光刻胶项目
可行性报告
投资分析/实施方案
光刻胶项目可行性报告说明
光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。
该光刻胶项目计划总投资10875.13万元，其中：固定资产投资7501.47万元，占项目总投资的68.98%；流动资金3373.66万元，占项目总投资的31.02%。
达产年营业收入24179.00万元，总成本费用18844.44万元，税金及附加196.08万元，利润总额5334.56万元，利税总额6266.44万元，税后净利润4000.92万元，达产年纳税总额2265.52万元；达产年投资利润率49.05%，投资利税率57.62%，投资回报率36.79%，全部投资回收期4.22年，提供就业职位363个。
严格遵守国家产业发展政策和地方产业发展规划的原则。项目一定要遵循国家有关相关产业政策，深入进行市场调查，紧密跟踪项目产品市场走势，确保项目具有良好的经济效益和发展前景。项目建设必须依法遵循国家的各项政策、法规和法令，必须完全符合国家产业发展政策、相关行业投资方向及发展规划的具体要求。
......
报告主要内容：总论、建设背景分析、项目市场研究、项目规划方案、项目选址、土建工程分析、项目工艺分析、环境影响概况、安全卫生、风
险应对说明、节能可行性分析、项目进度说明、投资方案、项目经营收益
分析、项目综合评价结论等。
第一章总论
一、项目概况
（一）项目名称
光刻胶项目
光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。
（二）项目选址
某某产业示范中心
（三）项目用地规模
项目总用地面积26946.80平方米（折合约40.40亩）。
（四）项目用地控制指标
该工程规划建筑系数71.25%，建筑容积率1.56，建设区域绿化覆盖率5.86%，固定资产投资强度185.68万元/亩。
（五）土建工程指标
项目净用地面积26946.80平方米，建筑物基底占地面积19199.60平
方米，总建筑面积42037.01平方米，其中：规划建设主体工程28939.68
平方米，项目规划绿化面积2462.37平方米。
（六）设备选型方案
项目计划购置设备共计140台（套），设备购置费2667.17万元。
（七）节能分析
1、项目年用电量1216177.60千瓦时，折合149.47吨标准煤。
2、项目年总用水量15529.56立方米，折合1.33吨标准煤。
3、“光刻胶项目投资建设项目”，年用电量1216177.60千瓦时，年
总用水量15529.56立方米，项目年综合总耗能量（当量值）150.80吨标准煤/年。达产年综合节能量55.78吨标准煤/年，项目总节能率25.51%，能
源利用效果良好。
（八）环境保护
项目符合某某产业示范中心发展规划，符合某某产业示范中心产业结
构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可
行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域
生态环境产生明显的影响。
（九）项目总投资及资金构成
项目预计总投资10875.13万元，其中：固定资产投资7501.47万元，
占项目总投资的68.98%；流动资金3373.66万元，占项目总投资的31.02%。
（十）资金筹措
该项目现阶段投资均由企业自筹。
（十一）项目预期经济效益规划目标
预期达产年营业收入24179.00万元，总成本费用18844.44万元，税
金及附加196.08万元，利润总额5334.56万元，利税总额6266.44万元，
税后净利润4000.92万元，达产年纳税总额2265.52万元；达产年投资利
润率49.05%，投资利税率57.62%，投资回报率36.79%，全部投资回收期
4.22年，提供就业职位363个。
（十二）进度规划
本期工程项目建设期限规划12个月。
将整个项目分期、分段建设，进行项目分解、工期目标分解，按项目
的适应性安排施工，各主体工程的施工期叉开实施。
二、报告说明
投资项目报告为针对行业投资投资项目进行可行性研究咨询服务的专
项研究报告，此报告为个性化定制服务报告，我们将根据不同类型及不同
行业的项目提出具体要求，修订报告提纲，并在此目录的基础上重新完善
行业数据及分析内容，为企业项目立项、批地、企业注册、资金申请以及
融资咨询提供全程指导服务。该项目报告对项目所涉及的主要问题，例如：项目资源条件、项目原辅材料、项目燃料和动力的供应、项目交通运输条件、项目建设规模、项目投资规模、项目产工艺和设备选型、项目产品类
别、项目节能技术和措施、环境影响评价和劳动卫生保障等，从技术、经济和环境保护等多个方面进行较为详细的调查研究。通过分析比较方案，并对项目建成后可能取得的技术经济效果进行预测，从而为投资决策提供可靠的依据，作为该项目进行下一步环境评价及工程设计的基础文件。
三、项目评价
1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合某某产业示范中心及某某产业示范中心光刻胶行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进某某产业示范中心光刻胶产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。
2、xxx科技公司为适应国内外市场需求，拟建“光刻胶项目”，本期工程项目的建设能够有力促进某某产业示范中心经济发展，为社会提供就业职位363个，达产年纳税总额2265.52万元，可以促进某某产业示范中心区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。
3、项目达产年投资利润率49.05%，投资利税率57.62%，全部投资回报率36.79%，全部投资回收期4.22年，固定资产投资回收期4.22年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。
4、民间投资是我国制造业发展的主要力量，约占制造业投资的85%以上，党中央、国务院一直高度重视民间投资的健康发展。为贯彻党的十九大精神，落实国务院对促进民间投资的一系列工作部署，工业和信息化部与发展改革委、科技部、财政部等15个相关部门和单位联合印发了《关于
发挥民间投资作用推进实施制造强国战略的指导意见》，围绕《中国制造2025》，明确了促进民营制造业企业健康发展的指导思想、主要任务和保
障措施，旨在释放民间投资活力，引导民营制造业企业转型升级，加快制
造强国建设。民间投资是我国制造业发展的主要力量，约占制造业投资的85%以上，党中央、国务院一直高度重视民间投资的健康发展。为贯彻党的
十九大精神，落实国务院对促进民间投资的一系列工作部署，工业和信息
化部与发展改革委、科技部、财政部等15个相关部门和单位联合印发了
《关于发挥民间投资作用推进实施制造强国战略的指导意见》，围绕《中
国制造2025》，明确了促进民营制造业企业健康发展的指导思想、主要任
务和保障措施，旨在释放民间投资活力，引导民营制造业企业转型升级，
加快制造强国建设。从促进产业发展看，民营企业机制灵活、贴近市场，
