硫化氢的性质 硫化氢，H2S，是可燃性无色气体，具有典型的臭蛋味。工业生产中很少使用硫化氢，接触的硫化氢一般是某些化学反应和蛋白质自然分解过程的产物，或以杂质形式存在。本市接触硫化氢较多的行业有污水处理、造纸、石油加工、化肥制造、化学纤维制造以及某些化工原料制造等。 人体吸入硫化氢可引起急性中毒和慢性损害。急性硫化氢中毒可分为三级，轻度中毒、中度中毒和重度中毒，不同程度的中毒，其临床表现有明显的差别。轻度中毒表现为畏光、流泪、眼刺痛、异物感、流涕、鼻及咽喉灼热感等症状，检查可见眼结膜充血、肺部干性罗音等，此外，还可有轻度头昏、头痛、乏力症状，中度中毒表现为立即出现头昏、头痛、乏力、恶心、呕吐、共济失调等症状，可有短暂意识障碍，同时可引起呼吸道粘膜刺激症状和眼刺激症状，检查可见肺部干性或湿性罗音，眼结膜充血、水肿等。重度中毒表现为明显的中枢神经系统的症状，首先出现头晕、心悸、呼吸困难、行动迟钝，继而出现烦躁、意识模糊、呕吐、腹泻、腹痛和抽搐，迅速进入昏迷状态，最后可因呼吸麻痹而死亡。在接触极高浓度硫化氢时，可发生“电击样”中毒，接触者在数秒内突然倒下，呼吸停止。长期反复吸入一定量的硫化氢可引起嗅觉减退，以及出现神经衰弱综合征和植物神经功能障碍。 患有明显的呼吸系统疾病、神经系统器质性疾病、精神病和严重的神经官能症、明显的心血管疾病的人，不宜从事硫化氢作业。 进入可能存在硫化氢的作业场所前，特别是下水道、蓄粪池、井底等场所，可先进行强制性通风，再放入小动物观察有无中毒现象，或用直读式测定仪或醋酸铅试纸测试一下现场空气，确认作业场所安全或不存在硫化氢气体时方可进入作业。 理化性质：硫化氢（Hydrogen sulfide）为无色气体。具有臭鸡蛋气味。分子式H2-S。分子量34.08。相对密度1.19。可燃上限为45.5 ％,下限为4.3％。 接触机会：在采矿和从矿石中提炼铜、镍、钴等,煤的低温焦化,含硫石油的开采和提炼,橡胶、人造丝、鞣革、硫化染料、造纸、颜料、菜腌渍、甜菜制糖、动物胶等工业中都有硫化氢产生; 开挖和整治沼泽地、沟渠、水井、下水道、潜涵、隧道和清除垃圾、污物、粪便等作业,以及分析化学实验室工作者都有接触硫化氢的机会; 天然气、矿泉水、火山喷气和矿下积水,也常伴有硫化氢存在。由于硫化氢可溶于水及油中,有时可随水或油流至远离发生源处,而引起意外中毒事故。 毒理学简介 硫化氢是一种神经毒剂。亦为窒息性和刺激性气体。其毒作用的主要靶器是中枢神经系统和呼吸系统。 硫化氢的急性毒作用靶器官和中毒机制可因其不同的浓度和接触时间而异。浓度越高则中枢神经抑制作用越明显，浓度相对较低时粘膜刺激作用明显。人吸入70～150 mg/m3/1～2小时，出现呼吸道及眼刺激症状，吸2～5分钟后嗅觉疲劳,不再闻到臭气。吸入300 mg/m3/1小时，6～8分钟出现眼急性刺激症状，稍长时间接触引起肺水肿。吸入760 mg/m3/15～60分钟，发生肺水肿、支气管炎及
第二章硅的提纯 2．1 硅的化学提纯与多晶硅的制备 半导体硅是元素半导体，半导体的基本特征是掺入微量电活性杂质将明显改变其电学性能。最 纯净的本征硅单晶的电阻率在室温下理论值大于200kΩ·cm。而若在单晶中掺入百万分之一磷杂质原子，就能使单品电阻率下降到大约0．2Ω·cm，即下降了约一百万倍。杂质对于半导体的性能是如此 的敏感，因此在用半导体制造固体器件时必须控制所用的半导体材料基本上不存在有害杂质。虽然 有些杂质影响显著，而有些杂质影响器件性能较少，但为了控制硅单晶的性能，我们不可能采用某种 技术有选择地只去除有害杂质而又保留若干无害杂质。所以最实际的办法是将硅的纯度提高到足 够的高度，去除各种杂质，然后再根据应用的需要有控制地掺入特定的杂质。作为生长硅单晶的原 始材料，在半导体工业中需要很纯的多晶硅。一般要求纯度达到小数点后面7个“9”至8 个“9”的范围(n个9表示纯度为99·99…9％)。 硅是由石英砂(二氧化硅)在电炉中用碳还原而得，其反应式为 所得硅纯度约为95％～99%，称为粗硅，又称冶金级硅，其中含有各种杂质，如Fe、C、B、P等。 为了将粗硅提纯到半导体器件所需的纯度，硅必须经过化学提纯。所谓硅的化学提纯是把硅用化学方法转化为中间化合物，再将中间化合物提纯至所需的高纯度，然后再还原成为高纯硅。中间化合物一般选择易于被提纯的化合物。曾被研究过的中间化合物有四氯化硅、四碘化硅、甲硅烷等。中间化合物提纯到高纯度后，在还原过程中如果工艺技术不恰当，还会造成污染而降低产品纯度。因此，还原也是重要的工艺过程。高纯多晶硅的生产方法大多数分为三个步骤：①中间化合物的合成； ②中间化合物的提纯；③还原成纯硅。 历史上，人们研究或应用过各种高纯多晶硅的制造方法。最早实现的是四氯化硅锌还原法，由于在还原时锌的沾污，产品还要经过区域提纯(物理提纯)才能达到电子级的要求，整个过程不经济所以已被淘汰。用四碘化硅作为中间化合物也曾被重视，因为四碘化硅能用各种方法提纯，如精馏、萃取、区域提纯等方法均可用于提纯四碘化硅，但由于结果并不经济，纯度也不优于其他方法而被淘汰。现代大量用于生产的是四氯化硅氢还原法、二氯二氢硅还原法、三氯氢硅氢还原法和甲硅烷热分解法。尤其是后两者，在国际上占主导地位。现分述如下。 2．1．1 三氯氢硅氢还原法 三氯氢硅氢还原法最早由西门子公司研究成功，有的文献上称此法为西门子法。三氯氢硅氢还原法可分为三个重要过程：一是中间化合物三氯氢硅的合成，二是三氯氢硅的提纯，三是用 氢还原三氯氢硅获得高纯硅多晶。
