常用开关电源芯片大 全
常用开关电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源 1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596 18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751
27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875 40.低噪声高效率降压式电荷泵LTC1911 41.低噪声电荷泵LTC3200/LTC3200-5 42.无电感的降压式DC-DC电源转换器LTC3251 43.双输出/低噪声/降压式电荷泵LTC3252 44.同步整流/升压式DC-DC电源转换器LTC3401 45.低功耗同步整流升压式DC-DC电源转换器LTC3402 46.同步整流降压式DC-DC电源转换器LTC3405 47.双路同步降压式DC-DC电源转换器LTC3407 48.高效率同步降压式DC-DC电源转换器LTC3416 49.微型2A升压式DC-DC电源转换器LTC3426 50.2A两相电流升压式DC-DC电源转换器LTC3428 51.单电感升/降压式DC-DC电源转换器LTC3440 52.大电流升/降压式DC-DC电源转换器LTC3442 53.1.4A同步升压式DC-DC电源转换器LTC3458 54.直流同步降压式DC-DC电源转换器LTC3703 55.双输出降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3736 56.降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3770
如何为您的ADC选择最合适的基准电压源和放大器 主题: 驱动精密ADC：如何为您的ADC选择最合适的基准电压源和放大器? 在线问答: [问：callhxw] 如何评定一颗ADC非线性？丢码？ [答：Jing] you can use ADC"s INL and DNL parameter to evaluate the non-linearity and you can also use ENOB parameter to check code loss. Thanks!Generally ENOB releated with ADC"s SNR [2006-2-28 10:32:08] [问：吉星] 在差分输入时，不考虑直流，使用差分放大器和变压器哪个更好．[答：Mariah] Transformer is better for the better noise and distortion performance, especially in very high frequencies. [2006-2-28 10:32:14] [问：Jane Yang] 请问应如何处理板级噪声对于高精度AD的影响？特别是输入部分的噪声？ [答：Jing] This is a good question and it"s very difficult to answer. Generally, You should consider all the input noise derived from sensor/AMP/BUFFER. You can also use a LPF to reduce the input noise. Remember the BGP of AMP should be 100x of ADC"s throughput. Thanks! [2006-2-28 10:34:30] [问：石林艳] AD变换的参考基准源很重要，对模拟供电电源和数字供电电源的要求也很高吗 [答：Rui] 模拟供电电源，和数字供电电源相对基准源来说，精度要求相对较低，一般情况下用10uF的电容和0.1uF滤波即可。 [2006-2-28 10:34:31] [问：zcs_1] 请解释一下，分辨率和转换精度之间的区别 [答：Mariah] For conversion accuracy, it involves many aspecs. For example, INL, DNL, offset, gain error. [2006-2-28 10:34:46] [问：Leemour] 對不起能否講一下什麼是：RAIL TO RAIL，這個我一直不太明白。 [答：Xiangquan] 轨到轨指输入轨到轨，或输出轨到轨，具体指的是输入信号或者输出信号的范围基本接近于电源，譬如电源是+-5V，输入信号或输出信号可以达到+-4.9几V以上 [2006-2-28 10:35:25] [问：jlwg] 很多种adi的a/d转换器件都自带有标准电压源，请问是使用器件自带的标准电压源好还是另外使用独立的标准电压源更精确？ 另外使用ad7710时，每次转换通道后的第一次转换结果是否是有效的？ [答：Troy] Use an independant reference to get the highest accuracy and lowest temperature drift. It depends on how much accuracy your application needs over temperature. [2006-2-28 10:37:14] [问：xwlcba] 您提到驱动AD的运放增益带宽积要求大于100倍采样速率,请问对运放的转换速率有何具体要求? [答：Troy] To get the lowest distortion (THD), we recommend using an amplifier with at least 100x gain-bandwidth product greater than the sample rate. [2006-2-28 10:39:36] [问：bly1979m] 本人最近做了一个项目用于精确测量温度的，就用到了这两种器件！请推荐几款贵司产品？并说说它的大概价格是多少？ [答：Jing] It"s depend on the accuracy of your system requirement. I am
