一、填空题
1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、
光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。
15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、
丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释
1、芯片的引线键合技术(3种)
是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上
而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。2、陶瓷封装
陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar 或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。
3、共晶
是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。
4、封装的层次
集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
5、可靠性工程
可靠性则是对封装的可靠性相关参数的测试。产品的可靠性即产品可靠度的性能，具体表现在产品使用时是否容易出故障，产品使用寿命是否合理等。
6、再流焊接技术
再流焊接是预先在PCB焊接部位(焊盘)施放适量和适当形式的焊料，然后贴放表面组装元器件，经固化后，再利用外部热源使焊料再次流动达到焊接目的的一种成组或逐点焊接工艺。
7、3D封装
是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)
及SDRAM的叠层封装。
8、切筋
是指切除框架外引脚之间的堤坝及在框架带上连在一起的地方。
9、气密性封装
是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。
10、顺型涂封
顺型涂封的原料一般为液状树脂，将组装完成的印制电路板表面清洗干净后，以喷洒或沉浸的方法将树脂原料均匀地涂上，再经适当的烘烤热处理或紫外处理后即成为保护涂层。
11、封装可靠性工程
芯片封装流程完成后，封装厂会对产品进行可靠性的测试，可靠性检测是检测产品“未来”的质量，包括预处理、温度循环测试、热冲击、高温储藏、温度和湿度、高压蒸煮。
12、生胚片
将各种无机和有机材料混合后，经一定时间的球磨后即称为浆料。也称为生胚片载体系统，陶瓷管壳的基板是有多层生胚片采用低温共烧技术连接在一起的。
13、柯肯达尔空洞
是指线材、键合点金属与金属间化合物之间的两种扩散速率不同的金属在扩散过程中会形成缺陷
，产生空洞。
14、墓碑效应
小型片状之表面黏装零件，因其两端之金属封头与板面焊垫之间，在焊锡性上可能有差异存在或者是两端散热的速率不同导致焊锡的固化速率不同。经过红外线或热风熔焊后，偶尔会出现一端焊牢而另一端被拉起的浮开现象，特称为墓碑效应。
15、转移成型技术
将将芯片与引线框放在模具中，加热塑封预成型块并放入转移罐，将其压入浇道通过浇口进入模腔，然后快速固化到一定硬度，用塑料将芯片与引线框架包装起来。
16、应力消除
芯片切割之前需要对芯片进行减薄处理，并且经过减薄以后的芯片其后表面的裂纹会在此步骤中去除掉，芯片的强度也会增加（应力消除），可用干式抛光、化学研磨液、湿式刻蚀发、干式刻蚀发。
三、问答题
1、详细描述狭义芯片封装的工艺流程及其每一步所实现的作用。
工艺流程：为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
作用：为IC芯片提供机械支撑和环境保护、接通半导体芯片的电流通路、提供信号的输入和输出通路、提供热通路，散逸半导体芯片产生的热
。
2、在芯片的组装过程中，常常运用到各种不同的焊接技术，详细叙述波峰焊技术和再波峰焊技术的工艺流程并比较其应用范围。
工艺流程：波峰焊技术：准备，元件插装，喷涂钎剂，预热，波峰焊，冷却，清洗再波峰焊技术：印刷焊锡膏与pcb通孔焊盘，放置插装件，再流焊接。
应用范围：一般情况下，波峰焊用于混合组装方式，再流焊用于全表面贴装方式
3、在芯片的制造过程中首先需要对芯片进行减薄与切割，详细叙述芯片切割的几种方式与以及他们的工艺流程。
芯片切割方式：机械式切割，激光式切割，隐形式切割
工艺流程：机械式切割:用机械的方式对晶圆进行切割以DBG为例，DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行切割再减薄激光式切割：以激光全切割为例，将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进行全切割。晶片已经分离成了芯片，所以就可以从芯片间照射激光，只将DAF切割隐形式切割：是将激光聚光与工件内部，在工件内部形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法
4、WLP（Wafer Level Package）封装的定义是什么？试描述它的结构以及它的制造工艺流程。
WLP是晶圆级封装以BGA技术为基础，直接在晶圆上进行大多数或是全部的封装测试程序，之后再进行切割制成单颗组件
包括两个基本工艺：1.薄膜再分布技术工艺流程：a.在IC芯片上涂覆金属布线层介质材料 b.淀积金属薄膜并用光刻方法制备金属导线和所连接的凸点焊区 c.在凸点焊区淀积UBM d.在UBM上制作凸点 2.凸点的制作可以通过应用预测焊球、丝网印刷或电化学淀积的方法制作。
5、简述集成电路狭义封装的流程。
工艺流程：为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码
6、在电子产品的生产过程中常用到表面贴装技术，是简述表面贴装技术的组装方式有哪些。
1、单面混合组装：先贴法、后贴法
2、双面混合组装：SMC/SMD 和THC同侧方式、SMC/SMD和THC不同侧方式
3、全表面组装：单面表面组装、双面表面组装。
7、集成电路封装中，经常会用到金属凸点的制作工艺，如倒装芯片封装、微小模塑封封装等，试描述金属凸点的工艺流程及其所实现的功能（包括了多金属层的制作以及凸点的制作）。
凸点形成办法：蒸镀焊料凸点,电镀焊料凸点,印刷焊料凸点,钉头焊料凸点放球凸点焊料转移凸, 蒸镀凸点。以蒸镀凸点为例，
蒸镀凸点工艺流程：1、现场对硅片溅射清洗（a）在沉积金属前去除氧化物或者照相掩膜。同时使得硅片钝化层以及焊盘表面粗糙以提高对UBM的结合力2、金属掩膜：常常用带图样的钼金属掩膜来覆
盖硅片以利于UBM以及凸点金属的沉积。金属掩膜组件一般由背板、弹簧、金属模板以及夹子等构成。硅片被夹在背板与金属模板之间，然后通过手动对位，对位公差可控制在25nm 3、UBM蒸镀（b）然后按顺序蒸镀Cr层、CrCu层、Cu层以及Au层 4、焊料蒸镀（c）在UBM表面蒸镀一层97Pb/Sn或95Pb/Sn。厚度约为100-125nm。形成一个圆锥台形状
。
8、CSP（Chip Size Package）封装的几种实现形式与其制造工艺流程是什么？试对其进行简要的描述。
CSP是芯片尺寸封装，是封装外壳的尺寸不超过裸芯片尺寸1.2倍的一种先进封装形式（特点：封装尺寸小，可满足高密封装；电学性能优良；测试、筛选、老化容易；散热性能优良；内无需填料；制造工艺、设备的兼容性好）
实现形式：刚性基板封装、柔性基板封装、引线框架CSP封装、晶圆级CSP封装、薄膜型CSP封装。
工艺流程：芯片制造、芯片测试、金属化、光刻、腐蚀、除抗蚀剂、聚酰亚胺保护层、光刻、聚酰亚胺图形、除抗蚀剂、聚酰亚胺固化、切割、安装焊球。
9、详细描述芯片切割的方法和种类，如激光切割、DAF等技术。
芯片切割方式：机械式切割，激光式切割，隐形式切割
工艺流程：机械式切割:用机械的方式对晶圆进行切割以DBG为例，DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行切割再减薄激光式切割：以激光全切割为例，将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进行全切割。晶片已经分离成了芯片，所以就可以从芯片间照射激光，只将DAF切割
隐形式切割：是将激光聚光与工件内部，在工件内部形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法
10、详细叙述SMT贴片机的构成，和每个组件的作用。
11、什么是气密性封装，常见的气密性封装形式有哪些，工艺流程是怎样的。
气密性封装：是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装常见的气密性封装形式：金属封装、陶瓷封装、玻璃封装以瓷封装为例，工艺流程：引脚/基板黏结、芯片黏结、打线键合、基板/封盖黏结、引脚镀锡、引脚切割成型。
12、3D多芯片封装的概念是什么，如何实现，封装的设计难点在哪。
3D的概念：是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。
封装两种方法实现：封装内的裸芯片对叠；封装内的封装堆叠或称为封装堆叠
封装的设计难点：在于芯片的减薄和芯片的堆叠
如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！
名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试： 16.即温度循环测试。 17.T/S 测试： 18.测试封装体抗热冲击的 能力。 19.TH测试： 20.是测试封装在高温潮湿 环境下的耐久性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿 环境能力的测试。 23.HTS测试： 24.是测试封装体长时间暴 露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长 时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电 路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过 程，测试产品的可靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因 为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触 从而产生短路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印 刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器 件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将 贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传 送带上。 1
