声明：由不动脑筋而直接抄取答案的行为引发的后果自负，与本人无任何关联，愿好自为之。解释权归本人所有。
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？
解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？
解：
当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W
当ηC2 = 70%时，P D2 = P o/ηC =1428.57 W，P C2 = P D2P o = 428.57 W
可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W
P
C
下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W
1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L= 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 Ω时，作负载线(由V CE = V CC I C R L)，取Q在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V，
I
CQ1
= 220mA，I BQ1 = I bm = 2.4mA
因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2)
V = 2.4 V，I cm = I CQ1 = 220 mA
所以mW
264
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D= V CC I CQ1 =
1.1 W，ηC = P L/ P D = 24%
(2) 当R L = 5 Ω时，由V CE = V CC
I
C
R
L
作负载线，I BQ同(1)值，即I BQ2 =
2.4mA，得Q2点，V CEQ2 =
3.8V，I CQ2 = 260mA
这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V，I cm = I CQ2 = 260 mA
所以mW
156
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W，ηC = P L/ P D = 12%
(3)当R L = 5 Ω，Q在放大区内的中点，激励同(1)，
由图Q3点，V CEQ3 = 2.75V，I CQ3= 460mA，I BQ3 = 4.6mA， I bm = 2.4mA
相应的v CEmin= 1.55V，i Cmax= 700mA。
因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V，I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA
所以mW
144
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W，ηC = P L/ P D = 6.26%
(4) 当R L = 5 Ω，充分激励时，I cm =I CQ3 = 460 mA，V cm = V CC V CEQ3 = 2.25 V
所以mW
5.
517
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W，ηC = P L/ P D = 22.5%
1-7 如图所示为三种甲类功率放大器的输出电路，采用相同的功率管及V CC 值。设V CE(sat) = 0，I CEO = 0，变压器是理想无耗的，试在同一输出特性曲线上作出各电路的交、直流负载线，并求这三种放大器的最大输出功率之比
)c
max(
L
)b
max(
L
)a
max(
L
:
:P
P
P。
解：(1) ○1直流负载线方程v CE = V CC i C R C，负载线CD，当i C = I CQ 时，V CEQ = V CC I CQ R C。
○2交流负载线中点过Q，斜率为(1/
L
R')，C
C
L
L2
1
//R
R
R
R=
=
'，根据交流负载线AB得
I
cm
= I CQ，V cm = V CEQ = I cm
L
R'
代入V CEQ方程中V cm = V CC I cm R C = V CC I CQ R C
=V CC2I cm
L
R'= V CC2V cm
解得
L
CC
cm
CC
cm
3
1
3
1
R
V
I
V
V
'
=
=，
即
L
2
CC
L
CC
CC
)a
m ax(
L18
1
3
1
3
1
2
1
R
V
R
V
V
P
'
=
'
?
?
=
L
2
CC
cm
CC
CQ
CC
D3
1
R
V
I
V
I
V
P
'
=
=
=
所以 6
1D
)
a max(L C =
=
P P η (2)交流负载相同，均为CF ，为获最大输出功率，Q 处于交流负载线的中点，故
V cm = V CEQ = V CC /2，L
CC
CQ cm 2R V I I == 所以 ；L 2CC
cm cm )
b max(L 8121R V I V P ==L
2
CC CQ CC D 2R V I V P == 4
1
D
)
b max(L C(b)=
=
P P η (3)因为直流负载电阻为零，故直流负载线为CG ，交流负载线斜率为(1/L
R ')的直线MN ，当Q C 处于中点时，得 V cm = V CEQ = V CC ，L
CC
CQ cm R V I I '=
= ，L 2CC cm cm )
c max(L 2121R V I V P '==，L 2
CC CQ CC D R V I V P '== 所以2
1
D )c max(L C(c)==P P η
所以36:9:421
:81:181::)c m ax(L )b m ax(L )a m ax(L ==
P P P 6:3:22
1:41:61::C(c)C(b)C(a)==ηηη
1-8 如图（a ）所示为变压器耦合甲类功率放大电路，图（b ）所示为功率管的理想化输出特性曲线。已知R L = 8 Ω，设变压器是理想的，R E 上的直流压降