乙炔的理化性质、毒性及安全防护 乙炔 C2J2 1.别名·英文名 电石气、亚次乙基、乙叉撑；Acetylene、Ethyne. 2.用途 金属的焊接和切割、有机合成、原子吸收光谱、标准气、校正气、合成成橡胶、照明。 3.制法 （1）甲烷的部分氧化法。 （2）电石的水解。 （3）以天然气、液化石油气为原料，用蓄热式热分解法生产。以天然气或甲烷气为原产用部分燃烧法生产。以天然气或丙烷为原料，用完全燃烧法生产。以碳氢化合物为原料用电弧法生产。 4.理化性质 分子 量：26 .038 三相点： （128kPa）：—80.55℃ 沸点（170 kPa）：—75.0℃ 液体密度（—80.75℃）：610㎏/m3气体密度（273.15K，101.325 kPa）： 1.1747 ㎏/m3 相对密度（空气=1，0℃，101.325 kPa）：0.908 比容（15.6℃，101.325 kPa）：0.9008m3/㎏ 气液容积比（15℃，100 kPa）： 556L/L 临界温 度：35.2℃ 临界压 力： 6190 kPa 临界密 度： 230.4㎏/m3 压缩系 数： 温度压力 kPa
炸范围。然而把乙炔气加压溶解在丙酮中浸泡过的多孔性物质中则非常安全。即使有一部分引起燃烧之类的情况，也不会传播到其它部分，对整体仍然安全。但是，这种安全性与乙炔的纯度有密切的关系。乙炔气的纯度要大于：98.0%，不允许含有2％以上的助燃性气体，不允许含有硫化氢和磷化氢。 乙炔为非腐蚀性气体，可以使用通常的金属材料，但是不能用铜、银和汞。要避免使用含铜66％以上的黄铜、含铜银的焊接材料和含汞的．压力表。 可以使用醋酸纤维、尼龙、酚甲醛、酚糠醛、聚丙烯、聚氨酯、聚氯乙烯、醋酸聚氯乙烯、聚氯三氟乙烯、聚四氟乙烯，、环氧树脂、酚缩醇聚合物等。也可使用天然橡胶、丁腈橡胶、‘丁‘苯橡；胶和丁基橡胶。发生火灾时可用雾状水、二氧化碳灭火。漏气时，用强制通风使其浓度低于爆炸浓度。泄漏之容器可转移至空旷处，让其在大气中缓慢漏出，或者用管子导人燃烧炉中，或在凹地处小心点火焚烧之。 凸轮轮廓程序： >> e=20; s0=77.46; a1=0:pi/36:pi/3; s1=50*[3*a1/pi-sin(6*a1)/(2*pi)]; x1=(s0+s1).*sin(a1)+e*cos(a1); y1=(s0+s1).*cos(a1)-e*sin(a1); k1=150/pi*[1-cos(6*a1)]; >> i1=[(k1-e).*sin(a1)+(s0+s1).*cos(a1)].*[(k1-e).*(k1-e)+(s0+s1).*(s0+s1)].^(-1/2); >> j1=[-(k1-e).*cos(a1)+(s0+s1).*sin(a1)].*[(k1-e).*(k1-e)+(s0+s1).*(s0+s1)].^(-1/2); >> x10=x1-10*j1; >> y10=y1-10*i1; a2=pi/3:pi/36:pi; s2=50; x2=(s0+s2).*sin(a2)+e*cos(a2); y2=(s0+s2).*cos(a2)-e*sin(a2); k2=0; >> i2=[(k2-e).*sin(a2)+(s0+s2).*cos(a2)].*[(k2-e).*(k2-e)+(s0+s2).*(s0+s2)].^(-1/2); j2=[-(k2-e).*cos(a2)+(s0+s2).*sin(a2)].*[(k2-e).*(k2-e)+(s0+s2).*(s0+s2)].^(-1/2); x20=x2-10*j2; y20=y2-10*i2; >> a3=pi:pi/36:4*pi/3; >> s3=50*[1-3*(a3-pi)/pi+sin(6*(a3-pi))/(2*pi)]; >> x3=(s0+s3).*sin(a3)+e*cos(a3); >> y3=(s0+s3).*cos(a3)-e*sin(a3); >> k3=50*[-3/pi+3/pi*cos(6*(a3-pi))]; >> i3=[(k3-e).*sin(a3)+(s0+s3).*cos(a3)].*[(k3-e).*(k3-e)+(s0+s3).*(s0+s3)].^(-1/2); >> j3=[-(k3-e).*cos(a3)+(s0+s3).*sin(a3)].*[(k3-e).*(k3-e)+(s0+s3).*(s0+s3)].^(-1/2); >> x30=x3-10*j3; >> y30=y3-10*i3; >> a4=4*pi/3:pi/36:2*pi; >> s4=0;
氨三乙酸 化学式CH6N9O6，分子量191.14，结构式N（CH2COOH）3，白色棱形结晶粉末，熔点246~249℃（分解），能溶于氨水、氢氧化钠，微溶于水，饱和水溶液pH为2.3，不溶于多数有机溶剂，溶于热乙醇中可生成水溶性一、二、三碱性盐。属于金属络合剂，用于金属的分离及稀土元素的洗涤，电镀中可以代替氰化钠，但稳定性不如EDTA。 丙酮 最简单的酮。化学式CH3COCH3。分子式C3H6O。分子量58.08。无色有微香液体。易着火。比重0.788（25/25℃）。沸点56.5℃。与水、乙醇、乙醚、氯仿、DMF、油类互溶。与空气形成爆炸性混和物，爆炸极限2.89~12.8%（体积）。化学性质活泼，能发生卤化、加成、缩合等反应。广泛用作油脂、树脂、化学纤维、赛璐珞等的溶剂。为合成药物（碘化）、树脂（环氧树脂、有机玻璃）及合成橡胶等的重要原料。 冰乙酸 化学式CH3COOH。分子量60.05。醋的重要成份。一种典型的脂肪酸，无色液体。有刺激性酸味。比重1.049。沸点118℃，可溶于水，其水溶液呈酸性。纯品在冻结时呈冰状晶体（熔点16.7℃），故称“冰醋酸”，能参与较多化学反应。