毕业设计（论文）集成电路封装与测试
摘要 IC封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常强的新型高科技学科。 媒介传输与检测是CPU封装中一个重要环节，检测CPU物理性能的好坏，直接影响到产品的质量。本文简单介绍了工艺流程，机器的构造及其常见问题。 关键词：封装媒介传输与检测工艺流程机器构造常见问题
Abstract IC packaging is a challenging and attractive field. It is the integrated circuit chip production after the completion of an indispensable process to work together is a bridge device to the system. Packaging of the production of microelectronic products, quality and competitiveness have a great impact. Under the current popular view of the international community believe that the overall cost of microelectronic devices, the design of a third, accounting for one third of chip production, packaging and testing and also accounted for a third, it is There are one-third of the world. Packaging research at the global level of development is so rapid, and it faces the challenges and opportunities since the advent of electronic products has never been encountered before; package the issues involved as many as broad, but also in many other fields rare, it needs to process from the material, from inorganic to polymers, from the calculation of large-scale production equipment and so many seem to have no mechanical connection of the concerted efforts of the experts is a very strong comprehensive new high-tech subjects . Media transmission and detection CPU package is an important part of testing the physical properties of the mixed CPU, a direct impact on product quality. This paper describes a simple process, the structure of the machine and its common problems. Keyword: Packaging Media transmission and detection Technology process Construction machinery Frequently Asked Questions
集成电路封装考试答案 https://www.doczj.com/doc/493362040.html,work Information Technology Company.2020YEAR
名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯 片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基 板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀 和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复 合材料基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固 体）的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试： 16.即温度循环测试。17.T/S 测试： 18.测试封装体抗热冲击的能力。 19.TH测试： 20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久 性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测 试。 23.HTS测试： 24.是测试封装体长时间暴露在高温环境 下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过程，测试产品的 可靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因为金线偏移量 过大造成相邻的金线相互接触从而产生短 路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印 制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
UESTC-Ning Ning 1 Chapter 2 Chip Level Interconnection 宁宁 芯片互连技术 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 2 Wafer In Wafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆) Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬) Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型) Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装) 典型的IC 封装工艺流程 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 3 ? 电子级硅所含的硅的纯度很高，可达99.9999 99999 % ? 中德电子材料公司制作的晶棒( 长度达一公尺，重量超过一百公斤 )
UESTC-Ning Ning 4 Wafer Back Grinding ?Purpose The wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process. ?Process Methods: 1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光 )
一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、
光刻工艺。 10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上
ATE solutions to 3D-IC test challenges The rea diness of Advantest’s V93000 Scott Chesnut scott.chesnut@https://www.doczj.com/doc/493362040.html, Robert Smith robert.j.smith@https://www.doczj.com/doc/493362040.html, Florent Cros florent.cros@https://www.doczj.com/doc/493362040.html, Lakshmikanth Namburi lakshmikanth.namburi@https://www.doczj.com/doc/493362040.html, Advantest America San Jose, California USA Abstract—Three dimensional integrated circuits (3D-IC) require that automatic test equipment develop capability to address the challenges brought on by these structures. Such capability is found in test solutions which provide multiple clock domains, granular hardware porting per 3DIC layer, powerful test languages to control this hardware and