可忽略，试运用图解法：（1）V CC = 15 V ，L
R ' = 50 Ω，在负载匹配时，求相应的n 、P Lmax 、ηC ；（2）保持（1）中V CC ．I bm 不变，将I CQ 增加一倍，求P L 值；（3）
保持（1）中I CQ 、L R '、I bm 不变，将V CC 增加一倍，求P L 值；（4）在（3）条件中，
将I bm 增加一倍，试分析工作状态。
解：(1)
因为V CC = 15 V ，L R '= 50 Ω，
负载匹配时，A 3.0L
CC
cm CQ1='=
=R V I I 由此得知Q 1的坐标为Q 1(15V ，0.3A)，
Q 1点处于交流负载线AB 的中点，其在坐标轴上的截距为A (32 V ，0)，B (0，0.6A)。由图可见
I cm = I CQ1=0.3A ，V cm = V CC =15 V 此时，W 25.22
1cm cm Lm ax ==I V P ，
W 5.4CQ CC D ==I V P
%505.425
.2D max L C ===
P P η，5.28
50
L L =='=R R n (2)
L
R '是否变化没说明，故分两种情况讨论 ○
1当L R '不变时，因为I CQ 增加一倍，因此，L R '已不是匹配值，其交流负载线平行移动，为一条过Q 2点的直线EF
(L
R '不变，斜率不变，I CQ 增加，Q 点升高) 此时，由于V CC 、I bm 、L
R '都不变，其P Lmax 亦不变，为2.25 W (I bm 不变，I cm 不变，V cm 不变) 但 P D = V CC ? I CQ = 9 W ηC P Lmax / P D = 25%
○
2当L R '改变时，且L R '< 50 Ω，交流负载线以Q 2为中心顺时针转动，但由于V CC 、I bm 、I cm 不变，因而L
R '↓ → P L ↓ ηC ↓ 当L
R '> 50 Ω，交流负载线以Q 2为中心逆时针转动，但由于激励不变，输出将出现饱和失真。
(3)V CC =30 V ，交流负载线平移到EF ，静态工作点为Q 3，因为I bm 不变，
所以V cm 不变，I cm 不变，因此P L 不变，P L = 2.25 W ，但V CC =30 V ，所以
P D = V CC ? I CQ = 9 W ηC P L / P D = 25%
(4)I bm = 6 mA ，以Q 3点为静态工作点，出现截止失真。
1-9 单管甲类变压器耦合和乙类变压器耦合推挽功率放大器采用相同的功
率管3DD303、相同的电源电压V CC 和负载R L ，且甲类放大器的L
R '等于匹配值，设V CE(sat) = 0， I CEO = 0，R E 忽略不计。（1）已知V CC = 30 V ，放大器的i Cmax = 2 A ，
R L = 8 Ω，输入充分激励，试作交流负载线，并比较两放大器的P omax 、 P Cmax 、ηC 、
L
R '、n ；（2）功率管的极限参数P CM = 30 W ，I CM = 3 A ，V (BR)CEO = 60 V ，试求充分利用功率管时两放大器的最大输出功率P omax 。 甲类 乙类
交流负载线
P omax W 152
1
2121Cm ax CC cm cm ==i V I V W 302
1
2121Cm ax CC cm cm ==i V I V P Cmax
2P omax = 30 W
0.2P omax = 6 W(单管)
ηC
50%
78.5%
L
R ' Ω=302/omax 2CC P V
Ω=152/omax 2cm P V
n 94.1830
L L =='R R 37.18
15
L L =='R R
甲类
乙类
P omax
W 15W 3021
21CM m ax o =?=≤'P P W 5.22A 3V 608
1
8
1
CM (BR)CEO omax
=??=≤''I V P
所以W 15m ax o om ax ='=P P
W 45A 3V 6041
4
1
CM
(BR)CEO max o =??=≤'I V P
W 150W 3055CM om
ax =?=≤''P P 所以W 45m ax o om ax ='=P P
1-14 如图所示为两级功放电路，其中，T l 、T 2工作于乙类，试指出T 4、R 2、R 3的作用。当输人端加上激励信号时产生的负载电流为i L = 2sin ωt （A ），讨计算：（1）当R L = 8 Ω时的输出功率P L ；（2）每管的管耗P C ；（3）输出级的效率ηC 。设R 5、R 6电阻不计。
解：T 4、R 2、R 3组成具有直流电压并联负反馈的恒压源，给T 1、T 2互补管提供克服交越失真的直流正偏压。
(1) W 162
1
L 2
cm L ==R I P
(2) ，
W 47.25π)(cm CC D ==I V P Θ W 74.42L D C =-=∴P
P P (3)
%83.62)4/π(8.02
/C CC cm =?=∴==ξηξ，V V
1-16 试按下列要求画单电源互补推挽功率放大器电路：（1）互补功率管为复合管；（2）推动级采用自举电路；（3）引入末级过流保护电路；（4）采用二极管偏置电路。
解：按要求画出的单电源互补推挽功率放大器电路如图所示。图中T 1为推动级，T 2、T 3、T 4、T 5为准互补推挽功率级，D 1、D 2为末级偏置电路，T 6、T 7为过流保护电路，C 2为自举电容。
1-17 两级功放原理电路如图所示。试：（1）简述电路工作原理；（2）已知
V CC =
EE V ，各管V BE(on)相等，设各管基极电流不计，求I CQ5(I CQ6)及k f v 表达式。
解：(1)T 1、T 2和T 3、T 4为复合管组成差分放大器，作为推动级。T 5、T 6为镜像电流源，作为差放级有源负载。T 7~ T 10——准互补功放电路，D 1~ D 3——为功率级提供正向偏置；R 5、R 6——电压串联负反馈，改善电路性能。 (2) 通过R 1的电流，1
BE(on)
EE EE 2R V V I -=
I CQ5 = I CQ6 = 0.5 I EE ，6
55o f
f R R R v v k v +==
