公司名称地区产量
片
/200
9
片
/200
8
员工
人数
原材料类型
ADV Solar Power 中国大陆单晶硅片, 多晶硅片CSI阿特斯中国大陆1200 多晶硅片
安徽华顺半导体发展有限公司中国大陆300(1
000)
单晶硅片
安徽日能中天半导体发展有限公司中国大陆150 单晶硅片, 多晶硅片安徽新鑫太阳能科技有限公司中国大陆70 单晶硅片
安徽中科太阳能有限公司中国大陆80 单晶硅片
安阳市凤凰光伏科技有限公司中国大陆2001000 多晶硅片
保利协鑫能源控股有限公司香港多晶硅片
北京京运通科技股份有限公司中国大陆500-6
00
单晶硅片, 多晶硅片
昌盛光伏科技(中国)有限公司中国大陆100 多晶硅片
常州华盛恒能光电有限公司中国大陆80 单晶硅片
常州美晶太阳能材料有限公司中国大陆260 单晶硅片
常州市新世纪电子有限公司中国大陆单晶硅片
常州天合光能有限公司中国大陆4500 单晶硅片, 多晶硅片常州亿晶光电科技有限公司中国大陆3000 单晶硅片
常州益鑫新能源科技有限公司中国大陆40-50 单晶硅片
常州有则科技公司中国大陆36m200 单晶硅片, 多晶硅片成都青洋电子材料有限公司中国大陆70 单晶硅片
慈溪市宏宇电器有限公司中国大陆200(2
30)
单晶硅片
達能科技股份有限公司台湾多晶硅片
大全新能源有限公司中国大陆单晶硅片, 多晶硅片德州奥德新能源有限公司中国大陆单晶硅片
峨嵋半导体材料厂/峨嵋半导体材料研究中国大陆1200 单晶硅片
所
高佳太阳能(无锡)有限公司中国大陆1000 单晶硅片, 多晶硅片光为绿色新能源有限公司中国大陆500 多晶硅片
广宇科技集团有限公司(珠海天宝科技有
限公司)
中国大陆80 单晶硅片
海润光伏科技股份有限公司中国大陆800(1
800)
单晶硅片, 多晶硅片
杭州艾诺基太阳能科技有限公司中国大陆200 单晶硅片, 多晶硅片
合肥中南光电有限公司中国大陆297(3
48)
多晶硅片
合晶科技股份有限公司台湾单晶硅片河北华尔半导体材料有限公司中国大陆300 单晶硅片河北吉杰太阳能科技有限公司中国大陆单晶硅片
河南欧美亚光伏太阳能有限公司中国大陆300(3
80)
单晶硅片
湖北晶星科技股份有限公司中国大陆550 单晶硅片
湖南华威太阳能高科技有限公司中国大陆100 单晶硅片, 多晶硅片
湖州晶能电子科技有限公司中国大陆60(80
)
单晶硅片
湖州新元泰微电子有限公司中国大陆200 单晶硅片
辉煌硅能源(镇江)有限公司中国大陆2000 单晶硅片, 多晶硅片佳科太阳能硅(厦门)有限公司中国大陆多晶硅片
珈伟太阳能(中国)有限公司中国大陆1150 单晶硅片
嘉兴嘉晶电子有限公司中国大陆200 单晶硅片, 多晶硅片嘉兴明通光能科技有限公司中国大陆100 单晶硅片
嘉兴市昌峰电子科技有限公司中国大陆65 单晶硅片
嘉兴市恒瑞能源科技有限公司中国大陆150 单晶硅片
嘉兴五神光电材料有限公司中国大陆300 单晶硅片, 多晶硅片江苏创大光伏科技有限公司中国大陆单晶硅片
江苏海尚新能源材料有限公司中国大陆30 单晶硅片
江苏海翔新能源科技有限公司中国大陆230 单晶硅片
江苏宏大光电科技有限公司中国大陆300(5
000)
单晶硅片
江苏虹光新能源发展有限公司中国大陆80 单晶硅片江苏虎威半导体科技有限公司中国大陆50 单晶硅片江苏巨日太阳能电力有限公司中国大陆160 单晶硅片
江苏聚能硅业有限公司中国大陆457(6
00)
单晶硅片
江苏顺大集团中国大陆[2000
]
单晶硅片
江苏腾大光电有限公司中国大陆500 单晶硅片
江苏天元光电发展有限公司中国大陆110 单晶硅片
江苏鑫和泰光伏有限公司中国大陆单晶硅片
江苏永兴光能股份有限公司中国大陆1000 单晶硅片, 多晶硅片
江苏正信新能源科技有限公司中国大陆300(1
000)
单晶硅片
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司中国大陆1700
多晶硅片
江西威富尔新能源科技有限公司中国大陆800(1
000)
单晶硅片, 多晶硅片
江西旭阳雷迪高科技股份有限公司中国大陆400(2
500)
多晶硅片
江阴久盛科技有限公司中国大陆80 单晶硅片
江阴市爱多光伏科技有限公司中国大陆150 单晶硅片, 多晶硅片
江阴市博兰特光伏科技有限公司中国大陆50(15
0)
单晶硅片
金湖县常盛晶硅有限公司中国大陆单晶硅片
晋城市鸿诺光电有限公司中国大陆150(1
87)
单晶硅片
京果矽能源股份有限公司台湾单晶硅片
晶科能源有限公司中国大陆1600 单晶硅片, 多晶硅片晶龙实业集团有限公司中国大陆7000 单晶硅片
晶威太阳能电力有限公司中国大陆600 单晶硅片, 多晶硅片晶耀光電科技股份有限公司台湾单晶硅片, 多晶硅片
精功绍兴太阳能技术有限公司中国大陆110 多晶硅片
开化凯悦硅电子有限公司中国大陆50 单晶硅片
昆山中辰矽晶有限公司中国大陆单晶硅片, 多晶硅片藍天開國有限公司(香港) 中国大陆75 多晶硅片
连云港佳宇电子材料科技有限公司中国大陆单晶硅片, 多晶硅片
綠晶光能科技有限公司台湾20(30
)
单晶硅片
綠能科技股份有限公司台湾750 多晶硅片
洛阳单晶硅有限责任公司中国大陆1000 单晶硅片
麦斯克电子材料有限公司中国大陆400 单晶硅片
茂迪股份有限公司台湾单晶硅片, 多晶硅片内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司中国大陆800 单晶硅片
内蒙古中环光伏材料有限公司中国大陆单晶硅片
宁波波罗特光伏电子有限公司中国大陆单晶硅片
宁波晶龙电子科技有限公司中国大陆40 单晶硅片
宁波晶元太阳能有限公司中国大陆100 多晶硅片
宁波科论太阳能有限公司中国大陆50 单晶硅片
宁波市北仑润峰光电科技有限公司中国大陆单晶硅片
宁波重天新能源科技有限公司中国大陆单晶硅片
青海华硅能源有限公司中国大陆253 单晶硅片, 多晶硅片衢州市东宇石英制品有限公司中国大陆单晶硅片
日晶科技有限公司中国大陆350 单晶硅片, 多晶硅片山东东阿宏晶科技有限公司中国大陆110 单晶硅片
山东晶威特电子科技有限公司中国大陆100 单晶硅片
山东舜亦新能源有限公司中国大陆500 单晶硅片, 多晶硅片山东泰岱光伏科技有限公司中国大陆500 单晶硅片
