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光敏电阻实验报告材料

光敏电阻实验报告材料
光敏电阻实验报告材料

实验报告

姓名:高阳班级:F0703028 学号:5070309013 实验成绩:

同组:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期:

光敏电阻基本特性的测量

【实验目的】

1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。

2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。

3.了解简单光路的调整原则和方法.

4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。

5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。

【实验原理】

1 光敏电阻的工作原理

在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于光电效的光电元件。当光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为:Δσ=Δp×e×μp+

Δn×e×μn (1) 式中e为电荷电量;Δp为空穴浓度的改变量;Δn为电子浓度的改变量;μp为空穴的迁移率;μn为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电

×Δσ×U (2) 式中A为与电流垂直的截面积,d 压U后,光电流为I ph=A

d

为电极间的距离。

用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中.

本实验光敏电阻得到的光照Φ由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为α时,光照Φ为Φ=Φ0D cosα,其中:Φ0为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。

2 光敏电阻的基本特性

光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图:

【实验数据记录、实验结果计算】

1测量光敏电阻的电压与光电流的关系

在调整好光路后,就可以做这一个容的实验了。下面附上这个实验容的电路图:

表中记录的数据为I ph的值,单位为mA

下面绘出各个照度对应的U~I ph曲线

α=0°时:

线性拟合结果如下:

Y = A + B * X

Parameter Value Error

A 0.17952 0.05409

B 0.33977 0.00266

------------------------------------------------------------ R SD N P

0.99966 0.10544 3 <0.0001

所以此时R=339Ω

光敏电阻特性测试实验

实验系列二、光敏电阻特性测试实验 光通路组件 图1-2 光敏电阻实验仪光通路组件 功能说明: 分光镜:50%透过50%反射镜,将平行光一半给照度计探头,一半给等测光器件,实验测试方便简单,照度计可实时检测出等测器件所接收的光照度。 1、实验之前,J4通过彩排线缆与光通路组件的光源接口相连,连接之后电路部分方可对光源对行控制。光照度计与照度计探头相连(颜色要相对应) 2、BM2拨向上时,光源发光为脉冲光,脉冲宽度由“脉冲宽度调节电位器”进行调节(用于做光敏电阻时间响应特性实验)。 一、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 二、实验内容 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 2、光敏电阻的亮电阻、亮电流测试实验 3、光敏电阻光电流测试实验; 4、光敏电阻的伏安特性测试实验 5、光敏电阻的光电特性测试实验 6、光敏电阻的光谱特性测试实验 7、光敏电阻的时间响应特性测试实验 8、精密的暗激发开关电路设计实验 三、实验仪器 1、光敏电阻综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm ) 10 根 5、2#迭插头对(黑色,50cm ) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验原理 1. 光敏电阻的结构与工作原理 它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性。无光照时,光敏电阻值很大,电路中电流很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值急剧减小,电路中电流迅速增大。 2. 光敏电阻的主要参数 光敏电阻的主要参数有: (1)光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻, 此时流过的电流称为暗电流。 (2)光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。 (3)亮电流与暗电流之差称为光电流。 3. 光敏电阻的基本特性 (1) 伏安特性 在一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。图2-2为硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线。由图可见,光敏电阻在一定的电压范围内,其I-U 曲线为直线。 (2)光照特性 光敏电阻的光照特性是描述光电流I 和光照强度之间的关系,不同材料的光照特性是不同的,绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。图2-3为硫化镉光敏电阻的光照特性。 (3) 光谱特性 光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用,即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性,亦称为光谱响应。图2-4 为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。 对应于不同波长,光敏电阻的灵敏度是不同的,而且不同材料的光敏电阻光谱响应曲线也不同。 五、实验步骤 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 (1)将光敏电阻完全置入黑暗环境中(将光敏电阻装入光通路组件,不通电即为完全黑暗),使用万用表测试光敏电阻引脚输出端,即可得到光敏电阻的暗电阻R 暗。 (注:由于光敏电阻个性差异,某些暗电阻可能大于200M 欧,属于正常。) (2)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 4030 2010 I / m A 10010001 x 500 mW 1001 x 200 101 x 0.05 0.100.150.200.250.300.350.40I / m A S r / (%) 20 40 60 80 100 0 1.53

实验报告-光敏电阻基本特性的测量

实验报告 姓名:班级:学号:实验成绩: 同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3.了解简单光路的调整原则和方法. 4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空穴浓度的改变量;为电子浓度的改变量;为空穴的迁移率;为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U后,光电流为 (2) 式中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离。 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中.

