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电力电子技术基础a

电力电子技术基础a
电力电子技术基础a

电力电子技术(A)

一问答题

1 什么是维持电流?什么是擎住电流?答:维持电流是使晶闸管维持通态,所必需的最小主电流。擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态,并移除了触发信号后,能维持通态所必需的最小主电流。

2晶闸管元件导通后,怎样才能由导通变为关断?答:在晶闸管导通后,减小正向电压,正向电流就逐渐减小。当电流小到某一数值时,晶闸管又从导通状态转为阻断状态。

3画出晶闸管的阳级伏安特性,标出确定晶闸管额定电压的电压名称。答:

4半控桥式整流电路,L负载,脉冲突然切除会出现什么现象?如何解决?答:失控现象。加续流二极管。5有源逆变的条件是什么?答:1、有通流方向极性的直流电源和储能元件(足够大的电感)、控制角阿尔法大于90度

二填空题

1 三相半波整流电路,R负载,触发脉冲出现在自然换向点之前,晶闸管(不)换向,

输出波形顺序是(U2, UG, Ud )。

2 三相半波整流电路,电动机负载,合闸后电动机处于静止状态,此时a相脉冲距a相电压起始点

( a ),控制角 是(0°)。3 考虑安全裕量,晶闸管通态平均电流的表达式是()

4 逆变器的换流方式,主要有以下几种:

4 逆变器的换流方式,主要有以下几种:(源逆变,无源逆

变)。

5 串流电感式电压型逆变器晶闸管导通角度是( 180° ),串流二极管式电流型逆变器晶

闸管导通角度是( 120°) )。

三 单向半控桥式整流电路,L =∞,有续流二极管,2U =220V ,α=90°,R=9.9Ω,求晶

闸管,续流二极管的电流有效值,平均值,变压器容量和cos ?。

参考答案: 解:2

1cos 0.92d U U α+= α=90° d U =10.9*220*2=99V d d U I R =

=10A

KP :

dk I =

2d I παπ-=2.5A K I =2d I παπ

-=5A d z R I ==

d I απ=5A zR I =d I απ

=7.07A 22k I I = 22B S U I ==220*5*2=1.5554KV A

c o s ?=B P S =22

d d U I U I =0.64

四 三相全控桥式整流电路,电阻性负载。

1 当03

π

α≤≤时, 求 ()d U f α=

2 当233ππα≤≤时,求()d U f α= 参考答案:

解:1. 03π

α≤≤时

23231

6s i n 3d U U t d t παπαωωπ

++=?=2236cos 2.34cos U U ααπ=

2 233

π

πα≤≤时 231

6sin 3d U U td t ππαωωπ

+=?=2

36[1cos()]3

U παπ++=22.34[1cos()]3U πα++

五 三相全控桥整流电路,L =∞,22100sin U t ω=,D E =217V ,1D R =Ω。

1 画出逆变状态下的主回路,并标明有关参数极性

2 当β=60°时,选择晶闸管元件,计算变压器容量

参考答案:

解:2. d U =2.342U cos β=-2.34*100/2=-117V

d I =d d E U R

-=100A k I =0.578d I =0.578*100=57.8A

2I =2K I =0.816d I =0.816*100=81.6A

T I =(1.5~2)1.57

K I =(1.5~2)57.81.57=55.2~73.6A ked U =(2~3)m U =(2~3)6*100=490~735V

取700V 选Kp100—7

223B S U I ==3*100*81.6=24480=24.48KV A

六 三相全控桥式整流电路,L 负载,锯齿波同步的触发电路,主变压器的组别为Dy1,

试确定出同步变压器的组别。

七 画出三相半波整流电路L 负载主电路,并画出换相过电压保护,短路保护和di/dt 保护

器件。

电力电子技术课后习题全部答案解析

电力电子技术 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解:a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t