山东中天光源太阳能有限公司中国大陆单晶硅片
山西天能科技有限公司中国大陆300 单晶硅片
陕西华山半导体材料有限责任公司中国大陆300 单晶硅片
公司名称地区产量
片
/200
9
片
/200
8
员工
人数
原材料类型
上海华巨硅材料有限公司中国大陆单晶硅片
上海晶甬电子材料有限公司中国大陆75 单晶硅片
上海九晶电子材料有限公司中国大陆280 单晶硅片
上海卡姆丹克太阳能科技有限公司中国大陆300 单晶硅片
上海印凯电子有限公司中国大陆单晶硅片
绍兴绿太阳能源产品有限公司中国大陆单晶硅片
四川桦林硅晶能源股份有限公司(超磊) 中国大陆200 单晶硅片, 多晶硅片苏州东泰太阳能科技有限公司中国大陆100 单晶硅片
苏州工业园区晶瑞格光电科技有限公司中国大陆30(50
)
单晶硅片
苏州盛隆光电科技有限公司中国大陆500 单晶硅片
苏州矽美仕绿色新能源有限公司中国大陆120(2
80)
单晶硅片, 多晶硅片
唐山海泰新能源科技有限公司中国大陆300 多晶硅片
天津市环欧半导体材料技术有限公司中国大陆215 单晶硅片
天威新能源控股有限公司中国大陆2000 多晶硅片
通用硅太阳能电力(昆山)有限公司中国大陆240 单晶硅片, 多晶硅片
万向硅峰电子股份有限公司中国大陆20(40
0)
单晶硅片
威富光電股份有限公司台湾单晶硅片, 多晶硅片渭南安信电子技术有限公司中国大陆103 单晶硅片
温州神硅电子有限公司中国大陆单晶硅片
无锡斯达新能源科技有限公司中国大陆20(25
)
单晶硅片
西安华晶电子技术有限公司中国大陆203 单晶硅片西安晶星电子技术有限公司中国大陆单晶硅片
西安骊晶电子技术有限公司中国大陆200 单晶硅片
西安隆基硅材料股份有限公司中国大陆950 单晶硅片
西安阳光能源科技有限公司中国大陆单晶硅片, 多晶硅片新疆新能源股份有限公司中国大陆150 单晶硅片
旭晶能源科技股份有限公司台湾390(4
50)
多晶硅片
扬州华尔光伏科技有限公司中国大陆311 单晶硅片扬州仟丰光电发展有限公司中国大陆60 单晶硅片
扬州艺丰光电发展有限公司中国大陆80(11
0)
单晶硅片
阳光能源控股有限公司中国大陆1000 单晶硅片
英利绿色能源控股有限公司中国大陆6000(
7000)
多晶硅片
营口晶晶光电科技有限公司中国大陆500(1
100)
单晶硅片
永康星光电器有限公司中国大陆500k 100(1
200)
单晶硅片, 多晶硅片
浙江博意科技有限公司中国大陆单晶硅片, 多晶硅片
浙江硅宏电子科技有限公司中国大陆50(70
)
单晶硅片
浙江好亚能源科技有限公司中国大陆130 单晶硅片
浙江亨美硅业科技有限公司中国大陆300(7
00)
单晶硅片
浙江华友电子有限公司中国大陆80 单晶硅片
浙江尖山控股集团中国大陆100(4
00)
单晶硅片, 多晶硅片
浙江金品能源科技股份有限公司中国大陆600 单晶硅片浙江金西园科技有限公司中国大陆100 单晶硅片浙江精功科技股份有限公司中国大陆100 多晶硅片浙江省龙柏光伏科技股份有限公司中国大陆30 单晶硅片浙江世博机电有限公司中国大陆单晶硅片
浙江舒奇蒙能源科技有限公司中国大陆300(3
000)
单晶硅片
浙江矽盛电子有限公司中国大陆180 单晶硅片浙江芯能光伏科技有限公司中国大陆300 单晶硅片浙江兴荣电子有限公司中国大陆400 单晶硅片浙江星宇电子科技有限公司中国大陆15 单晶硅片浙江旭马光伏科技股份有限公司中国大陆单晶硅片
浙江昱辉阳光能源有限公司中国大陆3075(
3258)
单晶硅片, 多晶硅片
镇江大成新能源有限公司中国大陆218 单晶硅片
镇江环太硅科技有限公司中国大陆2000 单晶硅片, 多晶硅片中国电子科技集团第四十八研究所中国大陆300 单晶硅片, 多晶硅片
中国光伏集团东营光伏太阳能有限公司中国大陆1200(
1500)
单晶硅片
中美矽晶製品股份有限公司台湾单晶硅片, 多晶硅片中盛光电集团中国大陆1600 单晶硅片, 多晶硅片重庆兰花太阳能电力股份有限公司中国大陆360 单晶硅片
Al-Afandi Solar 沙特阿拉
伯
多晶硅片
Amex 俄罗斯单晶硅片, 多晶硅片
Astra KCMP 吉尔吉斯
斯坦
单晶硅片
Bosch Solar Energy 德国1000
+
单晶硅片
Complex Si T ec 俄罗斯100 单晶硅片, 多晶硅片Confluence Solar 美国单晶硅片Corporation XXII 俄罗斯20 单晶硅片, 多晶硅片Crystalox 英国90 多晶硅片DCWafers 西班牙多晶硅片Deutsche Solar AG 德国740 单晶硅片, 多晶硅片Evergreen Solar 美国单晶硅片, 多晶硅片First Philec Solar 菲律宾多晶硅片
FitCraft Production 捷克90 单晶硅片
Helios Resource 俄罗斯单晶硅片, 多晶硅片Innovation Silicon 韩国单晶硅片
IQE 英国单晶硅片
JSC Kvazar 乌克兰300 单晶硅片, 多晶硅片JSC Pillar 乌克兰500 单晶硅片, 多晶硅片Kitagawa Seiki 日本单晶硅片, 多晶硅片LG Siltron 韩国单晶硅片
Lux s.r.l. 意大利单晶硅片
M.Setek 日本718 单晶硅片Maharishi Solar Technology 印度200 多晶硅片
Maicom Quarz 德国单晶硅片
MEMC Electronic 美国5500 多晶硅片
Neosemi t ech 韩国*(250
)
单晶硅片
Nexolon 韩国单晶硅片, 多晶硅片NorSun 挪威单晶硅片
Osung LST 韩国单晶硅片, 多晶硅片PB-Technik AG 瑞士单晶硅片
PCMP 俄罗斯1200 单晶硅片Photowatt 法国600 多晶硅片
Prolog Semicor 乌克兰单晶硅片
REC ASA 挪威多晶硅片
Sanyo 日本单晶硅片
SCHOTT Solar 德国1000(
1400)
单晶硅片
SEMI-MATERIALS 韩国单晶硅片
Silicio Solar 西班牙单晶硅片, 多晶硅片Silicon Ltd. 乌克兰单晶硅片Skybasesolar GmbH 德国单晶硅片
