切换、重选重要参数：
测量事件(A1, A2, A3, A4, A5, B1, B2)
LTE主要有下面几种类型测量报告：
A1:表示服务小区质量高于一定门限,满足事件触发条件的小区信息被上报时,则eNodeB停止异频/异系统测量
A2:表示服务小区质量低于一定门限,满足事件触发条件的小区信息被上报时,则eNodeB启动异频/异系统测量
A3:表示同频邻区质量高于服务小区质量,满足事件触发条件的小区信息被上报时,则源eNodeB启动同频切换请求
A4:表示异频邻区质量高于一定门限,满足事件触发条件的小区信息被上报时,则源eNodeB启动异频切换请求
A5：表示服务小区质量低于一定门限并且邻区质量高于一定门限；
B1:表示异系统邻区质量高于一定门限，满足事件触发条件的小区信息被上报时，则源eNodeB启动异系统切换请求
B2:表示服务小区质量低于一定门限并且异系统邻区质量高于一定门限
S参数的含义 以二端口网络为例，如单根传输线，共有四个S参数：S11，S12，S21，S22，对于互易网络有S12＝S21，对于对称网络有S11＝S22，对于无耗网络，有S11*S11+S21*S21＝1，即网络不消耗任何能量，从端口1输入的能量不是被反射回端口1就是传输到端口2上了。在高速电路设计中用到的微带线或带状线，都有参考平面，为不对称结构（但平行双导线就是对称结构），所以S11不等于S22，但满足互易条件，总是有S12＝S21。假设Port1为信号输入端口，Port2为信号输出端口，则我们关心的S参数有两个：S11和S21，S11表示回波损耗，也就是有多少能量被反射回源端（Port1）了，这个值越小越好，一般建议S11<0.1，即－20dB，S21表示插入损耗，也就是有多少能量被传输到目的端（Port2）了，这个值越大越好，理想值是1，即0dB，越大传输的效率越高，一般建议S21>0.7，即－3dB，如果网络是无耗的，那么只要Port1上的反射很小，就可以满足S21>0.7的要求，但通常的传输线是有耗的，尤其在GHz以上，损耗很显著，即使在Port1上没有反射，经过长距离的传输线后，S21的值就会变得很小，表示能量在传输过程中还没到达目的地，就已经消耗在路上了。对于由2根或以上的传输线组成的网络，还会有传输线间的互参数，可以理解为近端串扰系数、远端串扰系统，注意在奇模激励和偶模激励下的S参数值不同。需要说明的是，S参数表示的是全频段的信息，由于传输线的带宽限制，一般在高频的衰减比较大，S参数的指标只要在由信号的边缘速率表示的EMI发射带宽范围内满足要求就可以了。 信息电子产品的运算速度与传输信息量大幅提升，相关电子零部件的高频特性也愈显重要。如PCB、缆线、连接器等过去被视为单纯桥接作用的零部件，为满足高频应用的需要，现有规格逐渐纳入了衰减、特性阻抗、串音、传输延迟、传输延迟时滞、隔离效果、信号抖动等高频特性的项目。本文将主要介绍S参数在高频测量中的应用。 在个人计算机平台迈入GHz阶段之后，从计算机的中央处理器、显示界面、存储器总线到I/O接口，全部走入高频传送的国度，于是高频参数的测量便浮出了台面。通常高频测量必须考虑的基本项目包括下面几个： ◆Impedance─特性阻抗。我们常见的电缆/信号线有50、75、100欧姆等不同的阻抗标示，此处所指的阻抗并非直流电阻，而是所谓的特性阻抗，也就是信号传输的每一个经过驿站所面临的阻抗。 ◆S-Parameters——S参数（S11、S21、S12、S22） ◆Propagation Delay——传播延迟 ◆SWR——驻波比 ◆Crosstalk——串音 在高速传输运作下，信号载送的质量相当重要，为了获得最大的传输效率，各项高频参数将成为设计、除错改良、实际应用上的重要参考依据，并须特别注意阻抗（Impedance）的匹配问题、信号延迟时间（Propagation Delay）、时滞（Propagation Skew）、噪声（Noise）、信号损失（Loss）以及信号衰减（Attenuation）等课题。然而，这些参数不容易推算及测量，必须依靠高精密度的仪器来协助才能求得准确的数值。一般来说，在高频测试中所使用的仪器大致上有“时域反射计”（Time Domain Reflectometry）以及“网络分析仪”（Network Analyzer）。 对工程人员来说，S参数是一个重要的指标，S参数的原文名称是“Scattering-Parameter”。电磁能量是在空气等介质或导体中以电磁波形式传送，电磁波会因为回路特性阻抗的不匹配而产生信号反射。当回路内有无数个信号反射时，电磁能量分布与时间的变化就显得相当复杂。 在频率较低的场合，零部件的大小与构成信号波形的波长相比显得微小。反射波的影响相对于信号变化时间，很短时间内退出，故呈现稳定的状态。因此，可采用电压电流比的阻抗来表现器件的固有特性。一般是以“集中定数”回路来视之。也有人用节点（Lump）电路来称呼。其回路器件基本特征为： ◆电阻：能量损失（发热） ◆电容：静电能量 ◆电感：电磁能量
