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(完整版)集合综合练习题及答案

集合综合检测题

班级 ___________________ 姓名 __________________________ 、选择题（每小题5分，共50分）. 1 ?下列各项中，不可以组成集合的是

（

）

A ?所有的正数

B ?约等于2的数

C .接近于0的数

D .不等于0的偶数 2. 已知集合A { 1,1} , B {x|mx 1}，且A B A ，则m 的值为 (

)

A . 1

B .— 1

C . 1 或一1

D . 1 或一1 或 0

3. 设U = {1，2, 3, 4, 5}，若 A B ={2} , (C U A) B {4}，(5 A) G B) {1,5}，

则下列结论正确的是

( )

A . 3 A 且3

B B . 3 A 且3 B

C . 3 A 且 3 B

D . 3 A 且3 B 4. 以下四个关系： {0} , 0 , { }

{0} , E{0},其中正确的个数是(

)

A . 1

B . 2

C . 3

D . 4

5 .

下面关于集合的表示正确的个数是

( )

①{2,3} {3,2}; ②{(x,y) |x y 1} {y |x y 1}；

③{x| x 1} ={ y | y 1};④{x |x y 1} {y | x y 1}

A . 0

B . 1

C . 2

D . 3

6 . 下列四个集合中，是空集的是

(

)

A . {x|x 3 3} 2

B . {( x, y) | y

x ,x,y

R} C .

|x 2

0} D . {x| 2

| x x 1

7 . 设集合M {x|x

k 1 Kl ,k Z} , N

{x|x

k 1

-,k Z}, 则

(

)

2 4

4 2

A . M N

B . M 「N

C . N 」M

D . M N

8. 表示图形中的阴影部

分(

)

A . (A C) (

B C) B . (A B) (A C)

C . (A B) (B C)

D . (A B) C

设U 为全集，P,Q 为非空集合，且U ,下面结论中不正确的是（

）

A . (C U P) Q U

B . (

C U P) Q C . P Q Q

D . (C U Q) P

10 .已知集合 A 、B 、C 为非空集合，M=A A C , N=B A C , P=M U N ，贝U (

)

A . C A P=C

B .

C A P=P C . C A P=C U P

D . C A P= 二、填空题：请把答案填在题中横线上(每小题 5分，共20分).

14 .设集合 A {1,a,b}, B {a, a 2, ab},且 A=B ，求实数 a

11 .若集合{(x,y)|x y 2 0且 x 2y 4 0} {(x, y) | y 3x b}，则 b ________ .

12 .已知集合A {x|ax 2 3x 2

0}至多有一个元素，则a 的取值范围 _____________

13 .已知 A { 2, 1,0,1} , B {y|y

三、解答题：解答应写出文字说明、证明过程或演算步骤（共52分）.

15. （ 13 分）（1）P = {x|x 2 — 2x — 3 = 0} , S = {x|ax + 2 = 0}, S P ,求 a 取值?

（2） A = { — 2

16. （12分）在1到100的自然数中有多少个能被2或3整除的数?

17. （13分）在某次数学竞赛中共有甲、乙、丙三题，共 25人参加竞赛，每个同学至少解

出一题。在所有没解出甲题的同学中，解出乙题的人数是解出丙题的人数的 2倍;

只解出甲题的人数比余下的解出甲题的人数多 1人；只解出一题的同学中，有一半

没解出甲题，问共有多少同学只解出乙题？

18. （ 12分）用描述法表示图中的阴影部分（包括边界）

x,x A}，贝U B =

、CDBAC DBABB

12. a =0 或a - ; 13. {0,1,2} 14. —1, 0

、15.解：(1) a= 0,S= , P 成立 a 0, S ，由S P, P= {3 , —1}

参考答案

2 、

得3a + 2 = 0, a=——或一 a + 2 = 0, a =

2；

3 ??? a值为0或- I或2?

(2) B=，即m+ 1>2m—1, m<2 -A成立.

网2wa-1

卜2<溥+1

,由题意得l L■■ '■1得2<

??? m<2或2< me 3 即me 3为取值范围. 注：

(1)特殊集合作用，常易漏掉

(2)运用分类讨论思想，等价转化思想，数形结合思想常使集合问题简捷比.

16.解：设集合A为能被2整除的数组成的集合，集合B为能被3整除的数组成的集合,

则A B为能被2或3整除的数组成的集合，A B为能被2和3 (也即6)整除

的数组成的集合.

显然集合A中元素的个数为50,集合B中元素的个数为33,集合A B中元素的个数为16,可得集合A B中元素的个数为50+33-16=67.

