模拟电路课后练习题含答案
题目一
已知信号源 $U_1 = 10 \\sin(\\omega t)$，其电阻为 $R_1 = 100 \\Omega$，电感为L1=100mH，求相电角。
解答
根据电路理论，通过电阻和电感的电流 $i_1 = I_m \\sin(\\omega t +
\\phi)$ 与电压 $u_1 = U_m \\sin(\\omega t)$ 满足以下公式：
$$ \\begin{aligned} i_1 &= \\frac{U_m}{Z} \\sin(\\omega t) \\\\ &=
\\frac{U_m}{\\sqrt{R_1^2 + (\\omega L_1)^2}} \\sin(\\omega t + \\phi)
\\end{aligned} $$
其中，Z为电路的阻抗，$\\phi$ 为相电角，I m为电流幅值，U m为电压幅值。
由此可解得相电角 $\\phi = \\arctan(\\omega L_1/R_1) = \\arctan(0.314) \\approx 17.8^\\circ$。
题目二
已知有一个偏置电压为V CC=12V的电路，其有源器件为晶体管，其I C=
5mA，V CE(sat)=0.2V，则求晶体管功耗P T。
解答
根据电路理论，晶体管的功耗P T为其集电极电压V CE与集电极电流I C的乘积，并乘以当前电路中的个数：
1
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020
第七章 习题与思考题 ◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω： ① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式； ③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝ 解： ① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=- =，2226525.1)20 10 1()1(I I I o u u u R R u =+=+=， ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=?+?=+= 本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入 输出关系。 ◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其 输出电压u O 的表达式。 解： 本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。 ◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(1122 1 I I o u u R R u -= ）＋（ 解： ◆◆ 解： ◆◆ 解：
◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器，实现以下运算关系：u O =。请要求画出电路原理图，并估算各电阻的阻值。希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。 解： 上图为实现本题目要求的一种设计方案，使5.0)1()5.0(21=-?-=?=uf uf uf A A A ，即 I O u u 5.0=。 本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上，采用适当电路实现给定的运算关系。以上只是设计方案之一。 ◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器，R 2=R 3=20k Ω，R 4=R 5=33k Ω，R 6=R 7=100k Ω，试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。 解： 当R1 当R1 ◆◆ 解： u o -=2 o u =， A uf = 本题的意图是了解T 型反馈网络比例电路的特点，学习估算电压放大倍数和输入电 阻。 ◆◆ 习题 7-9 写出图P7-9(a)和(b)所示运算电路的输入输出关系。 解： （a ） 11110110 I I O u u u -=-= （b ） 321321444 14 )141(411)141(14I I I I I I O u u u u u u u ++-=+?+++? ++-= 本题的意图是对比例电路及求和电路进行综合训练。 ◆◆ 习题 7-10 试用集成运放组成一个运算电路，要求实现以下运算关系： 解：
第六章习题与思考题 ◆◆习题6-1在图P6-1所示的的各放大电路中，试说明存在哪些反馈支路，并判断哪些是负反馈，哪些是正反馈；哪些是直流反馈，哪些是交流反馈。如为交流反馈，试分析反馈的组态。假设各电路中电容的容抗可以忽略。 ◆◆习题6-3 在图P6-1所示的各电路中，试说明哪些反馈能够稳定输出电压，哪些能够稳定输出电流，哪些能够提高输入电阻，哪些能够降低输出电阻。 解： (a) ① R e1引入第一级的交直流负反馈，其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流，提高输入电阻，直流负反馈可稳定本级的静态工作点；② R e2和Ce也引入第一级的直流负反馈，可稳定本级的静态工作点；③ R e3引入第二级的交直流负反馈，交流电压串联负反馈可稳定输出电压，提高本级的输入电阻，降低输出电阻，而直流负反馈可稳定本级的静态工作点；④ R F和C F引入级间（整体）交流电压串联正反馈，故总体来说不能稳定输出电压或输出电流。 (b) ① R e1引入第一级的交直流负反馈，其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流，提高输入电阻，直流负反馈可稳定本级的静态工作点；② R e2和Ce引入第二级的直流负反馈，可稳定本级的静态工作点；③ R e3引入第三级的交直流负反馈，交流电流串联负反馈可稳定输出电流，提高本级的输入电阻，提高输出电阻，而直流负反馈可稳定本级的静态工作点；④ R F引入级间（整体）交直流负反馈，其中交流电流串联负反馈可稳定输出电流，提高输出电阻，提高输入电阻，而直流负反馈可稳定各级静态工作点。
(c) ① R e1引入第二级的交直流负反馈，其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流，提高本级输入电阻，提高输出电阻，而直流负反馈可稳定本级的静态工作点；② R e2和Ce引入第二级的直流负反馈，可稳定本级的静态工作点；③ R F引入级间（整体）交直流负反馈，其中交流电流并联负反馈可稳定输出电流，提高输出电阻，降低输入电阻，而直流负反馈可稳定各级静态工作点。 (d) ① R e1引入第一级的交直流负反馈，其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流，提高输入电阻，直流负反馈可稳定本级的静态工作点；② R F引入级间（整体）交直流负反馈，其中交流电压并联负反馈可稳定输出电压，提高输出电阻，降低输入电阻，而直流负反馈可稳定各级静态工作点。(e) ① R e1引入第二级的交直流负反馈，其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流，提高本级输入电阻，提高输出电阻，而直流负反馈可稳定本级的静态工作点；② R F引入级间（整体）交直流负反馈，其中交流电压串联负反馈可稳定输出电压，提高输出电阻，降低输入电阻，而直流负反馈可稳定各级静态工作点。 (f) 本电路是在射极输出器的基础上，再从VT的发射极通过电容C3引导回一个交流电压并联正反馈。射极输出器本身为电压串联负反馈，具有稳定输出电压，提高输入电阻，降低输出电阻的作用。但若不接电容C3，其输入电阻因受基极偏置电阻的影响，其值只能接近于Ri=Rb+(R1//R2)。现由C3引回一个电压并联正反馈，由于射极输出器的电压放大倍数接近于1，即VT发射极和基极的交流电位接近相等，则电阻R b两端的交流压降很小，故流过Rb的交流电流也很小，因而大大提高了电路的输入电阻。这种将输出电压通过电容引回到输入回路以提高输入电阻的措施为“自举”。 此二题属于基本概念题，意图是判断分立元件放大电路中反馈的类型和作用。