TD-LTE异频切换中A1、A2、A4门限设置Q&A 一、何为异频切换 不同频段的小区之间切换即为异频切换。就某地市移动现网来讲，所有D频段宏站和F 频段宏站之间的切换以及所有宏站（D、F频段）和室分（E频段）之间的切换均为异频切换。 二、异频切换和同频切换之间有什么不同 当UE对异频频点进行测量时，会极大的占用系统资源，导致PDCCH UL（DL）Grant Count 下降，进而影响上传、下载速率。所以我们希望UE在进行异频切换前尽可能短的时间才开启对异频的测量，以减小异频测量对系统资源的消耗，提升测试速率。 UE测量异频时
UE不测量异频时 三、异频切换过程中A1、A2、A4门限 参数名称参数含义 异频A1 RSRP触发门限 (毫瓦分贝) 该参数表示异频切换测量的A1事件的RSRP触发门限。如果RSRP测量值超过该触发门限，将上报测量报告。 异频A2 RSRP触发门限 (毫瓦分贝) 该参数表示异频切换的A2事件的RSRP触发门限。如果RSRP测量值低于触发门限，将上报测量报告。 基于覆盖的异频RSRP触发门限 (毫瓦分贝) 该参数表示基于覆盖的异频测量事件的RSRP触发门限值。当RSRP测量结果超过该门限时，将触发异频测量事件的上报。 TD-LTE异频切换中参数有很多，上表只列出了基于RSRP的A1、A2、A4门限相关参数，基于RSRQ、频率优先级、负载的切换参数和一些幅度迟滞、时间迟滞并未列出。为了方便描述，在下文中都不考虑上述未列出的参数。 A1门限为停止测量门限，即UE测量到的服务小区RSRP值如果大于该门限，则UE 停止异频测量； A2门限为开启测量门限，即UE测量到的服务小区RSRP值如果小于该门限，则UE 开启异频测量； A4门限为切换判决门限，即UE测量到的异频邻区RSRP值如果大于该门限，则UE 开始向该异频邻区切换。 为方便理解A1、A2门限，请看下图：
123电子元器件的规格参数 描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。 电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。 电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。 通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。 电子元器件的命名与标注 通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。电子元器件的名称由字母和数字组成。对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C 代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。 文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。例如，对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K 对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf 对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh
LTE移动性管理相关概念 移动性管理是蜂窝移动通信系统必备的机制，能够辅助LTE系统实现负载均衡、提高用户体验以及系统整体性能。移动性管理主要分为两大类：空闲状态下的移动性管理和连接状态下的移动性管理。空闲状态下的移动性管理主要通过小区选择/重选来实现，由UE控制；连接状态下的移动性管理主要通过小区切换来实现，由eNodeB控制。 1、跟踪区（TA） 跟踪区（Tracking Area）是LTE/SAE系统为UE的位置管理新设立的概念。 跟踪区设计要求： 1）对于LTE的接入网和核心网保持相同的位置区域的概念 2）当UE处于空闲状态时，核心网能够知道UE所在的跟踪区 3）当处于空闲状态的UE需要被寻呼时，必须在UE所注册的跟踪区的所有小区进行寻呼 4）在LTE系统中应尽量减少因位置改变而引起的位置更新信令。 2、多注册TA ● ?多个TA组成一个TA列表，同时分配给一个UE，UE在该TA列表内移 动时不需要执行TA更新。 ● ?当UE进入不在其所注册的TA列表中的新TA区域时，需要执行TA 更新，MME给UE重新分配一组TA，新分配的TA也可包含原有TA列表中 的一些TA。 ● ?每个小区只属于一个TA
图1：多注册TA 图2：UE的RRC状态及迁移3、LTE测量
