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Yaffs2文件系统中对NAND Flash磨损均衡的改进

Yaffs2文件系统中对NAND Flash磨损均衡的改进
Yaffs2文件系统中对NAND Flash磨损均衡的改进

Yaffs2文件系统中对NAND Flash磨损均衡的改进

摘要:针对以NAND Flash为存储介质时Yaffs2文件系统存在磨损均衡的缺陷,通过改进回收块选择机制,并在数据更新中引入冷热数据分离策略,从而改善NAND Flash的磨损均衡性能。实验借助Qemu软件建立Linux嵌入式仿真平台,从总擦除次数、最大最小擦除次数差值和块擦除次数标准差等方面进行对比。实验结果表明,在改进后的Yaffs2文件系统下NAND Flash的磨损均衡效果有明显提升,这有益于延长NAND Flash的使用寿命。

关键词: Yaffs2文件系统;NAND Flash;垃圾回收;冷热数据

0 引言

NAND Flash存储设备与传统机械磁盘相比,具有体积小、存储密度高、随机存储和读写能力强、抗震抗摔、功耗低等特点[1]。它被广泛用于智能手机、车载智能中心、平板电脑等智能终端中。近年来,以NAND Flash为存储介质的固态硬盘也得到越来越多的应用。目前Yaffs2文件系统(Yet Another Flash File System Two,Yaffs2)[1]是使用最多、可移植性最好的专用文件系统,在安卓、阿里云OS、Linux等嵌入式系统中都有使用。在Yaffs2文件系统下以NAND Flash为存储介质时存在磨损均衡的缺陷,可通过对回收块选择机制作改进和引入冷热数据分离策略来提高磨损均衡的效果。

1 Yaffs2和Nand Flash关系

这里以使用最多的Linux操作系统为实践,将Yaffs2文件系统移植到Linux操作系统中。Linux系统通常可以分为3层:应用层、内核层和设备层,其中支持NAND Flash设备的Yaffs2文件系统属于内核层,。

最上层用户应用程序通过VFS(Virtual File System)提供的统一接口,将数据更新等文件操作传递给Yaffs2。VFS代表虚拟文件系统,它为上层应用提供统一的接口。有了这些接口,应用程序只用遵循抽象后的访问规则,而不必理会底层文件系统和物理构成上的差异。然后Yaffs2通过MTD(Memory Technology Device)提供的统一访问接口对NAND Flash进行读、写和擦除操作,从而完成数据的更新或者存储操作。MTD代表内存技术设备,它为存储设备提供统一访问的接口。最终,在NAND Flash上以怎样的格式组织和存储数据由Yaffs2文件系统决定。

NAND Flash由若干块(block)组成,每个块又是由若干页(page)组成,页中含有数据区和附加区。NAND Flash的页根据状态不同,可以分为有效页、脏页、空闲页。有效页中存放有效数据,脏页中存放无效数据,空闲页是经过擦除后可以直接用于写入数据的页。NAND Flash在写入数据前需要执行擦除操作,因此数据不能直接在相同的位置更新。当一个页中数据需要更新时,必须将该页中有效数据拷贝到其他空闲页上再更新,并将原来页上的数据置为无效。随着时间的推移,许多无效页累积在存储器中使得空闲页逐渐减少。当存储器中的空闲空间不足时,启动垃圾回收操作,利用回收块选择机制从待回收块中选取满足要求的块来擦除,从而得到足够的空闲空间。NAND Flash中块的擦除次数有限,通常为10 000次~100 000次[2]。当某个块的擦除次数超过使用寿命时,该块将无法正常用于数据存储。因此,垃圾回收应利用合理的回收块选择机制,从待回收块中找到回收后能产生良好磨损均衡效果且付出较少额外代价的块来回收,从而获得足够的空闲空间用于数据更新操作。

