半导体词汇总结
半导体词汇总结1
A
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子
3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统
4. Acid：酸
5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）
6. Align mark(key)：对位标记
7. Alloy：合金
8. Aluminum：铝
9. Ammonia：氨水
10. Ammonium fluoride：NH4F
11. Ammonium hydroxide：NH4OH
12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog：模拟的
14. Angstrom：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）
18. Antimony(Sb)锑
19. Argon(Ar)氩
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher：去胶机
24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
B
27. Baseline：标准流程
28. Benchmark：基准
29. Bipolar：双极
30. Boat：扩散用（石英）舟
C
31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POL Y CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
D
49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58. developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
E
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
F
74. fab：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat：平边
79. flatband capacitanse：平带电容
80. flatband voltage：平带电压
81. flow coefficicent：流动系数
82. flow velocity：流速计
83. flow volume：流量计
84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap：禁带
86. four-point probe：四点探针台
87. functional area：功能区
G
88. gate oxide：栅氧
89. glass transition temperature：玻璃态转换温度
90. gowning：净化服
91. gray area：灰区
92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
H
93. hard bake：后烘
94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产
96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
97. host：主机
98. hot carriers：热载流子
99. hydrophilic：亲水性
100. hydrophobic：疏水性
I
101. impurity：杂质
102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
103. inert gas：惰性气体
104. initial oxide：一氧
105. insulator：绝缘
106. isolated line：隔离线
107. implant : 注入
108. impurity n : 掺杂
137. images：去掉图形区域的版
J
109. junction : 结
110. junction spiking n :铝穿刺
111. kerf :划片槽
112. landing pad n :PAD
113. lithography n 制版
M
114. maintainability, equipment : 设备产能
115. maintenance n :保养
116. majority carrier n :多数载流子
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩阵
120. mean n : 平均值
121. measured leak rate n :测得漏率
122. median n :中间值
123. memory n : 记忆体
124. metal n :金属
N
125. nanometer (nm) n ：纳米
126. nanosecond (ns) n ：纳秒
127. nitride etch n ：氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体
129. n-type adj ：n型
O
130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻
131. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向
132. overlap n ：交迭区
133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
P
134. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素
135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版
136. photomask, negative n：反刻
138. photomask, positive n：正刻
139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺
143. pn junction n：pn结
