电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如未买到相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ管应防止静电。
TO-220
TO-252
TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚
注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补充）
封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)
SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6
SO-8N型IRF78221830
SO-8N型IRF78361730 5.7 SO-8N型IRF81131730 5.6 SO-8N型SI440417308 SO-8N型FDS668816306 SO-8N型IRF7805Z1630 6.8 SO-8N型IRF747714308.5 SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330
SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330
SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230
SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8
TO-220N型IRL3803140306
TO-220N型IRF140513155 5.3
TO-220N型IRF3205110558
TO-220N型BUZ111S80558
TO-220N型05N0575509.5
TO-220N型IRF280475402
TO-220N型60N06606014
TO-220N型50N03L282521
TO-220N型BTS12019100100
TO-220N型BTS11010100200
TO-220N型06N60 5.5600750
MOS管应用电路设计
本文来自:https://www.doczj.com/doc/6a8306035.html,原文网址：https://www.doczj.com/doc/6a8306035.html,/sch/jcdl/0084942.html
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
现在的MOS驱动，有几个特别的需求，
1，低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合
本文来自:https://www.doczj.com/doc/6a8306035.html,原文网址：https://www.doczj.com/doc/6a8306035.html,/sch/jcdl/0084942.html
2，宽电压应用
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
3，双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。
于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。
电路图如下：
图1用于NMOS的驱动电路
图2用于PMOS的驱动电路
这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：
Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice 的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
这个电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3，gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC 转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。
这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关频率的不断提高，对于开关元件的性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压2.5～3.6V），因此，电源芯片的工作电压较低。
MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC－DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。
在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率升压型DC－DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证，在供电电压1.5V，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。
对于P沟道mos管，VDS=-6V,VGS=-4.5V，ID=- 2.8A
也就是栅极低于源极电压时开始导通。
相反对于N沟道mos管，VDS=6V,VGS= 4.5V，ID=2.8A
也就是栅极高于源极电压时开始导通。
容易出现的错误
大家注意到无论是N还是P mos管在D--->
S之间都有二极管，此二极管起保护作用。
—————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————型号材料管脚用途参数
3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W
4405/R9524
2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36
2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W
2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5
2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15
2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3
2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035
2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18
2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085
2SJ201PMOS n
2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12
2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12
2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB
2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB
2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB
2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB
2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB
2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W
2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W
2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6
2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7
2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5
2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15
2SK447NMOS SDG高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511NMOS SDG高速功放开关250V0.3A8W5.0
2SK534NMOS GDS高速开关800V5A100W4.0
2SK539NMOS GDS开关900V5A150W2.5