2 Yaffs2在磨损均衡方面的缺陷

Yaffs2中回收块的选择机制[3]是从待回收块中找到有效数据最少的块来回收。回收过程中,Yaffs2能够减少有效数据的额外读和写操作。当数据更新处于均匀分布的情况下,Yaffs2表现出较好的磨损均衡效果。

但是,通常情况下数据的更新频率不同,有些数据经常更新,而有些数据很少更新。经

常更新的数据称为热数据,很少更新的数据称为冷数据[1]。如果某个块上总有热数据不断更新,那么该块上有效数据会变少,Yaffs2容易选中这样的块来更新。而当某个块中含大量有效冷数据时,冷数据少更新的特点使得Yaffs2难以选中这类块来更新。更新后的块会用于存放新写入的数据,而新写入的数据通常是热数据,由此可知热数所在块会经常被更新。最终热数据所在的块成为擦除次数多的块,冷数据所在的块成为擦除次数少的块。因此Yaffs2的回收块选择机制会造成NAND Flash设备中块的擦除次数呈两级分化,即块的最大、最小擦除次数差值不断变大。所以Yaffs2中不应只考虑数据更新所产生的额外读写代价,还应考虑块的存在年龄对磨损均衡效果的影响,这才能解决磨损均衡中两级分化的问题。

Yaffs2文件系统中更新某个块时,需将该块上的剩余有效数据拷贝到其他空闲块上。而剩余有效数据不能占满整个块,系统会将新写入的数据继续存放到该块上,直到它的存储空间用完为止。更新过程中保留下来的数据通常是冷数据,而新写入的数据通常是热数据,因此Yaffs2的更新策略会造成冷数据和热数据同时存储在一个块中。由于热数据的更新速度快,当热数据更新时会导致冷数据被迫更新。但更新后剩下的数据同样不能占满一个整块,系统会再次将冷数据和热数据存放到同一个块中。随着以上的更新方式不断进行,将导致一系列不必要的数据读、写以及块的擦除操作。因此Yaffs2的更新策略会使冷热数据共存的块易被多次更新,而冷数据占据的块很少更新,最终使得块擦除次数标准差过大,导致磨损不均衡。由于Yaffs2的更新策略中没有做冷热数分离,这使得磨损不均衡问题难以解决。

3 Yaffs2的改进方法

3.1 回收块选择机制的改进

对于Yaffs2回收块选择机制的缺陷,可以通过加入块的年龄(age)参数[4]解决。增加age参数后的回收块选择机制遵循式(1),这可以将一些长期不更新的块选中更新。

其中,age指块从分配开始到当前垃圾回收时刻为止的年龄,u表示单个块中有效数据的占有比率。新的回收块选择机制选取当前时刻年龄最大且有效数据占有最少(即benefit/cost比值最大)的块作为回收对象。当一个块上存储的是冷数据时,一定时间后该块没有被更新,那么它的age参数会变得很大。尽管该块上有效数据很多(即(1-u)/2u的比值较小),但age参数很大使得benefit/cost的比值足够大,最终会选中被冷数据占据的块来更新。由此可知引入age参数后,能解决Yaffs2文件系统下NAND Flash中最大、最小擦除次数差值过大的磨损均衡问题。

3.2 增加冷热数据分离策略

对于Yaffs2中数据更新的缺陷,可以引入冷热数据分离策略[5]来解决。冷热数据分离策略能够收集冷数据,解决同一个块中存放不同温度数据时,由于热数据更新而强制更新冷数据的问题。在系统运行过程中检测到块的最大、最小擦除次数差值过大时,将收集到的冷数据用数据交换操作放置到擦除次数多的块上。当冷池中块被热数据占据或者热池中块被冷数据占据时,冷热数据分离策略也能处理这类块反转问题。数据的冷热程度对块的擦除次数会产生直接影响,因此冷热数据分离策略通过块擦除次数来判断数据温度。改进步骤如下: (1)初始化:将NAND Flash中的所有块平均分为两个部分,一部分块放到热池中,另一部分块放到冷池中。

