2018年国家技术发明奖提名项目
公示内容
一、项目名称：遗传性耳聋基因诊断芯片系统的研制及其应用
二、提名单位意见：
此项遗传性耳聋基因诊断芯片系统是国际首个获得临床行政批准的耳聋分
子诊断产品，具有准确、灵敏、高效、稳定等特点，解决了痕量样品基因检测的难题，且研制出全套适合大规模筛查的配套仪器及整体解决方案。项目已获授权专利40项（含中国发明专利16项，国外专利20项），其中2项获得中国专利优秀奖。获得软件著作权证1项，医疗器械注册证书4个。项目成果于2017年获得黄家驷生物医学工程奖一等奖及中华医学科技奖二等奖，2015年获得妇幼健康科学技术奖科技成果奖一等奖，2014年获得北京市科学技术奖二等奖，2010年获国家重点新产品称号。
2009年至今的应用实践中，该项目在婚育指导、产前筛查、新生儿和高危人群筛查耳聋病因诊断等领域，都取得了良好的社会效益和经济效益，已推广到全国包括台湾在内的30余个省市及越南，并在20个省市纳入政府民心工程。截至今年6月底，已成功检测294余万人份。使我国成为国际上规模最大的遗传病分子筛查的国家。通过提前干预，降低了耳聋出生缺陷，为提高我国人口质量起到了突出的支撑作用，经卫生经济学分析，耳聋基因筛查的效益成本比为7.27:1。项目成果近三年累计销售额突破2.4亿元人民币。
对照国家技术发明奖授奖条件，提名该项目为国家技术发明奖二等奖。
三、项目简介：
我国听力残疾者高达2054万，占残疾人总数24%，居第二位，且每年新增3
万聋儿。在治疗方面，除昂贵的人工耳蜗植入外，重度耳聋尚无法治疗。因此，早期诊聋防聋至关重要。研究表明，60%重度耳聋源于遗传，且具有高度种族及等位基因遗传异质性。然而对于多基因、多位点、多样本分析，传统技术要么操作繁琐、通量低；要么平台昂贵且耗费人力物力，如测序法。迫切需要在阐明中国耳聋群体遗传致聋因素基础上，研发高精度、高灵敏度、高通量、低成本的新型基因突变检测技术及配套设备，以实现规模化预防耳聋。
项目组在国家863等重大项目支持下，取得如下创新成果：
技术发明点一：在临床收集了7630例耳聋临床病例和2898例正常个体样本，进行遗传性耳聋高危人群的分子病因学研究，确定GJB2、SLC26A4、12SrRNA、GJB3为中国人群主要的遗传性耳聋致病基因及其上9个突变为中国耳聋人群高发突变。
技术发明点二：发明了①多重等位基因特异性扩增及通用芯片技术；②提高基因扩增特异性的人工引入错配碱基技术；③磁珠分离富集单链DNA及磁珠、荧光双标记技术；④利用表面张力精确控制杂交技术。基于上述技术发明，项目组率先研制出全球首款耳聋基因诊断芯片，可同时检测技术发明点一中选出来的4个最常见的致聋基因上的9个突变热点。该芯片于2009年获得医疗器械注册证书，2010年获得国家重点新产品称号，是至今获证最早、覆盖位点最多、筛查人群最大，且唯一实现干血斑等痕量样品检测的高灵敏度产品。
技术发明点三：围绕芯片核心技术，发明了芯片点样仪、芯片杂交仪、芯片扫描仪等配套设备，形成了系统的芯片制备、反应及检测平台；还发明了全自动液体工作站，实现了核酸自动提取和单链DNA制备，使筛查的效率和准确性得到进一步保障。芯片扫描仪于2010年获得医疗器械注册证书，全自动液体工作站于2013年获得医疗器械注册证书。上述设备共获4项北京市自主创新产品奖。
项目共获16项中国发明专利授权，20项国外专利授权，其他知识产权5项（含1项软件著作权）。其中2项发明专利获得中国专利优秀奖。截至2017年6月底，成果已推广至包括台湾在内的国内30余个省市及越南，检测总量达294余万人份，使我国成为世界上最大规模的遗传病基因筛查国家，其中筛查新生儿224余万例，通过遗传咨询，避免药物致聋并降低迟发性耳聋和后代聋儿出生率；筛查耳聋遗传高危人群4.8万例，通过遗传咨询使其避免生育聋儿；在产前筛查上，筛查孕早期个体3.6万例，通过必要的产前诊断避免聋儿出生；筛查发现携带线粒体突变个体5552例，通过追踪母系成员及发放用药指南，使约5.5万例携带者避免药物致聋。项目成果近三年累计销售额突破2.4亿元人民币。在北京等20个省市作为政府民心工程进行耳聋基因筛查，已取得良好的社会经济效益，并切实引领和促进了整个基因诊断产业的发展。
四、客观评价：
1.成果鉴定：
项目的芯片平台及仪器已通过验收并通过教育部鉴定，鉴定意见为：“整体技术达到国际先进水平，部分达到国际领先水平”。见附件3-7、8。
芯片和相关仪器平台技术在2006年美国FDA组织实施的微阵列芯片质控项目中取得同国际主流平台（安捷伦公司、TeleChem公司等）一致性较好的结果，美国FDA等专家关于质控结果的两篇相关论文发表在《Nature Biotechnology》杂志上（2006，24(9):1140-50，2010，28(8):827-38）。见附件3-11、12。
2.检测报告
本项目研发的九项遗传性耳聋基因检测试剂盒于2009年获得医疗器械注册证书，获得证书的前提是要通过中国食品药品检定研究院（中检院）等机构的注册检验，通过对产品的特异性、重复性、最低检测限等性能进行检验，该产品已检验合格并获得检验报告。本项目后续进一步研发的十五项遗传性耳聋基因检测试剂盒也已于2014年获得医疗器械注册证书。见附件3-1、2、9。
配套研制的芯片扫描仪于2010年获得医疗器械注册证书。同样该扫描仪在获证前也获得了中检院出具的注册检验报告。配套研制的全自动液体工作站于2013年获得医疗器械注册证书。另外扫描仪（LuxScan HT24）、点样仪（PersonalArrayer 16）、杂交仪（BioMixer II）、洗干仪（SlideWasher 8）均已通过CE认证。见附件3-3、4、5、6、10。
3.同行评价：
中国工程院院士、世界卫生组织防聋合作中心主任、中华医学会耳鼻咽喉头颈外科学分会前任主任委员、北京同仁医院耳鼻咽喉头颈外科专家韩德民教授在2015年“遗传性耳聋基因筛查突破百万暨科学与国际合作论坛”上对项目的创新技术和应用效果给予高度评价。中国医学科学院基础研究所张学教授（人类遗传学专家）在“东亚人类遗传学联盟2015年会”、“2015国际工程科技高端论坛-中国分子诊断技术暨第六届中国分子诊断技术大会”上，也对项目的创新技术和应用效果给予高度评价。见附件5-25。