2-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类，而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类？
解：因为谐振功放的输出负载为并联谐振回路，该回路具有选频特性，可从输出的余弦脉冲电流中选出基波分量，并在并联谐振回路上形成不失真的基波余弦电压，而电阻性输出负载不具备上述功能。
2-2 放大器工作于丙类比工作于甲、乙类有何优点？为什么？丙类工作的放大器适宜于放大哪些信号？
解：(1)丙类工作，管子导通时间短，瞬时功耗小，效率高。
(2) 丙类工作的放大器输出负载为并联谐振回路，具有选频滤波特性，保证了输出信号的不失真。
为此，丙类放大器只适宜于放大载波信号和高频窄带信号。
2-4 试证如图所示丁类谐振功率放大器的输出功率2)sat (CE CC L
2
o )2(π2
V V R P -=，集电极效率CC
)
sat (CE CC C 2V V V -=
η。已知V CC = 18 V ，V CE(sat) = 0.5 V ，R L = 50 Ω，试
求放大器的P D 、P o 和ηC 值。
光电子技术安毓英习题答案-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解：因为 ΩΦd d e e I = ， 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示，设小面源的面积为A s ，辐射亮度为L e ，面源法线 与l 0的夹角为s ；被照面的面积为A c ，到面源A s 的距离为l 0。若c 为辐射在被照面A c 的入射角，试计算小面源在A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为：2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗？ l 0 S R c L e A s A c l 0 s c 第1.2题图
声明：由不动脑筋而直接抄取答案的行为引发的后果自负，与本人无任何关联，愿好自为之。解释权归本人所有。 1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2 = P o/ηC =1428.57 W，P C2 = P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C 下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L= 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 Ω时，作负载线(由V CE = V CC I C R L)，取Q在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V， I CQ1 = 220mA，I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 264 2 1 cm cm L = =I V P，P D= V CC I CQ1 = 1.1 W，ηC = P L/ P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA，得Q2点，V CEQ2 = 3.8V，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以mW 156 2 1 cm cm L = =I V P，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W，ηC = P L/ P D = 12%
装 订 线 内 不 要 答 题 自 觉 遵 守 考 试 规 则，诚 信 考 试，绝 不 作 弊
三．如图所示为一振荡器的交流等效电路图，试判断其类型（电容三点式还是电感三点式），若H L pF C pF C μ100,320,8012===，求该电路的振荡频率和维持振荡所必须的最小放大倍数min K 。(10分) 四．在振幅条件已满足的条件下，用相位条件判断如图所示振荡器能否振荡；若能振荡，说明其振荡频率范围。(8分) 五．如图所示， f(t)为调制信号，当用其对一个高频载波进行调幅时，请画出m=0.5和m=1时的AM 信号U AM (t)和DSB 信号U DSB (t) (12分)
六．某发射机的输出级在R L =100Ω的负载上的输出电压信号为Vs(t)=4(1+0.5cos Ωt)cos ωC t (V),求发射机总的输出功率Pav ， 载波功率P o 和边频功率P SB 各为多少？(9分) 七．已知调角波表示式63()10cos(21010cos 210)()t t t v υππ=?+?,调制信号为 3()3cos 210t t υπΩ=?，试问： 1、该调角波是 波；（调频、调相）； 2、调角波的最大频偏为 ； 3、其有效频谱宽度为 Z K H . (8分)
八．设用调相法获得调频，调制频率F=300～3000Z H 。在失真不超过允许值的情况下，最大允许相位偏移0.5rad θ?=。如要求在任一调制频率得到最大的频偏f ?不低于75Z K H 的调频波，需要倍 频的次数为多少？(12分) 九．设非线性元件的伏安特性为2210u a u a a i ++=， 用此非线性元件作变频器件，若外加电压为t U t t m U U u L Lm s Sm ωωcos cos )cos 1(0+Ω++=，求变频后中频（s L I ωωω-=）电流分量的振幅。（8分） 十．若两个电台频率分别为KHz 5741=f ，KHz 11352=f ，则它们对短波（MHz 12~MHz 2= S f ）收音机的哪些接收频率将产生三阶互调干扰？（9分） 十一.基本 PLL 处于锁定时,VCO 频率_______输入信号频率,鉴相器两个输入信号的相位差为_______数,输出______电压。(6分)