(2)数据交换:找出热池中擦除次数最多(Hottesthp)的块,冷池中擦除次数最少(Coldestcp)的块。当Hottesthp减去Coldestcp之差大于一个阈值时(如式(2)),则需要做数据交换操作。数据交换操作是将擦除次数为Coldestcp的块中收集的冷数据拷贝到擦除次数为Hottesthp的块中,将擦除次数为Hottesthp的块上原来的热数据存放到任意其他空闲块上。数据交换操作的目的是将冷数据放到擦除次数最多的块上,利用冷数据不易更新的特点来减少块的继续擦除;而将新写入的数据存放到擦除次数少的块上,最终达到磨损均衡

的目的。

(3)块反转:当热池中某个块被冷数据突然占据时,导致该块中的冷数据无法用于数据交换操作。这需要找到热池中擦除次数最多(Hottesthp)的块和热池中擦除最少(Coldesthp)的块,二者擦除次数之差小于一个阈值时(如式(3))则进行热块反转操作。热块反转操作,将热池中擦除次数最少的块放到冷池中去。另外当冷池中的某个块数据突然变热时,导致该块不能被数据交换操作降温。这需要用该块的eec参数来判别,eec表示有效擦除周期(块改变所属池后的擦除次数)。因此满足式(4)时,进行冷块反转操作。冷块反转操作是将冷池中擦除次数为Hottesteec的块放到热池中,并把该块的eec参数清零。

4 仿真实验

4.1 实验环境

实验环境是通过Vmware工具安装Linux虚拟机,然后在Linux下安装Qemu工具来搭建仿真实验开发板,并移植Yaffs2文件系统。为了公平测试,关闭Yaffs2自带的缓存功能。用于测试的文件大小是从16 KB~1 024 KB随机生成,测试数据占据整个Flash设备容量的90%,其中仅有15%的数据更新,这样的更新操作满足齐夫分布(Zif)[6]。

实验中NAND Flash总容量是64 MB,共有512个块,每个块含64个页,每个页大小是2 048 B。试验中Th阈值选定为8。

4.2 实验结果

实验对比数据包含:总擦除次数、最大与最小擦除次数差值和块擦除次数标准差。总擦除次数的差异表示额外付出的擦除代价,最大与最小擦除次数差值的差异表示磨损均衡中两级分化情况。块擦除次数标准差随擦除次数增长越快,则表示闪存设备中的数据更新是在少部分块中完成(表示磨损均衡效果差);块擦除次数标准差随擦除次数增长缓慢,则表示数据更新是在大部分块间交替完成(表示磨损均衡效果好)。因此,块擦除次数标准差随擦除次数的变化情况能直接反应磨损均衡的效果。

改进前后总的擦除次数对比图,可以看到改进后相较于改进前额外付出了 4.05%的擦除代价。额外增加擦除代价足够小,这样的开销可以接受。

改进前后最大、最小擦除次数差值对比图,可以看到改进后的磨损均衡情况更好。

改进前后块擦除次数标准差对比图,可以看到随着擦除次数的增加,改进后块擦除次数标准差增长的速度远小于改进前。

在改进后的Yaffs2文件系统下,块的最大、最小擦除次数差值减少为改进前的1/4,。这表明在回收块选择机制中加入块的年龄参数后,被冷数据占据的块能够及时得到更新,使得NAND Flash设备中的块可以更加均匀地参与擦除操作。另外引入冷热数据分离策略后,随着擦除次数增加,块擦除次数标准差增加得更缓慢,。这说明将冷数据拷贝到擦除次数多的块上,这样的数据交换方法能有效阻止块继续擦除。并且冷热数据分离策略中冷数据的收集方式有效解决了冷热数据共存时的更新问题。

当NAND Flash设备中出现一个坏块后,该坏块不仅不能继续用于存储数据,而且会引起别的块迅速坏掉。为了保障数据的稳定,通常情况下NAND Flash设备中出现一个坏块后不会继续使用[7]。试验中块的擦除寿命是100 000次,若每天需要做400次擦除操作,在未做改进的Yaffs2文件系统下,NAND Flash仅有5%的块轮流更新,那么可以得到闪存设备的使用寿命:

在改进后的Yaffs2文件系统下,NAND Flash有20%的块轮流更新,而磨损均衡需要付出额外4.05%的擦除代价,那么可以得到闪存设备的使用寿命:

由式(5)和式(6)可知,改进后的Yaffs2文件系统可以延长NAND Flash设备的使用寿命。

5 结论

本文从两方面对Yaffs2文件系统作改进:一方面对回收块选择机制作改进,另一方面引入冷热数据分离策略。NAND Flash设备在改进后的文件系统中,磨损均衡效果得到明显提升。良好的磨损均衡表现可以增加NAND Flash的使用寿命,仿真实验模拟了真实的设备运行情况,实验成果适用于以NAND Flash为存储介质的智能消费电子产品或者计算机领域中。

NandFlash简介

NandFlash简介 分类:Linux2013-03-06 14:34 2945人阅读评论(0) 收藏举报 Flash Memory中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。 从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAM,DDR SDRAM,还是现在的DDR2,DDR3等,都是断电后,数据就没了。 FLASH的分类:功能特性分为两种:一种是NOR型闪存,以编码应用为主,其功能多与运算相关;另一种为NAND型闪存,主要功能是存储资料,如数码相机中所用的记忆卡。 NOR FLASH和NAND FLASH NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结结,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少 在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元—他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分,这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。 从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。NOR Flash拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类似与EPROM。然而在NAND Flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。 SLC/MLC基本原理

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海力士NANDFlash选型

Q1’2011 DATABOOK Rev 0.1

NAND Flash –SLC / MLC / TLC AND Flash N NAND Flash SLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark HY27US08281A 90nm 128Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP Now HY27US08561A 90nm 256Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US08121B 70nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now H27U518S2C 57nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27US081G1M 70nm 1Gb 16KB Mono 3.3v/X8USOP Now HY27UF081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2CTR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8TSOP Q4 '11H27U1G8F2CFR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Q4 '11HY27UF082G2B 57nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA, LGA Now H27U2G8F2C 41nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UF084G2B 57nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27U4G8F2D 41nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UG088G5(D)B 57nm 8Gb 128KB DDP 3.3v/X8TSOP Now 2CE/Dual CH.H27U8G8G5D 41nm 8Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27QBG8GDAIR-BCB 32nm 32Gb 512KB DDP 1.8v/x8VFBGA Now 2CE/Dual CH.H27QCG8HEAIR-BCB 32nm 64Gb 512KB QDP 1.8v/x8VFBGA Now 4CE/Dual CH.H27QDG8JEAJR-BCB 32nm 128Gb 512KB ODP 1.8v/x8 JFBGA Feb. '11 4CE/Dual CH.NAND Flash MLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27U8G8T2B 48nm 8Gb 512KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UAG8T2M 48nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP/VLGA Now H27UAG8T2A 41nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8U5A 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8T2M 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8VLGA Now H27UBG8T2A 32nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now H27UCG8VFA 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8TSOP Now H27UCG8UDM 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8VLGA Now Dual CH.H27UCG8U5(D)A 32nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now Dual CH. LGA H27UCG8T2M 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8VLGA Now H27UDG8VEM 41nm 128Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UDG8V5(E)A 32nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UEG8YEA 32nm 256Gb 2MB(8KB Page)ODP 3.3v/x8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UAG8T2B 32nm 16Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now H27UBG8T2B 26nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now Legacy H27UCG8U2B 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP Jan. '11Legacy H27UDG8V2B 26nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8FBGA-100Feb. '11HS(ONFi2.2)H27UEG8Y2B 26nm 256Gb 2MB(8KB Page) ODP 3.3v/x8 FBGA-100 Mar. '11 HS(ONFi2.2)NAND Flash TLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27UAG8M2M 41nm 16Gb 768KB (4KB page)SDP 3.3V/x8VLGA Now H27UBG8M2A 32nm 32Gb 1MB (4KB page) SDP 3.3V/x8 VLGA Now

