硅二极管与锗二极管的区别主要如下：
在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。
2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同
3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快
4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。
5.当正向电压很小时，通过二极管的电流非常小，只有在正向电压达到一定值Ur后，电流才会显着增加。电压Ur通常被称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。
6.由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，因此硅二极管的阈值电压大于锗二极管的阈值电压。通常，硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0.2V。
二极管，指的是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向
偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
2.早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
3.在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
4.早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
5.由于半导体锗二极管在气液两相流中具有不同的传热能力，因而引起其温度发生变化，使二极管的正向输出电压也随之发生变化，利用二极管的这种特性制成低温液体液位计可达到精确测量和控制低温工质液而变化的目的。
齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数 齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。 齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值，不受附载电流或电源上电压变动影响。一般二极管之崩溃电压，在制作时可以随意加以控制，所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外，均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率，也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数. 齐纳二极管工作原理 齐纳二极管主要工作于逆向偏压区，在二极管工作于逆向偏压区时，当电压未达崩溃电压以前，二极管上并不会有电流产生，但当逆向电压达到崩溃电压时，每一微小电压的增加就会产生相当大的电流，此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压)，下图为齐纳二极管之电压电流曲线，可由此应证上述说明。 齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直
异质结发展现状及原理 pn结是组成集成电路的主要细胞。50年代pn结晶体管的发明和其后的发展奠定了这一划时代的技术革命的基础。pn 结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn 结的两边是用同一种材料做成的（例如锗、硅及砷化镓等），所以称之为“同质结”。如果把两种不同的半导体材料做成一块单晶，就称之为“异质结“。结两边的导电类型由掺杂来控制，掺杂类型相同的为“同型异质结”。掺杂类型不同的称为“异型异质结”。另外, 异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结, 当前人们研究较多的是突变型异质结。 1 异质结器件的发展过程 pn 结是组成集成电路的主要细胞,50 年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。 1947年12月, 肖克莱、巴丁和布拉顿三人发明点接触晶体管。1956年三人因 为发明晶体管对科学所做的杰出贡献, 共同获得了科学技术界的最高荣誉——诺贝尔物理学奖。 1949年肖克莱提出pn 结理论, 以此研究pn结的物理性质和晶体管的放大作用,这就是著名的晶体管放大效应。由于技术条件的限制, 当时未能制成pn 结型晶体管,直到1950年才试制出第一个pn结型晶体管。这种晶体管成功地克服了点接触型晶体管不稳定、噪声大、信号放大倍数小的缺点。 1957 年, 克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成异质结, 比同质 结具有更高的注入效率。 1962 年,Anderson 提出了异质结的理论模型, 他理想的假定两种半导体材料具有相同的晶体结构, 晶格常数和热膨胀系数, 基本说明了电流输运过程。