第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解：因为 ， 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线 与l 0的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为：2 0cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗？ ΩΦd d e e I = r r e e A dI L θ?cos = 第1.1题图 第1.2题图
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2= P o/ηC =1428.57 W，P C2= P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ， I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1 V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，η C = P L / P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ 同(1) 值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，η C = P L / P D = 12% (3) R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA 所以mW 1442 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ，η C = P L / P D = 6.26% (4) R L = 5 Ω，充分激励时，I cm = I CQ3 = 460 mA ，V cm = V CC
四川信息职业技术学院 《高频电子线路》模拟考试试卷一 班级姓名学号 一、填空题（每空1分，共30分） 1、无线电通信中，信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2、针对不同的调制方式有三种解调方式，分别是、、和。 3、在单调谐放大器中，矩形系数越其选择性越好；在单调谐的多级放大器中，级数越多，通频带越（宽或窄），其矩形系数越（大或小）。 4、调幅波的表达式为：u AM（t）= 20（1 +0.2COS100πt）COS107πt（V）；调幅波的振幅最大值为 V，调幅度Ma为，带宽f BW为 Hz，载波f c为 Hz。 5、在无线电技术中，一个信号的表示方法有三种，分别是、 、。 6、调频电路有、两种方式。 7、检波有和两种形式。 8、反馈式正弦波振荡器按照选频网络的不同，可分为、、等三种。 9、变频器可由和两部分组成。 10、列出三个常见的频谱搬移电路__________、_________、_________。 11、用非线性器件实现调幅最为理想。 二、选择题（每小题2分、共20分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1、下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A、载波信号 B、本振信号 C、已调波信号
2、小信号谐振放大器的主要技术指标不包含（） A、谐振电压增益 B、失真系数 C、通频带 D、选择性 3、丙类谐振功放其谐振回路调谐于（）分量 A、基波 B、二次谐波 C、其它高次谐波 D、直流分量 4、并联型石英晶振中，石英谐振器相当于（）元件 A、电容 B、电阻 C、电感 D、短路线 5、反馈式正弦波振荡器的起振条件为（） A、|AF|=1，φA+φF= 2nπ B、|AF| >1，φA+φF = 2nπ C、|AF|>1，φA+φF≠2nπ D、|AF| =1，φA+φF≠2nπ 6、要实现集电极调制特性应使功放工作在（）状态 A、欠压状态 B、过压状态 C、临界状态 D、任意状态 7、自动增益控制可简称为（） A、MGC B、AGC C、AFC D、PLL 8、利用非线性器件相乘作用来实现频率变换其有用项为（） A、一次方项 B、二次方项 C、高次方项 D、全部项 9、如右图所示的电路是（） A、普通调幅电路 B、双边带调幅电路 C、混频器 D、同步检波器 10、在大信号包络检波器中，由于检波电容放电时间过长而引起的失真是（） A、频率失真 B、惰性失真 C、负峰切割失真 D、截止失真 三、判断题，对的打“√”,错的打“×”（每空1分，共10分） 1、谐振放大器是采用谐振回路作负载的放大器。（） 2、基极调幅实现的是普通调幅，也是高电平调幅。（） 3、已知某调幅波的最大振幅10V，最小振幅为6V，则调幅度Ma为40%。（）
第一章 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0 的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为： 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对 的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比，即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答：教材P9，对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。 第二章 3．对于3m 晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x 方向上） 解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即n x =n y =n 0、n z ＝n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为： L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图
