Tel/lam 氮化硅刻蚀机培训教案
一简介：
Tel/lam 氮化硅刻蚀机是一种平板式的干法刻蚀设备，用于氮化硅的干法刻蚀，其工作原理为特种气体SF6,CHF3在RF下电离并与氮化硅发生反应。
二结构组成
它由以下几部分组成：主机部分、电源部分、泵组部分、射频部分和气体供给部分部分。
1主机部分：它是氮化硅刻蚀机的主体部分，包括显示器、传递腔、反应腔、传动系统及设备的主要控制系统。
2电源部分：系统供电208V进入，经变压器，继电器等变为所需的电压输出。该设备泵组电源由电源柜控制。
3射频部分：在气体反应时提供13.56MHZ的高频电源，以便气体在高真空环境下电离，产生等离子体。
射频匹配系统位于主机上部，用于对射频源所提供的高频通过可变的电感电容进行匹配，以便提供给设备稳定高效的射频。
射频电源为208V AC供电，外接冷却水为本体发热元件降温。
4泵组部分：由机械泵、增压泵和真空管线构成抽反应腔的真空系统，以达到工艺反应时所需的真空度要求。由18泵及配套的真空管线用于抽传递腔的真空。现在我们使用的泵组位于一楼回风区内。
5 气体供给部分：由特气柜、特气瓶和特气管线构成。用于提供反应所
需的特种气体，其中用于提供特气的特气瓶至于一楼回风区内，特气经
二次减压提供给设备，并由质量流量计进行控制。
三T el/lam 氮化硅刻蚀机的基本操作
1 当操作本台设备时，应首先检查该设备的动力条件，具体条件如下：
压缩空气：0.7±0.1MPa 氮气: 0.3±0.05MPa 用于射频冷却的冷却水是否有，反应所用的特气是否有，设备面板的电极温度是否和设定的温度相符，排风是否正常。
2操作：按照设备操作流程进行操作
3面板按键：LOAD 用于下载初始化程序SA VE保存程序RECIPE用于编辑反应的程序STATUS 用于观察设备所处的状态PARAMETERS用于设置设备参数OPTIONS用于设备的手动操作及观察设备运行时的参数变化START 开始设备开始运行STOP 终止下一片硅片从传片筐传出FIELD SELECT 用于切换设定状态
设备面板另有四个用于光标移动的按健及一个数字键盘
四Tel/lam 氮化硅刻蚀机的常见故障及应急故障处理
1真空故障：主要显示为反应腔或者传递腔真空达不到，真空漏率较大。可能引起该故障的主要原因为：真空泵能力下降，真空管线连接不好，设备内部密封件老化，真空监测系统不准确。
传递腔不能达到大气压.其故障原因为用于检测其是否达到大气压的压力开关松动或损坏、充气的阀门没有打开或者是系统氮气没有供给
2 射频故障：主要为射频信号加不上，反射功率大，射频源温度过高
报警。
可能引起该故障的主要原因为：射频电缆连接处接触不好，匹配单元连接不好，射频源控制板故障，温度高(OVER HEAT)是因为冷却水管线堵塞造成。
4传递系统故障：主要表现为硅片在传递皮带上不动作；装载片筐的升降台不动作；机械手传接片子位置不正，其直接的影响会使硅片碎裂，严重时会导致主反应腔内的针（用于托片子）弯曲。
可能引起故障的原因为：传递皮带断裂及带动皮带的电机出现故障；
升降台的保险断开，控制系统有故障此时系统复位即可，机械手的限位不正确或气缸(电机)有故障。
5控制系统故障：常见为屏幕出现乱码。产生此故障的原因通常为存储块接触不良或是电源不稳定。
6电极冷却部分故障：主要表现为电极温度升高.其产生的原因为用于冷却的系统无氟利昂，热交换器水箱温度设置过低导致水冷凝，传递水的管线堵塞，用于转换水路的电磁阀不能正常动作。
MEMS深硅刻蚀工艺 研究报告
学院：机械与材料工程学院 班级：机械14-5 姓名： 学号： 指导教师： 目录 1、背 景................................................................................. (3) 2、ICP干法刻蚀原 理 (6) 3、ICP刻蚀硅实 验 (8)
3.1、光刻工艺 3.2、ICP刻蚀硅工艺 背景 一、什么是MEMS 微机电系统（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System），也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部
结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。主要由传感器、动作器（执行器）和微能源三大部分组成。MEMS是在微电子技术（半导体制造技术）基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。 微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。MEMS是一项革命性的新技术，广泛应用于高新技术产业，是一项关系到国家的科技发展、经济繁荣和国防安全的关键技术。 二、MEMS用途 MEMS侧重于超精密机械加工，涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。它的学科面涵盖微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理、化学、机械学的各分支。 MEMS是一个独立的智能系统，可大批量生产，其系统尺寸在几毫米乃至更小，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。常见的产品包括MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS光学传感器、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器、MEMS气体传感器等等以及它们的集成产品。 三、刻蚀工艺用途 刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路
激光雕刻机 说 明 书 浙江圣石激光科技股份有限公司 第一章性能特点 该激光雕刻机是我公司推出地集计算机、激光技术、自动控制及精密机械于一体地高科技产品.广泛应用于印刷业制版、广告、服装裁剪、皮革、电子、工艺品等非金属加工行业. 一、主要特点： 、用先进地激光替代传统地机械刻刀,与人工或机械雕刻机相比，换成激光雕刻机地优点很多，概括起来主要有： （1）无需任何夹具，工件只需放置在台面上就可开始工作，方便快捷. （2）材料地软硬无特殊要求，应用范围较广. （3）雕刻质量上乘，图案立体感强. （4）工作效率成倍提高. （5）网点扫描效果突出. 、技术先进、性能稳定地控制板卡 圣石激光雕刻机采用地是运用国内先进地专业数控技术，开发出地性能更为稳定、先进地主板，它采用驱动器电路控制地步进电机运行速度更快更平稳，精度更高. 3、机器操作界面友好，操作起来得心应手. 4、全封闭地造型，使得机器美观大方，工作安全舒适. 二、应用领域 激光雕刻机地应用领域很广，主要应用于：工艺美术装璜广告业本机可以雕刻各种非金属材料（密度板、竹木制品；双色板、布料；亚克力、皮革；玻璃、玉石、有机玻璃、水晶、大理石等）. 安装说明 客户收到选购地机器，打开包装箱取出机器后，应仔细和我公司技术员核对配件，查看有关配置是否齐全，然后严格按下列步骤进行安装.