第三部分 习题与解答 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?23 13810 ，电子电量
)(C 1060217731.1q 19库伦-?=，则)V (2 .11594T V T = ，在常温（T=300K ）下， V T =25.875mV=26mV 。当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V >>，于 是T V V s e I I ?=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状 态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结 只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。PN 结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图 1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1特性曲线（实线部分）可见：PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 2、什么是PN 结的反向击穿？PN 结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，PN 结发生击穿。 PN 结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结，一般反向击穿电压小于4Eg/q （E g —PN 结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN 的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。 雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结，一般反向击穿电压高于6 Eg/q 的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。 3、PN 结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？ 图1.1.1 PN 伏安特性
《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sinωt,二极管导通压降U D =0.6V ,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e1～r b e5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。
四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f=190KΩ,计算合理连线后电路的增益A u. 3.简述D1,D2在电路中的作用.如果V CC=12V,R L=8Ω,T1,T2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL所能获得的最大功率P Lmax=? 五、如图5为一运算放大器应用电路A1、A2、A3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i之间函数关系式和v o~v o2之间函数关系式。2.图中v i(t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i(t)所对应v o2 与v o信号波形。(20分)
0000R 2 +? A 3+?A 1R 6 R 5 100K ΩR 4R 1 5K ΩR 2+?A 2C 10.01μF ±4V u o (t)u o1u o2 30K Ω 图5 u i (t)(V)1 -1 1 2 u o2u o (V)(V) 六、电路如图6所示， 稳压管D Z 起稳幅作用，其稳定电压±U Z ＝±6V 。试估算：(15分) （1）输出电压不失真情况下的有效值； （2）振荡频率。
模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？ 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？
模拟电路第一章课后习题答案 模拟电子技术基础简明教程高等教育出版社杨素行主编 第一章习题与思考题 ◇习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反 向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解： 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。理想二极管的正向 电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 本题的意图是掌握二极管的单向导电性。 ◇习题1-2假设一个二极管在500C时的反向电流为10μA，试问它 在200C和800C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高100C,反 向电流大致增加一倍。 解： 在20OC时反向电流约为210A1.25A 在80OC时反向电流约为210A80A33 本题的意图是通过估算，理解二极管的反向电流将随温度的升高而急 剧增大。 ◇习题1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示： ①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压，见图P1-3(b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少？
②如将图P1-3(b)中的1.5V电压改为3V，则二极管的电流和电压各为多少？ 提示：可用图解法。 解： ①电源电压为1.5V时，I=0.8mA,U=0.7V； ②电源电压为2.2V时,I=2.2mA，U=0.8V。 图解结果见下图： 模拟电子技术基础简明教程高等教育出版社杨素行主编 经过观察可进一步得出结论：当二极管工作在正向特性区时，如电源电压增大，二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。 本题的主要意图是加深对二极管伏安特性的理解，并练习用图解法估算二极管的电流和电压。 ◇题1-4已知在图P1-4中，u1=10inωt(V)，RL＝1kΩ，试对应地画出二极管的电流iD、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。 解： 波形见图。 本题的意图是通过画波形图，理解二极管的单向导电性。 ◇习题1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流IZ、动态内阻rZ以及温度系数au等各项参数，大一些好还是小一些好？
