第十四章二极管和晶体管
第十四章 二极管和晶体管
一、本章提要
介绍二极管和晶体管的基本结构、工作原理、特性和参数，PN结的构成是各种半导体器件的共同基础。此外本章还介绍了稳压管和几种光电器件。
二、本章课时安排
章节序号及名称主要内容学时分配本章总学时
14.1半导体的导电特性介绍本征半导体、杂质半导体、N型半导体和P
型半导体的基本概念。
1学时
14.2 PN结及其单向导电性1 PN结的构成；
2 PN结的单向导电性。
0.5学时
14.3 二极管二极管的结构、伏安特性和参数。 0.5学时14.4 稳压二极管
稳压管的工作原理、伏安特性和主要参数。 0.5学时14.5 晶体管晶体管的基本结构、电流分配和放大原理、伏安
特性和主要参数。
1学时
14.6 光电器件
光电器件：发光二极管、光电二极管和光电晶体
管。
0.5学时
4学时 14.1 半导体的导电特性
一、相关内容回顾
自1948年第一个晶体管问世以来，半导体技术有了飞跃的发展由于半导体器件具有重量轻、体积小、耗电少、寿命长、，工作可靠等突出优点，在现代工业、现代农业、现代国防和现代科学技术中获得了广泛的应用。
导体二极管和三极管是最常用的半导体器件，虽然在物理课中有所了解，但为了理论的系统化、我们还要从讨论半导体的导电特性和PN结的基本原理(特别是它的单向导电性)开始。因为PN结是构成各种半导体器件的共同基础，了解二极管和三极管的基本结构，工作原理、特性和参数，是学习电子技术和分析电子电路必不可少的基础。
二、重点及难点
1.教学重点：
(1)本征半导体与杂质半导体的概念；
(2)N型半导体和P型半导体的概念。
2.教学难点：
(1)本征半导体和杂质半导体的特点和导电机理；
(2)杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种，它们的特点和导电机理。
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第十四章二极管和晶体管
三、主要内容
1．学时分配
小节标号
及标题
详细内容学时分配学时总数
14.1.1本征半导
体本征半导体为完全纯净的、具有晶体结构的半
导体，最常见的为硅和锗。
0.5学时
14.1.2 N型半导体和P型半导体N型半导体和P型半导体的结构、特点、导电
机理。0.5学时
1学时
2．授课内容概述：
半导体材料的导电机理与金属导体不同，在受到外部能量激发时，晶体共价键结构中的价电子挣脱束缚，产生自由电子和空穴。纯净的啊、半导体中，电子和空穴的数目相等。电子和空穴都可以参与导电，是半导体材料的载流子。电子空穴对的数量受环境温度影响很大，是影响半导体器件温度稳定性的主要原因。
3．具体授课内容
半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间
如：硅、锗、硒的（绝）大多数金属氧化物和硫化物。
通常导体制做导线，绝缘体做绝缘鞋、导线等。
很多半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，利用它对温度、光照和某些气味的反映做成热敏、光敏、气敏元件。
更重要的是，如果在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，它的导电能力就可增加几十万乃至几百万倍。原因在于半导体的特殊结构－－晶体结构(晶体管名称的由来)。
14.1.1、本征半导体
本征半导体——纯净的没有结构缺陷的半导体单晶(晶格取向完全一致)(无杂质)
用得最多的半导体是硅(原子序数是14)和锗(32)，都是四价元素，即有4个价电子。
在本征半导体的晶体结构中每一个原子与相邻的四个原子结合，每一原子的一个价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对，这对价电子是每两个相邻原子共有的(共有化运动)它们把相邻的原子结合在一起，构成所谓共价键的结构。
在共价键结构中，原子最外层虽然具有八个电子而处于较为稳定的状态，但是共价键中的电子还不象绝缘体中的价电子被束缚得那么紧。在获得一定能量(温度、光照)后，即可挣脱原子核的束缚(受激发)成为自由电子。温度越高自由电子越多。这样共价键中就留下一个空位，称为空穴，原子的中性便被破坏。而带正电，在外电场的作用下，可以吸引相邻原子中的价电子，填补这个空穴……如此下去，就好象空穴在运动(剧场)，也有复合现象。
因此，当半导体两端加上电压时，将出现
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第十四章二极管和晶体管
两部分电流：
电子电流————自由电子作定向运动
空穴电流———— 价电子递补空穴
与金属导体在导电原理上的区别。电子和空穴称为载流子
自由电子和空穴是成对出现的，又不断复合，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡。于是半导体中的载流子便维持一定数目，温度越高载流子数目越多，导电性能也就好。故温度对半导体器件性能影响很大。
本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数量极小导电能力仍然很低，如果在其中掺入微量的杂质(某种元素)这将使掺杂后的半导体——杂质半导体的导电性能大大增强。
根据掺入杂质的不同，杂质导体可分为两大类：
14.1.2、N型半导体(电子半导体) 和P型半导体(空穴半导体)
在本征半导体导体中掺入五价元素(磷、P、砷、锑)，如图硅中掺磷。
由于掺入硅晶体的磷原子数比硅原子数少得多，因此整个晶体结构基本不变，只是某些位置上的硅原子被磷原子取代，磷原子参加共价键结构只需四个价电子，多余的第五个价电子很容易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子。于是半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式。掺杂后成为N型半导体其自由电子数目可增加几十万倍。由于自由电子增多而增加了复合的机会，空穴数目便减少，故在N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