Smart Applications 韩国单晶硅片
公司名称地区产量
片
/200
9
片
/200
8
员工
人数
原材料类型
Solaicx 美国单晶硅片
Solar Cell Hellas 希腊60 多晶硅片
Solar Way 韩国12 单晶硅片
SOLAR WIND EUROPE 西班牙10 单晶硅片SolarWorld 德国1533 单晶硅片
Sovello 德国1100 多晶硅片
Space Energy Corporation 日本290 单晶硅片, 多晶硅片SUMCO USA 美国单晶硅片
Sun Energy 挪威多晶硅片
Swiss Wafers AG 瑞士单晶硅片, 多晶硅片Telecom-STV 俄罗斯8 单晶硅片Timminco 加拿大单晶硅片
Topsil Semiconductor 丹麦84 单晶硅片WACKER SCHOTT 德国单晶硅片
Wafer World Inc. 美国单晶硅片, 多晶硅片
网址:
https://www.doczj.com/doc/771758070.html,/ch/database/materials-wafers.html
https://www.doczj.com/doc/771758070.html,/ch/database/materials.html
单晶硅太阳能电池/DSSC/PERC技术 2015-10-20 单晶硅太阳能电池 2.太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类： 1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒. 3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类：（1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。（2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 1、用 H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面 2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。由于SC-1是H2O2和NH4OH 的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除；同时溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 具体的制作工艺说明（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。（6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。 生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。本文介绍的是晶硅太阳能电池片生产的一般工艺与设备。 一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术
太阳能电池简介 太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。 （1）硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。 单晶硅太阳能电池转化效率最高，技术也最为成熟，理想转化效率略大于30%，在实验室最高的转化效率为23%，最近实验室转化效率可以达到24.7%，常规地面用商业用直拉单晶硅太阳能电池转化效率可达到18%，期望不久可以达到20%以上。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，弱光特性较差，生产工艺复杂，大幅度降低其成本很困难，为了降低成本，发展多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池，其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为16%。因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。
非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻，转换效率较高，便于大规模生产，有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应，稳定性不高，直接影响了它的实际应用。（2）多元化合物薄膜太阳能电池 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。 砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs 电池的普及。 铜铟硒薄膜电池（简称CIS）适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。 （3）聚合物多层修饰电极型太阳能电池
太阳能硅片市场调研报告 太阳能电池片分为晶硅类和非晶硅类，其中晶硅类电池片又可以分为单晶电池片和多晶电池片；单晶硅的效率较多晶硅也有区别。下面就是小编整理的太阳能硅片市场调研报告，一起来看一下吧。 多晶硅锭铸造及多晶硅片切割业务位于光伏产业链中游，细分行业为太阳能级硅片制造业。太阳能级硅片行业的发展与光伏行业的发展紧密相关，行业景气程度呈现较高的一致性；但由于光伏产业链各环节的不同的技术特点与竞争格局，硅片制造业与光伏行业其他环节也有所不同。 1 、太阳能光伏行业 （1 ）全球太阳能光伏行业发展概况 ①整体发展情况 人类的生存与发展离不开能源，石油、煤炭等传统化石能源的稀缺性及其在使用过程中对自然环境的破坏，迫使世界各国积极寻求储量丰富、环境友好的可再生能源。太阳能是可供人类利用的储量最为丰富的清洁能源之一，通过光伏效应将太阳能转换为电能，能够在充分利用太阳能的同时避免对环境的影响，因而世界各国近年来大力发展光伏发电，各国政府纷纷制定产业扶持政策推动光伏产业发展，光伏行业成为全球发展最快的新兴行业之一。