17.分析：利用文氏图，见右图；

可得如下等式 a b c d e f g 25 ；

b f 2(

c f) ; a

e g 1 ;

A B d

b a

C c

a be ;联立可得b

.18?解：{(x,y)| 1 x xy

11. 2;

金工实习思考题和习题集

金工实习思考题和习题集吉林农业大学机制教研室、实习工厂 2006年5月9日

目录金工实习复习思考题．钳工复习思考题．车工复习思考题．刨工复习思考题．铣工复习思考题．磨工复习思考题．铸造复习思考题．锻压复习思考题．焊接复习思考题

钳工复习思考题 l、钳工工作的性质与特点？它包括哪些基本操作？ 2、什么是划线基准？选择划线基准的原则是什么？ 3、划线的目的是什么？ 4、划线工具有哪些？划线工具有几类？ 5、錾子一般用什么材料制造？刃口和头部硬度为什么不一样？ 6、粗、中、细齿锯条如何区分？怎样正确选用锯条？ 7、锯齿的前角、楔角、后角各约多少度？锯条反装后，这些角度有什么变化？对锯割有什么影响？ 8、锉刀的构造？锉刀的种类有哪些？根据什么原则选择锉刀的齿纹粗细、大小和截面形状？ 9平面锉削时常用的方法有哪几种？各种方法适用于哪种场合？锉削外圆弧面有哪两种操作方法？ 10、麻花钻的构造及各组成部分的作用？ 11、钻头有哪几个主要角度？标准顶角是多少度？ 12、钻孔时，选择转速和进给量的原则是什么？ 13、钻孔、扩孔和铰孔三者各应用在什么场合？ 14、什么叫攻螺纹？什么叫套螺纹？试简述丝维和板牙的构造？ 15、攻螺纹前的底孔直径如何确定？套螺纹前的圆杆直径如何确定？ 16刮削有什么特点和用途？刮削工具有哪些？如何正确使用？ 17、怎样检验刮削后的刮削质量？ 18、钳工常用錾子分哪几种？錾子的握法分哪几种？ 19、研磨的特点？ 2O、为什么套螺纹前要检查圆杆直径？圆杆直径大小应怎样确定？为什么圆杆要倒角？ 21、铰孔后，绞刀退刀时应 ---------。（ 1、正转； 2、反转； 3不转） 22、在某40钢制工件上欲加工一螺纹盲孔，尺寸为M12×1深30mm，应钻底孔直

《融合教育》测试题及答案(比较全)

总论部分测试题 01特殊需要学生 1、关于残疾学生特殊需要表述不正确的一项是选项1: 残疾会引发学习信息传递的特殊需要选项2: 残疾会引发学习目标调整的特殊需要选项3: 残疾会引发学习方式调整的特殊需要选项4: 残疾不引发学习环境调整的特殊需要 2、下列个体差异不会引发特殊教育需要的选项是选项1: 眼睛失明选项2: 听力失聪选项3: 智力低下选项4: 长相漂亮 3、关于特殊需要学生发展表述最恰当的一项是选项1: 特殊需要学生发展是一种非典型的发展选项2: 特殊需要学生发展是一种非正常的发展选项3: 特殊需要学生发展是一种非常态的发展选项4: 特殊需要学生发展是一种最典型的发展 4、关于学生的特殊需要表述不正确的一项是选项1: 特殊需要是指学生的特殊教育需要选项2: 特殊需要是指对特殊教育条件支持的需要选项3: 特殊需要是指学生有特殊的愿望和理想选项4: 特殊需要是因学生个体差异引发的特殊教育需要5、关于代偿表述不正确的一项是选项1: 双手丧失，可以用嘴含笔写字选项2: 盲人可以“以耳代目” 选项3: 聋人可以看话明意选项4: 智力低下可通过学习来提高智力 6、特殊需要学生鉴定流程正确的一项是选项1: 筛查干预诊断选项2: 干预筛查诊断选项3: 筛查诊断干预选项4: 诊断筛查干预7、关于特殊需要学生分类正确表述的一项是选项1: 多动症学生不属于特殊需要学生选项2: 天才学生属于因文化背景差异而有特殊需要的学生选项3: 因语言差异有特殊需要的学生属于狭义的分类选项4: 中国把残疾的类型分为七类 8、关于残疾分类表述正确的一项是选项1: 中国残疾分类的类别为比美国多选项2: 美国残疾分类为类为7种选项3: 我国台湾的残疾分类比美国少选项4: 智力残疾是精神残疾的一种 9、关于残疾对学生发展影响表述不正确的一项是选项1: 残疾会影响学生许多领域的发展选项2: 视力残疾会影响学生的定向运动选项3: 听力残疾会影响学生的言语发展选项4: 智力残疾不影响学生的生活自理 10、关于残疾学生鉴定原则表述不正确的一项是选项1: 公正性选项2: 科学性选项3: 全面性选项4: 灵活性 02融合教育 1、关于我国特殊教育安置形式表述正确的一项是：选项1: 只适合安置在特殊教育学校选项2: 只适合安置在普通学校特殊班选项3: 只适合安置在普通学校普通班选项4: 包括以上三种形式 2、关于特殊教育理解正确的一项是：选项1: 特殊教育特殊在其安置形式上是隔离的选项2: 特殊教育特殊在需要建立一些专门的学校选项3: 特殊教育特殊在学生有不同的个体差异选项4: 特殊教育特殊在学生有特殊的教育需要 3、关于特殊教育融合发展进程表述正确的一项是：选项1: 正常化——回归主流（一体化）——全纳选项2: 回归主流——正常化（一体化）——全纳选项3: 全纳——回归主流（一体化）——正常化选项4: 正常化——全纳——回归主流（一体化）