本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为时,光照为,其中:为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图:

实验报告 光敏电阻基本特性的测量

告验报实 号:实验成绩:班级:学姓名:同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 2.了解简单光路的调整原则和方法. 3.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。4. 在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 5. 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏 电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量 使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个 数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空 为电子的为空穴的迁移率;为电子浓度的改变量;穴浓度的改变量; U后,光电流为 (2) 迁移率。当光敏电阻两端加上电压式中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的 距离。 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动

化技术 中. 本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹 ,其中:为不加偏振片时的光照,角为D时,光照为为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图: 表中记录的数据为的值,单位为

实验10(光敏电阻)实验报告

实验十-光敏电阻及光敏二极管的特性实验 实验1:光敏电阻的特性实验 一、实验目的 了解光敏电阻的光照特性和伏安特性。 二、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自身的电阻愈小。基于这种效应的光电器件称光敏电阻。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强、波长和外加电压有关。实验原理图如图10-1。 三、实验器械 主机箱中的转速调节0~24V 电源、±2V~±10V 步进可调直流稳压电源、电流 表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏电阻、发光二极管、庶光筒。 四、实验接线图 五、实验数据记录和数据处理 1:亮电阻和暗电阻测量

实验数据如下: 2:光照特性测量 实验数据如下: 实验数据拟合图像如下: 3:伏安特性测量 实验数据如下: 实验数据拟合图像如下: 六、实验思考题

1:为什么测光敏电阻亮阻和暗阻要经过10 秒钟后读数,这是光敏电阻的缺点,只能应用于什么状态? 答:稳定态 实验2:光敏二极管的特性实验 一、实验目的 了解光敏二极管工作原理及特性。 二、实验原理 当入射光子在本征半导体的p-n 结及其附近产生电子—空穴对时,光生载流子受势垒区电场作用,电子漂移到n 区,空穴漂移到p 区。电子和空穴分别在n 区和p 区积累,两端便产生电动势,这称为光生伏特效应,简称光伏效应。光敏二极管基于这一原理。如果在外电路中把p-n 短接,就产生反向的短路电流,光照时反向电流会增加,并且光电流和照度基本成线性关系。 三、实验器械 主机箱中的转速调节0~24V 电源、±2V~±10V 步进可调直流稳压电源、电流表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏二极管、发光二极管、庶光筒 四、实验接线图 将上图中的光敏电阻更换成光敏二极管(注意接线孔的颜色相对应即+、-极性),按上图安装接线,测量光敏二极管的暗电流和亮电流。 五、实验数据记录和数据处理 1:光照特性 亮电流测试实验数据如下: 实验数据拟合图像如下:

光敏电阻的工作原理及应用

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线,将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻,为了增加灵敏度,两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体 光敏电阻原理图 及梳状欧姆电极,接出引线,封装在具有透光镜的密封壳体内,以免受潮影响其灵敏度。在黑暗环境里,它的电阻值很高,当受到光照时,只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带,并在价带中产生一个带正电荷的空穴,这种由光照产生的电子—空穴对了半导体材料中载流子的数目,使其电阻率变小,从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强,阻值愈低。入射光消失后,由光子激发产生的电子—空穴对将复合,光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压,其中便有电流通过,受到波长的光线照射时,电流就会随光强的而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。 编辑本段应用 概述 光敏电阻属半导体光敏器件,除具灵敏度高,反应速度快,光谱特性及r值一致性好等特点外,在高温,多湿的恶劣环境下,还能保持高度的稳定性和可靠性,可广泛应用于照相机,太阳能庭院灯,草坪灯,验钞机,石英钟,音乐杯,礼品盒,迷你小夜灯,光声控开关,路灯自动开关以及各种光控玩具,光控灯饰,灯具等光自动开关控制领域。下面给出几个典型应用电路。 光敏电阻调光电路 图(1)是一种典型的光控调光电路,其工作原理是:当周围光线变弱时引起光敏电阻的阻值增加,使加在电容C上的分压上升,进而使可控硅的导通角增大,达到增大照明灯两端电压的目的。反之,若周围的光线 图(1) 变亮,则RG的阻值下降,导致可控硅的导通角变小,照明灯两端电压也同时下降,使灯光变暗,从而实现对灯光照度的控制。 上述电路中整流桥给出的是必须是直流脉动电压,不能将其用电容滤波变成平滑直流电压,否则电路将无法正常工作。原因在于直流脉动电压既能给可控硅提供过零关断的基本条件,又可使电容C的充电在每个半周从零开始,准确完成对可控硅的同步移相触发。 光敏电阻式光控开关

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验—实验总结 姓名:赵儒桐 学号:S1******* 指导教师:王彩霞 专业:信息与通信工程 学院:电子信息工程 2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也是增加的。测得实验数据如表2-1: 表2-1 光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 图2.1 光敏电阻光照特性实验曲线 表2-2 光敏电阻伏安特性实验数据

通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的,得到数据如表2-2。 得到的伏安特性如下: 图2.2 光敏电阻伏安特性曲线 由光敏电阻的光谱特性可知光敏电阻对不同波长的光,接收的光灵敏度是不一样的,测量对应各种颜色的光透过狭缝时的电流值,得到数据如下表: 得到的光谱特性曲线如图:

光敏电阻的应用

1. 举例说明光敏电阻的应用(画出原理图及工作过程) 路灯自动点熄控制 由两部分组成:电阻R 、电容C 和二极管D 组成半波整流滤波电路;RCds 光敏电阻和继电器组成光控继电器。路灯接在继电器常闭触点上,由光控继电器来控制路灯的点燃和熄灭.光暗时,光敏电阻的阻值很高,继电器关,灯亮;光亮时,光敏电阻的阻值降低,继电器开,灯灭。 2. 硅光电池的工作原理和等效电路为下图: (a )光电池工作原理图 (b )光电池等效电路图 (c )进一步简化 从图(b )中可以得到流过负载R L 的电流方程为: )1()1(/0/0--=--==KT qV s E KT qV s p D p e I E S e I I I I I - 其中,S E 为光电池的光电灵敏度,E 为入射光照度,I s0是反向饱和电流,是光电池加反向偏压后出现的暗电流。 当I L =0时,R L =∞(开路),此时曲线与电压轴交点的电压通常称为光电池开路时两端的开路电压,以V OC 表示,由式(1)解得:

??? ? ??+=1ln 0 I I q kT U p OC 当Ip 》Io 时,)/ln()/(0I I q kT U p OC ≈ 当R L =0(即特性曲线与电流轴的交点)时所得的电流称为光电流短路电流, 以Isc 表示,所以 Isc =I p =Se ·E 从上两式可知,光电池的短路光电流Isc 与入射光照度成正比,而开路电压Uoc 与光照度的对数成正比。 3. 光外差检测只有在下列条件下才可能得到满足: ①信号光波和本征光波必须具有相同的模式结构,这意味着所用激光器应该单频基模运转。 ②信号光和本振光束在光混频面上必须相互重合,为了提供最大信噪比,它们的光斑直径最好相等,因为不重合的部分对中频信号无贡献,只贡献噪声。 ③信号光波和本振光波的能流矢量必须尽可能保持同一方向,这意味着两束光必须保持空间上的角准直。 ④在角准直,即传播方向一致的情况下,两束光的波前面还必须曲率匹配,即或者是平面,或者有相同曲率的曲面。 ⑤在上述条件都得到满足时,有效的光混频还要求两光波必须同偏振,因为在光混频面上它们是矢量相加。 4.光电检测系统的定义:是指对待测光学量或由非光学待测物理量转换成的光学量,通过光电变换和电路处理的方法进行检测的系统。 光电检测系统的构成:光源,照明光学系统,,被测对象,光学变换,光信号匹配处理,光电转换,电信号的放大与处理,计算机,控制,存储和显示等部分。 5.在微弱辐射作用下,光电导材料的光电灵敏度有什么特点?为什么把光敏电阻

