光刻胶项目
可行性研究报告规划设计 / 投资分析
摘要
该光刻胶项目计划总投资17894.46万元，其中：固定资产投资14436.11万元，占项目总投资的80.67%；流动资金3458.35万元，占项目总投资的19.33%。
达产年营业收入28205.00万元，总成本费用22446.42万元，税金及附加324.02万元，利润总额5758.58万元，利税总额6876.89万元，税后净利润4318.93万元，达产年纳税总额2557.95万元；达产年投资利润率32.18%，投资利税率38.43%，投资回报率24.14%，全部投资回收期5.64年，提供就业职位537个。
依据国家产业发展政策、相关行业“十三五”发展规划、地方经济发展状况和产业发展趋势，同时，根据项目承办单位已经具体的资源条件、建设条件并结合企业发展战略，阐述投资项目建设的背景及必要性。
项目基本情况、项目建设背景分析、产业分析、产品规划分析、项目选址方案、项目工程方案分析、工艺技术、项目环境影响分析、生产安全保护、风险应对评价分析、节能评估、项目实施方案、投资分析、项目经营效益分析、综合结论等。
光刻胶项目可行性研究报告目录
第一章项目基本情况
第二章项目建设背景分析
第三章产业分析
第四章产品规划分析
第五章项目选址方案
第六章项目工程方案分析
第七章工艺技术
第八章项目环境影响分析
第九章生产安全保护
第十章风险应对评价分析
第十一章节能评估
第十二章项目实施方案
第十三章投资分析
第十四章项目经营效益分析
第十五章项目招投标方案
第十六章综合结论
第一章项目基本情况
一、项目承办单位基本情况
（一）公司名称
xxx有限责任公司
（二）公司简介
公司坚持“以人为本，无为而治”的企业管理理念，以“走正道，负责任，心中有别人”的企业文化核心思想为指针，实现新的跨越，创造新的辉煌。热忱欢迎社会各界人士咨询与合作。
公司及时跟踪客户需求，与国内供应商进行了深入、广泛、紧密的合作，为客户提供全方位的信息化解决方案。和新科技在全球信息化的浪潮中持续发展，致力成为业界领先且具鲜明特色的信息化解决方案专业提供商。
公司坚持精益化、规模化、品牌化、国际化的战略，充分发挥渠道优势、技术优势、品牌优势、产品质量优势、规模化生产优势，为客户提供高附加值、高质量的产品。公司将不断改善治理结构，持续提高公司的自主研发能力，积极开拓国内外市场。
（三）公司经济效益分析
上一年度，xxx实业发展公司实现营业收入17032.40万元，同比增长21.44%（3007.51万元）。其中，主营业业务光刻胶生产及销售收入为
16166.28万元，占营业总收入的94.91%。
上年度主要经济指标
根据初步统计测算，公司实现利润总额3971.54万元，较去年同期相比增长850.13万元，增长率27.24%；实现净利润2978.65万元，较去年同期相比增长329.33万元，增长率12.43%。
上年度主要经济指标
二、项目建设符合性
（一）产业发展政策符合性
由xxx有限责任公司承办的“光刻胶项目”主要从事光刻胶项目投资经营，其不属于国家发展改革委《产业结构调整指导目录（2011年本）》（2013年修正）有关条款限制类及淘汰类项目。
（二）项目选址与用地规划相容性
光刻胶项目选址于某高新区，项目所占用地为规划工业用地，符合用地规划要求，此外，项目建设前后，未改变项目建设区域环境功能区划；在落实该项目提出的各项污染防治措施后，可确保污染物达标排放，满足
某高新区环境保护规划要求。因此，建设项目符合项目建设区域用地规划、产业规划、环境保护规划等规划要求。
（三）“三线一单”符合性
1、生态保护红线：光刻胶项目用地性质为建设用地，不在主导生态功
能区范围内，且不在当地饮用水水源区、风景区、自然保护区等生态保护
区内，符合生态保护红线要求。
2、环境质量底线：该项目建设区域环境质量不低于项目所在地环境功
能区划要求，有一定的环境容量，符合环境质量底线要求。
3、资源利用上线：项目营运过程消耗一定的电能、水，资源消耗量相
对于区域资源利用总量较少，符合资源利用上线要求。
4、环境准入负面清单：该项目所在地无环境准入负面清单，项目采取
环境保护措施后，废气、废水、噪声均可达标排放，固体废物能够得到合
理处置，不会产生二次污染。
三、项目概况
（一）项目名称
光刻胶项目
（二）项目选址
某高新区
（三）项目用地规模
项目总用地面积57175.24平方米（折合约85.72亩）。
（四）项目用地控制指标
该工程规划建筑系数50.87%，建筑容积率1.25，建设区域绿化覆盖率5.23%，固定资产投资强度168.41万元/亩。
（五）土建工程指标
项目净用地面积57175.24平方米，建筑物基底占地面积29085.04平方米，总建筑面积71469.05平方米，其中：规划建设主体工程50510.51平方米，项目规划绿化面积3738.18平方米。
（六）设备选型方案
项目计划购置设备共计171台（套），设备购置费4492.56万元。
（七）节能分析
1、项目年用电量851902.02千瓦时，折合104.70吨标准煤。
2、项目年总用水量14610.34立方米，折合1.25吨标准煤。
3、“光刻胶项目投资建设项目”，年用电量851902.02千瓦时，年总用水量14610.34立方米，项目年综合总耗能量（当量值）105.95吨标准煤/年。达产年综合节能量31.65吨标准煤/年，项目总节能率24.99%，能源利用效果良好。
（八）环境保护
项目符合某高新区发展规划，符合某高新区产业结构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严
格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明显
的影响。
（九）项目总投资及资金构成
项目预计总投资17894.46万元，其中：固定资产投资14436.11万元，占项目总投资的80.67%；流动资金3458.35万元，占项目总投资的19.33%。
（十）资金筹措
该项目现阶段投资均由企业自筹。
（十一）项目预期经济效益规划目标
预期达产年营业收入28205.00万元，总成本费用22446.42万元，税
金及附加324.02万元，利润总额5758.58万元，利税总额6876.89万元，
税后净利润4318.93万元，达产年纳税总额2557.95万元；达产年投资利
润率32.18%，投资利税率38.43%，投资回报率24.14%，全部投资回收期
5.64年，提供就业职位537个。
（十二）进度规划
本期工程项目建设期限规划12个月。
选派组织能力强、技术素质高、施工经验丰富、最优秀的工程技术人
员和施工队伍投入本项目施工。
四、报告说明
项目可行性研究报告核心提示：项目投资环境分析，项目背景和发展
概况，项目建设的必要性，行业竞争格局分析，行业财务指标分析参考，
行业市场分析与建设规模，项目建设条件与选址方案，项目不确定性及风
险分析，行业发展趋势分析
五、项目评价
1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合某高新区及