型号厂商引脚基准电压（V）最大开关频率（KHz）UCC28019TI85=65 UCC3817TI167.5 UCC28051TI8 2.5 UCC28060TI166 UC3852TI85 UC2854/3854TI87.5 UCC38050TI8 2.5 UCC3817 TI167.5 UCC3818TI207.5220 UCC3819TI167.5220 UCC38500/02TI207.5250 UCC385/01/03TI20250 NCP1601A ON8405 NCP1601B ON8405 NCP1654ON865/133/200 NCP1910ON24565 LT1248LT167.5300 LT1509LT207.5300 L4981A ST20 5.1=100 L4981B ST20 L6561ST8 FAN4810Fairchair16 ML4821Fairchair16/20 FAn9612Fairchair16 TEA1751NXP16 MC33/4261Motorala8
门限电压（V）工作模式功率范围（W） 10.5/9.5CCM 16.0/10.0CCM 12.5/9.7CRM 12.6/10.35CRM 16.3/11.5DCM 16.0/10.0CCM 15.8/9.7CRM 16.0/10.0CCM 10.5/10.0CCM 10.2/9.7CCM 16.0/10.0CCM 10.5/10.0CCM 13.75/9DCM+CRM 10.5/9.5DCM+CRM 10.5/9.0CCM 10.5/9.0CCM 16.5/10.5CCM/DCM 16.5/10.5CCM/DCM 15.5/10.0CCM 15.5/10.0CCM 13.0/9.9CRM 13.0/2.8CCM 16.5/11.0CCM 12.5/7.5CRM 22.0/15.0DCM 10.0/8.0CRM
常用电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596
18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751 27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875
Winbond ACPI-STR Controller W83301R Date: 2002/07 Revision: 1.0
W83301R Data Sheet Revision History Pages Dates Version Version on Web Main Contents 1 07/200 2 1.0 1.0 1st Release Please note that all data and specifications are subject to change without notice. All the trademarks of products and companies mentioned in this datasheet belong to their respective owners. LIFE SUPPORT APPLICATIONS These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these products can reasonably be expected to result in personal injury. Winbond customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Winbond for any damages resulting from such improper use or sales.
电压基准芯片的参数解析及应用技巧 电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。 电压基准芯片的分类 根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。 根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。 电压基准芯片参数解析 安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。