在本征半导体中掺入三价元素(硼B、铝、)如硅中掺硼，硼原子只有三个价电子。构成共价键时，因缺少一个电子而形成一个空穴。这样，在半导体中就形成了大量空穴，以空穴导电作为主要导电方式，故在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
四、小结
这一节我们主要讲了以下几方面的内容，需要同学们掌握：
1本征半导体和杂质半导体；
2 N型半导体和P型半导体。
五、课上思考题
书后练习与思考 14.1.1、14.1.2、14.1.3
六、教师课后体会
这节课同学们听得很认真，很多同学表现了极大的兴趣，回答问题时有独特见解。总体上讲，本课的掌握情况较好。
但由于半导体内部原子结构和载流子运动比较抽象，学生理解起来还是有一点难度，所以结合多媒体动画的手段进行启发引导，有助于学生理解半导体原子结构和其内部的载流子运动。
14.2 PN结及其单向导电性
14.3 二极管
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第十四章二极管和晶体管
一、重点内容回顾
上节课主要内容：1本征半导体和杂质半导体；2 N型半导体和P型半导体。
二、引入新课
上节课我们介绍了半导体、本征半导体、杂志半导体、N型半导体、P型半导体的概念和结构特点等。N型半导体和P型半导体是构成二极管和晶体管的基本元素，所以本节我们将介绍由N型半导体和P型半导体构成的PN结，而PN结正是制作二极管的基础。
三、重点及难点
1.教学重点：
1 PN结的构成；
2 PN结的单向导电性。
3二极管的结构、伏安特性和参数。
2.教学难点：
1 PN结形成过程中其内部的载流子运动。
2 PN结的单向导电性形成的原因。
3正向偏置和反向偏置的概念。
4 二极管的伏安特性曲线：死区电压、反向击穿电压。
四、主要内容
1．学时分配
小节标号及标题详细内容学时分配
学时总
数
14.2 PN结及其单向导电性1 PN结的构成；
2 PN结的单向导电性。
0.5学时
14.3 二极管二极管的结构、伏安特性和参数。 0.5学时
1学时
2．具体授课内容：
15．2 PN结
P型或N型半导体虽然它们都有一种载流子占多数(但整个晶体是不带电的)，并不能直接用来制造半导体器件。
一、PN结的形成
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由于P区有大量空穴(浓度大)而N区的空穴极少(浓度小)。因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。首先是交界面附近的空穴扩散到N区，在交界面附近的P区留下一些带负电的三价杂质离子。形成负空间电荷区。同样，N区的自由电子要向P区扩散，在交界面附近的N区留下带正电的五价杂质离子。形成正空间电荷区。这样，在P型半导体和N型半导体交界面的两侧就形成了一个空间电荷区——PN结(势垒区)
正负空间电荷在交界面两侧形成一个内电场，内电场对多子的扩散运动起阻挡作用(阻挡层)对少子则可推动它们越过空间电荷区，进入对方，少子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
扩散和漂移是互相联系，又是互相矛盾的，在开始形成空间电荷区时，扩散占优势，但在扩散运动进行过程中空间电荷区逐渐加宽，内电场逐步加强，于是在一定条件下(温度)扩散运动逐渐减弱，而少子的漂移运动逐渐增加，最后扩散和漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定下来。PN结就处于相对稳定状态。
形成空间电荷区的正负离子虽然带电，但是它们不能移动(原子核)不参与导电，而在这区域内，载流子极少，所以空间电荷区的电阻率很高，在此区内多子都扩散到对方复合掉了(消耗尽)－－耗尽层。
一、PN结的单向导电性。
PN结没有外加电压时，扩散和漂移处于动态平衡，如在PN结上加正向电压，外电场与内电场的方向相反，内电场被削弱，整个空间电荷区变窄，扩散与漂移的平衡被破坏。多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流(正向电流)正向电流包括空穴电流和电子电流两部分。PN结呈低阻导通状态。
若给PN结加反向电压，则外电场与内电场方向一致，内电场增强，空间电荷区变宽，使多数载流子的扩散运动难于进行，但却加强了少数载流子的漂移运动(少子越过PN结进入对方)在电路中形成了反向电流，很少，PN结呈高阻状态，称载止，但反向电流受温度的影响很大。
结论：PN结具有单向导电性(正向导通，反向截止)
15．3 半导体二极管
一、基本结构
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点接触型：锗，结面积小，电流小，高频小功率，开关，检波
面接触型：硅，结面积大，电流大，低频大功率，整流
二、伏安特性
正向特性：死区电压：硅：0.5，锗：0.1。导通电压：硅：0.6—0.8，锗：0.2—0.3
反向特性：击穿电压：雪崩击穿，齐钠击穿。另有热击穿。
三、主要参数
1、整流电流I OM
2、反向工作峰值电压U RM
3、反向峰值电流I
五、课上思考题
1、二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
答案：死区电压是指二极管刚开始出现正向电流时所对应的外加正向电压，硅管死区电压的典型值约为0.5V，锗管的约为0.1V。
2、为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时又明显增大？
答案：二极管反向饱和电流的大小决定于少数载流子的数量，而少数载流子的数量主要决定于环境温度。环境温度越高，受热激发的电子、空穴也越多，这部分成对出现的电子或者空穴，是半导体材料中少数载流子的来源。当环境温度不变时，少数载流子数量也不变，反向电压变化所引起的反向电流变化不大。而当环境温度增加时，少数载流子的数量增加，同样的，反向电压所形成的反向电流自然也增加了。
