FM11NT020
NFC Forum Type2 Tag芯片
技术手册
2013. 08
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商标
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目录
目录 (3)
1说明 (4)
2产品综述 (5)
2.1产品简介 (5)
2.2产品特点 (5)
2.2.1射频接口 (5)
2.2.2EEPROM存储器 (5)
2.2.3NFC Forum Type2 Tag兼容性 (5)
2.2.4场检测 (5)
2.2.5安全特性 (5)
2.3结构框图 (6)
2.4引脚说明 (6)
3功能描述 (8)
3.1总体描述 (8)
3.2存储器 (8)
3.2.1UID (9)
3.2.2Lock 设置 (9)
3.2.3CC区 (10)
3.2.4出厂配置 (10)
3.3通信原理 (11)
3.4指令系统 (12)
3.4.1REQA (13)
3.4.2WUPA (13)
3.4.3ANTICOLLISION和SELECT(第一级) (14)
3.4.4ANTICOLLISION和SELECT(第二级) (15)
3.4.5READ (16)
3.4.6HALT (16)
3.4.7WRITE (17)
3.4.8COMPATIBILITY WRITE (17)
4电气参数 (19)
4.1极限额定参数 (19)
4.2推荐工作条件 (19)
4.3电参数 (19)
4.4存储器参数 (19)
5典型应用 (20)
6订货信息 (21)
7封装信息 (22)
7.1DFN4封装 (22)
7.2TSOT封装 (23)
版本信息 (24)
上海复旦微电子集团股份有限公司销售及服务网点 (25)
1 说明
本文档为FM11NT020芯片技术手册。FM11NT020为符合ISO/IEC14443－A协议和NFC Forum
Type2 Tag标准的芯片。请联系复旦微电子公司提供更多相关文档支持详细设计开发。
2 产品综述
2.1 产品简介
FM11NT020是复旦微电子公司开发的符合ISO/IEC14443－A协议和NFC Forum Type2 Tag标
准的标签芯片。可广泛应用于蓝牙简单配对，WIFI连接建立，设备之间的相互认证，NFC手机标
配标签等领域。
2.2 产品特点
2.2.1 射频接口
通讯协议：ISO/IEC 14443－A
工作频率：13.56MHz
具有防冲突功能
最远操作距离：10cm（与天线设计和读卡器功率有关）
数据传输速率：106 kbit/s
高数据完整性：16bit CRC，奇偶校验
7 bytes UID，两重防冲突
2.2.2 EEPROM存储器
共252 bytes，分为63块，每块4 bytes
用户区共232 bytes，分为58块，每块4 bytes
前16块可单块锁定（一个块对应一位锁定位），16块以后的存储区间可双块锁定（两个块对应一位锁定位）
CC区OTP功能
数据保存时间：大于10年
擦写次数：大于10万次
2.2.3 NFC Forum Type2 Tag兼容性
FM11NT020芯片功能完全兼容NFC Forum Type2 Tag的技术要求，芯片出厂时已做好NDEF格式
数据的初始化。
2.2.4 场检测
FM11NT020芯片提供场检测功能，输出的FD信号可作为中断唤醒外部MCU。
2.2.5 安全特性
每颗芯片拥有独立7 byte UID，UID不可改写
用户区前16块可单块锁定，16块以后的存储区间可双块锁定
2.3 结构框图
图2-1 FM11NT020 结构框图
2.4 引脚说明
图2-2 DFNWB1.2X1.6-4L封装引脚示意图
表 2-1 DFNWB1.2X1.6-4L 封装引脚列表
图2-3 TSOT23-5L 封装引脚示意图
表 - TSOT23-5L 封装引脚列表
3 功能描述
3.1 总体描述
FM11NT020芯片由三部分构成：
射频模拟电路
数字逻辑电路
非易失性存储器（EEPROM）
射频模拟电路完成数据的解调和回发，为整个芯片提供稳定的电源和时钟。
数字逻辑电路完成协议的处理，并控制EEPROM的读写操作。
EEPROM提供高可靠的数据存储。
3.2 存储器
EEPROM容量为252 bytes，划分为63个块（block），每块4个byte。块是最小的寻址单元。
每个byte中，bit0为LSB，bit7为MSB。
存储器划分为以下几个部分：
产品序列号：位于00块、01块和02块的Byte0字节。
静态锁定位：位于02块的Byte2和Byte3字节
CC（Capability Container）区：位于03块
用户存储区：位于04块～3D块，共58个块，共232 bytes。用户可对此存储区中的数据进行读写操作，读写权限可自行配置。04块~0F块受静态锁定位控制，10块～3D块受动态锁
定位控制。
动态锁定位：位于3E块
表 3-1 FM11NT020 存储器结构
3.2.1 UID
UID 为7 Bytes ，位于存储区的00、01和02块的第一个byte 。BCC （Block Check Character Byte ）计算方法如下：
BCC0 = CT ⊕ SN0 ⊕ SN1⊕ SN2，CT 为“88h ” BCC1 = SN3⊕ SN4 ⊕ SN5⊕ SN6
3.2.2 Lock 设置
Lock 位用于锁定存储空间为只读状态。
Lock 位可以用WRITE 指令或COMPATIBILITY WRITE 指令写入，Lock 位初始值为“0”，只能由“0”写为“1”，一旦Lock 位被写为锁定的“1”状态后，将无法再回到未锁定的“0”状态。 Block-Locking （BL ）位用于冻结对应的存储空间的锁定状态，一旦BL 被写为冻结的“1”状态后，此对应存储空间的锁定状态将不能再改变，并且将无法再回到未冻结的状态。
3.2.2.1 Static Lock
表 3-2 表 3-3
3.2.2.2 Dynamic Lock
表3-4
表3-5
表3-6
表3-7
3.2.3 CC区
CC（Capability Container）区在出厂时已按照NFC Forum Type 2 Tag Specification配置好，此区间
内容可用Write和Compatibility Write指令进行更改，CC区的内容只能由“0”写为“1”，一旦
CC区中的bit位被写为“1”状态后，将无法再回到“0”状态。