某高新区光刻胶行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进某高新区光
刻胶产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推
动意义。
2、xxx实业发展公司为适应国内外市场需求，拟建“光刻胶项目”，
本期工程项目的建设能够有力促进某高新区经济发展，为社会提供就业职
位537个，达产年纳税总额2557.95万元，可以促进某高新区区域经济的
繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。
3、项目达产年投资利润率32.18%，投资利税率38.43%，全部投资回
报率24.14%，全部投资回收期5.64年，固定资产投资回收期5.64年（含
建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。
4、改革开放以来，我国非公有制经济发展迅速，在支撑增长、促进就业、扩大创新、增加税收，推动社会主义市场经济制度完善等方面发挥了
重要作用，已成为我国经济社会发展的重要基础。但部分民营企业经营管
理方式和发展模式粗放，管理方式、管理理念落后，风险防范机制不健全，先进管理模式和管理手段应用不够广泛，企业文化和社会责任缺乏，难以
适应我国经济社会发展的新常态和新要求。公有制为主体、多种所有制经
济共同发展,是我国的基本经济制度；毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持和引导非公有制经济发展，是党和国家的大政方针。今天，我们对民营经济的包容与支持始终如一，人们在市场经济中创造未来的激情也澎湃如昨。
综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。
六、主要经济指标
主要经济指标一览表
第二章项目建设背景分析
一、项目建设背景
1、当前，中国正处于经济结构调整转型升级的关键期，而“中国制造2025”则是助力中国经济转型、迈向创新社会的重要举措。“中国制造2025”指出，要把结构调整作为建设制造强国的关键环节，大力发展先进制造业，改造提升传统产业。
2、当前，中国正处于经济结构调整转型升级的关键期，而“中国制造2025”则是助力中国经济转型、迈向创新社会的重要举措。“中国制造2025”指出，要把结构调整作为建设制造强国的关键环节，大力发展先进制造业，改造提升传统产业。
3、到2020年，战略性新兴产业增加值占国内生产总值比重达到15%。2015年，我国战略性新兴产业增加值占国内生产总值比重为8%左右。未来5到10年，是全球新一轮科技革命和产业变革从蓄势待发到群体迸发的关键时期。
4、项目承办单位已经形成了广阔的视野和集成外部技术的能力，在此基础上公司成立了技术研发中心，开展集成创新，实现了相对项目产品设计、制造、工艺、检验、调试等服务流程，完成了项目产品产业化制造的各项准备工作。
要按照中央部署，把推动制造业高质量发展放到更加突出的位置，坚持并与时俱进地深化供给侧结构性改革，在“巩固、增强、提升、畅通”上狠下功夫，以促进技术变革、提升产业链条为重点，持续巩固“三去一降一补”成果，着力增强微观主体活力、畅通国民经济循环，采取有力措施，尽快改变比重下滑趋势，努力建设制造强国。
二、必要性分析
1、伴随进入新常态，我国经济增长正从高速转向中高速，发展方式正从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，结构调整正从增量扩能为主转向存量与增量并存的深度调整，发展动力正从传统增长点转向新增长点。新常态下“稳增长”的潜力十分巨大，机遇也非常难得。当前，新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化的“新四化”深入发展，国内市场潜力巨大，农业生产连年丰收，国民储蓄率较高，科技和教育整体水平提升，劳动力素质改善，改革不断深化，社会保持稳定，这些都为我国经济实现稳定增长创造了有利条件，开辟了广阔空间。我们完全有条件、有能力、有信心巩固经济发展的好势头。
2、以转变经济发展方式为主线，以提升工业经济可持续发展能力为立足点，以提高自主创新能力为动力，努力推动传统产业上层次、提技术、创品牌、增效益，促进传统产业走创新型、效益型、集约型、生态型的发展模式，引导传统产业实现从块状经济向产业集群、从低端生产向高端制造的“双转型”。
3、在制造业方面，将以“中国制造2025”战略为主轴，以信息化与工业化深度融合为主题，强化工业基础能力，提高工艺水平和产品质量，推
进智能制造、绿色制造。并要以市场化、产业化、社会化、国际化为发展
方向，加快发展生产性服务业，大力发展生活性服务业，打造有利服务业
发展的好环境。
4、目前，项目承办单位建立了企业内部研发中心，可以根据客户的需求，研制、开发适应市场需求的产品，并已在材料和设备及制造工艺上取
得新的突破，项目承办单位已取得了丰硕的成果，公司所生产的产品质量
指标均已达到国内领先水平，同国际技术水平接轨；通过保持人才、技术、设备、研发能力、市场营销、生产材料供应等方面的优势，产、学、研相
结合的经营模式，无论是对项目承办单位自身还是国内相关产业的发展都
具有深远的影响。
三、项目建设有利条件
随着世界经济一体化的发展，项目产品及相关行业在国际市场竞争中
已具有龙头地位，同时，xx省又是相关行业在国内的生产基地，这就使本
行业在国际市场有不可估量的发展空间；项目承办单位通过参加国外会展
和网络销售，可以使公司项目产品在国际市场中占有更大的市场份额。
第三章产业分析
目前，区域内拥有各类光刻胶企业969家，规模以上企业30家，从业人员48450人。截至2017年底，区域内光刻胶产值135878.60万元，较2016年117066.08万元增长16.07%。产值前十位企业合计收入59765.78万元，较去年53751.04万元同比增长11.19%。
区域内光刻胶行业经营情况
区域内光刻胶企业经营状况良好。以AAA为例，2017年产值14642.62
万元，较上年度13133.57万元增长11.49%，其中主营业务收入14339.98
万元。2017年实现利润总额4402.33万元，同比增长25.14%；实现净利润1553.34万元，同比增长13.77%；纳税总额92.84万元，同比增长13.04%。2017年底，AAA资产总额21392.08万元，资产负债率46.54%。
2017年区域内光刻胶企业实现工业增加值50189.53万元，同比2016
年43007.31万元增长16.70%；行业净利润17452.20万元，同比2016年15375.03万元增长13.51%；行业纳税总额20615.45万元，同比2016年17814.94万元增长15.72%；光刻胶行业完成投资39264.23万元，同比
2016年34624.54万元增长13.40%。
区域内光刻胶行业营业能力分析