在优化产业结构、推进技术创新、促进转型升级等方面力度很大，成效很好。据统计，我国65%的专利、75%以上的技术创新、80%以上的新产品开发，是由民营企业完成的。从吸纳就业看，民营经济作为国民经济的生力军是
就业的主要承载主体。全国工商联统计，城镇就业中，民营经济的占比超
过了80%，而新增就业贡献率超过了90%。从经济的贡献看，截至2017年底，我国民营企业的数量超过2700万家，个体工商户超过了6500万户，
注册资本超过165万亿元，民营经济占GDP的比重超过了60%，撑起了我国经济的“半壁江山”。同时，民营经济也是参与国际竞争的重要力量。
综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。
四、主要经济指标
主要经济指标一览表
第二章建设背景分析
全球光刻胶市场集中度高
光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产
酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的
对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工
艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。
光刻胶被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，
是微细加工技术的关键性材料。按应用领域分类，光刻胶可分为PCB
光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他。2017年，全球光刻胶下
游应用较为均衡，PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他占比
基本都在25%左右。
从以上概念及应用可知，光刻胶用于微小图形的加工，生产工艺
复杂，技术壁垒较高。其主要技术参数包括分辨率、对比度、敏感度，此外还有粘滞性黏度、粘附性等。其中分辨率描述形成的关键尺寸；
对比度描述光刻胶从曝光区到非曝光区的陡度；敏感度为光刻胶上产
生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。诸多技术参数限制
构成了光刻胶的技术壁垒。
同时，光刻胶质量直接影响下游产品的质量，下游企业对光刻胶
供货企业的质量及供货能力非常重视，通常采取认证采购的商业模式。伴随着高的采购成本与认证成本，光刻胶生产厂家与下游企业通常会
形成较为稳定的合作，这对新供应商涉足光刻胶行业设置了准入壁垒。
由于极高的行业壁垒，全球光刻胶行业呈现寡头垄断格局，长年
被日本、欧美专业公司垄断。目前前五大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额，行业集中度较高。其中，日本JSR、东京应化、日本信越
与富士电子材料市占率加和达到72%。
细分领域来看，在PCB光刻胶市场，PCB干膜光刻胶厂家主要有7家，分别为台湾长兴化学、台湾长春化工、日本旭化成、日本日立化成、美国杜邦、韩国KOLON、意大利莫顿公司，其中长兴化学、旭化成、日立化成三家所占市场份额已达80%以上；湿膜光刻胶主要生产厂家有台湾长春化工、日本三井化学、飞凯材料等；光成像阻焊油墨的主要
生产商有日本太阳油墨、TAMURA制作所、欧洲HUNGTSUMAN、中国台湾
永胜泰、无锡广信油墨（台资）等公司，共占据市场80%以上份额，其中日本太阳油墨一家独大，几乎占据全球60%份额。
在LCD光刻胶市场，TFT正性光刻胶主要生产厂家有日本东京应化（TOK）、美国罗门哈斯、韩国AZ和DONGJINSEMICHEM、台湾永光化学；
彩色光刻胶市场主要由日本、韩国厂商垄断，主要生产商有JSR、LG
化学、CHEIL、TOYOINK、住友化学、奇美、三菱化学，七家公司占全
球产量逾90%；黑色光刻胶的集中度更高，主要生产商有TOK、CHEIL、新日铁化学、三菱化学、ADEKA，占全球产量亦超过90%。
在半导体光刻胶市场，全球半导体行业中涉及光刻胶的核心技术
主要被日本和美国企业所垄断，包括日本JSR、信越化学、TOK、住友
化学，美国SEMATECH、IBM，韩国东进化学等，合占市场份额达到95%。
市场规模将超百亿美元
光刻胶自进入新世纪以来经历了迅速的发展历程，全球光刻胶市
场规模从2010年55.5亿美元增长至2015年73.6亿美元，复合增长
率为5.81%；据IHS预测，2016-2022年光刻胶消费量以年均5%的速度增长，至2022年全球光刻胶市场规模可超过100亿美元，前景依旧广阔。
第三章项目承办单位
一、项目承办单位基本情况
（一）公司名称
xxx（集团）有限公司
（二）公司简介
公司是一家集研发、生产、销售为一体的高新技术企业，专注于产品，致力于产品的设计与开发，各种生产流水线工艺的自动化智能化改造，为
客户设计开发各种产品生产线。经过10余年的发展，公司拥有雄厚的技术
实力，完善的加工制造手段，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量
保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新
技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。
公司依托集团公司整体优势、发展自身专业化咨询能力，以助力产业
提高运营效率为使命，提供全方面的业务咨询服务。
二、公司经济效益分析
上一年度，xxx科技公司实现营业收入18677.46万元，同比增长
24.66%（3694.87万元）。其中，主营业业务光刻胶生产及销售收入为17146.93万元，占营业总收入的91.81%。
上年度营收情况一览表
根据初步统计测算，公司实现利润总额4344.96万元，较去年同期相比增长830.84万元，增长率23.64%；实现净利润3258.72万元，较去年同期相比增长632.89万元，增长率24.10%。
上年度主要经济指标
第四章土建工程分析
一、建筑工程设计原则
项目承办单位本着“适用、安全、经济、美观”的原则并遵照国家建
筑设计规范进行项目建筑工程设计；在满足投资项目生产工艺设备要求的
前提下，力求布局合理、造型美观、色彩协调、施工方便，努力建设既有
时代感又有地方特色的工业建筑群的新形象。建筑物平面设计以满足生产
工艺要求为前提，力求生产流程布置合理，尽量做到人货分流，功能分区
明确，符合《建筑设计防火规范》（GB50016）要求。
二、项目总平面设计要求
应留有发展或改、扩建余地。应有完整的绿化规划。功能分区合理，
人流、车流、物流路线清楚，避免或减少交叉。建筑布局紧凑、交通便捷、管理方便。
三、土建工程设计年限及安全等级
建筑结构的安全等级是根据建筑物结构破坏可能产生的后果（危及人
的生命、造成经济损失）的严重性来划分的，本工程结构安全等级设计为
Ⅰ级。砌体结构应按规范设置地圈梁及构造柱，建筑物耐火等级为Ⅱ级。
四、建筑工程设计总体要求
该项目建筑设计及结构设计在满足生产工艺要求的前提下，尽量贯彻
工业厂房联合化、露天化、结构轻型化原则，并注意因地制宜。对采光通
风、保温隔热、防火、防腐、抗震等均按国家现行规范、规程和规定执行，努力做到场房设计保障安全、技术先进、经济合理、美观适用，同时方便