144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物，解决高阻的复合栅结构
147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。
148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象
149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。
Q
153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
154. quartz carrier n :石英舟。
R
155. random access memory (RAM) n :随机存储器。
156. random logic device n :随机逻辑器件。
157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。
158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。
159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist n :光刻胶。
S
162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。
163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。
165. scribe line n :划片槽。
166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。
167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片
171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。
172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。
177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper: 步进光刻机（按BLOCK来曝光）
180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。
182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
T
183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。
184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。
188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. titanium(Ti): 钛。
190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. tungsten(W): 钨。
193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。
201. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。
204. torr : 托。压力的单位。
W
196. watt(W): 瓦。能量单位。
197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。
198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。
199. well: 阱。
200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。
V
202. via: 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。
203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。
205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。
206. vacuum: 真空。
207. transition metals: 过渡金属
其它
Yield 良率
Parameter参数
PAC感光化合物
ASIC特殊应用集成电路
Solvent 溶剂
Carbide碳
Refractive折射
Expansion膨胀
Strip 湿式刻蚀法的一种
TM: top mental 顶层金属层
WEE 周边曝光
PSG 硼硅玻璃
MFG 制造部
Runcard 运作卡
POD 装晶舟和晶片的盒子
Scratch 刮伤
Reticle 光罩
Sputter 溅射
Spin 旋转
Merge 合并
A
A/D [军] Analog.Digital, 模拟/数字
AC Magnitude 交流幅度
AC Phase 交流相位
Accuracy 精度
"Activity Model
Activity Model" 活动模型
Additive Process 加成工艺
Adhesion 附着力
Aggressor 干扰源
Analog Source 模拟源
AOI,Automated Optical Inspection 自动光学检查
Assembly Variant 不同的装配版本输出
Attributes 属性
AXI,Automated X-ray Inspection 自动X光检查
B
BIST,Built-in Self Test 内建的自测试
Bus Route 总线布线
C
Circuit 电路基准
circuit diagram 电路图
Clementine 专用共形开线设计
Cluster Placement 簇布局
CM 合约制造商
Common Impedance 共模阻抗
Concurrent 并行设计
Constant Source 恒压源
Cooper Pour 智能覆铜
Crosstalk 串扰
CVT,Component Verification and Tracking 元件确认与跟踪
D
