部分场效应管型号用途参数 (2008-07-08 15:42:59)转载标签：杂谈
型号材料管脚用途参数
3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W
4405/R9524
2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36
2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W
2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5
2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15
2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3
2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035
2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18
2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085
2SJ201 PMOS n
2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12
2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12
2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB
2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB
2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB
2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB
2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB
2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
2SK214 NMOS GSD 高频高速开关 160V0.5A30W
2SK241 NMOS DSG 高频放大 20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304 NJ GSD 音频功放 30V0.6-12mA0.15W
2SK385 NMOS GDS 高速开关 400V10A120W100/140nS0.6
2SK386 NMOS GDS 高速开关 450V10A120W100/140nS0.7
2SK413 NMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W0.5 (2SJ118)
2SK423 NMOS SDG 高速开关 100V0.5A0.9W4.5
2SK428 NMOS GDS 高速开关 60V10A50W45/65NS0.15
2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关 250V15A150W0.24可驱电机
2SK511 NMOS SDG 高速功放开关 250V0.3A8W5.0
2SK534 NMOS GDS 高速开关 800V5A100W4.0
2SK539 NMOS GDS 开关 900V5A150W2.5
2SK560 NMOS GDS 高速开关 500V15A100W0.4
2SK623 NMOS GDS 高速开关 250V20A120W0.15
2SK727 NMOS GDS 电源开关 900V5A125W110/420nS2.5
2SK734 NMOS GDS 电源开关 450V15A150W160/250nS0.52
2SK785 NMOS GDS 电源开关 500V20A150W105/240nS0.4
2SK787 NMOS GDS 高速开关 900V8A150W95/240nS1.6
2SK790 NMOS GDS 高速功放开关 500V15A150W0.4 可驱电机
2SK791 NMOS GDS 电源功放开关 850V3A100W4.5 可驱电机
2SK794 NMOS GDS 电源开关 900V5A150W2.5 可驱电机
2SK817 NMOS GDS 电源开关 60V26A35W40/230nS0.055
2SK832 NMOS GDS 高速开关 900V4A85W55/100nS4.0
2SK899 NMOS GDS 功放开关 500V18A125W130/440nS0.33
2SK962 NMOS GDS 电源开关 900V8A150W280/460nS2.0
2SK940 NMOS SDG 激励.驱动 60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动
2SK1007 NMOS GDS 功放开关 450V5A60W60/130nS1.6
2SK1010 NMOS GDS 高速开关 500V6A80W70/130nS1.6
2SK1011 NMOS GDS 高速开关 450V10A100W110/240nS0.65
2SK1012 NMOS GDS 高速开关 500V10A100W110/240nS0.9
2SK1015 NMOS GDS 功放开关 450V18A125W170/230nS0.45
2SK1016 NMOS GDS 电源开关 500V15A125W170/230nS0.55
2SK1017 NMOS GDS 电源开关 500V20A150W250/490nS0.35
2SK1019 NMOS GDS 电源开关 450V35A300W360/900nS0.2
2SK1020 NMOS GDS 电源开关 500V30A300W360/900nS0.25
2SK1060 NMOS GDS 功放开关 100V5A20W50/140nS0.27
2SK1081 NMOS GDS 激励,驱动 800V7A125W 145/250nS2.2
2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动 900V8A125W 145/250nS2.8
2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动 60V15A25W80/300nS0.065
2SK1101 NMOS GDS 功放开关 450V10A50W165/360nS0.65
2SK1117 NMOS GDS 电源开关 600V6A100W1.25
2SK1118 NMOS GDS 电源开关 600V6A45W65/105nSD1.25