第一节总体安装 先检查激光管有无破损以及各部件是否有松动现象. 1 、 安装排气装置，将排气管接在排气扇上，另一头安装在室外，排气扇与室外 出风口地最大距离为米.如受当地环境所致，排气管道延伸过长则需另行配 置抽风设备. 接牢地线（见机后接地部位，接地电阻应≤欧姆）. 3 、 检查供电线路有无线路老化，接插头松动、接触不良等现象，交流电压是否正常，必要时须用专用供电线路以及稳压电源（功率≥）. 注：不可将零线与地线相连 本机采用外置式潜水泵循环供水冷却装置，用户须自备加盖水桶，雕刻机与潜水泵地高度差应不大于米，冷却循环水必须干净、无尘、无垢. 循环冷却水地水温应℃，否则影响雕刻深度.高寒地区应保证激光管内无结 冰堵塞现象，否则激光管会炸裂.最好在夜间停止工作时，排干循环水路及 激光管中地剩水，以防造成冻裂. 若发现激光管出现缺水地现象，应立即关机停止工作，切断水泵电源，并至 少停机半小时以上，等待激光管自然冷却后，方可供水开始工作，若立即供 水，激光管会炸裂. 、接通潜水泵，冷却水应正常循环，冷却水路应无堵塞滴漏现象. 8 第二节接口连接方法 电源线：与供电相连接. 通讯线：将线连接到电脑地通讯口上,将加密狗插到电脑地口上. 第三节机器调试 一、安装激光管 1.把激光机后面地激光管护照拆开，激光机地左护照地门打开. 2.将冷水机或(水泵)、气泵取出,将配件焊锡丝和高压胶带取出 . 从激光管纸盒中取出激光管(激光管是玻璃制品一定要轻拿轻放)，激光管分出光端（有出光孔为前段）和尾端（没有出光孔和带螺旋玻璃为尾端）. 把激光管放入机器后端地半圆型激光管固定座上,并用另外地一个半圆片加胶皮将其固定.激光管地前端到第一反光镜地距离在之间，尾端不要超出激光机.现在应注意把激光管前端地出水孔调整到向上（保证激光管内水是满地，不要有气泡）.激光管可以前后、上下移动调整光路.在把激光管尾端地进水管、前端地出水管分别和激光管连接. 把激光管尾端地高压线、前端地地线用电烙铁分别和激光管焊接牢固（焊接时间不要停流过长）.在分别用高压胶带缠牢固，以免打火损坏激光管. 把冷水机（或水泵)里装满水,冷水机地出水管接在激光机地进水管上,进水管接在激光机地出水管上或(将水泵地出水管接在激光机地进水管上放在有水地水桶里,水桶里地水必须高过水泵，大概以上），激光机地出水管直接放入水桶中.气泵接好.把冷水机或(水泵)通电后看激光管循环水是否正常（激光管从后端进水前端出水），激光管里有没有气泡，如果有气泡可以转动激光管.
2011年9月15日第34卷第18期 现代电子技术 M odern Electro nics T echnique Sep.2011V ol.34N o.18 利用湿法刻蚀的方式制备黑硅 张安元,吴志明,赵国栋,姜 晶,郭振宇 (电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054) 摘 要:采用一种简便的方法制备出具有很好光吸收性能的黑硅材料,利用化学气象沉积和光刻的方式在硅片(100)表面形成圆形Si 3N 4掩膜,然后采用两种湿法刻蚀相结合方式来制备黑硅材料。首先采用碱刻蚀的方式对硅片进行各向异性刻蚀,刻蚀完成后在硅片表面形成尖锥形貌;后期利用金纳米颗粒作为催化剂,采用酸刻蚀的方式对硅片表面进行改性,在硅片表面形成多孔结构。这种黑硅材料在250~1000nm 波段的光吸收率可以达到95%以上。 关键词:黑硅材料;湿法刻蚀;表面形貌;光吸收率 中图分类号:T N304-34 文献标识码:A 文章编号:1004-373X(2011)18-0133-04 Preparation of Black Silicon by Means of Wet Etching ZH A NG A n -y uan,WU Zh-i ming ,ZH A O G uo -do ng ,JIA N G Jing ,GU O Zhen -yu (St ate K e y L abo ratory of Elect ro nic T hin Fil m s and Integ rat ed Dev ices,School of Opt oelect ro nic Inf ormat i o n, Universi t y of Electronic Sci ence and T echnolo gy of China,Cheng du 610054,China) Abstract :A simple met ho d of preparing black silico n (BS)with hig h o ptical absor pt ivity is introduced.During t he prepa -r atio n,the chemical vapor deposition and photo litho gr aphy are emplo yed to fo rm a nitride mask on the surface of silicon (100),and then tw o kinds o f wet etching ar e used to prepare the black silico n mater ial.T he fir st step is that the anisot ropic etching on a silico n wafer is perfor med w ith the method of a lkali etching to for m the t ip mor pho log y on the silicon surface.Af -ter that,some go ld nanoparticles ar e taken as t he cataly st to mo dif y the sur face of the silico n by the method o f acid etching fo r for