实验一光敏电阻特性测量实验

光电子技术基础实验报告 实验题目光敏电阻特性测量实验日期2020.09.04 姓名组别04 班级18B 学号 【实验目的】 1、了解光敏电阻的工作原理和使用方法; 2、掌握光强与光敏电阻电流值关系测试方法; 3、掌握光敏电阻的光电特性及其测试方法; 4、掌握光敏电阻的伏安特性及其测试方法; 5、掌握光敏电阻的光谱响应特性及其测试方法; 6、掌握光敏电阻的时间响应特性及其测试方法。 【实验器材】 光电技术创新综合实验平台一台 特性测试实验模块一块 光源特性测试模块一块 连接导线若干 【实验原理】 光敏电阻在黑暗的室温条件下,由于热激发产生的载流子使它具有一定的电导,该电导称为暗电导,其倒数为暗电阻,一般的暗电导值都很小(或暗电阻阻值都很大)。当有光照射在光敏电阻上时,电导将变大,这时的电导称为光电导。电导随光照量变化越大的光敏电阻,其灵敏度就越高,这个特性就称为光敏电阻的光电特性,也可定义为光电流与照度的关系。 光敏电阻在弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性(线性和非线性),实际上,它的光电特性可用在“恒定电压”下流过光敏电阻的电流IP ,与作用到光敏电阻上的光照度 E 的关系曲线来描述,不同材料的光照特性是不同的,绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。光敏电阻的本质是电阻,因此它具有与普通电阻相似的伏安特性。在一定的光照下,加到光敏电阻两端的电压与流过光敏电阻的亮电流之间的关系称为光敏电阻的伏安特性。 光敏电阻的符号和连接

【实验注意事项】 1、打开电源之前,将“电源调节”处旋钮逆时针调至底端; 2、实验操作中不要带电插拔导线,应该在熟悉原理后,按照电路图连接,检查无误后,方可打开电源进行实验; 3、若照度计、电流表或电压表显示为“1_”时说明超出量程,选择合适的量程再测量; 4、严禁将任何电源对地短路。 5、仪器通电测试前,一定要找老师检查后方可通电测试。 【主要实验步骤】 基础实验: 组装好光源、遮光筒和光探结构件,如下图所示: 1、打开台体电源,调节照度计“调零”旋钮,至照度计显示为“000.0”为止。 2、特性测试模块的 0-12V(J5)和 GND 连接到台体的 0-30V 可调电源的 Vout+和 Vout- 上。 3、J5连接电流表+极,电流表-极连接光敏电阻套筒黄色插孔,光敏电阻套筒蓝色插孔连接J6,电压表+极连接光敏电阻套筒黄色插孔,电压表-极连接光敏电阻套筒蓝色插孔。光敏电阻红黑插座与照度计红黑插座相连。(RP1的值可根据器件特性自行选取) 4、将光源特性测试模块+5V,-5V和GND连接到台体的+5V,-5V和GND1上,航空插座FLED-IN与全彩灯光源套筒相连接。打开光源特性测试模块电源开关K101,将S601,S602, S603开关向下拨(OFF档),使光照强度为0,即照度计显示为0。 5、将S601,S602,S603开关向上拨(ON档),将可调电源电压调为5V,光源颜色选为白光,按“照度加”或“照度减”,测量照度为100Lx、150Lx、200Lx、250Lx、300Lx、350Lx、400Lx、450Lx、500Lx、550Lx、600Lx电压表对应的电压值U,电流表对应的电流值I,光敏电阻值 RL=U/I。且将实验数据记录于表1-1中: 6、改变电源供电偏压,分别记录电压为 7V 和 9V 时,不同光照度下对应的电流值,并分别记录于表 1-2 及表 1-3 中: 7、保持照度为 100Lx 不变,调节电源供电偏压,使供电偏压为 1V、2V、3V、4V、5V、 6V、7V、8V、9V、10V,分别记录对应的电流值,并记录表 1-4 中: 8、按“照度加”,调节使光照为 200Lx、400Lx,记录同一光照不同电压下对应的电流值,并分别记录表 1-5 至表 1-9 中: 9、使可调电源偏压调为 5V 分别测量不同颜色光在 200 Lx 光照强度下,光敏电阻的电流值,将各个光源 200 lx 照度下光敏电阻的电流值记录在表 1-10 中: 10、将S601,S602,S603开关向下拨(OFF档),将可调电源电压调为5V。将光源特性测试模块的J701与光源特性测试模块的J601,J602,J603插座相连接。观察光源特性测试模块的J701点波形和特性测试模块J6点波形,分析光敏电阻的时间响应特性。 11、将“电源调节”旋钮逆时针旋至不可调位置,关闭实验台电源。