4.国际学术影响力：
美国耳鼻咽喉头颈外科学院、外科学院院士、美国迈阿密大学医学院遗传性耳聋中心主任刘学忠教授在一系列国际会议上，介绍了项目的研发成果及应用，并对项目的创新性和应用效果给予高度评价，相关会议包括：2015第十届亚太人工耳蜗植入及相关科学大会（APSCI2015）、2015年华人遗传学大会、2015国际工程科技高端论坛-中国分子诊断技术暨第六届中国分子诊断技术大会、2017中国工程科技论坛-分子诊断技术暨第八届中国分子诊断技术大会，报告题目为“从DNA到临床应用：共创中美及全球聋病基因筛查策略”。他在上述会议报告中对项目评价：“解放军总医院和清华大学、博奥生物合作，基于分子病因学研究结果研发耳聋芯片并应用于大规模耳聋筛查，为聋病早期诊断和预
防提供了新途径”。正因为项目的良好应用效果，美国迈阿密大学医学院（全美第二大医疗中心）于2014年启动与项目完成单位的科研合作，已开发成功欧美人群遗传性耳聋基因检测芯片，目前芯片和仪器已在美国迈阿密大学已通过测试，发表了相关论文（PloS One, 2017, 12(3):e0169219）。见附件5-14、24。
5.获奖情况：
“一种检测遗传耳聋的试剂盒”获2015年国家知识产权局中国专利优秀奖；“一种激光微阵列芯片扫描仪”获2013年国家知识产权局中国专利优秀奖。见附件5-15、16。
“遗传性耳聋基因诊断芯片的研制及其临床应用”项目2017年中国生物医学工程学会黄家驷生物医学工程奖一等奖；获2017年中华医学科技奖二等奖；获2015年妇幼健康研究会全国妇幼健康科学技术奖科技成果奖一等奖；获2014年北京市科学技术奖二等奖。见附件5-17、18、19、20。
“九项遗传性耳聋基因检测试剂盒（微阵列芯片法）”获2010年科学技术部国家重点新产品称号。见附件5-21。
五、推广应用情况：
截至今年6月底，全国应用项目成果进行遗传性耳聋检测人数共294余万，是全球最大规模使用分子检测技术对遗传性疾病的筛查和诊断，共发现500余名先天性聋儿和5500余名药物性耳聋敏感个体。帮助5.5万余例突变基因携带个体避免药物致聋，并避免生育聋儿。北京、成都等20个省市应用项目成果开展了遗传性耳聋基因筛查，已筛查224余万名新生儿。包括台湾在内的30余个省市的150多家医院搭建了耳聋基因筛查和诊断平台。
主要应用单位情况（不超过15个）
六、主要知识产权证明目录：（不超过10项，前3项为核心知识产权）
七、主要完成人情况（不超过6人）：
八、完成人合作关系说明：
项目组由来自清华大学、中国人民解放军总医院、博奥生物集团有限公司的研究者共同组成，经过十余年的合作，研发了遗传性耳聋基因诊断检测技术及产品，并积极进行临床转化和推广应用，产生了显著的社会和经济效益。
第一完成人程京院士是项目的总体指导人和技术发明的总体策划人，第三完成人邢婉丽研究员是芯片系统总体技术发明工作的实际执行负责人和成果实施工作的总体执行人，第四完成人张冠斌博士和第五完成人项光新博士在第一和第三完成人指导下分别设计并实施基于磁珠的DNA单链分离富集与荧光、磁珠双标记体系等技术发明（核心专利3项，附件1-1、2、3），并共同完成PCR扩增引物和芯片探针标签（Tag）设计和优化、验证及芯片试剂盒的医疗器械注册申报工作。
第二及第六完成人解放军总医院的戴朴教授、王国建副主任医师从2003年起带领研发团队进行了中国人遗传性耳聋分子病因学的研究，发现了中国人群主要的耳聋致病基因及突变热点，为项目的芯片设计和应用奠定了基础。解放军总医院与清华大学及博奥生物集团的合作从2004年即开始，一直持续到目前。戴朴教授、王国建副主任医师带领团队在基因芯片验证、医疗器械注册申报及应用推广方面与清华大学、博奥生物集团有限公司紧密合作，为项目做出了重要贡献。
上述项目关系介绍准确无误，证明材料真实可靠，并得到各参与单位和个人的共同确认。
第一完成人：程京
特此声明。
第一完成人：程京
清华大学电机系电气工程及其自动化专业所有课程 本科专业核心课 本专业核心课为：电路原理、电磁场、模拟电子技术基础、数字电子技术基础、信号与系统、自动控制原理、计算机程序设计基础、微机原理与应用、电机学、电力电子技术基础、电力系统分析、高电压工程。 共 12 门。前 8 门为学科核心课，后 4 门为专业核心课。 3.6 课程设置与学分分布 3.6.1 公共基础课程 26 学分 3.6.2 3.6.3 数学和自然科学基础课程 36学分 (1) 数学课 7门，24学分 10421075微积分B(1)5学分 10421084微积分B(2)4学分 10421094线性代数(1)4学分 10421102线性代数(2)2学分 10420252复变函数引论2学分 10420854数学实验4学分 10420803概率论与数理统计3学分 (2) 物理课 4门，10学分 10430484大学物理B(1)4学分 10430494大学物理B(2)4学分 10430344大学物理(1)(英)4学分 10430354大学物理(2)(英)4学分 10430801物理实验B(1)1学分 10430811物理实验B(2)1学分 可选修高档(数学、物理等理科系)课代替低档课。大学物理B(1)和大学物理(1)(英)二选一，大学物理B(2)和大学物理(2)(英)二选一。 (3) 生物/化学 1门，２学分 10440012大学化学B2学分 10440111大学化学实验B1学分 10450012现代生物学导论2学分 10450021现代生物学导论实验1学分 3.6.4 专业相关课程 67学分 (1) 学科核心课 12门 34 学分 20130412工程图学基础2学分 30220392计算机程序设计基础2学分 20220174电路原理A(1)4学分 20220332电路原理A(2)2学分 20250064模拟电子技术基础4学分 20250103数字电子技术基础3学分 40220653信号与系统3学分 20220353电磁场3学分 20220124微机原理与应用4学分 30220343自动控制原理3学分，限选(2选1) 30220363自动控制原理(英)3学分，限选(2选1) 20220162电路原理实验2学分(跨学期课) 21550022电子电路实验2学分(跨学期课)