ming a po rous str ucture on the silico n sur face.T he optical absor ptivity o f the black silico n can reach 95%at t he wav elength of 250~1000nm. Keywords :black silico n mater ial;w et etching ;surface mor pho log y;optical absor ptivity 收稿日期:2011-04-29 基金项目:国家自然科学基金资助项目(61021061);电子薄膜 与集成器件国家重点实验室开放资助基金(KFJJ200806) 0 引 言 黑硅(black silicon)[1]作为兴起的一种新型硅材料,以其在可见光与近红外波段有极高的光吸收率[2],使其对光线十分敏感,它的光敏感度可以达到传统硅材料的100~500倍。在正常情况下,一个光子只能产生一个电子,而在黑硅这种材料中,由于它具备光电导增益效果[3],可以由一个光子产生多个电子,从而使电流增大到200~300倍,使其在微光探测方面的性能较一般材料有着飞跃般的进步,并且黑硅的制造工艺可以较容易地嵌入到目前的半导体工艺中,使其在照相机、夜视仪等光电探测[4]方面有着广阔的应用前景。目前国际上其通用的制备方式主要有两种:飞秒激光器刻蚀和深反应离子刻蚀(DRIE)。其中,飞秒激光器刻蚀 [5] 是 SF 6环境下,利用飞秒激光器产生的超短脉冲激光对硅片表面进行辐照,其激光脉冲的高能在与硅片表面作用的同时,在表面附近积聚大量能量,能瞬间使背景气体 SF 6分解出游离的F -离子,并与表面汽化的Si 原子生成易挥发的SiF 2和SiF 4,使硅片表面不断被刻蚀,最终形成准规则排列的微米量级尖锥结构。这样改造后的硅表面具有极高的光吸收率,而反应离子刻蚀(RIE)[6]的原理是利用一定压强下的刻蚀气体在高频电场的作用下,通过气体辉光发电产生等离子体(其中包含了大量的分子游离基团),通过电场加速活性基团对被刻蚀物体进行离子轰击和化学反应,生成挥发性气体,反应产物在低压真空腔中被抽走来实现对材料的刻蚀,最终在硅片表面得到与飞秒激光器刻蚀相似的微结构,从而制备所说的黑硅。目前这两种方式都比较成熟,都能得到稳定的结果,但是这两种方式对反应条件要求苛刻,实验设备成本高昂,不利于大规模生产。 本文采用两种湿法刻蚀相结合的方法制备黑硅材料。先利用Si 3N 4充当掩膜层,用光刻的方式在硅片表面形成图案,然后通过KOH 溶液对其进行刻蚀,在硅
Tel/lam 氮化硅刻蚀机培训教案 一简介： Tel/lam 氮化硅刻蚀机是一种平板式的干法刻蚀设备，用于氮化硅的干法刻蚀，其工作原理为特种气体SF6,CHF3在RF下电离并与氮化硅发生反应。 二结构组成 它由以下几部分组成：主机部分、电源部分、泵组部分、射频部分和气体供给部分部分。 1主机部分：它是氮化硅刻蚀机的主体部分，包括显示器、传递腔、反应腔、传动系统及设备的主要控制系统。 2电源部分：系统供电208V进入，经变压器，继电器等变为所需的电压输出。该设备泵组电源由电源柜控制。 3射频部分：在气体反应时提供的高频电源，以便气体在高真空环境下电离，产生等离子体。 射频匹配系统位于主机上部，用于对射频源所提供的高频通过可变的电感电容进行匹配，以便提供给设备稳定高效的射频。 射频电源为208VAC供电，外接冷却水为本体发热元件降温。 4泵组部分：由机械泵、增压泵和真空管线构成抽反应腔的真空系统，以达到工艺反应时所需的真空度要求。由18泵及配套的真空管线用于抽传递腔的真空。现在我们使用的泵组位于一楼回风区内。 5 气体供给部分：由特气柜、特气瓶和特气管线构成。用于提供反
应所需的特种气体，其中用于提供特气的特气瓶至于一楼回风区内，特气经二次减压提供给设备，并由质量流量计进行控制。 三T el/lam 氮化硅刻蚀机的基本操作 1 当操作本台设备时，应首先检查该设备的动力条件，具体条件如下： 压缩空气：±氮气: ±用于射频冷却的冷却水是否有，反应所用的特气是否有，设备面板的电极温度是否和设定的温度相符，排风是否正常。 2操作：按照设备操作流程进行操作 3面板按键：LOAD 用于下载初始化程序 SAVE保存程序 RECIPE 用于编辑反应的程序STATUS 用于观察设备所处的状态PARAMETERS用于设置设备参数 OPTIONS用于设备的手动操作及观察设备运行时的参数变化 START 开始设备开始运行 STOP终止下一片硅片从传片筐传出 FIELD SELECT 用于切换设定状态 设备面板另有四个用于光标移动的按健及一个数字键盘 四 Tel/lam 氮化硅刻蚀机的常见故障及应急故障处理 1真空故障：主要显示为反应腔或者传递腔真空达不到，真空漏率较大。可能引起该故障的主要原因为：真空泵能力下降，真空管线连接不好，设备内部密封件老化，真空监测系统不准确。 传递腔不能达到大气压.其故障原因为用于检测其是否达到大气
硅蚀刻工艺在MEMS中的应用 文章来源：本站原创 点击数：97 录入时间：2006-4-7 减小字体增大字体 Dave Thomas / Trikon Technologies，Newport，Wales，United Kingdom 本文介绍了在现代微机电系统（MEMS；Micro Electro-Mechanical System）制造过程中必不可少的硅蚀刻流程，讨论了蚀刻设备对于满足四种基本蚀刻流程的要求并做了比较，包括块体（bulk）、精度（pre cision）、绝缘体上硅芯片（SOI；Silicon On Insulator）及高深宽比的蚀刻（high aspect ratio etching）等。并希望这些基本模块能衍生出可提供具备更高蚀刻率、更好的均匀度、更平滑的蚀刻侧壁及更高的高深宽比的蚀刻能力等蚀刻设备，以满足微机电系统的未来发展需求。 