元器件降额准则一览表
对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度 最低工作温度
高10度。
、电容
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。 要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范
围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度 最低工作温度需大于器件最低允许工作温度 10度以
上。
度,
四、二极管
七、微电路
商业等级微电路的主要降额因素是温度。
八、保险丝：UL/IEC保险丝降额要求
九、连接器
十、开关
卜一、电源
元器件降额使用参考 一、集成电路 因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。 我们通常规定： 1，最大工作电压，不超过额定电压80% 2，最大输出电流，不超过额定电流75% 3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80% 二、二极管 二极管种类繁多，特性不一。故而，有通用要求，也有特别要求： 通用要求： 长期反向电压<70%～90%×V RRM（最大可重复反向电压） 最大峰值反向电压<90%×V RRM 正向平均电流<70%～90%×额定值 正向峰值电流<75%～85%×I FRM正向可重复峰值电流 对于工作结温，不同的二极管要求略有区别： 信号二极管< 85～150℃ 玻璃钝化二极管< 85～150℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃ 肖特基二极管< 85～115℃ 稳压二极管（<0.5W）<85～125℃ 稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃ T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值 三、功率MOS V GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压) I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流)
V DS<80～90%×额定电压 dV/dt<50%～90%×额定值 结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温) T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 四，三极管 所有的电压指标都要限制在85%的额定值之下 功率损耗不超过70%～90%额定值 IC必须在RBSOA(反偏安全工作区)与FBSOA(正偏安全工作区)范围内降额30%（就是额定的70%） 结温不超过85～125℃ Tcase(外壳温度)≤0.75×T jma x-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 五，电解电容 铝电解电容是开关电源中一个非常重要的元件。而很多开关电源的故障率偏高，都是因为对铝电解的使用不当造成的。由于铝电解的重要性，我们对他的研究比较多，因而制定出来的规则也比较多。 1，V dc+V ripple<90%×额定电压 2，在电容体之下，PCB正面，尽量不要有地线之外的其他走线。 3，纹波电流，这个问题比较复杂，因为开关电源中，纹波电流的频谱是非常丰富的，所以必须把纹波电流折算一下： 频率因子，供应商应该可以提供的。 纹波电流必须保证在供应商的额定值的70%～90%之内。
崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0 元器件应力降额规范 版本更新 版本号更新日期更新者审核批准 A0 2013-4-23 尹小朝 目的 为了满足客户对我司电源产品可靠性及电源寿命的要求，本规范规定了电 子元器件在不同使用情况下的降额标准。 使用范围 本规范适用我司研发中心研发的所有电源产品。 1.电容 类型参数稳态瞬态 陶瓷电容Voltage 85% 95% Temperature NA 90% 电解电容Voltage 90% 100% NA Temperature 85% NA 95% Ripple Current 薄膜电容Voltage 90% 95% 90% NA Temperature 2.晶体管 类型参数稳态瞬态 整流桥Reverse Voltage 90% 95% Average Forward Current70% NA NA Junction 80% Temperature 肖特基Reverse Voltage 90% 95%
崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0 Average Forward Current70% NA NA 80% Temperature Junction 普通二极管Reverse Voltage 90% 95% 70% NA Current Average NA 80% Junction Temperature 稳压二极管Power Dissipation 80% 100% NA Junction 80% Temperature MOS管Breakdown Voltage 90% 95% Junction Temperature 80% NA Current 80% 150% 三极管Voltage (V ce) 80% 90% 80% Temperature Junction NA 3.电阻器 类型参数稳态瞬态 贴片电阻Power 70% 100% NA Temperature 80% 95% Voltage 90% 插件电阻Power 70% 100% NA Temperature 90% 95% Voltage 90% 4.电感变压器 类型参数稳态瞬态 电感变压器Temperature 90% NA
元器件降额准则（参考件） 元器件种类降额参数降额等级 模拟电路 电源电压 输入电压 放大器输出电流 功率 最高结温（℃） 电源电压 输入电压 比较器输出电流 功率 最高结温（℃） 电源电压 输入电压 Ⅰ 0.70 0.60 0.70 0.70 80 0.70 0.70 0.70 0.70 80 0.70 0.70 Ⅱ 0.80 0.70 0.80 0.75 95 0.80 0.80 0.80 0.75 95 0.80 0.80 Ⅲ 0.80 0.70 0.80 0.80 105 0.80 0.80 0.80 0.80 105 0.80 0.80电压调 整器 输出输入电压差 输出电流 功率 0.70 0.70 0.70 0.80 0.75 0.75 0.85 0.80 0.80 集成电路 最高结温（℃） 电源电压 输入电压 模拟开关输出电流 功率 最高结温（℃） 80 0.70 0.80 0.75 0.70 80 95 0.80 0.85 0.80 0.75 95 105 0.85 0.90 0.85 0.80 105 数 字 电 路 双极型 电路 MOS型 电路 频率 输出电流 最高结温（℃） 电源电压 输出电流 功率 最高结温（℃） 0.80 0.80 85 0.70 0.80 0.80 85 0.90 0.90 100 0.80 0.90 0.80 100 0.90 0.90 115 0.80 0.90 0.90 115 厚模集成电路 （W/cm2） 混和集成电路薄模集成电路 （W/cm2） 最高结温（℃） 大规模集成电路 最高结温（℃） 85 7.5 6.5 100 改进散热方式降低结温 115 分 离半导体晶 体 管 方向 电压 一般晶体管 功率MOSFET的栅 源电压 电流 功率 0.60 0.50 0.60 0.50 0.70 0.60 0.70 0.65 0.80 0.70 0.80 0.75 器功率管安集电极－发射极电压0.700.800.90
电子元件的降额 降额这种技术通常用于电力及电子设备中，它使这些设备在低于额定最大值的功耗下运行，它同时考虑到外壳/机体温度、环境温度，以及所采用的冷却机制类型。在本文中，我们将简要阐述降额的理论背景，以及它的应用方法。 降额可增加零件设计极限与外加应力间的安全裕度，从而为零件提供额外的保护。通过对电气或电子元件应用降额，可以降低它的退化速率。结果可提高可靠性及寿命期望。 在直觉上，如果一个元件或系统在其设计极限下运行，则相比于运行应力等于或高于设计极限的情形，其将更为可靠。从理论上讲，降额的益处可运用负载-强度干涉理论来阐述。 负载-强度干涉 通常，失效发生于外加负载超过强度时。负载与强度应通过一般方式来考虑。对电子零件而言，“负载”可以指电压、功率，或是内部应力如结温。“强度”可以指任何抵抗性的物理特性。 某一给定类型的电子元件并不相同。它们具有强度可变性。这种可变性源于原材料间及制造过程间的差异。即使对于材料相同及制造过程相同的元件，仍然会因噪声因素而存在差异，这些因素有如微观材料缺陷，或是单一制造过程内的变动。因此，元件的强度被视为随机变量。施加于电子零件的负载如功率、温度或湿度，同样也是随机变量。因此，人们通常运用统计分布来描述负载与强度。 可以运用两个因子，来分析负载与强度分布的干涉。这两个因子为“安全裕度”（Safety Margin，SM）与“载荷粗糙度”（Loading Roughness，LR）。[1] 安全裕度的定义如下： 其中L 与S 为负载与强度分布的平均值，σL 与σS 为负载与强度分布的标准差。SM 是负载与强度平均值的相对间距。 载荷粗糙度可通过负载的标准差定义如下： 图1-3 给出了三个示例，它们显示了安全裕度与载荷粗糙度间的不同关系。 图 1 中的负载与强度分布是不重叠的，这显示的是高可靠性情境，其具有窄的分布、低的载荷粗糙度与高的安全裕度。
电子元器件选型规范-实用经典
————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：
编号：**/**-**-***-**受控状态： 电子元器件选型规范 编制：日期： 审核：日期： 批准：日期： CHBCHBCHB有限责任公司 修订记录 日期修订状态修改内容修改人审核人批准人