DC Magnitude 直流幅度
Delay 延时
Delays 延时
Design for Testing 可测试性设计
Designator 标识
DFC,Design for Cost 面向成本的设计
DFM,Design for Manufacturing 面向制造过程的设计
DFR,Design for Reliability 面向可靠性的设计
DFT,Design for Test 面向测试的设计
DFX,Design for X 面向产品的整个生命周期或某个环节的设计DSM,Dynamic Setup Management 动态设定管理
Dynamic Route 动态布线
E
EDIF,The Electronic Design Interchange Format 电子设计交互格式EIA,Electronic Industries Association 电子工业协会
Electro Dynamic Check 动态电性能分析
Electromagnetic Disturbance 电磁干扰
Electromagnetic Noise 电磁噪声
EMC,Elctromagnetic Compatibilt 电磁兼容
EMI,Electromagnetic Interference 电磁干扰
Emulation 硬件仿真
Engineering Change Order 原理图与PCB版图的自动对应修改Ensemble 多层平面电磁场仿真
ESD 静电释放
F
Fall Time 下降时间
False Clocking 假时钟
FEP 氟化乙丙烯
FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换
Float License 网络浮动
Frequency Domain 频域
G
Gaussian Distribution 高斯分布
Global flducial 板基准
Ground Bounce 地弹反射
GUI,Graphical User Interface 图形用户界面
H
Harmonica 射频微波电路仿真
HFSS 三维高频结构电磁场仿真
I
IBIS,Input/Output Buffer Information Specification 模型
ICAM,Integrated Computer Aided Manufacturing 在ECCE项目里就是指制作PCB IEEE,The Institute of Electrical and Electronic Engineers 国际电气和电子工程师协会IGES,Initial Graphics Exchange Specification 三维立体几何模型和工程描述的标准Image Fiducial 电路基准
Impedance 阻抗
In-Circuit-Test 在线测试
Initial V oltage 初始电压
Input Rise Time 输入跃升时间
IPC,The Institute for Packaging and Interconnect 封装与互连协会
IPO,Interactive Process Optimizaton 交互过程优化
ISO,The International Standards Organization 国际标准化组织
J
Jumper 跳线
L
Linear Design Suit 线性设计软件包
Local Fiducial 个别基准
M
manufacturing 制造业
MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片组件
MDE,Maxwell Design Environment
Nonlinear Design Suit 非线性设计软件包
O
ODB++ Open Data Base 公开数据库
OEM 原设备制造商
OLE Automation 目标连接与嵌入
On-line DRC 在线设计规则检查
Optimetrics 优化和参数扫描
Overshoot 过冲
P
Panel fiducial 板基准
PCB PC Board Layout Tools 电路板布局布线
PCB,Printed Circuit Board 印制电路板
Period 周期
Periodic Pulse Source 周期脉冲源
Physical Design Reuse 物理设计可重复
PI,Power Integrity 电源完整性
Piece-Wise-linear Source 分段线性源
Preview 输出预览
Pulse Width 脉冲宽度
Pulsed V oltage 脉冲电压
Q
Quiescent Line 静态线
R
Radial Array Placement 极坐标方式的元件布局
Reflection 反射
Reuse 实现设计重用
Rise Time 上升时间
Rnging 振荡,信号的振铃
Rounding 环绕振荡
Rules Driven 规则驱动设计
S
Sax Basic Engine 设计系统中嵌入
SDE,Serenade Design Environment
SDT,Schematic Design Tools 电路原理设计工具
Setting 设置
Settling Time 建立时间
Shape Base 以外形为基础的无网格布线
Shove 元器件的推挤布局
SI,Signal Integrity 信号完整性
Simulation 软件仿真
Sketch 草图法布线
Skew 偏移
Slew Rate 斜率
SPC,Statictical Process Control 统计过程控制
SPI,Signal-Power Integrity 将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具SPICE,Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 集成电路模拟的仿真程序Split/Mixed Layer 多电源/地线的自动分隔
SSO 同步交换
STEP,Standard for the Exchange of Product Model Data
Symphony 系统仿真
T
Time domain 时域
Timestep Setting 步进时间设置
U
UHDL,VHSIC Hardware Description Language 硬件描述语言
Undershoot 下冲
Uniform Distribution 均匀分布