微机电系统是在芯片上集成运动件，如悬臂（cantilever）、薄膜（membrane）、传感器（sensor）、反射镜（mirror）、齿轮（gear）、马达（motor）、共振器（resonator）、阀门（valve）和泵（pump）等。这些组件都是用微加工技术（micromachining）制造的。由于硅材料的机械性及电性众所周知，以及它在主流IC制造上的广泛应用，使其成为微加工技术的首要选择材料。在制造各式各样的坑、洞、齿状等几何形状的方法中，湿式蚀刻具有快速及低成本的优势。然而，它所具有对硅材料各方向均以相同蚀刻速率进行的等向性（isotropic）蚀刻特性、或者是与硅材料的晶体结构存在的差异性、产生不同蚀刻速率的非等向性（a nisotropic）等蚀刻特性，会限制我们在工艺中对应用制造的特定要求，例如喷墨打印机的细微喷嘴制造（非等向性蚀刻特性总会造成V形沟槽，或具锥状（tapered walls）的坑洞，使关键尺寸不易控制）。而干式蚀刻正可克服这个应用限制，按照标准光刻线法（photolithographic）的光罩所定义的几何图案，此类干式蚀刻工艺可获取具有垂直侧壁的几何图案。举例来说，通常要蚀刻定义出较大尺寸的组件，如电容式加速微传感器（capacitive accelerometers）。通常我们会优先考虑湿式蚀刻方式，但对于需要更精确尺寸控制、或是整体尺寸需微缩的组件的制造，则会考虑选择采用干式蚀刻来达到工艺要求。 硅蚀刻 广泛应用的硅蚀刻方法，是起源于德国Robert Bosch公司开发的非等向性硅蚀刻工艺方法，被称为Bosch 气体交替技术（Bosch gas-switching technique）[1]。利用具有非等向性蚀刻反应的等离子源，与通过反应形成高分子蔽覆层（polymeric passivation layer）的另一种等离子源，两者反复交替进行的方法，以达到硅蚀刻的工艺要求。常用的在硅蚀刻生产过程中的气体选择，多是采用SF6（六氟化硫），因其可在能量只有2 0eV的条件下即可分解出6个氟原子，而这些氟原子会继续与Si反应形成挥发性SiF4（四氟化硅）。理论上，已定义几何图案的6寸硅晶圆占据了大约15%的裸片面积，设定等离子反应室内压力>30mtorr、SF6
SD-20A 光纤激光打标机 使用说明书安装、使用产品前请阅读使用说明
感谢您使用珊达科技公司光纤激光打标机! 请在使用光纤激光打标机前仔阅读此说明书! 第一章概述 1.1光纤激光打标机简介 激光打标机是利用激光束在各种物质表面打印上永久的标记。 激光打标机的效应主要是： 1、通过激光光能对目标物质表层的蒸发而露出物质深层； 2、通过激光光能导致表层物质的化学物理变化而"刻"出所需图案文字； 3、通过激光光能烧掉部分物质，从而显出所需刻蚀的图案、文字。 光纤激光打标机主要由：光纤激光器、振镜（打标头）、软件控制板卡、工控电脑、机箱机柜、放工件的水平台等组成。 1.2光纤激光打标机工作原理 是利用光纤激光器产生激光并用光纤导出激光然后配合光学高速扫描振镜进行工件标记的，其核心部件为光纤激光器。 光纤激光器采用掺稀土元素的光纤作为增益介质。由于光纤激光器中光纤纤芯很细，在泵浦光的作用下光纤极易形成高功率密度，造成激光工作物质的激光能级“粒子数反转”。因此，当适当加入正反馈回路构成谐振腔便可形成激光振荡。另外由于光纤基质具有很宽的荧光谱，因此，光纤激光器一般都做成可调谐的（既其波长在一定围可以调节），在打标时可以标记出几种颜色（对应材质）。 1.3特点如下： 1.SD-20A光纤激光打标机采用光纤激光器，寿命可达10万小时，性能优越世界排名靠前。 光束质量高，为基模（TEM00）输出，聚焦光斑直径不到20um。发散角是半导体泵浦激光器的1/4。单线条更细，特别适用于精细、精密打标。 2.体积小，耗电量小，整机耗电不到500W；置风冷冷却方式，抛弃了笨重的水冷机组，占地面积更小，安装更简便，真正做到了节能和便携。 3.电光转换效率高，简单易用，无须光学调整或维护，结构紧凑，系统集成度高，故障少。 4.无需进行任何维护，使用寿命长，适用于恶劣环境工作。 5.加工速度快，是传统打标机的2-3倍，光学扫描振镜，激光重复频率高，高速无畸变。
磨石激光雕刻排版系统 目录 目录 0 安装说明 (1) 菜单说明 (2) 印章排版 (3) 方章排版 (3) 条章排版 (4) 圆章排版 (5) 椭圆章排版 (6) 新建空白版面 (7) 指纹印章 (7) 蒙文印章排版 (7) 维文印章排版（其他语言文字） (8) 文字录入 (9) 蒙文输入 (11) 维文输入（其他语言文字输入） (11) 图像添加 (12) 扫描区域 (12) 雕刻输出 (13) 按钮、参数说明 (13) 输出方式 (14) 定位输出 (15) 打印输出 (16) 其他操作 (17) 快捷键 (17) 工具 (18) 文件 (18) 系统设置 (19) 设置密码 (19) 图象处理 (20)
安装说明 1、硬件环境： 586以上计算机，64M以上内存，硬盘至少有10M空间，雕刻机或打印机； 2、软件环境：WINDOWS 95/98/ME/2000/XP 系统 3、安装步骤： 第一步：插入光盘，运行安装程序文件； 第二步：出现安装提示逐步进行； 第三步：插入加密狗，待系统自动安装，提示“可以使用”后运行系统。 第四步：重新启动软件。
菜单说明 文件：模板、新建空版面、打开、保存、输入、系统设置、设置密码、退出编辑： 工具 图像 文字 雕刻输出 扫描区域 图像处理 帮助
印章排版 方章排版 步骤： ⑴在菜单中选择新建—方章弹出下面窗口； ⑵选择印章类型：两字名章、三字名章、四字名章； ⑶设置参数后，确定； ⑷设置扫描区域，一般不用调整，直接确定即可； ⑸单字调整：在菜单中选择编辑—显示选择框、微调工具，用鼠标点击文字/矩形上方的矩形— 选择此对象；在微调工具中调整； ⑹整章调整：双击印章，弹出下面窗口，进行参数调整；以前的单字调整将失效；确定； ⑺不符合要求，重复以上操作。