第一章 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0 的夹角为?s ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若?c 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为： 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对 的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比，即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，其中常数为5.67?10-8W/m 2K 4 解答：教材P9，对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ= -进行积分即可证明。 第二章 3．对于3m 晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x 方向上） 解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即n x =n y =n 0、n z ＝n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为： 第1.2题图
西南科技大学2009——2010学年第1学期《光电子技术》期末考试试卷（A卷）
西南科技大学2009——2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷（A卷） 31、答： 光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。光子能量是νh，h是普朗克常数, ν是光波频率，所以，光子效应就对光波频率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应速度一般比较快。5分 光热效应和光子效应完全不同。探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。所以，光热效应与单光子能量νh的大小没有直接关系。原则上，光热效应对光波频率没有选择性。只是在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛用于对红外线辐射的探测。因为温度升高是热积累的作用，所以光热效应的响应速度一般比较慢，而且容易受环境温度变化的影响。5分32、答： 转移效率：电荷包在进行每一次转移中的效率；2分
不均匀度：包括光敏元件的不均匀与CCD的不均匀；2分暗电流：CCD在无光注入和无电注入情况下输出的电流信号；1分灵敏度：是指在一定光谱范围内，单位暴光量的输出信号电压（电流）；1分光谱响应：是指能量相对光谱响应，最大响应值归一化为100%，所对应的波长峰值波长，低于10%的响应点对应的波长称为截止波长；1分噪声：可以归纳为散粒噪声、转移噪声和热噪声；1分 参考答案及评分细则 西南科技大学2009——2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷（A卷） 分辨率：是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力；1分动态范围和线性度：动态范围=光敏元件满阱信号/等效噪声信号，线性度是指在动态范围内，输出信号与暴光量的关系是否成直线关系。1分33、答： 等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它是除去固、液、气态外，物质存在的第四态。等离子体是一种很好的导电体，利用经过巧妙设计的电场和磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。4分等离子体显示搬是利用气体放电产生发光现象的平板显示的统称。1分等离子体显示技术（Plasma Display）的基本原理：显示屏上排列有上千个密封的小低压气体室（一般都是氙气和氖气的混合物），电流激发气体，使其发出肉眼看不见的紫外光，这种紫外光碰击后面玻璃上的红、绿、蓝三色荧光体，它们再发出我们在显示器上所看到的可见光。5分
课号: 课程名称：非线性电子线路Non-Linear Electronics Circuit 学时：72 学分：4 预修课程：电路理论，线性电子线路 适用学科方向：电子工程、电子科学与技术 本课程是高等院校电子类系必修之专业基础课，旨在让学生掌握电子器件在大信号作用下所表现出的特有的物理效应及其应用电路分析、设计的基本方法和技巧，为今后工作和深造打下基础。 本课程系统介绍了非线性电子线路的一些基本概念，着重介绍非线性器件在不同应用条件下的数学模型、分析方法以及各种由非线性器件构成的功能电路如振荡电路、幅度调制器、调频电路、混频器和检波器、鉴频器等。 教学重点：正弦振荡器；幅度检波；直接调频和鉴频电路。 教学难点：工程近似分析法。 第一章概述（4学时） 第一节非线性器件定义（1学时） 第二节非线性器件的频率变换作用（1学时） 第三节非线性器件应用简介（2学时） 第二章非线性器件分析方法（10学时） 第一节非线性电阻分析方法（6学时） 第二节线性电抗与非线性电阻组合电路分析方法（4学时） 第三章谐振功率放大器（8学时） 第一节概述（1学时） 第二节谐振功率放大器折线化分析及结论（3学时） 第三节谐振功率放大器的负载特性、调制特性和放大特性（4学时） 第四章正弦振荡器（14学时） 第一节基本原理（6学时） 第二节LC正弦振荡器电路分析及性能比较（2学时） 第三节负阻振荡器（2学时） 第四节石英晶体振荡器（4学时）
第五章模拟乘法器（4学时） 第一节宽带模拟乘法器（2学时） 第二节窄带模拟乘法器（2学时） 第六章幅度调制和解调（10学时） 第一节幅度调制原理（2学时） 第二节调幅电路（4学时） 第三节调幅波的解调-检波（4学时） 第七章混频（8学时） 第一节混频原理（2学时） 第二节混频电路与分析（2学时） 第三节混频干扰（2学时） 第四节参量电路与参量混频简介（2学时）第八章调频与鉴频（14学时） 第一节基本概念（2学时） 第二节调频信号的传输（2学时） 第三节调频信号的产生（4学时） 第四节调频信号的解调（6学时）