2SK560NMOS GDS高速开关500V15A100W0.4
2SK623NMOS GDS高速开关250V20A120W0.15
2SK727NMOS GDS电源开关900V5A125W110/420nS2.5
2SK734NMOS GDS电源开关450V15A150W160/250nS0.52
2SK785NMOS GDS电源开关500V20A150W105/240nS0.4
2SK787NMOS GDS高速开关900V8A150W95/240nS1.6
2SK790NMOS GDS高速功放开关500V15A150W0.4可驱电机2SK791NMOS GDS电源功放开关850V3A100W4.5可驱电机2SK794NMOS GDS电源开关900V5A150W2.5可驱电机
2SK817NMOS GDS电源开关60V26A35W40/230nS0.055
2SK832NMOS GDS高速开关900V4A85W55/100nS4.0
2SK899NMOS GDS功放开关500V18A125W130/440nS0.33
2SK962NMOS GDS电源开关900V8A150W280/460nS2.0
2SK940NMOS SDG激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007NMOS GDS功放开关450V5A60W60/130nS1.6
2SK1010NMOS GDS高速开关500V6A80W70/130nS1.6
2SK1011NMOS GDS高速开关450V10A100W110/240nS0.65
2SK1012NMOS GDS高速开关500V10A100W110/240nS0.9
2SK1015NMOS GDS功放开关450V18A125W170/230nS0.45
2SK1016NMOS GDS电源开关500V15A125W170/230nS0.55
2SK1017NMOS GDS电源开关500V20A150W250/490nS0.35
2SK1019NMOS GDS电源开关450V35A300W360/900nS0.2
2SK1020NMOS GDS电源开关500V30A300W360/900nS0.25
2SK1060NMOS GDS功放开关100V5A20W50/140nS0.27
2SK1081NMOS GDS激励,驱动800V7A125W145/250nS2.2
2SK1082NMOS GDS激励,驱动900V8A125W145/250nS2.8
2SK1094NMOS GDS激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065
2SK1101NMOS GDS功放开关450V10A50W165/360nS0.65
2SK1117NMOS GDS电源开关600V6A100W1.25
2SK1118NMOS GDS电源开关600V6A45W65/105nSD1.25
2SK1119NMOS GDS电源开关1000V4A100W3.8
2SK1120NMOS GDS电源开关1000V8A150W1.8
2SK1161NMOS GDS电源开关450V10A100W75/135nS0.8
2SK1170NMOS GDS电源开关500V20A120W147/290nS0.27
2SK1180NMOS GDS投影机用500V10A85W60/40nS0.6
2SK1195NMOS GDS电梯用230V1.5A10W37/100nS
2SK1198NMOS GDS高速开关700V2A35W20/80nS3.2
2SK1217NMOS GDS电源开关90V8A100W280/460nS2.0
2SK1221NMOS GDS电源开关250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247NMOS GDS电源开关500V5A30W50/90nS1.4
2SK1250NMOS GDS开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254NMOS GDS低噪放大120V3A20W25/195nS0.4
2SK1271NMOS GDS功放开关1400V5A240W55/260nS4.0
2SK1272NMOS GDS高速开关60V1A0.75W50/500nS0.65
2SK1329NMOS GDS电源开关500V12A60W90/180nS0.6
2SK1358NMOS GDS电源开关900V9A150W65/120nS1.4
2SK1374NMOS贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US50
2SK1379NMOS GDS激励,开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387NMOS GDS激励,开关60V35A40W66/500nS0.035
2SK1388NMOS GDS激励,开关30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419NMOS GDS高速开关60V15A25W55/150nS0.08
2SK1445NMOS GDS高速开关450V5A30W45/175nS1.4
2SK1459NMOS GDS高速开关900V2.5A30W40/160nS6.0
2SK1460NMOS GDS高速开关900V3.5A40W50/265nS3.6
2SK1463NMOS GDS高速开关900V4.5A60W50/265nS3.6
2SK1482NMOS GDS开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507NMOS GDS高速开关600V9A50W110/240nS1.0
2SK1535NMOS GDS通用900V3A30W45/110nS5.0
2SK1537NMOS GDS通用900V5A100W65/145nS3.0
2SK1540NMOS GDS变频开关功放450V7A60W70/135nS0.8
2SK1544NMOS GDS变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547NMOS GDS开关800V4A40W95/170nS4.5
2SK1567NMOS GDS电源开关500V7A35W70/135nS0.9
2SK1611NMOS GDS电源开关800V3A50W40/135nS4.0
2SK1681NMOS GDS开关500V30A300W180/320nS0.35
2SK1745NMOS GDS激励,开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794NMOS GDS电源激励开关900V6A100W50/105nS2.8
2SK1796NMOS GDS功放开关900V10A150W90/230nS1.2
2SK1850NMOS GDS开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916NMOS GDS开关电源用450V18A80W170/33nS0.45
2SK1937NMOS GDS开关UPS用500V15A125W100/230nS0.48 2SK1985NMOS GDS开关UPS用900V5A50W35/105nS2.8
2SK2039NMOS GDS电源开关900V5A150W70/210nS2.5
2SK2040NMOS GDS电源开关600V2A20W11/45nS5
2SK2082NMOS GDS开关UPS用900V9A150W85/210nS1.40
2SK2101NMOS GDS电源开关800V6A50W50/130nS2.1
2SK2141NMOS GDS传动驱动600V6A35W30/880nS1.1
2SK2147NMOS GDS开关UPS用900V6A80W145/250nS2.8
2SK2161NMOS SDG高速开关200V9A25W27/255nS0.45
2SK2189NMOS GDS高速开关500V10A70W70/400nS1.0
2SK2485NMOS GDS监视器用电源900V6A100W30/85nS 2.80 2SK2487NMOS GDS监视器用电源900V8A140W50/153nS1.1 2SK2611NMOS GDS监视器用电源900V9A150W
2SK2645NMOS GDS监视器用电源500V15A125W
2SK4847NMOS GDS电源开关100V36125W0.08
3SK103NMOS gGDS高频放大15V0.02A0.2W900MHz
3SK122NMOS gGDS高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB
BS170NMOS60V0.3A0.63W12/12nS5.0
BUZ11A NMOS GDS开关50V25A75W60/110nS0.055
BUZ20NMOS GDS功放开关100V12A75W75/80nS
FS3KM NMOS GDS高速开关500V3A30W23/60nS4.4
FS5KM NMOS GDS高速开关900V3A53W50/190nS4.