为保持与NFC Forum Type 2 Tag Specification的兼容性，不建议用户更改CC区的配置内容。3.2.4 出厂配置
芯片出厂时，块02～06的配置保证芯片为标准的NFC Forum Type2 Tag，对芯片存储区的02～3E
块的操作请遵照NFC Forum Type 2 Tag Specification进行。
所有的LOCK位在出厂时为“0”状态，意味着所有的页都处于未锁定状态。
表3-8 存储区出厂配置
3.3 通信原理
具体通信协议和时序定义等请用户自行参考ISO/IEC 14443－A协议。
芯片工作流程符合ISO14443A－3协议，如下图所示：
3.4 指令系统
硬件支持的指令集如下：
3.4.1
REQA
芯片只有在IDLE 状态下才能接收REQA 命令，回发2byte ATQA （0044h ）。REQA 和ATQA 命令均遵从ISO/IEC 14443-3协议。
3.4.2
WUPA
芯片只有在IDLE 状态或者HALT 状态下才能接收WUPA 命令。回发2byte ATQA （0044h ）。WUPA 命令也遵从ISO/IEC 14443－3协议。
3.4.3
ANTICOLLISION 和SELECT(第一级)
ANTICOLLISION 和SELECT 指令采用相同的编码，二者仅仅是参数项有所不同。芯片只有在Ready1状态下接收此指令，回发为UID 的一部分，即UID 的前3字节。即使CRC 校验错误，SELECT 指令仍然有效。
ANTICOLLISION 指令时序如下：
3.4.4
ANTICOLLISION 和SELECT(第二级)
ANTICOLLISION 和SELECT 指令采用相同的编码，二者仅仅是参数项有所不同。芯片只有在
Ready2状态下接收此指令，回发为UID 的另一部分，即UID 的后4字节。即使CRC 校验错误，SELECT 指令仍然有效。
ANTICOLLISION 指令时序如下：
3.4.5 READ
READ指令需要页地址作为参数。只有地址00h～3Eh才能被访问。如果访问更高的地址空间，芯
片将回发NAK。芯片收到READ指令后，将回发16byte的数据，从READ指令参数中的地址开始，
连续读取4页。例如：如果页地址是03h，则页03h、04h、05h、06h都会被读取。如果所余的页地
3.4.6 HALT
了防冲突（ANTICOLLISION）程序，因此芯片的UID已被读卡器获得，这有别于其他还未进行防
冲突的卡。这个指令可用于寻找读卡器的场范围内的所有卡片。即使parity错误，HALT指令仍然
有效。
3.4.7
WRITE
WRITE 指令可用于写入02 block 或3E block 中的lock byte ，03 block 中的CC byte 或者04、05 block 中的TLV 数据。另外在EEPROM 的block 06h ～3Dh 范围内写入数据，此指令完成单页写入，一次写入4byte 数据。
3.4.8
COMPATIBILITY WRITE
COMPATIBILITY WRITE 指令用于专为操作MIFARE Classic 卡而设计的读卡器。按照MIFARE 的写指令，虽然一次写入16byte 数据，只有最低的4个byte 是真正被写入对应地址的，其他byte 建议设置为全0。
上述是典型情况下的timing，NFC读卡器需遵从以下最小timing和最大timeout：
4 电气参数
4.1 极限额定参数
表-FM11NT020极限额定参数
*注【1】：如果外加条件超过“极限额定参数”的额定值，将会对芯片造成永久性的破坏。
*注【2】：ESD测试用CDIP8封装完成。
4.2 推荐工作条件
表-FM11NT020推荐工作条件
4.3 电参数
表4－3 电参数
注【1】：频宽依据ISM频段规定
4.4 存储器参数
5 典型应用
典型的应用如蓝牙和WI-FI的配对。如下图所示，R1和C1构成低通滤波电路，用于滤除13.56MHz
的耦合载波信号，T1将电平信号转换为开漏输出信号，作为唤醒MCU的中断IRQ信号。R1推荐
值为1.5Ω，C1推荐值为10nF，此情况下，T1管的栅极信号上升和下降非常缓慢，如需要减小上
电子与通信工程领域 电子与通信工程领域是电子技术与信息技术相结合的构建现代信息社会的工程领域。主要培养从事信号与信息处理、通信与信息系统、电路与系统、电磁场与微波技术等工程技术的高级工程技术人才。 电子技术利用物理电子与光电子学的基础理论解决仪器仪表、自动控制及计算机设计制造等工程技术问题，信息技术研究信息传输、信息交换、信息处理、信号检测等理论与技术。 电子技术的迅猛发展为新技术革命带来了根本性和普遍性的影响。电子技术水平的不断提高，既促使了超大规模集成电路和计算机的出现，又促成了现代通信的实现。电子技术正在向光子技术演进，微电子集成正在引伸至光子集成。光子技术和电子技术的结合与发展，正在推动通信向全光化方向快速发展，而通信尤其是无线通信技术与计算机技术越来越紧密的结合与发展，正在构建崭新的网络社会和数字时代。 信息技术是当今社会经济发展的一个重要支柱。信息产业，包括信息交流所用的媒介、信息采集、传输和处理所需要的器件设备和原材料的制造和销售，以至计算机、光纤、卫星、激光、自动控制、多媒体信息处理等由于其技术新、产值高、范围广，已成为或正在成为许多国家或地区的支柱产业。 电子与通信工程领域由信息科学与工程学院主办，由电子工程系、通信科学与工程系提供支撑。在学科分布上，拥有2个国家重点学科、1个上海市重点学科、1个教育部重点实验室，含一级学科3个、博士后流动站2个、博士点3个、硕士点5个。 主要研究方向: ●图像与智能信息处理●数字系统理论与通信技术●电路系统及应用 ●自动控制●电子测量技术●复杂网络系统理论及应用●移动通信●信息提取与处理●多媒体通信 ●通信与网络●光通信●光纤通信与传感 ●中远外红光纤●电磁场与电磁波●散射辐射与空间遥感信息●空间遥感信息技术 主要专业课程: ●计算机应用●管理经济学●现代通信体系统 ●网络原理与工程设计●DSP技术及其应用●网络协议与安全设计 ●电子系统设计●现代信号处理
《微电子材料制备》课程论文 题目：ZnO薄膜材料制备技术及应用 专业班级：通信103班 学生姓名：X X X 成绩： 2012年12 月15 日
近几年，ZnO作为宽禁带半导体受到人们越来越多的重视。和目前最成功的宽禁带半导体材料GaN相比，ZnO具有很多优点。本文综述了ZnO薄膜的制备的主要方法及其优缺点。并深入探讨了ZnO薄膜材料的应用及其发展前景。 关键词：ZnO薄膜；应用；微电子；