①明确输入电压（或范围）和输出电压，根据输入输出的大小关系决定选择降压、升压或升降压芯片。如果是降压，则可以选择线性稳压器、电容式DC-DC（即电荷泵）或降压DC-DC （当然升/降压DC-DC也可以，考虑到性价比没有必要这样选）；如果是升压或者升/降压，则只能选择DC-DC转换器（电容式或者电感式升压DC-DC）！ ②如果是降压，考虑效率，需要计算输入与输出之间的压差。若这个压差很小（远远小于 1 V），则可以考虑选择低压差线性稳压器（LDO）；若这个压差在1 V以上，则可以考虑选择普通线性稳压器或者电感式降压DC-DC。如果对效率没有要求，两种线性稳压器都可以的情况下，追求更低成本则可以选用普通线性稳压器。 ③在线性稳压器和DC-DC稳压器都可以的情况下，若把转换效率放在第一位，则可以选择DC-DC稳压器；若对价格限制得很严格，并且要求较小的纹波和噪声，则可以考虑选用线性稳压器。 ④在使用电池供电时，若要求较长的电池使用时间，需要优先考虑效率，无论是升压、降压、升/降压都可以选用DC-DC转换器。为获得较高的效率，此时需要参照DC-DC转换器芯片手册里边的效率随负载电流变化曲线，要根据负载电流选择合适的DC-DC转换器，确保稳压器达到较高的效率。 ⑤为保证电池供电系统电源负荷变化较大应用的效率，最好选择PFM/PWM自动切换控制式的DC-DC变换器。PWM的特点是噪音低、满负载时效率高且能工作在连续导电模式，PFM具有静态功耗小，在低负荷时可改进稳压器的效率。当系统在重负荷时由PWM控制，在低负荷时自动切换到PFM控制，这样能够兼顾轻重负载的效率。在备有待机模式的系统中，采用PFM/PWM切换控制的DC-DC稳压器能够得到较高效率。这样的电源芯片有TPS62110/62111/62112/62113、MAX1705/1706、NCP1523/1530/1550等。 ⑥不要“大牛拉小车”或“小牛拉大车”。选用电源芯片时为保证电源的使用寿命，需要留有一定的裕量，较合适的工作电流为电源芯片最大输出电流的70%～90%。如果用一个能输出大电流的稳压块来带动一个小电流的负载，虽然说驱动能力没有问题，但是可能会带来两个问题，一方面成本会提高；另一方面选用DC-DC转换器时效率可能会非常低，因为一般的DC-DC在输出电流非常小或者非常大的时候效率都比较低。当使用线性稳压器（特别是
继电器 C5-M10 （TURCK RELECO） ③一般负载为纯感性与纯阻性之间，针对于设备启 停回路，触点容量可以大于２２０ＶＤＣ／５Ａ。EDPF-NT系统使用继电器主要作为DO卡输出的中间继电器使用，主要使用图尔克（TURCK RELECO德国）、欧姆龙（Omron 日本）、P&B KUEP（tyco 美国）和和泉（idec 日本）的继电器产品。 C5-M10①电力型继电器 直流大负载继电器，单极双闭合触点 内置磁吹灭弧 16A/500V AC1，10A@220V DC1 3.6A@110V DC13，2A@220V DC13② 触点指标 材质AgNi、AgSnO2 最大开关电流 16A 启动电流峰值40A 最大电压容量500V 最大交流负载4KV·A 技术说明 额定线圈功耗 2.4V·A（AC），1.3W（DC）吸合时间20ms 释放时间10ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 500V 绝缘强度，线圈/触点4KV 注：①C5-M10只有一对常开接点，需要常闭接点时要选用RF-5610，C5-M10带指示灯的型 号为C5-M10X； ②AC1和DC1表示阻性负载， AC15和DC13表示感性负载。
C5-R20 （TURCK RELECO） C7-A20 （TURCK RELECO）C5-R20 磁保持继电器 具有两对可转换触点 16A/500V AC1，10A@30V DC1 6A@500V AC15，0.5A@110V DC1 触点指标 材质AgNi、AgSnO2最大开关电流10A 启动电流峰值30A 最大电压容量500V 最大交流负载 2.5KV·A 技术说明 吸合脉冲功耗 1.5V·A（W）释放脉冲功耗0.5V·A（W）吸合与释放触发的最小脉宽50ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 500V 绝缘强度，线圈/触点4KV 绝缘强度，极与极间4KV C7-A20 具有两对可转换触点 10A/250V AC1，10A@30V DC1 6A@500V AC15，0.5A@110V DC1 触点指标 材质AgNi 最大开关电流 10A 启动电流峰值 30A 最大电压容量400V 最大交流负载 2.5KV·A 技术说明 线圈功耗 1.5V·A（AC），1W（DC）吸合时间16ms 释放时间8ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 250V 绝缘强度，线圈/触点 2.5KV 绝缘强度，极与极间 2.5KV
LDO线性降压芯片：原理相当于一个电阻分压来实现降压，能量损耗大，降下的电压转化成了热量，降压的压差和负载电流越大，芯片发热越明显。这类芯片的封装比较大，便于散热。 LDO线性降压芯片如：2596，L78系列等。 DC/DC降压芯片：在降压过程中能量损耗比较小，芯片发热不明显。芯片封装比较小，能实现PWM数字控制。 DC/DC降压芯片如：TPS5430/31，TPS75003，MAX1599/61,TPS61040/41 关于LDO电源 2007-08-31 13:39 以前经常看见，说什么芯片是LDO的，以为是某一公司的名号。现在才知道，LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。生产LDO芯片的公司很多，常见的有 ALPHA, Linear(LT), Micrel, National semiconductor,TI等。 什么是 LDO（低压降）稳压器? LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。