清华大学签订横向技术合同须知 1、清华大学签订横向技术合同的唯一授权部门是哪一个？ 科学技术开发部受校长（清华大学事业法人代表）授权，代表清华大学统一对外签订技术合同。全校各系（院、所）为非独立法人机构，不能对外签订技术合同，包括其他形式技术合作协议、意向书。 2、各系技术合同管理与咨询工作由哪个部门负责？ 各系业务办公室（原科研科）负责各系横向技术合同有关工作。 3、技术合同的简要审批程序是： 1）项目负责人认真起草合同书、并填写“清华大学横向技术合同审批表及责任保证书”。合同书应首选由国家科学技术部监制、清华大学科技开发部推荐的四类技术合同文本。 2）基层单位负责人及院（系、所）的委托代理人（主管科研副主任）审核合同并在审批表上签署意见。 3 4 5）合作方签字盖章后，交科技开发部合同办审核盖章。合同生效后按合同额的 注： 1）凡未经开发部合同办预审而对方已先盖章、合同文本有重大缺陷及条款不全 2）合同额在200万元以上(含200万元)，由院(系、所)主管科研副主任与开发部 3）合同额在500万元以上(含500万元)按开发部制定的程序实行特殊管理。4）其他技术合同管理事宜，如技术入股、纠纷处理等参照此程序。 4、填写横向技术合同审批表注意事项 1)如实填写，以便合同审核，防止技术重复开发，专利在其有效期内。 2)签订责任保证书，以明确项目负责人与学校的责权利。 5、合作中甲方、乙方的确定 一般委托方、受让方、许可方为甲方，开发方、转让方、被许可方为乙方。 6、清华大学对外签订技术合同时名称的规范写法 规范写法为：清华大学（XXXX系），说明：由于各系不能对外签订技术合同，对外统一以学校的名义签订合同。故为“清华大学”字样，并用注明的方式将具体承担单位用括弧的形式标注出来。 我方签名栏要求：（1）法定代表人：科研院科技开发部现任主任（校长授权代表）；（2）委托代理人：各系主管科研主任；（3）联系人：项目负责人。 7、合同经费管理办法
第一章 电力系统的基本概念 1－1 已知网络各级额定电压如图所示，发电机额定电压为10. 5KV 。试在图上标注出各变压器的一、二次额定电压。 答案： T1：10.5/0.4/3.3KV T2：10.5/121/242KV T3：220/11KV T4：10/0.4KV 学生作业的问题： （1） T1、T4 400V 侧不少学生使用了399V （380*1.05），部分学生使用了418V （380*1.1）。 （2） 有少量同学T1 10.5KV 侧写成10KV ，T4 10KV 侧写成9.5KV 。 （3） 变压器T1、T3、T4二次侧电压高10%，而同学不少认为是高5%。 1－2 设如图所代表的三相对称交流电路，电源经由阻抗 2020T Z j =+Ω向某负载供电，输 送电流2015a I A =∠?° 。负载的复功率为106D S j KVA =? （容性）。求：(1)电源送出的 有功功率及无功功率？其无功功率是感性的还是容性的？（2）电源的线电压 ab U 相量。
S a 答案： （1）34+j18KV A ，即发出有功34KW ，感性无功18Kvar （2）0 9.421.1∠KV 学生作业的问题： （1） 电源送出的功率为2 3ZT D a T D S S S I Z S =+=+ ，值得注意的是，我们说负荷功率一般都是三相的总功率，不应该再乘以3了，有的同学写成 () 23a T D S I Z S =+ ；有的同学写成D S S = ，漏掉线损了。 （2） 使用公式2 3ZT a T S I Z = 时，有的同学少了3（错把三相当单相），有的同学使用了2 a I （注意：此时是相量的平方，而不是模的平方）。（其实将公式展开就是***233()33ZT a a a T a a a T a T S U I I Z I I I Z I Z ==== ） 。 （3） 使用* 30j ab S I e ?= 时，不少同学漏掉了30j e ?，有的错把系数当成3或1，要搞清楚公式中每个变量的物理含义，最好把Y 型接法与Δ型接法的公式都 自己推导一遍，然后就会发现，如果使用线电压、线电流，两者的公式一样。 1－3 过激运行的三相同步电动机，它的电流I 可以领先电压U ，应用它可以改进功率因数。设同步电动机的线电压 30000ab U V =∠° ，线电流50030a I A =∠° ，求它的有功功率、无 功功率。它吸收的无功功率是感性的还是容性的？ 答案： 1299-j2250(KV A) 学生作业的问题： 本题易犯的错误跟1-2 类似，使用* 30j ab S I e ?= 时，不少同学漏掉了30j e ?，有的
清华大学IE: 在此附上清华大学工业工程本科专业的课程图,里头可以看到每一学年有甚麼课程 工业工程系的四年本科课程总共有173个学分，包括140个学分春秋季学期的课程，18个学分的暑期实习与军训，和15个学分的毕业设计。下表中将所有本科课程分五大类列出：人文社科类课程、自然科学基础课程、专业相关课程、实践环节、和综合论文训练。 序号课程类别子类别学分总计 1 人文社科类课程两课14 35 体育 4 外语 4 人文选修13 2 自然科学基础课程数学16 30 物理12 化学 2 3 专业相关课程工程基础19 75 专业基础33 专业限选23 专业限选和跨学科任选 6 4 实践环节18 5 综合论文训练15 总学分173 上述的课程体系与我系人才培养特色紧密关联，充分反映出工业工程系人才培养注重基础和国际化的特点。 专业基础课33学分 序号课程号课程名称学分 1 工业工程概论2学分 2 工程经济学2学分 3 管理学基础2学分 4 制造工程概论3学分 5 人因工程基础3学分 6 运筹学(1) (数学规划) 3学分 7 运筹学(2) (应用随机模型) 3学分 8 概率论与应用统计学3学分 9 数据结构与算法3学分 10 数据库原理3学分 11 管理信息系统3学分 12 建模与仿真3学分 上述12 门专业基础课基本涵盖了管理科学和计算机科学的基础。 前5 门课（工业工程概论、工程经济学、管理学基础、制造工程概论、人因工程基础）可作为工程管理的一般性内容； 接下来的3 门课（运筹学(1) (数学规划)、运筹学(2) (应用随机模型)、概率论与应用统计学）是定量分析的基础，是现代工业工程对复杂系统进行分析所必须的