In recent years, ZnO as wide bandgap semiconductor gets more and more attention. And the most successful wide bandgap semiconductor material than GaN, ZnO has many advantages. This paper reviews the preparation of ZnO thin film of the main methods and their advantages and disadvantages. And probes into the ZnO thin film materials application and development prospect. Keywords: ZnO film; Applications; Microelectronics;
第1章绪论 1.1 课题背景 近几年．由于短波长激光二极管LD激光器的前景，人们对宽禁带半导体的研究产生了极大的兴趣。目前已经制造出GaN和ZnSe基的蓝光发光二极管和激光器。蓝色发光器件的研制成功，使得全色显示成为可能，而且可以制作出高亮度和高效率的白光发射器件。本文系统综述了Zn0薄膜的制备的主要方法及其优缺点。并探讨Zn0薄膜材料的应用前景。陶瓷、光学玻璃、单晶硅或其他人工晶体等无机非金属材料表面经常需要导电互连或其他表面功能化加工,如陶瓷基印制电路板、多层芯片封装、微电子和微机械器件等。这些材料,特别是先进无机材料表面的金属化已成为特别重要的工艺技术。从冶金学观点看,这些材料与其表面金属覆盖层之间的交互作用之中,延晶、扩散和键合的作用十分微弱。因而,形貌的影响显得比较突出。为了尽可能地提高基体与镀层之间的结合力,这些材料在镀前必须进行刻蚀处理,适当地增大工件表面的粗糙度和接触面积,以便获得理想的表面形貌和润湿性能。同样,在赋予基体表面催化活性的工艺流程,如表面调整、催化和解胶等工序操作时必须小心谨慎。尽管如此,结合力仍然不高。早期曾采用过物理方法沉积金属使非金属工件表面具有导电性能,然后电镀增厚作为装饰性镀层。近代也有采用气相沉积(PVD、CVD等)、离子注入、激光表面熔覆等表面改性技术作为镀前处理方法,极大地提高了金属化层的结合力。然而,这些工艺同时也受到物理场强分布不均匀、真空室容积有限、生产效率较低等制约。由于在某些情况下化学镀具有不可替代的优越性,采用物理方法与化学方法、干法与传统湿法工艺相结合的技术路线就有可能取得突破,至少可能获得长足的进步。在高技术产业已经出现了这种“向上兼容”的趋势。喷雾热解法制备ZnO薄膜的初始目标是研究开发一种透明的导电材料。近来发现它作为中间层,显著地提高了金属化层在高光洁度的无机非金属材料表面的结合力;ZnO 薄膜的光催化反应特性有可能使其成为一种创新性的全加法工艺。这一发现目前正受到国际电化学和固体电子科技界的高度重视。
复旦大学公共卫生学院 2013～2014学年第一学期期末考试试卷 卷□B卷 课程名称：健康教育学课程代码： PHPM130004.01 开课院系：公共卫生学院考试形式：闭卷 姓名：学号：专业： 一、单选题（15题，每题1分，共15分） 1.大多数学者公认的美国现代健康传播的开端是 ( ) A、Stanford AIDS Prevention Program B、Stanford Health Communication Program C、Stanford Diabete Prevention Program D、Stanford Heart Disease Prevention Program E、Stanford Social Marketing Program 2.传播效果中的最低层次是 ( ) A、健康信念认同 B、知晓健康信息 C、态度转变 D、采纳健康的行为 E、以上都不对 3.当某地发生传染病大流行时，进行传播活动时的最主要要求是 ( ) A、保证效果 B、速度快 C、准确 D、经济 E、科学性 4.以下属于纸烟中的有害成分的是 ( ) A、尼古丁 B、潜在性致癌物 C、一氧化碳和烟尘
D、焦油 E、以上均是 5.烟草中尼古丁的最大危害在于 ( ) A、成瘾性 B、破坏人体输氧功能 C、诱发异常细胞生成 D、加速动脉粥样硬化 E、导致癌症 6.以下那一项是控制烟草消费最有效的单一措施( ) A、全面禁止烟草广告和促销活动 B、健康警语和限制焦油 C、禁止向未成年人销售烟草及制品 D、烟税和价格政策 E、建立无烟区 7.被人们称为“无声的杀手”的是 ( ) A、高血压 B、糖尿病 C、吸烟 D、酒精性肝硬化 E、艾滋病 8.卫生部规定的“全国高血压日”是 ( ) A、每年10月6日 B、每年9月8日 C、每年10月8日 D、每年9月7日 E、每年6月6日 9.美国食物和药品管理局建议高血压患者应将钠摄入量减至每天不超过 ( ) A、2g B、4g C、6g D、8g E、10 g 10.体液中含HIV最多的是 ( ) A、阴道液 B、乳汁和泪液 C、血液和精液 D、汁液和唾液 E、以上都不对
复旦微电子考研心得 复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。 下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。 总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^ 心得之二:
一、【简述】毛泽东思想的历史地位和指导意义。 答：1、马克思主义中国化第一次历史性飞跃的理论成果。 2、中国革命和建设的科学指南。 3、中国共产党和中国人民宝贵的精神财富。 二、【简述】为什么说邓小平理论是马克思主义是在中国发展的新阶段。 答：邓小平理论是贯穿哲学、政治经济学、科学社会主义等领域，涵盖经济、政治、文化、党的建设等方面比较完备的科学体系，又是需要从各个方面进一步丰富发展的科学体系。 邓小平理论坚持和发展了毛泽东思想。它坚持解放思想、实事求是，在新的实践基础上继承前人又突破陈规，开拓了马克思主义的新境界；它坚持科学社会主义理论和实践的基本成果，抓住“什么是社会主义、怎样建设社会主义”这个根本问题，深刻地揭示社会主义的本质，把对社会主义的认识提高到新的科学水平；它坚持用马克思主义的宽广眼界观察世界，对当今时代特征和总体国际形势，对世界上其他社会主义国家的成败，发展中国家谋求发展的得失，发达国家发展的经验教训，进行正确分析，作出了新的科学判断。 