思考题集

第六章电力系统的无功功率和电压调整 1）无功功率电源有哪些？哪些可以平滑调节？无功功率电源：发电机、电容器、调相机、静止补偿器。可以平滑调节：调相机、静止补偿器 2）限制冲击负荷电压波动的措施是什么？（a）设置串联电容器、（b）设置调相机和电抗器、（c）设置静止补偿器 3）什么是电力系统的逆调压、顺调压、常调压？逆调压：在高峰负荷时升高中枢点电压、低谷负荷时降低中枢点电压的电压调整方式。在高峰负荷时将中枢点电压升高至105%UN，低谷负荷时将中枢点电压降为额定电压UN。顺调压：在高峰负荷时允许中枢点电压略低，而低谷负荷时却允许中枢点电压略高的调压方式。采用顺调压，高峰负荷时中枢点电压允许不低于102.5%U N，低谷负荷时中枢点电压允许不高于107.5%U N。常调压：任何负荷下保持中枢点电压为一基本不变的数值。适用于负荷变动小、线路上电压损耗小的情况。常调压方式，电压保持为(102%-105%)U N。4）选择变压器分接头进行调压的特点是什么？系统中无功功率必须充足才有效，否则必须用其他措施；不需要附加设备。 5）电力系统的电压调节有几种主要措施？借改变发电机端电压调压；借改变变压器变比调压；借补偿设备调压；组合调压。第五章电力系统的有功功率和频率调节（1）负荷变动规律有几种，如何调整？有功负荷随时间变动规律分解为三种。第一种变动：幅度小、周期短。无法预测(随机)，靠发电机调速器调整，称一次调整。自动进行。第二种变动：幅度较大、周期较长。冲击性负荷。靠发电机调频器调整，称二次调整。可手动、自动。第三种变动：幅度最大、周期最长。可预测，生产、生活引起，称三次调整。优化分配负

集成电路工艺原理(考试题目与答案_广工版)

1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？答：包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。 2、切片可决定晶片的哪四个参数/ 答：切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。 3、硅单晶研磨清洗的重要性。答：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率 45、什么是低K材料？答：低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料 46、与Al 布线相比，Cu 布线有何优点？答：铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。 4、硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？清洗顺序？答：被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干 5、硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀，腐蚀的方法有哪些？答：工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染腐蚀方式：喷淋及浸泡 6、CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些过程？答：包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光 7、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属于哪一类？答：二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。 8、何谓掺杂？答：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。 9、何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO2密度有何影响？答：连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。桥联的氧原子数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松 10、氧化硅的主要作用有哪些？答：1、作为掩膜，2、作为芯片的钙化和保护膜，3、作为电隔离膜，4、作为元器件的组成部分。 11、SiO2中杂质有哪些类型？答：替代式杂质、间隙式杂质 12、热氧化工艺有哪些？答：有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化 13、影响氧化速率的因素有？答：温度、气体分压、硅晶向、掺杂 14、影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？降低这些电荷浓度的措施? 答：1）可动离子电荷（Qm）：加强工艺卫生方可以避免Na+沾污；也可采用掺氯氧化，固定Na+离子；高纯试剂 2）固定离子电荷Qf ：（1）采用干氧氧化方法（2）氧化后，高温惰性气体中退火