1968 年美国的贝尔实验室和苏联的约飞研究所都宣布做成了双异质结激光器。 1968 年美国的贝尔实验室和RCA公司以及苏联的约飞研究所都宣布做成了GaAs—AlxGal —。As 双异质结激光器l ；人5) ．他们选择了晶格失配很小的多元合金区溶体做异质结对． 在70 年代里，异质结的生长工艺技术取得了十分巨大的进展．液相夕随(LPE) 、气相外延(VPE)、金属有机化学气相沉积(MO—CVD)和分子束外延(MBE) 等先进的材料生长方法相继出现，因而使异质结的生长日趋完善。分子束外延不仅能生长出很完整的异质结界面，而且对异质结的组分、掺杂、各层厚度都能在原子量级的范围内精确控制。 2 异质结的结构、原理、 异型异质结两块导电类型不同相同的半导体材料组成异质结称为异型异质结，有pN 和Pn 两种情况，在这里只分析pN异质结。两种材料没有接触时各自的能带如图所示。接触以后由于费米能级不同而产生电荷转移，直到将费米能级拉平。这样就形成了势垒，但由于能带在界面上断续，势垒上将出现一个尖峰．如图3．2m。我们称这一模型为Anderson 模型。
实验原理 1、稳压二极管伏安特性描述 2CW56属硅半导体稳压二极管，其正向伏安特性类似于1N4007型二极管，其反向特性变化甚大。当2CW56二端电压反向偏置，其电阻值很大，反向电流极小，据手册资料称其值≤0.5A μ。随着反向偏置电压的进一步增加，大约到7－8.8V 时，出现了反向击穿（有意参杂而成），产生雪崩效应，其电流迅速增加，电压稍许变化，将引起电流巨大变化。只要在线路中，对“雪崩”产生的电流进行有效的限流措施，其电流有小许一些变化，二极管二端电压仍然是稳定的（变化很小）。这就是稳压二极管的使用基础，其应用电路见图3－1。图中，E —供电电源，如果二极管稳压值为7～8.8V ，则要求E 为10V 左右；R —限流电阻，2CW56，工作电流选择8mA ，考虑负载电流2 mA ， 通过R 的电流为10 mA ，计算R 值： R=I Vz E -=01.08 10-=200Ω C —电解电容，对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波。 V Z —稳压输出电压。 图3－1 稳压二极管应用电路
2、实验设计 图3－2 稳压二极管反向伏安特性测试电路 1)2CW56反向偏置0～7V左右时阻抗很大，拟采用电流表接测试电路为宜；反向偏置电压进入击穿段，稳压二极管阻较小（估计为R=8/0.008=1KΩ），这时拟采用电流表外接测试电路。结合图3－1，测试电路图见图3－2。 实验过程 电源电压调至零，按图3－2接线，开始按电流表接法，将电压表＋端接于电流表＋端；变阻器旋到1100Ω后，慢慢增加电源电压，记下电压表对应数据。 当观察到电流开始增加，并有迅速加快表现时，说明2CW56已开始进入反向击穿过程，这时将电流表改为外接式，按表3－1继续慢慢地将电源电压增加至10V。为了继续增加2CW56工作电流，可以逐步地减少变阻器电阻，为了得到整数电流值，可以辅助微调电源电压。 数据记录 2CW56稳压二极管正向伏安特性电流表U(V) 0 0.2 0.3 0.4 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.78
异质结双极型晶体管HBT研究背景及简介 1 HBT概述 2 HBT的发展 3 HBT的特点 4 HBT的电流传输原理 5 HBT的主要性能参数 电子信息材料产业的技术水平和发展规模，已经成为衡量一个国家经济发展状况、科技进步和国防实力的重要标志。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明以及硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并使人类进入了信息时代。而超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，则彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。 第一代半导体材料以硅为代表。硅是目前为止人们认识最全面、制造工艺水平最高的半导体材料。第二代半导体材料以低位错密度的垂直梯度凝固法(VGF)和水平(HB)方法生长的导电GaAs衬底材料为主。第三代半导体材料以宽禁带半导体材料为代表。其中GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。但是无论是从异质结材料体系设计和生长，器件性能提升，还是器件模型和模拟平台的建立上而言都还处于起步阶段，远未成熟，这其中既有大量的技术问题需要攻关，同时也有大量的基础科学问题亟待解决。 1 HBT概述 异质结双极晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor,简称(HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基区掺入Ge组分，通过减小能带宽度,从而使基区少子从发射区到基区跨越的势垒高度降低，从而提高发射效率γ, 因而，很大程度上提高了电流放大系数 。在满足一定的放大系数的前提下，基区可以重掺杂，并且可以做得较薄，这样就减少了载流子的基区渡越时间，从而提高器件的截止频率(Cut-Off Frequency)，这正是异质结在超高速，超高频器件中的优势所在。