● ?RSRP，参考信号接收功率（对应TD-SCDMA / WCDMA的RSCP） ? ?每个RB上RS的接收功率 ? ?提供了小区RS信号强度度量 ? ?根据RSRP对LTE候选小区排序，作为切换和小区重选的输入 ● ?RSSI，载波接收信号强度指示 ? ?UE对所有信号来源观测到的总接收带宽功率 ● ?RSRQ，参考信号接收质量（对应WCDMA的Ec/No） ? ?RSRQ=N*RSRP/RSSI，N为RSSI测量带宽的RB个数 ? ?反映了小区RS信号的质量 ? ?当仅根据RSRP不能提供足够的信息来执行可靠的移动性管理 时，根据RSRQ对LTE候选小区排序，作为切换和小区重选的输入LTE小区选择/重选 UE处于空闲状态时会驻留在某个小区上。由于UE会在驻留小区内发起接入，因此，为了平衡不同频点之间的随机接入负荷，需要在UE进行小区驻留时尽量使其均匀分布，这是空闲状态下移动性管理的主要目的之一。为了达到这一目的，LTE引入了基于优先级的小区重选过程。 空闲状态下的UE需要完成的过程包括公共陆地移动网络（PLMN）选择、小区选择/重选、位置登记等。一旦完成驻留，UE可以进行以下操作。
同异频切换的参数配置 A1事件： 事件进入条件：Ms - Hys > Thresh 停止异频测量门限：Threshold th2a for RSRP(Threshold2a) A1迟滞：Related hysteresis of threshold th2a for RSRP(hys threshold2a) 服务小区的RSRP-hys threshold2a>Threshold2a，且保持时间超过a1TimeToTriggerDeactInterMeas 的设置时间，则停止异频测量。 A2事件： 启动同频测量门限threshold1
事件进入条件：Ms + Hys < Thresh 启动异频测量门限：Threshold th2 interFreq for RSRP(threshold2InterFreq ) A2迟滞：Related hysteresis of threshold th2 interfreq for RSRP(hysThreshold2InterFreq )
打开Enable interfrequency handover:异频切换开关 Time to trigger for A2 to activate inter measurement( a2TimeToTriggerActInterFreqMeas )
当服务小区的RSRP+hysThreshold2InterFreq
电子元器件S参数的含义和用途 上网时间：2008-12-19 作者：Albert 来源：电子元件技术网中心议题： S参数介绍的由来和含义 S参数的使用范围 S参数在电路仿真中的应用 解决方案： 对于高频电路，需要采用网络法来进行分析，此时需要用到S参数 可以使用元器件厂家的S参数也可以自己搭建测试电路使用网络分析仪来测得S参数 要想深刻的理解S参数，需要具备足够的高频电子电路的基础知识 在进行射频、微波等高频电路设计时，节点电路理论已不再适用，需要采用分布参数电路的分析方法，这时可以采用复杂的场分析法，但更多地时候则采用微波网络法来分析电路，对于微波网络而言，最重要的参数就是S参数。在个人计算机平台迈入 GHz阶段之后，从计算机的中央处理器、显示界面、存储器总线到I/O接口，全部走入高频传送的国度，所以现在不但射频通信电路设计时需要了解、掌握S参数，计算机系统甚至消费电子系统的设计师也需要对相关知识有所掌握。 S参数的作用S参数的由来和含义 在低频电路中，元器件的尺寸相对于信号的波长而言可以忽略(通常小于波长的十分之一)，这种情况下的电路被称为节点(Lump)电路，这时可以采用常规的电压、电流定律来进行电路计算。其回路器件的基本特征为： 具体来说S参数就是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数，适于微波电路分析，以器件端口的反射信号以及从该端口传向另一端口的信号来描述电路网络。 针对射频和微波应用的综合和分析工具几乎都许诺具有用S参数进行仿真的能力，这其中包括安捷伦公司的ADS（Advanced Design System），ADS被许多射频设计平台所集成。 在进行需要较高频率的设计时，设计师必须利用参数曲线以及预先计算的散射参数（即S-参数）模型，才能用传输线和器件模型来设计所有物理元件。 电阻：能量损失（发热） 电容：静电能量 电感：电磁能量 但在高频微波电路中，由于波长较短，组件的尺寸就无法再视为一个节点，某一瞬间组件上所分布的电压、电流也就不一致了。因此基本的电路理论不再适用，而必须采用电磁场理论中的反射及传输模式来分析电路。元器件内部电磁波的进行波与反射波的干涉失去了一致性，电压电流比的稳定状态固有特性再也不适用，取而代之的是“分布参数”的特性阻抗观念，此时的电路被称为分布（Distributed）电路。分布参数回路元器件所考虑的要素是与电磁波的传送与反射为基础的要素，即： 反射系数