V
Variant 派生
VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架联盟
Victim 被干扰对象
Virtual System Prototype 虚拟系统原型
VST,Verfication and Simulation Tools 验证和仿真工具
Wizard 智能建库工具,向导
1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义 答：是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module) 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
考研英语核心词汇总结
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2017考研英语核心词汇汇总2017考研英语核心词汇天天背（Day1） rape n.强奸;破坏，蹂躏vt.强奸;破坏，蹂躏 rash a.轻率的，鲁莽的[反]deliberate n.皮疹 guideline n.指导方针，指导原则，准则，标准 gut n.[pl.]胆量;内脏a.本能的vt.取出内脏 habitat n.(动物的)栖息地，(植物的)产地 harassment n.骚扰，扰乱;烦恼，烦乱 recycle vt./vi.重复利用(用过的物资)，循环使用 redundant a.被解雇的;多余的，过剩的 refugee n.(政治上的)避难者，难民 refund n.v. 退款;赔偿 relish n.喜好，乐趣;美味;胃口v.爱好，喜欢 remnant n.残余，剩余;残余物，残存部分 renaissance n.[the R-]文艺复兴(时期);新生，复兴 ritual a.宗教仪式的，典礼的n.仪式，典礼;惯例 robust a.强健的，茁壮的;有力的[反]feeble salvation n.(尤指基督)救世，超度;拯救，解困 sanction v.同意(某事)，批准，认可n.批准,国际制裁 sane a.心智健全的，神志清醒的;明断的，理智的 sarcastic a.讽刺的，嘲笑的，挖苦的 saturate vt.使湿透，浸透;使充满，使饱和 repertoire n.全部剧目,保留剧目,全部技能 repression n.压抑，压制，镇压 retention n.保留;保持;记忆(力) retort n.v.报复;反击;反驳 boost n.促进，激励;一抬;一推vt.推动，增强 bowel n.肠;[pl.]内部，深处 retrieve vt.重新得到，取回;挽回，补救;检索 retrospect v.n.回顾，回想，追溯[反]foresee revelation n.揭示，透露，显示;被揭示的真相，新发现2017考研英语核心词汇天天背（Day2） rigorous a.严格的，严厉的，严酷的(气候条件)
半导体行业的英文单词和术语 A 安全地线safe ground wire 安全特性security feature 安装线hook-up wire 按半周进行的多周期控制multicycle controlled by half-cycle 按键电话机push-button telephone set 按需分配多地址demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务demand telecommunication service 按组编码encode by group B 八木天线Yagi antenna 白噪声white Gaussian noise 白噪声发生器white noise generator 半波偶极子halfwave dipole 半导体存储器semiconductor memory 半导体集成电路semiconductor integrated circuit 半双工操作semi-duplex operation 半字节Nib 包络负反馈peak envelop negative feed-back 包络延时失真envelop delay distortion 薄膜thin film 薄膜混合集成电路thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频）protection ratio (RF) 保护时段guard period 保密通信secure communication 报头header 报文分组packet 报文优先等级message priority 报讯alarm 备用工作方式spare mode 背景躁声background noise 倍频frequency multiplication 倍频程actave 倍频程滤波器octave filter 被呼地址修改通知called address modified notification 被呼用户优先priority for called subscriber 本地PLMN local PLMN 本地交换机local exchange 本地移动用户身份local mobile station identity ( LMSI) 本地震荡器local oscillator
考研英语词汇分类总结 考研英语词汇分类总结 abnormal a.反常的,不正常的 [记忆方法] ab-开头，表示反的（在a字母开头的词汇中，非常普遍），normal正常的aboard ad.在船(飞机,车)上,上船（飞机,车）； prep.在（船,飞机,车）上,上（船,飞机,车） [记忆方法] board n.木板, 甲板(参见另一记忆文章) abroad ad.到国外,在国外;到处 abolish v.废除,取消 [发音记忆] 剥离没有了废除,取消 [类比记忆] -rupt 打断的 abrupt a.突然的,意外的;(举止,言谈等)唐突的,鲁莽的 bankrupt a.破产的银行的（经营）被打断的rupt破产了 bankruptcy n.破产；v.使破产 corrupt v.贿赂,收买；a.腐败的,贪污的 从内部core(核心) 被打断的rupt被收买，贿赂了 erupt v.(尤指火山)爆发 e-向外 interrupt v.中断,遮断,阻碍;打断(话),打扰在中间inter 被打断rupt [分类记忆] -stract 拉 abstract a.抽象的；n.摘要,提要；v.