施工、安装和维修。
五、土建工程建设指标
本期工程项目预计总建筑面积42037.01平方米，其中：计容建筑面积42037.01平方米，计划建筑工程投资3149.11万元，占项目总投资的
28.96%。
第五章项目选址
一、项目选址原则
项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫
生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十
分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。
二、项目选址
该项目选址位于某某产业示范中心。
园区培育特色产业园区发展。围绕高端装备制造、轨道交通、航空航天、节能与新能源汽车、新一代信息技术、新材料、新能源、节能环保、
生物医药等新兴产业。发挥园区的辐射带动作用，积极推进省级高新区建
设布局，引导产业园区走创新发展之路。园区着重优化实体经济发展新环境。认真贯彻党中央、国务院关于发展实体经济，特别是先进制造业的战
略部署，大力推动中国制造向中国创造、中国速度向中国质量、制造大国
向制造强国转变。同时，切实降低实体经济企业成本，全面推进依法行政，深化“放管服”改革，强化涉企收费目录清单管理，较大限度降低制度性
交易成本和企业税费负担，为实体经济发展创造优良发展环境。
三、建设条件分析
近年来，项目承办单位培养了一大批精通各个工艺流程的优秀技术工人；企业的人才培养和建设始终走在当地相关行业的前列，具有显著的人
才优势；项目承办单位还与多家科研院所建立了长期的紧密合作关系，并
建立了向科研开发倾斜的奖励机制，每年都拿出一定数量的专项资金用于
对重点产品及关键工艺开发的奖励。项目投资环境优良，当地为招商引资
出台了一系列优惠政策，为投资项目建设营造了良好的投资环境；项目建
设地拥有完善的交通、通讯、供水、供电设施和工业配套条件，项目建设
区域市场优势明显，对投资项目的顺利实施和建成后取得良好经济效益十
分有利。完善的国内销售网络，项目承办单位经过多年来的经营，不仅有
长期稳定客户和潜在客户，而且有非常完善的销售体系；企业的销售激励
制度大大提高了员工的工作积极性，再加上平时公司领导对员工的感情投资，使销售员工对公司有很强的向心力；正是具备稳定有激情的销售团队，才保证了企业的销售政策很好的贯彻执行下去，也使企业的销售业绩有很
大的提高；企业的销售团队将在有项目产品销售市场的区域，根据当地实
际情况，销售适合当地加工企业需要的项目产品。
四、用地控制指标
投资项目办公及生活用地所占比重符合国土资源部发布的《工业项目
建设用地控制指标》（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业办
公及生活用地所占比重≤7.00%的规定；同时，满足项目建设地确定的“办
公及生活用地所占比重≤7.00%”的具体要求。根据测算，投资项目建筑容
目录 目录 (1) 一、什么是光刻胶 (3) 二、光刻胶的分类 (3) 三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3) 四、光刻胶的发展及应用 (6) 五、国内光刻胶的现状和应用 (8) 六、相关技术资料 (9) 1.液态光成像阻焊油墨（供借鉴） (9) 2.UV可剥性涂料（供借鉴） (9) 3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质（供借鉴） (10) 4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质（供借鉴） (10) 5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究（供借鉴） (11) 6.酚醛感光材料的研究材料（供借鉴） (12) 7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13) 8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13) 9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14) 10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14) 七、市场上的产品介绍 (14) 1.北京恒业中远化工有限公司 (15) 聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15) 双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂（环化橡胶类负型光致抗蚀剂） (15) 聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15) 邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15) 2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16) 3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16) 4.苏州锐材半导体有限公司 (17) 5.国外G,H,I线光刻胶 (17) 6.瑞士SU-8光刻胶 (17) 八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)
九、初步方案(待深入分析) (18) 1.丙烯酸基光刻胶 (18) 2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18) 3.聚酯类类负性光刻胶 (19) 4.环化橡胶类负性光刻胶 (19) 5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)
Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期 F i n e and Specialty Che m ica ls2006年8月21日市场资讯 光刻胶的发展及应用 郑金红* (北京化学试剂研究所,北京100022) 摘 要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。 关键词:集成电路;光刻胶;感光剂 D evelop m ent T rends and M arket of Photoresist Z HENG J in hong (Be iji ng Instit u te o f Che m ica l R eagents,Be iji ng100022,Chi na) Abstrac t:The deve l op m ent course and app licati on o f photoresist i n Chi na and abroad we re i ntroduced.The m arket sta t us and head i ng d irec tion o f pho toresist in Ch i na and abroad w ere also analyzed.T he research f o cuses and deve l op m ent trends of pho t o res i st i n Ch i na w ere descri bed. K ey word s:i n teg ra ted c ircuit;photoresist;photosensiti zer 光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。 