第三章
门电路第三章 门电路第一部分
第三章门电路
内容提要
讲述数字电路的基本逻辑单元——门电路。
首先讨论半导体二极管和三极管及场效应管的开关特性，讲解它们的电路结构、工作原理、逻辑功能、电气特性等等。然后，重点讨论TTL门电路和CMOS 门电路。
本章主要内容-1
3.1 概述
3.2 半导体二极管门电路
3.3 CMOS门电路
3.4 其他类型的MOS集成电路
3.5 TTL门电路
3.6
3.6 其他类型的双极型集成电路
3.7
3.7 Bi－CMOS电路
3.8 TTL门电路与CMOS门电路的接口3.8
3.1 概述
1. 门电路
用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电
路称为门电路。
2.基本开关电路
高电平—1
低电平—0
图3.1.
3.1.11用来获得高、低电平的基本开关电路
(1)正逻辑
正逻辑：高电平：“1” 低电平：“0”
3. 正负逻辑图3.1.3.1.2
2 正负逻辑示意图(2)负逻辑
负逻辑：高电平：“0” 低电平：“1”
3.1 概述
由表中可以看出：
正负逻辑式互为对偶式。
3.1 概述
如正逻辑为或门，即Y=A+B 对偶式为Y D＝AB。
3.1 概述
4. 数字电路的特点
（1）优点
对元器件的精度和电源
的稳定性的要求都比模拟
电路要低，抗干扰能力强。
运算精度可通过增加位
数实现。
图3.1.
3.1.22正负逻辑示意图
3.1 概述
(2) 分类
分立元件逻辑门电路：是由半导体器件、电阻和电容连接而成。
集成逻辑门电路：将大量的分立元件通过特殊工艺集成在很小的半导体芯片上。
3.1 概述
≤100/片（100～1000）/片数字集成电路根据规模可分为
103~ 105 /片105以上/片
??
?
??混合型双极型
单极型按制造工艺首先得到应用的是双极型TTL 电路。
TTL ：晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic)
首先得到应用的是双极型TTL电路。
第一代TTL包括SN54/74系列，(其中54系列工作
温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为
0℃～+75℃)，低功耗系列简称LTTL，高速系
列简称HTTL。
第二代TTL包括肖特基箝位系列(STTL)和
低功耗肖特基系列(LSTTL）。
第三代为采用等平面工艺制造的先进的
STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL(ALSTTL）。
由于LSTTL和ALSTTL的电路延时、功耗都较
小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛
的应用。
TTL数字集成电路约有400多个品种，大致可以分为以下几类：
门电路、译码器/驱动器、触发器、计数器、移位寄存器、单稳/双稳电路和多谐振荡器、加
法器/乘法器、奇偶校验器、码制转换器、线驱
动器/线接收器、多路开关、存储器。
TTL电路采用双极型工艺制造，具有工作
速度高、驱动能力强、品种多等特点。是目前
应用最广泛的集成电路之一。它的主要缺点是
功耗大，集成度低。
以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路（MOSIC），得到迅速发展。常采用CMOS电路。
CMOS电路，具有以下优点：
①功耗低
②工作电压范围宽
③逻辑摆幅大
④抗干扰能力强
⑤输入阻抗高
其缺点：
速度较低。⑥温度稳定性能好
⑦扇出能力强
⑧抗辐射能力强
⑨可控性好
⑩接口方便
3.2 半导体二极管门电路
3.2.1半导体二极管的开关特性
1. 稳态开关特性
图3.2.1 二极管的开关电路
图3.1.3.1.1a)1a)高低电平实现原理电路
将图3.1.3.1.1a)
1a)中的开关用二极管代替，则可得到图3.2.1所示的半导体二极管开关电路
将电路处于相对稳定状态下，晶体二极管所呈现的开关特性称为稳态开关特性。3.2.1半导体二极管的开关特性
设v I 的高电平为V IH ＝V CC ， v I 的低电平为V IL ＝0，且D 为理想元件，即正向导通电阻为
0，反向电阻无穷大。
图3.2.1 二极管的开关电路
当v I ＝V IL ＝0时，D 导通输出电压v o ＝ V OL ＝0
3.2.1半导体二极管的开关特性
当v I ＝V IH ＝V CC 时，D 截止输出电压v O ＝V OH ＝ V
CC 则稳态时
图3.2.1 二极管的开关电路
3.2.1半导体二极管的开关特性
2.二极管动态特性
当电路处于动态状态，即二极管两端电压突然反向时，半导体二极管所呈现的开关特性称为动态开关特性（简称动态特性）。
()
1/?=T
V v s e I i q
nkT V T =3.2.1半导体二极管的开关特性二极管PN结方程
其中，i 为流过二极管的电流，v 为加到二极管两端的电压，k 波尔兹曼常数，T 热力学温度，q 电子电荷，n 修正系数，I s 反向饱和电流。
3.2.1半导体二极管的开关特性
三种近似伏安特性曲线和对应等效电路
半导体二极管的开关特性
3.2.1
二极管的动态电流波形如图3.2.