电压基准源的选择 在DAC和DAC里面都有电压基准源，它可以是芯片内部提供的基准也可以是外接的电压基准芯片。 基准源的类型 两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑；带隙基准源通常采用三端串连拓扑。选择依据如下表： 并联结构的齐纳基准与串联结构的带隙基准的对照表。 表1.电压基准对照表 齐纳二极管缺点: 1)精确度达不到高精度应用的要求，而且，很难胜任低功耗应用的要求。例如： BZX84C2V7LT1，它的击穿电压，即标称基准电压是2.5V，在2.3V至2.7V 之间变化，即精确度为±8%，这只适合低精度应用。 2)齐纳基准源的另一个问题是它的输出阻抗。上例中器件的内部阻抗为5mA 时100Ω和1mA时600Ω。非零阻抗将导致基准电压随负载电流的变化而发生变化。选择低输出阻抗的齐纳基准源将减小这一效应。 所以在高精度应用的场合通常用带隙基准源。如14bit，210MSPS（刷新速率 UpDate Rate）的DAC9744内部就带一个2.1V的带隙基准源。
AD9744内部基准源配置 AD9744外部基准源配置 AD9744基准源配置管脚 （这个是AD9742的基准源配置管脚，AD9744的我怀疑错了，AD9742是与AD9744同系列的，一样管脚，只是AD9742是12bit，AD9744 16bit） REFLO——内部参考基准源地端。当使用内部1.2V参考基准源时，接AGND。当使用外部参考源时，接AVDD REFIO——参考基准源输入输出/输入端。 REFLO=AVDD，内部参考基准源无效，REFIO用作外部参考基准源输入。 REFLO=AGND=ACOM，REFIO用作内部基准源1.2V输出（100nA），REFIO 接0.1μF接ACOM(AGND)。
带隙电压基准源的设计与分析 摘要介绍了基准源的发展和基本工作原理以及目前较常用的带隙基准源电路结构。设计了一种基于Banba结构的基准源电路，重点对自启动电路及放大电路部分进行了分析，得到并分析了输出电压与温度的关系。文中对带隙电压基准源的设计与分析，可以为电压基准源相关的设计人员提供参考。可以为串联型稳压电路、A／D和D／A转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。 基准源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，其精度和稳定性直接决定整个系统的精度。在模／数转换器(ADC)、数／模转换器(DAC)、动态存储器(DRAM)等集成电路设计中，低温度系数、高电源抑制比(PSRR)的基准源设计十分关键。 在集成电路工艺发展早期，基准源主要采用齐纳基准源实现，如图1(a)所示。它利用了齐纳二极管被反向击穿时两端的电压。由于半导体表面的沾污等封装原因，齐纳二极管噪声严重且不稳定。之后人们把齐纳结移动到表面以下，支撑掩埋型齐纳基准源，噪声和稳定性有较大改观，如图1(b)所示。其缺点：首先齐纳二极管正常工作电压在6～8 V，不能应用于低电压电路；并且高精度的齐纳二极管对工艺要求严格、造价相对较高。 1971年，Widlar首次提出带隙基准结构。它利用VBE的正温度系数和△VBE的负温度系数特性，两者相加可得零温度系数。相比齐纳基准源，Widlar型带隙基准源具有更低的输出电压，更小的噪声，更好的稳定性。接下来的1973年和1974年，Kujik和Brokaw分别提出了改进带隙基准结构。新的结构中将运算放大器用于电压钳位，提高了基准输出电压的精度。 以上经典结构奠定了带隙基准理论的基础。文中介绍带隙基准源的基本原理及其基本结构，设计了一种基于Banba结构的带隙基准源，相对于Banba结构，增加了自启动电路模块及放大电路模块，使其可以自动进入正常工作状态并增加其稳定性。 1 带隙基准源工作原理 由于带隙电压基准源能够实现高电源抑制比和低温度系数，是目前各种基准电压源电路中性能最佳的基准源电路。 为得到与温度无关的电压源，其基本思路是将具有负温度系数的双极晶体管的基极-发射极电压VBE与具有正温度系数的双极晶体管VBE的差值△VBE以不同权重相加，使△VBE 的温度系数刚好抵消VBE的温度系数，得到一个与温度无关的基准电压。图2为一个基本的CMOS带隙基准源结构电路。
常用芯片型号大全 4N35/4N36/4N37 "光电耦合器" AD7520/AD7521/AD7530/AD7521 "D/A转换器" AD7541 12位D/A转换器 ADC0802/ADC0803/ADC0804 "8位A/D转换器" ADC0808/ADC0809 "8位A/D转换器" ADC0831/ADC0832/ADC0834/ADC0838 "8位A/D转换器" CA3080/CA3080A OTA跨导运算放大器 CA3140/CA3140A "BiMOS运算放大器" DAC0830/DAC0832 "8位D/A转换器" ICL7106,ICL7107 "3位半A/D转换器" ICL7116,ICL7117 "3位半A/D转换器" ICL7650 "载波稳零运算放大器" ICL7660/MAX1044 "CMOS电源电压变换器" ICL8038 "单片函数发生器" ICM7216 "10MHz通用计数器" ICM7226 "带BCD输出10MHz通用计数器" ICM7555/7555 CMOS单/双通用定时器 ISO2-CMOS MT8880C DTMF收发器 LF351 "JFET输入运算放大器" LF353 "JFET输入宽带高速双运算放大器" LM117/LM317A/LM317 "三端可调电源" LM124/LM124/LM324 "低功耗四运算放大器" LM137/LM337 "三端可调负电压调整器" LM139/LM239/LM339 "低功耗四电压比较器"