现代电力电子技术作业

三相桥式SPWM逆变电路仿真 一、设计的技术指标: 直流母线电压输入:650V; 输出三相交流相电压:220V; 调制方式:SPWM; 频率调制比:N=5; 幅值调制比为:0.8; 二、工作原理 三相桥式逆变电路如图所示,图中应用V1-V6作为逆变开关,也可用其它全控型器件构成逆变器,若用晶闸管时,还应有强迫换流电路。 从电路结构上看,如果把三相负载看成三相整流变压器的三个绕组,那么三相桥式逆变电路犹如三相桥式可控整流电路与三相二极管整流电路的反并联,其中可控电路用来实现直流到交流的逆变,不可控电路为感性负载电流提供续流回路,完成无功能量的续流和反馈,因此VD1~VD6称为续流二极管或反馈二极管。 在三相桥式逆变电路中,各管的导通次序同整流电路一样,也是T1、T2、T3……T6、T1……各管的触发信号依次互差60?。根据各管的导通时间可以分为180?导通型和120?导通型两种工作方式,在180?导通型的逆变电路中,任意瞬间都有三只管子导通,各管导通时间为180?,同一桥臂中上下两只管子轮流导通,称为互补管。在120?导通型逆变电路中,各管导通120?,任意瞬间只有不同相的两只管子导通,同一桥臂中的两只管子不是瞬时互补导通,而是有60?的间隙时间,当某相中没有逆变管导通时,其感性电流经该相中的二极管流通。

上图中的uao`、ubo`与uco`是逆变器输出端a、b、c分别与直流电源中点o`之间的电压,o`点与负载的零点o并不一定是等电位的,uao`等并不代表负载上的相电压。令负载零点o与直流电源中点o`之间的电压为uoo`,则负载各相的相电压分别为 (3-1) 将式(3-1)中各式相加并整理后得 一般负载三相对称,则uao+ubo+uco=0,故有 (3-2) 由此可求得a相负载电压为 (3-3) 在图3.3中绘出了相应的负载a相电压波形,ubo和uco波形与此相似。 三、仿真电路图

电力电子技术基础参考资料(doc 10页)

电力电子技术基础参考资料(doc 10页)

思考题与习题 1. 独立思考以下各小题,分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。 (1)()是半控器件,()和()是全控器件。 (2)()和()所需驱动电路的静态功耗接近于0。 (3)如果希望导通电流为15A时,器件主回路的导通压降小于220mV,则应选用()作为主开关器件。 (4)除功率MOSFET外,()的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。 (5)()在导通电流为500A条件下,为了将它关断,它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。 (6)()的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。 (7)如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路,将450V 直流电源升高为650V直流电源,最大输出电流为200A,斩波频率为15KHz,则应选用()作为主开关器件。 (8)()如果已经导通,在主回路电流大于10A条件下,即使控制信号变为负值,它也不能关断。 2. 分析比较SCR(普通晶闸管)、双向SCR(双向晶闸管)、GTO (可 关断晶闸管)、GTR(电力双极型晶体管)、功率MOSFET和IGBT

(9)当U IN变化20%时,哪几种整流电路输出电压平均值的变化可小于3%? (10)哪几种整流电路的功率因数低? (11)哪几种整流电路的对交流输入电源造成的干扰小? (12)如果在整流电路的输出与R L之间串接平波电感L,并希望在I RL达100A时R L两端电压的纹波因数小于1%,问:选用哪种整流电路所需L的电感量最小? 6. 单相桥式二极管整流电路的交流输入电压有效值为220V,分别计算下列两种不同负载条件下整流输出电压的平均值U d、负载电流的平均值I d、每只整流二极管电流的平均值I DT 和有效值I T: (1)负载为纯阻性,R=10Ω。 (2)负载为电阻与电感相串联,R=10Ω,L可视为无穷大。 7. 由晶闸管构成的单相桥式全控整流电路的交流输入电压之有效值为100V,负载R=2Ω,L可视为无穷大,反电动势E=50V。试求α=30°时整流输出电流的平均值I d、每只晶闸管电流的平均值I dT和有效值I T。 8. 设晶闸管三相桥式可控整流电路输出带阻感负载,R=10Ω,L可视为∞?,它的三相交流输入线电压之有效值和全控整流输出电压之平均值分别为U lL和U d,U lL随电网电压波动的变化范围是320V至420V,晶闸管的导通压降可视为0,试求:

现代电力电子技术的发展(精)

现代电力电子技术的发展 浙江大学电气工程学院电气工程及其自动化992班马玥 (浙江杭州310027 E-mail: yeair@https://www.doczj.com/doc/6414244037.html,学号:3991001053 摘要:本文简要回顾电力电子技术的发展,阐述了现代电力电子技术发展的趋势,论述了走向信息时代的电力电子技术和器件的创新、应用,将对我国工业尤其是信息产业领域形成巨大的生产力,从而推动国民经济高速、高效可持续发展。 关键词:现代电力电子技术;应用;发展趋势 The Development of Modern Power Electronics Technique Ma Yue Electrical Engineering College. Zhejiang University. Hangzhou 310027, China E-mail: yeair@https://www.doczj.com/doc/6414244037.html, Abstract: This paper reviews the development of power electronics technique, as well as its current situation and anticipated trend of development. Keywords: modern power electronics technique, application, development trend. 1、概述 自本世纪五十年代未第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装臵,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。

电力电子技术第3章-习题答案

3章交流-直流变换电路课后复习题 第1部分:填空题 1.电阻负载的特点是电压与电流波形、相位相同;只消耗电能,不储存、释放电能,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤ 180?。 2.阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用,使得流过电感的电流不发生突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0? ≤a≤ 180? 2 ,续流二极管承受的最大反向电压 2 (设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0?≤a≤ 180?,单 2和 2 ;带阻感负载时, α角移相范围为0?≤a≤ 90?,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 2 2U 2 ;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出 侧串联一个平波电抗器(大电感)。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ = 180?-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ = 0?。 5.从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基 本相同,只是后者适用于较低输出电压的场合。 6. 2 ,随负载 加重U d 逐渐趋近于0.9 U2,通常设计时,应取RC≥ 1.5~2.5T,此时输出电压为U d ≈ 1.2 U2(U2为相电压有效值)。 7.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ,晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤90?,使负载电流连续的条件为a≤30?(U2为相电压有效值)。 8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120?,当它 带阻感负载时,α的移相范围为0?≤a≤90?。 9.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 电压最高的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是电压最低的相电压;这种电路 α 角的移相范围是0?≤a≤120?,u d波形连续的条件是a≤60?。 10*.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流i d断续和连续的临界条件是C Rω 3 =,电路中的二极管承受的最大反向电压为 2 U2。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时, 整流输出的电压u d 的谐波幅值随 α 的增大而增大,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而减小。 12.三相桥式全控整流电路带阻感负载时,设交流侧电抗为零,直流电感L为足够大。当 α =30°时,三相电流有效值与直流电流的关系为I I d,交流侧电流中所含次谐波次数为 6k±1,k=1,2,3…,其整流输出电压中所含的谐波次数为 6k, k=1,2,3…。 13.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使输出电压平均值减小。

电力电子技术课后答案

电力电子课后答案 第二章 2.2 使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答: 使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或者U AK >0且U GK >0; 维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,各波形的电流最大值均为m I , 试计算各波形的电流平均值1d I 、2d I 、3d I 与电流有效值1I 、2I 、3I ,和它们的波形系数1f K ,2f K ,3f K 。 题图2.1 晶闸管导电波形 解: a) 1d I = 4 1 2sin()(1)0.27222 m m m I I t I π π ωπ π= +≈? 1I 24 131(sin )()0.4822 42m m m I I t d wt I ππ ?π π = +≈? 111/0.48/0.27 1.78f d m m K I I I I === b) 2d I =412 sin ()(1)0.5422 m m m I I td wt I ππ?=+=∏? 2I 24 21 31(sin )()0.67242m m m I I t d wt I π π ?π π = +≈? 222/0.67/0.54 1.24f d m m K I I I I === c) 3d I = 20 1 1()24 m m I d t I π ωπ = ? 3I 220 1 1()22 m m I d t I π ωπ = ? 333/0.5/0.252f d m m K I I I I === 2.4. 如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A ,考虑晶闸管的安全裕量为1.5,问其允许通