提(抽取) attract v.吸引,招引,引诱,引起(注意等) attractive a.有吸引力的,引起兴趣的,动人的 contract n.契约,合同,包工；v.缩小,缩短;订(约) 大家扯皮的结果订立合同 distract v.分散,打扰;迷惑,扰乱 dis-往外拉 extract v./n.拔出,抽出;摘录 ex-出来，出去 extraction n.抽出,拔出 subtract v.减(去) sub-下面的，往下面拉减少 tractor n.拖拉机,牵引车 [记忆方法] a开头的字母，如果它的后面接的是双写的辅音字母的话，那么考虑该词词义是不是加强后面的核心词的作用，ac-加强，celer－速度，ate放在词尾表示动词加速度加快,促进。 accelerate v.加快,促进反义词 decelerate 减（慢）速度 accent n.腔调,口音;重音(符号) ac-表加强 access n.接近,进入;入口,通道,入口;接近（或进入）的方法 have/gain access to可以获得 ac-加强，强调可行性，过得去 accessory n.附件,配件；a.附属的 accept v.接受,认可;同意,认可－cept接受 acceptable a.可接受的 acceptance n.接受,验收;承认,认可 concept n.概念,观念,思想 con-共同的，－cept接受共同接受的东西概念（性的） conception n.概念,观念;设想,构想
displacement n. 移置 , 转移 , 取代 , 置换 , 位移 , 排水量dramatic adj. 戏剧性的 , 生动的 eventually adv. 最后 , 终 于 exhibit vt. 展出 , 陈列 n.展览品 , 陈列品 , 展品 v.展示exploitation n.开发 , 开采 , 剥削 , 自私的利用 , 宣传 , 广告 fluctuations n. 波动 , 起伏 highlighted adj. 突出的 implicit adj.暗示的 , 盲从的 , 含蓄的 , 固有的 , 不怀疑的, 绝对的 induced vt. 劝诱 , 促使 , 导致 , 引起 , 感应 inevitably adv. 不可避免 infrastructure n. 下部构造 , 基础下部组织 inspection n. 检查 , 视察 intensity n. 强烈 , 剧烈 , 强度 ,亮度 manipulation n. 处理 , 操作 , 操纵 offset n.抵销 , 弥补 , 分支 , vt.弥补 , 抵销 , 用平版印刷 vi.偏移 , 形成分支 paragraph n.(文章 )段 , 节 , 段落 plus prep.加上 adj.正的 , 加的 practitioners n. 从业者 , 开业者 predominantly adv.卓越的 , 支配的 , 主要的 , 突出的 , 有影响的 prospect n.景色 , 前景 , 前途 , 期望 vi. 寻找 , 勘探 radical adj. 根本的 , 基本的 , 激进的 n.激进分子 random n.随意 , 任意 adj.任意的 , 随便的 , 胡乱的adv.胡乱地 reinforce vt. 加强 , 增援 , 补充 , 增加 ...的数量 , 修补 , 加固n.加固物 restore vt.恢复 , 使回复 , 归还 , 交还 , 修复 , 重建 revision n. 修订 , 修改 , 修正 , 修订本 schedule n.时 间表 , 进度表 v.确定时间 tension n. 紧张 (状态 ), 不安 , 拉紧 , 压力 , 张力 , vt. 拉紧 , 使紧张 termination n. 终止 thereby adv.因此 , 从而 , 在那方面 , 在那附近 uniform adj. 统一的 , 相同的 , 一致的 ,；n.制服 vt.使成一 样 , 使穿制服 vehicle n. 交通工具 , 车辆 , 媒介物 , 传达手段 via prep.经 , 通过 , 经由 virtually adv. 事实上 , 实质上 widespread adj. 分布广泛的 , 普遍的 visual adj. 看的 , 视觉的 , 形象的 , 栩栩如生的accommodation n.住处 , 膳宿 , (车 , 船 , 飞机等的 )预定铺位 , (眼睛等的 )适应性调节 analogous adj.类似的 , 相似的 , 可比拟的 anticipate vt. 预期 , 期望 , 过早使用 , 先人一着 , 占先 v. 预订 , 预见 , 可以预料 assurance n.确信 , 断言 , 保证 , 担保attain vt. 达到 , 获得 v.达到 behalf n.为 , 利益 bulk n.大小 , 体积 , 大批 , 大多数 , 散装 vt.显得大 , 显得重 要 ceases v停.止 , 终了 ,n.停止 coherence n.一致 coincide vi. 一致 , 符合 commence v.开始，着手 concurrent n 同时发生的事件 adj.并发的，协作的，一致 的 confined adj. 被限制的，狭窄的，分娩 的 controversy n. 论战 ,争论 ,辩论 conversely adv.倒的 ,逆的 device n. 装置 ,设计 ,图案 ,策略 ,发明物 ,设备；【计】安 装设备驱动程序 devote v.投身于 ,献身于 diminish v.( 使 )减少 ,( 使)变小 distorted adj. 扭曲的 ,受到曲解 的 duration n. 持续时间 ,为期 erosion n. 腐蚀 ,浸蚀 ethical adj. 与伦理有关的 ,民族的 ,民族特有的 founded v.建立 ,创立 inherent adj.固有的 ,内在的 ,与生俱来的 insight n. 洞察力 ,见识 integral adj. 完整的 ,整体的 ,【数学】积分的 mature adj. 成熟的 ,到期的 ,充分考虑的 ,(票据等 )到期的 vt.使成熟vi. 成熟 ,到期 mediation n.仲裁 ,调解 ,调停 advocate n.提倡者 , 鼓吹者 vt.提倡 , 鼓吹 channel n.海峡 , 水道 , 沟 , 路线 vt.引导 , 开导 , 形成河道；信道 ,频道 classical adj.古典的 , 正统派的 , 古典文学的 comprehensive adj. 全面的 , 广泛的 , 能充分理解的 , 包容 的 comprise v.包含 , 由 ...组成 confirmed adj. 证实的 , 惯常的 , 慢性的 contrary adj.相反的 , 逆的 , decades n十.年 , 十 definite adj. 明确的 , 一定的 deny v.否认 , 拒绝 differentiation n. 区别 disposal n.处理 , 处置 , 布置 , 安排 , 配置 , 支配 empirical adj. 完全根据经验的 , 经验主义的 , 【化】实验式 equipment n.装备 , 设备 , 器材 , 装置 , 铁道车辆 , 才能extract n.精 , 汁 , 榨出物 , 摘录 , 选粹 vt.拔出 , 榨取 , 开方, 求根, 摘录, 析取, 吸取 foundation n.基础 , 根本 , 建立 , 创立 , 地基 , 基金 , 基金会