三年级上册思考题集有答案

三年级上册思考题集有答案集团文件版本号：（M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988）

（1）相邻两棵树之间的距离相等，小红从第一棵跑到第16棵树，共跑了150米，小华从第7棵树跑到第29棵树，小华共跑了多少米。答案：从第1棵跑到第16棵实际跑15个“株距”（相邻两棵树之间的距离），所以：（1）两棵树之间的距离： 150÷（16－1）=10（米）（2）从第7棵树跑到第29棵树： 10×（29－7）=220（米）答：小华共跑了220米。（2）下面算式中的“数”、“学”、“俱”、“乐”、“部”这五个汉字各应该代表什么数字？ 1 数学俱乐部 × 3 数学俱乐部 1 数=（）学=（）俱=（）乐=（）部=（）答案：从个位上看，3乘一个数积出现1的只有3×7=21，所以部=7，向十位进2，十位上“乐×3＋2”的结果出现7，乐=5；向百位进1，百位上“俱×3＋1“的结果出现5，俱=8；向千位进2，千位上“学×3＋2”结果出现8，学=2；万位上“数×3”结果是2，数=4；向十万位进1，刚好十万位上“1×3＋1=4”，符合题目要求。因此：数=（ 4）学=（ 2）俱=（ 8）乐=（ 5）部=（7）（3）小红剪一个窗花要4分钟，每剪好一个后，她会休息1分钟，她剪好10个窗花要用多长时间？

答案：每剪一个窗花加休息需要（4＋1）分钟，但第10个窗花剪好后结束就完成任务了，所以第10个窗花不用算休息时间，所以：方法一：每个窗花加休息： 4＋1=5（分钟）一共： 5×9＋4=49（分钟）方法二：剪10个窗花 4×10=40（分钟）一共（需要休息9次）： 40＋9=49（分钟）方法三：每个窗花加休息： 4＋1=5（分钟） 10个窗花一共： 5×10=50（分钟）最后一个窗花不用休息： 50－1=49（分钟）（4）四（1）班有49本书，分给三个小组，第一组比第二组多4本，第二组比第三组多6本，第三组分得（）本。答案：三组”了，这样除以3就能知道第三组有多少本。 49－（6＋4）－6=33（本） 33÷3=11（本）（5）有五个人，每两个人通一次电话，一共要通（（6）王老师带了32个同学一起玩激流勇进，每条船最多坐4人，至少要租多少条船？

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

融合教育知识竞赛单项选择题

融合教育知识竞赛单项选择题 10、 2005 年 4 月初，国家教育部、中国残联、团中央、全国妇联联合发出通知，号召全国青少年向身残志坚的书画家（）学习。李智华 10、 2006 年第二次全国残疾人抽样调查残疾标准把肢体障碍等级分为四级 10、某男孩智商为48分，按智力障碍程度来分，该男孩属于（）智力落后。中度17．2006年第二次全国残疾人抽样调查残疾标准把肢体障碍等级分为（）四级 25．2005年4月初，国家教育部、中国残联、团中央、全国妇联联合发出通知，号召全国青少年向身残志坚的书画家（）学习。李智华 3、我们普遍认为自闭症在（）岁之前，比较容易发现。三岁 7、( 1)岁以前失明的儿童视觉表象极易消失？选项1: 5岁 7、依据美国与台湾对情绪行为障碍的定义，下列哪一个不是情绪行为障碍儿童的诊断因素？选项2: 智力的高低 8、1992年，美国智力落后协会（AAMR）根据（）对智力障碍儿童进行分类。智商分数 9、 2006 年第二次全国残疾人抽样调查残疾标准把肢体障碍等级分为（）四级 b 班级经营是为特殊学生创造一个支持性环境融合学习的重要手段，班级经营包括：同学关系经营、物理环境规划、亲师沟通、班级团辅、多层次教学 b班级经营是为特殊学生创造一个支持性环境融合学习的重要手段，班级经营包括：（）同学关系经营、物理环境规划、亲师沟通、班级团辅、多层次教学 c 常用的ASD行为和教育干预的方法有以上都是 d 对于听觉障碍儿童人们有不同的称呼，以下称呼中最科学的一项是听力残疾儿童 d 对肢体障碍儿童的评量应该坚持的原则（）医教结合和全面评估 d 对智障儿童非学术型课程（如体育、音乐）的学习应该依据智障儿童的实际学习能力做调整 d 多重障碍儿童（尤其是脑损伤的儿童）的( 4 ) 能力较差，他们很难对事物进行观察、比较、分析、综合、抽象、概括、判断和推理。选项4: 抽象思维 d 多重障碍儿童的教育内容主要考虑两方面内容：学科学习和( 1 )。选项1: 适应性技能 d 多重障碍儿童的教育原则当中，( 4 ) 原则是指尽管个体不能独立地完成任务或活动的每一步，但可以教他们完成其中的一部分或是完成经过改进的任务版本。部分参与 d 多重障碍可以按照两个系统来进行分类，一种是以儿童身上所具有的( 3 )进行分类；另一种是以儿童身上所具有的障碍数量来分类。选项3: 主要障碍