可用作溶剂及制造醋酸盐、醋酸酯（醋酸乙酯、醋酸乙烯）、维尼纶纤维的原料。 苯酚 简称“酚”，俗称“石炭酸”，化学式C6H5OH，分子量94.11，最简单的酚。无色晶体，有特殊气味，露在空气中因被氧化变为粉红，有毒！并有腐蚀性，密度1.071（25℃），熔点42~43℃，沸点182℃，在室温稍溶于水，在65℃以上能与任何比与水混溶，易溶于酒精、乙醚、氯仿、丙三醇、二硫化碳中，有弱酸性，与碱成盐。水溶液与氯化铁溶液显紫色。可用以制备水杨酸、苦味酸、二四滴等，也是合成染料、农药、合成树脂（酚醛树脂）等的原料，医学上用作消毒防腐剂，低浓度能止痒，可用于皮肤瘙痒和中耳炎等。高浓度则产生腐蚀作用。 1,2-丙二醇 化学式CH3CHOHCH2OH，分子量76.10，分子中有一个手征性碳原子。外消旋体为吸湿性粘稠液体；略有辣味。比重1.036（25/4℃），熔点-59℃，沸点188.2℃、83.2℃（1，333Pa），与水、丙酮、氯仿互溶，溶于乙醚、挥发油，与不挥发油不互溶，左旋体沸点187~189℃，比旋光度-15.8。丙二醇在高温时能被氧化成丙醛、乳酸、丙酮酸与醋酸。为无毒性抗冻剂。可用于酿酒、制珞中，是合成树脂的原料。医学上用作注射剂、内服药的溶剂与防腐剂，防腐能力比甘油大4倍，此外还可用于室内空气的消毒。 丙三醇 学名1,2,3-三羟基丙烷，分子式C3H8O3，分子量92.09，有甜味的粘稠液体，甜味为蔗糖的0.6倍，易吸湿，对石蕊试纸呈中性。比重1.26362（20/20℃）。熔点7.8℃，沸点290℃（分解）167.2℃（1，3332Pa）。折光率1.4758（15℃），能吸收硫化氢、氰化氢、二氧化硫等气体。其水溶液（W/W水）的冰点：10%，-1.6℃；30%，-9.5℃；50%，-23℃；80%，-20.3℃。与水、乙醇互溶，溶于乙酸乙酯，微溶于乙醚，不溶于苯、氯仿、四氯化碳、二硫化碳、石油醚、油类。可以制备炸药（硝化甘油）、树脂（醇酸树脂）、润滑剂、香精、液体肥皂、增塑剂、甜味剂等。在印刷、化妆品、烟草等工业中作润滑剂。医学上可用滋润皮肤，防止龟裂；作为栓剂（甘油栓）可用作通便药。切勿与强化剂如三氧化铬、氯酸钾、高锰酸钾放在一起，以免引起爆炸。 蓖麻油 化学式C57H104O9，分子量933.37。无色或淡黄色透明液体，具有特殊臭味，凝固点-10℃，比重
多晶硅硅的化学制备 【摘要】硅是一种重要的半导体材料，目前广泛应用于微电子、太阳能、光信息等领域。作为这些领域的原材料，硅的纯度必须大于5N[1]。目前制备多晶硅的方法主要有化学法和物理法（又称“冶金法”）两大类。化学方法主要有：三氯氢硅氢还原法（改良西门子法）、硅烷法和流化床法，其他方法很少有工业化生产的实例，本文主要对三种方法进行介绍并比较分析各方法的优缺点。 【关键词】多晶硅化学方法介绍比较分析 引言 半导体材料是半导体科学发展的基础。对Si和以GaAs为代表的化合物的深入研究使集成电路、半导体激光器、高速场效应晶体管的研制获得成功，大大丰富了半导体科学的内容。近年来，半导体超晶格的发展为半导体光电子学和量子功能器件的发展开辟了广阔的道路。[2] 多晶硅的生产方法有化学法和物理法（又称“合金法”）两大类，化学法应用化学原理对硅进行提纯，物理方法通过冶金原理对硅进行提纯。物理法制备的多晶硅纯度有限，一般在4N-6N左右，根据市场应用情况来看，太阳能级多晶硅纯度需达到6N-7N，而电子级多晶硅的纯度以9N以上为宜。因此，物理法制备的多晶硅不能用于半导体材料，用于太阳能电池也尚处于探索、试产阶段，暂时还不具备进行大规模工业生产的能力。而化学法生产多晶硅的工艺相对比较成熟，产品纯度高（可达到9N-12N），不仅能够满足太阳能电池的使用，也能满足半导体材料的使用。 化学法制备多晶硅一般先将工业硅（冶金级硅，纯度97%-99.9%）通过化学反应转为硅化合物，再经过精馏提纯得到高纯硅化合物，高纯硅化合物经过化学反应生成多晶硅。其中，工业硅是从含硅矿物中提取的，高纯硅化合物一般通过化学气相沉积的方式生成棒状多晶硅或粒状多晶硅。 目前，已经工业化的多晶硅化学制备方法主要包括改良三氯氢硅氢还原法（改良西门子法）、硅烷法和流化床法，其他方法很少有工业化生产的实例，本文主要对三种方法进行介绍并比较分析各方法的优缺点。
高纯硅制备的化学原理(1) 高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。 工业上是用硅石（SiO2）和焦炭以一定比例混合，在电炉中加热至 1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反应如下：SiO2+2C=Si+2CO 粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可采用酸浸洗法，使杂质大部分溶解（有少数的碳化硅不溶）。其生产工艺过程是：将粗硅粉碎后，依次用盐酸、王水、（HF+H2SO4）混合酸处理，最后用蒸馏水洗至中性，烘干后可得含量为99.9%的工业粗硅。 高纯多晶硅的制备方法很多，据布完全统计有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称硅铁，因为含铁较多）开始，首先制取既易提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的多晶硅，其工艺流程大致如图1： 目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。一般说来，由于三氯氢硅还原法具有一定优点，目前比较广泛的被应用。此外，由于SiH4具有易提纯的特点，因此硅烷热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原 理。 1. 三氯氢硅还原法 （1）三氯氢硅的合成 第一步：由硅石制取粗硅硅石（SiO2）和适量的焦炭混合，并在电炉内加热至1600~1800℃ 可制得纯度为95%~99%的粗硅。其反应式如下： SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑
电石、乙炔等材料的物化性质 一.产品及原料的物化性质 1.产品（乙炔） 1.1物理性质 1.1.1在常温常压下，纯乙炔为无色芳香气味的易燃气体，工业品因含硫化氢，磷化氢等杂质而有毒，并且具有特殊刺激性臭味。微溶于水，溶于乙醇、苯、丙酮等许多有机溶剂中，溶解度随温度升高而降低，比空气略轻。乙炔与空气能在很宽的范围内（ 2.3-81）×10-2形成爆炸混合物，爆炸迟滞时间只有0.017秒。 1.1.2主要物理常数 密度：(0℃，100kpa) 1.17㎏∕m3 比重：(对空气) 0.9056 (对氧气) 0.8194 自燃点：305℃ 沸点：(或冷凝点) －83.66℃ 熔点：(或凝固点) －85℃ 临界温度：35.7℃ 1.2 化学性质 1.2.1乙炔是最简单的炔烃，又称电石气，分子式C2H2，结构式H-C≡C-H，乙炔中心C原子采用sp杂化。分子量26.4，纯乙炔在空气中燃烧2100度左右，在氧气中燃烧可达3600度。 1.2.2乙炔分子中碳与碳是三键相连,所以化学性质非常活泼。易发
生加成、氧化、聚合、金属取代等各种反应，还能与许多有机物进行反应。 a、加成反应： 可以跟Br?、H?、HX等多种物质发生加成反应。例如与Br?的加成，现象：可以使溴水褪色或Br?的CCl?溶液褪色。利用乙炔与HCL加成，在加热和催化剂的作用下，就可以得到氯乙烯单体，再通过聚合反应就能得到通常所说的聚氯乙烯（PVC）。 b、氧化反应： 可燃性：2C?H?+5O?→4CO?+2H?O（条件：点燃），现象：火焰明亮、带浓烟，燃烧时火焰温度很高（>3000℃），用于气焊和气割。其火焰称为氧炔焰。 被KMnO4氧化：能使紫色酸性高锰酸钾溶液褪色。 c、聚合反应：由于乙炔与乙烯都是不饱和烃，所以化学性质基本相似。在适宜条件下，三分子乙炔能聚合成一分子苯。但苯的产量不高，副产物又多。如果利用钯等过渡金属的化合物作催化剂，乙炔和其他炔烃可以顺利地生成苯及其衍生物。 在一定条件下，乙炔也能与烯烃一样，聚合成高聚物-----聚乙炔。 d、金属取代反应（可用于乙炔的定性鉴定）： 将其通入硝酸银或氯化亚铜氨水溶液，立即生成白色乙炔银（AgC≡CAg）和棕红色乙炔亚铜（CuC≡CCu）沉淀，可用于乙炔的定性鉴定。 其他化学特性：
硅二极管和锗二极管的主要区别如下： 在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。硅管的交流电阻小于锗管。 换言之，当正向电流达到0.2V时，有必要研究启动电压为0.2V的硅二极管。 三个。在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。开启后，锗管电流增加缓慢，而硅管电流增加较快 4硅二极管的反向电流远小于锗二极管。锗管为毫安级，硅管为纳米级。其原因是在相同的温度下，Si的Ni含量比Si高出约3个数量级。因此，在相同的掺杂浓度下，少量Si的含量远低于Nb的含量，因此硅晶体管的反向饱和电流很小。 5正向电压很小，流过二极管的电流很小。只有当正向电压达到一定值ur时，电流才会显著增加。电压ur通常称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。 6硅二极管的阈值电压高于锗二极管，因为硅二极管的阈值电压远小于锗二极管。一般来说，硅二极管的阈值电压约为0.5V～0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V～0.2V。 开发信息：
二极管是指一种电子元件，一种有两个电极的装置，只允许电流朝一个方向流动。它有很多用途，是它的校正功能的应用。可变二极管用作电子可调电容器。大多数二极管中的电流流向通常被称为“整流”。二极管最常见的功能是允许电流只沿一个方向通过（称为正向偏置），并防止电流反向（称为反向偏置）。因此，二极管可以看作是一个电子止回阀。 2早期的真空电子二极管，它是一种能在一个方向上传导电流的电子装置。在半导体二极管中，有一个PN结和两个引线端子。电子器件在施加电压的方向上具有单向导电性。一般来说，晶体二极管是由p型和n型半导体烧结而成的p-n结界面。 三个。在界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。当外加电压为零时，由于p-n结两侧载流子浓度的差异，扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，这也是正常的二极管特性。 早期的四种二极管包括“猫须”晶体和真空管（在英国称为“热阀”）。今天，大多数最流行的二极管使用半导体材料，如硅或锗。 5由于半导体锗二极管在气液两相流中的传热能力不同，二极管的温度会发生变化，二极管的正向输出电压也会随之变化。