模拟电子电路实验_东南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题 库2023年 1.要提高RC耦合三极管放大电路的上限截止频率，可以选用的方式为（）。 参考答案: 选择高频三极管 2.反相输入单门限电压比较器，当输入信号【图片】，参考电压【图片】时， 输出端产生的方波周期为（）。 参考答案: 1ms 3.反相输入单门限电压比较器，当输入信号【图片】，参考电压【图片】时， 输出端产生矩形波的占空比（）。 参考答案: >50% 4.一般而言OCL电路的低频特性要好于OTL电路。 参考答案: 正确 5.施密特比较器与简单比较器相比可以有效地减小输入端噪声对电路的影响。 参考答案: 正确
6.在实验举例的方波产生电路中，如果R1=R2=R=10kΩ，C=0.1uF，则产生的 方波周期约为（）。 参考答案: 2.2mS 7.在实验举例的方波产生电路中，如果运放的工作电源为+12V，输出端对接 的稳压二极管稳压值为5V，则输出方波的电压幅值约为（）。 参考答案: +5.6V 8.一个+12V电源供电的反相比例放大电路，设计的放大倍数为-10倍，当输 入2V直流电压时，测量其输出电压值约为（）。 参考答案: -11V 9.在实验举例的方波产生电路中，加大电位器阻值可以使输出方波的（）。 参考答案: 周期变大，幅度不变 10.在实验举例的方波产生电路中，如果减小同相端到地的电阻R1的阻值，可 以使输出方波的（）。 参考答案: 周期变小 11.在实验举例的方波产生电路中，如果加大同相端到输出端的反馈电阻R2的 阻值，则电容两端的充放电波形（）。
参考答案: 周期变小，幅度变小 12.矩形波产生电路输出波形的周期仅有RC充放电回路的时间常数确定。 参考答案: 错误 13.矩形波产生电路中的运算放大器是工作在非线性状态。 参考答案: 正确 14.在其他参数保持不变的前提下，矩形波产生电路中的电容越大，输出波形的 周期也越大。 参考答案: 正确 15.实验举例电路中的矩形波输出幅度由运放的工作电源电压确定。 参考答案: 错误 16.利用同相端反馈电阻的改变可以调整输出矩形波的周期。 参考答案: 正确
模拟电路第二版习题册答案 模拟电路第二版习题册答案 模拟电路是电子工程中的重要学科之一，它研究的是电子信号的传输、处理和控制。在学习模拟电路的过程中，习题册是非常重要的辅助材料。本文将为大家提供模拟电路第二版习题册的答案，帮助大家更好地理解和掌握相关知识。第一章：基础电路理论 1. 电流和电压的关系是通过欧姆定律来描述的，即I=V/R，其中I表示电流，V 表示电压，R表示电阻。根据题目给出的电流和电压值，可以计算出电阻的数值。 2. 串联电路中的电阻相加，即R=R1+R2+R3+...，并联电路中的电阻求倒数后相加再取倒数，即1/R=1/R1+1/R2+1/R3+... 3. 电路中的功率可以通过P=VI来计算，其中P表示功率，V表示电压，I表示电流。根据题目给出的电流和电压值，可以计算出功率的数值。 第二章：放大电路 1. 放大电路中常用的放大器有共射放大器、共基放大器和共集放大器。根据题目给出的电路图，可以分析出放大器的工作方式和参数。 2. 放大电路中的增益可以通过A=Vout/Vin来计算，其中A表示增益，Vout表示输出电压，Vin表示输入电压。根据题目给出的输入和输出电压值，可以计算出增益的数值。 3. 放大电路中的频率响应可以通过Bode图来描述，其中包括幅频特性和相频特性。根据题目给出的电路参数，可以绘制出对应的Bode图，并进行相应的分析。
第三章：运算放大器 1. 运算放大器是一种非常重要的电子元件，它可以用来放大和处理电压信号。 根据题目给出的电路图，可以分析出运算放大器的工作方式和参数。 2. 运算放大器中的输入电阻可以通过Rin=Vcm/Iin来计算，其中Rin表示输入 电阻，Vcm表示共模电压，Iin表示输入电流。根据题目给出的参数，可以计算 出输入电阻的数值。 3. 运算放大器中的输出电阻可以通过Rout=Vout/Iout来计算，其中Rout表示 输出电阻，Vout表示输出电压，Iout表示输出电流。根据题目给出的参数，可 以计算出输出电阻的数值。 第四章：振荡器 1. 振荡器是一种能够产生连续振荡信号的电路，常用于时钟信号和信号发生器中。根据题目给出的电路图，可以分析出振荡器的工作方式和参数。 2. 振荡器中的频率可以通过f=1/(2πRC)来计算，其中f表示频率，R表示电阻，C表示电容。根据题目给出的电路参数，可以计算出频率的数值。 3. 振荡器中的稳定性可以通过相位裕度和增益裕度来评估，分别表示振荡器的 相位和幅度对参数变化的敏感程度。根据题目给出的参数，可以计算出相位裕 度和增益裕度的数值，并进行相应的分析。 通过以上的答案解析，相信大家对模拟电路第二版习题册中的问题有了更深入 的理解和掌握。模拟电路是一门非常重要的学科，掌握好相关知识对于电子工 程师来说至关重要。希望本文的内容能够对大家的学习有所帮助，同时也希望 大家能够继续努力，不断提高自己的模拟电路技能。
模拟电路试题及答案 一、判断题（每题1分，共50分） 1、PN结正偏时导通，反偏时截止,所以PN结具有单向导电性.（√） 2、漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外 加电压无关。（×） 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为无穷大,等效成断开；（√） 4、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。(×） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏，集电结正偏。（×） 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降减小。（√） 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射极、共集电极、共基极放大电路。 （√） 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电流负反馈，为了稳定交流 输出电流采用直流负反馈。(×） 9、负反馈放大电路和放大倍数A F=A/1+AF，对于深度负反馈放大电路的放大 倍数A F= 1/F 。（√) 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=1+AF BW，其中BW=f H–f L，1+AF称为 反馈深度。（√） 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。（√） 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率 放大器。（√） 13、OCL电路是单电源互补功率放大电路；（×） 14、OTL电路是双电源互补功率放大电路.(×） 15、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1。（√） 16、共集电极放大电路输入电阻小，输出电阻大。(×） 17、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移,所以它广泛应用于集成 电路中。(√） 18、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为载波信号。(√） 19、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy.（√） 20、P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。（×） 21、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断"的概念求解运算关系.（×） 22、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关,而与外加电压无关.(√）