区域内经济发展持续向好，预计到2020年地区生产总值6000.01亿元，年均增长6.42%。预计区域内光刻胶行业市场需求规模将达到204700.50万元，利润总额54772.93万元，净利润27353.35万元，纳税15157.58万元，工业增加值80311.25万元，产业贡献率11.32%。
区域内光刻胶行业市场预测（单位：万元）
第四章产品规划分析
一、产品规划
项目主要产品为光刻胶，根据市场情况，预计年产值28205.00万元。
随着全球经济一体化格局的形成，相关行业的市场竞争愈加激烈，要
想在市场上站稳脚跟、求得突破，就要聘请有营销经验的营销专家领衔组
织一定规模的营销队伍，创新机制建立起一套行之有效的营销策略。
二、建设规模
（一）用地规模
该项目总征地面积57175.24平方米（折合约85.72亩），其中：净用
地面积57175.24平方米（红线范围折合约85.72亩）。项目规划总建筑面
积71469.05平方米，其中：规划建设主体工程50510.51平方米，计容建
筑面积71469.05平方米；预计建筑工程投资5283.36万元。
（二）设备购置
项目计划购置设备共计171台（套），设备购置费4492.56万元。
（三）产能规模
项目计划总投资17894.46万元；预计年实现营业收入28205.00万元。
第五章项目选址方案
一、项目选址原则
场址选择应提供足够的场地用以满足项目产品生产工艺流程及辅助生
产设施的建设需要；场址应具备良好的生产基础条件而且生产要素供应充裕，确保能源供应有可靠的保障。
二、项目选址
该项目选址位于某高新区。
振兴发展基础夯实，成功创建国家级高新区，省级产业园工业增加值、税收占比分别提升26个、23.5个百分点；中心城区建成面积增至70万平
方公里，常住人口城镇化率达到48.6%，提高1.1个百分点。
三、建设条件分析
随着世界经济一体化的发展，项目产品及相关行业在国际市场竞争中
已具有龙头地位，同时，xx省又是相关行业在国内的生产基地，这就使本
行业在国际市场有不可估量的发展空间；项目承办单位通过参加国外会展
和网络销售，可以使公司项目产品在国际市场中占有更大的市场份额。
四、用地控制指标
投资项目占地产出收益率完全符合国土资源部发布的《工业项目建设
用地控制指标》（国土资发【2008】24号）中规定的行业产品制造行业占
光刻胶行业现状分析 ▌国产光刻胶现状 光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，按应用领域可分为PCB（线路板）用、平板显示（LCD、LED）用和半导体用三类，目前国内市场上绝大多数厂商生产的产品为前两者。 在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，占芯片制造时间的40%~50%，光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。 为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向g线（436nm）→i线（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→F2（157nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 目前半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。 半导体用光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中，日美企业基本垄断了g/i线光刻胶、KrF/ArF光刻胶市场，生产商主要有JSR、信越化学工业、TOK、陶氏化学等。 国产光刻胶发展起步较晚，与国外先进光刻胶技术相比国内产品落后4代，目前主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品，虽然PCB领域已初步实现进口替代，但LCD 和半导体用光刻胶等高端产品仍需大量进口，正处于由中低端向中高端过渡阶段。 随着国家层面对半导体在资金、政策上的大力支持，国内光刻胶企业正在努力追赶，企业数量从2012年的5家增长到2017年15家，少数企业在中高端技术领域已取得一定突破。 其中半导体用光刻胶领域代表性企业有苏州瑞红和北京科华，两者分别承担了02专项i线（365nm）光刻胶和KrF线（248nm）光刻胶产业化课题。目前，苏州瑞红实现g/i线光刻胶量产，可以实现0.35μm的分辨率，248nm光刻胶中试示范线也已建成；北京科华KrF/ArF光刻胶已实现批量供货。 如今国际半导体产能正在逐渐向国内转移，受益于产业大趋势，国产光刻胶需求将日益提升，随着苏州瑞红、北京科华等企业在技术上的不断突破，国产化替代趋势愈加明显。
目录 目录 (1) 一、什么是光刻胶 (3) 二、光刻胶的分类 (3) 三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3) 四、光刻胶的发展及应用 (6) 五、国内光刻胶的现状和应用 (8) 六、相关技术资料 (9) 1.液态光成像阻焊油墨（供借鉴） (9) 2.UV可剥性涂料（供借鉴） (9) 3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质（供借鉴） (10) 4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质（供借鉴） (10) 5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究（供借鉴） (11) 6.酚醛感光材料的研究材料（供借鉴） (12) 7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13) 8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13) 9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14) 10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14) 七、市场上的产品介绍 (14) 1.北京恒业中远化工有限公司 (15) 聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15) 双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂（环化橡胶类负型光致抗蚀剂） (15) 聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15) 邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15) 2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16) 3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16) 4.苏州锐材半导体有限公司 (17) 5.国外G,H,I线光刻胶 (17) 6.瑞士SU-8光刻胶 (17) 八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)