LM158/LM258/LM358 "低功耗双运算放大器" LM193/LM293/LM393 "低功耗双电压比较器" LM201/LM301 通用运算放大器 LM231/LM331 "精密电压—频率转换器" LM285/LM385 微功耗基准电压二极管 LM308A "精密运算放大器" LM386 "低压音频小功率放大器" LM399 "带温度稳定器精密电压基准电路" LM431 "可调电压基准电路" LM567/LM567C "锁相环音频译码器" LM741 "运算放大器" LM831 "双低噪声音频功率放大器" LM833 "双低噪声音频放大器" LM8365 "双定时LED电子钟电路" MAX038 0.1Hz-20MHz单片函数发生器 MAX232 "5V电源多通道RS232驱动器/接收器" MC1403 "2.5V精密电压基准电路" MC1404 5.0v/6.25v/10v基准电压 MC1413/MC1416 "七路达林顿驱动器" MC145026/MC145027/MC145028 "编码器/译码器" MC145403-5/8 "RS232驱动器/接收器" MC145406 "RS232驱动器/接收器"
MC1403简介 MC1403是低压基准芯片。一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压等一些需要基本精准的基准电压的场合。 输出电压: 2.5 V ＋/- 25 mV 输入电压范围: 4.5 V to 40 V 输出电流: 10 mA 芯片引脚图： .........+--+--+--+ ...Vin.|1.+---+.8|.NC .Vout.|2..........7|.NC .GND.|3..........6|.NC ....NC.|4..........5|.NC .........+---------+ 因为输出是固定的，所以电路很简单。就是Vin接电源输入，GND 接底，Vout加一个0.1uf~1uf的电容就可以了。Vout一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压。 MC1403是美国摩托罗拉公司生产的高准确度、低温漂、采用激光修正的带隙基准电压源，国产型号为5G1403和CH1403。它采用
DIP－8封装，引脚排列如图7-1-2所示。UI＝＋4.5V～＋15V，UO ＝2.500V（典型值），αT可达10×10－6/℃。为了配8P插座，还专门设置了5个空脚。其输出电压UO＝Ug0(R3＋R4)/R4＝ 1.205× 2.08＝＋2.5V。 MC1403的输入-输出特性 输入电压UI／V 10 9 8 7 6 5 4.5 输出电压UO／V 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028
2.5027 当UI从10V降至4.5V时，UO只变化0.0001V，变化率仅为－0.0018％。
字号：大中小TI公司LDO电源芯片的选用 Written by Miracle.G, Hebust University of S&T, Dep. of EE 2008-1-1 TPS73HD3xx： TPS767D3xx： 二者均为线性调整电源，LDO 这两组芯片的引脚看起来是一样的，都是一路3.3V，另一路为1.8V，2.5V或可调。 经比较未发现有大的不同，后者的输出电流稍大一些，在引脚上，后者没有 2SENSE引脚。 特点：低压差，低静态功耗，关断工作模式，电源监测复位输出等功能。 在DSK5402中应用了TPS767D301，可参考其电路。 TPS763xx： 低功耗150mA电流输出，线性LDO，只有一路，种类较全：有5V，3.8V，3.3V，3.0V，2.8V，2.7V，2.5V，1.8V，1.6V及可调等。 SOT-23封装。 在TLV320AIC23B EVM2中应用了TPS76301，可参考其电路。 TPS73xx：
低功耗输出电流范围0～500mA，线性LDO，只有一路，种类包括：5V，4.85V，3.3V，3.0V， 2.5V及可调等。比上述芯片多一个电压监测功能，当电源低于门限时，输出有固定延时的RESET信号。 TPS701xx： 双路输出，线性LDO 种类包括：3.3V/2.5V，3.3V/1.8V，3.3V/1.5V，3.3V/1.2V或双可调。型号中的xx为两路输了电压的和，如TPS70158，TPS70151等。 比TPS73HD3xx /TPS767D3xx多了加电顺序选择功能，适用于有上电顺序要求的应用中。 TPS56300 功能较完整，适合于做智能电源。 2.8V～5.5V的输入电压，二路输出，输出电压可有几种9种不同的组合，其他功能包括： 1. POWER GOOD信号输出 2. 可编程慢启动功能 3. 过压，欠压，可预置电流保护功能。 4. 需要外加N沟道场效应管