芯片设计和生产流程 大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你 知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是 怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢？本文接下来要针对IC设计做介绍。 在IC生产流程中，IC多由专业IC设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel等知名大厂，都自行设计各自的IC芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计，所以IC设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。
设计第一步，订定目标 在IC设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範， 不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是
确立这颗IC的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。 设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC芯片中，便是使用硬体描述语言（HDL）将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲32bits加法器的Verilog范例。 有了电脑，事情都变得容易 有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具（EDA tool），让电脑将HDL code转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反
精品文档 耳聋基因检测与诊断的意义 我国科学家1998年成功克隆了人类遗传性感音神经性聋疾病基因GJB3。近年研究证实，先天性颞骨畸形（主要为大前庭水管综合征）与SLC26A4基因突变显著相关。国内耳聋遗传资源收集网络调查研究表明，GJB2突变最为常见，其次是SLC26A4突变，前者突变检出率为21%，明确该基因突变致聋约15%；后者突变检出率约15%，明确该基因突变致聋约12%。迟发性显性遗传性聋患者虽然出生即携带致病突变，但幼年时听力可完全正常，随年龄增长，而逐渐出现听力减退，进行性加重。 目前已经应用于临床的耳聋基因常规检测项目主要有线粒体DNAA1555G基因、GJB2基因、PDS基因、GJB3基因等。耳聋基因筛查对先天性或遗传性聋的诊断具有一定参考价值。线粒体DNA A1555G 基因突变与氨基糖甙类药物引起耳聋有关；GJB2基因被认为我国最常见的致聋基因，患儿GJB2基因阳性，应考虑先天性或遗传性聋的可能性；PDS基因突变可以导致大前庭水管综合征，PDS全序列扫描可作为分析诊断大前庭水管综合征的客观指标；还有比较常见的GJB3基因的538C>T为目前已知可诱发耳聋的致病基因。GJB3基因的 538C>T纯合突变，提示目前已经耳聋或以后发生耳聋的机率非常大；而GJB3基因的538C>T杂合突变，提示以后可能发生耳聋或不发生耳聋的可能性均存在，因此需要长时期听力监测。必须强调指出，目前
的耳聋基因检测仍处于非常初级的阶段，影响因素多，临床意义有限， 精品文档． 精品文档 某个项目一次或多次的检测值异常并不一定能得出耳聋病因的肯定 性结论。而且，耳聋基因检测只是提示在耳聋病因中占很少数的先天性或遗传性聋的可能性，对在耳聋病因中占大多数的后天获得性感音神经性聋诊断仅具有排除性诊断方面的参考意义。 由于耳聋基因在正常人群中也有较高的携带率，如GJB2、SLC26A4突变在听力正常人群中携带率均为3%，线粒体DNA1555和1494突变携带率约为1/300，听力正常的育龄夫妇携带至少一种基因突变的几率为6.3%。因此我们认为在有生育要求但无耳聋家族遗传史的听力正常育龄夫妇中进行常见耳聋基因筛查，在此基础上对携带耳聋基因突变的夫妇提供遗传咨询，这一前瞻性防治策略将阻止较大比例的先天性隐性遗传性耳聋的出生，其意义远远大于对已生育聋儿的正常夫妇进行耳聋遗传咨询和产前诊断，从根本上为预防遗传性耳聋发生提供了理论依据和方法。因此耳聋基因筛查和产前诊断可以产生巨大的经济效益和社会效益，从而真正达到提高人口质量，优生优育的目的。 一、预防避免耳聋发生或通过及时治疗延缓听力下降 药物性耳聋密切相关的母系遗传线粒体DNA12SrRNA突变相关性耳聋。突变基因携带者对氨基糖甙类抗生素敏感，这就是在携带此突变的个体中使用氨基糖甙类抗生素可以导致或者加重耳聋的原因。如果携带该突变的个体通过基因检测预知自己和家族成员携带这种突变，避免接触氨基糖甙类药物则完全可以避免耳聋的发生，这也正是耳聋
清华大学大学物理习题库：量子物理 一、选择题 1．4185：已知一单色光照射在钠表面上，测得光电子的最大动能是1.2 eV ，而钠的红限波长是5400 ?，那么入射光的波长是 (A) 5350 ? (B) 5000 ? (C) 4350 ? (D) 3550 ? ［ ］ 2．4244：在均匀磁场B 内放置一极薄的金属片，其红限波长为??。今用单色光照射，发现有电子放出，有些放出的电子(质量为m ，电荷的绝对值为e )在垂直于磁场的平面内作半径为R 的圆周运动，那末此照射光光子的能量是： (A) 0λhc (B) 0λhc m eRB 2)(2+ (C) 0λhc m eRB + (D) 0λhc eRB 2+ ［ ］ 3．4383：用频率为??的单色光照射某种金属时，逸出光电子的最大动能为E K ；若改用 频率为2??的单色光照射此种金属时，则逸出光电子的最大动能为： (A) 2 E K (B) 2h ??