1.1可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少？ 波长：380~780nm 400~760nm 频率：385T~790THz 400T~750THz 能量：1.6~3.2eV 1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么？为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量？ 为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应，分析光电敏感器件的光电特性，以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算，常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。根本区别在于：前者是物理（或客观）的计量方法，称为辐射度量学计量方法或辐射度参数，它适用于整个电磁辐射谱区，对辐射量进行物理的计量；后者是生理（或主观）的计量方法，是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算，称为光度参数。因为光度参数只适用于0.38~0.78um 的可见光谱区域，是对光强度的主观评价，超过这个谱区，光度参数没有任何意义。而量子流是在整个电磁辐射，所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处，将λ～λ+d λ范围内发射的辐射通量 d Φe ，除以该波长λ的光子能量h ν，就得到光源在λ处每秒发射的光子数，称为光谱量子流速率。 1.3一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m 的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx ，求出该灯的光通量。 Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx 1.4一支氦-氖激光器（波长为63 2.8nm ）发出激光的功率为2mW 。该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm 。 求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。 若激光束投射在10m 远的白色漫反射屏上，该漫反射屏的发射比为0.85，求该屏上的光亮度。 322 51122()()()6830.2652100.362()()22(1cos )()0.362 1.15102(1cos )2(1cos 0.001) 1.4610/cos cos cos 0 ()0.3v m e v v v v v v v v v v v K V lm d I d S Rh R R I cd dI I I L cd m dS S r d M dS λλλλλππθλπθπθθπλ-Φ=Φ=???=Φ?Φ= =Ω?Ω ??Ω===-?Φ===?--??====??Φ==52262 4.610/0.0005lm m π=??'2' ''22 2' '2'2 '100.0005(6)0.850.850.85cos 0.85155/cos 2v v v v v v v v l m r m P d r M E L dS l r L d dM l L cd m d dS d πθπθπ =>>=Φ===??Φ====ΩΩ
莆田学院期末考试试卷 （A ）卷 2010 — 2011 学年第 一 学期 课程名称： 非线性电子线路 适用年级/专业： 08/通信 试卷类别 开卷（ ） 闭卷（√） 学历层次 本科 考试用时 120分钟 《．考生．．注意：答案要全部抄到答题纸上，做在试卷上不给分．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．》． 一、填空题（每空2分，共26分） 1.混频电路中存在着多种失真，如： ① 、寄生通道干扰、交调失真、互调失真；寄生通道干扰中有两个最强的干扰，它们是： ② 和中频干扰。 2.下图为某二极管电路，已知已调信号为V SS ，本振信号为V LS ,I 端为信号的输出端，则可判断得该电路实现的功能为 ① ，若输出电流表达式为 ....]3cos 34 cos 4[2cos 2+-+- =t t R R t V i L L D L c sm O ωπ ωπω,且令C L I ωωω-=,可推算得中 频电流的幅值= ② 。 3.下图(a)为调制信号的频谱图，采用两种不同的调制方式后获得的已调信号的频谱图如图（b ）、（c ）所示，根据频谱结构可判断得（b ）图采用的调制方式是： ① ，（c ）图采用的调制方式是： ② 。 (a) (b) (c)
4.右图为某三点式振荡电路，其中C C 、 C B 、C E 的容量较大，那么根据三点 式振荡电路的组成原则可判定该电路 为①三点式振荡电路，其产 生的正弦波的频率计算式为②。 5.右图为二极管包络检波电路的示意图， 若要实现正常的检波，除了对电路中 的元件参数有要求外，V S (t)只能是 ①波，若V S (t)为平衡调幅波， 为了能够实现检波，必须加入一个与 已调信号载频②的参考信号。 6.下图为某已调波的波形图以及解调情况示意图，根据波形可判断该已调信号为 ①；若解调后的包络如图中的锯齿 状波形所示，说明出现了②失真， 为避免该失真的出现对检波电容C和负载电 阻R L 的取值要求是：R L C ③。 二、单项选择题（每小题3分，共24分）。 1.图示为谐振功放功率管集电极的电流波形，已知电流脉冲中的I C0 =32mA I C1m =54mA，且负载上的基波电压幅值Vc 1m =11V, 电源电压V CC =12V,那么可推算得 该功率放大器的效率约为______ 。 A. % B. % C. % D. % 2.在功率合成电路中，对隔离条件含义描述错误的是______ 。 A. 必须采用类似屏蔽等措施把两个功率源隔开 B. 当其中一个功率源发生故障时不会影响到另外一个功率源 C. 功率合成电路不同，隔离条件也可能随之发生变化 D. 同相功率合成端和反向功率合成端的负载电阻取值要满足特定关系 3.混频电路是超外差式接收机不可缺少的组成部分，其功能是______ 。