六、小结
这节课我们主要讲了PN结及其单向导电性和二极管。PN结是半导体器件的基本结构，它具有单向导电性，外加正向电压时PN结呈现低电阻，处于导通状态；外加反向电压时PN结呈现高电阻，处于截止状态。
二极管是结构简单而且应用广泛的半导体器件，其内部就是一个PN结。外部伏案特性表现出单向导电性，正向导通时电阻很小，并存在死区现象。反向工作时只有微弱的饱和电流通过，特点是电流基本不随电压大小变化，但是受环境温度影响很大。反向电压增高到击穿电压时，反向电流剧增，一般会损坏二极管。二极管的单向导电性可以用在电子电路中做整流、检波、钳位和隔离等。
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第十四章二极管和晶体管
七、教师课后体会
对于PN结及其单向导电性，学生要很好的理解必须对上一节所讲的N型半导体和P型半导体有很好的掌握，所以课前一定要将N型半导体和P型半导体的内容落实。对于PN结与二极管的关系教师在课上一定要多加强调。
14.4 稳压二极管
14.5 晶体管
14.6 光电器件
一、重点内容回顾，作业情况。
上节课重点内容：
1 PN结的构成；
2 PN结的单向导电性。
3二极管的结构、伏安特性和参数。
二、引入新课
上节课我们介绍了PN结和二极管，还有一种重要的半导体元件是晶体管，本次课将给同学们介绍三极管，除此之外还将介绍稳压管和光电器件等。
三、重点及难点
教学重点：
1稳压管的工作原理、伏安特性和主要参数。
2晶体管的基本结构、电流分配和放大原理、伏安特性和主要参数。
3光电器件：发光二极管、光电二极管和光电晶体管。
教学难点：
稳压管与普通二极管的区别和晶体管的电流分配和放大原理将是本次课的教学难点。
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第十四章 二极管和晶体管
四、主要内容与学时分配
内容概述 详细内容
学时分配
学时总数
14.4稳压二极管
稳压管的工作原理、伏安特性和主要参数。 0.5学时 14.5晶体管 晶体管的基本结构、电流分配和放大原理、伏安特性和主要参数。
1学时
14.6光电器件
光电器件：发光二极管、光电二极管和光电晶体管。
0.5学时
2学时
五、具体授课内容：
14.4、稳压管
是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。 是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。 主要参数：
1、 稳定电压U Z
2、 电压温度系数αU
3、 动态电阻r Z
4、 稳定电流I Z
5、 最大允许耗散功率P ZM
15.5 半导体三极管
一、基本结构
发射区：掺杂浓度大 基区：掺杂浓度小很薄 集电结：面积大
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第十四章二极管和晶体管
二、电流分配和放大原理
NPN型共发射极接法，E C>E B,使发射结正偏，集电结反偏。
发射区向基区扩散电子
电子在基区扩散和复合
集电区收集扩散过来的电子
结论：
1、晶体管的电流分配是：I E=I C+I B
2、晶体管具有电流放大作用：I C=βI B
3、晶体管起电流放大作用的内部条件是基区
薄且掺杂浓度低，外部条件是发射结正偏。
集电结反偏
三、特性曲线
共射输入、输出曲线
1、输入特性曲线
I B=f(U BE)U CE=常数
2、输出特性曲线
I C=f(U CE)I B=常数
集电区而形成I C，以致当U CE继续增加时，I C也不再有明显的增加，恒流特性。
当I B增大时，相应的I C也增大，曲线上移，而且I C比I B增加得多得多，这就是晶体管的电流放大作用。
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第十四章 二极管和晶体管
输出特性曲线可分为三个工作区：
① 10放大区：(线性区)
近于水平部分：I C =βI B 成正比关系，发射结正偏，集电结反偏。 ② 截止区：无放大作用
I B ＝0以下的区域I C ＝I CEO ＜0.001mA发射结反偏，可靠结止集电结反偏。 ③ 饱和区：无放大作用。
曲线的上升部分I C ≠β
&&&I B ，发射结正偏，集电结正反偏。 四、主要参数
晶体管的特性除用特性曲线表示外，还可用一些数据来说明，即晶体管的参数，它也是设计电路，选用晶体管的依据。 1、电流放大系数（β、β）
β=
B
C
I I —共射直流（静态）电流放大系数（无输入信号时）
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第十四章 二极管和晶体管
β=
B
C I I ΔΔ—共射交流（动态）电流放大系数（有输入信号时）
2、集一基极反向截止电流I CBD
当发射极开路时由于集电结处于反向偏置，集电区和基区中的少子的漂移运动所形
成的电流，受温度的影响大（硅管好于锗管）希望越小越好。
3、集一射极反向截止电流I CED
基极开路，集电结反偏发射结正偏时集电极电流又称穿透电流I CED ＝（1+β）I CBO ，受温度影响更大。
4、集电极最大允许电流I CM I C 超过一定数值时β值下降
β值下降到正常数值的2/3时的I C 值－I CM
5、集—射极反向击穿电压U （BR）CEO
6、 集电极最大允许耗散功率P CM
P CM 曲线：P CM =I C U CE
15.6 光电器件
一、光电二极管
又称光敏二极管，工作于反向偏置状态，反向电流随光照强度的增加而上升。由管壳上的玻璃窗口接收光照。
发光二极管
二、发光二极管
发光二极管工作于正向偏置状态，正向电流通过发光二极管时，它会发出光来，颜色由制造材料而定，有红、黄、绿等。常用作数字仪表和音响设备中的显示器。
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第十四章二极管和晶体管
三、光电晶体管