现代微电子(集成电路)工业按照摩尔定律在不断发展,即集成电路(I C)的集成度每18个月翻一番;芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加1 5倍,芯片中的晶体管数增加约4倍,即每过3年便有一代新的集成电路产品问世。现在世界集成电路水平已由微米级(1 0 m)、亚微米级(1 0~0 35 m)、深亚微米级(0 35 m以下)进入到纳米级(90~65nm)阶段,对光刻胶分辨率等性能的要求不断提高。因为光刻胶的可分辨线宽 =k /NA,因此缩短曝光波长和提高透镜的开口数(NA)可提高光刻胶的分辨率。光刻技术随着集成电路的发展,也经历了从g线(436nm)光刻,i线(365nm)光刻,到深紫外248nm光刻,及目前的193nm光刻的发展历程,相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。随着曝光波长变化,光刻胶的组成与结构也不断地变化,使光刻胶的综合性能满足集成工艺制程的要求。 表1为光刻技术与集成电路发展的关系,其中光刻技术的变更决定了光刻胶的发展趋势。 1 国外光刻胶发展历程及应用 光刻胶按曝光波长不同可分为紫外(300~ 450nm)光刻胶、深紫外(160~280n m)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。根据曝 24 *收稿日期:2006 07 19 作者简介:郑金红(1967 ),女,北京化学试剂研究所有机室主任,教授级高工,主要从事微电子化学品光刻胶的研究工作。
应用科技 国外光刻胶及助剂的发展趋势 中国化工信息中心 王雪珍编译 光刻是半导体产业常用的工艺，借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程，不过其所用化学品不同。 每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中，硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里，光刻费用飞速上涨，其中最重要的花费在半导体领域。光刻工艺花费了硅片生产大约35%的费用，一个典型的例子是，在一个价格在50万欧元（合65万美元）的90nm 的光掩膜技术中，其光刻机花费是1000万欧元（合 1300万美元）。而这个费用比例在以后的生产装置和工艺中 还将不断提高。 在半导体产业中，常用的光刻胶有正型光刻胶与负型光刻胶两种。正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍，这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率，可以用于微小精细的电路，同时，正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。 光刻胶根据其辐照源进行分类，对于光致抗蚀技术来说，集成电路的最小特征尺寸受光源波长所限。由于集成电路越来越小，因此新光源和光刻胶联合使用以达到这一目的。一项联合了曝光波长为248nm 和193nm 的技术可以得到高分辨率的图案，其结果甚至比90nm 曝光波长的技术要来得好一些。一些光学技术可以扩大这个范围，但是其最终限制条件是光的频率。 光刻胶技术和制造 光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物，用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系，主要包括感光物质（PAC ）、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。 当光刻胶暴露在光源或者是紫外辐照源条件下时，其溶解度发生了改变：负型光刻蚀剂变为不溶，正型光刻胶变为可溶。大多数负型光刻蚀剂可以归为两种类型，一种是二元体系：大量的聚异戊二烯树脂和叠氮感光化合物；另外一种是一元体系：缩水甘油甲基丙烯酯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛树脂和重氮萘醌感光物质的基础之上的。使用248nm 曝光波长要求光刻胶使用乙酰氧基苯乙烯单体。通过4-乙酰氧基苯乙烯单体的自由基聚合，醋酸酯选择性地转换成酚醛，以及将其与其他反应性单体的化合，可以制备出许多用于远紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm 曝光波长时是相对透明的。 预计未来5年，使用聚羟基苯乙烯树脂的化学增幅抗蚀剂将成为主流。远紫外光刻胶也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。 通常说来，感光化合物例如二芳基叠氮和重氮萘醌是易爆化学制品。所以，光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性，以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且，其发展趋势是替换掉具有危害的溶剂，而选用对环境无污染的无毒产品。 在低密度远紫外辐照和其他替代i 线和g 线辐照源发展大趋势的刺激下，化学增幅抗蚀剂成为一个发展快速的热点领域。在化学增幅抗蚀剂领域，由于辐照源的匮乏，势必导致一种催化的东西产生，通常为中子源。在曝光的加热处理后，催化剂会引起树脂中组分发生复杂反应，这种反应将最终产生光刻图案。目前正型光刻胶体系和负型光刻胶体系都有了较好的发展。 集成电路 收稿日期：2009-04-23 作者简介：王雪珍（1983-），女，主要从事电子化学品、可降解塑料和食品添加剂的信息研究工作 。 12
光刻胶可行性研究报告范文 第一章光刻胶项目概要 第二章光刻胶项目背景及可行性 第三章光刻胶项目选址用地规划及土建工程 第四章光刻胶项目总图布置方案 第五章光刻胶项目规划方案 第六章光刻胶项目环境保护 第七章光刻胶项目能源消费及节能分析 第八章光刻胶项目建设期及实施进度计划 第九章光刻胶项目投资估算 第十章光刻胶项目融资方案 第十一章光刻胶项目经济效益分析 第十二章光刻胶项目社会效益评价 第十三章光刻胶项目综合评价及投资建议