党的十一届三中全会以来，邓小平理论指引我们进行拨乱反正和全面改革，逐步实现了从“以阶级斗争为纲”到以经济建设为中心、从封闭半封闭到改革、从计划经济到社会主义市场经济等一系列重大转变，使我国实现政治稳定，经济发展，民族团结，社会生产力、综合国力和人民生活都上了一个大台阶，成功地走出了一条具有中国特色的社会主义新道路。 三、【论述】联系中国国情和当今时代，阐述科学发展观提出的必要性和重要性。 答：科学发展观，是立足社会主义初级阶段基本国情，深入分析我国发展的阶段性特征，总结我国发展实践，准确把握世界发展趋势，借鉴国外发展经验，适应新的发展要求提出来的。 社会主义初级阶段的基本国情是提出科学发展观的根本依据。我国在进入社会主义社会的时候，就生产力发展水平而言，远远落后于发达国家，因此，必须经历一个相当长的历史阶段，去实现工业化和现代化。党的十三大根据邓小平的思想，深刻阐述了社会主义初级阶段问题，强调我国社会已经是社会主义社会，我们必须坚持而不能离开社会主义；同时，我国社会主义社会还处以初级阶段，我们必须从这个实际出发而不能超越这个阶段。此后，党的十四大、十五大、十六大都重申和强调了社会主义初级阶段问题。党的十七大报告指出：“经过新中国成立以来特别是改革开放以来的不懈努力，我国取得了举世瞩目的发展成就，从生产力到生产关系、从经济基础到上层建筑都发生过了意义深远的重大变化，但我国仍处于并将长期处于社会主义初级阶段的基本国情没有改变，人民日益增长的物质文化需要同落后的社会生产之间的矛盾这一社会主义矛盾没有改变。”提出科学发展观，就是要求我们牢记社会主义初级阶段的基本国情，认清全面建设小康社会、基本实现现代化的长期性和艰巨性，提高想问题、办事情决不可脱离实际的自觉性。 我国在新世纪新阶段的阶段性特征是提出科学发展观的现实基础。我国经济社会发展呈现出一系列新的阶段性特征：经济实力显著增强，同时生产力水平总体上还不高，自主创新能力还不强，长期形成的结构性矛盾和粗放型增长方式尚未根本改变；社会主义市场经济体制初步建立，同时影响发展的体制机制障碍依然存在，改革攻坚面临深层次，矛盾和问题；人民生活总体上达到小康水平，同时收入分配差距拉大的趋势还未根本扭转，城乡贫困人口和低收入人口还有相当数量，统筹兼顾各方面利益难度加大；协调发展取得显著成绩，同时农业基础薄弱、农村发展滞后的局面尚未改变，缩小城乡、区域发展差距和促进经济社会协调发展任务艰巨；社会主义民主政治不断发展，依法治国基本方略扎实贯彻，同时民主法制建设与扩大人民民主和经济发挥在哪的要求还不完全适应，政治体制改革需要继续深化；社会主义文化更加繁荣，同时人民精神文化需求日趋旺盛，人们思想活动的独立性、选择性、多变性、差异性明显增强，对发展社会主义先进文化提出了更高要求；社会活力显著增强，同时社会结构、社会组织形式、社会利益格局发生深刻变化，社会建设和管理面临诸多新课题；对外开放日益扩大，同时面临的国际竞争日趋激烈，发达国家在经济科技上占优势的压力长期存在，可以预见和难以预见的风险增多，统筹国内发展和多外开放要求更高。以上这些阶段性特征，是社会主义初级阶段基本国情在新世纪新阶段的具体表现，它表明，我国已进入发展的关键时期、改革的攻坚时期和社会矛盾的凸显时期。我国发展既具有巨大潜力和广阔空间，也承受着来自人口资源环境等方面的巨大压力；我国发展既面临着前所未有的机遇，也面临着严峻挑战。要适应当前我国发展的阶段性特征，奋力开拓中国特色社会主义更为广阔的发展前景，就必须科学分析我国全面参与经济全球化的新机遇新挑战，全面认识工业化、信息化、城
题目: 领域及技术类别： 是否公开：公开不公开 注：技术介绍（技术背景、技术现状、技术对比）、考量指标（预期效益、实现预期效益的可能性、研发内容特点与可能性、研发基础和条件）等方面进行论述，要求5000 字以内。 技术介绍（技术背景、技术现状、技术比对） 考量指标（预期效益、实现预期效益的可能性、研发内容特点与可能性、研发基础和条件）关键词：（5个） 注：最多上传3个图片，每个图片不能大于80kb。 领域及技术类别 信息技术：电子与微电子技术 通信技术 计算机科学与技术 信息安全技术 其他信息技术 生物和医药技术：功能基因与生物芯片技术 生物信息技术 纳米生物技术 工业生物技术 医药生物技术 现代医学技术 医疗器械与设备技术 化学药技术 中医与中药技术 生物资源与安全技术 生物孵化器技术 其它生物和医药技术 材料技术：金属材料技术 无机非金属材料技术 高分子与化工材料技术 复合材料技术
特种功能材料技术 纳米材料技术 光电信息功能材料技术 微电子材料技术 其它材料技术 先进制造技术：设计技术 制造工艺技术 测量技术 控制技术 集成技术 企业管理技术 制造业服务技术 其它先进制造技术 能源技术：煤炭技术 电力技术 太阳能技术 风能技术 生物质能技术 海洋能技术 地热能技术 氢能技术 核能技术 节能技术 其它能源技术 资源环境技术：矿产资源勘探开发利用技术 油气勘探开发利用技术 水资源综合开发利用技术 环境污染防治技术 环境监测及评价技术 生态系统恢复与保护技术 清洁生产与循环经济技术 其它资源环境技术 海洋技术：海洋环境监测技术 海洋资源探查技术 海洋资源开发技术 船舶与海洋工程技术 海洋环境保护技术 其它海洋技术 现代农业技术：农业生物技术 农业信息技术 农业先进装备技术 农业资源节约技术 现代食品加工技术 现代海水养殖技术
复旦大学护理专业成人教育 护理学专升本（助产方向、儿科方向）毕业实习管理细则 一、毕业实习时间安排 根据教学计划的安排，护理学专升本（助产方向、儿科方向）学生临床实习时间为16周，一般安排在第六学期完成。毕业实习各节点的时间安排详见附件五。 二、毕业实习申请与受理 1、毕业实习安排的三类情况： 第一类：免实习 在两级乙等及以上医院的妇产科（适用于助产方向）或儿科（适用于儿科方向）护理一线岗位工作10年以上（含10年）,助产方向学生还必须同时满足在产房助产岗位工作3年以上。符合上述条件的学生，凭医院人事部门的证明（《实习征询函》），可以申请所在专业方向免实习。（如曾更换就业单位且在现单位工作不满规定年限者，需提供原单位医院等级及相关科室工作年限证明）。 第二类：在本院实习 在上海市二级乙等及以上医院护理一线岗位工作的学生，医院已设置该生所在专业方向（助产或儿科）实习所要求的全部科室的，凭医院护理部接纳函，可以申请在本院参加实习。但必须按照护理学院发放的《实习手册》上所规定的内容和要求完成实习。 第三类：在其它医院实习 在一级医院或在非护理一线岗位工作的学生，可以自行落实上海市两级乙等及以上的医院实习，也可申请由护理学院统一安排实习医院实习。自行落实者所选医院必须设置有实习要求的全部科室，且必须按照护理学院发放的《实习计划与大纲》、《实习手册》、《实习轮转表》上所规定的内容和要求完成实习。 2、实习科室要求 助产方向学生必须轮转四个科室：产前门诊2周、产房8周、产后休养室2周、妇科4周。 儿科方向学生必须轮转四个科室：急诊或监护室（二选一）2周、儿外科2周、新生儿室4周、儿内科6周。