普通晶体管是用基极电流I B的大小来控制集电极电流，而光电晶体管是用入射光照度E来代替I B。
六、课上思考题
1.为什么稳压二极管的动态电阻越小，则稳压越好？
答案：稳压二极管的动态电阻r Z越小，意味着电流变化时，端电压变化越小，稳压效果越好。
2.晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大？
答案：从输出特性曲线上看，相对于同样的I B及其变化，在放大区所产生的I C及其变化要大于甚至是远大于在饱和区，这说明工作在饱和区的晶体管的电流放大系数小于工作在放大区的电流放大系数。
七、小结
这节课我们主要讲了1稳压管的工作原理、伏安特性和主要参数。2晶体管的基本结构、电流分配和放大原理、伏安特性和主要参数。3光电器件：发光二极管、光电二极管和光电晶体管。
八、课后作业
课后习题：14.3.2，14.4.1，14.5.4。
九、教师课后体会
相对来讲，本节课的知识不易理解，三极管的电流分配原理需要理解，但是电流分配原理的根本原因还是内部的载流子运动，对于晶体管内部载流子运动不是大纲要求重点，可以要求学生作为思考内容。课堂气氛比较活跃。
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第四章半导体二极管和晶体管 教学目标 本章课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 1.掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 教学内容 1、半导体基础知识 2、PN结特性 3、晶体管 教学重点与难点 1、PN结的单向导电性、伏安特性 2、二极管的伏安特性及主要参数 3、三极管放大、饱和、截止三种模式的工作条件和性能特点 一、电子技术的发展 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。
电子管→半导体管→集成电路 半导体元器件的发展： 1947年贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年集成电路 1969年大规模集成电路 1975年超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍/6年的速度增长，到2015或2020年达到饱和。 二、模拟信号与模拟电路 1、电子电路中信号的分类： 数字信号：离散性。 模拟信号：连续性。大多数物理量为模拟信号。 2、模拟电路 模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放大电路。模拟电路多以放大电路为基础。 3、数字电路 数字电路主要研究数字信号的存储、变换等内容，其主要包括门电路、组合数字电路、触发器、时序数字电路等。 数字电路的发展与模拟电路一样经历了由电子管、半导体分立器件到集成电路等几个时代。但其发展比模拟电路发展的更快。
分析计算题 14-301、 二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V AO。设二极管是理想的。 解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故D处于正向偏置而导通，V AO=–6 V。 图b：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，V AO=0 V。 图c：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使V A＝－6V；D1反偏而截止，故V AO＝－6V。 14-302、图示放大电路中，电容C E断开后电路的电压放大倍数的大小将（） A.减小 B.增大 C.忽大忽小 D.保持不变
14-303、理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ） A ．-6V B ．0V C ．+3V D ．+9V 14-304、某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（ ） A ．放大状态 B ．饱和状态 C ．截止状态 D ．无法确定伏态 14-305、图13为稳压管稳压电路，分析当负载电阻不变，电网电压上升时，该 电路的稳压原理。[3分] 图 13解：U i →U o ↑→I Z ↑→I R ↑→U R ↑→U o ↓ 14-306、如图1.1所示，二极管正向压降忽略不计，试求下列各种情况下输出端F 点的电位和电阻R 、二极管V DA 、V DB 中流过的电流。 （1）V A =V B =0V （2）V A =6V ，V B =0（3）V A =V B =6V 。 图1.1 R ＋ － U i I R V I Z R L I L U o
实用文案 二极管图 三极管工作原理 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基 本原理。 穂压二郴皆 表亍拆号.込6口 ZD,D 齐于特是-□ . “ 光硕二概苛葩光电接収二巒炭:?t_很首 駅亍咼号：U.VT 車示帝号 ：Q,vr ■J'L hL H九世总 NPMSl三极普 表示持号：Q.VT 亵示符冒o 福压二Hi育 靑示時耳一口 艇谭二松苛隨谨二機営 净恃至二娜苗 潮看得■ : LED 翼台SflJ世 光嗽三慨営电接收三世 斫將号:LED
一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流 lb ;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流lc。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的B倍，即电流变化被放大了B倍，所以我们把B叫做三极管的放大倍数（B一般远大于1,例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流lb 的变化，lb 的变化被放大后，导致了lc 很大的变化。如果集电极电流lc 是流过一个电阻R 的，那么根据电压计算公式U=R*l 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V ）。当基极与发射极之间的电压小于0.7V 时，基极电流就可以认为是0 。但实际中要放大的信号往往远比0.7V 要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因
