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晶闸管光刻的工艺原理分析
作者：张猛
来源：《E动时尚·科学工程技术》2019年第19期
摘要：光刻工艺是一种复印图像同化学腐蚀相结合的技术。它先采用照相复印的方法，
把光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的二氧化硅层或金属蒸发层上，然后利用光刻胶的保护作用，对二氧化硅或金属层进行选择性腐蚀，从而在二氧化硅或金属层上得到与光刻版相应的图形。
关键词：晶闸管;光刻;工艺原理
现代电力电子技术不论对改造电力、机械、矿冶、交通等传统工业，还是对新的航天、通信、机器人等高技本产业都至关重要，己迅速发展成为一门独立学科，其应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门。电力电子器件作为电力电子技术的一个重要分支，近十年来取得了飞速的发展，大大拓宽了电力电子技术的应用范围。光刻工艺通常包括：基片预处理、涂胶、前烘、曝光、中烘、显影、清洗、后烘、蚀刻、去胶等.实验表明，曝光时间、曝光剂量、显
影液浓度和显影时间等都会对光刻工艺产生显著影响，进而影响光刻胶的分辨率及光刻线条的质量.因此光刻工艺步骤繁多，工艺要求十分精细。
光刻工艺原理
1、涂胶。硅片表面状况对光刻胶与硅片粘附好坏影响极大，是决定光刻成敗的最重要因素之一。氧化结束后，最好立即从炉中取出硅片装在干净的PFA片蓝，送光刻工序进行涂胶。若不能马上涂，可贮存在氮气箱中或保存在干燥塔里，涂胶之前先在200℃烘箱中烘30
分钟再进行涂胶。若硅片放置太久或光刻返工，则应处理干净。对反刻铝的芯片，则应用丙酮去油，烘干后进行涂胶。涂胶方法有浸涂法、喷涂法、旋转法和擦涂法，常用旋转法和擦涂法。
（1）擦涂法：用脱脂棉或纱布沾胶后，在硅片表面擦涂。此法简单易行，但胶膜薄厚不易控制，且不均匀，易沾上棉花毛，对要求不高的产品尚可使用，比较适合于小型个体企业使用。
（2）旋转法：旋转法又分为旋转板式涂敷法和自转式涂敷法，利用模具和电机的转动，将胶涂在硅片表面，光刻胶膜非常均匀，能充分保证光刻质量，匀胶的清洁处理也比较方便。适用于现代化的大生产线，生产效率极高。
2、前烘
目的是使光刻胶中的溶剂得到充分挥发，使胶干燥，以承受接触曝光过程中与光刻板的摩擦，同时也有利发生光化学反应，并能得到好的抗蚀能力。