一．选择题１５＊６ １。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度 ２。二极管正向阈值电压Ｖf：b Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化 ３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上 ４。双极型晶体管共基极连接： Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放 大 ５。晶体管基区运输系数主要决定于：c Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度 ６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度 不能太高否则发射率反而下降 ７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０ ８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性） ９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是： Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方 向平移一段距离，与类型无关 １０．mos管＂缓变沟道近似＂是指： Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢 Ｃ：沿沟道方向的电场很小 １１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat： Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt １２．nos管体电荷变化效应是指； Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影 响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响 １３．mos亚阈值电流的主要特征： 具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不 大 １４．nos管短沟道效应是指：
作业1：阅读2011年国际半导体技术发展规划（ITRS）https://www.doczj.com/doc/617663664.html,/ 题目1－3为必做题，参考“Executive summary”,其余选做。选做题目需要参考其他文档，见题目后面括号中的文档名。 注：技术节点以“DRAM”为准。 1.最小特征尺寸 a.请说明以下概念的区别：DRAM 1/2线宽、MPU 1/2线宽、光刻栅长以及物理栅长。 b.作图比较DRAM 1/2线宽、光刻栅长和物理栅长三个技术参数随年代的变化。 c.每个技术节点DRAM 1/2线宽减少多少？（以比例表示） 2.四个技术节点（32,22,16,10 nm）的比较： a.作图说明高性能器件和低功耗器件工作电压的预期值。 b.作图说明四个技术节点高性能器件和低功耗器件阈值电压和工作电压的预期比值。 c.作图说明四个技术节点芯片尺寸的预期值。 d.作图说明四个技术节点最高时钟频率的预期值。 e.作图说明四个技术节点功率耗散的预期值。假定你同时知道源电压的预期值，则这 些预期暗示着对32 nm技术节点和10 nm技术节点平均工作电流怎样的要求？ 3.缺陷的数目及光刻版数目 a.作图对比2005版和2011版关于缺陷数目的规划（CPU和DRAM）。 b.作图表示CPU和DRAM光刻版数目在各个技术节点的变化。 4.驱动电流（I on）和关断电流（I off）（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点驱动电流(mA/um)的预期值。 b.作图说明四个技术节点关断电流(nA/um)的预期值。 c.作图说明四个技术节点驱动电流和关断电流的预期比值。 5.本征延时（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点CV/I的预期值。 b.作图说明相应CV/I和时钟频率的预期比值。 6.氧化层厚度（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点栅氧化层厚度的预期值。 b.作图说明四个技术节点的栅漏电流密度的预期值。 7.硅片表面处理（Front end processes） a.作图说明随年代硅片表面颗粒大小和数目的要求。 b.作图说明随年代可动离子密度的变化。
复旦大学继续教育学院 护理学专业本科（专升本、高起本）毕业论文写作要求 每位学生在导师指导下,选取自己在毕业论文撰写阶段护理的真实病例（该病例的全部病历资料请复印留底，以备抽查）,独立完成一篇个案护理论文，并在规定时间内提交打印稿给专家评阅。 一、个案护理论文简介 个案护理论文是临床护理论文的一种，属于经验报道或个案报道（case report）。个案护理论文中的观察对象可以是一个病人或几个类似的病人，也可以是一个家庭、团体或社区，是对某一类特殊事件、罕见事件或新生事件的观察、总结和分析，其目的在于交流临床实践经验，给护理界同道以启迪与借鉴。个案护理论文的作者应该是承担该个案护理工作的主要人员，只有这样才能掌握第一手资料，才能撰写出亲身体验过的、富有护理实践经验的个案护理论文。 个案护理论文与案例研究(case study)不同，后者属于一种质性研究的方法，有着严谨的科研设计和科学的研究方法与过程，更加着重于挖掘事物的本质和事物间的内在联系，发现新概念、新理论，案例研究论文属于科研论文范畴。 二、个案护理论文的结构及参考资料 1、文题 2、摘要：着重说明疾病名称、主诉、主要治疗原则及病情转归等。 3、关键词：采用专业词汇，能表达文章的主题内容。 4、正文： 前言：内容包括介绍主要概念、撰写个案护理论文的目的和意义。引用文献证明该案例作为未曾报道或特殊护理病例的依据。注意：前言部分不设标题"前言"两字，只保留其内容。 案例介绍或临床资料：是个案护理论文的重要内容，其内容必须真实，叙述清晰，重点突出，可包括患者一般情况、病史、相关治疗以及效果，注意：效果也可置于护理之后独立撰写。 护理是个案护理论文最具特色的部分，应详细介绍护理方法、措施及整体方案的构思特色。此部分要求按护理程序撰写。 讨论可结合护理理论或文献资料进行分析和评价，总结该病例护理成功或失败的经验和教训，从中获得新知识。 5、参考文献 个案护理论文撰写可参考的以下资料： 1、肖顺贞主编. 护理研究（第3版）.北京：人民卫生出版社，2006，118-125。 2、发表于中华护理杂志以及国外杂志的优秀个案论文，例如: -蔡建英,张玲玲,于龙娟等.长期昏迷患者孤立牙所致口唇破裂的护理.中华护理杂志，2010，45（2）：161-162