目录 产品类型系列页码 1.电压调整器(LDO ME6201 1 ME6206 2 ME6211 3 ME6219 4 ME1084 5 ME1085 6 ME1117 7 ME3206 8 ME6401 9 2.升压DC/DC转换器MEXX1C 10 MEXX1D 11 ME2100 12 ME2101 13 ME2106 14
ME2108 15 ME2109 16 ME2111 17 ME2115 18 ME2206 19 ME2209 20 3.降压DC/DC转换器ME3101 21 ME3102 22 ME3110 23 4.功率MOSFET MEM2301 24 MEM2303 25 MEM2307 26 MEM2309 27 MEM2311 28 MEM2302 29 MEM2306 30 MEM2308 31 MEM2310 32 MEM2316 33
MEM2318 34 5.音频功率放大器ME5890 35 ME5990 36 ME5101 37 ME5103 38 6.其他 ME2801 39 ME2802 40 ME4054 41 ME7660 42 ME7661 43 MEL71XX 44 选型指南电压调整器(LDO 系列输出 电流 输入 电压 输出电压精度
静态 电流 纹波抑制比 (1KHz 封装状态 ME6201 100mA -18V 3.0-5.0V ±2% 3uA 60dB TO92/SOT89 量产ME6206 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 8uA 50dB SOT23/SOT89 量产 ME6211 500mA -6.5V 1.2-5V ±2% 50uA 75dB SOT-23-5LL/ SOT-89/DFN 量产 ME6219 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 65uA 62dB SOT-23-5LL 量产ME1084 5A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1085 3A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1117 800mA -20V 1.25-12V ±2% 2mA 50dB SOT223/TO252 2009/Q2 ME3206 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 16uA 50dB SOT-23-5LL 量产ME6401 200mA -6.5V 1.2-5V ±2% 130uA 62dB SOT-23-6LL 量产 升压DC/DC转换器 系列控制 模式 输入 电压
IC 集成电路电子元器件的选型规律说到元器件选型，大家头脑中是不是蹦出一大堆“？？？”如果是，你就out啦！在这个人人都可以成为创客的时代，各种元器件早已进入我们的生活，甚至进入幼儿园了呢！还不懂元器件的小白，Mark下来好好学习下面的内容！ 元器件选型原则 普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。 高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。 采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件。 可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。 向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。 资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。 处理器选型要求 要选好一款处理器，要考虑的因素很多，不单单是纯粹的硬件接口，还需要考虑相关的操作系统、配套的开发工具、仿真器，以及工程师微处理器的经验和软件支持情况等。 1、应用领域 一个产品的功能、性能一旦定制下来，其所在的应用领域也随之确定。目前，比较常见的应用领域分类有航天航空、通信、计算机、工业控制、医疗系统、消费电子、汽车电子等。 2、自带资源 经常会看到或听到这样的问题：主频是多少?有无内置的以太网MAC?有多少个I／O口?自带哪些接口?支持在线仿真吗?是否支持OS，能支持哪些OS?是否有外部存储接口? 以上都涉及芯片资源的问题，微处理器自带什么样的资源是选型的一个重要考虑因素。芯片自带资源越接近产品的需求，产品开发相对就越简单。 3、可扩展资源 硬件平台要支持OS、RAM和ROM，对资源的要求就比较高。