二极管、三极管练习 一、是非题：（8分） （）1、二极管是根据PN结的单向导电特性制成的，因此，二极管也具有单向导电性。 （）2、二极管的电流—电压特性关系可大概理解为反向偏置导通、正向偏置截止。 （）3、用万用表识别二极管的极性时，若侧的是二极管的正向电阻，那么和标有“+”号的测试笔相连的是二极管的正极，另一端是负极。 （）4、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（）5、晶体管由两个PN结组成，所以，能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。 （）6、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。 （）7、发射结处于正向偏置的晶体管，一定是工作在放大状态。 （）8、既然晶体管的发射区和集电区是由同一种类型的半导体构成，故E极和C极可以互换使用。 二、选择题：（20分） 1、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 2、如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 3、用万用表电阻档测量小功率二极管的特性好坏时，应把电阻档拨到（）。 A、R*100或R*1000档 B、R*1档 C、R*10K档 4、用万用表电阻档测试二极管的电阻时，如果用双手分别捏紧测试笔和二极管引线的接触处，测得二极管正、反向电阻，这种测试方法引起显著误差的是（）。 A、正向电阻 B、反向电阻 C、正、反向电阻误差同样显著 D、无法判断 5、当晶体管的两个PN结都反偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 6、当晶体管的两个PN结都正偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 7、当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 8、当晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。 A、随基极电流的增加而增加 B、随基极电流的增加而减小 C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C
二极管与三极管讲解 有些人在学习电子技术的时候对PN结、二极管、三极管不太了解，看书吧，讲的太深奥，不太明白，我用通俗的语言给大家讲一讲，希望能帮助大家，也许我讲的不怎么正确，但是我感觉基本思路是正确的，等你学的透彻以后再根据自己的见解纠正我的错误。 一、PN结 N型半导体：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 P型半导体：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。（空穴可以移动）二、扩散运动 PN结中间相接触的部分，P带负电，N带空穴（正点），相互结合，PN结中间部分中和成不带电，但是P为负离子，N为正离子，所以形成了内部电场，方向由N指向P促使漂移运动产生。 三、漂移运动 在内部电场的作用下，N型半导体与P型半导体不接触部分的空穴（N和P都不是绝对的只有空穴和电子，而是相对来说的。空穴可以移动，带正电）在电场作用下向P运动，相反，P中的电子向N运
动，这就是漂移，因为N中的空穴很少，P中的电子很少，所以漂移运动不是很明显。 四、二极管 如果在PN结外部接一个正向电压，负极接N，正极接P，那么就加强了扩散运动，所以通过PN结的电流更容易，反之就为漂移运动，所以电流不能顺利通过，（反向截止），这样就产生了二极管。 五、二极管压降 压降的意思是：电压的损失，也就是通过二极管的时候，有电压损失，也就是正向偏置的时候，二极管可以看成一个小电阻。在这个小电阻的两端就是二极管的压降。 六、三极管 ；；；；；；；； 至于三极管、放大电路、整流、滤波、二极管的伏安特性曲线，三极管输入输出曲线等等，如果你感觉以上写的对你有帮助，就请加我QQ（912853255），我把你想要的部分用通俗的语言写出来。然后发给你。
第十四章二极管和晶体管 第十四章 二极管和晶体管 一、本章提要 介绍二极管和晶体管的基本结构、工作原理、特性和参数，PN结的构成是各种半导体器件的共同基础。此外本章还介绍了稳压管和几种光电器件。 二、本章课时安排 章节序号及名称主要内容学时分配本章总学时 14.1半导体的导电特性介绍本征半导体、杂质半导体、N型半导体和P 型半导体的基本概念。 1学时 14.2 PN结及其单向导电性1 PN结的构成； 2 PN结的单向导电性。 0.5学时 14.3 二极管二极管的结构、伏安特性和参数。 0.5学时14.4 稳压二极管 稳压管的工作原理、伏安特性和主要参数。 0.5学时14.5 晶体管晶体管的基本结构、电流分配和放大原理、伏安 特性和主要参数。 1学时 14.6 光电器件 光电器件：发光二极管、光电二极管和光电晶体 管。 0.5学时 4学时 14.1 半导体的导电特性 一、相关内容回顾 自1948年第一个晶体管问世以来，半导体技术有了飞跃的发展由于半导体器件具有重量轻、体积小、耗电少、寿命长、，工作可靠等突出优点，在现代工业、现代农业、现代国防和现代科学技术中获得了广泛的应用。 导体二极管和三极管是最常用的半导体器件，虽然在物理课中有所了解，但为了理论的系统化、我们还要从讨论半导体的导电特性和PN结的基本原理(特别是它的单向导电性)开始。因为PN结是构成各种半导体器件的共同基础，了解二极管和三极管的基本结构，工作原理、特性和参数，是学习电子技术和分析电子电路必不可少的基础。 二、重点及难点 1.教学重点： (1)本征半导体与杂质半导体的概念； (2)N型半导体和P型半导体的概念。 2.教学难点： (1)本征半导体和杂质半导体的特点和导电机理； (2)杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种，它们的特点和导电机理。 1