- E K (C) h ??- E K (D) h ??+ E K ［ ］ 4．4737： 在康普顿效应实验中，若散射光波长是入射光波长的1.2倍，则散射光光子能量?与反冲电子动能E K 之比??/ E K 为 (A) 2 (B) 3 (C) 4 (D) 5 ［ ］ 5．4190：要使处于基态的氢原子受激发后能发射赖曼系(由激发态跃迁到基态发射的各谱线组成的谱线系)的最长波长的谱线，至少应向基态氢原子提供的能量是 (A) 1.5 eV (B) 3.4 eV (C) 10.2 eV (D) 13.6 eV ［ ］ 6．4197：由氢原子理论知，当大量氢原子处于n =3的激发态时，原子跃迁将发出： (A) 一种波长的光 (B) 两种波长的光 (C) 三种波长的光 (D) 连续光谱 ［ ］ 7．4748：已知氢原子从基态激发到某一定态所需能量为10.19 eV ，当氢原子从能量为－0.85 eV 的状态跃迁到上述定态时，所发射的光子的能量为 (A) 2.56 eV (B) 3.41 eV (C) 4.25 eV (D) 9.95 eV ［ ］ 8．4750：在气体放电管中，用能量为12.1 eV 的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是 (A) 12.1 eV (B) 10.2 eV (C) 12.1 eV ，10.2 eV 和 1.9 eV (D) 12.1 eV ，10.2 eV 和 3.4 eV ［ ］ 9．4241： 若?粒子(电荷为2e )在磁感应强度为B 均匀磁场中沿半径为R 的圆形轨道运动，则?粒子的德布罗意波长是 (A) )2/(eRB h (B) )/(eRB h (C) )2/(1eRBh (D) )/(1eRBh ［ ］ 10．4770：如果两种不同质量的粒子，其德布罗意波长相同，则这两种粒子的 (A) 动量相同 (B) 能量相同 (C) 速度相同 (D) 动能相同 ［ ］
清华大学专利分析报告 前言： 本专利分析报告主要通过soopat专利检索网站，从清华大学专利的申请数量与年份的变化关系、现有专利的专利权情况、专利在每个部中所占比例情况、专利合作单位情况以及专利发明人情况等五个方面进行分析。其中对与清华大学合作较密切的单位和发明数量较多的发明人进行分析，并与其他方面进行横向比较。通过一系列的比较分析，得出了清华大学的专利发展情况。 1.按申请的年份分析 清华大学各年份申请专利总数 由图表分析可以看出，清华大学从1985年开始申请专利，但是一直到2000专利申请数量都不高，基本上每年的专利申请数量都不超过200项，大多数年份都在100项左右。从1999年到2000年开始，清华大学的专利申请数量开始呈上升趋势，从1999年的200项左右上升到2000年的将近500项，到2006年时，已经达到年申请数1000项。2006年到2012年清华大学的专利申请数量上升速度加快，仅仅6年时间，专利申请数就从2006年的1000项上升到2012年的2000项。由此可以得出结论，清华大学的的专利申请数量呈递增趋势，并且这种趋势正在加速。 2.清华大学现有专利权情况分析 清华大学有权专利统计表
清华大学审中专利统计表 从这个统计图可以看出，清华大学1999年以前的专利由于年代久远的原因，基本上没有专利权了，拥有专利权的专利基本上是集中于2005年到2011年申请的专利，其中以2010年申请的专利拥有专利权的最多。而待审核的专利基本上集中于2011和2012年的专利，因为专利从申请到授权需要15个月的审核时间，所以2011年和2012年待审核的专利比较多。这与清华大学的专利申请情况基本相符，从清华大学的专利申请情况来看，其以后申请专利的数量还会增加。 3.按部统计分析
耳聋基因检测与诊断得意义 我国科学家19９8年成功克隆了人类遗传性感音神经性聋疾病基因ＧJB3、近年研究证实,先天性颞骨畸形(主要为大前庭水管综合征)与ＳＬＣ2６A4基因突变显著相关。国内耳聋遗传资源收集网络调查研究表明,ＧJB２突变最为常见,其次就是SLＣ2６A4突变,前者突变检出率为21％,明确该基因突变致聋约15%;后者突变检出率约15%,明确该基因突变致聋约１2％。迟发性显性遗传性聋患者虽然出生即携带致病突变,但幼年时听力可完全正常,随年龄增长,而逐渐出现听力减退,进行性加重。?目前已经应用于临床得耳聋基因常规检测项目主要有线粒体DNAＡ１555G基因、GJB2基因、ＰDＳ基因、GＪB3基因等、耳聋基因筛查对先天性或遗传性聋得诊断具有一定参考价值。线粒体DNA A1５５5G基因突变与氨基糖甙类药物引起耳聋有关;GJB2基因被认为我国最常见得致聋基因,患儿ＧJB2基因阳性,应考虑先天性或遗传性聋得可能性;PＤS基因突变可以导致大前庭水管综合征,PＤＳ全序列扫描可作为分析诊断大前庭水管综合征得客观指标;还有比较常见得GJＢ3基因得５３8C＞T为目前已知可诱发耳聋得致病基因、GJB３基因得53８C>T纯合突变,提示目前已经耳聋或以后发生耳聋得机率非常大;而GJB３基因得538C＞T杂合突变,提示以后可能发生耳聋或不发生耳聋得可能性均存在,因此需要长时期听力监测。必须强调指出,目前得耳聋基因检测仍处于非常初级得阶段,影响因素多,临床意义有限,某个项目一次或多次得检测值异常并不一定能得出耳聋病因得肯定性结论。而且,耳聋基因检测只就是提示
在耳聋病因中占很少数得先天性或遗传性聋得可能性,对在耳聋病因中占大多数得后天获得性感音神经性聋诊断仅具有排除性诊断方面得参考意义。?由于耳聋基因在正常人群中也有较高得携带率,如GJB2、SLC２6A4突变在听力正常人群中携带率均为3%,线粒体DＮA15５5与149４突变携带率约为1/３00,听力正常得育龄夫妇携带至少一种基因突变得几率为6。3％。因此我们认为在有生育要求但无耳聋家族遗传史得听力正常育龄夫妇中进行常见耳聋基因筛查,在此基础上对携带耳聋基因突变得夫妇提供遗传咨询,这一前瞻性防治策略将阻止较大比例得先天性隐性遗传性耳聋得出生,其意义远远大于对已生育聋儿得正常夫妇进行耳聋遗传咨询与产前诊断,从根本上为预防遗传性耳聋发生提供了理论依据与方法。因此耳聋基因筛查与产前诊断可以产生巨大得经济效益与社会效益,从而真正达到提高人口质量,优生优育得目得。 一、预防避免耳聋发生或通过及时治疗延缓听力下降 药物性耳聋密切相关得母系遗传线粒体DNA１2ＳrRNA突变相关性耳聋。突变基因携带者对氨基糖甙类抗生素敏感,这就就是在携带此突变得个体中使用氨基糖甙类抗生素可以导致或者加重耳聋得原因。如果携带该突变得个体通过基因检测预知自己与家族成员携带这种突变,避免接触氨基糖甙类药物则完全可以避免耳聋得发生,这也正就是耳聋基因检测得意义所在。不仅为聋人明确病因,还要为耳聋易感个体提供个体化得遗传咨询与预防措施、 另外一种可以通过有效手段延缓听力下降得耳聋类型就是由