九、初步方案(待深入分析) (18) 1.丙烯酸基光刻胶 (18) 2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18) 3.聚酯类类负性光刻胶 (19) 4.环化橡胶类负性光刻胶 (19) 5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)
光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。
铁道科学研究院产品介绍 一、产品说明 ZV型混凝土修补胶是以高分子共聚物为基本原料，掺加适量改性剂、有机助剂配制成的水乳状产品，无毒、不燃、无腐蚀性，PH值为6～6.5，粘度200～500厘泊。 ZV型混凝土修补胶对混凝土、砖、石、金属、织物都有很强的粘结强度，它可以直接掺入水泥砂浆和混凝土中，配制成聚合物砂浆和聚合物混凝土，大大增加粘结强度、抗拉抗折强度，提高抗渗性能，也可以掺入水泥浆中配制薄层涂料和界面处理浆。 ZV型修补胶贮运时不得受冻，应在＋5oC以上温度时使用，其有效期为一年。 二、用途 用于混凝土的修补、粘贴面砖、作彩色地坪；新旧混凝土的界面处理；混凝土结构物的表面防护、装饰和封闭裂缝。 三、使用方法 1.配制聚合物水泥砂浆，用于混凝土修补、粘贴面砖、作防水层。 ①将混凝土基面或缺陷部分清洗干净; ②拌制聚合物水泥浆和水泥砂浆，配合比参考下表： ③首先在基面或缺陷部位涂刷一层聚合物水泥浆，再将聚合物水泥砂浆用抹刀填补缺陷、压抹防水层或粘贴面砖。 2.配制聚合物水泥浆，用于混凝土表面涂膜、装饰和封闭细裂缝。 ①先清除混凝土表面的粉尘、油污。孔洞和裂缝处预先补平。用水湿润混凝土表面。 ②参考下表的重量比拌制聚合物水泥浆，并用铁窗纱过滤，除去团块杂物待用。
③用聚合物水泥浆涂刷。可采用圆滚刷进行滚涂，也可用毛刷进行刷涂，或滚涂与刷涂结合。一般涂3～4道，前一道干后再涂后一道，涂刷方向前后二次互相垂直。 ④聚合物水泥浆中可以掺入色料，用于彩色装饰。 ⑤为了增加表面硬度和光泽性，提高防水效果，可在涂膜的外面罩涂1～2道透明的ZB 型罩面胶。 ⑥ZB型罩面胶为乳白色液体，PH值为7.5~9.0，粘度500~2000cP，具有优异的耐水性能。本品应在0oC以上保存，避免曝晒，保质期六个月，成膜温度15oC。 3.配制界面处理水泥浆，用于增加新旧混凝土界面强度，代替凿毛处理的传统 作法。 ①旧混凝土基面要冲刷干净，排除积水。 ②界面处理水泥浆和水泥砂浆参考下表拌制。 ③在旧基面上涂刷界面处理浆，在其凝结之前，接打新混凝土或抹砂浆。 ④如果新混凝土不可能马上灌筑，为了增加旧基面的粗糙度，可进行如下糙化处理：先在旧基面上涂一道界面处理浆，然后再刷一道糙化处理砂浆，待其硬化后，形成带粗砂的糙面层。再接打新混凝土，新旧混凝土间的粘结强度将大大提高。 ⑤界面水泥浆所用水泥应与新灌混凝土或砂浆的水泥一致，多为硅酸盐类水泥。但如在路面快速修补等情况时，界面水泥浆应与新混凝土一样采用快硬硫铝酸盐水泥。 四、主要性能 1.聚合物砂浆性能 注：水泥:中砂:ZV胶:水＝1:2.5:0.4:0.20
光刻胶可行性研究报告范文 第一章光刻胶项目概要 第二章光刻胶项目背景及可行性 第三章光刻胶项目选址用地规划及土建工程 第四章光刻胶项目总图布置方案 第五章光刻胶项目规划方案 第六章光刻胶项目环境保护 第七章光刻胶项目能源消费及节能分析 第八章光刻胶项目建设期及实施进度计划 第九章光刻胶项目投资估算 第十章光刻胶项目融资方案 第十一章光刻胶项目经济效益分析 第十二章光刻胶项目社会效益评价 第十三章光刻胶项目综合评价及投资建议
第一章项目概要 一、项目名称及建设性质 （一）项目名称 光刻胶生产项目 （二）项目建设性质 本期工程项目属于新建工业项目，主要从事光刻胶项目投资及运营。 二、项目承办企业及项目负责人 某某有限责任公司 三、项目建设背景分析 中国的制造业正面临着第三次工业革命。第三次工业革命是由于人工智能、数字制造和工业机器人等基础技术的成熟和成本下降，以数字制造和智能制造为代表的现代制造技术对既有制造范式的改造以及基于现代制造技术的新型制造范式的出现，其核心特征是制造的数字化、智能化和网络化。 四、项目建设选址 “光刻胶投资建设项目”计划在某某省某某市某某县经济开发区实施，本期工程项目规划总用地面积120000.60 平方米（折合约180.00 亩），净用地面积119440.60 平方米（红线范围折合约179.16 亩）。该建设场址地理位置优越，交通便利，规划道路、电力、天然气、给排水、通讯等
公用设施条件完善，非常适宜本期工程项目建设。 五、项目占地及用地指标 1、本期工程项目拟申请有偿受让国有土地使用权，规划总用地面积120000.60 平方米（折合约180.00 亩），其中：代征公共用地面积560.00 平方米，净用地面积119440.60 平方米（红线范围折合约179.16 亩）；本期工程项目建筑物基底占地面积85173.07 平方米；项目规划总建筑面积121960.77 平方米，其中：不计容建筑面积0.00 平方米，计容建筑面积121960.77 平方米；绿化面积8193.63 平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积22756.14 平方米；土地综合利用面积119440.60 平方米，土地综合利用率100.00 %。 2、该项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照光刻胶行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局，符合光刻胶制造经营的规划建设需要。 3、根据中华人民共和国国土资源部国土资发【2008】24号文及国土资发【2008】308号文的规定，某某县土地等别为九等，本期工程项目行业分类：光刻胶行业；根据谨慎测算，本期工程项目固定资产投资强度3024.77 万元/公顷>1259.00 万元/公顷，建筑容积率1.02 >0.80 ，建筑系数71.31 %>30.00 %，建设区域绿化覆盖率6.86 %<20.00 %，办公及生活服务设施用地所占比重4.80 %<7.00 %，各项用地技术指标均符合规定要