机械设计思考题集讲解

机械设计思考题集第一章机械设计总论 1.机械设计的基本要求？机械设计的准则？常用的机械设计方法有哪些？ 2.什么叫机械零件的失效？机械零件失效的形式有哪些？机械零件失效的原因？ 3.表面损伤失效的分类，及其成因以及避免措施？表面强化？表面强化深度的影响因素，如何控制其强化深度？ 4.什么是标准化、系列化、和通用化？机械设计中“三化”有什么意义？第二章机械零件的强度 1.作用在机械零件上的变应力有哪几种类型？如何区分它们？ 2.何为工作载荷、名义载荷、和计算载荷？名义载荷与计算载荷有和关系？ 3怎样区分表面挤压应力和表面接触应力？试说明两圆柱体接触应力计算公式中各符号的意义。 4.什么是静载荷、变载荷、和变应力？试举出两个机械零部件在工作时受静载荷作用而产生变应力的例子？ 5．什么是稳定变应力和非稳定变应力？双向稳定变应力下机械零件的疲劳强度计算如何进行？ 6.什么是材料的疲劳极限？试根据材料的疲劳曲线（σ-N曲线），说明什么叫循环基数Ν0、条件疲劳极限N rN和疲劳极限σr，并根据疲劳曲线方程导出N rN 的计算公式。极限应力线图有何用处？ 7.影响机械零件疲劳强度的主要因素有哪些？原因是什么？为什么影响因素中的Kσ、εσ、β只对变应力的应力幅部分有影响？如何提高机械零件的疲劳强度？ 8.疲劳破坏与静强度破坏的区别？试述金属材料疲劳断裂的过程？摩擦与润滑 9.何谓摩擦？常见润滑方式有哪几种？各有何特点？ 10.何谓磨损？按机理不同，磨损可分为哪几类？各有何特点？减轻磨损的途径有哪些？

11.零件的正常磨损分为几个阶段？每阶段各有何特点？试画出正常磨损过程中磨损量随时间变化的曲线图？ 12.润滑油、润滑脂各有何主要性能指标？如何理解黏度的概念？ 13.润滑有何作用？常用润滑剂有哪几类？各适用什么场合？ 14.润滑剂黏度对摩擦的影响？温度压力变化对润滑油粘度的影响？ 15．在进行机械零件有限寿命的疲劳强度计算时，需将材料的疲劳曲线修正成零件的疲劳曲线。有几种修正方法？各有何优缺点? 第三章螺纹连接 0.常用螺纹分类？各有什么特点？其应用场合是什么？ 1.螺纹连接的主要失效形式有哪些？ 2.螺栓组连接受力分析的目的是什么？在进行受力分析时，通常要做哪些假设条件？螺栓柱连接结构设计应考虑哪些方面的问题？ 3提高螺纹连接强度的措施有哪些？ 4.受拉伸载荷作用的紧螺栓联接中，为什么总载荷不是预紧力和拉伸载荷之和？对于受轴向变载荷作用的螺栓，可以采取哪些措施来减小螺栓应力σa？ 5.在螺纹连接中，螺纹牙间载荷分布为什么会出现不均匀现象？常用哪些结构可使螺纹牙间载荷分布趋于均匀？ 6.什么是螺栓的预紧？螺纹预紧的目的是什么？列举常用的预紧的方法？ 7.为什么对重要联接要控制预紧力大小？控制预紧力大小的方法有哪几种？ 8.螺纹的防松？为什么螺纹连接需要防松？防松的实质是什么？有哪几类防松措施？ 9.在重要的紧螺栓联接中，为什么尽可能不用小于 M12～M16 的螺纹？ 10．提高螺栓疲劳强度的措施有哪些？为什么增大被连接件刚度或减小螺栓刚度能提高螺栓联接强度？并画出被连接件刚度改变后的力——变形图。降低螺栓刚度C b及增大被连接件刚度C m的措施有哪些？ 11.为改善螺纹牙上载荷分配不均现象，常采用悬置螺母或内斜螺母，是分析其原因？ 12.偏心载荷对螺栓连接强度有什么影响？常采用哪些措施防止偏心载荷出现？ 13.紧螺栓连接强度计算公式中系数1.3的含义是什么？

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。此过程称为“长晶”。硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