操作系统课程设计二级文件系统

操作系统课程设计报告 专业:计算机信息处理 学号:09103408 姓名:纪旻材 提交日期:2011-12-28

【设计目的】 1. 课程设计目的是通过一个简单多用户文件系统的设计,加深理解文件系统的内部功能和内部实现。 2. 结合数据结构、程序设计、计算机原理等课程的知识,设计一个二级文件系统,进一步理解操作系统。 3. 通过对实际问题的分析、设计、编程实现,提高学生实际应用、编程的能力 【设计内容】 1、delete 删除文件 2、open 打开文件 3、close 关闭文件 4、write 写文件 【实验环境】 Windows7系统

Visual studio 2010 【相关知识综述】 本文件系统采用两级目录,其中第一级对应于用户账号,第二级对应于用户帐号下的文件。另外,为了简便文件系统未考虑文件共享,文件系统安全以及管道文件与设备文件等特殊内容。 首先应确定文件系统的数据结构:主目录、子目录及活动文件等。主目录和子目录都以文件的形式存放于磁盘,这样便于查找和修改。用户创建的文件,可以编号存储于磁盘上。如:file0,file1,file2…并以编号作为物理地址,在目录中进行登记。 【设计思路】 1 主要数据结构 #define MAXNAME 25 /*the largest length of mfdname,ufdname,filename*/ #define MAXCHILD 50 /*the largest child每个用户名下最多有50个文件*/ #define MAX (MAXCHILD*MAXCHILD) /*the size of fpaddrno*/ typedef struct/*the structure of OSFILE定义主文件*/

数据库理论与技术实验报告六

数据库理论与技术课程实验报告 学院:电子与信息工程学院专业:计算机科学与技术年级:计科 实验时间: 2012年4月26日 组长:学号:组_______ 姓名:学号:组_______ 姓名:学号:组_______ 姓名:学号:组_______ 指导教师签字:成绩: 实验六、视图、存储过程和触发器实验 一、实验目的和要求 1、实验目的:理解视图的概念和相关命令,并掌握视图相关的SQL语句;理解存储过程的概念和相关命令,并掌握存储过程相关的SQL语句;理解触发器的概念和相关命令,并掌握触发器相关的SQL语句 2、实验要求:掌握视图存储过程和触发器的使用 二、实验内容与步骤 1、利用数据库jxgl完成实现下列查询的视图。(在SQL SERVER2005上附加数据库jxgl),并运行该视图。 安装好的SQL Server2005没有用户数据库,如果磁盘上有数据库文件,可以将其附加到数据库服务器中。 (1)创建视图,实现查询03物流1班学生的详细信息 (2)创建视图,实现查询“入学成绩”在350到400分之间的学生的姓名和班级(3)创建视图,实现查询students表中现有的班级 (4)创建视图,实现查询具有“教授”或“副教授”职称的教师的教师编号和姓名(5)创建视图,实现查询姓“陈”,且籍贯是“宁波”的学生的姓名,出生日期,入学成绩。 (6)创建视图,实现查询课程名称中包含“DB_”的课程的信息

(7)创建视图,实现查询教师上课情况表中还没有安排好上课教师的班级和对应的课程号 (8)创建视图,实现查询全体学生情况,查询结果按所在班级名升序排列,同一班级中的学生按出生日期降序排列 (9)创建存储过程,实现统计03物流1班学生“入学成绩”的平均分、最高分、最低分 (10)创建存储过程,实现统计各个班级的学生人数,按统计结果做降序排列(11)创建存储过程,实现统计各部门教师的人数,筛选出教师人数在指定人数(参数)以上的部门 (12)创建储存过程,实现查询平均分在指定分数(参数)以上的课程编号 2、将上述查询以存储过程实现,并在后面写出运行该存储过程的语句。 注意:在实验报告中说明查询的目的和对应的语句。 三、实验过程及数据记录 (1)创建视图,实现查询03物流1班学生的详细信息 create view v1 as select * from Students where class='03物流1' select * //查询视图v1 from v1 (2)创建视图,实现查询“入学成绩”在350到400分之间的学生的姓名和班级create view v2 as select sname,class from Students where mgrade between 350 and 400 select * //查询视图v2 from v2 (3)创建视图,实现查询students表中现有的班级 create view v3 as select distinct class //加上distinct能消除重复选项 from Students select * //查询视图v3 from v3