````4. 光刻胶 欧阳光明（2021.03.07） 光刻胶主要由树脂（Resin）、感光剂（Sensitizer）、溶剂（Solvent）及添加剂（Additive）等不同的材料按一定比例配制而成。其中树脂是粘合剂（Binder），感光剂是一种光活性（Photoactivity）极强的化合物，它在光刻胶内的含量与树脂相当，两者同时溶解在溶剂中，以液态形式保存，以便于使用。 4.1 光刻胶的分类 ⑴负胶 1.特点 ·曝光部分会产生交联（Cross Linking），使其结构加强而不溶于现像液； ·而未曝光部分溶于现像液； ·经曝光、现像时，会有膨润现像，导致图形转移不良，故负胶一般不用于特征尺寸小于3um的制作中。 2.分类（按感光性树脂的化学结构分类） 常用的负胶主要有以下两类： ·聚肉桂酸酯类光刻胶 这类光刻胶的特点，是在感光性树脂分子的侧链上带有肉 桂酸基感光性官 能团。如聚乙烯醇肉桂酸酯（KPR胶）、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯（OSR胶）等。
·聚烃类—双叠氮类光刻胶 这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂（主 要是环化橡胶）、 双叠氮型交联剂、增感剂和溶剂配制而成。 3.感光机理 ①肉桂酸酯类光刻胶 KPR胶和OSR胶的感光性树脂分子结构如下：在紫外线作用下，它们侧链上的肉桂酰官能团里的炭－炭双键发生二聚反应，引起聚合物分子间的交联，转变为不溶于现像液的物质。KPR胶的光化学交联反应式如下： 这类光刻胶中的高分子聚合物，不仅能在紫外线作用下发生交联，而且在一定温度以上也会发生交联，从而在现像时留下底膜，所以要严格控制前烘的温度与时间。 ②聚烃类—双叠氮类光刻胶 这类光刻胶的光化学反应机理与前者不同，在紫外线作 用下，环化橡胶 分子中双键本身不能交联，必须有作为交联剂的双叠氮化合物参加才能发生交联反应。交联剂在紫外线作用下产生双自由基，它和聚烃类树脂相作用，在聚合物分子之间形成桥键，变为三维结构的不溶性物质。其光化学反应工程如下： 首先，双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应： 双叠氮交联剂分解后生成的双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联（加成）和炭氢取代反应，机理如下：
光刻胶项目立项报告 一、建设背景 全球光刻胶市场集中度高 光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产 酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的 对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工 艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 光刻胶被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作， 是微细加工技术的关键性材料。按应用领域分类，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他。2017年，全球光刻胶下 游应用较为均衡，PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他占比 基本都在25%左右。 从以上概念及应用可知，光刻胶用于微小图形的加工，生产工艺 复杂，技术壁垒较高。其主要技术参数包括分辨率、对比度、敏感度，此外还有粘滞性黏度、粘附性等。其中分辨率描述形成的关键尺寸； 对比度描述光刻胶从曝光区到非曝光区的陡度；敏感度为光刻胶上产
生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。诸多技术参数限制 构成了光刻胶的技术壁垒。 同时，光刻胶质量直接影响下游产品的质量，下游企业对光刻胶 供货企业的质量及供货能力非常重视，通常采取认证采购的商业模式。伴随着高的采购成本与认证成本，光刻胶生产厂家与下游企业通常会 形成较为稳定的合作，这对新供应商涉足光刻胶行业设置了准入壁垒。 由于极高的行业壁垒，全球光刻胶行业呈现寡头垄断格局，长年 被日本、欧美专业公司垄断。目前前五大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额，行业集中度较高。其中，日本JSR、东京应化、日本信越 与富士电子材料市占率加和达到72%。 细分领域来看，在PCB光刻胶市场，PCB干膜光刻胶厂家主要有7家，分别为台湾长兴化学、台湾长春化工、日本旭化成、日本日立化成、美国杜邦、韩国KOLON、意大利莫顿公司，其中长兴化学、旭化成、日立化成三家所占市场份额已达80%以上；湿膜光刻胶主要生产厂家有台湾长春化工、日本三井化学、飞凯材料等；光成像阻焊油墨的主要 生产商有日本太阳油墨、TAMURA制作所、欧洲HUNGTSUMAN、中国台湾 永胜泰、无锡广信油墨（台资）等公司，共占据市场80%以上份额，其中日本太阳油墨一家独大，几乎占据全球60%份额。
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地） 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR 系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%） Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm～0.18μm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利
光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言： 光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微
一种适用于193nm 光刻胶的硫鎓盐光产酸剂的制备与性质 X X X X X X 摘要：制备了一种阳离子含有萘基，阴离子分别为对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸的硫鎓盐。它们有高的热解温度和在常用有机溶剂中较好的溶解性。测定了此类光产酸剂在水溶液及聚乙二醇固体膜层中的紫外吸收特性。结果表明阴离子不含苯基时，在193nm 处有很好的透明性。考察了其在低压汞灯照射下的光解性质，在254nm 附近的吸收峰随光解进行迅速减弱。此类光产酸剂适用于氟化氩激光（193nm ）等的化学增幅型光致抗蚀剂。 关键词：光产酸剂 193nm 光致抗蚀剂 化学增幅 硫鎓盐 光产酸剂（photoacid generator, PAG ）是各类化学增幅抗蚀剂的关键组分之一。 无论g 线（436 nm ）、i 线（365nm ）、氟化氪激光（248 nm ）、氟化氩激光(193nm)以及采用更短波长光源的抗蚀剂，为了提高感度，无一例外地采取了化学增幅的方法，从而也就必须使 用光产酸源，甚至使用酸致产酸的酸增殖剂[1]，以实现光照产酸后的化学增幅放大作用。更具 体地讲，所产生的酸导致抗蚀剂膜层中的物质发生种种化学反应，从而使光照部分与非光照部分溶解反差增大，实现显影成像。