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常用场效应管和晶体管参数大全

2010年03月04日10:13.elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6)

常用场效应管和晶体管参数大全

IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应

IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应

IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应

IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应

IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应

IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应

IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应

IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应

IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应

IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应

IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应

IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应

IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应

IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应

IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应

IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应

IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应

IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应

IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应

IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应

IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应

IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应

IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应

IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应

IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应

IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应

IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应

IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应

IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应

IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应

IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应

IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应

IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应

IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应

IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应

IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应

IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应

IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应

IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应

IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应

IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应

IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应

IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应

IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应

IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应

BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应

BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应

BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应

常用场效应管及晶体管参数(2)

晶体管型号反压Vbe0 电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

2SC4582 600V 15A 75W * * NPN

2SC4517 550V 3A 30W * * NPN

2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN

2SC4297 500V 12A 75W * * NPN

2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN

2SC4242 450V 7A 40W * * NPN

2SC4231 800V 2A 30W * * NPN

2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN

2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN

2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN

2SC4059 600V 15A 130W * * NPN

2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN

2SC4024 100V 10A 35W * * NPN

2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN

2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN

2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿)

2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN

2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN

2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN

2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN

2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN

2SC3866 900V 3A 40W * * NPN

2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN

2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN

2SC3783 900V 5A 100W * * NPN

2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN

2SC3680 900V 7A 120W * * NPN

2SC3679 900V 5A 100W * * NPN

2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN

2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN

2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN

2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN

2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN

2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN

2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN

2SC3320 500V 15A 80W * * NPN

2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN

2SC3300 100V 15A 100W * * NPN

2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN

2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN

常用场效应管及晶体管参数(3)

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晶体管型号反压Vbe0 电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN

2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN

2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN

2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN

2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN

2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN

2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN

2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN

2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN

2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）

2SB1429 180V 15A 150W * * PNP

2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿）2SB1375 60V 3A 2W * * PNP

2SB1335 80V 4A 30W * * PNP

2SB1317 180V 15A 150W * * PNP

2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）

2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP

2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP

2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP

2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP

2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）

2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）

2SB834 60V 3A 30W * * PNP

2SB817 160V 12A 100W * * PNP

2SB772 40V 3A 10W * * PNP

2SB744 70V 3A 10W * * PNP

2SB734 60V 1A 1W * * PNP

2SB688 120V 8A 80W * * PNP

2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）

2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）

2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP

2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP

2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP

2SA1943 230V 15A 150W * * PNP

2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP

2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP

2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP

2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP

2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP

2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP

2SA1302 200V 15A 150W * * PNP

2SA1301 200V 10A 100W * * PNP

2SA1295 230V 17A 200W * * PNP

2SA1265 140V 10A 30W * * PNP

2SA1216 180V 17A 200W * * PNP

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常用场效应管及晶体管参数(4)

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晶体管型号反压Vbe0 电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP

2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP

2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP

2SA1009 350V 2A 15W * * PNP

2N6678 650V 15A 175W * * NPN

2N5685 60V 50A 300W * * NPN

2N6277 180V 50A 300W * * NPN

2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN

2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP

2N3773 160V 16A 150W * * NPN

2N3440 450V 1A 1W * * NPN

2N3055 100V 15A 115W * * NPN

2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN

2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN

2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN

9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN

9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP

9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN

9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN

9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP

9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN

TIP147 100V 10A 125W * * PNP

TIP142 100V 10A 125W * * NPN

TIP127 100V 8A 65W * * PNP

TIP122 100V 8A 65W * * NPN

TIP102 100V 8A 2W * * NPN

TIP42C 100V 6A 65W * * PNP

TIP41C 100V 6A 65W * * NPN

TIP36C 100V 25A 125W * * PNP

TIP35C 100V 25A 125W * * NPN

TIP32C 100V 3A 40W * * PNP

TIP31C 100V 3A 40W * * NPN

MJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPN

MJE13005 400V 4A 60W * * NPN

MJE13003 400V 1.5A 14W * * NPN

MJE2955T 60V 10A 75W * * NPN

MJE350 300V 0.5A 20W * * NPN

MJE340 300V 0.5A 20W * * NPN

MJ15025 400V 16A 250W * * PNP

MJ15024 400V 16A 250W * * NPN

MJ13333 400V 20A 175W * * NPN

MJ11033 120V 50A 300W * * NPN

MJ11032 120V 50A 300W * * NPN

MJ10025 850V 20A 250W * * NPN

MJ10016 500V 50A 200W * * NPN

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常用场效应管及晶体管参数(5)

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晶体管型号反压Vbe0 电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

BUS13A 1000V 15A 175W * * NPN

BUH515 1500V 10A 80W * * NPN

BU2532 1500V 15A 150W * * NPN

BU2527 1500V 15A 150W * * NPN

BU2525 1500V 12A 150W * * NPN

BU2522 1500V 11A 150W * * NPN

BU2520 800V 10A 150W * * NPN

BU2508 700V 8A 125W * * NPN

BU2506 1500V 7A 50W * * NPN

BU932R 500V 15A 150W * * NPN

BU806 400V 8A 60W * * NPN

BU406 400V 7A 60W * * NPN

BU323 450V 10A 125W * * NPN(达林顿)

BF458 250V 0.1A 10W * * NPN

BD682 100V 4A 40W * * PNP

MJ10015 400V 50A 200W * * NPN

MJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿)