1目录 2总则 (3) 2.1目的 (3) 2.2适用范围 (3) 2.3电子元器件选型基本原则 (3) 2.4其他具体选型原则： (4) 3各类电子元器件选型原则 (5) 3.1电阻选型 (5) 3.2电容选型 (6) 3.2.1.............................................................................................. 铝电解电容 6 3.2.2.............................................................................................. 钽电解电容 7 3.2.3................................................................................. 片状多层陶瓷电容 8 3.3电感选型 (8) 3.4二极管选型 (8) 3.4.1.......................................................................................... 发光二极管： 9 3.4.2..................................................................................... 快恢复二极管： 9 3.4.3.......................................................................................... 整流二极管： 9 3.4.4..................................................................................... 肖特基二极管： 9 3.4.5.......................................................................................... 稳压二极管： 9 3.4.6................................................................................. 瞬态抑制二极管： 10 3.5三极管选型 (10) 3.6晶体和晶振选型 (10) 3.7继电器选型 (11) 3.8电源选型 (12) 3.8.1..............................................................................AC/DC电源选型规则 12 3.8.2.................................................................... 隔离DC/DC电源选型规则 12 3.9运放选型 (12) 3.10............................................................................................. A/D和D/A芯片选型 12 3.11.............................................................................................................. 处理器选型 14
元器件STRESS 测试方法 所谓元器件STRESS 是指检查待测组件在特定的工作条件下各参数与其规格比较,还有多少余量(Derating), 元器件STRESS 包括四部份: 温度STRESS,电压STRESS,电流STRESS,功率STRESS,下面分别进行讨论. 一. 温度STRESS 1. 定义: 温度STRESS=% 100?最大額定結溫度工作結溫度 结温度(junction temperature, Tj)是半导体内部接合面处的温度,但是我们所量测到的 温度都是零件表面(CASE)的温度(Tc), 传统的做法是通过零件规格中给出的热阻θ进行近似 的计算得出结温度Tj: d ja a j P T T ?+=θ 或 d jc c j P T T ?+=θ或 Pd T T jL L j ?+=θ Tj: 计算所得到的结温度. Ta: 零件周围的环境温度(零件周围的具体位置在零件规格中有规定 ) Tc: 所测量到的零件表面的温度. :L T 零件引脚的温度 :ja θ 环境到结点的热阻. : jc θ 零件表面到结点的热阻 :d P 实际损耗功率 d P 的计算方法: A. 二极管: I V P F d ?= (F V 可从规格中查到, I 是实际测量值) 注意: 整流桥之 I V P F d ?=2 B. MOSFET: 附录A 2. 需检查之零件 (1) 电阻: 大于等于2W 的高压功率电阻,热敏电阻 (2) 晶体管: 除SMD 以外之所有晶体管 (3) 二极管: 塑封二极管以及额定电流大于等于1A 的其它二极管 (4) 半导体闸流管: 所有半导体闸流管 (5) 电容: 所有电解电容 (6) IC: 所有IC (7) 电感: 所有电感 3. 测试条件: (1) 输入电压: 高压/低压 (2) 负载条件: 全重载(包括+5VH,+12VH,+3.3VH)和standby mode ( standby max load) (3) 环境温度: 25℃/50℃ 4. 点温注意事项: (1) 遵循原则: 背风面, 靠近热源, 紧贴所点位置.