collaborative software development environments. Advantest’s introduction of clock domain per pin, multi-port, concurrent test, and protocol aware software, MEMS probes, and SmarTest program manager address the test challenges of 3DIC in an effective effectively. They allow production solutions to be architected to the degree of granularity required by the development teams. Keywords—Protocol aware, Clock domain per pin, multi-port hardware, concurrent test framework, Protocol aware, SmarTest program manager, PLL Keep Alive, 3DIC TSV, 25uM pitch, MEMS Probes, ATE, BIST, JTAG, Pico Ampere Meter, interposer, spatial translation, MEMS, planarity, probes, cantilever, beam. I.I NTRODUCTION 3D chips are multi-system entities whose test challenges dwarf those presented by yesterday’s System in a Package (SiP) and/or System On a Chip (SOC). Substantial infrastructure must be readied in order to position any Automatic Test Equipment (ATE) to succeed in a production test environment. A good approach to understanding what the real challenges are would be to eliminate those with already known solutions. Past efforts to reduce test time, increase test coverage, and coordinate the software efforts of large groups of test engineers have solved 2D related production test problems. While these solutions had been developed for reasons other than 3DIC/TSV production test, we find they may lend themselves well to the task. Many of the perceived 3DIC/TSV test problems actually already have solutions. What follows is a description of how the existing features of Advantest’s V93000 might address many of these challenges. A.Test Program Software Maintenance – SmarTest Program Manager. Historically, a chip had one function. As more functions where added they became systems on a chip and then the migration to system in a package occurred. 3DIC systems in a stack add even greater complexity. Whether 3D stacks are assembled from Known Good Die (KGD) or Pretty Good Die (PGD) it can be assumed that “some” level of test will occur at both the chip level and then the stack level. Without assurance that chip layers are somewhat functional, a single layer’s defect can result with failing of the entire stack. Test costs become prohibitive as many good die are lost due to a single bad layer. Testing die before and after stack assembly requires use of variations of the same test program. One program version is used for the single die, another for the assembled stack. This is because test at the chip level will target its subcomponents while test at the stack level will exercise mission mode system level performance. It is likely that the same program be used for both activities with the difference being in how it perceives its current purpose. That is, a well architected test program can receive instructions from an operator or prober/handler and branch into chip or stack level test. Whether testing PGD, KGD, on the chip or stack level, use of the same program to test both reduces the correlation burden between chip test and assembled stack test. Proper maintenance of these program variations will require tighter book keeping than in the past. 3D structures, being built from multiple separate chip layers have associated with them legions of test, product and design engineers responsible for performance of each layer. Large groups of people who, while in the past never had reason to collaborate, in the future will find it absolutely necessary. Since each layer represents man years of test development effort, the test programs of each engineering group will have
1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？ 集成电路的发展过程: ?小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) ?中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) ?大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) ?超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) ?特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) ?巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 划分集成电路规模的标准 2．超大规模集成电路有哪些优点？ 1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少. 2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗 芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降. 4. 简化逻辑电路 芯片内部电路受干扰小,电路可简化. 5.优越的可靠性 采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。 6.体积小重量轻 7.缩短电子产品的设计和组装周期 一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度. 3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。 1、形成N阱 2、形成P阱 3、推阱 4、形成场隔离区 5、形成多晶硅栅 6、形成硅化物 7、形成N管源漏区 8、形成P管源漏区 9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺 4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？ 互连线的要求 低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化） 与器件之间的接触电阻低 长期可靠工作 可能的互连线材料 金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）
