第十二章习题答案：
12.1 试述系统算法流程图和ASM图的相同和相异处，它们之间的关系如何?
答：
相同点：它们都是描述数字系统功能最普通且常用的工具。都是用约定的几何图形、指向线(箭头线)和简练的文字说明来描述系统的基本工作过程，即描述系统的工作流程。
不同点：算法流程图是一种事件驱动的流程图，只表示事件发生的先后，与系统时序无关。而ASM图已具体为时钟CP驱动的流程图，能表示事件的精确时间间隔序列。算法流程图的传输框可能对应ASM图中的一个或几个状态框，即控制器的状态。
关系：可以由算法流程图推导ASM图，关键是决定算法流程图的传输框应该转化成ASM 图的状态框还是条件框，以及何时应该根据时序关系增加状态框。转换原则有3条：
原则1：在ASM图的起始点应安排一个状态框。
原则2：必须用状态框分开不能在同一时钟周期完成的寄存器操作。
原则3：如果判断框中的转移条件受前一个寄存器操作的影响，应在它们之间安排一个状态框。
12.2 在T1状态下，如果控制输入Y和Z分别等于1和0，系统实现条件操作：寄存器
增1，并转换到状态T2。试按上述条件画出一个部分ASM图。
12.3 试分别画出满足下列状态转换要求的数字系统的ASM图：
(1)如果X＝0，控制器从状态T l变到状态T2；如果X＝1，产生一个条件操作．并从状态T1变到状态T2。
(2)如果X＝1，控制器从状态T1变到状态T2，然后变到状态T3；如果X＝0，控制器从状态T1变到状态T3。
(3)在T1状态下，若XY＝00，变到状态T2；若XY＝0l，变到状态T3；若XY＝10，变到状态T1；否则变到状T4。
12.4 数字系统的ASM 图表示于题图12.4。试用每态一个触发器的方法实现系统控制器。
题图 12.4
解：由四个D 触发器实现控制器，设四个DFF 的输入分别用D 0、D 1、D 2、D 3表示，输出分别用Q 0、Q 1、Q 2、Q 3表示。激励函数为：
W Q Y Q D 020+=
Z Y Q W Q D 301+=
Z Y Q X Q Y Q D 2132++=
YZ Q X Q Z Y Q D 2133++=
根据ASM 图该控制器无输出函数。 电路图略。
T 1
12.5 控制器的状态转移图如图12.5所示，它有四个状态和两个输入端。请完成下列问题
(1)试画出等效的ASM图(状态框是空的)；
(2)用数据选择器和译码器实现控制器。
图12.5 控制器的状态转移图
解：
（1
（2）略
12.6 设计一个数字系统，它有3个四位寄存器A、B和C，并实现下列操作：
(1)启动信号出现，传送两个二进制数给A和B；
(2)如果A＜B，左移A的内容，结果传送给C；
(3)如果A＞B，右移B的内容，结果传送给C；
(4)如果A＝B，将数传给C。
解：略
12.7 根据题图12.7所示ASM 图，写出控制器状态转移图，画出控制器电路。
题图12.7
解：X 1X 2X 3X 4/Z 1Z 2Z 3
控制器电路图略。
1?/000
12.8 图12.8所示的ASM图的状态可以化简，请画出简化后的ASM图。
图12.8 ASM图
解：简化后的ASM图为：
12.9 某系统ASM图的部分VHDL描述如下，请补全该程序，并画出该系统的ASM图。
解：增加程序如下：
该系统的ASM图：
12.10 某系统实现序列检测，有两输入序列A和B，当两序列对出现A=1且B=1，A=1且B=0或A=0且B=0时，输出Z=1，否则输出0。根据上述要求写出含有两个进程(Process)的VHDL程序。
解：
12.11 根据题12.10要求写出含有三个并发进程（Process）的VHDL程序，其中一个描述触发器，一个描述次态转移，一个描述输出逻辑。
解：
12.12 根据题12.10要求写出只有一个进程的VHDL程序。解：