硫化氢与二氧化硫知识积累 一、硫化氢的物理特性和对生理的影响 1、化学名称：硫化氢。 同义词：硫化氢、氢硫酸、二氢硫。 化学分类：无机硫化物。 化学分子式：H2S。 通常物理状态：无色气体，比空气略重，15℃（59°F）、0.10133MPa（1atm）下蒸气密度（相对密度）为1.189。 自燃温度：260℃（500°F）。 沸点：－60.2℃（－76.4°F）。 熔点：－82.9℃（－117.2°F）。 可爆范围：空气中蒸气体积分数4.3％～46％。 溶解度：溶于水和油，溶解度随溶液温度升高而降低。 可燃性：燃烧时火焰呈蓝色，生成二氧化硫。 气味和警示特性：硫化氢有极难闻的臭鸡蛋味，低浓度时容易辨别出。但由于容易很快造成嗅觉疲劳和麻痹，气味不能用作警示措施。 2暴露极限 美国职业安全与健康局（OSHA）2）规定硫化氢可接受的上限浓度（ACC）为30mg/m3（20ppm），75 mg/m3（50ppm）为超过可接受的上限浓度（ACC）的每班8h能接受的最高值（参见29CFR 3）Part1910.1000，Subpart Z，table Z－2）。美国政府工业卫生专家联合会（ACGIH）4）推荐的阈限值为15 mg/m3（10ppm）（8h TWA），15min短期暴露极限（STEL）为22.5 mg/m3（15ppm）。每天暴露于短期暴露极限（STEL）下的次数不应超过4次，连续2次间隔时间至少为60min。对于外大陆架的油气作业，即使偶尔短时间暴露于30 mg/m3（20ppm）的硫化氢环境，根据美国内政部矿产管理部门的规定，要求使用呼吸保护设备。3生理影响 警示：吸入一定浓度的硫化氢会伤害身体，甚至导致死亡。 硫化氢是一种剧毒、可燃气体，常在天然气生产、高含硫原油生产、原油馏分、伴生气和水的生产中可能遇到。因硫化氢比空气重，所以能在低洼地区聚集。硫化氢无色、带有臭鸡蛋味，在低浓度下，通过硫化氢的气味特性能检测到它的存在。但不能依靠气味来警示危险浓度，因为处于高浓度〔超过150 mg/m3（100ppm）〕的硫化氢环境中，人会由于嗅觉神经受到麻痹而快速失去嗅觉。长时间处于低硫化氢浓度的大气中也会使嗅觉灵敏度减弱。 警示：应充分认识到硫化氢能使嗅觉失灵，使人不能发觉危险性高浓度化氢的存在。 过多暴露于硫化氢中能毒害呼吸系统的细胞，导致死亡。有事例表明血液中存在酒精能加剧硫化氢的毒性。即使在低浓度〔15 mg/m3（10ppm）～75 mg/m3（50ppm）〕时，硫化氢也会刺激眼睛和呼吸道。间隔时间短的多次短时低浓度暴露也会刺激眼、鼻、喉，低浓度重复暴露引起的症状常在离开硫化氢环境后的一段时间内消失。即使开始没有出现症状，频繁暴露最终也会引起刺激。 4 呼吸保护 暴露于硫化氢含量超过OSHA规定的可接受的上限浓度的任何人都要配戴正压式（供气式或自给式）全面罩的个人呼吸保护设备 5、阈限值：几乎所有工作人员长期暴露都不会产生不利影响的某种有毒物质在空气中的最大浓度。硫化氢的阈值为15mg/m3(10ppm)，二氧化硫的阈限值为5.4 mg/m3(2ppm)。 6、安全临界浓度：工作人员在露天安全工作8h可接受的硫化氢最高浓度〔参考《海洋石油作业硫化氢防护安全要求》（1989） 1.3条中硫化氢的安全临界浓度为30
标识中文名: 乙炔；电石气英文名: acetylene；ethyne 分子式: 分子量: CAS号: 74-86-2 化学类别: 危险性类别: 第2.1类易燃气体UN编号:1001;3374 理化性质性状与用途: 无色无味气体，工业品有使人不愉快的大蒜气味。是有机合成的重要原料之一。亦是合成橡胶、合成纤维和塑料的单体，也用于氧炔焊割。 临界温度(℃)：35.2 临界压力(MPa)：6.19 饱和蒸汽压(kPa)：4460(20℃) 燃烧热(kj/mol)]：1298.4 熔点(℃)]：-81.8(119kPa) 沸点(℃)]：-83.8 相对密度(水=1)：0.62 [相对密度(空气=1)]：0.91 自燃温度(℃)： 燃爆物性与消防燃烧性： 闪点(℃)：<-50 爆炸下限(V%)：2.5 爆炸上限(V%)：100.0 稳定性：稳定 聚合危害：聚合 建筑火险分级： 燃烧(分解)产物：碳、氢。 禁忌物：强氧化剂、碱金属、碱土金属、重金 属尤其是铜、重金属盐、卤素。 危险特性：极易燃烧爆炸。与空气混合能形成爆炸性混合物，遇明火、高热能引起燃烧爆炸。 与氧化剂接触猛烈反应。经压缩或加热可造成剧烈爆炸。与氟、氯等接触会发生剧烈的化学反应。能与铜、银、汞等的化合物生成爆炸性物质。 灭火方法：用雾状水、泡沫、二氧化碳、干粉灭火。 毒性毒性：空气中浓度为60%～80%时，几分钟动物出现麻醉；吸入浓度为20%时，发生嗜睡、呕吐、呼吸困难。 健康危害侵入途径：吸入 健康危害：具有弱麻醉作用。高浓度吸入可引起单纯窒息。 暴露于20％浓度时，出现明显缺氧症状；吸入高浓度，初期兴奋、多语、哭笑不安，后出现眩晕、头痛、恶心、呕吐、共济失调、嗜睡；严重者昏迷、紫绀、瞳孔对光反应消失、脉弱而不齐。当混有磷化氢、硫化氢时，毒性增大，应予以注意。 急救皮肤接触：不会通过该途径接触 眼睛接触: 不会通过该途径接触。 吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给输氧。呼吸、心跳停止，立即进行心肺复苏术。就医。 食入：不会通过该途径接触。 防护措施安全卫生标准：MAC(mg/m3):未制定标准PC-TWA（mg/m3）:未制定标准PC-STEL（mg/m3）:未制定标准TLV-C(mg/m3):未制定标准 TLV-TWA(mg/m3): TLV-STEL(mg/m3): 工程控制：生产过程密闭，全面通风。 呼吸系统防护:一般不需要特殊防护，但建议特殊情况下，佩戴过滤式防毒面具(半面罩)。眼睛防护：一般不需特殊防护。 身体防护：穿防静电工作服 手防护：戴一般作业防护手套。 其他防护：工作现场严禁吸烟。避免长期反复接触。进入罐、限制性空间或其它高浓度区作业，须有人监护。 泄漏消除所有点火源。根据气体的影响区域划定警戒区，无关人员从侧风、上风向撤离至安全区。建议应急处理人员戴正压自给式呼吸器，穿防静电服。作业时使用的所有设备应接地。禁止接