硅二极管和锗二极管的主要区别如下： 在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。硅管的交流电阻小于锗管。 换言之，当正向电流达到0.2V时，有必要研究启动电压为0.2V的硅二极管。 三个。在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。开启后，锗管电流增加缓慢，而硅管电流增加较快 4硅二极管的反向电流远小于锗二极管。锗管为毫安级，硅管为纳米级。其原因是在相同的温度下，Si的Ni含量比Si高出约3个数量级。因此，在相同的掺杂浓度下，少量Si的含量远低于Nb的含量，因此硅晶体管的反向饱和电流很小。 5正向电压很小，流过二极管的电流很小。只有当正向电压达到一定值ur时，电流才会显著增加。电压ur通常称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。 6硅二极管的阈值电压高于锗二极管，因为硅二极管的阈值电压远小于锗二极管。一般来说，硅二极管的阈值电压约为0.5V～0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V～0.2V。 开发信息：
二极管是指一种电子元件，一种有两个电极的装置，只允许电流朝一个方向流动。它有很多用途，是它的校正功能的应用。可变二极管用作电子可调电容器。大多数二极管中的电流流向通常被称为“整流”。二极管最常见的功能是允许电流只沿一个方向通过（称为正向偏置），并防止电流反向（称为反向偏置）。因此，二极管可以看作是一个电子止回阀。 2早期的真空电子二极管，它是一种能在一个方向上传导电流的电子装置。在半导体二极管中，有一个PN结和两个引线端子。电子器件在施加电压的方向上具有单向导电性。一般来说，晶体二极管是由p型和n型半导体烧结而成的p-n结界面。 三个。在界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。当外加电压为零时，由于p-n结两侧载流子浓度的差异，扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，这也是正常的二极管特性。 早期的四种二极管包括“猫须”晶体和真空管（在英国称为“热阀”）。今天，大多数最流行的二极管使用半导体材料，如硅或锗。 5由于半导体锗二极管在气液两相流中的传热能力不同，二极管的温度会发生变化，二极管的正向输出电压也会随之变化。
薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析 第39卷第l期 2006年1月 天津大学学报 JournalofTianjinUniversity V01.39No.1 Jan.20o6 薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析 张世林,李建恒,郭维廉,齐海涛,梁惠来 (大津大学电子信息J程学院,天津300072) 摘要:采用分子束外延方法生长了8nln基区的InGaP—GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体 管.该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目.讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负 阻特性及其物理机制.器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应.推出了 物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型.模拟结果符合制作器件的测量结果. 关键词:异质结晶体管;负阻特性;薄堆区;电路模拟 中图分类号:TN43l文献标志码:A文章编号:0493—2l37(2006)01—010905 NegativeDifferentialResistanceCharacteristicand AnalysisofThinBaseHBT ZHANGShi—lin,LIJian—heng,GUOWei—lian,QIHal—tao,LIANGHui—lai (SchoolofElectronicInformationEngineering,TianjinUniversit~,Tianjin300072,China) Abstract:InGaP—GaAsthinbase(8nm)dualheterojunctionmaterialisgrownbvmolecularbeamexten sion (MBE),andaheterojunctionbipolartransistor(HBT)withnegativedifferentialresistance(NDR)chara cteris— tieisfabrieated.NDRHBTcanheintegratedinhighspeedandhighfrequencydigitallogiccirt?uit,thenu mber ofdevicescanbereducedgreatly.TheNDRcharacteristicandphysicalanalysisof’thinbaseHBTa repres en— ted.TheNDRcharacteristicofthisdeviceiScloselyrelativetoitsstructure.includingconduction})ands pike andbasewidthnegativefeedbackeffect.Thephysicalformulasaregivenandthecircuitmodelisfounded hy PSPICE.ThesimulatedresultiSclusetothemeasureoutcome. Keywords:heterojunctionbipolartransistor;negativedifferentialresistancecharacteristic;thinhase;ci rcuit Simt11atiOn 异质结晶体管(heterojunctionbipolartransistor,