最新电气工程基础复习题(1)

一、填空题 1、安装接线图包括_________、_________和_________。 2、电力系统相间短路的形式有_________短路和_________短路。 3、电力系统接地短路的形式有_________接地短路和_________接地短路。 4、继电保护的可靠性是指保护在应动作时_________,不应动作时_________。 5、三相一次自动重合闸装置通常由_________元件、_________元件、_________元件和 _________元件。 6、变压器轻瓦斯保护动作于_________,重瓦斯保护动作于_________。 7、电力系统中性点接地方式有:_________、_________和中性点不接地。 8、在我国,110kV及以上的系统中性点采用_________,60kV及以下系统中性点采用 _________。 9、电力系统对继电保护的基本要求是_________、_________、_________、_________。 10、电力系统内部过电压一般有_________和_________。 11、电力系统中最基本的防雷保护装置有_________、_________、_________、_________。 12、电力线路相间短路的三段式电流保护是指_________电流速断保护、_________电流速断保护、_________过电流保护。 13、电力市场的基本特征是_________、_________、_________、_________。 14、电力市场的基本原则是_________、_________、_________。 15、我国电力体制改革的总体目标是建立_________、_________、_________的电力市场。 16、电力网通常按电压等级的高低、供电范围的大小分为_________、_________、_________。 17、电能具有_________、_________、_________等优点。 18、自动重合闸作用在线路上发生暂时性故障时,迅速恢复供电,从而可提高供电的 _________。 19、衡量电压的质量指标通常包括_________、_________、_________。 20、通常,要求电力系统供电电压(或电流)的波形为_________。 21、谐波电压是谐波电流在系统_________上的压降。 22、电气设备分为_________、_________。 23、电力系统中性点经消弧线圈接地时,有三种补偿方式,即_________、_________、_________。 24、构成客观世界的三大基础是_________、_________、_________。 25、能源按获得的方法可分为_________、_________。 26、能源按被利用的程度可分为_________、_________。 27、能源按本身的性质可分为_________、_________。 28、火力发电厂能量转换过程是_________ _________ _________ _________。 29、凝汽式火力发电厂三大主机是指_________、_________、_________。 30、核电厂的系统和设备有两大部分组成_________、_________。 31、海洋能主要有_________、_________、_________等。 32、输变电系统是电力系统的组成部分,包括_________、_________。 33、输电线路按电力线路的结构可分为_________、_________。 34、无汇流母线接线形式有_________、_________、_________。 35、保护接地按电源中性点接地方式不同可分为_________、_________、_________三种。

电力电子技术习题与解答

《电力电子技术》习题及解答 思考题与习题 什么是整流它与逆变有何区别 答:整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为逆变,它是对应于整流的逆向过程。 单相半波可控整流电路中,如果: (1)晶闸管门极不加触发脉冲; (2)晶闸管内部短路; (3)晶闸管内部断开; 试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。 答:(1)负载两端电压为0,晶闸管上电压波形与U2相同; (2)负载两端电压为U2,晶闸管上的电压为0; (3)负载两端电压为0,晶闸管上的电压为U2。

某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电,在流过负载电流平均值相同的情况下,哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些 答:带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感,当其电流增大时,在电感上会产生感应电动势,抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些,在流过负载电流平均值相同的情况下,为防此时管子烧坏,应选择额定电流大一些的管子。 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路,若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断,试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。 解:设α=0,T 2被烧坏,如下图: 相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么带大电感负载时,负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么 答:相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。因为负载上的电压、电流是非正弦波,除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ ,,21U U 和Λ,,21I I ,负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。