3.2.44所示
3.2.44二极管动态电流波形
第三章集成逻辑门电路 一、选择题 1。三态门输出高阻状态时,（）是正确的说法。 A.用电压表测量指针不动Ｂ．相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动 2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有（ ). A。与非门B．三态输出门 C.集电极开路门Ｄ。漏极开路门 ３。以下电路中常用于总线应用的有（ )。 A．TSＬ门 B。OC门 Ｃ．漏极开路门Ｄ.CMOS与非门 4。逻辑表达式Y＝AB可以用（）实现。 A.正或门 B.正非门 C。正与门D。负或门 5.TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入中( ）相当于输入逻辑“1”。 A.悬空 B。通过电阻２.7kΩ接电源 Ｃ.通过电阻2．７ｋΩ接地Ｄ．通过电阻5１0Ω接地 6．对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以( ）。 Ａ。接电源 B.通过电阻3ｋΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联 ７．要使TＴL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI( ). Ａ.＞ＲON B。＜ROFＦ C。RＯFF＜RI 3 逻辑门电路 3.1 MOS 逻辑门电路 3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数：（1）74LS 门驱动同类门；（2）74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。 解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ，两者中的最小值即为扇出数。 从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =0.4mA ，I OL =8mA ，I IH =0.02mA,I IL =0.4mA ；74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =0.02mA ，I IL =0.1mA ，其实省略了表示电流流向的符号。 （1） 根据（3.1.4）和式（3.1.5）计算扇出数 74LS 系列驱动同类门时，输出为高电平的扇出数 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。 （2） 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时，有 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 8800.1OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。 3.1.4 已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的 T V =2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导通或截止）。 解：图题3.1.4（a ）和（c ）的N 沟道增强型MOS ，图题3.1.4（b ）和（d ）为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V ＜V T 时，MOS 管处于截止状态；当GS V ≥V T ，且DS v ≥（GS V —V T ）时，MOS 管处于饱和导通状态。 对于图题3.1.4（a ），GS V =5V ，DS v =5V ，可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。对于图题 第三章逻辑门电路 u逻辑门电路的一般特性 u半导体二极管及其基本电路（模拟第三章） u半导体三极管BJT（模拟4.1） u MOS管（模拟5.1） u 基本逻辑门电路 u MOS逻辑门电路 u TTL逻辑门电路 u正负逻辑的概念 u逻辑门电路使用中的几个实际问题 本章的重点：一般特性；各种器件及门电路的外部特性。 内部工作原理作为了解内容。 条输入信号满足一定条件时，门开启， 开门状态：一、什么是门电路？——用来实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。（门电路是数字电路最为基本的逻辑单元） §3.1逻辑门电路的一般特性 件开关 允许信号通过。 关门状态：输入信号条件不满足，门关闭， 信号通不过。 与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。 门 因此门电路的输出和输入之间存在着一定的逻辑关系。不同的门电路，输出与输入之间的逻辑关系也不同，如： 二、数字集成电路的分类 1.