重空穴所在能带，空穴有效质量为(m p)h=0.45m0；轻空穴所在能带，空穴有效质量为(m p)l=0.082m0。 GaAs的能带结构有下述特点： ①GaAs导带极小值k=0处，价带极大值也在k=0处，为直接带隙型。 对GaAs来说，Eg=1.34eV, 因此GaAs中电子跃迁产生或吸收的光子波长λ=9×
2019年半导体材料行业深度报告 导语 在整个半导体产业链中，半导体材料处于产业链上游，是整个半导体行业的重要支撑。在集成电路芯片制造过程中，每一个步骤都需要用到相应的材料，如光刻过程需要用到光刻胶、掩膜版，硅片清洗过程需要用的各种湿化学品，化学机械平坦化过程需要用的抛光液和抛光垫等，都属于半导体材料。 1. 为什么看好半导体材料投资机会 目前，新冠肺炎疫情正在全球蔓延。欧美、日本以及韩国等国家正经受疫情爆发的考验，而我们国内由于得到国家的强力控制，目前疫情已初步得到控制。国外疫情的爆发，将对半导体行业的格局造成一定影响，特别是日本及欧美疫情的加剧，将影响半导体材料供给。而国内疫情由于得到良好的控制，并且在一些半导体材料的细分领域，国内的公司已实现部分国产替代，在供给方面我们先发优势，解晶圆代工厂燃眉之急。 据中证报消息，国家大基金二期三月底可以开始实质投资。国家大基金是半导体行业风向标，国家大基金二期将更加注重对半导体材料及设备的投资。大基金二期以半导体产业链最上游的材料及设备为着力点，推动整个
半导体行业的发展，加速国产替代的进程，国内半导体材料公司将迎来黄金发展期。 1.1 欧美及日本疫情加剧半导体材料供给或将受限 截至3 月14 日14：30 分，海外新冠肺炎确诊病例累计确诊64617 例，较上日增加10393 例，累计死亡2236 例。海外疫情正处于爆发期，特别是意大利、日本、美国、德国、法国及韩国等国家，新冠疫情正愈演愈烈。 在全球半导体材料领域，日本占据绝对主导地位。去年日韩贸易战中，日本限制含氟聚酰亚胺、光刻胶，以及高纯度氟化氢这三种材料的对韩出口，引起了整个半导体领域的震动。在2019 年前5 个月，日本生产的半导体材料占全球产量的52%。同期，韩国从日本进口的光刻胶价值就达到1.1 亿美元。据韩国贸易协会报告显示，韩国半导体和显示器行业在氟聚酰亚胺、光刻胶及高纯度氟化氢对日本依赖度分别为91.9%、43.9%及93.7%。 在半导体制造过程包含的19 种核心材料中，日本市占率超过50%份额的材料就占到了14 种，在全球半导体材料领域处于绝对领先地位。 欧美及日本疫情的加剧，将影响全球半导体材料的供给。目前虽然没有欧美及日本半导体公司受疫情影响的官方报道，但我们认为疫情必将影响这些地区半导体公司的经营情况。在疫情影响下，韩国的三星、SK 海力士等半导体公司多次停产隔离，国内的众多公司也延迟复工。因此，这些处
2020年半导体材料行业深度报告 一、为什么看好半导体材料投资机会 目前，新冠肺炎疫情正在全球蔓延。欧美、日本以及韩国等国家正经受疫情爆发的考验，而我们国内由于得到国家的强力控制，目前疫情已初步得到控制。国外疫情的爆发，将对半导体行业的格局造成一定影响，特别是日本及欧美疫情的加剧，将影响半导体材料供给。而国内疫情由于得到良好的控制，并且在一些半导体材料的细分领域，国内的公司已实现部分国产替代，在供给方面我们先发优势，解晶圆代工厂燃眉之急。 据中证报消息，国家大基金二期三月底可以开始实质投资。国家大基金是半导体行业风向标，国家大基金二期将更加注重对半导体材料及设备的投资。大基金二期以半导体产业链最上游的材料及设备为着力点，推动整个半导体行业的发展，加速国产替代的进程，国内半导体材料公司将迎来黄金发展期。 （一）欧美及日本疫情加剧半导体材料供给或将受限 截至 3 月 14 日 14：30 分，海外新冠肺炎确诊病例累计确诊 64617 例，较上日增加 10393 例，累计死亡2236 例。海外疫情正处于爆发期，特别
是意大利、日本、美国、德国、法国及韩国等国家，新冠疫情正愈演愈烈。 1、在全球半导体材料领域，日本占据绝对主导地位。去年日韩贸易战中，日本限制含氟聚酰亚胺、光刻胶，以及高纯度氟化氢这三种材料的对韩出口，引起了整个半导体领域的震动。在2019 年前 5 个月，日本生产的半导体材料占全球产量的52%。同期，韩国从日本进口的光刻胶价值就达到 1.1 亿美元。据韩国贸易协会报告显示，韩国半导体和显示器行业在氟聚酰亚胺、光刻胶及高纯度氟化氢对日本依赖度分别为 91.9%、43.9%及 93.7%。 在半导体制造过程包含的19 种核心材料中，日本市占率超过 50%份额的材料就占到了 14 种，在全球半导体材料领域处于绝对领先地位。 2、欧美及日本疫情的加剧，将影响全球半导体材料的供给。目前虽然没有欧美及日本半导体公司受疫情影响的官方报道，但我们认为疫情必将影响这些地区半导体公司的经营情况。在疫情影响下，韩国的三星、SK 海力士等半导体公司多次停产隔离，国内的众多公司也延迟复工。因此，这些处于疫情爆发期国家的公司也必将受疫情影响。当地时间13 日下午 3 点30 分，美国总统特朗普已宣布进入“国家紧急状态”以应对新冠肺炎疫情。