NandFlash的基础知识

NAND FLASH的基础知识 NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page,(Nand Flash 有多种结构,我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Byte,每32 个page 形成一个Block, Sizeof(block)=16kByte = 32 page = 32 * 528 byte Numberof(block)=64Mbyte/16kbyte=4096 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) Nand flash 以页为单位读写数据,而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址: --Block Address -- Page Address --Column Address 对于NAND Flash 来讲,地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度是8 位。 512byte需要9bit来表示,对于528byte系列的NAND,这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择,A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示,占用A[13:9],即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示,例如512Mbit的NAND,共4096block,因此,需要12 个bit 来表示,即A[25:14],如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash,则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为:Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递,因此,必须采用移位的方式进行。例如,对于512Mbit x8 的NAND flash,地址范围是0~0x3FF_FFFF,只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR 为例: ◆第1 步是传递column address,就是NAND_ADDR[7:0],不需移位即可传递到I/O[7:0] 上,而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的,即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是don't care 的。 ◆第2 步就是将NAND_ADDR 右移9 位,将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上 ◆第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上 ◆第4 步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O 上因此,整个地址传递过程需要4 步才能 完成,即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是256Mbit 以下,那么,block adress 最高位只到bit24,因此寻址只需要3 步。下面,就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。由于一个page 的main area 的容量为256word,仍相当于512byte。但是,这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了,所以,bit8就变得没有意义了,也就是这个时候bit8 完全不用管,地址传递仍然和x8 器件相同。除了,这一点之外,x16 的NAND使用方法和x8 的使用方法完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同,典型的分配是这样的

操作系统简单文件系统设计及实现

简单文件系统的设计及实现 一、实验目的: 1、用高级语言编写和调试一个简单的文件系统,模拟文件管理的工作过程。从而对各种文件操作命令的实质内容和执行过程有比较深入的了解 2、要求设计一个 n个用户的文件系统,每次用户可保存m个文件,用户在一次运行中只能打开一个文件,对文件必须设置保护措施,且至少有Create、delete、open、close、read、write等命令。 二、实验内容: 1、设计一个10个用户的文件系统,每次用户可保存10个文件,一次运行用户可以打开5个文件。 2、程序采用二级文件目录(即设置主目录[MFD])和用户文件目录(UED)。另外,为打开文件设置了运行文件目录(AFD)。 3、为了便于实现,对文件的读写作了简化,在执行读写命令时,只需改读写指针,并不进行实际的读写操作 4、算法与框图 ?因系统小,文件目录的检索使用了简单的线性搜索。 ?文件保护简单使用了三位保护码:允许读写执行、对应位为 1,对应位为0,则表示不允许读写、执行。 ?程序中使用的主要设计结构如下:主文件目录和用户文件目录( MFD、UFD); 打开文件目录( AFD)(即运行文件目录) 文件系统算法的流程图如下

三、工具/准备工作: 在开始本实验之前,请回顾教科书的相关内容。并做以下准备: 1) 一台运行Windows 2000 Professional或Windows 2000 Server的操作系统的计算机。 2) 计算机中需安装Visual C++ 6.0专业版或企业版 四、实验要求: (1)按照学校关于实验报告格式的要求,编写实验报告(含流程图); (2)实验时按两人一组进行分组,将本组认为效果较好的程序提交检查。