电气工程基础问答题

2-2 何谓负荷特性?负荷特性如何分类? 答:电力系统综合负荷取用的功率一般要随系统运行参数(主要试电压U 或频率f )的变化而变化,反映这种变化规律的曲线或数学表达式称为负荷特性。 负荷特性有静态特性和动态特性之分。 2-3 何谓谐波含量、谐波总崎变率和谐波含有率? 答:谐波含量是指各次谐波平方和的开方,分为谐波电压含量和谐波电流含量。 谐波电压含量可表示为 H U = 谐波电流含量可表示为 H I =的比值的百分数称为谐波总崎变率,用THD 表示。由此可得: 电压总崎变率为 1 100%H U U THD U =?电流总崎变率为 1 100%H I I THD I =? 3-5. 交流电弧的特点是什么?采用哪些措施可以提高开关的熄弧能力? 答:交流电弧的特点是电流每半个周期要经过零值一次。在电流经过零值时,电弧会自动熄灭。加速断口介质强度的恢复速度并提高其数值是提高开关熄弧能力的主要方法: (1) 采用绝缘性能高的介质 (2) 提高触头的分断速度或断口的数目,使电弧迅速拉长;(电弧拉长,实际上是使电弧上的 电场强度减小,则游离减弱,有利于灭弧,伏安特性曲线抬高) (3) 采用各种结构的灭弧装置来加强电弧的冷却,以加快电流过零后弧隙的去游离过程。 4-11. 中性点接地方式有几种类型?概述它们的优缺点。 答:中性点的接地方式可分为两大类:一类是大电流接地系统(或直接接地系统),包括中性点直线接地或经小阻抗接地;另一类是小电流接地系统(或非直接接地系统),包括中性点不接地或经消弧线圈接地。 在大电流接地系统中发生单相接地故障时,接地相的电源将被短接,形成很大的单相接地电流。此时断路器会立即动作切除故障,从而造成停电事故。单相接地短路后,健全相的电压仍为相电压。 在小电流接地系统中发生单相接地故障时,不会出现电源被短接的现象,因此系统可以带接地故障继续运行(一般允许运行2小时),待做好停电准备工作后再停电排除故障。可见采用小电流接地的运行方式可以大大提高系统供电的可靠性。但这种运行方式的缺点是,发生单相接地时非接地相的对地电压将上升为线电压,因此线路及各种电气设备的绝缘均要按长期承受线电压的要求设计,这将使线路和设备的绝缘费用增大。电压等级愈高,绝缘费用在电力设备造价中所占的比重也愈大。

《电力电子技术基础》读书笔记

电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用,因此,电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。而电力电子技术的不断发展,新材料、新结构器件的陆续诞生,计算机技术的进步为现代控制技术的实际应用提供了有力的支持,在各行各业中的应用越来越广泛。电力电子技术在电力系统中的应用研究与实际工程也取得了可喜成绩。 电力电子技术是应用于电力领域的电子技术。具体地说,就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,主要用于电力变换。目前所用的电力电子器件均用半导体制成,故也称电力半导体器件。通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术(理论基础是半导体物理)和变流技术(理论基础是电路理论)两个分支。电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础,而变流技术则是电力电子技术的核心。 电力电子技术的发展史 自 20 世纪50 年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子技术的诞生。在随后的40 余年里,电力电子技术在器件、变流电路、控制技术等方面都发生了日新月异的变化,在国际上,电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域。 电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用,因此,电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为电力电子技术的诞生奠定了基础。晶闸管自诞生以来,电力电子器件已经走过了五十多年的概念更新、性能换代的发展历程。 第一代电力电子器件 以电力二极管和晶闸管(SCR)为代表的第一代电力电子器件,以其体积小、功耗低等优势首先在大功率整流电路中迅速取代老式的汞弧整流器,取得了明显的节能效果,并奠定了现代电力电子技术的基础。电力二极管对改善各种电力电子电路的性能、降低电路损耗和提高电源使用效率等方面都具有非常重要的作用。目前,硅整流管已形成普通整流管、快恢复整流管和肖特基整流管三种主要类型。晶闸管诞生后,其结构的改进和工艺的改革,为新器件的不断出现提供了条件。由晶闸管及其派生器件构成的各种电力电子系统在工业应用中主要解决了传统的电能变换装置中所存在的能耗大和装置笨重等问题,因而大大提高电能的利用率,同时也使工业噪声得到一定程度的控制。 第二代电力电子器件 自20世纪70 年代中期起,电力晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、电力场控晶体管(功率MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、MOS 控制晶闸管(MCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等通断两态双可控器件相继问世,电力电子器件日趋成熟。一般将这类具有自关断能力的器件称为第二代电力电子器件。全控型器件的开关速度普遍高于晶闸管,可用于开关频率较高的电路。 第三代电力电子器件 进入20 世纪90 年代以后,为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减少,常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件做成模块的形式,这给应用带来了很大的方便。后来,又把驱动、控制、保护电路和功率器件集成在一起,构成功率集成电路(PIC),也就是说,电力电子器件的研究和开发已进入高频化、标准模块化、集成化和智能化时代。电力电子器件的高频化是今后电力电子技术创新