江苏省中小学教师“融合教育知识”试题及参考答案

“特殊需要学生的融合教育”网络培训测试题（一）总论01.《特殊需要学生》测试1、?题型：单选题?分值：10 关于残疾学生特殊需要表述不正确的一项是（4）选项1: 残疾会引发学习信息传递的特殊需要选项2: 残疾会引发学习目标调整的特殊需要选项3: 残疾会引发学习方式调整的特殊需要选项4:?残疾不引发学习环境调整的特殊需要 2、?题型：单选题?分值：10 下列个体差异不会引发特殊教育需要的选项是（4）选项1: 眼睛失明选项2: 听力失聪选项3: 智力低下选项4:?长相漂亮 3、?题型：单选题?分值：10 关于特殊需要学生发展表述最恰当的一项是（1）选项1:?特殊需要学生发展是一种非典型的发展选项2: 特殊需要学生发展是一种非正常的发展选项3: 特殊需要学生发展是一种非常态的发展选项4: 特殊需要学生发展是一种最典型的发展 4、?题型：单选题?分值：10 关于学生的特殊需要表述不正确的一项是 (3) 选项1: 特殊需要是指学生的特殊教育需要选项2: 特殊需要是指对特殊教育条件支持的需要选项3:?特殊需要是指学生有特殊的愿望和理想选项4: 特殊需要是因学生个体差异引发的特殊教育需要 5、?题型：单选题?分值：10 关于代偿表述不正确的一项是（4）选项1: 双手丧失，可以用嘴含笔写字选项2: 盲人可以“以耳代目” 选项3: 聋人可以看话明意选项4:?智力低下可通过学习来提高智力 6、?题型：单选题?分值：10 特殊需要学生鉴定流程正确的一项是（1）选项1:?筛查?干预?诊断选项2: 干预筛查诊断选项3: 筛查诊断干预选项4: 诊断筛查干预 7、?题型：单选题?分值：10 关于特殊需要学生分类正确表述的一项是（4）选项1: 多动症学生不属于特殊需要学生选项2: 天才学生属于因文化背景差异而有特殊需要的学生选项3: 因语言差异有特殊需要的学生属于狭义的分类选项4:?中国把残疾的类型分为七类

通用技术思考题集

1、反思总结通用技术课程的学习过程，思考并完成下列两组任务第一组：任务1说明你关注的第一个重要问题，任务2说明自己对该问题的认识或观点第二组：任务1说明你关注的第二个重要问题，任务2说明自己对该问题的认识或观点答：第一组任务1：技术更新对设计产生重要影响，技术的发展离不开设计，但技术条件的限制，往往制约着设计的发展，而技术的更新发展，才为设计创新提供了条件任务2：当今信息社会，电脑已逐渐普及，现在市场上的一些笔记本电脑特别是上网本，体积和我们的书本一样大，但功能且相当丰富，回想老师跟我们讲的第一台电脑，它有十间房子大，重30吨，这简直是天壤之别，然而，正式超大规模集成电路技术发展，才使得今天设计的电脑体积越来越小、功能越来越强。第二组任务1：我们希望某一事物按照自己的医院发展就要对其进行干预，这种根据自己的目的，通过一定的方法使事物沿着某一确定的方向发展，就形成了控制。任务2：在日常生活中，我们都在有意无意地进行控制，骑自行车时，如果觉得车速太快，我们会使用刹车时车速正常，当感觉室内亮度不够时，我们就会打开电灯，使屋内明亮，当我们的学习成绩不够理想时，我们就会增加学习时间或改进学习方法，以提高学习成绩。 2、反思总结通过技术课程的学习过程，思考并完成下列两组任务第一组：任务1说明你关注的第一个重要收获，任务2说明该收获对自己的意义第二组：任务1说明你关注的第二个重要收获，任务2说明该收获对自己的意义答：第一组任务1：弄清了科学与技术的关系，科学是从各种事物和现象中去发现规律，并给与验证的知识体系：技术是人类为了满足自身的需要和愿望对大自然进行的改造任务2：科学与技术既有区别，又有紧密联系。科学的任务是认识世界，力求有所发现，回答为什么的问题，技术的任务是改造世界，力求有所发明，解决怎么办的问题，比如嫦娥奔月活动从任务上讲是对月球进行科学探索，而从过程上讲，他是航天技术的发展和应用。技术来源于实践经验的总结和科学原理的指导，二者联系紧密，可以说，科学促进了技术的发展，技术推动了科学的发展，我们今天要好好学习科学文化，将来才有更多的家属创新。第二组任务1：弄清了常见结构的分类，根据物体结构形态在受力时承受和传递力的方式的差别，，一般可将结构分成3种基本类型，实体结构、框架结构和壳形结构任务2：实体结构：利用自身来承受自身的荷载，主要承受压力框架结构：通过条状物体的连接来承受荷载，即可承受压力又能承受拉力壳形结构：通过壳形来传递力和承载荷载，特别是当壳顶受到压力时，它能将力均匀扩散 3、反思总结通过技术课程的学习过程，思考并完成下列两组任务

《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题2016

一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积 20．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 21．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。 22．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 23．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。