习题 1. 试求图题7.1各电路的输出电压与输入电压的关系式。 R 2 U i U U i2U i3U i4 （a ） （b ） 图题7.1 解：(a)根据虚断特性 i 434U R R R u += +，o 2 11 U R R R u +=- 根据虚短特性-+=u u ，所以i 4 34 12o )1(U R R R R R U ++ = (b)当0i4i3==U U 时，电路转换为反相输入求和电路，输出 )( i22 3i113o12U R R U R R U +-= 当0i2i1==U U 时，电路转换为同相输入求和电路，输出 )////////)(//1(i46 456 4i365465213o34U R R R R R U R R R R R R R R U ++++ = 根据线性叠加原理，总输出为 o34o12o U U U += 2. 图题7.2为可调基准电压跟随器，求o U 的变化范围。 _ W 6V E =±15V 图题7.2 解：当可变电位器的滑动触头位于最下端时，+u 达最小，
V 69.063 .023.03 .0(min)=?++= +u ，当可变电位器的滑动触头位于最上端时，+u 达最大， V 31.563 .023.03 .02(max)=?+++= +u ，故o U 的变化范围为 5.31V ~V 69.0。 3. 试求图题7.3各电路的输出电压的表达式。 U o Ω U o R （a ） （b ） 图题7.3 解：（a ）-u 由i U 、o U 两部分通过线性叠加而成，当i U 单独作用时，产生的分量为 i i 5.01 .0//9.9100010001 .0//9.91000U U ≈+++，当o U 单独作用时，产生的分量为 o o 005.02000 1000 1.0//20009.91.0//2000U U ≈?+，所以i o 5.0005.0U U u +=-，根据虚短、虚断特 性，0==+-u u ，故i o 100U U -=。 （b ）本题同时引入了正反馈和负反馈，该图中一定保证负反馈比正反馈强，故仍可用虚短和虚断特性。-u 由i U 、o U 两部分通过线性叠加而成，当i U 单独作用时，产生的分量为 i 212U R R R +，当o U 单独作用时，产生的分量为o 211 U R R R +，所以 o 211i 212U R R R U R R R u +++= -，根据虚短、虚断特性，o 434 U R R R u u +==+-，故 )/(2 11 434i 212o R R R R R R U R R R U +-++= 。 4. 电路如图题7.4所示。已知123410mV U U U U ====，试求o ?U =
思考题 1. 在电极界面附近的液层中，是否总是存在着三种传质方式为什么每一种传质方式的传质速度如何表示 答：电极界面附近的液层通常是指扩散层，可以同时存在着三种传质方式（电迁移、对流和扩散），但当溶液中含有大量局外电解质时，反应离子的迁移数很小，电迁移传质作用可以忽略不计，而且根据流体力学，电极界面附近液层的对流速度非常小，因此电极界面附近液层主要传质方式是扩散。三种传质方式的传质速度可用各自的电流密度j 来表示。 3. 旋转圆盘电极和旋转圆环-圆盘电极有什么优点它们在电化学测量中有什么重要用途 答：旋转圆盘电极和旋转圆环-圆盘电极上各点的扩散层厚度是均匀的，因此电极表面各处的电流密度分布均匀。这克服了平面电极表面受对流作用影响不均匀的缺点。它们可以测量并分析极化曲线，研究反应中间产物的组成及其电极过程动力学规律。 6. 稳态扩散和非稳态扩散有什么区别是不是出现稳态扩散之前都一定存在非稳态扩散阶段为什么 答：稳态扩散与非稳态扩散的区别，主要看反应离子的浓度分布是否为时间的函数，即稳态扩散时()i c f x =，非稳态扩散时(,)i c f x t =。稳态扩散出现之前都一定存在非稳态扩散阶段，因为反应初期扩散的速度比较慢，扩散层中各点的反应粒子是时间和距离的函数；而随着时间的推移，扩散的速度不断提高，扩散补充的反应粒子数与反应消