根据欧洲光伏产业协会统计数据，全球光伏累计装机容量由 XX 年的增至 XX 年的 GW，年复合增长率达 %。同时，全球光伏年新增装机容量也保持较快增长趋势，由 XX 年的增至 XX 年的，年复合增长率达 %。XX 年全球光伏新增装机容量，较XX 年的基本持平，主要原因是欧洲受宏观经济环境影响，年新增装机容量自XX年以来首次下降，由XX 年的降至XX 年的，但包括、美国、日本等在内的其他光伏市场仍保持较快速度增长，最终实现全年全球光伏新增装机容量基本持平。XX 年欧洲市场受扶持政策逐步退出影响继续下滑，光伏年新增装机容量降为，显著低于 XX 年的，但日本、、美国市场新增装机容量增长显著，分别较 XX 年增长 245%、237%、45%，并成为太阳能光伏市场新的增长发动机。XX 年全球光伏发电年新增装机容量在、美国、日本以及韩国、澳大利亚等在内的光伏市场迅速发展的带领下保持上涨趋势，达到，而欧洲年新增装机容量再次下降，降至。XX 年、美国和亚太其他地区年新增装机容量继续上升，全球光伏发电年新增装机容量达到，欧洲年新增装机容量自XX 年以来首次实现正增长。 虽然太阳能光伏发电装机容量增长迅速，但在发电总装机容量中所占比重仍然较低，未来发展潜力巨大。根据EPIA 统计，即使以光伏发电发展最早、最成熟的欧盟为例，XX 年、
培训资料 前道 一制绒工艺 制绒目的 1?消除表面硅片有机物和金属杂质。 2.去处硅片表面机械损伤层。 3?在硅片表面形成表面组织，增加太阳光的吸收减少反射。 工艺流程 来料，开盒，检查，装片，称重，配液加液，制绒，甩干，制绒后称重，绒面检查，流出。 单晶制绒1号机 2号机 基本原理 1#超声 去除有机物和表面机械损伤层。 目前采用柠檬酸超声，和双氧水与氨水混合超声。
3#4#5#6#制绒 利用NaOH 溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子（（100） 面与（111）面单晶硅腐蚀速率之比）=10 时，可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点。可以提高单晶硅太阳能电池的短路电流，从而提高太阳能电池的光转换效率。 化学反应方程式：Si+2NaOH+H 2O=Nasio 3+2H 2 f 影响因素 1.温度 温度过高，首先就是IPA 不好控制，温度一高，IPA 的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了PN 结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。 2.时间金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以精确的调节时间。 3.IPA 1.协助氢气的释放。 2.减弱NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯NaOH 溶液在 高温下对原子排列比较稀疏的100 晶面和比较致密的111 晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融，IPA 明显减弱NaOH 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于1。 可控程度：根据首次配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。 4.NaOH 形成金字塔绒面。NaOH 浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受NaOH 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随NaOH 浓度变化比较显著，浓度高的NaOH 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。NaOH 浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。 可控程度：与IPA 类似，控制精度不高。 5.Na 2SiO 3 SI 和NaOH 反应生产的Na2SiO3 和加入的Na2SiO3 能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧烈,变的平缓。Na 2SiO 3使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小一点Na2SiO3 多的时候要及时的排掉，Na2SiO3 导热性差，会影响反应,溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。 可控程度：很难控制。 4#酸洗 HCL 去除硅片表面的金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与多种金属离子形成可溶与水的络合物。 6#酸洗 HF 去除硅片表面氧化层，SiO2+6HF=H 2[siF6]+2H 2O。控制点 1．减薄量定义：硅片制绒前后的前后重量差。 控制范围