第一章项目概要 一、项目名称及建设性质 （一）项目名称 光刻胶生产项目 （二）项目建设性质 本期工程项目属于新建工业项目，主要从事光刻胶项目投资及运营。 二、项目承办企业及项目负责人 某某有限责任公司 三、项目建设背景分析 中国的制造业正面临着第三次工业革命。第三次工业革命是由于人工智能、数字制造和工业机器人等基础技术的成熟和成本下降，以数字制造和智能制造为代表的现代制造技术对既有制造范式的改造以及基于现代制造技术的新型制造范式的出现，其核心特征是制造的数字化、智能化和网络化。 四、项目建设选址 “光刻胶投资建设项目”计划在某某省某某市某某县经济开发区实施，本期工程项目规划总用地面积120000.60 平方米（折合约180.00 亩），净用地面积119440.60 平方米（红线范围折合约179.16 亩）。该建设场址地理位置优越，交通便利，规划道路、电力、天然气、给排水、通讯等
公用设施条件完善，非常适宜本期工程项目建设。 五、项目占地及用地指标 1、本期工程项目拟申请有偿受让国有土地使用权，规划总用地面积120000.60 平方米（折合约180.00 亩），其中：代征公共用地面积560.00 平方米，净用地面积119440.60 平方米（红线范围折合约179.16 亩）；本期工程项目建筑物基底占地面积85173.07 平方米；项目规划总建筑面积121960.77 平方米，其中：不计容建筑面积0.00 平方米，计容建筑面积121960.77 平方米；绿化面积8193.63 平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积22756.14 平方米；土地综合利用面积119440.60 平方米，土地综合利用率100.00 %。 2、该项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照光刻胶行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局，符合光刻胶制造经营的规划建设需要。 3、根据中华人民共和国国土资源部国土资发【2008】24号文及国土资发【2008】308号文的规定，某某县土地等别为九等，本期工程项目行业分类：光刻胶行业；根据谨慎测算，本期工程项目固定资产投资强度3024.77 万元/公顷>1259.00 万元/公顷，建筑容积率1.02 >0.80 ，建筑系数71.31 %>30.00 %，建设区域绿化覆盖率6.86 %<20.00 %，办公及生活服务设施用地所占比重4.80 %<7.00 %，各项用地技术指标均符合规定要
光刻胶行业现状分析 ▌国产光刻胶现状 光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，按应用领域可分为PCB（线路板）用、平板显示（LCD、LED）用和半导体用三类，目前国内市场上绝大多数厂商生产的产品为前两者。 在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，占芯片制造时间的40%~50%，光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。 为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向g线（436nm）→i线（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→F2（157nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 目前半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。 半导体用光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中，日美企业基本垄断了g/i线光刻胶、KrF/ArF光刻胶市场，生产商主要有JSR、信越化学工业、TOK、陶氏化学等。 国产光刻胶发展起步较晚，与国外先进光刻胶技术相比国内产品落后4代，目前主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品，虽然PCB领域已初步实现进口替代，但LCD 和半导体用光刻胶等高端产品仍需大量进口，正处于由中低端向中高端过渡阶段。 随着国家层面对半导体在资金、政策上的大力支持，国内光刻胶企业正在努力追赶，企业数量从2012年的5家增长到2017年15家，少数企业在中高端技术领域已取得一定突破。 其中半导体用光刻胶领域代表性企业有苏州瑞红和北京科华，两者分别承担了02专项i线（365nm）光刻胶和KrF线（248nm）光刻胶产业化课题。目前，苏州瑞红实现g/i线光刻胶量产，可以实现0.35μm的分辨率，248nm光刻胶中试示范线也已建成；北京科华KrF/ArF光刻胶已实现批量供货。 如今国际半导体产能正在逐渐向国内转移，受益于产业大趋势，国产光刻胶需求将日益提升，随着苏州瑞红、北京科华等企业在技术上的不断突破，国产化替代趋势愈加明显。
光刻胶项目立项报告 一、建设背景 全球光刻胶市场集中度高 光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产 酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的 对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工 艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 光刻胶被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作， 是微细加工技术的关键性材料。按应用领域分类，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他。2017年，全球光刻胶下 游应用较为均衡，PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他占比 基本都在25%左右。 从以上概念及应用可知，光刻胶用于微小图形的加工，生产工艺 复杂，技术壁垒较高。其主要技术参数包括分辨率、对比度、敏感度，此外还有粘滞性黏度、粘附性等。其中分辨率描述形成的关键尺寸； 对比度描述光刻胶从曝光区到非曝光区的陡度；敏感度为光刻胶上产
生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。诸多技术参数限制 构成了光刻胶的技术壁垒。 同时，光刻胶质量直接影响下游产品的质量，下游企业对光刻胶 供货企业的质量及供货能力非常重视，通常采取认证采购的商业模式。伴随着高的采购成本与认证成本，光刻胶生产厂家与下游企业通常会 形成较为稳定的合作，这对新供应商涉足光刻胶行业设置了准入壁垒。 由于极高的行业壁垒，全球光刻胶行业呈现寡头垄断格局，长年 被日本、欧美专业公司垄断。目前前五大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额，行业集中度较高。其中，日本JSR、东京应化、日本信越 与富士电子材料市占率加和达到72%。 细分领域来看，在PCB光刻胶市场，PCB干膜光刻胶厂家主要有7家，分别为台湾长兴化学、台湾长春化工、日本旭化成、日本日立化成、美国杜邦、韩国KOLON、意大利莫顿公司，其中长兴化学、旭化成、日立化成三家所占市场份额已达80%以上；湿膜光刻胶主要生产厂家有台湾长春化工、日本三井化学、飞凯材料等；光成像阻焊油墨的主要 生产商有日本太阳油墨、TAMURA制作所、欧洲HUNGTSUMAN、中国台湾 永胜泰、无锡广信油墨（台资）等公司，共占据市场80%以上份额，其中日本太阳油墨一家独大，几乎占据全球60%份额。