电力电子技术(王兆安第五版)课后习题答案

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力?答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显着提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极 电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0 2-3 .维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶 闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值丨1、I 2、I 3。 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少这时,相应的电流最大值I m1、I m2 I m3各为多少 解:额定电流算结果知I T(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计 解:a)I d1= 24 Im sin( t) 罟"Em I—(Im sin t)2d(wt) 11= 2 410.4767Im 2 b) J—(Imsin t)2d(wt) d2= I 2= Im <2 Im sin td (wt) ( 1) 4 2 Im 3 1 4 2 0.67411m 0.5434 Im c) 丄2Im d( d3= 2 0 t) 1 Im 4 3= 1 2Im2d( t) 2 0 i Im

电力电子技术第五版课后习题及答案

电力电子技术第五版课后习题及答案 第二章电力电子器件 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Imπ4π4π25π4a)b)c)图1-43

图2-27晶闸管导电波形 解:a)I d1=π21ππωω4 )(sin t td I m=π2m I(122+)≈0.2717I m I1=π π ωωπ42)()sin(21 t d t I m=2m Iπ 2143+≈0.4767I m b)I d2= π1ππωω4)(sin t td I m=πm I(122+)≈0.5434I m I 2=ππωωπ42)()sin(1t d t I m=2 2m Iπ2143+≈0.6741I m c)I d3=π2120)(πωt d I m=4 1I m I3=2 02)(21πωπt d I m=2 1I m2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I =157A,由上题计算结果知 a)I m1≈4767 .0I≈329.35,I d1≈0.2717I m1≈89.48 2/16b)I m2≈6741.0I≈232.90, I d2≈0.5434I m2≈126.56c)I m3=2I=314, I d3=41

电力电子技术基本概念和基础知识练习(大工复习)

电力电子技术基本概念和基础知识练习:(王兆安、黄俊第四版) 第1章电力电子器件填空题: 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统,一般由________、________、________三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为________ 、________ ________三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为________。 6.电力二极管的主要类型有________、________、________。 7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDRM________Ubo。 11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。 15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。 16.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而________,开关速度________电力MOSFET 。 17.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为________和________两类。 19.为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是________。 20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。 21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护。 22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。 23.晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施,给每只管子并联RC支路是________措施,当需同时串联和并联晶闸管时,应采用________的方法。 24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。 25.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是________,属于半控型器件的是________,属于全控型器件的是________;属于单极型电力电子器件的有________,属于双极型器件的有________,属于复合型电力电子器件得有________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作频率最高的是________,属于电压驱动的是________,属于电流驱动的是________。 第2章整流电路填空题: 1.电阻负载的特点是________,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是________。 2.阻感负载的特点是________,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是________ ,其承受的最大正反向电压均为________,续流二极管承受的最大反向电