硅片是半导体和光伏领域的主要生产材料。硅片多线切割技术是目前世界上比较先进的硅片加工技术，它不同于传统的刀锯片、砂轮片等切割方式，也不同于先进的激光切割和内圆切割，它的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦，从而达到切割效果。在整个过程中，钢线通过十几个导线轮的引导，在主线辊上形成一张线网，而待加工工件通过工作台的下降实现工件的进给。硅片多线切割技术与其他技术相比有：效率高，产能高，精度高等优点。是目前采用最广泛的硅片切割技术。 多线切割技术是硅加工行业、太阳能光伏行业内的标志性革新，它替代了原有的内圆切割设备，所切晶片与内圆切片工艺相比具有弯曲度（BOW）、翘曲度（WARP）小，平行度（TAPER）好，总厚度公差（TTA）离散性小，刃口切割损耗小，表面损伤层浅，晶片表面粗糙度小等等诸多优点。 太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。 在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。 一、切割液（PEG）的粘度 由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。 1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同，因而对砂浆的粘度也不同，即要求切割液的粘度也有不同。例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55，而NTC要求22-25，安永则低至18。只有符合机器要求的切割标准的粘度，才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。
单晶硅太阳能电池 1.基本结构 2.太阳能电池片的化学清洗工艺 切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类： 1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒。 3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类：（1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。（2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。
1、用 H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。 由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH 的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除；同时溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。 另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 3.太阳能电池片制作工艺流程图 具体的制作工艺说明 （1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 （2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将 硅片表面切割损伤层除去30－50um。 （3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备 绒面。 （4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行 扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。
硅片多线切割技术详解 太阳能光伏网 2012-4-9 硅片是半导体和光伏领域的主要生产材料。硅片多线切割技术是目前世界上比较先进的硅片加工技术，它不同于传统的刀锯片、砂轮片等切割方式，也不同于先进的激光切割和内圆切割，它的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦，从而达到切割效果。在整个过程中，钢线通过十几个导线轮的引导，在主线辊上形成一张线网，而待加工工件通过工作台的下降实现工件的进给。硅片多线切割技术与其他技术相比有：效率高，产能高，精度高等优点。是目前采用最广泛的硅片切割技术。 多线切割技术是硅加工行业、太阳能光伏行业内的标志性革新，它替代了原有的内圆切割设备，所切晶片与内圆切片工艺相比具有弯曲度（BOW）、翘曲度（WARP）小，平行度（TAPER）好，总厚度公差（TTA）离散性小，刃口切割损耗小，表面损伤层浅，晶片表面粗糙度小等等诸多优点。 太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。 在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。 一、切割液（PEG）的粘度 由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。 1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同，因而对砂浆的粘度也不同，即要求切割液的粘度也有不同。例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55，而NTC要求22-25，安永则低至18。只有符合机器要求的切割标准的粘度，才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。 2、由于带着砂浆的钢线在切割硅料的过程中，会因为摩擦发生高温，所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。如果粘度不达标，就会导致液的流动性差，不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线，因此切割液的粘度又确保了整个过程的温度控制。 二、碳化硅微粉的粒型及粒度
. 单晶硅太阳能电池/DSSC/PERC技术 2015-10-20
单晶硅太阳能电池
2.太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类： 1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2 μm颗粒. 3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类：（1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。（2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 1、用H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面 2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被