第7章半导体二极管和三极管 7.1 半导体的基本知识 7.2 PN结 7.3 半导体二极管 7.4 稳压二极管 7.5 半导体三极管
第7章半导体二极管和三极管 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
7.1 半导体的基本知识 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
7.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子
Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。 空穴温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
第一节 三极管的结构与基本性能 一、理想二极管的正向导通特性 二极管对电流具有单向导通的特性，硅材料二极管的正向导通电流与正向电压之间的关系曲线如图1.1.1所示。 图1.1.1 理想二极管的正向导通特性 (一)导通电压与导通通电流之间的对应关系 二极管在正向电压为0.4V 左右时微弱导通，0.7V 左右时明显导通。导通电压与导通电流之间的变化关系是，导通电压每变化9mV ，导通电流会变化倍。 (二)二极管正向导通电压与导通电流之间的对应关系 )9(002 mV U U n n I I -?= (1.1.1) 或)18(002mV U U n n I I -?= (1.1.2) 或)(log 290 20I I mV U U n n ?+= (1.1.3) U 0为二极管正向导通时的某静态电压，U n 为二极管在U 0的基础上变化后的电压。 I 0为二极管加上正向导通电压U 0时的正向导通电流，I n 为二极管与U n 相对应的正向导通电流。 例如：某二极管的在导通电压U 0=0.700V 时，导通电流为I 0=1mA ，求导通电压分别变化到U n1=0.682V 、U n2=0.691V 、U n3=0.709V 、U n4=0.718V 时的导通电流I n1、I n2、I n3、I n4。 解：根据)9(002mV U U n n I I -?= mA mA I mV V V n 5.021)97.0682.0(1=?=-
mA mA I mV V V n 707.021)97.0691.0(2=?=- mA mA I mV V V n 414.121)97.0709.0(3=?=- mA mA I mV V V n 221)97.0718.0( 4=?=- 由此可见，只要知道二极管的某个导通电压和相对应的导通电流，就可以计算出二极管的正向导通曲线上任何一点的参数。 (三)二极管的正向导通时的动态电阻 1、动态电阻的概念 动态电阻r d 的概念指的是电压的变化量与对相应的电流变化量之比。 I U r d ??= (1.1.4) 二极管正向导通之后，既有导通电压的参数，又有相应的导通电流的参数，但正向导通电阻却不能简单地等于导通电压与导通电流之比。 例如：假设二极管的正向导通电压U 0=0.7V 、静态电流I 0=1mA ，如果认为二极管正向导通电阻就等于导通电压与导通电流之比的话，此时的电阻应当为U 0/I 0=0.7V/1mA=700Ω。照此推论，当导通电压U n =1.4V 时，相应的导通电流应当是I n =2mA 。而实际的结果是，当正向导通电压U n 达到0.718V 时(增加18mV)，电流I n 就已经增加到2mA 了。 由此可见，二极管正向导通后有两种电阻： 一是直流电阻，就是正向导通电压与相对应的正向导通电流之比。 二是动态电阻，就是二极管正向导通曲线中某一点的电压微变量与相应的电流微变量之比，即该点斜率的倒数，见图1.1.1中各Q 点的不同斜率。 2、二极管正向导通后的动态电阻的粗略计算 已知Q 0点U 0=0.7V 、I 0=1mA ，Q 4点U 4=0.718V 、I 4=2mA ， 则Q 0点的动态电阻：Ω≈--≈??=46.25707.0414.1691.0709.000 0mA mA V V I U r Q Q dQ Q 4点的动态电阻：Ω≈--≈??=73.12414.1828.2709.0727.044 4mA mA V V I U r Q Q dQ 3、二极管正向导通后的动态电阻的微分计算 由于二极管导通电压与电流变化是非线性关系，所以上述计算不够精确，若对)18(002mV U U n n I I -?=进行微分，可以求得n I 的导数： 根据动态电阻的定义，可知二极管动态电阻)(Ωd r 为'n I 的倒数，故有： )18(0' 02182ln mV U U n n mV I I -??= (1.1.5) )18(0'02182ln 11)(mV U U n d n mV I I r -??==Ω