硅原料是从哪里提炼出来的 制备 工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 硅是地球上储量第二的化学元素，作为半导体材料，人们对它研究得最多、技术最成熟，而且晶硅性能稳定、无毒，因此成为太阳电池研究开发、生产和应用中的主体材料。但高纯度多晶硅在我国却十分短缺，绝大部分需要依赖进口。 高纯度硅在石英中提取，以单晶硅为例，提炼要经过以下过程：石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。 冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%，但半导体工业用硅还必须进行高度提纯。电子级硅的杂质含量约10^(-10)%以下。而在提纯过程中，有一项“三氯氢硅还原法(西门子法)”的关键技术我国还没有掌握，由于没有这项技术，我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。 事实上，我国每年都从石英石中提取大量的工业硅，以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国，而这些国家把工业硅加工成高纯度的晶体硅材料，以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。 新光硅业2001年在四川乐山投建，是我国第一条千吨多晶硅生产线，规划年产1260吨的多晶硅。 纯净的硅(Si)是从自然界中的石英矿石(主要成分二氧化硅)中提取出来的,分几步反应: 1.二氧化硅和炭粉在高温条件下反应,生成粗硅: SiO2+2C==Si(粗)+2CO 2.粗硅和氯气在高温条件下反应生成氯化硅: Si(粗)+2Cl2==SiCl4 3.氯化硅和氢气在高温条件下反应得到纯净硅: SiCl4+2H2==Si(纯)+4HCl 以上是硅的工业制法,在实验室中可以用以下方法制得较纯的硅: 1.将细砂粉(SiO2)和镁粉混合加热,制得粗硅: SiO2+2Mg==2MgO+Si(粗) 2.这些粗硅中往往含有镁,氧化镁和硅化镁,这些杂质可以用盐酸除去: Mg+2HCl==MgCl2+H2 MgO+2HCl==MgCl2+H2O Mg2Si+4HCl==2MgCl2+SiH4
氢气、氧气、乙炔、六氟化硫物理和化学特性培训 氢气 物理特性：在通常情况下，氢气是一种无色、无味、无嗅的气体。比空气轻，难溶于水，也难液化。具有最大的扩散速度和导热性，它的导热率比空气大7 倍。氢气在水中的溶解度很小。而在镍、钯、钼中的溶解度很大。一体积的钯能溶解几百体积的氢。氢的渗透性很强，在常温下，可透过橡皮和乳胶管，高温下可透过钯、镍、钢等金属薄膜。 化学特性：氢在常温下性质稳定，在点燃或加热条件下，能跟许多物质发生反应。1、氢气可燃性氢气在空气里燃烧，实质上与空气中的氧气发生反应，生成水，这一反应过程中有大量热放出。是相同条件下，汽油的3 倍。因此可用作高能燃料。不纯的氢气点燃时会发生爆炸。爆炸极限是：当空气中所含氢气的体积占混合体积的4%—74.2%时，点燃都会产生爆炸。当氢气的纯度达到74.2% 以上时，点燃只会发生燃烧，不会发生爆炸。2、氢气还原性氢气可以与氧化物发生反应，夺取氧化物中的氧。进行还原反应。因此氢气是还原剂具有还原性。 氧气 物理特性：在通常状况下，氧气是一种没有颜色、没有气味的气体。在标准状况下，氧气的密度是1.429g/L，比空气略大（空气的密度是1.293g/L）。它不易溶于水，1L水中只能溶解约30mL 氧气。液化温度为-183 摄氏度，液化后为淡蓝色液体，凝固后为雪花状淡蓝色固体。在压强为101kPa时，氧气在约-183℃时变为淡蓝色液体，在约-218℃时变成雪花状的淡蓝色固体。工业上使用的氧气，一般是加压贮存在钢瓶中。
化学特性：氧可以与除了稀有气体以外的所有其它元素直接化合。然而，在这些情况下氧的反应性有很大的差别。一些元素—-碱金属或碱土金属可以自燃。大多数元素在常温下不容易被氧化。碳必须加热才会着火。贵金属只有在非常高的温度下才会被氧化。借助石油燃料、煤和天然气的燃烧，可以产生热能、光能和电能。这些物质在温度低于1120℃(2050℉)的过量空气中燃烧时，生成的产品是二氧化碳、水、氮和未反应的氧在温度高于1650℃(3000℉)和所用的氧少于所需要的量时，还会生成氢和一氧化碳。在较低温度下，氧也可以与有机化合物反应，如由苯制酚，由萘生产苯酐，由烷烃制取各种醇、醛、酸和酮。氧在受到静电放电时能够转变为臭氧，但产率很低。 乙炔 物化性质：无色，略带乙醚气味，大多数市售商品因含有磷化氢、硫化氢和氨等杂质，而有蒜样臭气。相对密度1.175，凝点-81.8℃，蒸气密度0.9，微溶于水，溶于乙醇，易溶于丙酮。化学性质很活泼，能起加成反应和聚合反应。化学特性：极易着火、爆炸，闪点-32℃，自燃点305℃，气体能与空气形成爆炸性混合物，爆炸极限2.8%～81%；必须使乙炔溶解于丙酮和二基甲酰氨中，才能在高压下保持稳定，否则容易分解成氢和碳，产生爆炸。乙炔能与铜、银、汞等化合物生成爆炸性混合物。受撞击、摩擦或干状态下升温可导致强裂分解，并能与氟、氯发生爆炸性反应，遇热、明火和氧气化剂有着火、爆炸危险；有毒、麻醉作用，甚至引起昏迷，人吸入10%，轻度中毒反应，吸入20%显著缺氧、昏睡、发绀，吸入30%，动作不协调，步态蹒跚。通常危险性主要有爆炸性、燃烧性( 包括自燃性、遇湿易燃性)、氧化性、毒害性(包括中毒性、刺激性、麻醉性、致敏性、窒息性、致癌性等)、腐蚀性、放射性、高压气体