排除；同时溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 具体的制作工艺说明（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。（6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD 法或喷涂法等。（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。 生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、
太阳能硅片切割技术 太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。 在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。 一、切割液（PEG）的粘度 由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。 1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同，因而对砂浆的粘度也不同，即要求切割液的粘度也有不同。例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55，而NTC要求22-25，安永则低至18。只有符合机器要求的切割标准的粘度，才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。 2、由于带着砂浆的钢线在切割硅料的过程中，会因为摩擦发生高温，所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。如果粘度不达标，就会导致液的流动性差，不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线，因此切割液的粘度又确保了整个过程的温度控制。 二、碳化硅微粉的粒型及粒度 太阳能硅片的切割其实是钢线带着碳化硅微粉在切，所以微粉的粒型及粒度是硅片表片的光洁程度和切割能力的关键。粒型规则，切出来的硅片表明就会光洁度很好；粒度分布均匀，就会提高硅片的切割能力。 三、砂浆的粘度 线切割机对硅片切割能力的强弱，与砂浆的粘度有着不可分割的关系。而砂浆的粘度又取决于硅片切割液的粘度、硅片切割液与碳化硅微粉的适配性、硅片切割液与碳化硅微粉的配比比例、砂浆密度等。只有达到机器要求标准的砂浆粘度（如NTC机器要求250左右）才能在切割过程中，提高切割效率，提高成品率。 四、砂浆的流量 钢线在高速运动中，要完成对硅料的切割，必须由砂浆泵将砂浆从储料箱中打到喷砂咀，再由喷砂咀喷到钢线上。砂浆的流量是否均匀、流量能否达到切割的要求，都对切割能力和切割效率起着很关键的作用。如果流量跟不上，就
优化太阳能硅片切割成本 当太阳能硅片切割行业的利润逐渐趣于稳定，行业内的竞争逐步升温的2009 年到来时,对太阳能硅片切割企业，尤其是中小型切割企业来说，在提高硅片质量的同时进行成本优化已成为一种必然。 由于行业的竞争，使得产品在销售过程中已不可能像经济危机之前那样坐等采购上门来买，并且对硅片的质量提出来极高的要求，因此,尽管太阳能硅片是按张数来卖,但只为增加张数的生产时光已一去不复返了。按常理来讲，要提高并且保持太阳能硅片的质量，就必须在生产环节层层把关，这样,带来的最直接的影响就是生产成本的上升.。对于硅片切割这样的加工型经营模式来讲，在保证质量的前提下,最直接的降低成本的方式莫过于实现规模化生产，但这种成本优化的方式只属于资金以及经营理念超前的赛维LDK、昱辉等大型硅片切割企业。因而，中小型硅片切割企业的成本优化方式，必须是结合生产工艺改进条件下的对切割液、碳化硅微粉、以及钢线等的优化使用。 沙浆的优化使用：在整个硅片切割过程中，最容易做到的首先是对沙浆的优 化使用 由于废沙浆的回收使用已经比较成熟，所以对大多数中小型硅片切割企业来说讲，在保证质量的前提下，降低沙浆的使用成本已经成为一种可能。我们以四台NTC442D线切割机为例，以液砂配比比例1 : 0.95计算，一台机一个月的用量液6吨，砂5.7吨，按市场价液16000元/吨，砂30000元/吨计算，那么四台机一个月的使用成本是1068000 元。如果用回收液和回收砂，为保证回收液和砂的质量，用塞矽做回收，回收比例可以达到液70%，砂50%。液按8000元/吨，砂15000元/吨计算，为保险起见，我们在使用过程中回收液，砂都参50%，那么四台机一个月的使用成本为802000，这样一个月可节省成本266000 元，即一年节省成本3192000 元。 如果技术改进，砂的回收加工费用可降到10000元/吨，并且回收液和砂的 使用比例还可以有大的提升。 可见，如果在工艺许可的范围内，对沙浆的使用进行优化，也可以为硅片切割企业节省大额的成本。 太阳能硅片切割液 太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。