目次 1 范围 (1) 2 标准化工作原则 (1) 2.1 标准化工作的方针和政策 (1) 2.2 选用标准的原则 (1) 3 标准化工作目标及工作范围 (1) 3.1 工作目标 (1) 3.2 工作范围 (2) 4.2 通用化、系列化、组合化（模块化）要求 (2) 4.3 接口要求 (2) 4.5 可靠性标准化要求 (3) 4.6 对原材料、元器件的要求 (3) 4.7 图样和设计文件的基本要求 (3) 5 研制阶段标准化主要工作任务和内容 (4) 5.1标准化工作主要任务 (4) 5.2研制各阶段标准化工作的主要内容 (4) 附录A (6)
XX设备标准化大纲 1 范围 本大纲规定了XX设备在研制中标准化的主要原则、目标和要求、标准的贯彻与实施、标准化工作范围、各研制阶段的工作任务等内容。 本大纲适用于XX设备在工程研制过程中的标准化工作。 2 标准化工作原则 2.1 标准化工作的方针和政策 2.1.1 本产品研制阶段的标准化工作必须遵守《中华人民共和国标准化法》、《军用标准化管理办法》和《武器装备研制的标准化工作规定》。 2.1.2 本产品研制阶段应积极采用先进的技术标准，以便保障产品使用效能，缩短研制周期，节省费用，获得良好的技术和经济效益。 2.2 选用标准的原则 a）标准的选用应满足产品使用需求和研制工作的需要，坚持“先进性、继承性、经济性”相结合的原则； b）标准的优选顺序为国家军用标准，国家标准和行业标准； c）当国内标准不能满足产品要求时，应认真分析并积极采用国际标准和国外先进标准； d）在尚无国内外标准或其不能满足产品要求的情况下，应当制订企业标准； e）在标准应用中应贯彻剪裁的原则，根据产品的性能、周期和经费对其要求进行分析和选择，必要时进行修改和补充，以满足产品的性能要求； f）当贯彻标准有困难时，要说明理由，提出暂缓贯彻的期限的报告，在征求质管部、并经主管所领导审查批准后，方可暂缓贯彻。 3 标准化工作目标及工作范围 3.1 工作目标 a)保证和提高系统的功能、性能和质量水平，达到研制任务书的要求； b)通过加强标准化管理，全面、系统、有效地制定贯彻实施标准和标准 化要求，使产品标准覆盖率达到100%； c)提高设备的通用化、系列化、模块化水平； d)达到并提高研制效率，缩短研制周期，节省经费等目标。
1电阻制作工艺: 印刷或烧结,在绝缘基片上用真空蒸发或溅射等方法制 2电阻的主要参数： TCR:温度系数，此电阻当温度上升时，它的阻值有可能是变大，也有可能是变小 VCR: 3电阻的降额设计，具体参考相关资料 4，电容的重要参数： 额定电压： 1）、不同额定电压的电容器，适用于等于或小于该额定电压的电路中。 2）、用于直流电路中，直接将电容器接入到小于电容器额定电压的电路中即可 3）、用于交流电路中，电容器的额定电压等于或小于该交流电路中正弦波峰值电压。 纹波电流： 纹波电流或电压是指的电流的中的高次谐波成分,会带来电流或电压幅值的变化,可能导致击穿,由于是交流成分,就像楼上说的,会在电容上发生耗散,如果电流的纹波成分过大,超过了电容的最大容许纹波电流,会导致电容烧毁;你说的纹波电流大的电容,准确地说是最大容许纹波电流大的电容 漏电流： 电容的板间电压很高击穿电容或者之间的介质发生变化变成导体时，在电容间会有电流通过，称之为漏电。 电容器两极之间的绝缘材料不可能保证100％的绝缘，它也是有介电常数ε的，大小不同而已，当两极间存在电势差时，根据绝缘材料的不同，或多或少有一些自由电子会定向穿过绝缘层，产生微小的漏电流。随着绝缘材料的劣化，其极间的漏电流也会随之增大。 阻抗：1/（jwc），频率越高阻抗越大，电感（jwl）则相反 电源负载能力 电源的带负载能力，是由电源的内阻决定的。内阻越大，带负载能力越低。 空载时测到的电源输出电压，应该叫做电源端电压（数值接近于电势）。因为电源空载，电路处于断路状态，电流为零，所以此时没有压降。 当电源接上额定负载后， 电路总电流= 电源端电压/（负载+内阻）。 此时在电源内阻上的电压降为： 电源端电压X 电源内阻/（负载+内阻） 理想的电源内阻为零。代入上式即可看到，电路电流仅由负载决定，而无论带什么样的负载，电源的电压