复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展 摘要：复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史，形成了“基础与专业结合，研究与应用并重，创新人才培养国际化”特色。在教育部第二批高等学校特色专业建设中，通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力，复旦大学微电子学专业的特色得到挖掘和拓展。 关键词：特色专业建设；复旦大学；微电子学；创新人才培养 复旦大学“微电子学与固体电子学”学科有半个多世纪的深厚积累。20世纪50年代，谢希德教授领导组建了全国第一个半导体学科，培养了我国首批微电子行业的中坚力量。60年代研制成功我国第一个锗集成电路。1984年，经国务院批准设立微电子与固体电子学学科博士点，1988年、2001年、2006年被评为国家重点学科。所在一级学科于1998年获首批一级博士学位授予权，设有独立设置的博士后流动站和长江特聘教授岗位，建有“专用集成电路与系统”国家重点实验室，1998年和2003年被列入“211”工程建设学科，2000年被定为“复旦三年行动计划”重中之重学科得到学校重点支持，2005年获“985工程”二期支持，建设“微纳电子科技创新平台”。 长期以来复旦大学微电子学教学形成了“基础与专业结合，研究与应用并重，创新人才培养国际化”特色。近年来，在教育部第二批高等学校特色专业建设中，我们根据国家和工业界对集成电路人才的要求，贯彻“国际接轨、应用牵引、注重质量”的教学理念，制定了复旦大学“微电子教学工作三年计划大纲”并加以实施，在高端创新人才培养方面对专业教学的特色开展了深层的挖掘和拓展。 一、课程体系的完善和课程建设 微电子技术的高速发展要求微电子专业课程体系在相对固定的框架下不断加以更新和完善。 我们设计了“复旦大学微电子学专业本科课程设置调查表”，根据对于目前工作在企业、大学和研究机构的专业人士的调查结果，制定了新的微电子学本科培养方案。主要修改包括： （1）加强物理基础、电路理论和通信系统课程。微电子学科，特别是系统芯片集成技术，是融合物理、数学、电路理论和信息系统的综合性应用学科。因此，在原有课程基础上，增加了有关近代物理、信号与通信系统、数字信号处理等课程，使微电子学生的知识覆盖面更宽。
1 微电子技术发展方向 21世纪初微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流；随着IC设计与工艺水平的不断提高，系统集成芯片将成为发展的重点；并且微电子技术与其他学科的结合将会产生新的技术和新的产业增长点。 1.1 主流工艺——硅基CMOS电路 硅半导体集成电路的发展，一方面是硅晶(圆)片的尺寸愈来愈大，另一方面是光刻加工线条（特征尺寸）愈来愈细。 从硅片尺寸来看，从最初的2英寸，经过3英寸、4英寸、5英寸、6英寸发展到当今主流的8英寸。据有关统计，目前世界上有252条8英寸生产线，月产片总数高达440万片，现在还在继续建线。近几年来又在兴建12英寸生产线，硅晶片直径达12英寸（300mm），它的面积为8英寸片（200mm）的2.25倍。1999年11月下旬，由Motorola与Infineon Technologies联合开发的全球首批300mm 晶片产品面市。该产品是64M DRAM，采用的是0.25μm工艺技术，为标准的TSOP 封装。据介绍，300mm晶片较200mm晶片，每个芯片的成本降低了30%～40%。到目前，已经达到量产的12英寸生产线已有6条，它们是： （1）Semiconductor 300公司，位于德国德累斯顿，开始月产1500片，由0.25μm进到0.18μm。 （2）Infineon公司，位于德国德累斯顿，0.14μm，开始月产4000片。 （3） TSMC公司，位于我国台湾新竹， Fab12工厂生产线，由0.18μm进到0.15μm以至0.13μm，开始月产4500片。 （4）三星公司，位于韩国，Line 11生产线，0.15/0.13μm，开始月产1500片。 （5）Trecenti公司，位于日本那珂N3厂，月产能7000片，0.15/0.13μm。 （6）Intel公司的D1C厂，开始月产4000片，0.13μm。 此外，已经建厂，开始试投的也已有9条线；正在建的有4条线。 采用12英寸晶片生产的IC产品，据报道已有：韩国三星公司批量生产512M 内存（DRAM）；美国Altera公司在台湾TSMC公司加工生产可编程逻辑器件（PLD），采用0.18μm技术；美国Intel公司在2001年3月份宣布，在当年采用0.13μm 技术建12英寸生产线量产CPU。其余各线主要做存储器电路,DRAM、SRAM或Flash。 在光刻加工线条（特征尺寸）方面，如前所述，在主流0.25μm技术之后，已有0.18μm、0.15μm以至0.13μm技术连续开发出来并投入使用。
( 工作总结 ) 单位：_________________________ 姓名：_________________________ 日期：_________________________ 精品文档 / Word文档 / 文字可改 公司经营情况工作总结(2021 年) The work summary can correctly recognize the advantages and disadvantages of previous work, clarify the direction of the next work, and improve work efficiency