操作系统课程设计Linux二级文件系统设计

操作系统课程设计Linux二级文件系 统设计

操作系统课程设计报告专业:软件工程

学号: 姓名:马 提交日期: /1/10 【设计目的】 1、经过一个简单多用户文件系统的设计,加深理解文件系统的内 部功能和内部实现 2、结合数据结构、程序设计、计算机原理等课程的知识,设计一 个二级文件系统,进一步理解操作系统 3、经过对实际问题的分析、设计、编程实现,提高学生实际应用、编程的能力 【设计内容】 为Linux系统设计一个简单的二级文件系统。要求做到以下几点: 1.能够实现下列几条命令: login 用户登录

dir 列目录 create 创立文件 delete 删除文件 open 打开文件 close 关闭文件 read 读文件 write 写文件 cd 进出目录 2.列目录时要列出文件名,物理地址,保护码和文件长度 3.源文件能够进行读写保护 【实验环境】 C++ DevCpp 【设计思路】 本文件系统采用两级目录,其中第一级对应于用户账号,第二级对应于用户帐号下的文件。另外,为了简便文件系统未考虑文件共享,文件系统安全以及管道文件与设备文件等特殊内容。

首先应确定文件系统的数据结构:主目录、子目录及活动文件等。主目录和子目录都以文件的形式存放于磁盘,这样便于查找和修改。用户创立的文件,能够编号存储于磁盘上。如:file0,file1,file2…并以编号作为物理地址,在目录中进行登记。 结构体: typedef struct /*the structure of OSFILE*/ { int fpaddr; /*file physical address*/ int flength; /*file length*/ int fmode; /*file mode:0-Read Only;1-Write Only;2-Read and Write; 3-Protect;*/ char fname[MAXNAME]; /*file name*/ } OSFILE; //存放重要信息 typedef struct /*the structure of OSUFD*/ { char ufdname[MAXNAME]; /*ufd name*/

Nand Flash存储结构及控制方法

Nand Flash存储结构及控制方法(K9F1G08) 2011-02-26 15:05:59| 分类:默认分类 | 标签: mini2440nandflash k9f1g08 |字号订阅 一、NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小;NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大。一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash 用于存储数据。 1)NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,大小为128M,下图为它的封装和外部引脚 I/O0-I/O7 数据输入/输出 CLE 命令锁存使能 ALE 地址锁存使能 CE 芯片使能 RE 读使能 WE 写使能 WP 写保护 R/B 就绪/忙输出信号 Vcc 电源 Vss 地 N.C 不接 K9F1G08功能结构图如下

K9F1G08内部结构有下面一些功能部件 ①X-Buffers Latches & Decoders:用于行地址 ②Y-Buffers Latches & Decoders:用于列地址 ③Command Register:用于命令字 ④Control Logic & High Voltage Generator:控制逻辑及产生Flash所需高压 ⑤Nand Flash Array:存储部件 ⑥Data Register & S/A:数据寄存器,读、写页时,数据存放此寄存器 ⑦Y-Gating ⑧I/O Buffers & Latches ⑨Global Buffers ⑩Output Driver

简单文件系统的实现

第三章简单文件系统的实现 3.1 设计目的和内容要求 1. 设计目的 通过具体的文件存储空间的管理、文件的物理结构、目录结构和文件操作的实现,加深对文件系统内部数据结构、功能以及实现过程的理解。 2.内容要求 (1)在内存中开辟一个虚拟磁盘空间作为文件存储分区,在其上实现一个简单的基于多级目录的单用户单任务系统中的文件系统。在退出该文件系统的使用时,应将该虚拟文件系统以一个Windows 文件的方式保存到磁盘上,以便下次可以再将它恢复到内存的虚拟磁盘空间中。 (2)文件存储空间的分配可采用显式链接分配或其他的办法。 (3)空闲磁盘空间的管理可选择位示图或其他的办法。如果采用位示图来管理文件存储空间,并采用显式链接分配方式,那么可以将位示图合并到FAT中。 (4)文件目录结构采用多级目录结构。为了简单起见,可以不使用索引结点,其中的每个目录项应包含文件名、物理地址、长度等信息,还可以通过目录项实现对文件的读和写的保护。 (5)要求提供以下操作命令: my_format:对文件存储器进行格式化,即按照文件系统的结构对虚拟磁盘空间进行布局,并在其上创建根目录以及用于管理文件存储空间等的数据结构。 my_mkdir:用于创建子目录。 my_rmdir:用于删除子目录。 my_ls:用于显示目录中的内容。 my_cd:用于更改当前目录。 my_create:用于创建文件。 my_open:用于打开文件。 my_close:用于关闭文件。