中小学教师融合教育知识网络竞赛试题及参考答案剖析

教师融合教育知识网络竞赛试题及参考答案（之一）《特殊需要学生的融合教育》一.是非题：* 1．自闭症学生的智力很多是较低，也有一些学生智力是超常的。（）是 2．智力障碍儿童没有明显的社会生活适应能力障碍（）否 3．我国对情绪与行为障碍的界定多从人格障碍出发，从情绪与行为两者之间的关系来讲，更倾向于从行为的外在表现来进行界定。（）是 4．患有视野狭窄症的个体所看见的景象，就好像他们是透过长管子看东西似的。（）是5．学习障碍是一种遗传疾病（）否 6．我国对情绪与行为障碍的界定多从人格障碍出发，从情绪与行为两者之间的关系来讲，更倾向于从行为的外在表现来进行界定。（）是 7．听障学生的教育目标只需适应他们特殊的教育需要，不需考虑一般少年儿童成长规律。（）是或否都是错 8．既然自闭症学生有很多是智力低下，那么在普通学校中就读意义不大。（）否9．学习障碍是一种遗传疾病（）否 10．学习障碍的学生应该独立编班。（）否 11．若要鉴定一个学生为单纯的情绪障碍，还必须要排除智力因素，个体必须是智力正常。（）是 12．频率越高，人耳听到的声音音调也越高；频率越低，听到的声调也越低。（）是13．物理和职业治疗师对于这些儿童的运动技能和灵活性的发展发挥着重要的作用。他们并不需要与教师.其他专家.家长们共同协作。（）否 14．生活自理是一般儿童发育最早的人类技能，视觉障碍孩子没有大人的指导一样可以掌握好。（）是 15．对于那些在语言表达上存在困难的肢体障碍儿童，应该为他们提供扩音器或其他替代性的沟通系统，最常见的扩音和语言交流装置是沟通板和带有综合性言语输出能力的相关电子设备。（）是 16．视觉障碍学生是指因视力损失原因或视野缩窄，无法像其它一般学生一样进行学习.工作与活动（）是或否都是错 17．一个听力损失90%以上的人，可以听到较大声的谈话。（）是 18．学习障碍具有内隐性，学习障碍是大脑功艺出现异常，大脑不趁直接观察到，人们直接观察的是学习成绩.行为特征。（）是 19．积极的面对情绪行为障碍学生问题挑战的关键是态度，即区别性接纳和同感关系的建立。（）是 20．智力障碍不是单独一种疾病，而是多种原因所致的综合征。（）是 21．家校合作对支援有特殊教育需要的学生，起不到太大的作用。（）是或否都是错22．运动障碍是肢体障碍者最主要的障碍表现，所有肢体障碍者都存在不同程度的运动功能障碍。（）是 23．因发育迟缓.神经系统的病变，或者骨骼关节系统异常或残缺，而丧失其部分或全部的功能，导致在日常生活上，无论衣.食.住.行.教育与职业适应各方面发生困难者，就称为肢体障碍（）。是或否都是错 24．情绪与行为障碍学生的类型可分为非社会性行为.反社会性行为两类（）是二.单选题* 1．自闭症最早是（）学者发现的。Leo Kanner 2．助听器保护最重要的因素是：（）防潮 3．智力障碍的儿童的盛行率，按智力常态分布曲线计算应该为（）２．２７％4．语言残疾是指由于各种原因，导致不能说话或语言障碍，从而难能与一般人进行正常的语言交往活动。这一概念包括：（）严重口吃 5．我国（）法保障了自闭症学生的接受教育的权利。《中华人民共和国残疾人保障法》6．听觉障碍学生思维最大的特点是：（）直观形象思维 7．某小学四年级学生胡某，进行韦氏儿童智力量表测试，IQ为72，属（）智力