氟化氩激光光致抗蚀剂初期所用的光产酸剂主要为三苯基硫鎓盐或带有取代基的三苯基硫鎓盐，二苯基碘鎓盐或带有取代基的二苯基碘鎓盐，但这些鎓盐化合物在光照前后对193nm 光的吸收均较大，其产酸效率不像在248nm 光致抗蚀剂中 那样高，并导致成像质量下降，分辨率难以提高[2 3]。针对上述缺点，Shigeyuki Iwasa [4]等人 开发了不含苯环的丁酮-2-基戊硫环硫鎓盐化合物，配伍离子为CF 3SO 3—或C 4F 9SO 3—，它在193 nm 处透明度和感度都很好，且热稳定性高。Hiroyuki Ishii [5]等人提出产酸源透明度的改善是提 高193 nm 光致抗蚀剂性质的关键因素之一，他们用分子轨道计算法估算产酸源的透明度。结果表明多环芳香体系在1 93 nm 处有好的透明性，合成了1-烷氧基4-锍基萘鎓盐化合物。用此光产酸剂在聚甲基丙烯酸酯体系中进行光刻蚀成像，获得了高质量的图像。根据文献统计， 以往硫鎓盐的研究开发工作最多，不过近期也开始有一些新的体系的报道[6]。例如N-羟基琥 珀酰亚胺对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯，N-三氟甲烷磺酰氧萘二甲酰亚胺、二硝基苄基对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯和α-羟甲基安息香对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯等。 以往的工作多集中在各种光产酸剂实际用于光致抗蚀剂的成像效果评价上，有关光产酸剂的合成及性质研究的报道相对较少。为了解光产酸剂结构与其性质间的关系以及为ArF 激 光(193nm)光致抗蚀剂的研制选择适用的光产酸剂， 我们参考文献[7]的方法合成了已有报道的 以下结构的硫鎓盐光产酸剂[8，9]： 其特点是硫鎓盐阳离子中不含苯基但含有萘基和羰基。其配伍阴离子分别为：对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸。 S +C H 2O RSO 3 -
光刻胶 photoresist 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增 感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液 体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化 反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合 性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部 分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制 版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学 反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照 后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不 可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这 种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的 电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为 三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生 成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚 合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠 氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由 油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采 用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其 分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成 一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典 型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限 制分辨率（见感光材料）的提高。为进一步提高分辨率 以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更 短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外 (＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀 胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1□m以下。 LCD生产线工艺及材料简介 LCD生产线工艺及材料简介 LCD为英文Liquid Crystal Display的缩写，即液晶显示器，是一种数字显示技术，可以通过液晶和彩色过滤器过滤光源，在平面面板上产生图象。当前LCD液晶显示器正处于发展的鼎盛时代，技术发展非常迅速，已由最初的TN－LCD（扭曲向列相），发展到STN－LCD （超扭曲向列相），再到当前的TFT－LCD（薄膜晶体管）。LCD现已发展成为技术密集、资金密集型的高新技术产业。液晶显示器主要由ITO导电玻璃、液晶、偏光片、封接材料（边框胶）、导电胶、取向层、衬垫料等组成。液晶显示器制造工艺流程就是这些材料的加工和组合过程。