《电力电子技术第二版》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答 第1章思考题与习题 1、1晶闸管的导通条件就是什么? 导通后流过晶闸管的电流与负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件就是:晶闸管阳极与阳极间施加正向电压,并在门极与阳极间施加正向触发电压与电流(或脉冲)。 导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。 1、2晶闸管的关断条件就是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定? 答:晶闸管的关断条件就是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。 1、3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压与反向击穿电压如何变化? 答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压与反向击穿电压随温度升高而减小。 1、4晶闸管的非正常导通方式有哪几种? 答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt过高;(3) 结温过高。 1、5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即gr rr q t t t +=。 1、6试说明晶闸管有哪些派生器件? 答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。 1、7请简述光控晶闸管的有关特征。 答:光控晶闸管就是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。 1、8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1、8所示电路中就是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量) 图题1、8 答:(a)因为H A I mA K V I <=Ω =250100,所以不合理。 (b) 因为A V I A 2010200=Ω =, KP100的电流额定值为100A,裕量达5倍,太大了。 (c)因为A V I A 1501150=Ω= ,大于额定值,所以不合理。 1、9 图题1、9中实线部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各图的电流平均值.电流有效值与波形系数。 解:图(a): I T(A V )=π21 ?π ωω0)(sin t td I m =πm I

《电力电子技术》课后答案完整版

王兆安《电力电子技术》(第4版)课后习题解 第1章 电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极注入正向触发电流。 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流(即维持电流),即H A I I >。 要使晶闸管由导通变为关断,可通过外加反向阳极电压或减小负载电流的办法,使流过晶闸管的电流降到维持电流值以下,即H A I I <。 1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为m I 。 试计算各波形的电流平均值1d I ,2d I ,3d I 与电流有效值1I ,2I ,3I 。 解:a ) m m m d I I t d t I I 2717.0)12 2( 2)()(sin 214 1≈+= = ?π ωωπ ππ m m m I I t d t I I 4767.021432)()sin (214 21≈+= =? π ω?πππ b ) m m m d I I t d t I I 5434.0)12 2 ( )()(sin 1 4 2≈+= = ? π ωωπ ππ m m m I I t d t I I 6471.0214322)()sin (1 4 22≈+= = ? π ω?π ππ c ) ? = =20 3 4 1)(21π ωπ m m d I t d I I m m I t d I I 2 1)(21 20 2 3= = ? ωπ π 1.4 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流1d I 、2d I 、3d I 各为多少?这时,相应的电流最大值1m I 、2m I 、3m I 各为多少? 解:额定电流A I AV T 100)(=的晶闸管,允许的电流有效值A I 157=,由上题计算结果知: a ) A I I m 35.3294767.01≈≈ A I I m d 48.892717.011≈≈ b ) A I I m 90.2326741 .02≈≈ A I I m d 56.1265434.022≈≈ c ) A I I m 31423== A I I m d 5.784 1 33== 1.5 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由211P N P 和221N P N 构成两个晶体管1V 、2V ,分别具有共基极电 流增益1α和2α,由普通晶阐管的分析可得,121=+αα是器件临界导通的条件。121> αα+两个等效晶体管过饱和而导通;121< αα+不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点 图1-43 晶闸管导电波形

电力系统工程基础试卷A参考答案

广东技术师范学院Array 2013—2014学年度第( 1 )学期期末考试试卷参考答案 科目:电力系统工程基础A卷 考试形式:闭卷考试时间:120分钟 一、填空题( 每空1分,共14分) 1、中枢点调压可以采用顺调压、逆调压和常调压。 2、衡量电能质量的主要指标有电压、频率、波形。 3、列举两种无汇流母线的电气设备连接方式:单元接线、外桥接线、内桥接线、角形接线。 4、三绕组变压器分接头装于_高压侧。 5、电流的I、II、III段保护分别是_无时限电流速断保护、带时限电流速断保护、定时限过电流保护。 二、选择题(每题2分,共16分) 1、目前我国电力工业的主力是(B ) A、核电和水电 B、火电和水电 C、风力发电和潮汐发电 D、核电和火电。 2、选择下列电气设备时,不需要校验动稳定的是(B) A、断路器 B、电压互感器 C、隔离开关 D、电流互感器 3、对电气主接线最基本的要求是。(C) A、经济性 B、灵活性 C、可靠性 D、易扩建性 4、选择电流互感器的特殊条件是( D ) A、短路动稳定校验 B、短路热稳定校验 C、选择性校验 D、.准确度校验