耗的反应离子数相等，反应粒子在扩散层中各点的浓度分布不再随时间变化而变化，达到一种动态平衡状态。 习题 6. 已知25℃时，在静止溶液中阴极反应Cu2+ + 2e →Cu受扩散步骤控制。Cu2+离子在该溶液中的扩散系数为1×10-5cm2/s，扩散层有效厚度为×10-2cm，Cu2+离子的浓度为L。试求阴极电流密度为cm2时的浓差极化值。 7. 在含有大量局外电解质的LNiSO4溶液中，用旋转圆盘电极作阴极进行电解。已知Ni2+离子的扩散系数为1×10-5cm2/s，溶液的动力黏度系数为×10-2cm2/s，试求： （1）转速为10r/s时的阴极极限扩散电流密度是多少 （2）上述极限电流密度比静止电解时增大了多少倍设静止溶液中的扩散层厚度为5×10-3cm。
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
10.1 PLD器件有哪几种分类方法？按不同的方法划分PLD器件分别有哪几种类型？ PLD器件通常有两种分类方法：按集成度分类和按编程方法分类。按集成度分类，PLD 器件可分为低密度可编程逻辑器件（LDPLD）和高密度可编程逻辑器件（HDPLD）两种。具体分类如下： PLD LDPLD HDPLD PROM PLA PAL GAL CPLD FPGA 按编程方法分类，PLD器件可分为一次性编程的可编程逻辑器件、紫外线可擦除的可编程逻辑器件、电可擦除的可编程逻辑器件和采用SRAM结构的可编程逻辑器件四种。 10.2 PLA、PAL、GAL和FPGA等主要PLD器件的基本结构是什么？ PLA的与阵列、或阵列都可编程；PAL的与阵列可编程、或阵列固定、输出结构固定；GAL的与阵列可编程、或阵列固定、输出结构可由用户编程定义；FPGA由CLB、IR、IOB 和SRAM构成。逻辑功能块（CLB）排列成阵列结构，通过可编程的内部互连资源（IR）连接这些逻辑功能块，从而实现一定的逻辑功能，分布在芯片四周的可编程I/O模块（IOB）提供内部逻辑电路与芯片外部引出脚之间的编程接口，呈阵列分布的静态存储器（SRAM）存放所有编程数据。 10.3 PAL器件的输出与反馈结构有哪几种？各有什么特点？ PAL器件的输出与反馈结构有以下几种： （1）专用输出结构：输出端为一个或门或者或非门或者互补输出结构。 （2）可编程输入/输出结构：输出端具有输出三态缓冲器和输出反馈的特点。 （3）寄存器输出结构：输出端具有输出三态缓冲器和D触发器，且D触发器的Q端 又反馈至与阵列。 （4）异或输出结构：与寄存器输出结构类似，只是在或阵列的输出端又增加了异或门。 10.4 试分析图P10.4给出的用PAL16R4构成的时序逻辑电路的逻辑功能。要求写出电路的激励方程、状态方程、输出方程，并画出电路的状态转移图。工作时，11脚接低电平。图中画“×”的与门表示编程时没有利用，由于未编程时这些与门的所有输入端均有熔丝与列线相连，所以它们的输出恒为0。为简化作图，所有输入端交叉点上的“×”不再画，而改用与门符号里面的“×”代替。（提示：R为同步清0控制端，C为进位信号输出端）该时序逻辑电路由4个D触发器和若干门电路构成，设17、16、15、14引脚对应的D
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
第五章 5.1解： 3 32113 21211 21 3131133213 12123131,,,Q Y Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q Q J Q K Q J Q K Q J n n n =???????=+=+=??? ??======+++输出方程： 状态方程：驱动方程： 能自动启动的同步五进制加法计数器。 5.2解： 1 22 1122 1 12 122 1Q AQ Y Q Q A Q Q A Q Q Q A D Q D n n =???? ?==???? ?