一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的载波输出功率为50W ，调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常可 以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ)1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管的 ； 变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期）
等于 。 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 图 2 A . 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼5、若载波频率为c f ，调制信号频率为F ，那么双边带调幅波的频带宽度 为 。 A. 无穷大 B. 2F C. 2c f D. F 6、在保持调制规律不变的情况下，将输入的已调波的载波频率s f 变换成固定的中频I f 的过程称为 。 A. 调制 B. 解调 C. 倍频 D. 变频 7、图3所示是振荡器的高频等效电路，有可能振荡的电路是 。
光电子技术安毓英习题答案
习 题1 1．1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 .1.2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e 积为?A c ，θc 为辐射在 被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 第1题图 第2题图
1.4. 霓虹灯发的光是热辐射吗？ 不是热辐射。 1.6. 从黑体辐射曲线图可以看出，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长λm 随温度T 的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导出 常数=T m λ。 这一关系式称为维恩位移定律，其中常数为 2.898?10-3m ?K 。 普朗克热辐射公式求一阶导数，令其等于0，即可求的。 1.9. 常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。你知道这是按什么区分的吗？ 按色温区分。 习 题2
2.1. 何为大气窗口，试分析光谱位于大气窗口内的光辐射的大气衰减因素。 对某些特定的波长，大气呈现出极为强烈的吸收。光波几乎无法通过。根据大气的这种选择吸收特性，一般把近红外区分成八个区段，将透过率较高的波段称为大气窗口。 2. 何为大气湍流效应，大气湍流对光束的传播产生哪些影响？ 是一种无规则的漩涡流动，流体质点的运动轨迹十分复杂，既有横向运动，又有纵向运动，空间每一点的运动速度围绕某一平均值随机起伏。这种湍流状态将使激光辐射在传播过程中随机地改变其光波参量，使光束质量受到严重影响，出现所谓光束截面内的强度闪烁、光束的弯曲和漂移（亦称方向抖动）、光束弥散畸变以及空间
1 全国2018年10月高等教育自学考试 非线性电子电路试题 课程代码：02342 一、选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中有一个至四个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.某发射机输出级在负载R L =100Ω上的输出信号为u s (t)=4(1+0.5cos Ωt)cos ωc t(V),则发射机输出的边频总功率为（ ） A. 80mW B. 90mW C. 5mW D. 10mW 2.模拟乘法器混频器的优点是（ ） A. 电路简单 B. 输出电流频谱纯净 C. 允许的输入信号动态范围大 D. 工作频率很高 3．叠加型同步检波器适用于哪种调幅波的解调？（ ） A. 普通调幅波 B. 抑制载波双边带调幅波 C. 单边带调幅波 D. 残留边带调幅波 4．DSB 调幅波的数学表达式为u AM (t)=U o cos10?π103tcos2?π106t, 则此调幅波占据的频带宽度是（ ） A. 20kHz B. 2MHz C. 10kHz D. 5kHz 5．一个并联谐振回路，若谐振频率由f 0变至2f 0, 与此同时，回路Q 值由Q 减至2 1 Q ，则回路带宽（ ） A. 不变 B. 增大一倍 C. 增大4倍 D. 减小4倍 6．已知某调相波的载波频率f c =50?106Hz, 调制信号频率F=2?103Hz ，最大相偏m p =4.5rad,则此调相波占据的频带宽度B s 为（ ） A. 4?103Hz B. 100?106Hz C. 22?103Hz D. 550?106Hz 7．欲实现无误差的频率跟踪，应采用（ ） A. 自动幅度控制 B. 自动频率控制 C. 自动相位控制 D. 调频 8．某调频波，若调制信号的振幅不变，调制频率增大一倍，则调频波的最大频偏m f ?（ ）
习 题1 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解：ΩΦd d e e I =， 20 2 πd l R c =Ω 20 2 e πd d l R I I c e e ==ΩΦ 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：用定义r r e e A dI L θ?cos = 和A E e e d d Φ=求解。 3.假设有一个按郎伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度e L 均相同。试计算该扩展源在面积为d A 的探测器表面上产生的辐照度。 解：辐射亮度定义为面辐射源在某一给定方向上的辐射通量，因为余弦辐射体的辐射亮度为 eo e eo dI L L dS = = 得到余弦辐射体的面元dS 向半空间的辐射通量为 0e e e d L dS L dS ππΦ== 又因为在辐射接收面上的辐射照度e E 定义为照射在面元上的辐射通量e d Φ与该面元的面积dA 之比，即e e d E dA Φ= 所以该扩展源在面积为d A 的探测器表面上产生的辐照度为e e d L dS E A π= 单位是2 /W m 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗？ 解： 不是热辐射。 5刚粉刷完的房间从房外远处看，它的窗口总显得特别黑暗，这是为什么？ 解：因为刚粉刷完的房间需要吸收光线，故从房外远处看它的窗口总显得特别黑暗 第1题图 第2题图