小学生词语分类大全默认分类 1．表示“看”的字词：瞥、瞅、望、瞄、瞪、盯、观察、凝视、注视、看望、探望、瞻仰、扫视、环视、仰望、俯视、鸟瞰、俯瞰、远望、眺望、了望 2．表示“说”的字词：讲、曰、讨论、议论、谈论、交流、交谈 3．表示“叫”的字词：嚷、吼、嚎、啼、鸣、嘶、嘶叫、嚎叫、叫嚷4．表示“第一”的字词：首、元、甲、子、首先、冠军、魁首、首屈一指、名列前茅 5．象声词（表示声音的）：吱呀、喀嚓、扑哧、哗啦、沙沙、咕咚、叮当、咕噜、嗖嗖、唧唧喳喳、叽叽喳喳、轰轰隆隆、叮叮当当、叮叮咚咚、哗哗啦啦 6．表示春的成语：鸟语花香、 春暖花开、阳春三月、万物复苏、春风轻拂、春光明媚 7．表示夏的成语：烈日当空、 暑气逼人、大汗淋漓、挥汗如雨、乌云翻滚、热不可耐 8．表示秋的成语：秋高气爽、 五谷丰登、万花凋谢、天高云淡、落叶沙沙、中秋月圆 9．表示冬的成语：三九严寒、 天寒地冻、雪花飞舞、寒冬腊月、千里冰封、滴水成冰 10．带有人体器官或部位名称的词语：头重脚轻、指手画脚、 愁眉苦脸、心明眼亮、目瞪口呆、张口结舌、交头接耳、面黄肌瘦、眼明手快、眼高手低、昂首挺胸、心灵手巧、摩拳擦掌、摩肩接踵 11．带有动物名称的成语：
与虎谋皮、亡羊补牢、雄狮猛虎、鹤立鸡群、狗急跳墙、叶公好龙、声名狼籍、狐假虎威、画蛇添足、九牛一毛、鸡犬不宁、一箭双雕、惊弓之鸟、胆小如鼠、打草惊蛇、鸡飞蛋打、指鹿为马、顺手牵羊、对牛弹琴、鸟语花香、虎背熊腰、杀鸡儆猴、莺歌燕舞、鸦雀无声、鱼目混珠、鱼龙混杂、龙争虎斗、出生牛犊、望女成凤、望子成龙、狗尾续貂、爱屋及乌、螳臂当车、蛛丝马迹、投鼠忌器、门口罗雀、管中窥豹 （带有“马”的词语：马不停蹄、马到成功、龙马精神、马失前蹄、指鹿为马、一马当先） （带有“鸡”的词语：闻鸡起舞、雄鸡报晓、鹤立鸡群、杀鸡取卵、鸡犬不宁、鸡飞蛋打、鸡毛蒜皮） （带有“牛”的成语：小试牛刀、九牛一毛、牛头马面、牛鬼蛇神、牛马不如、牛角挂书、牛毛细雨、如牛负重、风马牛不相及、 初生牛犊不怕虎、九牛二虎之力） 12．数字开头的成语：一诺千金、一鸣惊人、一马当先、一触即发、一气呵成、一丝不苟、一言九鼎、一日三秋、一落千丈、一字千金、 一本万利、一手遮天、一文不值、一贫如洗、一身是胆、一毛不拔二三其德、两面三刀、两肋插刀、两败俱伤、两情相悦、两袖清风、 两全其美、三生有幸、三思而行、三令五申、三头六臂、三更半夜、三顾茅庐、四面楚歌、四面八方、四海为家、四通八达、四平八稳、 四分五裂、五大三粗、五光十色、五花八门、五体投地、五谷丰登、五彩缤纷、五湖四海、六神无主、六根清净、六道轮回、六亲不认、 七零八落、七嘴八舌、七高八低、七窍生烟、七上八下、七折八扣、七拼八凑、八面玲珑、八面威风、八仙过海，各显神通、九霄云外、
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
思考类动词总结 assume / conceive构思, 以为, 持有conceive a plan to increase profits. / conclude / expect / determine 决定, 确 定, 测定, 使下定决心Demand determines production. / hold / judge / presume假定, 假设, 认为That's the new assistant, I presume./ reckon / see / sense / suppose / comprehend / consider / deduce / infer / evaluate / examine / rationalize合理化/ reason说服, 推论, 辩论reasoned out a solution to the problem./ reflect反射, 反映, 表现, 反省, 细想/ resolve 决心，解决/ speculate 推测, 思索, 做投机买卖/ study / turn over 反复考虑/ weigh / contemplate沉思/ convey传达 ponder, meditate, deliberate, ruminate, mull, muse这些动词表示仔细而详尽地考虑某件事情。 Ponder是指用煞费苦心的详尽和仔细在头脑中权衡： “He and the council had already pondered the list of members returned to the parliament” (John Morley). “他和委员会已经认真地考虑过了重返国会的人员名单”（约翰·摩利）。 “Th e Doctor had been pondering, and had made up his mind to a certain course” (Henry Kingsley). “这个医生已经苦思冥想了一段时间并已决定要采用某种方法”（亨利·金斯利）。 Meditate暗指严肃的思考，比如对于采取一项行动或执行一项计划所做的考虑；这个词还可表示陷入深深的思考： “The King struck the blow he had for some time meditated” (William E.H. Lecky). “国王实施了他考虑已久的打击”（威廉E.H.莱奇）。 “He quitted her presence to meditate upon revenge” (Frederick Marryat).“他不让她出现以考虑如何复仇”（弗雷德里克·玛利亚特）。 Deliberate是指集中注意力地且通常是缓慢地思考，如对于将要做出的一项选择或决定的思考： The jury deliberated for two days before returning a verdict. 