5、下列哪个图为升压型三绕组变压器的三个绕组在铁心上排列方式(A ) 6、供电系统短路故障中,发生概率最大的短路类型为(A) A、三相短路 B、两相短路 C、两相接地短路 D、单相短路 7、以下不是新能源发电的是。(D) A、潮汐发电 B、风力发电 C、生物质能发电 D、水力发电 8、保护接地的作用有(B) A、保证照明用电的可靠性 B、保证人身安全 C、保证设备绝缘安全 三、名词解释(每个3分,共15分) 1、发电煤耗率:答:每发一度电需要消耗多少克(千克)的标准煤 2、电气主接线(答:高压电器通过连接线,按其功能要求组成接受和分配电能的电路。) 3、电压损耗答:所谓电压损耗是指线路首末两端电压的数值差,用?U表示,即?U= U1- U2。 4、最大负荷年利用小时数Tmax 答:如果用户以年最大负荷Pmax持续运行Tmax小时所消耗的电能即为该用户以变负荷运行时全年消耗的电能A,则Tmax为最大负荷年利用小时数。 5、安全净距(答:从保证电气设备和工作人员的安全出发,考虑气象条件及其他因素的影响所规定的各电气设备之间、电气设备各带电部分之间、带电部分与接地部分之间应该保持的最小空气间隙。) 四、简答题(每题6分,共30分) 1、变压器常见的故障及不正常工作状态有那些? 答:变压器常见的故障有:内部故障:绕组的相间短路和匝间短路、直接接地系统侧绕组的接地短路;外部故障:油箱外部绝缘套管、引出线上发生相间短路或直接接地

电力电子技术基础参考资料.doc

思考题与习题 1. 独立思考以下各小题,分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT 和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。 (1)()是半控器件,()和()是全控器件。 (2)()和()所需驱动电路的静态功耗接近于0。 (3)如果希望导通电流为15A时,器件主回路的导通压降小于220mV,则应选用()作为主开关器件。 (4)除功率MOSFET外,()的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。 (5)()在导通电流为500A条件下,为了将它关断,它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。 (6)()的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。 (7)如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路,将450V直流电源升高为650V直流电源,最大输出电流为200A,斩波频率为15KHz,则应选用()作为主开关器件。 (8)()如果已经导通,在主回路电流大于10A条件下,即使控制信号变为负值,它也不能关断。 2. 分析比较SCR(普通晶闸管)、双向SCR(双向晶闸管)、GTO(可关断晶闸管)、GTR(电力双极型晶体管)、功率MOSFET和IGBT等电力电子器件的性能,回答下列问题: (1)哪种器件的工作频率最高? (2)哪种器件的容量较小?

(3)哪种器件既可由控制信号正向开通,也可由控制信号反向开通? (4)哪些是半控器件? (5)哪些是全控器件? (6)Ron是哪种器件的参数? (7)哪种器件的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似,而且它的输出特性与GTR的输出特性类似? (8)在器件的通态电流与300A条件下,为了将它关断,哪种器件的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值应超过60A? (9)如果在静态(电流、电压、控制信号的幅值和电路参数保持不变)条件下,测得一个器件的控制极电压为+10V,主电路的电流为20A,主回路的管压降为200mV。问:它属于哪种器件? (10)如果希望在每个工作周期内,器件导通和关断的持续时间各为约10ms,那么,哪些可控器件相应的控制信号为高电平的持续时间必须大于5ms?而另外哪些可控器件相应的控制信号为高电平的持续时间可小于5ms? 3. 普通晶闸管(SCR)与负载电阻串联接单相交流市电,其标称值为220V(有效值),电网电压波动不超过20%。试计算晶闸管实际承受的最高反向电压是多少?若考虑晶闸管的安全裕量电压(安全裕量可按2.5倍考虑),则应选用额定电压不少于多少伏的晶闸管? 4. 设上题中晶闸管的通态平均电流为100A,若晶闸管的电流安全裕量按1.5或2倍考虑,试分别计算导通角为180°和90°时,允许流过晶闸管的峰值电流各是多少?

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