光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言： 光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微
一种适用于193nm 光刻胶的硫鎓盐光产酸剂的制备与性质 X X X X X X 摘要：制备了一种阳离子含有萘基，阴离子分别为对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸的硫鎓盐。它们有高的热解温度和在常用有机溶剂中较好的溶解性。测定了此类光产酸剂在水溶液及聚乙二醇固体膜层中的紫外吸收特性。结果表明阴离子不含苯基时，在193nm 处有很好的透明性。考察了其在低压汞灯照射下的光解性质，在254nm 附近的吸收峰随光解进行迅速减弱。此类光产酸剂适用于氟化氩激光（193nm ）等的化学增幅型光致抗蚀剂。 关键词：光产酸剂 193nm 光致抗蚀剂 化学增幅 硫鎓盐 光产酸剂（photoacid generator, PAG ）是各类化学增幅抗蚀剂的关键组分之一。 无论g 线（436 nm ）、i 线（365nm ）、氟化氪激光（248 nm ）、氟化氩激光(193nm)以及采用更短波长光源的抗蚀剂，为了提高感度，无一例外地采取了化学增幅的方法，从而也就必须使 用光产酸源，甚至使用酸致产酸的酸增殖剂[1]，以实现光照产酸后的化学增幅放大作用。更具 体地讲，所产生的酸导致抗蚀剂膜层中的物质发生种种化学反应，从而使光照部分与非光照部分溶解反差增大，实现显影成像。氟化氩激光光致抗蚀剂初期所用的光产酸剂主要为三苯基硫鎓盐或带有取代基的三苯基硫鎓盐，二苯基碘鎓盐或带有取代基的二苯基碘鎓盐，但这些鎓盐化合物在光照前后对193nm 光的吸收均较大，其产酸效率不像在248nm 光致抗蚀剂中 那样高，并导致成像质量下降，分辨率难以提高[2 3]。针对上述缺点，Shigeyuki Iwasa [4]等人 开发了不含苯环的丁酮-2-基戊硫环硫鎓盐化合物，配伍离子为CF 3SO 3—或C 4F 9SO 3—，它在193 nm 处透明度和感度都很好，且热稳定性高。Hiroyuki Ishii [5]等人提出产酸源透明度的改善是提 高193 nm 光致抗蚀剂性质的关键因素之一，他们用分子轨道计算法估算产酸源的透明度。结果表明多环芳香体系在1 93 nm 处有好的透明性，合成了1-烷氧基4-锍基萘鎓盐化合物。用此光产酸剂在聚甲基丙烯酸酯体系中进行光刻蚀成像，获得了高质量的图像。根据文献统计， 以往硫鎓盐的研究开发工作最多，不过近期也开始有一些新的体系的报道[6]。例如N-羟基琥 珀酰亚胺对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯，N-三氟甲烷磺酰氧萘二甲酰亚胺、二硝基苄基对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯和α-羟甲基安息香对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯等。 以往的工作多集中在各种光产酸剂实际用于光致抗蚀剂的成像效果评价上，有关光产酸剂的合成及性质研究的报道相对较少。为了解光产酸剂结构与其性质间的关系以及为ArF 激 光(193nm)光致抗蚀剂的研制选择适用的光产酸剂， 我们参考文献[7]的方法合成了已有报道的 以下结构的硫鎓盐光产酸剂[8，9]： 其特点是硫鎓盐阳离子中不含苯基但含有萘基和羰基。其配伍阴离子分别为：对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸。 S +C H 2O RSO 3 -
光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。
综合实验报告 题目：重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质 院系：化学学院 年级：2011级 指导老师：王力元 姓名：姚宁 学号：201111014918
摘要：本文关于制备一种正性光致抗蚀剂——重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂及其成像性质的研究。重氮萘醌磺酸酯采用2,4,4’-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体，与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化得到，产量 1.43g，产率82.6% ；并用红外光谱和熔点仪对产物进行了表征。重氮萘醌磺酯感光剂与酚醛树脂和乙二醇配胶并均匀铺在铝板上，在紫外下曝光，稀碱水洗涤显影。成像试验得到的结果是：最佳曝光时间为90S，分辨率为12um。 关键词：重氮萘醌磺酸酯重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂光化学腐蚀法感光化合物负性光致抗蚀剂正性光致抗蚀剂 正文： 实验目的： 1. 初步了解光致抗蚀剂的概念 2. 了解酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂的成像原理 3. 学习重氮萘醌磺酸酯的制备方法 4. 学习匀胶机、烘胶台、碘镓灯的使用方法 5. 学习抗蚀剂曝光、显影等评价方法。 实验原理： 在半导体器件和集成电路制造中，要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层，是运用感光性树脂材料在控制光照（主要是UV光）下，短时间内发生化学反应，使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化；再经各种不同的方法显影后获得的。这种方法称为“光化学腐蚀法”，也称为“光刻法”。这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”（又称光刻胶）。 按成像机理不同，光致抗蚀剂可分为负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂：（1）负性光致抗蚀剂：在紫外光照射下，光刻胶中光照部分发生交联反应，溶解度变小，用适当溶剂即可把未曝光的部分显影除去,在被加工表面形成与曝光掩膜相反的图像，因此称为负性光致抗蚀剂。（2）正性光致抗蚀剂：在紫外光照射下，光刻胶的光照部分发生分解，溶解度增大，用适当溶剂可以把光照部分显影除去，即形成与掩膜一致的图像，因此称为正性光致抗蚀剂。如图1所示。