光敏电阻原理及应用大全

光敏电阻的应用 光敏电阻可广泛应用于各种光控电路,如对灯光的控制、调节等场合,也可用于光控开关,下面给出几个典型应用电路。 1、光敏电阻调光电路 图1是一种典型的光控调光电路,其工作原理是:当周围光线变弱时引起光敏电阻R G的阻值增加,使加在电容C上的分压上升,进而使可控硅的导通角增大,达到增大照明灯两端电压的目的。反之,若周围的光线变亮,则R G的阻值下降,导致可控硅的导通角变小,照明灯两端电压也同时下降,使灯光变暗,从而实现对灯光照度的控制。 图1光控调光电路 注意:上述电路中整流桥给出的是必须是直流脉动电压,不能将其用电容滤波变成平滑直流电压,否则电路将无法正常工作。原因在于直流脉动电压既能给可控硅提供过零关断的基本条件,又可使电容C的充电在每个半周从零开始,准确完成对可控硅的同步移相触发。 2、光敏电阻式光控开关 以光敏电阻为核心元件的带继电器控制输出的光控开关电路有许多形式,如自锁亮激发、暗激发及精密亮激发、暗激发等等,下面给出几种典型电路。 图2是一种简单的暗激发继电器开关电路。其工作原理是:当照度下降到设置值时由于光敏电阻阻值上升激发VT1导通,VT2的激励电流使继电器工作,常开触点闭合,常闭触点断开,实现对外电路的控制。

图2 简单的暗激发光控开关 图3是一种精密的暗激发时滞继电器开关电路。其工作原理是:当照度下降到设置值时由于光敏电阻阻值上升使运放IC的反相端电位升高,其输出激发VT导通,VT的激励电流使继电器工作,常开触点闭合,常闭触点断开,实现对外电路的控制。 图3精密的暗激发光控开关 光敏电阻原理及应用简介 1、光敏电阻器是利用的制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器;入射 光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。 2、结构。光敏电阻器都制成薄片结构,以便吸收更 多的。当它受到光的照射时,半导体片(光敏层) 内就激发出电子—空穴对,参与导电,使电路中 电流增强。为了获得高的灵敏度,光敏电阻的常 采用梳状图案,它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。一般光敏电阻器结构如右图所示。光敏电阻器通常由光敏层、玻璃基片(或树脂防潮膜)和电极等组成。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示。