公司经营情况工作总结(2021年) 尊敬的董事长、监事长，各位董事、监事： 我代表江苏松银投资担保有限公司，向大会作20nn年度公司经营情况报告，并请大会审议。 20nn年，是极不平凡的一年，江苏松银投资担保有限公司经受住了历史罕见的重大挑战和考验，在以杨自川同志为核心的董事会的坚强领导下，全体公司员工团结一致、奋力拼搏，战胜各种困难，总体来说，取得了较好成绩。下面对20nn年度工作做如下总结： 一、基本情况 1、江苏松银担保投资有限公司成立于20nn年12月，注册资本9900万元，是江苏省信用再担保体系主办机构，20nn年中国人民银行资信评估机构评为“a-”级，中国工商银行信用等级评为“a+”
级，在镇江市政府对企业评级中被评为“二星”级企业。是江苏省工商银行49家重点合作客户之一，公司遵循政府指导、市场运作，优化服务、便利融资，规范运作、防范风险等原则，主要为镇江市中小企业申请流动资金短期银行贷款提供融资担保服务。 2、公司目前已与工商银行、镇江农村商业银行签订合作协议，并与中国银行、江苏银行等多家金融机构建立合作关系，本着稳健的原则20nn年共为76户中小企业提供了融资担保贷款2.66亿元。 3、20nn年是机遇与挑战并存，江苏省为规范担保公司行业的行为，进行了有序的清理整顿，极大的改善了中小企业的融资环境。于此同时，由于国家宏观调控、央行财政政策、货币政策的调整，以及镇江地区银行在钢贸行业信贷风险的过度集中，鉴于控制风险、分散风险的考虑，各大银行纷纷暂停对钢贸行业的授信、放贷，甚至停止了与钢贸企业有关联担保公司的合作。针对宏观调控政策下钢贸行业的严峻形势，公司积极果断调整应对措施，全力保持公司业务平稳发展，开辟了区别于传统业务范畴的新业务，这里包括业务品种创新、产品结构创新，加大关注商业担保、制造业担保、特
复旦大学继续教育学院 10 级国际经济与贸易专业国际金融复习题 一、判断题（每题判断1分，说明2分，共10题30分） 1、货币替代可以简单定义为本国居民对外币的过度需求。（对） 说明：货币替代意味着本国居民减少对本国货币的需求，对外国货币的需求多 2、只有实现了资本项目下的货币兑换，该国货币才能被称为可兑换货币。（错） 说明：可兑货币实际包括经常项目下的货币兑换也可以视为可兑货币。 3、如果一国实行固定汇率制度，则其拥有的国际储备数量可相对较少。（错） 说明：固定汇率对国际储备要求较多。 4、储备货币国可以通过输出本国货币来弥补国际收支逆差。（对） 说明：储备货币国可以通过发行货币向全球征收铸币税。 5、巴拉萨-萨缪尔森效应告诉我们，生产率落后的国家，在国际可贸易品的交换中，需要用较低的价格输出产品，较高的价格输入产品，因此其汇率水平与根据购买力平价计算得到的汇率水平存在差距。（错） 说明：其实际汇率与名义汇率存在差距。 6、影子汇率构成事实上的复汇率。（对） 说明：影子汇率对不同商品使用不同的结算方式。 7、浮动汇率的弊端之一是容易造成外汇储备的大量流失。（错） 说明：浮动汇率的弊端之一是跟金融监管有关，与活动汇率无关。 8、外汇占款是我国央行投放基础货币的渠道之一。（对） 说明：外汇占款都进入了央行的货币储备体系，从而构成了基础货币。
9、通货区的重要特征是通货区作为一个集体，对外保持固定汇率。（错） 说明：通货区的重要特征是对外保持货币波动的一致性，而不是固定汇率。 10、国际金本位的最大缺点在于国际经济和贸易的发展受制于世界黄金产量的增长。（对）说明：国际金本位制以黄金作为等价物，所以受制于黄金产量。 11、资本外逃是指资本从本国流出，可以使用外汇管制手段对其进行限制。（错） 说明：资本外逃是指外汇从本国流出，可以使用外汇管制手段对其进行限制。 12、影子汇率构成事实上的复汇率。（对） 说明：影子汇率对不同商品使用不同的结算方式。 13、国际货币体系是一种约定俗成的惯例体制。（错） 说明：国际货币体系是按照一定的制度形成的货币体系。 14、通货区的重要特征是通货区作为一个集体，对外保持固定汇率。（错） 说明：通货区的重要特征是对外保持货币波动的一致性，而不是固定汇率。 15、黄金非货币化是指黄金既不是各国货币平价的基础，也不能用于官方的国际清算。（对）说明：黄金非货币化就是黄金从流通领域中退出。 16、外汇留成导致不同的实际汇率。（对） 说明：外汇留成是针对不同的商品实行不同的汇率结算。 17、国际货币体系起源于二战后，第一个国际货币体系是布雷顿森林体系。（错） 说明：国际货币体系起源于金本位制。 18、在国际金汇兑本位体制下，黄金依然充当支付手段。（对） 说明：在国际金汇兑本位体制下，盯住的仍然是黄金。 19、黄金非货币化是指黄金既不是各国货币平价的基础，也不能用于官方的国际清算。（对）说明：黄金非货币化就是黄金从流通领域中退出。
本文由jschen63贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 微电子技术的发展 主要内容 微电子技术概述；微电子发展历史及特点；微电子前沿技术；微电子技术在军事中的应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 2 2010-11-26 北京理工大学微电子所 3 工艺流程图 厚膜、深刻蚀、次数少多次重复 去除 刻刻蚀 牺牲层，释放结构 多 工艺 工工艺 2010-11-26 工 5 微电子技术概述 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和；微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向；衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片中器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度；二是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 6 微电子技术的发展历史 1947年晶体管的发明；到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件； 1962年生产出晶体管——晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路；由于MOS电路在高度集成和功耗方面的优点，70 年代，微电子技术进入了MOS电路时代；随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 7 微电子技术的发展特点 超高速：从1958年TI研制出第一个集成电路触发器算起，到2003年Intel推出的奔腾4处理器（包含5500 万个晶体管）和512Mb DRAM（包含超过5亿个晶体管），集成电路年平均增长率达到45％；辐射面广：集成电路的快速发展，极大的影响了社会的方方面面，因此微电子产业被列为支柱产业。