第十四章半导体二极管和三极管 物体按导电性分为： 导体，绝缘体，半导体 半导体：导电性介于导体和半导体之间。半导体材料的原子结构比较特殊。其外层电子不象导体那样容易挣脱。也不象绝缘体束缚很紧，这就决定了它的导电性介于导体和半导体之间。 14-1半导体的导电特性 常见的半导体材料有硅、锗、硒及许多金属的氧化物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。半导体材料的特性： 1.纯净半导体的导电能力很差； 2.温度升高一一导电能力增强； 3.光照增强一一导电能力增强； 4.掺入少量杂质一一导电能力增强。） 一、本征半导体（纯净半导体） 最常用的半导体为硅（Si）和锗（Ge）。它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为4。 提纯的硅材料可形成单晶------ 单晶硅相邻原子由外层电子形成共价键 在共价键结构中，原子最外层虽然具有8个电子而处于较为稳定的状态，但是共价键 中的电子还不象绝缘体中的价电子被束缚的那样紧，在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子。这里的能量可以是热能或光能，因此半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别。利用这种特性可做成各种热敏元件或光敏元件。 价电子受到激发，形成自由电子并留下空穴。自由电子和空穴同时产生，半导体中的 自由电子和空穴都能参与导电——半导体具有两种载流子。 载流子： 自由电子：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子。空穴：共价键中留下的空位。
'lifr 在外电场作用下，半导体内电流形成过程： 有空穴的原子（带正电），可以吸引相邻原子中的价电子，填补这个空穴。好象空穴在运动，而空穴运动的方向与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷的运动， 因此在外电场（外加电压）作用下，半导体中出现两部分电流： 电子电流：自由电子定向运动形成的。 空穴电流：价电子递补空穴形成的。 电子--空穴对产生与复合的动态过程： 由于物质总是在不停地运动着，一方面不断有价电子挣脱束缚成为自由电子。同时出现相同数量的空穴，另一方面自由电子在运动中又会和空穴复合，成为价电子，在一定条件下，这种运动会达到相对平衡，即电子--空穴对的产生与复合的过程仍在不断进行，但 电子--空穴对的数目基本不变。 二、杂质半导体（N型半导体和P型半导体） 由于掺入杂质元素的不同，掺杂半导体可分为两大类一N型半导体和P型半导体。 1.N型半导体杂质：磷P五价元素，原子最外层有五个价电子。磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是9，比稳定结构多一个价电子。多出的一个电子受原子核 的束缚很小，因此很容易成为自由电子。 在N型半导体中：多数载流子：自由电子少数载流子：空穴 N型半导体主要靠电子导电，所以又称为电子半导体，简称N型半导体。 2.p型半导体 杂质：硼B三价元素，原子最外层有三个价电子。 硼原子与周围的四个硅原子形成共价键时，因缺少一个电子而形成一个空穴。在P型半导体中：多数载流子：空穴。少数载流子：自由电子 P型半导体主要靠空穴导电，所以又称为空穴半导体，简称P型半导体。
选择与填空题 14-001、测得电路中几个三极管的各极对地电压题2.8图所示，其中某些管子已损坏。对于已损坏的管子，判断损坏情况；其他管子则判断它们各工作在放大，饱和和截止中的哪个状态？ 判断是锗管还是硅管？ +0.7V +2.7V +2V +2.3V +5V 0V 0V 0V 0V 0V 0V +6V +6V +3V ?5V ?0.2V ?6V ?1V ?2V ?1.3V ?1V ?1.7V ?5.3V ?6V 题 2.8图 (a) (b) (c) (e) (f) (g) (h) (d) 答案 (a) 放大 硅管 (b) 放大 锗管 (c) 饱和 硅管 (d) 坏 (e ) 坏 (f) 饱和 硅管 (g) 坏 (h) 放大 硅管 14-002、用直流电压表测某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别是如图所示。试指出每只晶体管的E 、B 、C 极。 14-003、写出下图所示各电路的输出电压值，设图中二极管都是理想的。 ① ② ③ V 6V 3- V 3.2- 1 T ① ② ③ V 0V 5V 7.0- 2T ① ② ③ V 6V 6- V 7.5 3 T 图（a ） 图（b ） 图（c ）
答案 (a) 2V (b) 0 V (c) -2 V (d) 2V (e ) 2 V (f) -2V 14-004、电路如图所示，设 D Z1 的稳定电压为6 V ，D Z2 的稳定电压为12 V ，设稳压管的正向压降为0.7V ，则输出电压U O 等于（ ）。 (a) 18V (b) 6.7V (c) 30V (d) 12.7V 30V 2k U O D Z1D Z2 + - + - 答案 (b) 14-005、判断下图所示各电路中三极管的工作状态，（ ）图工作在截止区。 图1-2 14-006、 （1）二极管的正极电位为-5V ，负极电位为-4.3V ，则二极管处于（ ）状态。 （a ）反偏 （b ）正偏 （c ）零偏 （2）稳压管是特殊的二极管，它一般工作在（ ）状态。 （a ）正向导通 （b ）反向截止 （c ）反向击穿 （3）晶体管工作在放大区时，具有以下哪个特点（ ）。 （a ）发射结反向偏置 （b ）集电结反向偏置 （c ）晶体管具有开关作用 （4）当三极管的两个PN 结都有反偏电压时，则三极管处于（ ），当三极管的两个PN 结都有正偏电压时，则三极管处于（ ）。 （a ）截止状态 （b ）饱和状态 （c ）放大状态
二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义
CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极
管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流