2SK1119 NMOS GDS 电源开关 1000V4A100W3.8
2SK1120 NMOS GDS 电源开关 1000V8A150W1.8
2SK1161 NMOS GDS 电源开关 450V10A100W75/135nS0.8
2SK1170 NMOS GDS 电源开关 500V20A120W147/290nS0.27
2SK1180 NMOS GDS 投影机用 500V10A85W60/40nS0.6
2SK1195 NMOS GDS 电梯用 230V1.5A10W37/100nS
2SK1198 NMOS GDS 高速开关 700V2A35W20/80nS3.2
2SK1217 NMOS GDS 电源开关 90V8A100W280/460nS2.0
2SK1221 NMOS GDS 电源开关 250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247 NMOS GDS 电源开关 500V5A30W50/90nS1.4
2SK1250 NMOS GDS 开关-感性 500V20A150W130/260nS0.35
2SK1254 NMOS GDS 低噪放大 120V3A20W25/195nS0.4
2SK1271 NMOS GDS 功放开关 1400V5A240W55/260nS4.0
2SK1272 NMOS GDS 高速开关 60V1A0.75W50/500nS0.65
2SK1329 NMOS GDS 电源开关 500V12A60W90/180nS0.6
2SK1358 NMOS GDS 电源开关 900V9A150W65/120nS1.4
2SK1374 NMOS 贴片 50V50mA0.15W0.2US/0.2US50
2SK1379 NMOS GDS 激励, 开关 60V50A150W78/640nS0.017
2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关 60V35A40W66/500nS0.035
2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关 30V35A60W125/480nS0.022
2SK1419 NMOS GDS 高速开关 60V15A25W55/150nS0.08
2SK1445 NMOS GDS 高速开关 450V5A30W45/175nS1.4
2SK1459 NMOS GDS 高速开关 900V2.5A30W40/160nS6.0
2SK1460 NMOS GDS 高速开关 900V3.5A40W50/265nS3.6
2SK1463 NMOS GDS 高速开关 900V4.5A60W50/265nS3.6
2SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪 30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507 NMOS GDS 高速开关 600V9A50W110/240nS1.0
2SK1535 NMOS GDS 通用 900V3A30W45/110nS5.0
2SK1537 NMOS GDS 通用 900V5A100W65/145nS3.0
2SK1540 NMOS GDS 变频开关功放 450V7A60W70/135nS0.8
2SK1544 NMOS GDS 变频开关功放 500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关 800V4A40W95/170nS4.5
2SK1611 NMOS GDS 电源开关 800V3A50W40/135nS4.0
2SK1681 NMOS GDS 电源开关 500V30A300W180/320nS0.35
2SK1745 NMOS GDS 激励, 开关 500V18A150W120/210nS0.36
2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关 900V6A100W50/105nS2.8
2SK1796 NMOS GDS 功放开关 900V10A150W90/230nS1.2
2SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动 60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用 450V18A80W170/33nS0.45
2SK1937 NMOS GDS 开关UPS用 500V15A125W100/230nS0.48
2SK1985 NMOS GDS 开关UPS用 900V5A50W35/105nS2.8
2SK2039 NMOS GDS 电源开关 900V5A150W 70/210nS2.5
2SK2040 NMOS GDS 电源开关 600V2A20W 11/45nS5
2SK2082 NMOS GDS 开关UPS用 900V9A150W 85/210nS1.40
2SK2101 NMOS GDS 电源开关 800V6A50W 50/130nS2.1
2SK2141 NMOS GDS 传动驱动 600V6A35W 30/880nS1.1
2SK2147 NMOS GDS 开关UPS用 900V6A80W 145/250nS2.8
2SK2161 NMOS SDG 高速开关 200V9A25W 27/255nS0.45
2SK2189 NMOS GDS 高速开关 500V10A70W 70/400nS1.0
2SK2485 NMOS GDS 监视器用电源 900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源 900V8A140W 50/153nS1.1
2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源 900V9A150W
2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源 500V15A125W
2SK4847 NMOS GDS 电源开关 100V36125W0.08
3SK103 NMOS gGDS 高频放大 15V0.02A0.2W900MHz
3SK122 NMOS gGDS 高频放大 20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB
BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0
BUZ11A NMOS GDS 开关 50V25A75W60/110nS0.055
BUZ20 NMOS GDS 功放开关 100V12A75W75/80nS
FS3KM NMOS GDS 高速开关 500V3A30W23/60nS4.4
FS5KM NMOS GDS 高速开关 900V3A53W50/190nS4.