按工艺结构区分： ?54/74系列?54H/74H 系列?54LS/74LS 系列TTL 电路逻辑门电路的一般特性 ?54AS/74AS 系列?54ALS/74ALS 系列IIL 电路ECL 电路HTL 电路CMOS 电路NMOS 电路PMOS 电路 BiMOS 型 MOS 型双极型 ?54HC/74HC 系列?54HCT/74HCT 系列?4000系列 ?54LVC/74LVC 系列 ?54VHC/74VHC 系列 各种系列逻辑门: 1）74TTL / 54TTL 标准TTL 2）74HTTL / 54HTTL 高速TTL 3）74STTL / 54STTL 肖特基TTL 4）74LSTTL / 54LSTTL 低功耗肖特基 TTL 10mW/ 10ns 22mW/ 6ns 19mW/ 3ns 2mW/ 9.5ns 5）74ALSTTL / 54ALSTTL 先进低功耗肖特基TTL 6）74ASTTL / 54ASTTL 先进肖特基TTL 7）74FTTL / 54FTTL 快速TTL 1mW/ 3.5ns 8mW/ 3ns 4mW/ 3.4ns 8）CC4×××× 标准CMOS 9）74HC / 54HC 高速CMOS 10）74HCT / 54HCT 与TTL 逻辑电平兼容的HC 第3章-门电路-课后答案 - 2 - 第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =，静态电源电流2DD I A μ=，输入信 号为200Z KH 的方波（上升时间和下降时间可忽略不计），负载电容200L C pF =，功 耗电容20pd C pF =，试计算它的静态功耗、 - 3 - 动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 621050.01S DD DD P I V mW mW -==??= 动态 功 耗 ()()2 12 5 2 20020102105 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11TOT S D P P P mW =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ，在负载电容100L C pF 为，输入信号频率为500Z KH 的 方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗 ()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据()2 D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题 3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =，静态电源电流 2DD I A μ=，输入信号为200Z KH 的方波（上升时间和下降时间可忽略不 计），负载电容200L C pF =，功耗电容20pd C pF =，试计算它的静态功耗、动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 6 21050.01S D D D D P I V m W m W -==??= 动态功耗 ()()2125220020102105 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11T O T S D P P P m W =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ，在负载电容100L C pF 为，输入信号频率为500Z KH 的方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗 ()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据() 2 D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 【题3.7】 试分析图P3.7 中各电路的逻辑功能，写出输出逻辑函数式。 A B C DD Y V DD Y （b） A 第三章门电路 第三章门电路 3.1 概述 TTL电路问世几十年来，经过电路结构的不断改进和集成工艺的逐步完善，至今仍广泛应用，几乎占据着数字集成电路领域的半壁江山。 把若干个有源器件和无源器件及其连线，按照一定的功能要求，制做在同一块半导体基片上，这样的产品叫集成电路。若它完成的功能是逻辑功能或数字功能，则称为逻辑集成电路或数字集成电路。最简单的数字集成电路是集成逻辑门。 集成逻辑门，按照其组成的有源器件的不同可分为两大类：一类是双极性晶体管逻辑门；另一类是单极性绝缘栅场效应管逻辑门，简称MOS门。 双极性晶体管逻辑门主要有TTL门(晶体管-晶体管逻辑门)、ECL门(射极耦合逻辑门)和I2L门(集成注入逻辑门)等。 单极性MOS门主要有PMOS门(P沟道增强型MOS 管构成的逻辑门)、NMOS门(N沟道增强型MOS管构成的逻辑门)和CMOS门(利用PMOS管和NMOS管构成的互补电路构成的门电路，故又叫做互补MOS门 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门…… 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 获得高、低电平的基本原理如图1所示。 图1 高/低电平都允许有一定的变化范围如图2所示。 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 图 2 3.2 半导体二极管门电路 二极管的结构如图3所示： PN结+ 引线+ 封装构成 图3 3.2.1二极管的开关特性 如图4，高电平：V IH=V CC，低电平：V IL=0 图4 3.2.2二极管与门 最简单的与门可以用二极管和电阻组成,图5是有两个输入端的与门电路。图中A，B为两个输入变量，Y为输出变量。 图5 二极管与门电路及图形符号 设VCC=5V，A，B输入端的高、低电平分别为VIH=3V，VIL=0V，二极管D1，D2的正向导通压降VDF=0.7V。由图可见，A，B当中只要有一个是低电平0V，则必有一个二极管导通，使Y=0.7V。只有A，B同时为高电平3V时，Y才为3.7V。