全球十大太阳能光伏硅片生产商最新排名太阳能硅片企业主要集中于亚洲，尤其是中国大陆和台湾。廉价的劳动力，较低的土 地和资金成本，同时也由于主要客户的存在，使得中国成为世界第一的太阳能硅片生产者。尽管多数多晶硅在欧洲和美国生产，但是中国引导了硅片生产的方式。而半导体硅片主要 在日本、美国和德国这样的发达国家生产。晶体硅行业的结构性的力量在驱动着垂直整合，电池生产商在生产硅片而硅片企业也在生产电池。然而，也有少数一些公司主要集中向电 池片生产商供应硅片。这里是主要的太阳能硅片制造商的列表，过去几年中表现出惊人的 增长。 1)保利协鑫能源控股有限公司--这家中国公司2008年从零开始，2010年底公布达成3.5GW的硅片产能，从而成为最大的多晶硅和硅片生产商之一。它迅速扩产，但并没有涉足太阳能电池和组件的生产。公司仍然在努力成为多晶硅厂商的前3甲，并且通过在接近客户工厂的地方设置硅片厂来扩大产能。已经与世界上大部分大型组件生产商，签订了大 额的长期的交易合同。 2)江西赛维LDK太阳能高科技有限公司--是最大的用在晶体硅组件上的太阳能硅片生产商，但是正在将第一的位置输给保利协鑫。2010年底，其硅片产能达到3GW。它已经扩产到太阳能供应链的其他环节，在接下来的几年里，有望进入太阳能组件生产商前10名。 3)浙江昱辉阳光能源有限公司--在运营和组织结构上非常类似赛维LDK太阳能，这家中国公司是世界上花费成本最低的太阳能硅片生产商，硅片产能达1.5GW，也正在扩展到供应链的其他环节。 4)REC公司--这家挪威的生产商一直是最大的太阳能硅片生产商。直到几年前，将它 的领先地位输给了中国。现在，它正在新加坡扩产，以降低它高昂的成本，并在进行垂直 整合。目前的产能是1.9GW。 5)Solarworld公司--Solarworld公司是德国最大的太阳能电池板生产商，是少数几个仍然在欧洲和美国运营的公司之一，硅片产能在1.25GW。该公司一直饱受低成本竞争的折磨。 6)上海卡姆丹克太阳能--它是一个相对不那么知名的中国硅片制造商，然而它扩产迅速，目前，已经和浙江昱辉拥有同样大的生产能力。 7)绿色能源科技有限公司--这个台湾的太阳能硅片制造商已经在产能增长上远远领先 国内其他竞争者。产品主要面向台湾数量众多的电池制造商，去年产能在1GW左右。 8)中美晶矽(SAS)--中美晶矽是台湾最古老的硅片厂商之一，同时面向半导体和太阳能行业。与其说它在积极扩张，不如说是在稳健地成长，目前拥有800兆瓦产能。 9)MEMC公司--唯一一个大型美国太阳能硅片制造商，产能600MW正在马来西亚建造工厂来降低成本。该公司是半导体硅片方面最大的制造商之一。和保利协鑫一样，它也 扩展太阳能系统方面的业务，而并没有涉足电池片和组件的生产。 10)NEXolon公司--这是一家韩国公司，而且与多晶硅巨头OCI化学公司联系密切。公司的成长主要依赖于像LG、韩华、三星这样的韩国公司的成长。
本文由哈哈5790902贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 太阳能光伏电池硅片切割技术 硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。（图 1）这些硅片就是制造光伏电池的基板。 图 1.硅片切割的 3 个步骤：切料, 切方和切片 硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分，所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低切片成本做一个概述。 线锯的发展史 第一台实用的光伏切片机台诞生于 1980 年代，它源于 Charles Hauser 博士前沿性的研究和工作。Charles Hauser 博士是瑞士 HCT 切片系统的创办人，也就是现在的应用材料公司 PWS 精确硅片处理系统事业部的前身。这些机台使用切割线配以研磨浆来完成切割动作。今天，主流的用于硅锭和硅片切割的机台的基本结构仍然源于 Charles Hauser 博士最初的机台，不过在处理载荷和切割速度上已经有了显著的提高。 切割工艺 现代线锯的核心是在研磨浆配合下用于完成切割动作的超细高强度切割线。最多可达1000 条切割线相互平行的缠绕在导线轮上形成一个水平的切割线“网“。马达驱动导线轮使整个切割线网以每秒 5 到 25 米的速度移动。切割线的速度、直线运动或来回运动都会在整个切割过程中根据硅锭的形状进行调整。在切割线运动过程中，喷嘴会持续向切割线喷射含有悬浮碳化硅颗粒的研磨浆。 图 2. 硅块通过切割线组成的切割网. 硅块被固定于切割台上，通常一次 4 块。切割台垂通过运动的切割线切割网，使硅块被切割成硅片（图 2）。切割原理看似非常简单，但是实际操作过程中有很多挑战。线锯必须精确平衡和控制切割线直径、切割速度和总的切割面积，从而在硅片不破碎的情况下，取得一致的硅片厚度，并缩短切割时间。 减少硅料消耗 对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。切割线直径已经从原来的 180-160μm 降低到了目前普遍使用的 140-100μm 。降低切割线直径还可以在同样的硅块长度下切割出更多的硅片，提升机台产量。 让硅片变得更薄同样可以减少硅原料消耗。在过去的十多年中，光伏硅片的厚度从原来的 330μm 降低到现在普遍的 180-220μm 范围内。这个趋势还将继续，硅片厚度将变成100μm. 减少硅片厚度带来的效益是惊人的， 330μm 从到 130μm，光伏电池制造商最多可以降低总体硅原料消耗量多达 60%。 制造业的挑战 在硅片切割工艺中我们需要面对多项挑战，主要聚焦于线锯的生产力，也就是单位时间内生产的硅片数量。生产力取决于以下几个因素： 1) 切割线直径–更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。 2) 荷载–每次切割的总面积，等于硅片面积 X 每次切割的硅块数量 X 每个硅块所切割成的硅片数量。