集成电路封装与系统测试课程实验报告电子、集成专业 （2014—2015学年第一学期） 课程名称集成电路封装与系统测试 课程类别□必修□√限选 班级 学号 姓名 任课教师 考试日期
目录 一、实验目的......................................................... - 2 - 二、实验原理......................................................... - 2 - BC3199集成电路测试系统简介 ..................................... - 2 -测试电路原理图................................................... - 3 -测试参数分析..................................................... - 3 -测量输出电压Vo ............................................. - 3 - 测量电源电压调整率.......................................... - 4 - 测量负载电压调整率.......................................... - 4 - 三、实验设备......................................................... - 4 - 四、实验步骤......................................................... - 4 - 焊制电路板...................................................... - 4 -建立LM7805测试程序............................................. - 5 -测试数据及结果.................................................. - 5 - 五、实验结论......................................................... - 6 - 六、心得体会......................................................... - 6 -附录：............................................................... - 7 -
. 名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 3.芯片互联： 将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 4.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 5.可润湿性： 指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 6.印制电路板： 为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 7.气密性封装： 是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。 8.可靠性封装： 是对封装的可靠性相关参数的测试。9.T/C测试： 即温度循环测试。 10.T/S 测试： 测试封装体抗热冲击的能力。 11.TH测试： 是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。 12.PC测试： 是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。 13.HTS测试： 是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高 温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。 14.Precon测试： 模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。 15.金线偏移： 集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。 16.再流焊： 先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制 板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件 分印制板放在再流焊设备的传送带上。
1、引线键合技术的分类及结构特点？ 答： 1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压 焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引 力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。 2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量， 通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅 杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。于是，劈刀 就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅 速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。这种形变也破坏了Al层界面的氧 化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固 的焊接。 3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。这是由于它操作方 便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。现代的金丝球焊机往往 还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。可实 现微机控制下的高速自动化焊接。因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、 小功率晶体管的焊接。 2、载带自动焊的分类及结构特点？ 答：TAB按其结构和形状可分为 Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um， Cu-PI双层带 Cu-粘接剂-PI三层带 Cu-PI-Cu双金属 3、载带自动焊的关键技术有哪些？ 答：TAB的关键技术主要包括三个部分： 一是芯片凸点的制作技术； 二是TAB载带的制作技术； 三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ） 4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？ 答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点； 电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。 印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可用Au 丝线或者Pb 基的丝线。 化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。
得分评分人 得分评分人 得分 评分人 《集成电路封装与测试技术》考试试卷 班级: 学号 姓名 一 一、填空题（每空格1分 共18分） 1、封装工艺属于集成电路制造工艺的 工序。 2、按照器件与电路板互连方式，封装可分为引脚插入型（PTH ）和 两大类。 3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为 材料。 4、 技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。 5、在芯片贴装工艺中要求：己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小要 。 6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。一个12,7mm 见方的芯片， 分钟可完全充满缝隙，用料大约0,031mL 。 7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于 的毛刺。 8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制作 。 9、能级之间电位差越大，噪声越 。 10、薄膜电路的顶层材料一般是 。 11、薄膜混合电路中优选 作为导体材料。 12、薄膜工艺比厚膜工艺成本 。 13、导电胶是 与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。 14、绿色和平组织的使命是： 。 15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时，铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点 。 