LTE网络重选及切换参数详解 小区选择 小区选择发生在PLMN选择之后，它的目的是使UE在开机后可以尽快选择一个信道质量满足条件的小区进行驻留。 ●读取系统信息（例如，驻留、接入和重选相关信息，位置区域信息等）； ●读取寻呼信息； ●发起连接建立过程。 一般来说，UE开机后会首先进行PLMN选择，然后进行小区选择/重选、位置登记等。由于PLMN选择和位置登记主要是NAS的功能，下面将介绍小区选择过程。 ▊PLMN ID Public Land Mobile Network ID，公共陆地移动网络ID, 由政府或它所批准的经营者，为公众提供陆地移动通信业务目的而建立和经营的网络标识。 PLMN = MCC + MNC，例如中国移动的PLMN为46000，中国联通的PLMN为46001。 ▊MCC Mobile Country Code 移动设备国家代码 三个数字，如中国为460。 ▊MNC 移动设备网络代码（Mobile Network Code，MNC）是与移动设备国家代码（Mobile Country Code，MCC）（也称为“MCC / MNC”）相结合，以用来表示唯一一个的移动设备的网络运营商。由所在国家分配，通常2~3数字组成。 小区选择类型： 不同场景：初始小区选择、存储信息的小区选择。 不同时机：UE开机、从RRC_CONNECTED返回到RRC_IDLE模式、重新进入服务区
(1) 初始小区选择 这种情况下，UE没有储存任何先验信息可以帮助其辨识具体的TD-LTE系统频率，因此，UE需要根据其自身能力扫描所有的TD-LTE频带，以便找到一个合适的小区进行驻留。在每一个频率上，UE只需用搜索信道质量最好的小区，一旦一个合适的小区出现，UE会选择它并进行驻留。空闲状态下的UE需要完成的过程包括公共陆地移动网络（PLMN）选择、小区选择/重选、位置登记等。一旦完成驻留，UE可以读取系统信息（如驻留、接入和重选相关信息、位置区域信息等），读取寻呼信息，发起连接建立过程。 (2) 基于存储信息的小区选择 这种情况下，UE已经储存了载波频率相关的信息，同时也可能包括一些小区参数信息。UE会优先选择有相关信息的小区，一旦一个合适的小区出现，UE会选择它并进行驻留。如果储存了相关信息的小区都不合适，UE将发起初始小区选择过程。 小区选择过程中，UE需要对将要选择的小区进行测量，以便进行信道质量评估，判断其是否符合驻留的标准。小区选择的标准被称为S准则。当某个小区的信道质量满足S准则时，就可以被选择为驻留小区。S准则的具体内容如下： S rxlev > 0 S rxlev = Q rxlevmeas – (Q rxlevmin + Q rxlevminoffset) ‐ P compensation
一般情况下，同频切换门限比异频切换门限低，所以同频采用A3事件，异频采用A4事件。 一、基于覆盖的异频切换可以通过事件A3，事件A4或事件A5触发，其他原因触发的异频切换只能通过事件A4触发。交叠覆盖场景，带宽相同的异频频点间，或相同频段内异频频点间切换，建议采用事件A3触发基于覆盖的异频切换。其他场景异频频点间切换，建议采用事件A4或事件A5触发基于覆盖的异频切换。对于服务小区信号没有特殊需求，可以不选择使用事件A5。 1、事件A3 的触发 1.1 事件A3用于触发异频切换时，事件A3偏置参数由参数 InterFreqHoGroup.InterFreqHoA3Offset决定，频率偏置由参数 EutranInterNFreq.QoffsetFreq决定，其他事件A3参数与同频事件A3参数相同。 如果异频切换通过事件A3触发，则触发与停止异频测量的测量类型为RSRP。其中基于 事件A3的异频A1 RSRP触发门限由参数InterFreqHoGroup.A3InterFreqHoA1ThdRsrp决 定，基于事件A3的异频A2 RSRP触发门限由参数 InterFreqHoGroup.A3InterFreqHoA2ThdRsrp决定。 1.2 同频切换通过事件A3触发，且事件上报方式采用事件转周期的上报方式。 事件A3的触发，即邻区质量高于服务小区一定偏置值。参照3GPP协议36.331（2011年3 月发布的R10版本第5.5.4.4章节）规定事件A3的判决公式。 触发条件：Mn+Ofn+Ocn-Hys>Ms+Ofs+Ocs+Off 取消条件：Mn+Ofn+Ocn+Hys 常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器 二．半导体管 三．其它电气图形符号 第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器） 2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５ 例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。 LTE异频切换参数设置不当导致不切换处理案例作者： 邮箱： 所在省：四川 关键字：异频切换 专业：无线网 设备类型：华为 设备型号： 软件版本： 一、问题描述 15年5月11日网格2LTE拉网测试，测试车辆在丹桂路占用南充顺庆区丹桂路-HLH-2小区做下载业务，在自西向东行驶后，CRS RSCP持续衰减，电平在-98dbm左右，下载速率8M，成为弱覆盖，该路段本该切换至南充顺庆区望角山庄-HLH-1小区，但未能切换过去。 二、可能原因 1、基站故障：基站故障导致切换失败； 2、弱覆盖：当前占用小区及邻区列表电平都很差，导致切换失败； 3、邻区漏配：当前占用小区与邻小区只配置了测量频点而未配置邻区关系导致切换失败； 4、参数问题：小区后台参数设置错误，导致切换失败。 