my_write:用于写文件。 my_read:用于读文件。 my_rm:用于删除文件。 my_exitsys:用于退出文件系统。 3.学时安排 授课2学时,上机9学时。 4.开发平台 C或C++均可。 5.思考 (1)我们的数据结构中的文件物理地址信息是使用C语言的指针类型、还是整型,为什么? (2)如果引入磁盘索引结点,上述实现过程需要作哪些修改? (3)如果设计的是一个单用户多任务文件系统,则系统需要进行哪些扩充(尤其要考虑读写指针问题)?如果设计的是一个多用户文件系统,则又要进行哪些扩充? 3.2 预备知识 3.2.1 FAT文件系统介绍 1.概述 FAT文件系统是微软公司在其早期的操作系统MS-DOS及Windows9x中采用的文件系统,它被设计用来管理小容量的磁盘空间。FAT文件系统是以他的文件组织方式——文件分配表(file allocation table,FAT)命名的,文件分配表的每个表项中存放某文件的下一个盘块号,而该文件的起始盘块号则保存在它的文件控制块FCB中。在文件分配表中,一般用FFFF来标识文件的结束;用0000来标识某个逻辑块未被分配,即是空闲块。为了提高文件系统的可靠性,在逻辑磁盘上通常设置两张文件分配表,它们互为备份。此外,文件分配表必须存放在逻辑磁盘上的固定位置,而根目录区通常位于FAT2之后,以便操作系统在启动时能够定位所需的文件,其磁盘布局如图3-1所示: 引导块FAT1FAT2根目录区数据区

数据库原理与应用技术实验

实验一数据库管理系统(DBMS)使用初步 姓名:学号: 专业:网络工程班级: 同组人:无实验日期: 【实验目的与要求】 1.掌握SQL Serve 2005 服务器的安装方法 2.了解SQL Serve 2005 的环境 3.了解数据库及其对象 【实验准备】 1.了解SQL Server 2005的版本 2.了解SQL Server 2005各版本对硬件和软件的需求 【实验内容】 1.安装SQL Server 2005 2.练习启动、停止和暂停服务管组件的服务,了解SQL Server 2005中包括的服务器 组件,掌握服务管理器和使用。 3.练习Microsoft SQL Server Enterprise Manager的使用。 4.练习Microsoft SQL 查询分析器的使用。 【实验步骤】 1.0.准备工作: 测试数据库的加载 本实验需用到测试数据库db_shopping,请按以下步骤完成测试数据库的加载,以便完成后面实验。 (1)将数据库备份文件复制到某一文件夹(如:C:\TestDB)下 (2)启动SQL Server 服务管理器。 通过“开始=>程序=>Microsoft SQL Server 2005=>管理向导”打开“SQL Server

服务管理器”,启动“SQL Server 服务管理器”,并记录当前运行的服务器名。 (3)启动企业管理器。 (4)在对象资源管理器中,右击数据库->选择还原数据库,如下图: 在出现的对话框中选择”源设备”,如下图

在源设备选项的右边,点击”…”图标,会出现下图所示对话框: 单击添加按钮,在如下图所示对话框中根据备份文件的存储位置选中备份数据库文件,而后点确定。 在弹出对话框的下拉列表中选择数据库db_shopping,同时在选择用于还原的备份集选项相应位置的复选框中打上勾,如下图:

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