复旦大学护理专业成人教育 （护理学专升本、高起本）毕业实习管理细则 一、毕业实习时间安排 根据教学计划的安排，专升本、高起本学生临床实习时间为16周，一 般专升本安排在第六学期，高起本安排在第十学期完成。毕业实习各节点的时间安排详见附件五。 二、毕业实习申请与受理 1、毕业实习安排的三类情况： 第一类：免实习 在两级乙等及以上医院的护理一线岗位工作10年以上（含10年）的学生，凭医院人事部门的证明（《实习征询函》），可以申请免实习。（如曾更换就业单位且在现单位工作不满10年者，需提供原单位医院等级及工作年限证明）。 第二类：部分在本院实习 在护理一线岗位工作未满10年的学生必须参加临床实习。在上海市二级乙等及以上医院护理一线岗位（包括在病房、监护室、急诊室、手术室等从事临床护理工作）工作的学生，凭医院护理部接纳函，可以申请在本院完成社区或精神专科以外的实习。但必须按照护理学院发放的《实习手册》上所规定的内容和要求完成实习。 第三类：在其它医院实习 在一级医院或在非护理一线岗位工作的学生，可以自行落实上海市两级乙等及以上的医院进行实习，也可申请由护理学院统一安排实习医院实习。自行落实者必须按照护理学院发放的《实习手册》上所规定的内容和要求完成实习。 2、实习科室的选择： 内科、外科、妇产科、儿科四选一，实习10周；急诊科、监护室二选一，实习4周；社区护理、精神科护理二选一，实习2周。需要特别说明的是：10周和4周的实习科目必须在同一家医院完成; 社区护理须前往社区卫生服务中心（即地段医院）实习；精神科护理须前往区级或市级精神卫生中心实习。 3、申请受理时间与程序： 1）学生须在申请毕业实习的规定时段（一般为4月初）经复旦大学继续教育学
复旦大学微电子学院博士招生选拔办法 复旦大学微电子学院2019年博士生招生继续试行“申请-考核”制方式。现将具体要求和有关事项公布如下： （一）申请条件 申请者基本条件符合《复旦大学2019年招收攻读博士学位研究生简章》 （https://www.doczj.com/doc/617663664.html,/6a/70/c15159a158320/page.htm）相关规定。 （二）申请人需递交的材料 1.申请书：申请书中务必明确写明拟申请的专业、研究方向和导师（最好事先与相关导师联系）；含不少于1000字的拟攻读博士学位的科学研究计划书； 2.已发表或已接受的论文复印件（已接受但未正式发表的论文需要提供接受函复印件）； 3.本科阶段和硕士阶段学习成绩单（须授课单位盖章）； 4.硕士研究生毕业证书、学位证书复印件（应届生暂缓）； 5.全国大学英语四级或六级证书复印件； 6.两封正高职称专家签字出具的推荐信； 7.硕士学位论文全文及对论文特色的自我评述（历届生），或硕士期间工作介绍、主要成果和特色的自我评述（应届生）； 8.获奖证书或其他可以证明考生水平的证明文件。 以上所有材料要求在相应的截止日期前通过复旦大学研究生招生网（网址： https://www.doczj.com/doc/617663664.html,）博士网上报名系统上传。同时要求考生必须在网上完成报名后七个工作日内将上述纸质材料邮寄或直接递交到:上海市杨浦区邯郸路220号复旦大学环境楼304室微电子学院教学管理办公室（邮编：200433）。并同时将材料电子版发送至 ic2011teaching@https://www.doczj.com/doc/617663664.html,（邮件请以"姓名+报考导师姓名+博士申请材料"命名），逾期不予受理。 注：（1）若材料不全，申请将不予受理； （2）上述所有材料，被提交给本院后，将不再被退回； （3）根据情况，本院可能会要求申请者另外提交申请材料原件，以供查验。若发现材料造假者，即使已被录取，也将立即取消其在本院攻读博士学位的资格；
这群复旦电工人，毕业后就这么浪了三十年！ 三十年前三十年后▼82级电工校友30年后再聚首 忆往昔峥嵘岁月2016年9月23日，时隔三十年，作为复旦的第一届电子工程系学生，1982级电子工程系的校友们重回母校。在重聚的座谈会上，常务副校长包信和、信息学院书记汪源源、微电子学院常务副院长张卫及副院长闵昊等校领导和院领导，以及信息学院的任课老师同82级的校友们共同追忆复旦青葱的岁月，一齐分享30年事业的苦与乐。文刘畅、李智展叶甜春（右） 叶甜春：复旦微电子应该是一支国家队中国科学院微电子研究所所长 叶甜春一直很关心复旦微电子的发展，作为中科院微电子所的所长，他多次强调中科院微电子所要做“不辱使命的国家队”，而谈及复旦微电子的定位，他认为，“复旦微电子也应该是一支国家队，要在国家层面发挥引领作用。”叶甜春列举了复旦微电子所占据的天时地利人和： 首先，复旦微电子历史悠久。1956年中央倡导发展半导体技术，由谢希德先生和黄昆先生（并称“北黄南谢”）牵头，五校联办我国第一届半导体器件短期培训班，我国半导体学科由此发端。同年，由谢希德创立半导体物理专业，复旦微电子由此肇始，同根同源。
其次，复旦微电子人才聚集。很多优秀的人才进入到这个专业，行业内也有很多复旦系的领军人物、专家、企业家发挥巨大的作用。 最后，从地域上讲，上海是国家集成电路产业的重心，从制造到设计，上海都是最大的一块，而复旦在该区域的中心，有得天独厚的优势。“就像斯坦福大学在硅谷的地位，复旦也应该树立这样的地位。应该站在顶端，站在第二层次都不对。”叶甜春说。 虽然有国家需求和产业需求，但叶甜春认为，复旦微电子不能只瞄准产业运作。“因为毕竟是大学，大学要突出创新。”叶甜春强调了他的“未知赛道”理论：微电子产业是未知赛道的赛跑，不同于“赛车”“马拉松”这种已知赛道的竞争，“你跟在人家后面你会发现，前面的路他看不清楚，你也看不清楚，这个时候需要创新，大学很有必要做探索性、试错性的研究。”2013年，复旦大学微电子学院成立，叶甜春认为，微电子学科有必要作为一个独立学院，但更要“开放的办”。“微电子是一个基础性学科，和所有学科发展都有关系，需要和材料、物理结合，也要和计算机科学、软件科学结合。要面向新能源、电动车、移动通讯等产业，甚至瞄向物联网。” 老龄化社会到来以后，社会的服务和管理需要更高的技术手段，全面的信息化时代的核心就是从数字化到智能化。叶甜春说，“最核心就是两个东西：硬件，载体是芯片；软件，也