FS7KM NMOS GDS高速开关900V5A50W35/105nS2.8
FS10KM NMOS GDS高速开关
FS12KM NMOS GDS高速开关250V12A35W53/120nS0.40
FS7SM-16NMOS GDS高速开关800V7A150W1.6
H120N60NMOS GDS开关600V120A
IRF130(铁)NMOS GDS功放开关100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁)NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF250(铁)NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF440(铁)NMOS GDS功放开关500V8A125W35/30nS0.85
IRF450(铁)NMOS GDS功放开关500V13A125W66/60nS0.4
IRF460(铁)NMOS GDS开关500V13A125W66/60nS0.4
IRF530NMOS GDS功放开关100V14A79W51/36nS0.18
IRF540NMOS GDS功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541NMOS GDS功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610NMOS GDS功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5
IRF630NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF640NMOS GDS功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720NMOS GDS功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8
IRF730NMOS GDS功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0
IRF740NMOS GDS功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830NMOS GDS功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5
IRF840NMOS GDS功放开关500V8A125W35/33nS0.85
IRF9530PMOS GDS功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531PMOS GDS功放开关60V12A75W140/140S0.3
IRF9541PMOS GDS功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610PMOS GDS功放开关200V1A20W25/15nS2.3
IRF9630PMOS GDS功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630PMOS GDS功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20NMOS GDS功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30NMOS GDS功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40NMOS GDS功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30NMOS GDS功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120NMOS功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3
IRFD123NMOS功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3
IRFI730NMOS GDS功放开关400V4A32W1.0
IRFI744NMOS GDS功放开关400V4A32W1.0
IRFP054NMOS GDS功放开关60V65A180W0.022
IRFP140NMOS GDS功放开关100V29150W0.85
IRFP150NMOS GDS功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240NMOS GDS功放开关200V19A150W0.18
IRFP250NMOS GDS功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340NMOS GDS功放开关400V10A150W0.55
IRFP350NMOS GDS功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353NMOS GDS功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360NMOS GDS功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440NMOS GDS功放开关500V8.1A150W0.85
IRFP450NMOS GDS功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460NMOS GDS功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140PMOS GDS开关100V19A150W100/70nS0.2
IRFP9150PMOS GDS功放开关100V25A150W160/70nS0.2
IRFP9240PMOS GDS功放开关200V12A150W68/57nS0.5
IRFPF40NMOS GDS功放开关900V4.7A150W2.5
IRFPG42NMOS GDS功放开关1000V3.9A150W4.2
IRFPZ44NMOS GDS功放开关1000V3.9A150W4.2******* IRFU020NMOS GDS功放开关50V15A42W83/39nS0.1
IXGH20N60ANMOS GDS600V20A150W
IXGFH26N50NMOS GDS500V26A300W0.3
IXGH30N60ANMOS GDS600V30A200W
IXGH60N60ANMOS GDS600V60A250W
IXTP2P50PMOS GDS功放开关500V2A75W5.5代J117
J177PMOS SDG开关30V1.5mA0.35W