将输出与输入逻辑电平的关系列表，即得如表1 电路的逻辑电平表电路的真值表 如果规定3V以上为高电平,用逻辑1表示,0.7V 第3章逻辑门电路 3.1 概述 逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。用逻辑 1和o 分别来 表示电子电路中的高、低电平的逻辑赋值方式，称为正逻辑，目前在数字技术中，大都采用正逻 辑工作；若用低、高电平来表示，则称为负逻辑。本课程采用正逻辑。 获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。 在数字集成电路的发展过程中，同时存在着两种类型器件的发展。一种是由三极管组成的双极 型集成电路，例如晶体管-晶体管逻辑电路（简称 TTL 电路）及射极耦合逻辑电路（简称 ECL 电 路）。另一种是由MOS 管组成的单极型集成电路， 例如N-MOS 逻辑电路和互补 MOS （简称COMS ） 逻辑电路。 3.2 分立元件门电路 3.3.1二极管的开关特性 性NPN 型三极管截止、放大、饱和 3种工作状态的特点 工作状态 截 止 放 大 饱 和 条 件 i B = 0 0 v i B < I BS i B > I BS 工 作 吐 偏置情况 特 占 发射结反偏 集电结反偏 U BE <0, U BC <0 发射结正偏 集电结反偏 U BE >0, U BC <0 发射结正偏 集电结正偏 U BE >0, U BC >0 A ID (mA) 4- - / UD (V) 0 5 0.7 伏安特性二极管导通。 气W ）V 时的等效电路 U]-0V 时，二极管截止， 如同开关断开，W 0 = OV S 屮弋时的等奴电路 a 3 = ?二极管导通，如 ^|0.7V 的电压源.％ = 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度, 3.2.2 三极管的开关特 数字电子技术基础第三章习题答案 3-1如图3-63a~d所示4个TTL门电路，A、B端输入的波形如图e所示，试分别画出F1、F2、F3和F4的波形图。 略 3-2电路如图3-64a所示，输入A、B的电压波形如图3-64b所示，试画出各个门电路输出端的电压波形。 略 3-3 答： F与 （2）图 A B F 000 010 100 111 F与A、B之间相当于正逻辑的“与”操作。 3-4试说明能否将与非门、或非门、异或门当做反相器使用？如果可以，各输入端应如何连接？ 答：三种门经过处理以后均可以实现反相器功能。(1)与非门:将多余输入端接至高电平或与另一端并联；(2)或非门：将多余输入端接至低电平或与另一端并联；(3)异或门：将另一个输入端接高电平。 3-5为了实现图3-65所示的各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系，请合理地将多余的输入端进行处理。 答：a ）多余输入端可以悬空，但建议接高电平或与另两个输入端的一端相连； b)多余输入端接低电平或与另两个输入端的一端相连； c)未用与门的两个输入端至少一端接低电平，另一端可以悬空、接高电平或接低电平； d ）未用或门的两个输入端悬空或都接高电平。 3-6如要实现图3-66所示各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系，请分析电路输入端的连接是否正确？若不正确，请予以改正。 答：a ）不正确。输入电阻过小，相当于接低电平，因此将?50提高到至少2K ?。b)不正确。第三脚V CC 应该接低电平。 c ）不正确。万用表一般内阻大于2K ?，从而使输出结果0。因此多余输入端应接低电平，万用表只能测量A 或B 的输入电压。 3-7（修改原题，图中横向电阻改为6k ?，纵向电阻改为3.5k ?,β=30改为β=80）为了提高TTL 与非门的带负载能力，可在其输出端接一个NPN 晶体管，组成如图3-67所示的开关电路。当与非门输出高电平V OH =3.6V 时，晶体管能为负载提供的最大电流是多少？ 答：如果输出高电平，则其输出电流为(3.6-0.7)/6=483u A ，而与非门输出高电平时最大负载电流是400u A ，因此最大电流L I (4000.7/3.5)8016mA =?×=。 第三章集成逻辑门 一、选择题 1. 三态门输出高阻状态时，是正确的说法。 A.用电压表测量指针不动 B.相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动 2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有。 A.与非门 B.三态输出门 C.集电极开路门 D.漏极开路门 3．以下电路中常用于总线应用的有。 A.T S L门 B.O C门 C.漏极开路门 D.C M O S与非门 4．逻辑表达式Y=A B可以用实现。 A.正或门 B.正非门 C.正与门 D.负或门 5．T T L电路在正逻辑系统中，以下各种输入中相当于输入逻辑“1”。 A.悬空 B.通过电阻 2.7kΩ接电源 C.通过电阻 2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地 6．对于T T L与非门闲置输入端的处理，可以。 A.接电源 B.通过电阻3kΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联7．要使T T L与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻R I。 A.＞R O N B.＜R O F F C.R O F F＜R I＜R O N D.＞R O F F 8．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可。 