清华大学《大学物理》习题库试题及答案--08-电学习 题答案 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March
一、选择题 1．1003：下列几个说法中哪一个是正确的？ (A) 电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向 (B) 在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同 (C) 场强可由定出，其中q 为试验电荷，q 可正、可负，为试验电荷所受的电场力 (D) 以上说法都不正确 ［ ］ 2．1405：设有一“无限大”均匀带正电荷的平面。取x 轴垂直带电平面， 坐标原点在带电平面上，则其周围空间各点的电场强度随距离平面的位置坐 标x 变化的关系曲线为(规定场强方向沿x 轴正向为正、反之为负)： ［ ］ 3．1551：关于电场强度定义式，下列说法中哪个是正确的？ (A) 场强的大小与试探电荷q 0的大小成反比 (B) 对场中某点，试探电荷受力与q 0的比值不因q 0而变 (C) 试探电荷受力的方向就是场强的方向 (D) 若场中某点不放试探电荷q 0，则＝0，从而＝0 ［ ］ 4．1558：下面列出的真空中静电场的场强公式，其中哪个是正确的？ ［ ］ q F E / =F E /q F E =E F F E F E ( x
(A)点电荷q 的电场：(r 为点电荷到场点的距离) (B)“无限长”均匀带电直线(电荷线密度)的电场：(为带电直线到场点的垂直于直线的矢量) (C)“无限大”均匀带电平面(电荷面密度)的电场： (D) 半径为R 的均匀带电球面(电荷面密度)外的电场：(为球心到场点的矢量) 5．1035：有一边长为 a 的正方形平面，在其中垂线上距中心O 点a /2处，有一电荷为q 的正点电荷，如图所示，则通过该平面的电场强度通量为 (A) (B) (C) (D) ［ ］ 6．1056：点电荷 Q 被曲面S 所包围，从无穷远处引入另一点电荷q 至曲面外一点，如图所示，则引入前后： (A) 曲面S 的电场强度通量不变，曲面上各点场强不变 (B) 曲面S 的电场强度通量变化，曲面上各点场强不变 (C) 曲面S 的电场强度通量变化，曲面上各点场强变化 (D) 曲面S 的电场强度通量不变，曲面上各点场强变化 ［ ］ 7．1255：图示为一具有球对称性分布的静电场的E ～r 关系曲线。请指出该静电场是由下列哪种带电体产生的 (A) 半径为R 的均匀带电球面 (B) 半径为R 的均匀带电球体 (C) 半径为R 的、电荷体密度为的非均匀带电球体 2 04r q E επ= λr r E 302ελπ= r σ02εσ = E σr r R E 3 02εσ=r 0 3εq 4επq 0 3επq 0 6εq Ar =ρ q 1035图 q
竭诚为您提供优质文档/双击可除中国知识产权法权威教授 篇一：知识产权名校排名 知识产权名校排名 目前中南财经政法大学的知识产权建设是全国一流的,领军人物是吴汉东,博导很多,有独立的知识产权学院.应该说从人员配备和科研力量,物质条件看是最好的.也是这个大学重点发展的学科.北大知识产权学院也很强,以郑胜利和曲三强(澳大利亚知识产权博士)为首中国政法大学的知识产权法是在民商法分支中,实力也很强,以冯晓青为首,留学加拿大的博士后.还有就是中国人民大学和中国社会科学院.人大的著作权研究应该说是全国领先的,其博导刘春田提出了很多新颖的观点.而中国社会科学院知识产权是以世界知识产权案权威郑成思为首的,现郑教授已经去世,但其它的老师也很牛,因为多是郑成思的大弟子.我的目标是中国政法大学.呵呵 篇二：尔雅通识课《法学人生》参考答案 1
《论解放区战场》的作者是 A、毛泽东 b、邓小平 c、朱德 D、刘少奇 我的答案：c 2 日本统治大连时期对于占领区人民实行什么样的教育方式？ A、贵族教育 b、平民教育 c、精英教育 D、奴化教育 我的答案：D 3 日本人称占领区人民为 A、日本人 b、中国人 c、满洲人 D、关东州人 我的答案：D 4
吕世伦老师初中时期文章的主要宣传的内容不包括A、中苏友好 b、人民政府 c、解放战争 D、抗日战争 我的答案：D 5 吕世伦老师的祖母认为他们是什么人 A、日本人 b、中国人 c、大清人 D、伪满洲人 我的答案：c 6 吕世伦老师在人民日报上批判西方自然法学是在A、1963年 b、1964年 c、1965年 D、1966年 我的答案：A 7 《论解放军战场》是谁的作品：
耳聋基因检测 中国耳聋现状 2006年中国第二次残疾人抽样调查显示，全国残疾人总数高达8000多万，听力语言残疾者达2780万人，其中单纯听力残疾2004万，占残疾人总数的24.16%，听力言语残疾者中7岁以下的聋儿达80万人并以每年新增3万聋儿的速度在增长。 ３月３日是我国“爱耳日”。2011年（第12次）“爱耳日”的主题是“康复从发现开始—大力推广新生儿听力筛查”。 中国新生儿耳聋现状 先天性耳聋是导致语言交流障碍的常见致残性疾病之一，已成为全球关注的重大公共卫生问题。 新生儿中双侧先天性耳聋发生率约在1-3‰，在目前可筛查的出生缺陷中发病率最高，以我国每年出生１９００万人口计算，平均每年大约要新增２万至６万名。 目前已在西方发达国家及我国部分城市实施的新生儿听力筛查证明，早期发现、诊断和早期干预康复，９０％以上的先天性听力障碍患儿可以获得正常交流的能力和健康人一样生活。 中央政府门户网站https://www.doczj.com/doc/4c18070192.html, 2010年10月25日来源：新华社 耳聋分类 按发病原因分为：遗传性耳聋(占50-60%)和非遗传性耳聋 根据病变部位分3类：传导性、感音神经性、混合型耳聋 根据发病时间分:先天性和迟发性耳聋