M75N06NMOS GDS音频功放开关60V75A120W
MTH8N100NMOS GDS功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80NMOS GDS功放开关800V10A150W
MTM30N50NMOS功放开关(铁)500V30A250W
MTM55N10NMOS GDS功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10NMOS GDS功放开关100V27A125W0.05
MTP2955PMOS GDS功放开关60V12A75W75/50nS0.3
MTP3055NMOS GDS功放开关60V12A75W75/50nS0.3
MTP40N06NMOS GDS功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3
MTW20N50NMOS GDS功放开关500V20A250W0.27
RFP40N10NMOS GDS功放开关100V40A160W30/20nS0.04
RFP50N05NMOS GDS功放开关50V50A132W55/15nS0.022
RFP50N06NMOS GDS功放开关60V50A145W55/15nS0.022
RFP6N60NMOS GDS功放开关600V6A75W80/100nS1.50
RFP60N06NMOS GDS功放开关60V60A120W50/15nS0.03
RFP70N06NMOS GDS功放开关60V70A150W
SMP50N06NMOS GDS功放开关50V60A125W50nS0.026
SMP60N06NMOS GDS功放开关60V60A125W50nS0.023
SMW11N20NMOS GDS功放开关200V11A150W
SMW11P20PMOS GDS功放开关200V11A150W
SMW20N10NMOS GDS功放开关100V20A150W
SMW20N10PMOS GDS功放开关100V20A150W
SSH7N90NMOS GDS高速电源开关900V7A150W
SSP6N60NMOS GDS高速电源开关600V6A150W
SSP5N90NMOS GDS高速电源开关900V5A125W
SSP7N80NMOS GDS高速开关800V7A75W
SUP75N06NMOS GDS功放开关60V75A125W0.05
W12NA50W NMOS GDS功放开关50V12A150W300/600nS
GT15Q101NMOS GDS IGBT1400V15A150W
GT25J101NMOS GDS IGBT800V25A150W
GT25Q101NMOS GDS IGBT1400V25A180W
GT40T101NMOS GDS IGBT1500V40A300W
GT60M103NMOS GDS IGBT900V60A300W
GT60M301NMOS GDS IGBT900V60A300W
IMBH60NMOS GDS-100IGBT1000V60A300W
IMBH60D NMOS GDS-100IGBT1000V60A300W(带阻)
SDT3055NMOS GDS
TSD45N50V NMOS场效应模块500V45A400W
TN2460L
35N1201200V35A250W
EXB841IGBT驱动———————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————
IRFP350400V16A180W**NMOS场效应
IRFP340400V10A150W**NMOS场效应
IRFP250200V33A180W**NMOS场效应
IRFP240200V19A150W**NMOS场效应
IRFP150100V40A180W**NMOS场效应
BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应
2SC4582600V15A75W**NPN 2SC4517550V3A30W**NPN 2SC44291100V8A60W**NPN 2SC4297500V12A75W**NPN 2SC42881400V12A200W**NPN 2SC4242450V7A40W**NPN 2SC4231800V2A30W**NPN 2SC41191500V15A250W**NPN 2SC41111500V10A250W**NPN 2SC4106500V7A50W*20MHZ NPN
2SC34571100V3A50W12*NPN 2SC335820V0.15A**7000MHZ NPN 2SC335520V0.15A**6500MHZ NPN 2SC3320500V15A80W**NPN 2SC3310500V5A40W20*NPN 2SC3300100V15A100W**NPN 2SC185520V0.02A0.25W*550MHZ NPN 2SC1507300V0.2A15W**NPN
2SB817160V12A100W**PNP 2SB77240V3A10W**PNP 2SB74470V3A10W**PNP 2SB73460V1A1W**PNP 2SB688120V8A80W**PNP
2SB67560V7A40W**PNP(达林顿）
2SB66970V4A40W**PNP(达林顿）
2N3055100V15A115W**NPN 2N290760V0.6A0.4W200*NPN 2N236940V0.5A0.3W*800MHZ NPN 2N222260V0.8A0.5W45*NPN
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应
MOS管开关 现在常用的MOS管大多是N沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱，因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。MOS管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is以及Ron，其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为Vgs就是因为这个电压必须相对于S级而言，也就是G极必须比S极高出一定的电压才能驱动MOS管，否则管子的导通电阻会很大，也就是管子不能导通。比如Vgs耐压在12V左右的管子，当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通，一般4-5V就可以达到其最小Ron了。但是，由于这个电压是基于S极的，所以对于电源一类的开关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想办法让Vgs高于Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。自举电路一般由一个电容和反向二极管组成，相当于给栅极增加了一个串联的电池。自举电容根据使用情况的不同，可以选用极性电容，也可以选择非极性电容。在选择这个电容时，如果电容很小，则电容储能不够，放电很快，开关管很难被有效打开或关闭；如果电容过大，也会导致开关速度受限，电路板面积也会增加。所以，电容要根据开关管工作速度适当选取，一般将电容值选择在放电时间稍长与开关周期即可，具体的参数可以根据实验来确定。 相对与N沟道的MOS管，P沟道的管子在驱动起来就稍微容易一些，因为不必再去创造高于电源电压的驱动环境，使用一个简单的三极管调压电路就可以实现了 使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N 沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2，MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），