实验5:光敏电阻特性实验

实验5 光敏电阻特性实验 一、实验目的:了解光敏电阻的光照特性和伏安特性。 二、基本原理:在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自身的电阻愈小。基于这种效应的光电器件称光敏电阻。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强、波长和外加电压有关。实验原理图如图4-1。 图4-1 光敏电阻实验原理图 三、需用器件与单元:主机箱中的转速调节0~24V电源、±2V~±10V步进可调直流稳压电源、电流表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏电阻、发光二极管、庶光筒。 四、实验步骤: 1.发光二极管(光源)的照度标定 1)按图4—2安装接线,接线时注意+、-极性,并将主机箱中的0~24V可调电压调节至 最小值; 2)将电压表量程拧至20V档,合上主机箱电源,调节主机箱中的0~24V可调电压就可以 改变光源(发光二极管)的光照度值按照表4-1进行标定(调节电压源),得到照度——电压对应值,根据表4-1数据做出发光二极管的电压——照度特性曲线。 图4-2 发光二极管工作电压与光照度的对应关系实验接线示意图

表4-1 发光二极管电压与光照度的对应关系 光照度(Lx)0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 电压(V) 电压U(V) 照度(Lx) 2.亮电阻和暗电阻测量 1)按图4-3安装接线,接线时注意+、-极性,并将主机箱中的0~24V可调电压调节至最 小值。打开主机箱电源,将±2V~±10V的可调电源开关打到10V档,再缓慢调节0~24V可调电源,使发光二极管二端电压为光照度100Lx时对应的电压(实验步骤1中的标定值)值。 2)10秒钟左右读取电流表(可选择电流表合适的档位20mA档)的值为亮电流I亮。 图4-3 光敏电阻特性实验接线图 3)将0~24V可调电源的调节旋钮逆时针方旋到底后10秒钟左右读取电流表(20μA档) 的值为暗电流I暗。 4)根据以下公式,计算亮阻和暗阻(照度100Lx): R亮=U测/ I亮;R暗=U测/ I暗 3.光照特性测量

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

光敏电阻实验报告

实验报告 姓名:高阳班级:F0703028 学号:5070309013 实验成绩: 同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3.了解简单光路的调整原则和方法. 4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空穴浓度的改变量;为电子浓度的改变量;为空穴的迁移率;为电子的迁移率。当光 敏电阻两端加上电压U后,光电流为(2) 式中A 为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离。

用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中. 本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为时,光照为,其中:为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图:

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验一实验总结 名:赵儒桐 学号:S1******* 专业:信息与通信工程学院:电子信息工程2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概 念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱 为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630 纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。 2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当 光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来 改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也 是增加的。测得实验数据如表2-1 : 光敏电阻光照特性实验数据 光照度 (Lx ) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 电流mA 0.37 0.52 0.68 0.78 0.88 1.00 1.07 1.18 1.24 表2-1光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 光敏电阻伏安特性实验数据 型号:G5528 电压 (U ) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 照度 (Lx ) 50 电流 (mA 0 0.05 0 .11 0. 17 0.2 4 0.29 0.35 0 1.42 0. 48 0.5 4 0.6 100 电流 (mA 0 0.09 0 .19 0. 28 0.3 3 0.48 0.58 0 .67 0. 77 0.8 7 0.95 150 电流 (mA 0.12 0 .24 0. 37 0.4 9 0.62 0.74 0.87 0. 98 1.1 2 1.19 通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增 大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的, 得 到 数据如表2-2。 光敏电阻光照特性实验曲线 图2.1

光敏电阻应用电路

光敏电阻的应用 1.光控开关电路 图2-38所示是一种光控开关电路,这一光控开关电路可以用在一些楼道、路灯等公共场所。通过光敏电阻器,它在天黑时会自动开灯,天亮时自动熄灭。电路中,VS1是晶闸管,Rl是光敏电阻器。 当光线亮时,光敏电阻器Rl阻值小,220V交流电压经VD1整流后的单向脉冲性直流电压在RP1和Rl分压后的电压小,加到晶闸管VS1控制极的电压小,这时晶闸管VS1不能导通,所以灯HL回路无电流,灯不亮。 当光线暗时,光敏电阻器Rl阻值大,RPI和Rl分压后的电压大,加到晶闸管VS1控制极的电压大,这时晶闸管V S1进入导通状态,所以灯HL回路有电流流过,灯点亮。 2.灯光亮度自动调节电路 图2-39所示是灯光亮度自动调节电路,这一电路能根据外界光线的强弱来自动调节灯光亮度。电路中,VS1是晶闸管,N是氖管,HL是灯,R3是光敏电阻器。