根据有无伴发疾病:综合症(占1/3)和非综合征性(占2/3)耳聋 以语言功能发育程度分为：语前聋和语后聋 耳聋遗传方式 常染色体隐性遗传：占80% 常染色体显性遗传：10%-20% 性连锁遗传：1%-2% 线粒体基因突变：主要是母系遗传 耳聋致病基因 目前已鉴定的相关基因至少44个 最常见的致病基因是GJB2(connexin 26)，碱基缺失与先天性中至重度耳聋有关，位于13q11-12 SLC26A4(PDS),突变与大前庭水管综合征有关,位于7q22-31.1 12SrRNA，突变与药物性耳聋有关,位于mtDNA 干预措施 GJB2耳聋：电子耳蜗移植(重度耳聋)，进行早期听力恢复 大前庭水管综合征患儿：不适合剧烈体育活动，一旦头部受伤，就可能引起听力突然下降 线粒体基因突变者：用药警示，避免氨基糖苷类药物
第一章 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律 2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。 环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 第二章 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？ 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 第三章 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子
耳聋基因检测与诊断的 意义 WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-
耳聋基因检测与诊断的意义 我国科学家1998年成功克隆了人类遗传性感音神经性聋疾病基因GJB3。近年研究证实，先天性颞骨畸形（主要为大前庭水管综合征）与SLC26A4基因突变显着相关。国内耳聋遗传资源收集网络调查研究表明，GJB2突变最为常见，其次是SLC26A4突变，前者突变检出率为21%，明确该基因突变致聋约15%；后者突变检出率约15%，明确该基因突变致聋约12%。迟发性显性遗传性聋患者虽然出生即携带致病突变，但幼年时听力可完全正常，随年龄增长，而逐渐出现听力减退，进行性加重。 目前已经应用于临床的耳聋基因常规检测项目主要有线粒体DNAA1555G基因、GJB2基因、PDS基因、GJB3基因等。耳聋基因筛查对先天性或遗传性聋的诊断具有一定参考价值。线粒体DNA A1555G基因突变与氨基糖甙类药物引起耳聋有关；GJB2基因被认为我国最常见的致聋基因，患儿GJB2基因阳性，应考虑先天性或遗传性聋的可能性；PDS基因突变可以导致大前庭水管综合征，PDS全序列扫描可作为分析诊断大前庭水管综合征的客观指标；还有比较常见的GJB3基因的538C>T为目前已知可诱发耳聋的致病基因。GJB3基因的538C>T纯合突变，提示目前已经耳聋或以后发生耳聋的机率非常大；而GJB3基因的538C>T杂合突变，提示以后可能发生耳聋或不发生耳聋的可能性均存在，因此需要长时期听力监测。必须强调指出，目前的耳聋基因检测仍处于非常初级的阶段，影响因素多，临床意义有限，某个项目一次或多次的检测值异常并不一定能
清华大学数字电路题库 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）
B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +
中国集成电路设计行业概况研究-行业概述 （一）行业概述 1、集成电路设计行业概况 集成电路系采用特种电路设计及加工工艺，集成于半导体晶片上的微型电子电路产品。集成电路相比传统的分立电路，通过降低体积减小材料耗用量，大幅降低了制造成本，同时，其微小的体积及元件的紧密排布提高了信息的切换速度并降低了能耗，使得集成电路比分立电路在成本及效率上均有较大的优势。自1958 年第一块集成电路于德州仪器问世以来，集成电路产品发展迅速，广泛用于各种电子产品，成为信息时代中不可或缺的部分。 伴随现代信息技术产业的快速发展，集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心，已成为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业，在推动国家经济发展、社会进步、提高人们生活水平以及保障国家安全等方面发挥着广泛而重要的作用，是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志之一。随着国内经济不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持，中国集成电路产业快速发展，产业规模迅速扩大，技术水平显著提升，有力推动了国家信息化建设。 完整的集成电路产业链包括设计、芯片制造、封装测试等环节，各环节具有各自独特的技术体系及特点，已分别发展成独立、成熟的子行业。
其中，集成电路设计系根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品，集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本； 集成电路制造通过版图文件生产掩膜，并通过光刻、掺杂、溅射、刻蚀等过程，将掩膜上的电路图形复制到晶圆基片上，从而在晶圆基片上形成电路； 集成电路封装测试包括封装和测试两个环节，封装是保护芯片免受物理、化学等环境因素造成的损伤，增强芯片的散热性能，实现电气连接，确保电路正常工作；测试主要是对芯片产品的功能、性能测试等，将功能、性能不符合要求的产品筛选出来。 2、集成电路行业产品分类 集成电路产品依其功能，主要可分为模拟芯片（Analog IC）、存储器芯片（Memory IC）、微处理器芯片（Micro IC）、逻辑芯片（Logic IC）。 模拟芯片是处理连续性的光、声音、速度、温度等自然模拟信号，按技术类型可分为只处理模拟信号的线性芯片和同时处理模拟与数字信号的混合芯片；按应用分类可分为标准型模拟芯片和特殊应用型模拟芯片。标准型模拟芯片包括放大器、信号界面、数据转换、比较器等产品。特殊应用型模拟芯片主要应用于通