全国2001年10月自考非线性电子电路试题 课程代码：02342 第一部分选择题 一、选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个选项中有一个或一个以上选项是符合 题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1．高频小信号谐振放大器的负载采用调谐回路，其目的是为了实现（）功能。 A．提高增益B．阻抗变换 C．选频滤波D．减小失真 2．反馈型振荡器的相位稳定条件是（） A．T(jω)=1 B．?T ?U i <0 C．?K ?U i <0D． ?? ?ω <0 3．在LC选频网络中，常将串联谐振称为（） A．电压谐振B．电流谐振 C．电阻谐振D．功率谐振 4．音频信号的频率范围为0.1～6kHz，因其主要能量集中在（）范围内，因而只要传送该频率范围的话音信号就可以保证电话通信的质量。 A．0.5～3.4kHz B．0.8～4.8kHz C．0.3～3.4kHz D．0.3～4.8kHz 5．AM波的调幅度m的大小，反映了载波振幅受uΩ控制的强弱，其定义式是（） A．调制信号振幅与载波振幅之比 B．调幅波的最小幅度与最大幅度之比 C．调幅波的最小幅度与载波振幅之比 D．载波振幅受调后的振幅变化量与载波振幅之比 6．同步检波器能解调的已调信号有（） A．AM信号B．DSB信号 C．SSB信号D．FM信号 7．AM信号中，若m=0.5，则含有信息的功率只占信号总功率的（）％ A．4.3 B．11.1 C．20 D．33.3 8．调频时，如调制信号振幅增大一倍，调制信号频率升高一倍，则最大频偏（） A．不变B．增大一倍 C．减小一半D．增大二倍 9．二极管峰值包络检波器中，它的交、直流负载电阻相差越大，其结果是（） A．越不容易出现惰性失真B．越容易出现惰性失真 C．越不容易出现底部切削失真D．越容易出现底部切削失真 10．调频波在负载R L上消耗的平均功率等于（） A．边频总功率的1 2 m f2倍B．载波功率 C．载波功率的(m f+1)倍D．载波功率与边频功率之和11．对调频器的主要技术要求是（） A．调制线性好B．调制灵敏度高
光电子技术题库及答案 (完整版) 第一章 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0 的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为： 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对 的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比，即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答：教材P9，对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。 第二章 3．对于3m 晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x 方向上） 解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即n x =n y =n 0、n z ＝n e 。它所属的三方晶 L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图
2009年10月非线性电子电路自考试题 全国2009年10月非线性电子电路自考试题 一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.高频谐振功率放大器放大调幅信号时，其工作状态应选择（） A.临界 B.欠压 C.过压 D.弱过压 2.超外差接收机的中频频率是465kHz，有人在收听1480kHz 电台的广播时，还能听到740kHz的强电台播音，此现象属于何种干扰（） A.干扰哨声 B.中频干扰 C.镜像干扰 D.其他组合副波道干扰 3.石英晶体振荡器的最大特点是（） A.工作频率高 B.频率稳定度高 C.输出幅度稳定性高 D.转换效率高 4.当需要产生频率稳定性较高，且振荡频率在较宽的范围调节的高频振荡时，以下振荡器应选用（） A.RC振荡器 B.克拉泼振荡器 C.西勒振荡器 D.一般电容反馈振荡器
5.设载波信号为uc（t）=Uccosωct，需要传输的信号为uΩ（t）=UΩcosΩt，则已调信号uo（t）=Uccos（ωct+mcosΩt）是（）A.AM波B.FM波 C.DSB波 D.PM波 6.某混频器输入信号是调制频率F=lkHz、载频fc=620kHz的AM波，混频器本振频率为fL=1085kHz，取下混频，则混频输出信号的带宽为（） A.2kHz B.465kHz C.620kHz D.1705kHz 7.自动增益控制电路中，比较的参量是（） A.增益 B.频率 C.相位 D.信号电平 8.锁相频率合成器是利用锁相环的（） A.环路锁定后没有剩余频差 B.跟踪特性 C.滤波特性 D.易于集成化 二、多项选择题（本大题共5小题。每小题2分，共10分）在每小题列出的四个备选项中至少有两个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选、少选或未选均无分。 9.对高频小信号放大器的主要要求有（） A.增益高 B.频带宽