电路中,晶闸管VS1和二极管VD1~VD4组成全波相控电路,用氖管N作为VS1的触发管。 220V交流电通过负载HL加到VD1~VD4桥式整流电路中,整流后的单向脉冲直流电压加到晶闸管VS1阳极和阴极之间,VS1导通与截止受控制极上的电压控制。整流后的电路还加到各电阻和电容上。 直流电压通过Rl和RP1对电容Cl进行充电,Cl上充到的电压通过氖管N加到晶闸管VS1控制极上,当Cl上电压上升到一定程度时,氖管N启辉,将电压加到晶闸管VS1控制极上,使晶闸管VS1导通,灯HL点亮。 电容Cl上平均电压大小决定了晶闸管VS1交流电一个周期内平均导通时间长短,从而决定了灯的亮度。 当外界亮度高时,光敏电阻器R3阻值小,Cl的充电电压低,晶闸管VS1平均导通时间短,HL灯光就暗。 当外界亮庋低时,光敏电阻器R3阻值大,Cl的充电电压高,晶闸管VS1平均导通时间长,HL灯光就亮。 由于R3的阻值是随外界光线强弱自动变化的,所以灯HL的亮度也是受外界光线强弱自动控制的。 调节可变电阻器RP1阻值可以改变对电容Cl的充电时间常数,即改变VS1的导通角,调节HL灯光的亮度。 3.停电自动报警电路 图2—41所示是停电自动报警电路。电路中,VD2是

光敏电阻特性测试实验(精)

光敏电阻特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 三、实验内容 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 2、光敏电阻的亮电阻、亮电流测试实验 3、光敏电阻光电流测试实验; 4、光敏电阻的伏安特性测试实验 5、光敏电阻的光电特性测试实验 6、光敏电阻的光谱特性测试实验 7、光敏电阻的时间响应特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光敏电阻及封装组件 1套 4、光照度计 1台 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1. 光敏电阻的结构与工作原理 光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级,亮电阻值在几千欧以下。 光敏电阻的结构很简单,图1-1(a)为金属封装的硫化镉光敏电阻的结构图。在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄的半导体物质,称为光导层。半导体的两端装有金属电极,金属电极与引出线端相连接,光敏电阻就通过引出线端接入电路。为了防止周围介质的影响,在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜,漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最

光敏电阻实验

中国石油大学 智能仪器 实验报告 成 绩: 班级: 姓名: 同组者: 教师: 光敏电阻实验 【实验目的】 1、 了解光敏电阻的工作原理; 2、 掌握光敏电阻的光电特性,光谱响应特性,频率特性等基本特性; 3、 理解光敏电阻的一般应用。 【实验原理】 光敏电阻是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻,对光线十分敏感,它的电阻值能随着外界光照强弱(明暗)变化而变化.它在无光照射时,呈高阻状态;当有光照射时,其电阻值迅速减小.光敏电阻通常由光敏层、玻璃基片(或树脂防潮膜)和电极等组成的,如图1所示。可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻,利用光敏电阻制成的光控开关在我们日常生活中随处可见,广泛应用于各种自动控制电路(如自动照明灯控制电路、自动报警电路等)、 家用电器(如电视机中的亮度自动调节,照相机的自动曝光 图1 光敏电阻结构图 控制等)及各种测量仪器中。 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应.本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效应的光电元件.当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加,电导率的改变量为 p n p e n e σμμ?=???+??? (1) 在(1)式中,e 为电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。 当两端加上电压U 后,光电流为: ph A I U d σ= ??? (2) 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明电阻值随光照