硅二极管与锗二极管的区别主要如下： 在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。 2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快 4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。 5.当正向电压很小时，通过二极管的电流非常小，只有在正向电压达到一定值Ur后，电流才会显着增加。电压Ur通常被称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。 6.由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，因此硅二极管的阈值电压大于锗二极管的阈值电压。通常，硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0.2V。 二极管，指的是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向
偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。 2.早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。 3.在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。 4.早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。 5.由于半导体锗二极管在气液两相流中具有不同的传热能力，因而引起其温度发生变化，使二极管的正向输出电压也随之发生变化，利用二极管的这种特性制成低温液体液位计可达到精确测量和控制低温工质液而变化的目的。
硅管和锗管的区别 用万用表的电阻档X10，任何一对引脚间电阻。有且仅有一对之间是半通（指针在满度的一半或小于一半）的，其它的都不通或微通，就是好的，否则是坏的。 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性： 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管
淮海技师学院教案 编号：SHJD —508—14 版本号：A/0 流水号： 课题： §1.3.2 硅稳压二极管稳压电路 教学目的、要求： 1、熟悉硅稳压二极管的符号，理解其稳压原理 2、了解稳压二极管的参数 3、能阐述硅稳压二极管稳压电路的工作原理 教学重点： 1、稳压二极管的特性 2、稳压二极管稳压原理 教学难点： 授课方法： 讲授法 练习法 教学参考及教具（含电教设备）： 多媒体 黑板 板书设计： §1-3 硅稳压二极管稳压电路 一、硅稳压二极管正向特性 1．硅稳压二极管正向特性 与普通二极管类似，大于死区电压后导通，导通后为0.7 V 。 2．稳压——工作在反向击穿状态 二、稳压二极管的主要参数 三、硅稳压二极管稳压电路的工作原理 1．电路 整流→滤波→稳压 2、分析过程
教学过程 学生活动 学时分配 A ．复习 1．电容滤波器的工作原理。 电路形式、波形、输出电压 2．电感滤波器的作用。 3．二极管的单向导电性。 B ．引入 交流电网电压的波动和负载变化使输出直流电压不稳定，通常在电路中要有稳定输出电压的电路。 C ．新授课 1.3.2 硅稳压二极管稳压电路 一、硅稳压二极管正向特性 1．硅稳压二极管正向特性 与普通二极管类似，大于死区电压后导通，导通后为0.7 V 。 2．稳压——工作在反向击穿状态 （1）反向电压小于击穿电压，电流很小。 （2）反向电压增大到击穿电压V A 时，反向电流开始急剧增大， 产生电击穿。 （3）经特殊处理，只要反向电流小于它的最大允许值，管子仅为电击穿，外电压撤除后，可恢复，不损坏二极管。 （4）在击穿区内，反向电流的变化很大，但ΔV Z 很小。 （5）可近似认为稳定电压就是略大于击穿电压。 师生问好 （讲解） 2
常用稳压二极管型号及技术参数 2009-03-05 08:47 05Z6.2Y 硅稳压二极管Vz=6~6.35V, Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V, Pzm=500mW, 05Z13X 硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V, Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V, Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V, Pzm=500mW, 1N4001 硅整流二极管50V, 1A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=50A) 1N4002 硅整流二极管100V, 1A, 1N4003 硅整流二极管200V, 1A, 1N4004 硅整流二极管400V, 1A, 1N4005 硅整流二极管600V, 1A, 1N4006 硅整流二极管800V, 1A, 1N4007 硅整流二极管1000V, 1A, 1N4148 二极管75V, 4PF, Ir=25nA, Vf=1V, 1N5391 硅整流二极管50V, 1.5A,(Ir=10uA, Vf=1.4V, Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管100V, 