FS7KM NMOS GDS 高速开关 900V5A50W35/105nS2.8
FS10KM NMOS GDS 高速开关
FS12KM NMOS GDS 高速开关 250V12A35W53/120nS0.40
FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关 800V7A150W1.6
H120N60 NMOS GDS 开关 600V120A
IRF130(铁)NMOS GDS 功放开关 100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁)NMOS GDS 功放开关 200V9A75W50/40nS0.4
IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关 200V9A75W50/40nS0.4
IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关 500V8A125W35/30nS0.85
IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关 500V13A125W66/60nS0.4
IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关 500V13A125W66/60nS0.4
IRF530 NMOS GDS 功放开关 100V14A79W51/36nS0.18
IRF540 NMOS GDS 功放开关 100V28A150W110/75nS0.077
IRF541 NMOS GDS 功放开关 80V28A150W110/75nS0.077
IRF610 NMOS GDS 功放开关 200V3.3A43W26/13nS1.5
IRF630 NMOS GDS 功放开关 200V9A75W50/40nS0.4
IRF640 NMOS GDS 功放开关 200V18A125W77/54nS0.18
IRF720 NMOS GDS 功放开关 400V3.3A50W21/20nS1.8
IRF730 NMOS GDS 功放开关 400V5.5A75W29/24nS1.0
IRF830 NMOS GDS 功放开关 500V4.5A75W23/23nS1.5
IRF840 NMOS GDS 功放开关 500V8A125W35/33nS0.85
IRF9530 PMOS GDS 功放开关 100V12A75W140/140nS0.4
IRF9531 PMOS GDS 功放开关 60V12A75W140/140S0.3
IRF9541 PMOS GDS 功放开关 60V19A125W140/141nS0.2
IRF9610 PMOS GDS 功放开关 200V1A20W25/15nS2.3
IRF9630 PMOS GDS 功放开关 200V6.5A75W100/80nS0.8
IRFS9630 PMOS GDS 功放开关 200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关 600V2.2A50W15/30nS4.4
IRFBC30 NMOS GDS 功放开关 600V3.6A74W20/21nS2.2
IRFBC40 NMOS GDS 功放开关 600V6.2A125W27/30nS1.2
IRFBE30 NMOS GDS 功放开关 800V2.8A75W15/30nS3.5
IRFD120 NMOS 功放开关 100V1.3A1W70/70nS0.3
IRFD123 NMOS 功放开关 80V1.1A1W70/70nS0.3
IRFI730 NMOS GDS 功放开关 400V4A32W1.0
IRFI744 NMOS GDS 功放开关 400V4A32W1.0
IRFP054 NMOS GDS 功放开关 60V65A180W0.022
IRFP140 NMOS GDS 功放开关 100V29150W0.85
IRFP150 NMOS GDS 功放开关 100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关 200V19A150W0.18
IRFP250 NMOS GDS 功放开关 200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关 400V10A150W0.55
IRFP350 NMOS GDS 功放开关 400V16A180W77/71nS0.3
IRFP353 NMOS GDS 功放开关 350V14A180W77/71XnS0.4
IRFP360 NMOS GDS 功放开关 400V23A250W140/99nS0.2
IRFP440 NMOS GDS 功放开关 500V8.1A150W0.85
IRFP450 NMOS GDS 功放开关 500V14A180W66/60nS0.4
IRFP460 NMOS GDS 功放开关 500V20A250W120/98nS0.27
IRFP9140 PMOS GDS 功放开关 100V19A150W100/70nS0.2
IRFP9150 PMOS GDS 功放开关 100V25A150W160/70nS0.2
IRFP9240 PMOS GDS 功放开关 200V12A150W68/57nS0.5
IRFPF40 NMOS GDS 功放开关 900V4.7A150W2.5
IRFPG42 NMOS GDS 功放开关 1000V3.9A150W4.2
IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 功放开关 50V15A42W83/39nS0.1
IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W
IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3
IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W
IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W
IXTP2P50 PMOS GDS 功放开关 500V2A75W5.5 代J117
J177 PMOS SDG 开关 30V1.5mA0.35W
M75N06 NMOS GDS 音频功放开关 60V75A120W
MTH8N100 NMOS GDS 功放开关 1000V8A180W175/180nS1.8
MTH10N80 NMOS GDS 功放开关 800V10A150W
MTM30N50 NMOS 功放开关 (铁)500V30A250W
MTM55N10 NMOS GDS 功放开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 功放开关 100V27A125W0.05
MTP2955 PMOS GDS 功放开关 60V12A75W75/50nS0.3
MTP40N06 NMOS GDS 功放开关 (双)60V40A150W/70nS0.3 MTW20N50 NMOS GDS 功放开关 500V20A250W0.27
RFP40N10 NMOS GDS 功放开关 100V40A160W30/20nS0.04 RFP50N05 NMOS GDS 功放开关 50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 功放开关 60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 功放开关 600V6A75W80/100nS1.50 RFP60N06 NMOS GDS 功放开关 60V60A120W50/15nS0.03 RFP70N06 NMOS GDS 功放开关 60V70A150W
SMP50N06 NMOS GDS 功放开关 50V60A125W50nS0.026 SMP60N06 NMOS GDS 功放开关 60V60A125W50nS0.023 SMW11N20 NMOS GDS 功放开关 200V11A150W
SMW11P20 PMOS GDS 功放开关 200V11A150W
SMW20N10 NMOS GDS 功放开关 100V20A150W
SMW20N10 PMOS GDS 功放开关 100V20A150W
SSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关 900V7A150W
SSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关 600V6A150W
SSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关 900V5A125W
SSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关 800V7A75W
SUP75N06 NMOS GDS 功放开关 60V75A125W0.05
W12NA50W NMOS GDS 功放开关 50V12A150W300/600nS GT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150W
GT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150W
GT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180W
GT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300W
GT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300W
GT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300W
IMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W
IMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻)
SDT3055 NMOS GDS
TSD45N50V NMOS 场效应模块 500V45A400W
TN2460L
35N120 1200V35A250W
EXB841 IGBT驱动
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
场效应管的分类和作用分别是什么? 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS 场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。 MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. 3.场效应管的主要参数:
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
用场效应管参数大全 宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15
2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
IRF系列场效应管参数明细 型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
常用场效应管和晶体管参数大全 关键字： 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应
IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应
型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。 当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则 该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两
个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极
2.2场效应管功能及参数介绍 开关电源的基本电路由“交流一直转换电路”, “开关型功率变换器”, “控制电路”和整流稳波电路”而组成.输入的电网电压通过“交流一直流转换电路”中的整流和稳器转换成直流电,该直流电源作为“开关型功率变换器”的输入电源,经过“开关型功率更换器”将直流电转变为高频脉冲电波电压输出给“整流滤波电路”,变成平滑直流供给负载,控制电路则起着控制“开关型功率变换器”工作的作用.开关型功率变换器是开关电源的主电路,开关电源的能量转换,电压变换就由它承担.在直流变换器的基础上,由于高频脉冲技术及开关变换技术的进一步发展,出现了推挽式开关型功率变换器,全挢式开关型功率变换器,半挢式﹑单端正激式.单端反激式开关型功率变换器.其控制方法可分为脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频调制(PFM)两种. 开关电源最重要的组件是MOSFET,它的开通和关短控制着整个电源运转.MOSFET原意是MOS(METAL OXIDE SEWILONDUCTOR,金属氧化物半导体)FET(FIELD DFFECT TRAHSISTOR,场效应晶体),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(0),利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管. 功率场应晶体管也分为结型绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semi Conductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSPET).结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(STATIC INTUCTION TRANSISTOR,缩写为SIT).其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10KW的电力电子装置.国际整流器公司.(在International Rectifier,缩写IR)把MOSFET用于高压的器件归纳为第3,6,9代,其中包括3,5代,而用于低压的则为第5,7,8代. 功率MOSFET按导电沟通可分P沟道和N沟道;按栅极电压幅值可分为耗尽型(当栅极电压为零时漏,源极之间就存在导电沟道)和增强型(对于N或P沟道器,件栅极电压大珪或小于零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型). 2.2.1.功率MOSFET的结构 功率MOSPET的内部结构和电气符号如下周所示,其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管.导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有极大区别.小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET.大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力. 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET的结构为多元集.如国际整流器公司的HEXFET采用六边形单元;西门子公司的STPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列. 2.2.2功率MOSFET的工作方式 截止:漏极间加正电源,栅源极间电压为零.P基区与N漂移区之间形成的PN结,反偏;漏源极之间无电流流过. 导电:在栅源极间加正电压Vgs,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过.但栅极的正电压会将其下P区中的空穴推开.,而将P区中的少子---电子吸引到栅极下面的P区表面. 当Vgs大于UT(开启电压或阀值电压)时,栅极下面P区表面的电子浓度将超过空穴的浓度,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而PN结缩小消失,漏极和源极导电. 2.2.3功率MOSFET的基本特性 1.静态特性 其转移特性和转出特性如图所示 漏极电流Id和栅源间电压Vgs的关系为MOSFET的转移特性.Id较大时,Id与Vgs的关系近似线性 ,曲线的斜率定义为跨导Gfs.在恒流区内,N信道增强型MOSFET的Id可近似表示为: id=Ido(Vgs/VT-1)2 (Vgs>VT)
2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流（TC=25 ℃ ） PD Total Power Dissipation 总功率耗散（TC=25 ℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 型号耐压（V ）内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR
常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460