实验一--光敏电阻特性实验

实验一光敏电阻特性实验 实验目的: 1. 了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2. 了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3. 了解简单光路的调整原则和方法。 4. 在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5. 在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 实验原理: 1.光敏电阻的结构与工作原理 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻,又称为光导管。是一种均质的半导体光电器件,其结构如图1-1所示。光敏电阻没 有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也 可以加交流电压。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近 的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。无光照时, 光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。 当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻) 急剧减小,电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越 好,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。实际光 敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级,亮电阻值在几千欧以 下。 2. 光敏电阻的主要参数 (1) 暗电阻:光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流称为暗电流。 (2) 亮电阻:光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。 (3) 光电流:亮电流与暗电流之差称为光电流。 3. 光敏电阻的基本特性 (1) 伏安特性 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下,电压越高,光电流也越大,光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线

传感器测试实验报告

实验一 直流激励时霍尔传感器位移特性实验 一、 实验目的: 了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理: 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件,根据霍尔效应,霍尔电势U H =K H IB ,当保持霍尔元件的控制电流恒定,而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动,则输出的霍尔电动势为kx U H ,式中k —位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大,灵敏度越高;磁场梯度越均匀,输出线性度就越好。 三、需用器件与单元: 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V 直流电源、测微头、数显单元。 四、实验步骤: 1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上,将传感器引线插头插入实验模板的插座中,实验板的连接线按图9-1进行。1、3为电源±5V , 2、4为输出。 2、开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节Rw1使数显表指示为零。 图9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图 3、测微头往轴向方向推进,每转动记下一个读数,直到读数近似不变,将读数填入表9-1。 表9-1 X (mm ) V(mv) 作出V-X 曲线,计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。 五、实验注意事项: 1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。 2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V ,否则将可能烧毁霍尔元件。 六、思考题:

本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的时什么量的变化 七、实验报告要求: 1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。 2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种,各自的产生原因是什么,应怎样进行补偿。 实验二集成温度传感器的特性 一、实验目的: 了解常用的集成温度传感器基本原理、性能与应用。 二、基本原理: 集成温度传器将温敏晶体管与相应的辅助电路集成在同一芯片上,它能直接给出正比于绝对温度的理想线性输出,一般用于-50℃-+150℃之间测量,温敏晶体管是利用管子的集电极电流恒定时,晶体管的基极—发射极电压与温度成线性关系。为克服温敏晶体管U b电压生产时的离散性、均采用了特殊的差分电路。集成温度传感器有电压型和电流型二种,电流输出型集成温度传感器,在一定温度下,它相当于一个恒流源。因此它具有不易受接触电阻、引

光敏电阻特性

光敏电阻特性 【实验目的】 1. 了解光敏电阻的基本特性。2.测量光敏电阻的伏安特性曲线和光照特性曲线。 【实验仪器】 DH-CGOP1光电传感器实验仪1套(包括灯泡盒,光敏电阻LDR ,九孔板实验箱,1K 电阻);DH-VC3直流恒压源1台;万用表1块;导线若干 【实验原理】 光敏电阻是采用半导体材料制作,利用内光电效应工作的光电元件。它在光线的作用下其阻值往往变小,这种现象称为光导效应,因此,光敏电阻又称光导管。 用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极,然后接出引线,封装在具有透光镜的密封壳体内,以免受潮影响其灵敏度。在黑暗环境里,它的电阻值很高,当受到光照时,只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带,并在价带中产生一个带正电荷的空穴,这种由光照产生的电子一空穴对增加了半导体材料中载流子的数目,使其电阻率变小,从而造成光敏电导率增加,电导率的改变量为 p n pe ne σμμ?=?+?\*MERGEFORMAT (1) 式中e 为电荷电量,?p 为空穴浓度的改变量,?n 为电子浓度的改变量,μp 为空穴的迁移率,μn 为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U 后,光电流为 ph A I U d σ=?\*MERGEFORMAT (2) 其中A 为与电流垂直的截面积,d 为电极间的距离。由和可知,光照一定时,光敏电阻两端所加电压与光电流为线性关系,呈电阻特性。光照愈强,阻值愈低。入射光消失后,由光子激发产生的电子一空穴对将逐渐复合,光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。 在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压,其中便有电流通过,受到适当波长的光线照射时,电流就会随光强的增加而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。 1.伏安特性

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