先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点： 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。 MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS 两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。 PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子，负载常用MOS管作为有源负载，这样不仅节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。常用的符号如 图1所示。 N沟MOS晶体管 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。 由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管， 该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS 管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电 沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电 压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流 的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。 N沟道增强型MOS管的结构 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。
品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
MOS管介绍 在使用MOS，一般都要考虑MOS，，最大电流等因素。 MOSFET管是FET，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS，比较常用的是NMOS。。所以开关电源，一般都用NMOS。 在MOS，漏极和源极之间会寄生一个二极管。，在驱动感性负载(如马达)这个二极管很重要，并且只在单个的MOS，在集成电路芯片内部通常。 MOS，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。 ，但没有办法避免。 MOS管导通特性 ，相当于开关闭合。 NMOS，Vgs，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)只要栅（如4V或10V,，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但，虽然PMOS，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS导通后都有导通电阻存在，因而在DS，两端还，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS。现在的小功率MOS，几十毫欧左右 MOS，一定不是在瞬间完成的。MOS，流 ，在这段时间内，MOS，叫做开关损。，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，。，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小 。。 MOS管驱动 MOS，只要GS，就可以了。，我们还需要速。 在MOS，在GS，GD，而MOS，实际上就。，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，
。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大。 普遍用于高端驱动的NMOS导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V，看手册)。，要得到比VCC，就要专门的升压电路。很多马达 ，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS。 M os f et参数含义说明 Feat ur es: V ds： D S击穿电压.当V gs=0V时，M O S的D S所能承受的最大电压 R ds(on)：D S的导通电阻.当V gs=10V时，M O S的D S之间的电阻 I d：最大D S电流.会随温度的升高而降低 V gs:最大G S电压.一般为：-20V~+20V I dm:最大脉冲D S电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率 Tj:最大工作结温，通常为150度和175度 Ts t g:最大存储温度 I ar:雪崩电流 Ear:重复雪崩击穿能量 Eas:单次脉冲雪崩击穿能量 B V ds s： D S击穿电压 I ds s:饱和D S电流，uA级的电流 I gs s: G S驱动电流，nA级的电流. gf s:跨导 Q g: G总充电电量 Q gs: G S充电电量 Q gd: G D充电电量 Td(on):导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到V ds下降到其幅值90%的时间 Tr:上升时间，输出电压 V D S从 90%下降到其幅值 10%的时间 Td(of f):关断延迟时间，输入电压下降到 90%开始到 V D S上升到其关断电压时 10%的时间Tf:下降时间，输出电压 V D S从 10%上升到其幅值 90%的时间 (参考图 4)。 C i s s:输入电容，C i s s=C gd + C gs. C os s:输出电容，C os s=C ds +C gd. C r s s:反向传输电容，C r s s=C gc.