光刻技术及其应用的状况和未来发展 光刻技术及其应用的状况和未来发展1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，一方面在过去的几十年中发挥了重大作用；另一方面，随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等，寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样，上世纪基本上3～5年修正一次，而进入本世纪后，基本上每年都有修正和新的版本出现，这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。如图1所示，是基于2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案的预测。也正是基于这一点，新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开，大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此，正确把握光刻技术发展的主流十分重要，不仅可以节省时间和金钱，同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间，因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的纷争及其应用状况 众说周知，电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小"，这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率，即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度，以满足产业发展的需求；另一方面，光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响，这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下，具有较低的COO和COC。因此，光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中使用最多的技术，特别是前两种技术，在半导体工业的进步中，起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350～450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线，特别是波长为365nm的i线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等，可为0.35～0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障，在目前任何一家FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术至少50％的份额；同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面，有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等，如图2所示。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面，ASML以提供前工程的l:4步进扫描系统为主，分辨率覆盖0.5～0.25μm：NIKON以提供前工程的1：5步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率覆盖0.8～0.35μm和2～0.8μm；CANON以提供前工程的1：4步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率也覆盖0.8～0.35μm和1～0.8μm；ULTRATECH以提供低端前工程的1：5步进重复系统和特殊用途(先进封装／MEMS／，薄膜磁头等等)的1：1步进重复系统为主；而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l：1接触／接近式系统和特殊用途(先进封装／MEMS／HDI等等)的1：1接触／接近式系为主。另外，在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARACK和EV Group等。 深紫外技术
光刻胶项目 可行性研究报告规划设计 / 投资分析
摘要 该光刻胶项目计划总投资17894.46万元，其中：固定资产投资14436.11万元，占项目总投资的80.67%；流动资金3458.35万元，占项目总投资的19.33%。 达产年营业收入28205.00万元，总成本费用22446.42万元，税金及附加324.02万元，利润总额5758.58万元，利税总额6876.89万元，税后净利润4318.93万元，达产年纳税总额2557.95万元；达产年投资利润率32.18%，投资利税率38.43%，投资回报率24.14%，全部投资回收期5.64年，提供就业职位537个。 依据国家产业发展政策、相关行业“十三五”发展规划、地方经济发展状况和产业发展趋势，同时，根据项目承办单位已经具体的资源条件、建设条件并结合企业发展战略，阐述投资项目建设的背景及必要性。 项目基本情况、项目建设背景分析、产业分析、产品规划分析、项目选址方案、项目工程方案分析、工艺技术、项目环境影响分析、生产安全保护、风险应对评价分析、节能评估、项目实施方案、投资分析、项目经营效益分析、综合结论等。
光刻胶项目可行性研究报告目录 第一章项目基本情况 第二章项目建设背景分析 第三章产业分析 第四章产品规划分析 第五章项目选址方案 第六章项目工程方案分析 第七章工艺技术 第八章项目环境影响分析 第九章生产安全保护 第十章风险应对评价分析 第十一章节能评估 第十二章项目实施方案 第十三章投资分析 第十四章项目经营效益分析 第十五章项目招投标方案 第十六章综合结论
第一章项目基本情况 一、项目承办单位基本情况 （一）公司名称 xxx有限责任公司 （二）公司简介 公司坚持“以人为本，无为而治”的企业管理理念，以“走正道，负责任，心中有别人”的企业文化核心思想为指针，实现新的跨越，创造新的辉煌。热忱欢迎社会各界人士咨询与合作。 公司及时跟踪客户需求，与国内供应商进行了深入、广泛、紧密的合作，为客户提供全方位的信息化解决方案。和新科技在全球信息化的浪潮中持续发展，致力成为业界领先且具鲜明特色的信息化解决方案专业提供商。 公司坚持精益化、规模化、品牌化、国际化的战略，充分发挥渠道优势、技术优势、品牌优势、产品质量优势、规模化生产优势，为客户提供高附加值、高质量的产品。公司将不断改善治理结构，持续提高公司的自主研发能力，积极开拓国内外市场。 （三）公司经济效益分析 上一年度，xxx实业发展公司实现营业收入17032.40万元，同比增长21.44%（3007.51万元）。其中，主营业业务光刻胶生产及销售收入为
光刻胶项目 可行性报告 投资分析/实施方案