一、选择题（每小题2，共10分） 1、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 D缩小信号 2、FET 依靠（）控制漏极电流íＤ的器件。 A 电场 B 电流 C 电阻 D 电压 3、NPN管放大偏值电路中，若V C增加，则 I B （）。 A几乎不变 B 略有增加 C略有减小 D 不定 4、集成运放采用有源负载的目的是（）。 A稳定工作点 B提高电压增益 C减少温度漂移 D 减小电流强度 5、互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D 流过电流大 二、判断题（每题2分，共20分） 1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（） 2、漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（） 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷大，等效成 断开。（） 4、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏，集电结正偏。（） 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降减小。（） 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射极、共集电极、共基极放大电路。（） 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电流负反馈，为了稳定交流输出电流采用直流负反馈。（） 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=A/1+AF，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= 1/F 。（） 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=1+AFBW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。（） 三、填空题（每空2分，共20分） 1．对 PN 结二极管，当区外接高电位，而区外接低电位，则PN结为正偏。 2． 2.二极管的正向电流是由载流子的运动形成的；反向电流是由少数载流子的运动形成的。 3．三极管的输出特性有三个工作区，分别是、、。 4．差动放大器依靠电路的和负反馈来抑制零点漂移。 四、简答题（每题5分，共10分） 1、简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 2、基尔霍夫定理的内容是什么？ 五、分析题（每题5分，共10分） 试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 （a） (b) 六、计算题（共30分） 1、电路如下图所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，' bb r=100Ω，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。试求：（20分） （1）静态时T1管和T2管的发射极电流。 （2）若静态时u O＞0，则应如何调节R c2的值才能使u O＝0V？若静态u O＝0V，则R c2＝？电压放大倍数为多少？ 2、已知一个负反馈放大电路的基本放大电路的对数幅频特性如图所示，反馈网络由纯电阻组成。试问：若要求电路稳定工作，即不产生自激振荡，则反馈系数的上限值为多少分贝？简述理由。（10分）
第 1 页 自测题一 一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ） 2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A ．外电场 B ．内电场 C ．掺杂 D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。 A ．增大 B ．减少 C ．不变 D ．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A ．电流放大系数 B ．最大整流电流 C ．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61 =，V U 4.52=，V U 123 =， 则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A ．e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A ．多数载流子 B ．少数载流子 C ．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C ．NPN 型锗管 D ．NPN 型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。 A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 及源极s 之间电压为零时（ B ）。 A ．能够形成导电沟道 B ．不能形成导电沟道 C ．漏极电流不为零 D ．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。 8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。 10．GS 时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11．开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管。 12．开启电压0) (
◆◆ 习题 3-2 若某一放大电路的电压放大倍数为100倍，则其对数电压增益是多少分贝？另一放大电路的对数电压增益为80dB ，则其电压放大倍数是多少？ 解：如100||=u A ，则40||lg 20=u A ；如80||lg 20=u A ，则10000||=u A 。 本题的意图是了解电压放大倍数与对数电压增益之间的关系。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中： ① 三极管的最大功耗等于多少？ ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？ ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=⨯=> ② A A R V I L CC CM 75.08 6 ==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=⨯=> ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态， 1≈u A ，而略小于1，故V V V U U CC cem i 24.42 622≈=≈≈。 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。 ◆◆ 习题 4-3 在图P4-3所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的 饱和管压降U CES ＝1V ， ① 估算电路的最大输出功率P om ； ② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η 。 将本题的估算结果与习题4-1进行比较。 解：① W W R U V P L cem CC om 25.08 2)13(2)2(22 =⨯-=-= 如忽略U CES ，则 W W R V P L CC om 5625.088682 2=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 716.08 2622 2≈⨯=≈ ππ %92.34716 .025 .0≈== V om P P η