紫外激光的刻蚀应用 摘要：文章介绍了紫外激光的产生机理，以及紫外激光加工的特点和优势，举例说明了紫外激光刻蚀的应用及优势。 关键词：紫外；激光；刻蚀 随着对小型电子产品和微电子元器件需求的日益增长，紫外激光是加工微电子元器件中被普遍使用的塑料和金属等材料的理想工具。固态激光器最新技术推动了新一代结构紧凑、全固态紫外激光器的发展，从而使之成为这个领域中更经济有效的加工手段。 1、 紫外激光的产生[1-2] 355nm 紫外激光由 1064nm Nd ∶ YAG 激光的三次谐波获得 ,具体技术途径是用二次谐波晶体腔内倍频1064nm 基波产生 532nm 二次谐波, 基波和谐波再经三次谐波晶体腔内混频产生 355nm 三次谐波。 1、1简单理论 三次谐波的产生分为两个部分，在第一个晶体中，部分 1064nm 基波辐射转换为二次谐波(532nm)；接着，在第二个晶体中，未转换的基波辐射与二次谐波和频产生三次谐波。在非线性晶体中混频的方程式为： *1132111exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *2231221exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *3312331exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=-??- 此处的 E j 项为以频率 ωj 在 z 方向上传播的波的综合电矢，ω3=ω1+ω2，波 j 的电场是 E j exp(i ωj t-ik j z)的实数部分，相位失配?k =k 3-(k 1+k 2)正比于相位匹配方向上光路的偏离量?θ，γ1 项为吸收系数。对于三倍频，有 ω2=2ω1，ω3=3ω1，K 2≈2K 1，K 3≈3K 1。为了提高倍频效率及和频光的功率输出，我们要尽量满足位相匹配条件：?k =0。令参量 S 为三倍频晶体中二次谐波功率与总功率之比： 22/()S P P P ωωω=+ 如果以 ω 和 2ω 输入的光子匹配为 1:1，则有 P ω+P2ω 及 S=0.67，理论上在小信号近似情况下，输入光束都能转换为三次谐波。 1、2实验装置 实验装置如图 1 所示。Nd:YVO4 晶体采用 a 轴切割，掺钕浓度为1%，尺寸为3mm ×3mm ×2mm ，一面镀1064nm/532nm 双波长高反膜作为输入镜，另一面镀 808nm 增透膜。输出镜 M 曲率半径为 100mm ，凹面镀 1064nm/532nm 高反膜及 355nm 增透膜，平面镀355nm 高透膜。
激光雕刻＆切割机 操 作 手 册
激光雕刻机和切割机的装置 注意事项：激光是一种高功率和无形的光，当人体只对时对人体有害，容易引起可燃事宜。当机器运转时操作人员不能离开，请仔细阅读此手册以避免不必要的错误和损失。由于更新或改进内容可能和实际产品有些不一致。请根据实际需要购买。此外，若手册的内容进行改进，请原谅没有通知。提前声明。 内容 第一章概要 (2) 第二章安全手册 (4) 第三章安装与调试 (6) 第四章常见问题和调整 (9) 第一章概要 1.说明 激光雕刻切割机是一种新型的激光数据处理设备，主要用于：工艺品，家具，玻璃制品，木制品，聚氯乙烯，灯饰，广告，装饰，造纸，马克板，邮票及印章，腈纶，竹制品，手袋及鞋子，衣服和服装，面料等。通过对激光参数的调整，机器可以进行多样的雕刻和切割。这个机器具有多种优点：切口光滑，无接触切割，高速雕刻，雕刻准确、效果好。构造： 激光雕刻切割机是由光学系统、工作平台、控制系统、冷却系统和辅助系统构成。 2、雕刻机有五部分组成：机械系统、光学系统、传动系统、控
制系统和辅助系统。 机械平台：由上盖、导轨、底座、反射镜架等机械配件组成。 光学系统：由激光管、激光电源、三个反射镜和一个聚焦镜组成。 传动系统：由三条高精度四均衡进口直线导轨、皮带、2个步进电机和若干个齿轮组成。 控制系统：由高速控制卡、开关电源、步进电机驱动器组成。 辅助系统：有循环冷动水泵、吹气压缩机、抽烟排风机。 3.技术参数 技术参数 第二章安全手册
激光雕刻切割机用于四种激光（强激光射出），激光射出可能引起以下意外事故： 1）引燃周围的易燃物 2）当机器运行时可能产生有害的气体 3）激光直接照射人体将对人体有害。因此，工作的场所必须有灭火器，严格禁止易燃物靠近机器并且保持通风。请阅读和遵守安全手册。 1.机器的外壳应与地面接触。 2.禁止非专业的高压供电。不要打破外壳.需要通风散热。 3.当激光管工作时需用循环的水使过热的激光管的温度降低。因此 机器工作前，请务必要加一些水到冷却水泵里。当电源打开时，水泵开始工作设备开始运转。循环水应该是纯净的。检查水管是否漏水，水是否足够并且水的温度不能够超过35℃，我们建议定期换水和清洗冷却装备。冷却装备有很长一段时间不使用，或远距离的运输需把水排除。 4. 打开设备前先打开水循环系统，并且确保水循环系统正常使用。 冬天激光管里的不能够有冰水，所以关上电源之后要把激光管里的水排出以防结冰。 5.在冬天温度非常低的时候应注意关上电源之后要把激光管里的水排出以防结冰。 6.如果激光束直接或是反射到人体将会对人体造成很大的伤害，特别是进到眼睛里。所以用激光雕刻切割机时要紧紧遵守以下的规则：