三、问题排查 1、基站状态查询：后台查询基站无告警排除基站故障问题。 2、覆盖综合分析：根据测试数据可知，该路段邻区列表中南充顺庆区望角山庄-HLH-1小区 电平值在-75dBm左右，不存在弱覆盖。 3、邻区漏配：后台查询邻区列表，南充顺庆区望角山庄-HLH-1与南充顺庆区丹桂路-HLH-2有邻区关系，不存在邻区漏配问题。 4、参数核查：后台查询邻区切换参数发现，南充顺庆区丹桂路-HLH-2小区异频切换门限为-70dbm,-75dbm，即当前占用小区电平小于-75dbm开始测量，大于-70dbm停止测量，而当前占用小区南充顺庆区丹桂路-HLH-2小区的电平一直在-85dbm左右，导致不能启动异频测量，致使不能向南充顺庆区望角山庄-HLH-1小区切换，可判断为切换参数问题。 四、处理结果 修改南充顺庆区丹桂路-HLH-2小区异频切换门限,基于A3的异频A1 RSRP触发门限(毫瓦分贝)为-77，基于A3的异频A2 RSRP触发门限(毫瓦分贝)为-80，修改后验证结果如下：通过测试数据可明显看出，调整后切换正常，无弱覆盖现象，速率提升明显，调整效果良好。 五、总结 在移动通信系统中，切换是指从原来所用信道上转移到一个更适合的信道上进行信息传输的过程，通过对切换参数的优化，可提升网络质量，提高用户感知，是无线优化的重要工作之一。 六、流程图 一、LTE小区重选及相关参数 2.1小区重选相关知识： 2.1.1小区重选知识 小区重选指（cell reselection）指UE在空闲模式下通过监测邻区和当前小区的信号质量以选择一个最好的小区提供服务信号的过程。当邻区的信号质量及电平满足S 准则且满足一定重选判决准则时，终端将介入该小区驻留。UE驻留到合适的小区停留1S后，就可以进行小区重选的过程。小区重选过程包括测量和重选两部分过程，终端根据网络配置的相关参数，在满足条件时发起相应的流程。 2.1.2重选的分类： ?系统内小区测量及重选; ?同频小区测量、重选 ?异频小区测量、重选 ?系统间小区测量及重选; 2.1.3重选优先级概念： ?与2/3G网络不同，LTE系统中引入了重选优先级的概念： ?在LTE系统，网络可配置不同频点或频率组的优先级，通过广播在系统消息中告 诉UE，对应参数为cellreselectionPriority,取值为（0….7）；（注：0优先级为最 低，现网同频设置为5；异频设置宏站加室分底层&高层设置为6，室分高层加宏 站为4，室分底层加宏站为5.） ?优先级配置单位是频点，因此在相同载频的不同小区具有相同的优先级； ?通过配置各频点的优先级，网络便能方便地引导终端重选到高优先级的小区驻留达 到均衡网络负荷、提升资源利用率，保障UE信号质量等作用； ?重选优先级也可以通过RRCConnectionRelease消息告诉UE，此时UE忽略广播消息中的优先级信息，以该信息为准； 网络主动引导UE进行系统间小区重选，完成CS域语音呼叫等； 2.1.4重选系统消息： LTE中，SIB3-SIB8全部为重选相关信息，具体如下： L T E切换和重选 一、切换的原理 1.1同频切换 1.1.1同频切换测量 开启测量：RSRP of serving cell<-140+threshold1 关闭测量：RSRP of serving cell>-140+threshold1 1.1.2基于A3事件的切换 满足切换条件后，持续a3TimeToTrigger时间后上报测量报告，间隔a3ReportInterval时间重新上传测量报告，上报测量报告之后，等待eNB下发切换命令后执行切换。 1.1.3基于A5事件的切换 切换条件：RSRP at serving cell < threshold3和RSRP at target > threshold3a 满足此条件后，持续a5TimeToTrigger时间后上报测量报告，间隔a5ReportInterval 时间重新上报，上报测量报告之后，等待eNB下发切换命令后执行切换。 1.1.4参数设置 1.2异频切换 1.2.1异频切换测量 开启测量：RSRP of servingcell<-140+threshold2InterFreq+hysThreshold2InterFreq,满足条件后持续a2TimeToTriggerActInterFreqMeas时间开启测量（A2事件） 关闭测量：RSRP of servingcell>-140+threshold2a+hysThreshold2a,满足条件后持续a1TimeToTriggerDeactInterMeas时间关闭测量（A1事件） 1.2.2基于A3事件切换 切换条件：Mn-hysA3OffsetRsrpInterFreq > Ms + a3OffsetRsrpInterFreq 满足异频A3切换条件后，持续a3TimeToTriggerRsrpInterFreq 时间后开始上报测量报告，间隔a3ReportIntervalRsrpInterFreq时间重新上报，上报测量报告之后，等待eNB下发切换命令后执行切换。 