MJ4502 90V 30A 200W * * PNP

MJ3055 60V 15A 115W * * NPN

MJ2955 60V 15A 115W * * PNP

MN650 1500V 6A 80W * * NPN

BUX98A 400V 30A 210W * * NPN

BUX84 800V 2A 40W * * NPN

BUW13A 1000V 15A 150W * * NPN

BUV48A 450V 15A 150W * * NPN

BUV28A 225V 10A 65W * * NPN

BUV26 90V 14A 65W * * NPN

BUT12A 450V 10A 125W * * NPN

BUT11A 1000V 5A 100W * * NPN

BUS14A 1000V 30A 250W * * NPN

BD681 100V 4A 40W * * NPN

BD244 45V 6A 65W * * PNP

BD243 45V 6A 65W * * NPN

BD238 100V 2A 25W * * PNP

BD237 100V 2A 25W * * NPN

BD138 60V 1.5A 12.5W * * PNP

BD137 60V 1.5A 12.5W * * NPN

BD136 45V 1.5A 12.5W * * PNP

BD135 45V 1.5A 12.5W * * NPN

BC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPN

BC546 80V 0.2A 0.5W * * NPN

BC338 50V 0.8A 0.6W * * NPN

BC337 50V 0.8A 0.6W * * NPN

BC327 50V 0.8 0.6W * * PNP

BC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP

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常用场效应管及晶体管参数(6)

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晶体管型号反压Vbe0 电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

2SDK55 400V 4A 60W * * NPN

2SD2445 1500V 12.5A 120W * * NPN

2SD2388 90V 3A 1.2W * * NPN(达林顿)

2SD2335 1500V 7A 100W * * NPN

2SD2334 1500V 5A 80W * * NPN

2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 * NPN(达林顿)

2SD2155 180V 15A 150W * * NPN

2SD2036 60V 1A 1.2W * * NPN

2SD2012 60V 3A 2W * * NPN

2SD2008 80V 1A 1.5W * * NPN

2SD1997 40V 3A 1.5W * 100MHZ NPN

2SD1994 60V 1A 1W * * NPN

2SD1993 50V 0.1A 0.4W * * NPN

2SD1980 100V 2A 10W 1000-10000 * NPN(达林顿)

2SD1978 120V 1.5A 1W 30000 * NPN(达林顿)

2SD1975 180V 15A 150W * * NPN

2SD1930 100V 2A 1.2W 1000 * NPN(达林顿)

2SD1847 50V 1A 1W * * NPN(低噪)

2SD1762 60V 3A 25W * 90MHZ NPN

2SD1718 180V 15A 3.2W * 20MHZ NPN

2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-40000 * NPN(达林顿)

2SD1590 150V 8A 25W 15000 * NPN(达林顿)

2SD1559 100V 20A 20W 5000 * NPN(达林顿)

2SD1415 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)

2SD1416 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)

2SD1302 25V 0.5A 0.5W * 200MHZ NPN

2SD1273 80V 3A 40W * 50MHZ NPN

2SD1163A 350V 7A 40W * 60MHZ NPN

2SD1047 160V 12A 100W * * NPN

2SD1037 150V 30A 180W * * NPN

2SD1025 200V 8A 50W * * NPN(达林顿)

2SD789 100V 1A 0.9W * * NPN

2SD774 100V 1A 1W * * NPN

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机

全系列场效应管参数

K2843600V10A45W N 07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N 沟道MOS管 10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插 13N60 13A 600V N 沟道 15N03L 30V 42A 83W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 40N03H 30V 40A N 4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V 5P25 250V 5A 6030LX 30V 52A 42W N 603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS 6A60 600V 6A N 6N70 700V 6A N 6P25 250V 6A 70L02 70N06 70A 60V 125W 7N60 600V 7A N,铁 7N70 7A 700V 85L02 8N25 250V ,8A ,同IRF634 95N03 25V 75A 125W 9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新 9N60 9A 600V 9N70 9A 700V AF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一 A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片 A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片 A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片 A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片 A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚 A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片 A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚

电脑主板适用场效应管参数及代换

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管 30V，2A，20W，Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道，功率场效应管 50V，10A，1.8W，Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道，功率场效应管 50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道，功率场效应管 80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道，功率场效应管 60V，8A，1.8W，Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252

场效应管系列参数

场效应管系列参数上一页场效应管系列参数(1) 型号沟道类型耐压（V） V 电流 ( I ) A 功率 (PD/P 沟)W 内阻 (Rds) 脚位 IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v

场效应管对照表

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

场效应管的主要参数

一：场效应管的主要参数 (1)直流参数饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。本站链接:场效应管的参数查询

二：场效应管的特点场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强。三. 符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：

Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：四. 场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。五主板上用的场效应管的特性：

用场效应管参数大全.pdf2

用场效应管参数大全宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针

IRF系列场效应管参数

IRF系列场效应管参数明细型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3

常用场效应管参数大全 (2)

型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3

常用场效应管参数大全(1)

场效应管参数用途大全解析

型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5

全系列场效应管参数

K2843 600V 10A 45W N 07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N 沟道MOS管 10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插 13N60 13A 600V N 沟道 15N03L 30V 42A 83W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 40N03H 30V 40A N 4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V 5P25 250V 5A 6030LX 30V 52A 42W N 603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS 6A60 600V 6A N 6N70 700V 6A N 6P25 250V 6A 70L02 70N06 70A 60V 125W 7N60 600V 7A N,铁 7N70 7A 700V 85L02 8N25 250V ,8A ,同IRF634 95N03 25V 75A 125W 9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新 9N60 9A 600V 9N70 9A 700V AF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片 A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片 A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片 A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片 A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚 A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片 A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚 A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两

个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极