==++输出方程： 状态方程：驱动方程： 由状态转换图知：为一串行数据监测器， 连续输入四个或四个以上的1时，输出为1，否则为0 5.3解： 2 33232113 2 31211 21 32112 32133121 213 211Q Q Y Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q Q J Q Q K Q J K Q Q J n n n =???????+=+=?=???? ???====?=+++输出方程： 状态方程：，＝，，驱动方程： 5.4解： 2 1212 1121 111122111 Q Q A Q AQ Y Q Q A Q Q Q Q A Q A K J K J n n +=???? ?⊕==?? ?=⊕===++输出方程： ⊙状态方程：⊙＝驱动方程：
5.5解： 1233 0301213 10120312101320110 100 30 1230120 320 13201 00, 1Q Q Q Q Y Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q Q Q J Q Q K Q Q J Q K Q Q Q J K J n n n n ???=????? ?? ? ?+???=?+?=+?==?????? ?=??=?==??===++++输出方程： 状态方程：，＝，驱动方程： 5.6解： 5.7解： ∑
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
明天就是2013考研的日子，回想起自己去年考研时的种种，感触很多了，从初试复试到调剂。。。 1.去年报的是电院的电路与系统，因为我确信自己英语上不了50分，果不其然考了49；初试选的是《信号与系统》（难度适中可就是题量太大了），复试考《电路》（复习了N久都烦躁了，考的不好）。 2.去年新增专业-物理电子学招11人，木有一个人报考；电路与系统实招23人（坑爹的是通知57人去复试，结果电路23+11人调剂到物理电子学，剩下的就拜拜了）；微电子招10人（9人去复试）；电磁场与波招26人（36人去复试）；集成电路招15人（10人去复试）；电子与通信招45人（45人去复试）。 ps：以上是当时去复试时记下的，各专业实招人数是否包含保研的在内，记不清楚了，还望大家见谅。。。 3.复试时先考专业课2个小时，考完了就是综合面试 首先英语面试（去年考研英语泄题说是复试时加大考察力度，木有考听力，就是面试，搞得挺吓唬，其实老师不会为难你的），查看你四六级过了木有？一开始是叫你自己抽一个纸条（上面是各种专业相关的英语）阅读一下再翻译一遍，然后随便问你几个问题，一般都30--40分，六级过了的话更高些，咱英文水平有限就不多说了。。。 下面说下专业面试吧： ①复试时把四六级，计算机，什么智能车，电子设计大赛等证书带着可以加分的；进屋面试时就把这些交给老师，有专门的老师负责统计加分，别紧张，老师们都是很和蔼的；记得当时有个女同学把自己本科做的智能车直接带进去演示了一番，结果可想而知，导师们就希望要这些动手能力强的学生。总结一下，进屋首先是上交证书和相关材料。 ②然后，就是自我介绍，让老师们在很短的时间内能够快速的了解你，知晓你的亮点；会问问你在校期间做过什么项目木有等等，老师据此评分 ③然后抽纸条（专业题，三个纸堆，一般抽2、3道，去年是信号与系统、电路和数电模电）抽完后把题目读一遍然后回答，不会的直接pass再抽，老师也会问其他他感兴趣的问题，像我是计算机过了网络四级就被问了好几个关于网络方面的问题；回答完问题后，纸条还会放进纸堆里，所以大家可以守在门口一个也不放过问问他抽到了什么题目，一般都会说的，当时觉得我们哪是像竞争对手，简直就是一群战友。。。还有就是南邮的复试相对来说还是比较公平的，大家可以放心的。 4.根据当时复试时大家抽到的题目，回忆如下（当天晚上回去用本本记下的）：PLD.... 卡诺图为什么能够化简？ 什么是竞争与冒险？如何消除？ 组合逻辑电路的初始状态怎么判断？这题很怪异啊。。。 噪声系数。。。 （n-1）个KCL、（b-n+1）个KVL，这个是答案，相信大家知道题目了吧。。。 网络定理的适用条件（电路上的） FET与BJT有何不同？ 画差分放大电路？ 甲类，丙类功率放大器（模电上的），几类功率放大器的题目不少