用湿法刻蚀的方法在硅片上做连续V型槽 图l 硅片v型槽示意图 图中V型槽的两个斜面为(111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构学原理可以知道，(111)晶面与(100)晶面的夹角为54．74°。在（100）硅片上，沿着（110）方向腐蚀时可以暴露出倾角为54.74°的（111）面，从而形成V型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向异性，硅(111)晶面的腐蚀速度远小于(100)面的。因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图1所示的硅片V型槽。将硅单晶体按（100）方向切成所需大小的硅片。通过氧化、光刻、腐蚀，即可制作出合格的硅片V型槽。 1氧化 硅片经抛光表面、清洗后，在1130℃下，先通湿氧氧化2.5 h，再通干氧氧化l h，在其表面就氧化出一层厚度大约为1μm、均匀致密的氧化层，该氧化层作为腐蚀硅的掩模层。 2光刻 采用双层掩模法，即在氧化硅表面蒸发上一层铬、金，厚度分别为50 nm、80 nm。因为铬、金腐蚀时间较短，光刻胶的抗腐蚀性已足够。这样，用光刻胶作掩模先腐蚀铬、金，再用铬、金作掩模腐蚀SiO2。SiO2腐蚀液配为HF：NH4F：H20=1：2：3，腐蚀时间约10 min。这种双层掩模光刻法腐蚀出的SiO2层图形边缘平整、无锯齿。最后去胶，将SiO2层残留的铬、金完全腐蚀掉。整个光刻过程如图2所示。 图2 湿法刻蚀流程示意图 3硅腐蚀
将已定域腐蚀SiO2层的硅片放入已配好的硅腐蚀液中，硅腐蚀液的配方为氢氧化钾：异丙醇：水=1：2：2。在78℃下腐蚀。由于硅的腐蚀存在各向异性，经一定的腐蚀时间，大约80 min 即可得到要求的V型槽。另外，为防止V型槽底部出现“小岛”，在腐蚀过程中，需要一定的搅拌。
激光雕刻机维修保养指南 一、直线导轨导轨加注润滑油: 激光雕刻机使用一段时间,雕刻,切割产生的烟雾,灰尘对导轨有腐蚀作用,所以要定期保养导轨。 将激光雕刻机关闭电源,用干净的软布将导轨清洁干净,然后在导轨上滴上润滑油,上完油在让滑块在导轨来回滚动一下,确保润滑油进入滑块内部。上完油在让滑块在导轨来回滚动一下,这时须次先把导轨装上,注意装导轨时不要先固定,要把固定钉全部装好,保持水平,在把皮带与滑块固定,再把透镜装好,调光一下X去向的去路完毕。 二、反射镜|聚焦镜擦拭: 激光雕刻机|激光切割机使用一段时间后,烟雾灰尘会粘附在镜片的表面,影响雕刻、切割深度,也会影响雕刻、切割精度。一般在一周左右(根据激光切割机|雕刻机的使用频率用无水酒精将三片反射镜,一片聚焦镜仔细擦拭干净。 三、轴承上油: 激光切割机使用了大量轴承,为了保证良好的切割,雕刻效果,部分轴承需要定期加油(含油轴承除外,用干净的软布把轴承上的浮土擦掉,用针管把机油吸入针管,然后用针头慢慢注入轴承,在注油时慢慢转动轴承即可. 四、同步带(皮带松紧调整: 激光切割机中的传动系统中有若干条同步带,如果同步带过松,会出现雕刻字体出现重影情况,如果同步带过紧,会造成同步带磨损。在使用一段时间后,请调整同步带的张紧螺丝,将同步带调整到松紧合适,雕刻文字不出现重影,而且激光雕刻机,激光切割机运行噪音很低为宜,或者咨询厂家的技术人员。 五、激光管的保养:
激光雕刻机中的激光管是使用循环水冷却的,长期使用下来,管内会有一些白色的水垢存在,我们可以在循环水内加入少量食醋,将管内水沟除掉,然后再用干净的水将激光管内部循环冲刷干净,这样激光管会处于最佳工作状态,寿命也会延长。
雕刻机的用户手册 一雕刻机安装前注意事项 1．切勿在闪电或打雷时安装此设备，切勿在潮湿的地方安装电源插座，请勿触摸未绝缘的电源线。 2．上机操作人员必须经过严格的培训操作过程中必须注意人身安全和机器的安全，并最操作规程来操作电脑雕刻机。 3．电源电压要求220V-380V，若电源电压不稳或周围有大功率的用电设备，请一定要专业技术人员指导下选择稳压电源。 4．雕刻机，控制柜必须接地线，不可带电插数据电缆线。 5．操作人员切勿戴手套工作，最好戴上防护眼睛。 6．机械本体为钢结构龙门部分航空铝铸件，相对较软，在安装螺钉时（特别是安装雕刻电机时）不要太用力，以防滑丝。 7．刀具一定要装好并夹紧，保持刀具锋利，钝刀将使雕刻质量下降使电机过载。 8．请勿将手指伸进刀具工作范围，切勿将雕刻头拆下来另作它用。不可加工含石白棉的材料。 9．不要超过机械加工范围，长时不工作时要切断电源，机器移动时，须有专业人员在场指导下进行。 10．如机器出现异常情况，请参阅操作手册故障排队一章或与经销商联系解决；以免造成人为损坏。 二，雕刻机的组成及随机附件 1224雕刻机的主体是由钢结构及铸造铝完成，它是由雕刻机的微机系统和专用雕刻软件，指令传输器以及机械本体构成。 1224雕刻机装箱清单 序号配件数量单位 01 雕刻机主件 1 套 02 控制柜 1 套 03 微红版卡 1 套 04 电源线 1 根 05 数据线 1 根 06 说明书 1 本 07 扳手 2 把 08 刀夹具 4 个 09 雕刻刀10 把 10 水泵 1 台 三. 雕刻机技术参数及加工参数 台面尺寸（MM）2010x3100 转速：（转/分）24000 最大雕刻尺寸（MM）1200x2400 z轴行程（MM）250 外型尺寸（MM）3150x3740 x 1250
激光切割机软件使用说 明 (图文笔记版) 一、总体功能概述 ⑴操作软件的三大版块: 图一、ByVision主菜单操作界面。图二、HANDLING-OPERATION操作界面 图三、LaserView操作界面
⑵控制按键的两个部分：图一、操控手柄。
图二、屏幕右侧按键。 停止自动操作如自动交换工作台 释放切割头
二、激光切割机每个版块的具体功能介绍 ⑴ByVision（用户名：CH 密码：1） ①“MAIN（F5）”主菜单：其中包括“管理员”、“视图”、“诊断”、“清屏”、 “信息”、“关闭”。 “管理员”、“视图”：已设置好，一般无需改动。一般级别无法修改的。“诊断”：用于显示机床的通讯状态，绿灯通讯为正常，红灯通讯中断或未建立通讯或没有该硬件（如Byloder）。前两个灯为绿，后一个灯为红，此时为正常。具体的机型不同而有异。 “清屏”：点击后屏幕为白色，此时触摸功能关闭，就可用布来擦拭屏幕。