1.5A, 1N5393 硅整流二极管200V, 1.5A, 1N5394 硅整流二极管300V, 1.5A, 1N5395 硅整流二极管400V, 1.5A, 1N5396 硅整流二极管500V, 1.5A, 1N5397 硅整流二极管600V, 1.5A, 1N5398 硅整流二极管800V, 1.5A, 1N5399 硅整流二极管1000V, 1.5A, 1N5400 硅整流二极管50V, 3A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=150A) 1N5401 硅整流二极管100V, 3A, 1N5402 硅整流二极管200V, 3A, 1N5403 硅整流二极管300V, 3A, 1N5404 硅整流二极管400V, 3A, 1N5405 硅整流二极管500V, 3A, 1N5406 硅整流二极管600V, 3A, 1N5407 硅整流二极管800V, 3A, 1N5408 硅整流二极管1000V, 3A, 1S1553 硅开关二极管70V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S1554 硅开关二极管55V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S1555 硅开关二极管35V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S2076 硅开关二极管35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2076A 硅开关二极管70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 60V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2471B 硅开关二极管90V, 150mA, 250mW, 3nS, 3PF, 450ma,
实验原理 1、稳压二极管伏安特性描述 2CW56属硅半导体稳压二极管，其正向伏安特性类似于1N4007型二极管，其反向特性变化甚大。当2CW56二端电压反向偏置，其电阻值很大，反向电流极小，据手册资料称其值≤0.5A μ。随着反向偏置电压的进一步增加，大约到7－8.8V 时，出现了反向击穿（有意参杂而成），产生雪崩效应，其电流迅速增加，电压稍许变化，将引起电流巨大变化。只要在线路中，对“雪崩”产生的电流进行有效的限流措施，其电流有小许一些变化，二极管二端电压仍然是稳定的（变化很小）。这就是稳压二极管的使用基础，其应用电路见图3－1。图中，E —供电电源，如果二极管稳压值为7～8.8V ，则要求E 为10V 左右；R —限流电阻，2CW56，工作电流选择8mA ，考虑负载电流2 mA ， 通过R 的电流为10 mA ，计算R 值： R=I Vz E -=01.0810-=200Ω C —电解电容，对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波。 V Z —稳压输出电压。 图3－1 稳压二极管应用电路 2、实验设计
图3－2 稳压二极管反向伏安特性测试电路 1)2CW56反向偏置0～7V左右时阻抗很大，拟采用电流表接测试电路为宜；反向偏置电 压进入击穿段，稳压二极管阻较小（估计为R=8/0.008=1KΩ），这时拟采用电流表外接测试电路。结合图3－1，测试电路图见图3－2。 实验过程 电源电压调至零，按图3－2接线，开始按电流表接法，将电压表＋端接于电流表＋端；变阻器旋到1100Ω后，慢慢增加电源电压，记下电压表对应数据。 当观察到电流开始增加，并有迅速加快表现时，说明2CW56已开始进入反向击穿过程，这时将电流表改为外接式，按表3－1继续慢慢地将电源电压增加至10V。为了继续增加2CW56工作电流，可以逐步地减少变阻器电阻，为了得到整数电流值，可以辅助微调电源电压。 数据记录
稳压二极管原理电路及应用 引言 二极管因用途不同而种类繁多。稳压二极管是其中的一种。我们知道晶体二极管具有单向导电的性能。正向连接时是导电的(在电路中，二极管的正极接电源的正极，二极管的负极接电源的负极)，反向连接是不导电的，只有很小很小的漏电流。但是如果给某些特定二极管反向电压逐渐加大到某一数值，二极管就会被击穿，这时二极管又开始反向导电。随着导电电流逐渐增大(只要电流不是增加到损坏二极管的程度)，二极管两端的电压却基本上保持不变，几乎恒定在二极管击穿的电压数值上。这就是二极管的反向击穿特性。利用这个特性，人们制成稳压二极管[1]。由于这种反向击穿特性能起稳压作用，所以在电路中稳压二极管必须反向连接，就是二极管的正极接电源的负极，二极管的负极接电源的正极。 1．稳压二极管的原理及电路 1.1稳压管的特性 稳压管的伏安特性曲线如图l所示。由图可见，反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小;当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然剧增，即稳压管反向击穿;此后，虽然电流在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小，这一特性便可用来稳压。稳压管与其他二极管不同的是，其反向击穿是可逆的。当反向电压去掉后，稳压管又恢复正常状态但是，如果反向电流超过允许值，稳压管的PN结也会因过热而损坏。由于硅管的热稳定性比锗管好，因此一般都用硅管做稳压二极管，例如2CW系列和2DW系列都是硅稳压二极管[2] 图1 硅稳压二极管伏安特性和符号 1.2 稳压管的主要参数 1.2.1 稳定电压U: 稳压管反向击穿后稳定工作时的电压值称为稳定电压，如2CW13型为5V一6.5V，具有温度补偿作用的2DW7A型稳压管为5.8V一6.6V。对于某只稳压管，其U Z是这个范围内的某一确定数值。因此在使用时，具体数值需要实际测试。 1.2.2 稳定电流I Z