高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石（SiO2）和焦炭以一定比例混合，在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反应如下：SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可采用酸浸洗法，使杂质大部分溶解（有少数的碳化硅不溶）。其生产工艺过程是：将粗硅粉碎后，依次用盐酸、王水、（HF+H2SO4）混合酸处理，最后用蒸馏水洗至中性，烘干后可得含量为99.9%的工业粗硅。高纯多晶硅的制备方法很多，据布完全统计有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称硅铁，因为含铁较多）开始，首先制取既易提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的多晶硅目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。一般说来，由于三氯氢硅还原法具有一定优点，目前比较广泛的被应用。此外，由于SiH4具有易提纯的特点，因此硅烷热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原理。1. 三氯氢硅还原法（1）三氯氢硅的合成第一步：由硅石制取粗硅硅石（SiO2）和适量的焦炭混合，并在电炉内加热至1600~1800℃可制得纯度为95%~99%的粗硅。其反应式如下：SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑总反应式：SiO2+2C=Si+2CO（g）↑生成的硅由电炉底部放出，浇铸成锭。用此法生产的粗硅经酸处理后，其纯度可达到99.9%。第二步：三氯氢硅的合成三氯氢硅是由干燥的氯化氢气体和粗硅粉在合成炉中（250℃）进行合成的。其主要反应式如下：Si+3HCl=SiHCl3+H2（g）（2）三氯氢硅的提纯由合成炉中得到的三氯氢硅往往混有硼、磷、砷、铝等杂质，并且它们是有害杂质，对单晶硅质量影响极大，必须设法除去。近年来三氯氢硅的提纯方法发展很快，但由于精馏法工艺简单、操作方便，所以，目前工业上主要用精馏法。三氯氢硅精馏是利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯的。一般合成的三氯氢硅中常含有三氯化硼（BCl3）、三氯化磷（PCl3）、四氯化硅（SiCl4）、三氯化砷（AsCl3）、三氯化铝（Al2Cl3）等氯化物。其中绝大多数氯化物的沸点与三氯氢硅相差较大，因此通过精馏的方法就可以将这些杂质除去。但三氯化硼和三氯化磷的沸点与三氯氢硅相近，较难分离，故需采用高效精馏，以除去这两种杂质。精馏提纯的除硼效果有一定限度，所以工业上也采用除硼效果较好的络合物法。三氯氢硅沸点低，易燃易爆，全部操作要在低温下进行，一般操作环境温度不得超过25℃，并且整个过程严禁接触火星，以免发生爆炸性的燃烧。（3）三氯氢硅的氢还原提纯三氯氢硅和高纯氢混合后，通入1150℃还原炉内进行反应，即可得到硅，总的化学反应是：SiHCl3+H2=Si+3HCl 生成的高纯多晶硅淀积在多晶硅载体上。
● 总结归纳: 硫化氢的化学性质:强还原性(因为硫元素处于最低价) 弱酸性(水溶液是弱酸,有酸通性) 【作业布置】: 完成下列化学方程式,是氧化还原反应的标出电子转移 的方向和数目并指出氧化剂和还原剂. 1. 硫化氢完全燃烧 2. 硫化氢不完全燃烧 3. 硫化氢与二氧化硫混合 4. 硫化氢通入碘水 5. 硫化氢通入石蕊试液 6. 硫化氢通入硝酸铜溶液 【板书设计】: 一.硫化氢(H 2S) ● 实验室制法: 原理: FeS + H 2SO 4 == FeSO 4 + H 2S ↑ FeS + 2HCl == FeCl 2 + H 2S ↑ 装置: 与制氯化氢装置类似 1.物理性质: (1)无色、有臭鸡蛋气味的气体 (2)有毒 (3)能溶于水： H 2S 1:2.6 Cl 2 1:2 CO 2 1:1 2.化学性质： 实验 现象 原理 性质（实质） 1. 淡蓝色火焰 2H 2S + 3O 2 == 2SO 2 + 2H 2O 可燃性 S 2. 黄色固体粉末 2H 2S + O 2 == S + 2H 2O S S 3. 黄色固体生成 2H 2S + SO 2 == 3S ↓ + 2H 2O 表现强还原性 4. 褪色，溶液呈黄白浑浊H 2S + Br 2 == S ↓ + 2HBr （X 2） （2HX ） 5. 溶液变红色 H 2S == H + + HS - ; HS - == H + + S 2- 表现酸性 6. 产生黑色沉淀 H 2S + CuSO 4 == CuS ↓ + H 2SO 4 点燃 点燃 -2 +4 0