陪审团在仔细斟酌了两天后才做出了他们的最后决定。 Ruminate / mull暗指把一件事情在脑子里翻来覆去地想： “The old warrior king was . . . ruminating on his gloomy fortunes” “年迈的武士之王正在…反复咀嚼他暗淡的命运和前途” I sat mulling over my problem without finding a solution. 我坐着一遍又一遍地思考我的问题，可总是找不到解决办法。 Muse 缪斯[希神]文艺、美术、音乐等的缪斯女神是指沉浸在自己的思想中；该词经常含有一种抽象的性质：“And musing there an hour alone,/I dreamed that Greece might still be free” (Byron).“在那默想一个钟头，/我梦见希腊也许仍然自由”（拜伦） 思考类名词总结(观点/ 概念/ 理论) Notion 概念, 观念, 想法/ idea / view / concept / perception 理解，感知，感觉 perspective 观点, 看法/ observation / examination witness / judgment / approach / hypothesis impression / supposition假定, 想象, 推测, 推想/ theory / thought apprehension 理解, 忧惧/ comprehension / realization consideration 体谅, 考虑/ interpretation / understanding speculation / vision幻想,洞察力/ picture / inclination 倾向/ ideology 意识形态 支持类单词总结 Support / maintain / insist / hold / uphold 支持, 赞成/ agree / accede to 同意，让步：通常是因为他人的坚持而同意accede to terms同意条件accede to a request答应某人要求accede to a proposal 接受建议accede to a party加入政党accede to an estate继承一份产业/ admit / consent to同意)consent to stay on同意继续住下My father would not consent to my leaving school./ assent 同意/ verify / revel in 得意于, 着迷, 酷爱, 纵情于revel in a book / glory in 自豪, 得意/ believe in / dictate 规定/ celebrate 表扬, 赞美a song that celebrates love. 反对类单词总结 Contradict / decline / disagree / dispute / dissent from不同意dissent from the Church of England / oppose / protest / refuse / abandon / neglect / disapprove / disprove 反驳/ condemn
2019高考英语作文核心词汇复习总结 一、如何写长难句How to develop complex sentences. 1. 写出key words，确认中心骨架 2. 逻辑排列，logical arrangements 3. 加工润色，colorize 例句：绝大部分学生相信业余工作会使他们有更多机会发展人际 交往水平，这对他们未来找工作是非常有好处的。 Most of (A majority of) students believe (hold the view) that part-time jobs can provide them with opportunities机会 to/and develop (improve/better) communication ability水平(social abilities/interpersonal skills人际关系技巧),which is good for (is beneficial to有益于) their looking for jobs (job-hunting求职) in the future (after their graduation). 二、拓展长句的三大方法 The most important factor因素 we have to take into consideration is sth./that… The most important thing I want to talk about is that…sth./ that… It is also of great importance to pay close attention to…that Besides what is mentioned above上诉的,it is necessary to think about… In addition to除…之外 what is talked about above, I want to tell you sth. about…
初中全部单词分类总结 地点(place) office post office library restaurant bank supermarket street avenue park market house gardon palace district square zoo shop hospital station apartment mall airport laboratory hotel factory kitchen farm island river beach town village mountain hill museum gym lake Europe Africa North America Pacific 国家(country) China Canada France Japan the U S America Australia Singapore the U.K Greece Spain Thailand Italy 时间(time) century year season spring summer autumn winter month week today tomorrow yesterday morning noon afternoon evening day night hour minute second 频率adv never seldom sometimes often usually always 交通