5v 3.3 1.2 1.5 1.8 2.5V稳压电源芯片大全LM317LZ 1.2V to 37V三端正可调稳压器(0.1A) LM317T 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM133K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM333K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM337K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337T 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337LZ 三端可调-1.2V to -37V稳压器(0.1A) LM150K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350T 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM138K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338T 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM336-2.5 2.5V精密基准电压源 LM336-5.0 5.0V精密基准电压源 LM385-1.2 1.2V精密基准电压源 LM385-2.5 2.5V精密基准电压源
LM399H 6.9999V精密基准电压源 LM431ACZ 精密可调2.5V to 36V基准稳压源LM723 高精度可调2V to 37V稳压器 LM105 高精度可调4.5V to 40V稳压器 LM305 高精度可调4.5V to40V稳压器 MC1403 2.5V基准电压源 MC34063 DC-DC直流变换器 SG3524 脉宽调制开关电源控制器 TL431 精密可调2.5V to 36V基准稳压源 TL494 脉宽调制开关电源控制器 TL497 频率调制开关电源控制器 TL7705 电池供电/欠压控制器
选择电压基准需要考虑哪些参数 在模拟和混合信号电路中，以电压基准为标准测量其他信号。电压基准的不准确及其变化会直接影响整个系统的准确度。我们来看一下，选择电压基准时，准确度规格和其他标准是如何起作用的。 初始精度指的是，在给定温度（通常是25°C）时测得的输出电压的变化幅度。尽管各个电压基准的初始输出电压可能有所不同，但是如果给定基准的初始输出电压是恒定的，就很容易校准。 温度漂移也许是评估电压基准性能时使用最为广泛的性能规格，因为温度漂移显示输出电压随温度的变化。温度漂移由电路组件的瑕疵和非线性引起。很多器件的温度漂移都以ppm/°C 为单位规定，是主要的误差源。器件的温度漂移如果是一致的，就可以进行一定程度的校准。 关于温度漂移有一种常见的错误认识，那就是：它是线性的。但是，不应该想当然地认为基准的漂移量在较小的温度范围内就会较小。温度系数（TC）通常是用一种“箱形法”来规定，以表达整个工作温度范围内可能出现的误差情况。它是通过划分整个温度范围内的最小-最大电压差，并除以总温度范围来计算的（图1）。这些最小和最大电压值可能并不出现在极端温度下，因而形成了TC 远远大于针对整个规定温度范围计算之平均值的区域。对于最谨慎调谐的基准（这通常可通过其非常低的温度漂移予以识别）而言尤其如此，在此类基准中，已经对线性漂移分量进行了补偿，留下的是一个残余非线性TC。 图1：电压基准温度特性 温度漂移性能规格的最佳用途是，计算所规定温度范围内的最大总体误差。在未规定温度范围的情况下计算误差，一般是不可取的，除非非常了解温度漂移特性。 长期稳定性衡量基准电压随时间推移的变化趋势，不受其他变量影响。初始漂移大部分是由机械应力变化引起的，是由引线框架、芯片和模具所用化合物的膨胀率不同导致的。这种应力效应往往产生很大的初始漂移，但漂移随时间推移很快减小。初始漂移也和电路元
光耦选型手册 光耦简介： 光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。 光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。 光耦的分类： （1）光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。 线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。 （2）常用的分类还有： 按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。 按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。 按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。 按输出形式分，可分为： a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。 b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。 c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。 d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。 e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。 f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。 g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。 光耦的结构特点： （1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。