用厚的负性干膜光致抗蚀剂做电镀模型 摘要 本文报道了基于用（负）丙烯酸酯聚合物干薄膜的光致抗蚀剂ORDY P-50100制造电镀模型的可行性进程。商业可行性，来源于ELGA欧洲。基于光致抗蚀剂，我们用这种光致抗蚀剂作为一种替代负环氧SU8，它是很难在电镀之后加工冲洗和移除的。Ordyl p-50100很容易加工之后移除。一个单层的p-50100 Ordyl能够沉积出20微米厚的层状物。厚层（200微米或者更多）可以手工的达到多层。我们应用发现Ordyl p-50100干膜光致抗蚀剂是一种很好的SU8的替代品。可以实现100微米厚。这个结果将打开新的可能性对于低成本的LIGA技术在微机电系统的应用过程。 1介绍 高厚光刻胶已经被开发应用于大量不同的微机电系统。它已被作为结构材料，用于制造复杂的三维（3D）的微观结构，金属模具电镀及封装材料。目前，存在的一系列技术已经实现复杂的三维的微观结构，金属模具电镀，包装材料的结构。最初的X射线LIGA技术已经用于实现这样的结构。然而，这种技术因为自同步辐射源是必需的所以包含大量复杂的工艺、成本高。这促使我们用便宜和简单的方法来搜索微模型。那两个基于紫外光LIGA技术和深反应离子刻蚀最有前途的和可能的替代品。 对于高宽比结构的技术报告在微细加工的最新进展上基于微模型和用干膜（丙烯酸酯聚合物）的电镀。干膜抗蚀剂有许多优点：良好的一致性，在任何基材上优异的附着力，尽管没有溶剂也不是液体，高处理速度，整个晶片良好的厚度均匀性，操作简单，没有形成珠边，低曝光能量，成本低，处理时间短，近乎垂直于侧壁。 做为非常粘稠的液体干膜（干的）抗蚀剂加工提供了抗蚀剂的配方。夹在聚烯烃片和聚酯基体，卷起一个支持的核心，削减或完成的各种宽度和卷的长度，如图所示图1。该光致抗蚀剂应用于以下：聚烯烃片材层压的前除去在基板上的抗蚀剂。构象是通过加热在压力下。抗蚀剂暴露在一个标准的紫外光源头。压层
湿电子化学品产品概述 1.1 电子化学品概述 1.1.1 电子化学品及其分类 电子化学品（electronic chemicals），也称为电子化工材料，泛指专为电子工业配套的精细化工材料，即集成电路、电子元器件、印刷线路板、工业及消费类整机生产和包装用各种化学品及材料。电子化学品系化学、化工、材料科学、电子工程等多学科结合的综合学科领域。 电子化学品产品和技术范围非常广泛。产品按用途可分为微电子化学品、光电子化学品、显示用化学品、印制线路板用化学品、表面组装用化学品、电池化学品等几大门类。 电子化学品按照不同的应用领域，可以划分为十几大类产品。它们通常包括：微细加工的光刻胶、湿电子化学品、电子特种气体、电子封装材料、硅片的抛磨光材料、印制线路板用电子化学品、电子塑封材料、无机电子化学品、混成电路用化学品、电容器用材科、稀土化合物材料、电器涂料、导电聚合物及其它电子电气用化学品、电池材料、平板显示产业配套电子化学品等。所涉及到的电子化学品的品种超过16000种，约占整个电子材料总品种数的65%。电子化学品按使用范围又可分为微电子化工材料（集成电路和分立器件专用）、印制线路板表面处理与组装技术用化工材料和显示器件用化工材料等。 电子化学品上游是基础化工产品。基础化工产品对电子化学品的质量及生产成本有着重要的影响。电子化学品的下游是电子信息产业（信息通讯、消费
电子、家用电器、汽车电子、节能照明（LED等）、平板显示、太阳电池、工业控制、航空航天、军工等领域），电子信息产业在一定程度上影响和决定着电子化学品的发展。因此，电子化学品成为世界上各国为发展电子工业而优先开发的关键材料之一。 电子化学品产业链如图1-1所示。 图1-1 电子化学品的产业链 1.1.2 电子化学品在发展电子信息产业中重要地位 随着技术创新的不断发展，电子化学品应用领域也在不断扩大，已渗透到国民经济和国防建设的各个领域。电子化学品在一定程度上决定或影响着下游及终端产业的发展与进步，对于国内产业结构升级、国民经济及国防建设具有要意义。 目前电子化学品的品种已达上万种，具有质量要求高、用量少、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更新换代快等特点。“一代材料、一代产品”，有先进的材料，才能生产出先进的产品。新一代电子技术出现，就会有新一代电子化学品与之相适应。
综合实验报告 题目：重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质 院系：化学学院 年级：2011级 指导老师：王力元 姓名：姚宁 学号：201111014918
摘要：本文关于制备一种正性光致抗蚀剂——重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂及其成像性质的研究。重氮萘醌磺酸酯采用2,4,4’-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体，与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化得到，产量 1.43g，产率82.6% ；并用红外光谱和熔点仪对产物进行了表征。重氮萘醌磺酯感光剂与酚醛树脂和乙二醇配胶并均匀铺在铝板上，在紫外下曝光，稀碱水洗涤显影。成像试验得到的结果是：最佳曝光时间为90S，分辨率为12um。 关键词：重氮萘醌磺酸酯重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂光化学腐蚀法感光化合物负性光致抗蚀剂正性光致抗蚀剂 正文： 实验目的： 1. 初步了解光致抗蚀剂的概念 2. 了解酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂的成像原理 3. 学习重氮萘醌磺酸酯的制备方法 4. 学习匀胶机、烘胶台、碘镓灯的使用方法 5. 学习抗蚀剂曝光、显影等评价方法。 实验原理： 在半导体器件和集成电路制造中，要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层，是运用感光性树脂材料在控制光照（主要是UV光）下，短时间内发生化学反应，使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化；再经各种不同的方法显影后获得的。这种方法称为“光化学腐蚀法”，也称为“光刻法”。这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”（又称光刻胶）。 按成像机理不同，光致抗蚀剂可分为负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂：（1）负性光致抗蚀剂：在紫外光照射下，光刻胶中光照部分发生交联反应，溶解度变小，用适当溶剂即可把未曝光的部分显影除去,在被加工表面形成与曝光掩膜相反的图像，因此称为负性光致抗蚀剂。（2）正性光致抗蚀剂：在紫外光照射下，光刻胶的光照部分发生分解，溶解度增大，用适当溶剂可以把光照部分显影除去，即形成与掩膜一致的图像，因此称为正性光致抗蚀剂。如图1所示。
浅谈光刻胶应用过程中的注意事项 前段时间一些使用我司光刻胶的客户反映，在使用光刻胶过程中存在这样，那样的问题，后来进一步了解，发现客户对光刻胶的使用过程中存在或多或少的容易忽视的地方，从而造成光刻效果不理想；下面我就简单的介绍一下光刻胶在应用过程中的一些注意事项。 1、保存： 光刻胶中的光敏组分是非常脆弱的，除了有温度的要求外，对于储存时间和外包装材料有很严格的要求。一般使用 棕色的玻璃瓶包装，再套上黑色塑料袋，光刻胶确实是在半 年内使用为好。过期后最好同厂家沟通进行调换，因为只有 生产商知道里面的组分，才能进行产品的重新调整。还有就 是光敏组分是广谱接受光反应的，并不是仅仅紫外光能够使 其失效，只是其它波长光需要的时间长而已。 2、光刻胶的涂布温度： 光刻胶涂布温度一般要和你的室温相同，原因是与室温相同可以最大减少光刻胶的温度波动，从而减少工艺波动。而 净化间室温一般是23度，所以一般为23度，一般在旋涂的 情况下，高于会中间厚，低于会中间薄。同时涂布前，wafer 也需要冷板，保证每次涂布wafer的温度一致。 3、涂布时湿度的控制： 现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起，很多时候都只考虑此段的洁净度，而疏忽了该段的湿 度控制，使得光刻胶涂覆的良品率比较低，在显影时光刻 胶脱落严重，起不到保护阻蚀的效果。