登录/注销：用于不同级别的用户进入系统，权限不一样的。 详细内容：当提示框出现提示内容的时候，由于显示的内容有限，当出现”……”的提示时可以在详细内容中看见全部的报警和故障。可以用该菜单中的RESET 键进行复位等操作。 信息：关于该机器的全部软件的版本。 关闭：内有可选择的关闭对话框。一般用关闭Byvision项目。 语言选择：根据国旗代表不同的语言。一般英语的故障解释比较确切。 有故障时候尽量用英语将信息记录下来，便于准确判断。 ②“HAND（F6）”手动菜单：其中包括“设置参数机床”、“参数”、“手动功 能”、“特殊功能”“CNC”、“SERV”、“STOP PART”、“STOP WORK”。
普瑞玛激光切割机说明书 普瑞玛激光切割机可加工范围3000*1500毫米，最大定位速度每分钟140米，最大钣材中了800公斤，发生器功率2500W，3000W，及4000W，最大加速度6G所谓激光切割就是将激光束照射到工件表面时释放的能量来使工件融化并蒸发，以达到切割和雕刻的目的，具有精度高，切割快速，不局限于切割图案限制，自动排版节省材料，切口平滑，加工成本低等特点，讲逐渐改进或取代于传统的切割工艺设备。激光源一般用晶体或二氧化碳激光束，所需要的功率也不是很大,一般在几十瓦到几百瓦左右只和普通的家用电器的功率差不多,一般在切割的时候还配备有告诉风冷或水冷设备,能是工件在加工的时候更加的稳定.意大利普瑞玛激光切割机主要由六个部件组成：机架，光路系统（激光机），电路，工作平台，水路，操作软件。 普瑞玛激光切割机原理
激光是一种光，与自然界其电发光一样，是由原子(分子或离子筝)跃迁产生的，而且是自发辐射引起勺。激光虽然是光，但它与普通光明显不同是激光仅在最初极短的时间内依赖于自发辐射，此后的过程完全由激辐射决定，因此激光具有非常纯正的颜色，几乎无发散的方向性,雕刻机，极高的发光强度。激光同时又具有高相干性、高强度性、高方向性，激光通过激光器产生后由反射镜传递并通过聚集镜照射到加工物品上，使加工物品（表面）受到强大的热能而温度急剧增加，使该点因高温而迅速的融化或者汽化，配合激光头的运行轨迹从而达到加工的目的。激光加工技术在广告行业的应用主要分为：激光切割、激光雕刻两种工作方式，对于每一种工作方式，我们在操作流程中有一些不尽相同的地方。 激光雕刻：主要是在物体的表面进行，分为位图雕刻和矢量雕刻两种：位图雕刻：我们先在PHOTOSHOP里将我们所需要雕刻的图形进行挂网处理并转化为单色BMP格式，而后在专用的激光雕刻切割软件中打开该图形文件。根据我们所加工的材料我们进行合适的参数设置就可以了，而后点击运行，激光雕刻机就会根据图形文件产生的点阵效果进行雕刻。 矢量雕刻：使用矢量软件如Coreldraw，AutoCad，Iluustrator等排版设计，并将图形导出为PLT，DXF，AI格式,打标机，然后再用专用的激光切割雕刻软件打开该图形文件，传送到激光雕刻机里进行加工。 在广告行业主要适用于木板、双色板、有机玻璃、彩色纸等材料的加工。 普瑞玛激光切割：我们可以理解为是边缘的分离。对这样的加工目的，我们应该先在CORELDRAW、AUTOCAD里将图形做成矢量线条的形式,气动打标机，然后存为相应的PLT、DXF格式，用激光切割机操作软件打开该文件，根据我们所加工的材料进行能量和速度等参数的设置再运行即可。
硅刻蚀技术简介 在半导体制程中，单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀，两种方法各有优劣，各有特点。 湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿法刻蚀过程为等向性。湿法刻蚀过程可分为三个步骤：1) 化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面；2) 刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应； 3) 反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出。 湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点。但相对于干法刻蚀，除了无法定义较细的线宽外，湿法刻蚀仍有以下的缺点：1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水；2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题；3) 光刻胶掩膜附着性问题；4) 气泡形成及化学腐蚀液无法完全与晶片表面接触所造成的不完全及不均匀的刻蚀。 基于以上种种原因，这里就以下三个方面着重介绍下干法刻蚀。 1、硅等离子体刻蚀工艺的基本原理 干法刻蚀是利用射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对硅片进行物理轰击及化学反应，以选择性的去除我们需要去除的区域。被刻蚀的物质变成挥发性的气体，经抽气系统抽离，最后按照设计图形要求刻蚀出我们需要实现的深度。 干法刻蚀可以实现各向异性，垂直方向的刻蚀速率远大于侧向的。其原理如图所示，生成CF基的聚合物以进行侧壁掩护，以实现各向异性刻蚀。 刻蚀过程一般来说包含物理溅射性刻蚀和化学反应性刻蚀。对于物理溅射性刻蚀就是利用辉光放电，将气体解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被蚀刻物的表面，而将被蚀刻物质原子击出（各向异性）。对于化学反应性刻蚀则是产生化学活性极强的原(分)子团，此原(分)子团扩散至待刻蚀物质的表面，并与待刻蚀物质反应产生挥发性的反应生成物（各向同性），并被真空设备抽离反应腔。 2、硅刻蚀工艺的要求