目录 1 目的 (2) 2 适用范围 (2) 3 引用标准 (2) 4 质量等级及工作状态定义 (2) 4.1 质量等级 (2) 4.2 工作状态 (2) 5 各类器件降额度要求 (3) 5.1 集成电路 (2) 5.2 分立半导体器件 (4) 5.3 固定电阻器、保险丝、热敏电阻 (5) 5.4 电位器 (5) 5.5 电容器 (6) 5.6 磁性器件 (7) 5.7 机电元件 (8) 5.8 连接器、电缆 (8) 5.9 风扇、PCB (9) 6 应用说明 (9) 6.1 半导体器件结温Tj 确定 (9) 表目录 表1 集成电路降额表 (3) 表2 分立半导体降额表 (4) 表3 固定电阻降额表 (5) 表4 电位器降额表 (5) 表5 电容器降额表 (6) 表6 磁性器件降额表 (7) 表7 机电元件降额表 (8) 表8 连接器及电缆降额表 (8) 图目录 图1 电源工作状态示意图 (2)
1 目的 为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。 2 适用范围 本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。 3 引用标准 GJB/Z35-93 元器件降额准则 4 质量等级及工作状态定义 4.1 质量等级 A：免费维护期（保修期）为大于3 年。 B：免费维护期（保修期）为小于等于3 年。 注：默认情况下，本公司的ＬＥＤ电源质量等级为Ａ级，消费类电源质量等级为B级，特别地，当客户有要求时，按客户的要求执行。 4.2 工作状态 图1 电源工作状态示意图 状态I： 如图中的阴影部分，为电源的正常工作区，绝大部分时间电源工作在此区域，因此在此状态 下，器件的降额使用更加严格。 工作在状态 I 的电源满足如下条件： （a）按操作手册或目录使用或安装。 （b）在输出额定电压变化范围内，输出功率在额定最小值到最大值间。 （c）输入在规定的电压和频率范围内。 （d）对环境条件而言，温度和湿度将在额定最大值以内。 状态Ⅱ： 如图中阴影之外的部分均表示电源工作在状态II，例如输入欠压、OCP 过流保护、OVP 过压 保护等情况，由于电源工作在II 状态的时间一般来说很短，因此在此状态下器件的降额百分 比不如状态I 严格。但必须注意，实际设计时常常因为疏忽了此状态的降额而导致损坏（例 如在开机、输出短路等情况下的损坏，等等！）。 5 各类器件降额度要求
元器件应用降额规范 制定: 审核: 核准:
目录 1目的 (4) 2适用范围 (4) 3各类器件降额度要求 (4) 3.1电容 (4) 3.2电阻 (4) 3.3电感 (5) 3.3.1概述 (5) 3.3.2应用指南 (5) 3.3.3降额准则 (5) 3.4二极管 (5) 3.4.1概述 (5) 3.4.2应用指南 (5) 3.4.3降额准则 (6) 3.5晶体管 (6) 3.5.1概述 (6) 3.5.2应用指南 (6) 3.6集成电路 (7) 3.6.1概述 (7) 3.6.2降额准则 (7) 3.7连接器 (8) 3.7.1概述 (8) 3.7.2降额准则 (8)
1目的 为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。 2适用范围 本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。3各类器件降额度要求 3.1电容 3.2电阻