太阳能硅片切割技术七重攻略说明 太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。 在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。 一、切割液（PEG）的粘度 由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。 1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同，因而对砂浆的粘度也不同，即要求切割液的粘度也有不同。例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55，而NTC要求22-25，安永则低至18。只有符合机器要求的切割标准的粘度，才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。 2、由于带着砂浆的钢线在切割硅料的过程中，会因为摩擦发生高温，所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。如果粘度不达标，就会导致液的流动性差，不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线，因此切割液的粘度又确保了整个过程的温度控制。 二、碳化硅微粉的粒型及粒度 太阳能硅片的切割其实是钢线带着碳化硅微粉在切，所以微粉的粒型及粒度是硅片表片的光洁程度和切割能力的关键。粒型规则，切出来的硅片表明就会光洁度很好；粒度分布均匀，就会提高硅片的切割能力。 三、砂浆的粘度 线切割机对硅片切割能力的强弱，与砂浆的粘度有着不可分割的关系。而砂浆的粘度又取决于硅片切割液的粘度、硅片切割液与碳化硅微粉的适配性、硅片切割液与碳化硅微粉的配比比例、砂浆密度等。只有达到机器要求标准的砂浆粘度（如NTC机器要求250左右）才能在切割过程中，提高切割效率，提高成品率。 四、砂浆的流量 钢线在高速运动中，要完成对硅料的切割，必须由砂浆泵将砂浆从储料箱中打到喷砂咀，再由喷砂咀喷到钢线上。砂浆的流量是否均匀、流量能否达到切割的要求，都对切割能力和切割效率起着很关键的作用。如果流量跟不上，就会出现切割能力严重下降，导致线痕片、断线、甚至是机器报警。 五、钢线的速度 由于线切割机可以根据用户的要求进行单向走线和双向走线，因而两种情况下对线速的要求也不同。单向走线时，钢线始终保持一个速度运行（MB和HCT可以根据切割情况在不同时间作出手动调整），这样相对来说比较容易控制。目前单向走线的操作越来越少，仅限于MB和HCT机器。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。具体介绍如下： 一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、 P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。 二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。 四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除
硅片切割技术的现状和发展趋势 中国新能源网| 2008-7-30 9:31:00 | 新能源论坛| 我要供稿 特别推荐：《生物质能源技术国际会议论文集》征订 摘要：随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展，硅片市场的供需已极度不平衡，切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈。作为硅片(晶圆) 上游生产的关键技术，近年来崛起的新型硅片多丝切割技术具有切割表面质量高、切割效率高和可切割大尺寸材料、方便后续加工等特点。由于驱动研磨液的切割丝在加工中起重要作用，与刀损和硅片产出率密切关联，故对细丝多丝切割的研究具有迫切与深远的意义。 关键词：晶圆，多丝切割，细丝，产出率，切削量 0 引言： 硅片切割是电子工业主要原材料一硅片(晶圆)生产的上游关键技术，切割的质量与规模直接影响到整个产业链的后续生产。在电子工业中，对硅片的需求主要表现在太阳能光伏发电和集成电路等半导体产业上。 光伏发电是利用半导体材料光生伏打效应原理直接将太阳辐射能转换为电能的技术。资料显示，太阳能每秒钟到达地面的能量高达80万千瓦，假如把地球表面0.1%的太阳能转为电能，转变率5%，每年发电量可达5.6×1012千瓦小时，相当于目前世界上能耗的40倍。随着全球矿物资源的迅速消耗，人们环保意识的不断增强，充分利用太阳的绿色能源被高度重视（图1.1为近年来全球太阳能电池产量），发展势头及其迅猛。
晶体硅片是制作光伏太阳能电池的主要材料，每生产1MW的太阳能电池组件需要17 吨左右的原料。Clean Edge 预计，全球太阳能发电市场的规模将从2005年的110亿美元猛进增到2015年的510亿美元，以芯片著名的“硅谷”将被“太阳谷”所取代。显然太阳能产业的迅猛发展需要更多的硅原料及切割设备来支撑。 除太阳能电池外，硅片的巨大需求同样表现在集成电路等半导体产业上。硅占整个半导体材料的95%以上，单晶硅片是半导体器件生产的关键性基材，是当之无愧的电子产业的基础支撑材料。2005年我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约1000吨，太阳能电池多晶硅约1400吨；2006年，我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约1200吨，太阳能电池多晶硅约3640吨。预计到2010年，电子级多晶硅年需求量将达到约2000吨，光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。随着全球各国能源结构的调整，绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展，硅片市场的供需已极度不平衡。硅原料的供不应求，切割加工能力的落后和严重不足构成了产业链的瓶颈，严重阻碍了我国太阳能和半导体产业的发展。因此，未来的3至5年间，将是中国晶硅产业快速发展的黄金时期。 1硅片切割的常用方法： 硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。近年来光伏发电和半导体行业的迅速发展对硅片的加工提出了更高的要求(图1.2)：一方面为了降低制造成本，硅片趋向大直径化。另一方面要求硅片有极高的平面度精度和极小的表面粗糙度。所有这些要求极大的提高了硅片的加工难度，由于硅材料具有脆、硬等特点，直径增大造成加工中的翘曲变形，加工精度不易保证。厚度增大、芯片厚度减薄造成了材料磨削量大、效率下降等。
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