微型激光雕刻机使用说明 接线方法： 本雕刻机，是直接通过电脑USB口供电，并通过电脑来控制的。需要有两个线连接到电脑的USB口。 其中一条USB线，有一头是圆的，这是供电线。您可以轻易的把此线一头接到雕刻机的黑色圆型电源口上，一头接到电脑USB口上。 还有一条USB线，有一头是引出红、黑、白、蓝四根小线的。这是通信线，请把此线一头接到电脑USB口上，另一头接到雕刻机控制板的四根针上。在出货前，我们一般会把红黑白蓝四条小线，用电工胶布固定好相对位置，并写上标志，告诉您哪面朝上。如果我们忘了这么做，请您将红线，接到雕刻机控制板上那根标注为VCC的针脚上，黑色接到GND，蓝色接到RXD，白色接到TXD。 安装软件： 雕刻机需要安装驱动和软件才能使用。为了方便用户，我们已经把驱动和相关软件都集成做成了一个安装文件，请将雕刻机连接电脑后，运行与本说明书一起附带的“SetupLarser.exe”安装程序。安装程序非常简单，只需要点一次鼠标即可安装成功。需要注意的是，我们配套的软件只能在Windows XP,Window7下使用，如果你的电脑是Mac或是Linux系统，请咨询掌柜替换的方案。 雕刻第一个图案: 把雕刻机连接电脑，在雕刻机的中间的活动底板上，放上一张硬纸片。第一次请先用硬纸片，熟手后再换其他材料。纸片可以用胶布固定好。 在开始菜单中找到“微雕管家”，运行。
如果雕刻机已连接电脑，并成功安装了驱动。雕刻管家会自动找到端口号，如图中的COM26.（不同电脑的端口号不同的，换了不同的USB口，端口号也会不同） 如果你用的不是我们的制作雕刻机，也可以手工选择对应的端口。 点击“连接设备” 连接成功后，该按钮会变成“关闭”按钮，同时，右边的“开始”按钮会由灰色不可用，变成可用。点击“开始”就可以雕刻自带图案了。
https://www.doczj.com/doc/7d14915652.html, → 着硅珊ＭＯＳ器件的出现，多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作ＭＯＳ栅 极之外多晶硅还广泛应用于ＤＲＡＭ的深沟槽电容极扳填充，闪存工艺中的位线和字线。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术其中还包括浅槽隔离的单晶硅刻蚀和金属硅化物的刻蚀。为了满足越来越苛刻的要求，业界趋向于采用较低的射频能量并能产生低压和高密度的等离子体来实现硅的干法刻蚀。感应耦合等离子刻蚀技术（ＩＣＰ）被广泛应用于硅及金属硅化物刻蚀，具有极大技术优势和前景。它比典型的电容耦合（ＣＣＰ）等离子刻蚀技术高出１０￣２０倍。此外，其对离子浓度和能量的独立控制扩大了刻蚀工艺窗口及性能。 硅栅（Ｐｏｌｙ Ｇａｔｅ）的干法刻 蚀： 随着晶体管尺寸的不断缩小对硅栅的刻蚀就越具有挑战性。这种挑战体现在对关键尺寸（ＣＤ）及其均匀性的控制，即对栅氧化层选择比的提高，对剖面轮廓的一致性控制以及减少等离子导致的损伤。 因为受到光刻线宽的限制，为达到最后的ＣＤ 线宽要求往往需要先对光阻进行缩小处理，然后进一步往下刻蚀。ＢＡＲＣ打开后，再以光阻为阻挡层将ＴＥＯＳ 打开。 接着把剩余的光阻去除，再以ＴＥＯＳ作为阻挡层对硅栅进行刻蚀。为了保护栅极氧化层不被损伤，通常要把硅栅的刻蚀分成几个步骤：主刻蚀、着陆刻蚀和过刻蚀。主刻蚀通常有比较高的刻蚀率但对氧化硅的选择比较小。通过主刻蚀可基本决定硅栅的剖面 硅的干法刻蚀简介 应用材料中国，葛强 轮廓和关键尺寸。着陆刻蚀通常对栅极氧化层有比较高的选择比以确保栅极氧化层不被损伤。一旦触及到栅极氧化层后就必须转成对氧化硅选择比更高的过刻蚀步骤以确保把残余的硅清除干净而不损伤到栅极氧化层。 ＣＬ２，ＨＢｒ，ＨＣＬ是硅栅刻蚀的主要气体，ＣＬ２和硅反应生成挥发性的ＳｉＣｌ４而ＨＢｒ和硅反应生成的ＳｉＢｒ４ 同样具有挥发性。通常会在这些主刻蚀气体中加入小流量的氧气，一方面是为了在侧壁生成氧化硅从而增加对侧壁的保护；另一方面也提高了对栅极氧化层的选择比。在标准的ＩＣＰ双耦合刻蚀腔体中，ＨＢｒ－Ｏ２的组合通常能达到大于１００：１的选择比。为了避免伤及栅极氧化层，任何带Ｆ基的气体如ＣＦ４，ＳＦ６，ＮＦ３都不能在过刻蚀的步骤中使用。 浅沟槽（ＳＴＩ）的干法刻蚀： 在０．２５ｕｍ和以下的技术节点中，浅沟槽隔离技术被广泛应用。 因为它在减小表面积的同时提供更加有效的隔离。作为沟槽硅刻蚀的阻挡层可以直接用光阻但更多是采用氮化硅作为硅刻蚀的阻挡层。先用光阻作为氮化硅刻蚀的阻挡层，然后用氧等离子体将剩余的光阻除去，最后以氮化硅为阻挡层完成浅沟槽的刻蚀。 浅沟槽刻蚀的难点在于沟槽深度的匀度小于１００仯 饩拖嗟庇谛∮？．２５％ 的均匀性。随着硅片尺寸的增加要达到这样的要求就必须严格控制氮化过刻蚀、ＢＴ刻蚀和浅槽刻蚀的均匀性，每一步都会对最后的结果产生影响。其次为了满足沟槽隔离氧化物的填充要求，剖面轮廓的控制也是非常重要的环节。因 随 为太垂直的轮廓不利于ＨＤＰＣＶＤ的沉积，所以通常会要求适当的倾斜度。另外随着工艺尺寸的缩小，要求达到更高的深宽比使得剖面轮廓控制和深度均匀性控制受到更大的挑战．。当然ＣＤ 的均匀性和剩余氮化硅的均匀性也是重要的技术指标。 ＣＬ２和ＨＢｒ依然是浅沟槽的刻蚀的主要气体，再配合小流量的氧气和氮气来产生氮氧化硅形成侧壁钝化层从而达到理想的刻蚀剖面轮廓。氦气和氩气通常用作辅助稀释的作用。 另外浅槽底部轮廓同样影响到氧化物的填充。采用ＣＬ２ 做为主刻蚀的气体容易形成比较直的剖面轮廓和凸型的底部轮廓。采用ＨＢｒ 作为主刻蚀气体能得到比较斜的剖面轮廓和凹形的底部轮廓。 在实际生产中经常会遇到硅刻蚀的反应物没有被及时的清洗从而导致产品被污染的现象。这是因为硅片完成刻蚀离开反应腔时，在硅片的表面还有大量的Ｃｌ 和Ｂｒ 残留。 它们具有较强的挥发 性。当硅片暴露在空气中，空气中的水汽和ＣＬ、Ｂｒ形成ＨＣＬ和 ＨＢｒ。这些酸性物质会腐蚀和它们接触的表面形成一定程度的污染。为了防止这样的现象发生可以采用Ｏ２等离子清除表面的残留，或者利用腔体净化功能减少污染源。另外还应尽量减少硅片暴露在空气中的时间，尽快洗去表面污染物。 随着关键尺寸的不断缩小和硅片尺寸的扩大。先进的３００ｍｍ 硅刻蚀工艺腔体的气体和温度多采用内圈和外圈独立的控制以满足苛刻的工艺要求。可变的腔体尺寸也是业界的方向之一。腔体内环境的控制和不同硅片的一致性控制也是生产中最常遇到的问题。