3.3电感 3.3.1概述 电感元件包括各种线圈和变压器。电感元件降额的主要参数是热点温度。 3.3.2应用指南 1、为防止绝缘击穿，线圈的绕组电压应维持在额定值。 2、工作在低于其设计频率范围的电感元件会产生过热和可能的磁饱和，使元件的工作寿命缩短，甚至导致线圈绝缘破坏。 3.3.3降额准则 电感元件的热点温度额定值与线圈线组的绝缘性能、工作电流、瞬态初始电流及介质耐压有关。热点 注：①：T HS为额定热点温度。 ②：只适用于扼流圈 3.4二极管 3.4.1概述 二极管按功能可分为普通、开关、稳压等类型二极管；按工作频率可分为低频、高频二极管；按耗散功率（或电流）可分为小功率（小电流）大功率（大电流）二极管。所有二极管需要降额的参数是基本相同的。 高温是对二极管破坏性最强的应力，所以对二极管的功率和结温必须进行降额；电压击穿是导致二极管失效的另一主要因素，所以二极管的电压也需降额。 3.4.2应用指南 1、为保证电路长期可靠的工作，设计应允许二极管主要参数的设计容差为： 正向电压：±10% 稳定电压：±2%（适用于稳压二极管） 反向漏电流： +200% 恢复和开关时间： +20%
元器件可靠性降额准则 GJB/Z 35－93 1 范围 1.1 主题内容 本标准规定了电子、电气和机电元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值；同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。 1.2 适用范围 本标准适用于军用电子设备的设计。其它电子设备可参照使用。 2引用文件 GJB450－88 装备研制与生产的可靠性通用大纲 GJB451－90 可靠性维修性术语 GJB/Z 299A－91 电子设备可靠性预计手册 3定义 除下列术语外，本标准所用的其他术语及其定义见GJB451。 3.1 降额derating 元器件使用中承受的应力低于其额定值，以达到延缓其参数退化，提高使用可靠性的目的。通常用应力比和环境温度来表示。 3.2 额定值rating 元器件允许的最大使用应力值。 3.3 应力stress 影响元器件失效率的电、热、机械等负载。 3.4 应力比stress ratio 元器件工作应力与额定应力之比。应力比又称降额因子。 4一般要求 4.1 降额等级的划分 通常元器件有一个最佳降额范围。在此范围内，元器件工作应力的降低对其失效率的下降有显著的改善，设备的设计易于实现，且不必在设备的重量、体积、成本方面付出大的代价。 应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备重量和尺寸的限制等因素，综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。 a.Ⅰ级降额 Ⅰ级降额是最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额，通常对元器件可靠性的提高有限，且可能对设备设计难以实现。 Ⅰ级降额适用于下述情况：设备的失效将导致人员伤亡或装备与保障设施的严重破坏；对设备有高可靠性要求，且采用新技术、新工艺的设计；由于费用和技术原因，设备失效后无法或不宜维修；系统对设备的尺寸、重量有苛刻的限制。 b.Ⅱ级降额 Ⅱ级降额是中等降额，对元器件使用可靠性有明显改善。Ⅱ级降额在设计上较Ⅰ级降额易于实现。 引起装备与保障设施的损坏；有高可靠性要求，且采用了某些专门的设计；
修订记录
目录 修订记录 (1) 1、目的 (3) 2、范围 (3) 3、组织与权责 (3) 3.1、设计工程 (3) 3.2、验证工程 (3) 3.3、零件工程 (3) 4、名词解释 (3) 4.1、降额 (3) 4.2、最大额定值 (3) 4.3、应力 (3) 4.4、应力比率 (3) 5、降额标准 (4) 5.1、电阻器降额使用规范 (4) 5.2、保险丝使用规范 (4) 5.3、整流管降额使用规范 (5) 5.3.1、信号/开关, 普通型二极体 (5) 5.3.2、桥整 (5) 5.3.3、肖特基二极体 (5) 5.3.4、稳压二极管 (5) 5.4 晶体管降额使用规范 (6) 5.4.1、晶体管(双极,普通) (6) 5.4.2、晶体管(功率) (6) 5.4.3、MOSFET(Small Signal) (6) 5.4.4、MOSFET(Power) (6) 5.4.5、晶闸管, 可控硅 (7) 5.5、电容降额使用规范 (7) 5.6、光电耦合器 (8) 5.7、微电路IC降额使用规范 (8) 5.7、变压器和电感降额使用规范 (8) 6、SAGEMCOM Component derating: (8) 7、参考文件 (9) 8、附录 (9)