A.降低饱和深度 B.增加饱和深度 C.采用有源泄放回路 D.采用抗饱和三极管 9．C M O S数字集成电路与T T L数字集成电路相比突出的优点是。 A.微功耗 B.高速度 C.高抗干扰能力 D.电源范围宽 10．与C T4000系列相对应的国际通用标准型号为。 A.C T74S肖特基系列 B.C T74L S低功耗肖特基系列 C.C T74L低功耗系列 D.C T74H高速系列 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1．TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。（） 2．当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。（） 3．普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起，否则可能会损坏器件。（） 4．两输入端四与非门器件74LS00与7400的逻辑功能完全相同。（） 5．CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。（） 6．三态门的三种状态分别为：高电平、低电平、不高不低的电压。（） 7．TTL集电极开路门输出为１时由外接电源和电阻提供输出电流。（） 8．一般TTL门电路的输出端可以直接相连，实现线与。（） 第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题 3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =，静态电源电流 2DD I A μ=，输入信号为200Z KH 的方波（上升时间和下降时间可忽略不 计），负载电容200L C pF =，功耗电容20pd C pF =，试计算它的静态功耗、动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 6 21050.01S DD DD P I V mW mW -==??= 动态功耗 ()()2 125220********* 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11TOT S D P P P mW =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ，在负载电容100L C pF 为，输入信号频率为500Z KH 的方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗 ()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据() 2D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 【题3.7】 试分析图P3.7 中各电路的逻辑功能，写出输出逻辑函数式。 A B C DD Y V DD Y （b） A 3 逻辑门电路 MOS 逻辑门电路 3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数：（1）74LS 门驱动同类门；（2）74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。 解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ，两者中的最小值即为扇出数。 从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =，I OL =8mA ，I IH =,I IL =；74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =，I IL =，其实省略了表示电流流向的符号。 （1） 根据（3.1.4）和式（）计算扇出数 74LS 系列驱动同类门时，输出为高电平的扇出数 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。 （2） 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时，有 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 8800.1OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。 3.1.4 已知图题所示各MOSFET 管的 T V =2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导 通或截止）。 解：图题3.1.4（a ）和（c ）的N 沟道增强型MOS ，图题（b ）和（d ）为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V ＜V T 时，MOS 管处于截止状态；当GS V ≥V T ，且DS v ≥（GS V —V T ）时，MOS 管处于饱和导通状态。第3章-逻辑门电路
第三章 逻辑门电路的一般特性(1)2015 [兼容模式] (1)
第3章-门电路-课后答案
第3章_门电路 课后答案
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数字电路教案-阎石第三章逻辑门电路
课后习题答案 第3章 门电路
数字电路与逻辑设计习题-3第三章集成逻辑门
第3章门电路课后答案
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