光刻胶项目可行性报告说明 光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 该光刻胶项目计划总投资10875.13万元，其中：固定资产投资7501.47万元，占项目总投资的68.98%；流动资金3373.66万元，占项目总投资的31.02%。 达产年营业收入24179.00万元，总成本费用18844.44万元，税金及附加196.08万元，利润总额5334.56万元，利税总额6266.44万元，税后净利润4000.92万元，达产年纳税总额2265.52万元；达产年投资利润率49.05%，投资利税率57.62%，投资回报率36.79%，全部投资回收期4.22年，提供就业职位363个。 严格遵守国家产业发展政策和地方产业发展规划的原则。项目一定要遵循国家有关相关产业政策，深入进行市场调查，紧密跟踪项目产品市场走势，确保项目具有良好的经济效益和发展前景。项目建设必须依法遵循国家的各项政策、法规和法令，必须完全符合国家产业发展政策、相关行业投资方向及发展规划的具体要求。
...... 报告主要内容：总论、建设背景分析、项目市场研究、项目规划方案、项目选址、土建工程分析、项目工艺分析、环境影响概况、安全卫生、风 险应对说明、节能可行性分析、项目进度说明、投资方案、项目经营收益 分析、项目综合评价结论等。
第一章总论 一、项目概况 （一）项目名称 光刻胶项目 光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 （二）项目选址 某某产业示范中心 （三）项目用地规模 项目总用地面积26946.80平方米（折合约40.40亩）。 （四）项目用地控制指标 该工程规划建筑系数71.25%，建筑容积率1.56，建设区域绿化覆盖率5.86%，固定资产投资强度185.68万元/亩。 （五）土建工程指标
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地） 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR 系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%） Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm～0.18μm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利
微机电系统（MEMS）的主要工艺 姓名：曹光浦 班级：02321202 学号：1120120403 指导老师：何光
前言 微电子机械系统（MEMS）的出现，极大地扩展了微电子领域的研究空间。从广义上讲，MEMS是指集微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的完整系统。MEMS主要包含了微型传感器、执行器及相应的处理电路三部分。作为输入信号的自然界的各种信息，首先通过传感器转化成各种电信号，经过信号处理以后，再通过微执行器对外部世界发生作用。传感器可以把能量从一种形式转化成另一种形式，从而将现实世界的信号（如热、运动等信号）转化成系统可以处理的信号（如电信号）。执行器根据信号处理电路发出的指令完成人们所需要的操作。信号处理器则可以对信号进行转换、放大和计算等处理。 微机电系统（MEMS）的主要工艺 1、体加工工艺 1.1腐蚀工艺 腐蚀是指一种材料在它所处的环境中由于另一种材料的作用而造成的缓慢的损害的现象。然而在不同的科学领域对腐蚀这一概念则有完全不同的理解方式。在微加工工艺中，腐蚀工艺是用来“可控性”的“去除”材料的工艺。大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。“Top-Down”加工思想是通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人）作为实现“去除”步骤的腐蚀工艺是形成特定平面及三维结构过程中，最为关键的一步。 腐蚀工艺简介图 1.2湿法腐蚀 湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材
料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多，有酸性腐蚀剂，碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂，又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀的试剂很多，包括各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否获得高纯试剂，以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制，因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类，一类是有机腐蚀剂，包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等，另一类是无机腐蚀剂，包括碱性腐蚀液，如KOH、NaOH、NH4OH 等。 1.3干法腐蚀 干法腐蚀是指利用高能束与表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。干法腐蚀能实现各向异性刻蚀，即纵向的刻蚀速率远大于横向刻蚀的速率，保证了细小图形转移后的高保真性。但工艺设备昂贵，不适用于生产。 就湿法和干法比较而言，湿法的腐蚀速率快、各向异性差、成本低，腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度，具有较高的机械灵敏度。但控制腐蚀厚度困难，且难以与集成电路进行集成。 湿法腐蚀和干法腐蚀的优缺点比较 2、硅片键合工艺
2020年光刻胶行业现状 及前景趋势 2020年
目录 1.光刻胶行业现状 (4) 1.1光刻胶行业定义及产业链分析 (4) 1.2光刻胶市场规模分析 (6) 1.3光刻胶市场运营情况分析 (7) 2.光刻胶行业存在的问题 (10) 2.1纯度要求高、工艺复杂 (10) 2.2配方技术问题 (10) 2.3光刻机的配套需求问题 (10) 2.4体量壁垒问题 (10) 2.5供应链整合度低 (11) 2.6产业结构调整进展缓慢 (11) 2.7供给不足，产业化程度较低 (11) 3.光刻胶行业前景趋势 (13) 3.1技术难度最高，国产化率极低 (13) 3.2技术含量较低，国产化率超过50% (13) 3.3市场规模最大，低端产品已实现国产化 (13) 3.4用户体验提升成为趋势 (14) 3.5生态化建设进一步开放 (14) 3.6呈现集群化分布 (15) 3.7需求开拓 (16)
4.光刻胶行业政策环境分析 (16) 4.1光刻胶行业政策环境分析 (16) 4.2光刻胶行业经济环境分析 (17) 4.3光刻胶行业社会环境分析 (17) 4.4光刻胶行业技术环境分析 (17) 5.光刻胶行业竞争分析 (19) 5.1光刻胶行业竞争分析 (19) 5.1.1对上游议价能力分析 (19) 5.1.2对下游议价能力分析 (19) 5.1.3潜在进入者分析 (20) 5.1.4替代品或替代服务分析 (20) 5.2中国光刻胶行业品牌竞争格局分析 (21) 5.3中国光刻胶行业竞争强度分析 (21) 6.光刻胶产业投资分析 (22) 6.1中国光刻胶技术投资趋势分析 (22) 6.2中国光刻胶行业投资风险 (22) 6.3中国光刻胶行业投资收益 (23)