1、目的 通过执行降额标准等效补偿零件关键特性参数降低来自于零件和生产变异造成的品质冲击而导致的不良率，改善产品设计可靠性提高产品运行余量从而达成稳定的设计目标要求。 2、范围 冠德科技有限公司SPS研发部。 3、组织与权责 3.1、设计工程 设计开发之前，设计工程人员需要了解熟悉零件应用和零件降额使用标准。开发设计调试过程中设计工程人员有责任量测零件实际工作中的承受应力，如果检测结果达不到相应的零件降额要求，设计人员有责任研究分析根本原因并妥善解决。如果没有成本效率（包括品质改善）可以实现，设计人员有责任提供与条款存在异议部分并提供报告做相应解释。 3.2、验证工程 验证工程人员有责任参与降额标准的应用说明并与相关人员作答，并担当该文件的维护工作。验证工程人员以该文件做为验证新产品和设计工程的零件变更及应用规格变更是否符合要求作为评判标准，并有责任提供相关验证报告知会相关部门确认。 3.3、零件工程 零件承认负责人有责任提供当前相关零件详细应用数据，该数据将有帮助解释零件使用参数降额，测试以及可靠性。这些零件相关承认应用数据将是存档并随时可以调阅的。零件承认负责人在新的设计和现有的设计上初次评鉴和增加以及更换供应商时需使用电子零件降额使用该分文件作为参考文件。零件承认负责人将有责任支援解释该文件任何标准的变更。 4、名词解释 4.1、降额：零件电性的；温度的以及机械应力等级低于它最大的额定应力等级。 4.2、最大额定值：一个零件的应用一定不可以超过它的预期最大参数值，超过该值将可能造成 零件的永久性损坏。 4.3、应力：影响元器件失效率的电、热、机械等负载。 4.4、应力比率：元器件工作应力与额定应力之比，应力比又称降额因子。
元器件降额标准(参考)
元器件降额准则（参考件） 元器件种类降额参 数 降额等级 ⅠⅡⅢ 集成电路模 拟 电 路 放大 器 电源电 压 0.70 0.80 0.80 输入电 压 0.60 0.70 0.70 输出电 流 0.70 0.80 0.80 功率0.70 0.75 0.80 最高结 温（℃） 80 95 105 比较 器 电源电 压 0.70 0.80 0.80 输入电 压 0.70 0.80 0.80 输出电 流 0.70 0.80 0.80 功率0.70 0.75 0.80 最高结 温（℃） 80 95 105
电压调整器 电源电 压 0.70 0.80 0.80 输入电 压 0.70 0.80 0.80 输出输 入电压 差 0.70 0.80 0.85 输出电 流 0.70 0.75 0.80 功率0.70 0.75 0.80 最高结 温（℃） 80 95 105 模拟开关 电源电 压 0.70 0.80 0.85 输入电 压 0.80 0.85 0.90 输出电 流 0.75 0.80 0.85 功率0.70 0.75 0.80 最高结 温（℃） 80 95 105 数 字 电 路双极频率0.80 0.90 0.90
型电路 输出电 流 0.80 0.90 0.90 最高结 温（℃） 85 100 115 MOS 型电路 电源电 压 0.70 0.80 0.80 输出电 流 0.80 0.90 0.90 功率0.80 0.80 0.90 最高结 温（℃） 85 100 115 混和集成电路 厚模集 成电路 （W/cm 2） 7.5 薄模集 成电路 （W/cm 2） 6.5 最高结 温（℃） 85 100 115