《模拟电子电路》练习册（答案） 第一讲练习题 填空 1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。 2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。 3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。 4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。 5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。 7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P ）型半导体。 8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。 9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。 10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。 11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。 12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。 13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。 14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。 15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。 16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。 17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。 18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。 选择 ( 黑体字为答案 ) 21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。 22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。 23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。 24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。 25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。 26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。 27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。 28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。 29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。 30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。 31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。 32.二极管的反向电阻比正向电阻( 大得多) 。
第五章 习题与思考题 ◆◆ 习题 5-1 图P5－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R=1M Ω(需外接)。设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。 解：V T4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流IREF 为： A A R U V V I BE EE CC REF μμ3.291 7 .01515=-+=-+= A I I I I REF C REF C μβ β3.292 1133=≈−−−→−+ =足够大 VT1、VT2为差分对管，则有： A A I I I C C C μμ7.142 3 .2921321≈≈= = 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-2 图P5－2是集成比较器BG307偏置电路的示意图。已知V EE =6V ，R 5=85Ω，R 6=68Ω，R 7Ω。设三极管的β足够大，试问V T1、V T2的静态电流I C1、I C2为多大？ 解： VT5、VT6为核心组成比例电流源，其基准电流IR7为： mA A R R V U I EE BE R 6.21700686 7.020)(20767≈++⨯-=+---= mA mA I R R I R R I R C C 08.2)6.285 68 (7566565=⨯=≈= VT1、VT2为差分对管，则有： mA mA I I I C C C 04.108.22 1 21521=⨯== = 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-3 图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设V CC =V EE =15V ，外接电阻R ＝100k Ω，其他的阻值为R 1=R 2=R 3=1k Ω，R 4=2k Ω。设三极管β足够大，试估算基准电流I REF 以及各路偏置电流I C13、I C15和I C16。
第二章 电路如图题2.4.1所示。〔1〕利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；〔2〕在室温〔300K 〕的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解〔1〕求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(23 3 =⨯=Ω ⨯⨯-=-= - V V V V D O 4.17.022=⨯== 〔2〕求v o 的变化范围 图题的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈== 02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，那么 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω ⨯⨯±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。 二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。