transportation taxi boat ship bike bicycle subway train car rocket plane bus 身体body hair head eye ear nose face mouth throat tooth neck elbow arm finger back stomach hand knee foot leg lap 学科 English Chinese maths science music art history biology geography chemistry physics 学习，娱乐 book pen pencil eraser ruler dictionary notebook school bookcase bag class club baseball computer game soccer sports ball tennis racket bat ping-pong volleyball basketball skateboard guitar chess drum piano trumpet violin rock band pencilsharpener 颜色（color） blonder brown black white red green blue
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um ->
0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）. 10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？ 答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。 ②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation） 14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份? 答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
高三英语话题写作必备词汇 一、人品人物 【必备词句】 年龄 （1）a five-year-old boy一个五岁的男孩 （2）a boy aged five 一个五岁的男孩 （3）in my teens /twenties在我十/二十多岁时 （4）at the age of five在五岁时 （5）As a child, I liked to... 我小时候喜欢…… 出生 , （1）was born in ... 出生在…… （2）be/come from a wealthy family出生于富裕人家 （3）was born into a peasant family出生于一个农民家庭 外表 （1）a boy 一个高米的男孩 （2）overweight胖的；thin瘦的；slim苗条的；strong强壮的 （3）look young for one’s age 显得比实际年龄年轻 （4）good-looking 长得好看； plain-looking 长得一般 （5）well dressed 穿得漂亮； ~ neatly dressed 衣着干净整洁 能力 （1）efficient办事高效率的 （2）intelligent有智力的；creative 富创造力的 （3）a boy with great ability 能干的男孩 （4）a qualified teacher 一名合格的教师 （5）speak fluent English 讲流利的英语 （6）have a gift for = have a talent for 有……的天赋 （7）be skilled in 在……方面熟练 （8）be experienced in 在……方面有经验 （
Avoid void inevitable vain vanish vacant vacancy vacation vacuum evacuate 第二关：（10个：分两组） State 阶段状态 Statement 声明 Statesman 政治家 Thesis 论文 Hypothesis Rate 速率 rating estimate underestimate Ratio Attitude 态度altitude latitude Enhance 拥有 第四关（45个分七组）process processor graduate undergraduate ingredient aggress aggressive congress progress progressive proceed proceedings procedure precede preceding precedent unprecedented
precedence priority prior 第二节课： access accessible accessory recession excess excessive exceed exceedingly cease succeed successor succession successive necessity predecessor 第五关（23个分四组）advent prevent intervene intervention interfere interference revenue income invest investment advance ancient antique ancestor advanced advantage invent invention inventory benefits venture capital adventure convene convention
半导体行业专业词汇 . acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。