热学部分 一、选择题 1．4251：一定量的理想气体贮于某一容器中，温度为T ，气体分子的质量为m 。根据理想气体的分子模型和统计假设，分子速度在x 方向的分量平方的平均值 (A) (B) (C) (D) ［ ］ 2．4252：一定量的理想气体贮于某一容器中，温度为T ，气体分子的质量为m 。根据理想气体分子模型和统计假设，分子速度在x 方向的分量的平均值 (A) (B) (C) (D) 0 ［ ］ 3．4014：温度、压强相同的氦气和氧气，它们分子的平均动能和平均平动动能 有如下关系：(A) 和都相等 (B) 相等，而不相等 (C) 相等，而不相等 (D) 和都不相等 ［ ］ 4．4022：在标准状态下，若氧气(视为刚性双原子分子的理想气体)和氦气的体积比V 1 / V 2=1 / 2 ，则其内能之比E 1 / E 2为： (A) 3 / 10 (B) 1 / 2 (C) 5 / 6 (D) 5 / 3 ［ ］ 5．4023：水蒸气分解成同温度的氢气和氧气，内能增加了百分之几(不计振动自由度和化学能)？ (A) 66.7％ (B) 50％ (C) 25％ (D) 0 ［ ］ 6．4058：两瓶不同种类的理想气体，它们的温度和压强都相同，但体积不同，则单位体积内的气体分子数n ，单位体积内的气体分子的总平动动能(EK /V )，单位体积内的气体质量，分别有如下关系：(A) n 不同，(EK /V )不同，不同 (B) n 不同，(EK /V )不同，相同 (C) n 相同，(EK /V )相同，不同 (D) n 相同，(EK /V )相同，相同 ［ ］ 7．4013：一瓶氦气和一瓶氮气密度相同，分子平均平动动能相同，而且它们都处于平衡状态，则它们 (A) 温度相同、压强相同 (B) 温度、压强都不相同 (C) 温度相同，但氦气的压强大于氮气的压强 (D) 温度相同，但氦气的压强小于氮气的压强 ［ ］ 8．4012：关于温度的意义，有下列几种说法：(1) 气体的温度是分子平均平动动能的量度；(2) 气体的温度是大量气体分子热运动的集体表现，具有统计意义；(3) 温度的高低反映物质内部分子运动剧烈程度的不同；(4) 从微观上看，气体的温度表示每个气体分子的冷热程度。这些说法中正确的是 (A) (1)、(2)、(4)；(B) (1)、(2)、(3)；(C) (2)、(3)、(4)；(D) (1)、(3) 、(4)； ［ ］ 9．4039：设声波通过理想气体的速率正比于气体分子的热运动平均速率，则声波通过具有相同 温度的氧气和氢气的速率之比为 (A) 1 (B) 1/2 (C) 1/3 (D) 1/4 ［ ］ 10．4041：设图示的两条曲线分别表示在相同温度下氧气和氢气分子的速率分布曲线；令 和分别表示氧气和氢气的最概然速率，则： (A) 图中ａ表示氧气分子的速率分布曲线； /=4 (B) 图中ａ表示氧气分子的速率分布曲线； /＝1/4 (C) 图中ｂ表示氧气分子的速率分布曲线； /＝1/4 (D) 图中ｂ表示氧气分子的速率分布曲线； /＝ 4 ［ ］ m kT x 32= v m kT x 3312 =v m kT x /32=v m kT x /2 =v m kT π8= x v m kT π831=x v m kT π38= x v =x v εw εw εw w εεw ρρρρρ2 2H O /v v ()2 O p v ()2 H p v ()2 O p v ()2 H p v ()2O p v ()2H p v ()2 O p v ()2 H p v ()2 O p v ()2 H p v
长江三峡水电枢纽
同步汽轮发电机的转子同步水轮发电机的转子气隙 定子 同步发电机的FLASH.SWF 11
定子上3个等效绕组 a 相绕组 b 相绕组 c 相绕组 转子上3个等效绕组 同步发电机简化为：定子3个绕组、转子3个绕组、气隙、定子铁心、转子铁心组成的6绕组电磁系统励磁绕组 d 轴等效的阻尼绕组轴等效的阻尼绕组Q 15d 轴 q 轴120度 120度 120度 定子、转子铁心同轴（忽略定、转θ sin )M F =磁动势零点 θ 的，无饱和，无磁滞和涡流损耗，
19 磁链与电流、电压的参考正方向 1、设转子逆时针旋转为旋转正方向； 3、定子三相绕组端电压的极性与相电流正方向按发电机惯例来定义，即 正值电流i a 从端电压u a 的正极流出发电机，b 、c 相类似。 定子绕组的正电流产生负的磁链！！ 2、定子三相绕组磁链ψa ，ψb ，ψc 的正方向与a 、b 、c 三轴正方向一致; + -21 5、d轴上的励磁绕组f、阻磁链正方向与d轴磁链正方向与q轴的正方向一致；正电流由端电压，因此绕组电阻： a 相绕组 b 相绕组 c 相绕组 ＋
26 励磁绕组d 轴阻尼绕组 轴阻尼绕组 绕组、 28 绕组的磁链方程－6个 定子绕组的磁链a 相绕组的磁链＝ a 相绕组电流产生的自磁链＋ b 相绕组电流产生的互磁链＋ c 相绕组电流产生的互磁链＋励磁绕组电流产生的互磁链＋D 绕组电流产生的互磁链 ＋ Q 绕组电流产生的互磁链
31 转子绕组的磁链励磁绕组的磁链＝ a 相绕组电流产生的互磁链＋ b 相绕组电流产生的互磁链＋ c 相绕组电流产生的互磁链＋励磁绕组电流产生的自磁链＋D 绕组电流产生的互磁链＋ Q 绕组电流产生的互磁链 36 a 相绕组磁路磁阻（磁导）的变化与转子d 轴与a 相绕组轴线的夹角θa (=ωt )有关 磁路的磁导λaa ,自感L aa 为θa 的周 期函数，周期为π。 θa θa ＝±π/2 磁路磁导最小，自感最小 a θa ＝0，π磁路磁导最大，自感最大 a