1.2.3基于A5事件的切换 切换条件：Ms + hysThreshold3InterFreq < threshold3InterFreq和Mn –hysThreshold3InterFreq > threshold3aInterFreq 满足异频A5切换条件后，持续a5TimeToTriggerInterFreq时间后开始上报测量报告，间隔a5ReportIntervalInterFreq时间重新上报，上报测量报告之后，等待eNB 下发切换命令后执行切换。 异频切换研究报告 1.1业务态异频切换原理 业务态异频切换大致可以有如下五个阶段： 1：异频测量触发：在异频切换中，当服务小区的质量低于一定的门限（即我们所说的A2事件），启动异频测量。 2：异频测量阶段：eNodeB下发异频测量控制，UE进行异频测量。当邻区满足所配置的A4事件的触发条件，UE将上报测量结果。 3：异频切换决策：eNodeB对测量报告进行评估判决，生成切换目标小区列表。 4：异频切换执行：执行服务小区向目标小区的切换。 5：异频测量停止：当切换后服务小区满足配置的A1事件的触发条件，停止异频测量 事件A2触发异频测量 当事件A2满足时，即服务小区质量比门限值低，将触发异频测量，事件A2的判决公式如下。 触发条件：Ms+Hys 第五章ADC 静态电参数测试（一） 翻译整理：李雷 本文要点： ADC 的电参数定义 ADC 电参数测试特有的难点以及解决这些难题的技术 ADC 线性度测试的各类方法 ADC 数据规范（Data Sheet）样例 快速测试ADC 的条件和技巧 用于ADC 静态电参数测试的典型系统硬件配置 关键词解释 失调误差 Eo（Offset Error）：转换特性曲线的实际起始值与理想起始值（零值）的偏差。 增益误差E G（Gain Error）：转换特性曲线的实际斜率与理想斜率的偏差。（在有些资料上增益误差又称为满刻度误差） 线性误差Er（Linearity Error）：转换特性曲线与最佳拟合直线间的最大偏差。（NS 公司定义）或者用：准确度E A（Accuracy）：转换特性曲线与理想转换特性曲线的最大偏差（AD 公司定义）。 信噪比(SNR): 基频能量和噪声频谱能量的比值。 一、ADC 静态电参数定义及测试简介 模拟/数字转换器（ADC）是最为常见的混合信号架构器件。ADC是一种连接现实模拟世界和快速信号处理数字世界的接口。电压型ADC（本文讨论）输入电压量并通过其特有的功能输出与之相对应的数字代码。ADC的输出代码可以有多种编码技术（如：二进制补码，自然二进制码等）。 测试ADC 器件的关键是要认识到模/数转换器“多对一”的本质。也就是说，ADC 的多个不同的输入电压对应一个固定的输出数字代码，因此测试ADC 有别于测试其它传统的模拟或数字器件（施加输入激励，测试输出响应）。对于 ADC，我们必须找到引起输出改变的特定的输入值，并且利用这些特殊的输入值计算出ADC 的静态电参数（如：失调误差、增益误差，积分非线性等）。 本章主要介绍ADC 静态电参数的定义以及如何测试它们。 Figure5.1：Analog-to-Digital Conversion Process. An ADC receives an analog input and outputs the digital codes that most closely represents then input magnitude relative to full scale. 1．ADC 的静态电参数规范 1.事件A1，服务小区好于绝对门限；这个事件可以用来关闭某些小区间的测量。 2. 事件A2，服务小区差于绝对门限；这个事件可以用来开启某些小区间的测量，因为 这个事件发生后可能发生切换等操作。 3. 事件A3，邻居小区好于服务小区；这个事件发生可以用来决定UE是否切换到邻居小 区。 4. 事件A4，邻居小区好于绝对门限； 5. 事件A5，服务小区差于一个绝对门限并且邻居小区好于一个绝对门限；这个事件也 可以用来支持切换 2.Event B1(Inter RAT neighbour becomes better than threshold)：表示异系统邻区质量高于一 定门限，满足此条件事件被上报时，源eNodeB启动异系统切换请求；类似于UMTS的3C事件。 Event B2(Serving becomes worse than threshold1 and inter RAT neighbour becomes better than threshold2)：表示服务小区质量低于一定门限并且异系统邻区质量高于一定门限，类似于UMTS的3A事件。 