物理实验思考题答案

光学实验思考题集一、薄透镜焦距的测定 ⒈远方物体经透镜成像的像距为什么可视为焦距答：根据高斯公式v f u f '+＝1，有其空气中的表达式为'111f v u =+-，对于远方的物体有u ＝－，代入上式得f′＝v ，即像距为焦距。 ⒉如何把几个光学元件调至等高共轴粗调和细调应怎样进行答：对于几个放在光具座上的光学元件，一般先粗调后细调将它们调至共轴等高。 ⑴ 粗调将光学元件依次放在光具座上，使它们靠拢，用眼睛观察各光学元件是否共轴等高。可分别调整： 1) 等高。升降各光学元件支架，使各光学元件中心在同一高度。 2) ； 3) 共轴。调整各光学元件支架底座的位移调节螺丝，使支架位于光具座中心轴线上，再调各光学元件表面与光具座轴线垂直。 ⑵细调（根据光学规律调整）利用二次成像法调节。使屏与物之间的距离大于４倍焦距，且二者的位置固定。移动透镜，使屏上先后出现清晰的大、小像，调节透镜或物，使透镜在屏上成的大、小像在同一条直线上，并且其中心重合。 ⒊能用什么方法辨别出透镜的正负答：方法一：手持透镜观察一近处物体，放大者为凸透镜，缩小者为凹透镜。方法二：将透镜放入光具座上，对箭物能成像于屏上者为凸透镜，不能成像于屏上者为凹透镜。 ⒋测凹透镜焦距的实验成像条件是什么两种测量方法的要领是什么答：一是要光线近轴，这可通过在透镜前加一光阑档去边缘光线和调节共轴等高来实现；二是由于凹透镜为虚焦点，要测其焦距，必须借助凸透镜作为辅助透镜来实现。物距像距法测凹透镜的要领是固定箭物，先放凸透镜于光路中，移动辅助凸透镜与光屏，使箭物在光屏上成缩小的像（不应太小）后固定凸透镜，记下像的坐标位置（P ）；再放凹透镜于光路中，并移动光屏和凹透镜，成像后固定凹透镜（O 2），并记下像的坐标位置（P′）；此时O 2P ＝u ，O 2P′＝v 。用自准法测凹透镜焦距的要领是固定箭物，取凸透镜与箭物间距略小于两倍凸透镜的焦距后固定凸透镜（O 1），记下像的坐标位置（P ）；再放凹透镜和平面镜于O 1P 之间，移动凹透镜，看到箭物平面上成清晰倒立实像时，记下凹透镜的坐标位置（O 2），则有f 2 ＝O 2P 。 ⒌共轭法测凸透镜焦距时，二次成像的条件是什么有何优点 @ 答：二次成像的条件是箭物与屏的距离D 必须大于4倍凸透镜的焦距。用这种方法测量焦距，避免了测量物距、像距时估计光心位置不准所带来的误差，在理论上比较准确。 6．如何用自准成像法调平行光其要领是什么答：固定箭物和平面镜，移动箭物与平面镜之间的凸透镜，使其成清晰倒立实像于

集成电路工艺原理试题总体答案

目录一、填空题（每空1分，共24分） (1) 二、判断题（每小题1.5分，共9分） (1) 三、简答题（每小题4分，共28分） (2) 四、计算题（每小题5分，共10分） (4) 五、综合题（共9分） (5) 一、填空题（每空1分，共24分） 1.制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。 2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。 3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。 4.高纯硅制备过程为氧化硅→粗硅→ 低纯四氯化硅→ 高纯四氯化硅→ 高纯硅。 5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。 6.提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。 7.常规的硅材料抛光方式有：机械抛光，化学抛光，机械化学抛光等。 8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。 9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、磷、砷（As）、锑（Sb）等元素具有掩蔽作用。 10.在SiO2内和Si- SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。 11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。 12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足余误差函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足高斯分布函数分布。 13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。 14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。 15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。 16.真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。 17.自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。 18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。 19.溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、偏压溅射、磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）等。 20.常用的溅射镀膜气体是氩气（Ar）,射频溅射镀膜的射频频率是13.56MHz。 21.CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？热能、等离子体、光能等。 22.根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：气相外延、液相外延、固相外延。 23.硅气相外延的硅源有四氯化硅（SiCl4）、三氯硅烷（SiHCl3）、二氯硅烷（SiH2Cl2）、硅烷（SiH4）等。 24.特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括高分辨率、高灵敏度的光刻胶、低缺陷、精密的套刻对准、对大尺寸硅片的加工等五个方面。 25.常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。 26.光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有溶解度、温度、甩胶时间、转速。 27.控制湿法腐蚀的主要参数有腐蚀液浓度、腐蚀时间、腐蚀液温度、溶液的搅拌方式等。 28.湿法腐蚀Si所用溶液有硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液、KOH溶液等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是HF溶液，腐蚀 Si3N4常用的腐蚀剂是磷酸。 29.湿法腐蚀的特点是选择比高、工艺简单、各向同性、线条宽度难以控制。 30.常规集成电路平面制造工艺主要由光刻、氧化、扩散、刻蚀、离子注入（外延、CVD、PVD）等工艺手段组成。 31.设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要埋层光刻、隔离光刻、基区光刻、发射区光刻、引线区光刻、反刻铝电极等六次光刻。 32.集成电路中隔离技术有哪些类？二、判断题（每小题1.5分，共9分） 1.连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体（×） 2.管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。（√） 3.当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错（√） 4.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。（×） 5.热氧化生长的SiO2都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO2中有离子键成份，氧空位表现为带正

集成电路制造工艺流程

集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.。采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。此过程称为“长晶”。硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

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