稳压二极管参数大全 稳压二极管的主要参数 （1）稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。 （2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至 几瓦。 最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=V Z*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。 （3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax 稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
(4)动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小， 反映稳压管的击穿特性愈陡。 rz=△VZ/△IZ (5)稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ| ＞7 V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 稳压二极管1N992B 齐纳电压--Vz(Nom):200Vz取值为每一项时的齐纳电流--Iz：650μ最大功率--Pdmax:400m基准电压的容限率--Tol:5每10KΩ的温度系数--TempC11 齐纳电压--Vz(Nom):200 Vz取值为每一项时的齐纳电流--Iz：650μ 最大功率--Pdmax:400m 基准电压的容限率--Tol:5 每10KΩ的温度系数--TempC11
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什么是稳压二极管 稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:，稳压二极管是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。 稳压管的应用： 1、浪涌保护电路(如图2)：稳压管在准确的电压下击穿，这就使得它可作为限制或保护之元件来使用，因为各种电压的稳压二极管都可以得到，故对于这种应用特别适宜。图中的稳压二极管D是作为过压
保护器件。只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通。使继电 器J吸合负载RL就与电源分开。 2、电视机里的过压保护电路(如图3)：EC是电视机主供电压，当EC 电压过高时，D导通，三极管BG导通，其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平，通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护 状态。 3、电弧抑制电路如图4：在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话，当线圈在导通状态切断时，由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收，所以当开关断开时，开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比
硅、锗的性能特点及其应用自从1833年，法拉第最先发现硫化银的电阻随温度的变化情况不同于一般金属，即硫化银的电阻随温度的上升而降低，科学家们就开始了对于半导体的研究之路。 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，目前各种资料对半导体材料都不约而同的采用了类似于这种的定义。但我们要注意的是，导电性能只能是半导体材料的一个特点，我们更多关注的是其五大特性：掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度特性，整流特性。而硅和锗就是人们最早发现的半导体材料，又被公认为是第一代半导体材料，硅、锗在科学家们利用其半导体特性进行实际应用之前，应用都很有限。早期的半导体材料是用锗的，那时候硅的提纯技术还不够成熟。直至后来硅的提纯工艺成熟以后，不仅集成电路大量的采用了硅材料，而且硅集成电路得到了良好的发展。 直至21世纪的今天，硅还是集成电路产业的支柱，而锗的应用似乎就少一些。是什么原因导致了硅和锗如此巨大的差别呢？我们从两种材料的指标来分析。 首先是两种材料的储量有很大差距。目前，全世界已探明的锗保有储量约为8600 金属吨，而世界已查明的黄金储量约为8.9 万吨，也就是说锗储量甚至比大家公认的以稀少著称贵金属黄金还要稀少。而硅的储量处于地壳元素储量的第二位，广袤的沙漠，沙子给集成电路产业提供了充足且廉价的原料。 硅的界面特性更适合。硅与二氧化硅的界面性质良好，和别的半导体材料的相应的氧化层的界面相比，硅/二氧化硅的界面堪称完美。界面缺陷随着技术的进步也控制的越来越好。同时二氧化硅可以作为杂质注入时候的遮蔽层，可以有效的阻挡磷元素和硼元素等。另一个原因是二氧化硅是非常稳定的绝缘体材料，而二氧化锗不仅高温不稳定而且还会溶于水，而