查询小区重选信息 LST CELLRESEL:LOCALCELLID=0; 三台子村委会南钉子路口-HLH +++ 三台子村委会南钉子路口-HLH 2015-11-03 09:41:55 O&M #806374505 %%/*89841464*/LST CELLRESEL:LOCALCELLID=0;%% RETCODE = 0 执行成功 查询小区重选信息 ---------------- 本地小区标识= 0 小区重选迟滞值(分贝) = 4dB 速度相关重选参数配置指示= 不配置 UE移动状态评估周期(秒) = NULL 判断进入正常移动状态的时间附加迟滞(秒) = NULL UE进入中速移动状态的小区重选次数= NULL 判断进入高速移动状态的小区改变次数= NULL 中速移动状态UE的Qhyst额外迟滞值(分贝) = NULL 高速移动状态UE的Qhyst额外迟滞值(分贝) = NULL 异频/异系统测量启动门限配置指示= 配置 异频/异系统测量启动门限(2分贝) = 12 服务频点低优先级重选门限(2分贝) = 2 小区重选优先级= 5 最低接收电平(2毫瓦分贝) = -62 重选UE最大允许发射功率配置指示= 配置 UE最大允许发射功率(毫瓦分贝) = 23 LTE小区重选及选择 LTE驻留到合适的小区，停留适当的时间（1秒钟）后，就可以进行小区重选的过程。通过小区重选，可以最大程度地保证空闲模式下的UE驻留在合适的小区。 在空闲模式下，通过对服务小区和临近小区测量值的监控，来触发小区重选。重选触发条件的核心内容就是：存在有比服务小区更好的小区，且更好小区在一段时间内都保持最好。这样一方面UE尽量重选到更好的小区去，另一方面又保证了一定的稳定性，避免频繁的重选震荡。 LTE中的小区重选，分为同频的小区重选和异频的小区重选（包括不同RAT之间的小区重选）两种。与小区重选有关的参数来源于服务小区的系统消息SIB3，SIB4和SIB5。 SIB3中包含了小区同频和异频（包括Inter－RAT）重选的信息。 , 表示服务小区RSRP的滞在cellReselectionInfoCommon中定义了参数Q Hyst 后效应，用于进行小区重选排序R准则（下面将会介绍）的公式计算，目的是为了减少重选振荡。 在cellReselectionServingFreqInfo中定义了Snonintrasearch, threshServingLow和cellReselectionPriority。 cellReselectionPriority定义了服务频率在异频小区重选的优先级，在0到7之间取值，其中0代表优先级最低。异频的小区切换基于优先级值的大小， UE 通常总是会尝试驻留在优先级高的小区。相邻小区的优先级在SIB5中广播。除此之外， LTE还可以通过RRC层的信令，定义针对每个UE特定的小区频率优先级。 Snonintrasearch 用于进行/异频小区重选时，判断是否进行异频小区重选测量的门限参数。在异频重选的情况下，如果相邻小区的优先级高于服务小区，UE 需要进行异频小区重选测量。另外，如果此Snonintrasearch参数没有在系统消息内广播，UE也需要进行异频小区的重选测量。否则，UE可以选择，只有当服务小区的S值小于等于Snonintrasearch时，才进行异频小区的重选测量；threshServingLow定义了UE在重选优先级较低的小区时，服务小区的测量门限，在此情况下，目标小区也必须满足一定的测量门限（将在下面介绍）。 在intraFreqCellReselectionInfo中，定义了和同频小区重选有关的参数。其中： Sintrasearch用于进行同频小区重选时，判断是否进行同频小区重选的门限参数。当LTE服务小区的S值小于等于Sintrasearch时，就要执行同频小区重选 《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二） 姓名：单位： 职务：得分： 一、填空题（每题1分，共20分）： 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻 结到环境的热阻 动态电阻 本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η--- 15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） 、正向压降（正向直流电压） △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV 履行职责交流输入电压 最大输出平均电压 FEATURES AND SPECIFICATIONS 0.75mm (.030”) Pitch AMC.0 B+ 170-Circuit Connectors 75800 Standard 75908 Pegless 75791 Extended Height SPECIFICATIONS Features and Benefits AMC.0 B+ connectors from Molex support the next generation of mezzanine card standards and 12.5 Gbps speeds The 170-circuit AMC.0 B+, or AdvancedMC TM connectors from Molex support the next generation of mezzanine card standards that allow for hot-plugging of