●硫化物溶解性的规律： K…………………Al Zn…………………Sn Pb……………………Ag 溶于水或不存在溶于酸不溶于水不溶于酸也不溶于水 （第二课时） ●引问：硫元素有多少种正价？它的氧化物有几种？今天重点学二氧化硫。 ●引言：二氧化碳的实验室制法利用了碳酸的分解，碳酸来源于碳酸盐与酸 的反应，二氧化硫的制法与之很相似，请问用什么来制取二氧化硫？ 反应装置如何？ ●讲解：二氧化硫的实验室制法：原理（用什么酸较好？硫酸要浓还是稀好？） 装置：与制氯化氢装置类似 ●师生活动：阅读课本内容，了解二氧化硫的物理性质，归纳回答，教师 评价和板书。 ●演示实验：1.二氧化硫通入石蕊试液 2.二氧化硫通入溴水 3.二氧化硫通入品红溶液，加热溶液 ●师生活动: 教师引导,学生讨论分析: 1.反应现象及反应原理 （1）.二氧化硫通入石蕊试液（亚硫酸的酸性，不褪色） 问：什么反应叫可逆反应？判断可逆反应的关键是什么？ 二氧化硫是什么氧化物？为什么？什么是酸酐？ （2）.二氧化硫通入溴水（还原性） 问：若通入氯水或碘水能否发生类似反应，为什么？ 说明二氧化硫具有什么化学性质？ 回忆二氧化硫与硫化氢的反应，二氧化硫表现什么性质？ 为什么二氧化硫既有氧化性又有还原性？ （3）.二氧化硫通入品红溶液，加热溶液（漂白性和不稳定性） 问：二氧化硫的漂白性与次氯酸的漂白性相同吗？有何区别？ 2.上述实验说明二氧化硫具有哪些化学性质? 3.为什么二氧化硫具有这些化学性质,其实质是什么? ●小结：二氧化硫的化学性质：（1）具有酸性氧化物的性质 （2）既有氧化性又有还原性 （3）有不稳定的漂白性
安全防护知识 化验工作中接触的化学药品，很多对人体是有毒的。它们对人体的毒害途径和程度各不相同，有些毒物可有几种途径进入人体，而有些毒物对人体的危害是慢性的、积累性的，因
A中毒与急救 一、毒物侵入的途径 毒物，是指某物质进入人的机体以后，能引起局部或整个机体功能发生疾病的物质。由毒物所引起的任何疾病现象，都称为中毒。 化学试剂中毒一般通过三个途径，引起不同症状的疾病。 1、通过呼吸道中毒：由呼吸道吸入有毒气体、粉尘、蒸汽、烟雾能引起呼吸系统中毒。这种形式的中毒是比较常见的，尤其是有机溶剂的蒸汽和化学反应中所产生的有毒气体。如乙醚、丙酮、甲苯等蒸汽和氰化氢（气体）、氯气、一氧化碳等。 2、通过消化道中毒：除误行吞服外，更多的情况是由于手上污染毒物，在吸烟、进食、饮水咽入消化系统而引起中毒。这类毒物多以剧毒的粉剂较为常见，如氰化物、砷化物、汞盐等。 3、通过触及皮肤中毒和五官粘膜受刺激：某些毒物接触及皮肤，或其蒸汽、烟雾、粉尘对眼、鼻、喉等的粘膜产生的刺激作用。如汞剂、苯胺类、硝基苯等，可通过皮肤黏膜吸收而中毒。氮的氧化物、二氧化碳、三氧化硫、挥发性酸类、氨水等，对皮肤粘膜和眼、鼻、喉粘膜刺激性都很大。 毒物从以上三个途径进入人的机体后，逐渐侵入血液系统直至遍及全身各部，引起更加危险的症状。特别是由消化系统侵入，通过门脉系统经肝脏进入血液，以及从呼吸道进入肺泡中被吸收都是比较迅速的。 二、中毒急救 在化验室里，如发生人身中毒，原则上应首先尽快派人或电话请医生，并报告有关领导或上级组织，同时采取急救措施。 在医生抢救之前，急救中毒的原则是尽量使毒物对人体不发生有害的作用，或者是将有害的作用尽量减少到最小程度。在送医院（或医生到来）之前应迅速查清中毒原因后，针对具体情况，采取以下具体措施进行急救。 1、呼吸系统中毒：如果是呼吸系统中毒，应迅速使中毒者离开现场，移到通风良好的环境，使中毒者呼吸新鲜空气。轻者，短时间内会自行好转；如有昏迷休克、虚脱或呼吸机能不全时，可人工协助呼吸，化验室如有氧气，可给予氧气，如可能，给予喝兴奋剂，如浓茶、咖啡等。 2、经由口服中毒：由口中服入毒物时，首先要立即进行洗胃，呕吐。常用的洗胃液是1:5000的高锰酸钾溶液（千万不要太浓，浓度过大会烧坏胃壁粘膜），或用肥皂水或者3~5%的碳酸氢钠（小苏打）溶液。洗胃要大量地喝，边喝边使之呕吐。最简单的催吐方法是用手指或木杆压舌根，或者给中毒者喝少量（15~25毫升，最多不超过50毫升）1%硫酸铜或硫酸锌溶液催吐剂。如果无洗胃液，可给予大量的温水喝，冲淡毒物并使之呕吐。洗胃要反复
硅二极管与锗二极管的区别主要如下： 在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。 2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快 4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。 5.当正向电压很小时，通过二极管的电流非常小，只有在正向电压达到一定值Ur后，电流才会显着增加。电压Ur通常被称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。 6.由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，因此硅二极管的阈值电压大于锗二极管的阈值电压。通常，硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0.2V。 二极管，指的是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向
偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。 2.早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。 3.在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。 4.早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。 5.由于半导体锗二极管在气液两相流中具有不同的传热能力，因而引起其温度发生变化，使二极管的正向输出电压也随之发生变化，利用二极管的这种特性制成低温液体液位计可达到精确测量和控制低温工质液而变化的目的。