理想开关的开关特性 假定图2.1.1所示S是一个理想开关，则其特性应如下： 一、静态特性 （一）断开时，无论Uak在多大范围内变化，其等效电阻Roff=无穷，通过其中的电流Ioff=0。 （二）闭合时，无论流过其中的电流在多大范围内变化，其等效电阻Ron=0，电压Uak=0。 二、动态特性 （一）开通时间Ton=0，即开关S由断开状态转换到闭合状态不需要时间，可以瞬间完成。 （二）关断时间Toff=0，即开关由闭合状态转换到断开状态哦也不需要时间，亦可以瞬间完成。 客观世界中，当然没有这种理想开关存在。日常生活中使用的乒乓开关、继电器、接触 器等，在一定电压和电流范围内，其静态特性十分接近理想开关，但动态特性很差，根本不可能满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。虽然，半导体二极管、三极管和MOS管作为开关使用时，其静态特性不如机械开关，但其动态特性却是机械开关无法比拟的。
2.1.2 半导体二极管的开关特性 半导体二极管最显著的特点是具有单向导电特性。 一、静态特性 （一）半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性 1．结构示意图和符号 如图2.1.2所示，是半导体二极管的结构示意图和符号。 半导体二极管是一种两层、一结、两端器件，两层就是P型层和N型层、一结就 内部只有一个PN结，两端就是两个引出端，一个引出端叫做阳极A，一个引出端称为阴极K。 2．伏安特性 反映加在二极管两端的电压Ud和流过其中的电流Id两者之间关系的曲线，叫做 伏安特性曲线，简称为伏安特性。图2.1.3给出的是硅半导体二极管的伏安特性。 从图2.1.3所示伏安特性可清楚地看出，当外加正向电压小于0.5V时，二极管工作在死区，仍处在截止状态。只有在Ud大于0.5V以后，二极管才导通，而且当Ud达到0.7V后，即使Id在很大范围内变化，Ud基本不
第6章集成运算放大器的单元电路 习题解答 【6-1】填空 1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用耦合方式。 2. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30，则将它们连成两级放大电路，其放大倍数为（a. 600，b. 大于600，c. 小于600） 3. 在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u|= ，折合为dB。 解： 1.直接； 2. c 小于600； 3.105，100； 【6-2】填空 1．放大电路产生零点漂移的主要原因是。 2．在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路。这是由于。 3．差分放大电路是为了而设置的。 4．抑制零漂的主要措施有种，它们是。 解： 1. 环境温度变化引起参数变化； 2. 小；零点漂移是缓慢变化的信号，将难于通过耦合电容； 3. 克服（抑制）零点漂移； 4. 3，差分放大电路、调制解调放大器和温度补偿元件。 【6-3】某差分放大电路如题图6-3所示，设对管的β=50，r bb′=300Ω,U BE=0.7V，R W的影响可以忽略不计，试估算： 1．VT1，VT2的静态工作点； 2．差模电压放大倍数A ud； 3．仿真验证上述结果。 V EE =-12V 图6-3 题6-3电路图 解： 1．静态工作点计算，令 I1I20 u u ==
E E B E B 1B 2 b e 10.9μA 2(1)V U I I R R β-===++ C 1C 2B 1 0.54m A I I I ===β C E 1C E 2 C C E E C c e ()(2)7.70V U U V V I R R ==+-+≈ 2．be bb'E 26mV (1) 2.75k mA r r I β=++? ≈Ω o c ud I1I2b be 22.0U R A U U R r β==-≈--+ 【6-4】 在题图6-4所示的差分放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路； 2．求差模电压放大倍数ud A ； 3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。 V V EE 图6-4题6-4电路图 解： 1. 在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻R e ；在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为R e 和R /2 的并联。 + - Oc u 图6-4 （a ）共模 （b ）差模
实验二晶体二极管和三极管的简单测试 一、实验目的 1. 学习使用万用表检测晶体二极管和晶体三极管的好坏及判别管脚。 2. 加深巩固对元器件特性和参数的理解。 二、实验器材 万用表： 500型一只 二极管： 1N4001—1N4007型一只 三极管： 9012（PNP型硅管）、9013（NPN型硅管）各一只 质量差和坏的各类二极管、三极管若干只电阻： 100K 一只 三、实验原理内容及步骤 晶体二极管和晶体三极管是电子电路和电子设备中的基本器件，为了能正确的加以选用，必须了解它们的特性、参数以及测试方法，这里介绍使用万用表检测的方法。 使用万用表对器件进行检测时，一般应使用该表的R×1K或R×100档，用其它档位会造成晶体管损坏。还应注意，指针式万用表欧姆档红表笔正端（＋）接表内电池的负极，而黑表笔负端（－）接表内电池的正极。 （一）利用万用表测晶体二极管
1、判别二极管的极性 将万用表欧姆档的量程拨到R×1K、R×100档，并将两表笔分别接到二极管两端。如图1—1所示。如果二极管处于正向偏置，呈现低电阻，表针偏转大，此时万用表指示的电阻小于几千欧,若二极管处于反向偏置，呈现高电阻，表针偏转小，此时万用表指示的电阻将达几百千欧以上。正向偏置时，黑表笔所接的那一端是二极管的正极。 图2—1 2、判别二极管好坏 测得二极管的正向电阻相差越大越好，若测得正反向电阻均为无穷大，则表明二极管内部断路。如果测得正、反向电阻均为零，此时表明二极管被击穿或短路。 （二）用万用表测发光二极管 发光二极管和普通二极管一样具有单向导电性，正向导通时才能发光。发光二极管在出厂时，一根引线做得比另一根引线长，通常，较长引线表示正极（＋），另一根为负极（－）。 1、判别发光二极管的极性