high-speed serial interconnects. These connectors support AdvancedTCA (Advanced Telecommunications Computing Architecture), a standard developed by PICMG (PCI Industrial Computer Manufacturers Group).Molex AMC.0 B+ connectors feature controlled impedance and reduced crosstalk, plus a footprint launch optimized for high-speed data rates. This design enables the connector to achieve 12.5 Gbps NRZ (Non Return to Zero) signal transmission. This enhanced footprint further reduces crosstalk by managing inter-pair affinity and incorporating additional ground vias for isolation. As a result, the AMC.0 B+ connectors achieve crosstalk of less than 3 percent at 12.5 Gbps. Three versions of the Molex AMC.0 B+ connector exist: the standard connector with locating pegs (series 75800), connector without pegs (series 75908) and the 1.15mm (.045”) extended-height connector (series 75791). This taller height is optimized for blade-server applications where cooling is critical. Reference Information Packaging: Tray UL File No.: E29179CSA File No.: LR19980Mates With: AMC module Designed In: Millimeters Electrical Voltage: 250V AC Current: 1.5A Power Terminal 1.0A Other Terminals Contact Resistance: 60 milliohms max.Dielectric Withstanding Voltage: 80V RMS Insulation Resistance: 500V DC Mechanical Insertion Force to PCB: 6050N (1360 lbf) max.Mating Force: 100N (22 lbf) max.Unmating Force: 65N (14 lbf) max.Durability: 200 cycles Physical Housing: Black Thermoplastic Contact: Copper (Cu) Alloy Plating: Contact Area — 0.76μm Gold (Au) Solder Tail Area — Tin or Tin-Lead (Sn or Sn/Pb) Underplating — Nickel (Ni)PCB Thickness: 2.36mm (.092”) Operating Temperature: -40 to +105oC Series 75800 Standard AMC.0 B+ Connector n I nsert-molded wafer design provides excellent electrical performance n P ress-fit contacts and high-speed footprint for simpler application to PCB and superior signal integrity than competition n T in or Tin-Lead tail plating supports RoHS requirements and customer preferences for press-fit n M eets PICMG Advanced MC TM specification and industry standard requirements 查询"75908-0001"供应商常用电子元器件型号命名法及主要技术参数
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