16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板，它通常被归类于 层次的电子封装技术 17、印制电路板通常以 而制成。 18、IC 芯片完成与印制电路板的模块封装后，除了焊接点、指状结合点、开关等位置外，为了使成品表面不会受到外来环境因素，通常要在表面进行 处理。 二、选择题（每题2分 共22分） 1、TAB 技术中使用（ ）线而不使用线，从而改善器件的热耗散性能。 A 、铝 B 、铜 C 、金 D 、银 2、陶瓷封装基板的主要成分有（ ） A 、金属 B 、陶瓷 C 、玻璃 D 、高分子塑料 3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列（DIP ）封装，前者适合于高可靠性的元器件制作，后者适合于低成本元器件大量生产”，这句话说法是（ ）。 A 、 正确 B 、错误 4、在芯片切割工序中，（ ）方法不仅能去除硅片背面研磨损伤，而且能除去芯片引起的微裂和凹槽，大大增强了芯片的抗碎裂能力。 A 、 DBT 法 B 、DBG 法 5、玻璃胶粘贴法比导电胶的贴贴法的粘贴温度要（ ）。 A 、低 B 、高 6、打线键合适用引脚数为（ ） A 、3-257 B 、12-600 C 、6-16000 7、最为常用的封装方式是（ ） A 、塑料封装 B 、金属封装 C 、陶瓷封装 8、插孔式PTH(plated through-hole 镀金属通孔)封装型元器件通常采用（ ）方法进行装配。 A 、波峰焊 B 、回流焊 9、相同成分和电压应力下，长电阻较之短电阻电位漂移要（ ） A 、小 B 、大 10、金属的电阻噪比半导体材料电子噪声（ ） 。 A 、高 B 、低 11、（ ）技术适合于高密度和高频率环境 A 、厚膜技术 B 、薄膜技术
集成电路封装与系统测试课程实验报告 电子、集成专业 （2014—2015学年第一学期） 课程名称集成电路封装与系统测试 课程类别□必修□√限选 班级 学号 姓名 任课教师 考试日期
目录 一、实验目的.............................................................................................................................. - 2 - 二、实验原理.............................................................................................................................. - 2 - 2.1 BC3199集成电路测试系统简介.................................................................................. - 2 - 2.2测试电路原理图............................................................................................................ - 3 - 2.3测试参数分析............................................................................................................... - 3 - 2.3.1 测量输出电压Vo............................................................................................. - 3 - 2.3.2 测量电源电压调整率...................................................................................... - 4 - 2.3.3 测量负载电压调整率...................................................................................... - 4 - 三、实验设备.............................................................................................................................. - 4 - 四、实验步骤.............................................................................................................................. - 4 - 4.1 焊制电路板................................................................................................................... - 4 - 4.2 建立LM7805测试程序............................................................................................... - 5 - 4.3 测试数据及结果.......................................................................................................... - 5 - 五、实验结论.............................................................................................................................. - 6 - 六、心得体会................................................................................................... 错误!未定义书签。附录：.......................................................................................................................................... - 6 -
16.即温度循环测试。 名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC 芯片固定于封装基板或引 脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O 引线或基板 上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续 的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料 基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的 侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 17.T/S 测试：18.测试封装体抗热冲击的能力。 19.TH 测试： 20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐 久性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测 试。 23.HTS 测试： 24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下 的耐久性实验。封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过程，测试产品的可 靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因为金线偏移量过 大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制 板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。 简答： 1. 芯片封装实现了那些功能？ 15.T/C 测试：
1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶 体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺 寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极 所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和 的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12吋(300mm)，正在向18吋(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶 体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部 接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯 片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 2集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs 以 及InP 等；绝缘体材料，如SiO2、SiON 和Si3N4 等；金属材料， 如铝、金、钨以及铜等。
4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。