4、涂胶后产品的放置时间的控制 在生产设备出现故障等特殊情况下，涂完光刻胶的产品需要保留，保留的时间一般不超过8 小时，曝光前如已被感（即 胶膜已失效），不能作为正品，需返工处理。 5、前烘温度和时间的控制 前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥以增强胶膜与基板表面的粘附性和胶膜的耐磨性。曝光时，掩模 版与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩模膜，同 时只有光刻胶干净、在曝光时，光刻胶才能充分地和光发生 反应。同时注意前烘的温度不能过高，过高会造成光刻胶膜 的碳化，从而影响光刻效果。一般情况下，前烘的温度取值 比后烘坚膜温度稍低一些，时间稍短一些。 6、显影条件的控制 显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。在一定浓度下的显影液中，温度和时间直接影响的速度，若显 影时间不足或温度低，则感光部位的光刻胶不能够完全溶解， 留有一层光刻胶，在刻蚀时，这层胶会对膜面进行保护作用， 使应该刻蚀的膜留下来。若显影时间过长或温度过高，显影 时未被曝光部位的光刻胶也会被从边缘里钻溶。使图案的边 缘变差，再严重会使光刻胶大量脱落，形成脱胶。 以上几点就是客户在使用光刻胶过程中容易忽视的地方，希望在今后使用过程中能引起重视，以便取得良好的光刻效果。
光刻胶项目 可行性研究报告规划设计 / 投资分析
摘要 该光刻胶项目计划总投资17894.46万元，其中：固定资产投资14436.11万元，占项目总投资的80.67%；流动资金3458.35万元，占项目总投资的19.33%。 达产年营业收入28205.00万元，总成本费用22446.42万元，税金及附加324.02万元，利润总额5758.58万元，利税总额6876.89万元，税后净利润4318.93万元，达产年纳税总额2557.95万元；达产年投资利润率32.18%，投资利税率38.43%，投资回报率24.14%，全部投资回收期5.64年，提供就业职位537个。 依据国家产业发展政策、相关行业“十三五”发展规划、地方经济发展状况和产业发展趋势，同时，根据项目承办单位已经具体的资源条件、建设条件并结合企业发展战略，阐述投资项目建设的背景及必要性。 项目基本情况、项目建设背景分析、产业分析、产品规划分析、项目选址方案、项目工程方案分析、工艺技术、项目环境影响分析、生产安全保护、风险应对评价分析、节能评估、项目实施方案、投资分析、项目经营效益分析、综合结论等。
光刻胶项目可行性研究报告目录 第一章项目基本情况 第二章项目建设背景分析 第三章产业分析 第四章产品规划分析 第五章项目选址方案 第六章项目工程方案分析 第七章工艺技术 第八章项目环境影响分析 第九章生产安全保护 第十章风险应对评价分析 第十一章节能评估 第十二章项目实施方案 第十三章投资分析 第十四章项目经营效益分析 第十五章项目招投标方案 第十六章综合结论
第一章项目基本情况 一、项目承办单位基本情况 （一）公司名称 xxx有限责任公司 （二）公司简介 公司坚持“以人为本，无为而治”的企业管理理念，以“走正道，负责任，心中有别人”的企业文化核心思想为指针，实现新的跨越，创造新的辉煌。热忱欢迎社会各界人士咨询与合作。 公司及时跟踪客户需求，与国内供应商进行了深入、广泛、紧密的合作，为客户提供全方位的信息化解决方案。和新科技在全球信息化的浪潮中持续发展，致力成为业界领先且具鲜明特色的信息化解决方案专业提供商。 公司坚持精益化、规模化、品牌化、国际化的战略，充分发挥渠道优势、技术优势、品牌优势、产品质量优势、规模化生产优势，为客户提供高附加值、高质量的产品。公司将不断改善治理结构，持续提高公司的自主研发能力，积极开拓国内外市场。 （三）公司经济效益分析 上一年度，xxx实业发展公司实现营业收入17032.40万元，同比增长21.44%（3007.51万元）。其中，主营业业务光刻胶生产及销售收入为
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）1前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（ E.Merk）公司的Solect等。 正性胶如： 美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司2001年收益2001年市场份额（%）2000年收益2000年市场份额（%）
光刻胶项目 可行性报告 投资分析/实施方案
光刻胶项目可行性报告说明 光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 该光刻胶项目计划总投资10875.13万元，其中：固定资产投资7501.47万元，占项目总投资的68.98%；流动资金3373.66万元，占项目总投资的31.02%。 达产年营业收入24179.00万元，总成本费用18844.44万元，税金及附加196.08万元，利润总额5334.56万元，利税总额6266.44万元，税后净利润4000.92万元，达产年纳税总额2265.52万元；达产年投资利润率49.05%，投资利税率57.62%，投资回报率36.79%，全部投资回收期4.22年，提供就业职位363个。 严格遵守国家产业发展政策和地方产业发展规划的原则。项目一定要遵循国家有关相关产业政策，深入进行市场调查，紧密跟踪项目产品市场走势，确保项目具有良好的经济效益和发展前景。项目建设必须依法遵循国家的各项政策、法规和法令，必须完全符合国家产业发展政策、相关行业投资方向及发展规划的具体要求。
...... 报告主要内容：总论、建设背景分析、项目市场研究、项目规划方案、项目选址、土建工程分析、项目工艺分析、环境影响概况、安全卫生、风 险应对说明、节能可行性分析、项目进度说明、投资方案、项目经营收益 分析、项目综合评价结论等。
第一章总论 一、项目概况 （一）项目名称 光刻胶项目 光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 （二）项目选址 某某产业示范中心 （三）项目用地规模 项目总用地面积26946.80平方米（折合约40.40亩）。 （四）项目用地控制指标 该工程规划建筑系数71.25%，建筑容积率1.56，建设区域绿化覆盖率5.86%，固定资产投资强度185.68万元/亩。 （五）土建工程指标