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
M O S管参数解释Prepared on 21 November 2021
MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 Mosfet参数含义说明Features:Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs =10V时，MOS的DS之间的电阻Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20VIdm:最大脉冲DS 电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作结温，通常为150度和175度Tstg:最大存储温度Iar:雪崩电流Ear:重复雪崩击穿能量Eas:单次脉冲雪崩击穿能量BVdss：DS击穿电压Idss:饱和DS电流，uA级的电流Igss:GS驱动电流，nA级的电流.gfs:跨导Qg:G总充电电量Qgs:GS充电电量Qgd:GD充电电量Td(on):导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr:上升时间，输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间T d(off):关断延迟时间，输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间Tf:下降时间，输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间(参考图4)。Ciss:输入电容，Ciss=Cgd+Cgs.Coss:输出电容，Coss=Cds+Cgd.Crss:反向传输电容，Crss=Cgc. 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通，所以以NMOS管为例，只需要将栅得足够低，让它在中无法形成，也就没有了沟道，没有低阻通路，自然就变成高阻态，从漏源两端看上去，它便是关断的 追问
型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG18 0K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 2SC4633 1500V,0.03A,7W 2SC4451,2SC4576 NPN 2SC4686A 1500V,0.05A,10W 2SC4578 NPN 2SC4833 500V,5A,35W BUT11AF,2SC3310,2SC3570,2SC4026 NPN 2SC4054,2SC4160,2SC4073,2SC4371 2SC4834 500V,8A,45W BU306F,BUT12AF,2SC3626,2SC4130, NPN 2SC4161,2SC4559 2SC4890 1500V,12A,75W BU2525AF,BU2527AF,2SC5105 NPN 2SC4897 1500V,20A,150W 2SC3997,2SC4290A,2SD2356 NPN
常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应
MOS管学习笔记
主要内容 ●MOS管的种类及结构 ●MOS管的工作原理 ●MOS管的主要参数 ●MOS管的驱动
MOS 管的种类及结构 MOS 管的全称是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （金 属氧化物半导体场效应管） 导电载流子的带 电极性 N 沟道（电子型） P 沟道（空穴型）导电沟道形成机 理 增强型（E 型） 耗尽型（D 型） 组合共有4种类型 分类 在实际应用中，只有N 沟道增强型和P 沟道增强型，这两种中比较常用的是NMOS 管，原因是导通电阻小，且容易制造。
结构 以一块掺杂浓度较低，电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底，利用扩散 的方法在P型硅中形成两个高掺杂的N+区。然后在P型硅表面生长一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅表面及N+型区的表面上分别安装三个铝电极——栅极g，源极s和漏极d，这样就形成了N沟道增强型MOS管。 符号 剖面图
（1）Vgs=0，没有导电沟道此时栅源短接，源区，衬底和漏区形成两个背靠背的PN 结，无论Vds 的极性怎样，其中 总有一个PN 结是反偏的，所以d,s 之间没有形成导电沟道，MOS 管处于截止状态。（2）Vgs≥ V GS(th ），出现N 沟道 栅源之间加正向电压由栅极指向P 型衬底的电场将靠近栅极下方的空穴向下排斥形成耗尽层MOS 管的工作原理 NMOS 的特性：Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动） ---s 二氧化硅P 衬底 g DD V + N d +b N V GG i d 再增加Vgs 纵向电场 将P 区少子（电子）聚集到P 区表面形成源漏极间的N 型导电沟道 如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流i d 定义：开启电压V GS(th ）—— 刚刚产生导电沟道所需的栅源电压Vgs
七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压 额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。 第三步为确定电流 确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。 对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片