本章习题 5．1分析图题4.1a 电路的逻辑功能，列出逻辑功能表，画出R、S 输入图b 信号时的输出波形。 题5.1 逻辑功能表 解: 见题5.1 逻辑功能表和波形图。 5．2画出图题5.2各触发器在时钟脉冲作用下的输出波形。（初态为“0”） 解：波形见题5.2图。 5．3 画出图题4.3中各不同触发方式的D 触发器在输入信号作用下的输出波形 (初态为0)。 Q n S R Q n+1 Q — n+1 功能0 1 0 1 0 置位1 1 0 1 0 置位00 1 0 1 复位10 1 0 1 复位00 0 0 1 保持10 0 1 0 保持0 1 1 1 1 非法1 1 1 1 1 非法
解：波形见题5.3图。 5．4 图题5.4a由CMOS或非门和传输门组成的触发器，分析电路工作原理，说明触发器类型。如果用两个图a的电路构成图b电路，说明图b电路是什么性质的触发器。 解：图a为同步D触发器，CP为使能控制，低电平有效。当CP=“0”时，TG1通、TG2断，触发器根据D信号改变状态；当CP=“1”时，TG1断、TG2通，触发器状态保持。逻辑符号如图5.2a。图b为主从D触发器， 时钟CP的上升沿有效，逻辑符号 如图5.2b。 5．5 画出图题5.5（a）所示电 路在输入图（b）信号时的输出波 形。 解：当A=“1”时，CP的下降沿 使Q=“1”。当Q=“1”且 CP =“1”时，Q复位。波形见题5.5图。
5．6画出图题5.6（a）电路的三个输出Q2、Q1、Q0在图（b）信号输入时的波形变化图（初始状态均为“0”）。分析三个输出信号和输入信号的关系有何特点。 解：波形见题5.6图。输出信号按位序递增顺序比输入滞后一个CP周期。 5．7 画出图题5.7所示电路的三个输出Q2、Q1、Q0在时钟脉冲作用下波形变化图（初始状态均为“0”）。若三个输出组成三位二进制码，Q2为最高位，分析输出码和时钟脉冲输入个数之间的关系。 解：波形见题5.7图，输出码随时钟输入递减：“000”→“111”→“110” →“101” →“100” →“011” →“010” →“011” →“001” →“000”，每8个时钟周期循环一次。 5．8画出图题5.8电路在A、B信号作用下Q1、Q0、Y的输出波形。Q1、Q0的初始状态为“0”。 解：JK触发器连成T′触发器,A的下降沿使Q0变反；B的上升沿使Q1=Q0；而Q1=“1”时使Q0复位。波形见题5.8图。 5．9画出图题5.9（a）所示电路的输出Q1、Q2在图（b）输入信号作用下的波形。
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
习题 1. 设2AX81的I CM =200mA ，P CM =200mW ，U (BR)CEO =15V ；3AD6的P CM =10W （加散热板），I CM =2A ，U (BR)CEO =24V 。求它们在变压器耦合单管甲类功放中的最佳交流负载电阻值。 解：当静态工作点Q 确定后，适当选取交流负载电阻值L R '，使Q 点位于交流负载线位于放大区部分的中点，则可输出最大不失真功率，此时的L R '称为最佳交流负载电阻。 忽略三极管的饱和压降和截止区，则有L CQ CC R I U '=。 同时应满足以下限制：CM CQ CC P I U ≤?，2 (BR)CEO CC U U ≤ ，2 CM CQ I I ≤ 。 (1)对2AX81而言，应满足mW 200CQ CC ≤?I U ，V 5.7CC ≤U ，mA 100CQ ≤I 。取 mW 200CQ CC =?I U 。 当V 5.7CC =U 时，mA 7.26CQ =I ，此时L R '最大，Ω=='k 28.07 .265 .7L(max)R ； 当mA 100CQ =I ，V 2CC =U 时，此时L R '最小，Ω=='k 02.0100 2 L(min)R ； 故最佳交流负载电阻值L R '为：ΩΩk 28.0~k 02.0。 (2)对3AD6而言，应满足W 10CQ CC ≤?I U ，V 12CC ≤U ，A 1CQ ≤I 。取 W 10CQ CC =?I U 。 当V 12CC =U 时，A 83.0CQ =I ，此时L R '最大，Ω=='46.1483.012 L(max)R ； 当A 1CQ =I 时， V 10CC =U ，此时L R '最小，Ω=='101 10L(min)R ； 故最佳交流负载电阻值L R '为：ΩΩ46.14~10。 2. 图题8-2为理想乙类互补推挽功放电路，设U CC =15V ，U EE =－15V ，R L =4Ω，U CE(sat)=0，输入为正弦信号。试求 (1) 输出信号的最大功率； (2) 输出最大信号功率时电源的功率、集电极功耗（单管）和效率； (3) 每个晶体管的最大耗散功率P Tm 是多少？在此条件下的效率是多少？
自我检查题 5.1 时序电路和组合电路的根本区别是什么？同步时序电路与异步时序电路有何不同？ 解答：从功能上看，时序电路任何时刻的稳态输出不仅和该时刻的输入相关，而且还决定于该时刻电路的状态，从电路结构上讲，时序电路一定含有记忆和表示电路状态的存储器。而组合电路任何时刻的稳态输出只决定于该时刻各个输入信号的取值，由常用门电路组成则是其电路结构的特点。 在同步时序电路中，各个触发器的时钟信号是相同的，都是输入CP 脉冲，异步时序电路则不同，其中有的触发器的时钟信号是输入cp 脉冲，有的则是其他触发器的输出，前者触发器的状态更新时同步的，后者触发器状态更新有先有后，是异步的。 5.2 画出图T5.2所示电路的状态和时序图，并简述其功能。 图T5.2 解: （1）写方程式 驱动方程 n Q K J 200== n Q K J 011== n n Q Q J 012=， n Q K 22= 输出方程：n Q Y 2= （2） 求状态方程 n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q J Q 02020202000010+=+=+=+ n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q J Q 01011010111111+=+=+=+ n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q K Q J Q 01222201222212=+=+=+ （3）画状态图和时序图 状态图如下图所示：
101 /1 时序图如下图所示： CP Q 0Q 1 Q 2 5.3 试用边沿JK 触发器和门电路设计一个按自然态序进行计数的七进制同步加法计数器。 解： （1）状态图如下图： （2）求状态方程、输出方程 C Q Q Q n n n /1 01112+++的卡诺图如下图所示： 输出方程为n n Q Q C 12= 状态方程： n n n n n Q Q Q Q Q 120112+=+ n n n n n n Q Q Q Q Q Q 0120111+=+ n n n n n Q Q Q Q Q 120110+=+ 驱动方程： n n n n n n n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q 0122120121220112)(++=++=+ n n n n n n Q Q Q Q Q Q 1021011+=+
最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变
[答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA
2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 第十二章习题答案： 12.1 试述系统算法流程图和ASM图的相同和相异处，它们之间的关系如何? 答： 相同点：它们都是描述数字系统功能最普通且常用的工具。都是用约定的几何图形、指向线(箭头线)和简练的文字说明来描述系统的基本工作过程，即描述系统的工作流程。 不同点：算法流程图是一种事件驱动的流程图，只表示事件发生的先后，与系统时序无关。而ASM图已具体为时钟CP驱动的流程图，能表示事件的精确时间间隔序列。算法流程图的传输框可能对应ASM图中的一个或几个状态框，即控制器的状态。 关系：可以由算法流程图推导ASM图，关键是决定算法流程图的传输框应该转化成ASM 图的状态框还是条件框，以及何时应该根据时序关系增加状态框。转换原则有3条： 原则1：在ASM图的起始点应安排一个状态框。 原则2：必须用状态框分开不能在同一时钟周期完成的寄存器操作。 原则3：如果判断框中的转移条件受前一个寄存器操作的影响，应在它们之间安排一个状态框。 12.2 在T1状态下，如果控制输入Y和Z分别等于1和0，系统实现条件操作：寄存器 增1，并转换到状态T2。试按上述条件画出一个部分ASM图。 12.3 试分别画出满足下列状态转换要求的数字系统的ASM图： (1)如果X＝0，控制器从状态T l变到状态T2；如果X＝1，产生一个条件操作．并从状态T1变到状态T2。 (2)如果X＝1，控制器从状态T1变到状态T2，然后变到状态T3；如果X＝0，控制器从状态T1变到状态T3。 (3)在T1状态下，若XY＝00，变到状态T2；若XY＝0l，变到状态T3；若XY＝10，变到状态T1；否则变到状T4。 12.4 数字系统的ASM 图表示于题图12.4。试用每态一个触发器的方法实现系统控制器。 题图 12.4 解：由四个D 触发器实现控制器，设四个DFF 的输入分别用D 0、D 1、D 2、D 3表示，输出分别用Q 0、Q 1、Q 2、Q 3表示。激励函数为： W Q Y Q D 020+= Z Y Q W Q D 301+= Z Y Q X Q Y Q D 2132++= YZ Q X Q Z Y Q D 2133++= 根据ASM 图该控制器无输出函数。 电路图略。 T 1 职业规划书 姓名：xxx 专业：xxx 学院：xxx 班级：xxx 学号：xxx 目录引言 一、自我评估 二、专业评估 三、职业评估 四、确定目标 五、实施方案 六、评估反馈 结束语 引言 对于每一个人而言，职业生命是有限的，如果不进行有效的规划，势必会造成时间和精力的浪费。作为当代的大学生，若是一脸茫然踏入这个竞争激烈的社会，怎能使自己占有一席之地？因此，我为自己拟定一份职业生涯规划。有目标才有动力和方向。所谓“知己知彼，百战不殆”，在认清自己的现状的基础上，认真规划一下自己的职业生涯。 一个有效的职业生涯设计必须是在充分且正确认识自身条件与 相关环境的基础上进行的。要审视自己、认识自己、了解自己，做好自我评估，包括自己的兴趣、特长、性格、学识、技能、智商、情商、思维方式等。即要弄清我想干什么、我能干什么、我应该干什么、在众多的职位面前我会选择什么等问题。所以要想成功就要正确评价自己。 自我评估 我是一个比较喜欢活泼的人，兴趣爱好也比较广泛，比如读书，看报，闲暇之余也不会忘记关注一下热门的事件。我也喜爱跑步，登山，这些运动都会让我身心愉悦。 我是一个自控能力比较强的人，从我遇到各种事情来看，我都会用理智去思考。我是一个通信工程的学生，我又选择了一门社会的热门专业就读。现在学习的信号系统，模电，数电，移动通信对我将来选择通信工程行业大有裨益。 在我的成长过程中，父母对我教育不可或缺。他们悉心的照顾我的生活，在我遇到困难的时候帮我出谋划策，是他们让我明白了知识的重要性，是他们让我树立了正确的价值观和人生观。他们对我的期望不言而喻，我明白他们的用心，我也会不断努力，朝着我的目标进发。 我的MBTI职业性格测试测评报告 测评结果 性格类型是“ESTP”(外向+实感+思维+知觉) 结合MBTI职业性格测试测评报告分析南邮数电-第12章习题答案
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