磁控溅射镀膜原理及工艺 摘要：真空镀膜技术作为一种产生特定膜层的技术，在现实生产生活中有着广泛的应用。真空镀膜技术有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。这里主要讲一下由溅射镀 膜技术发展来的磁控溅射镀膜的原理及相应工艺的研究。 关键词：溅射；溅射变量；工作气压；沉积率。 绪论 溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用二极溅射设备如右图。 通常将欲沉积的材料制成板材-靶，固定在阴 极上。基片置于正对靶面的阳极上，距靶一定距 离。系统抽至高真空后充入（10～1）帕的气体（通 常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极 间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作 用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶 面逸出的靶原子称为溅射原子，其能量在1至几十 电子伏范围内。溅射原子在基片表面沉积成膜。 其中磁控溅射可以被认为是镀膜技术中最突出的 成就之一。它以溅射率高、基片温升低、膜-基结 合力好、装置性能稳定、操作控制方便等优点， 成为镀膜工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透 明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大面积的均 匀性有特别苛刻要求的连续镀膜场合)的首选方 案。 1磁控溅射原理 溅射属于PDV（物理气相沉积）三种基本方法：真空蒸发、溅射、离子镀（空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀）中的一种。 磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区
磁控溅射镀膜简介 溅射薄膜靶材按其不同的功能和应用可大致分为机械功能膜相物理功能膜两大类。前者包括耐摩、减摩、耐热、抗蚀等表面强化薄膜材料、固体润滑薄膜材料, 后者包括电、磁、声、光等功能薄膜材料靶材等, 具体应用在玻璃涂层(各种建筑玻璃、ITO透明导电玻璃、家电玻璃、高反射后视镜及亚克力镀膜), 工艺品装饰镀膜, 高速钢刀具镀膜, 切削刀具镀膜, 太阳能反光材料镀膜, 光电、半导体、光磁储存媒体、被动组件、平面显示器、微机电、光学组件、及各类机械耐磨、润滑、生物医学, 各种新型功能镀膜(如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、碳膜、铁磁膜和磁性薄膜等) 采用Cr，Cr-CrN等合金靶材或镶嵌靶材，在N2,CH4等气氛中进行反应溅射镀膜，可以在各种工件上镀Cr,CrC,CrN等镀层。纯Cr的显微硬度为425～840HV，CrN为1000～350OHV，不仅硬度高且摩擦系数小，可代替水溶液电镀铬。电镀会使钢发生氢脆、速率慢，而且会产生环境污染问题。 用TiN，TiC等超硬镀层涂覆刀具、模具等表面，摩擦系数小，化学稳定性好，具有优良的耐热、耐磨、抗氧化、耐冲击等性能，既可以提高刀具、模具等的工作特性，又可以提高使用寿命，一般可使刀具寿命提高3～10倍。 TiN，TiC，Al2O3等膜层化学性能稳定，在许多介质中具有良好的耐蚀性，可以作为基体材料保护膜。溅射镀膜法和液体急冷法都能制取非晶态合金，其成分几乎相同，腐蚀特性和电化学特性也没有什么差别，只是溅射法得到的非晶态膜阳极电流和氧化速率略大。
在高温、低温、超高真空、射线辐照等特殊条件下工作的机械部件不能用润滑油，只有用软金属或层状物质等固体润滑剂。常用的固体润滑剂有软金属(Au,Ag,Pb,Sn等)，层状物质(MoS2，WS2，石墨，CaF2，云母等)，高分子材料(尼龙、聚四氟乙烯等)等。其中溅射法制取MoS2膜及聚四氟乙烯膜十分有效。虽然MoS2膜可用化学反应镀膜法制作，但是溅射镀膜法得到的MoS2膜致密性好，附着性优良。MoS2溅射膜的摩擦系数很低，在0.02～0.05范围内。MoS2在实际应用时有两个问题:一是对有些基体材料如Ag,Cu,Be等目前还不能涂覆;二是随湿度增加，MoS2膜的附着性变差。在大气中使用要添加Sb2O3等防氧化剂，以便在MoS2表面形成一种保护膜。 溅射法可以制取聚四氟乙烯膜。试验表明，这种高分子材料薄膜的润滑特性不受环境湿度的影响，可长期在大气环境中使用，是一种很有发展前途的固体润滑剂。其使用温度上限为5OoC，低于-260oC时才失去润滑性。 MoS2、聚四氟乙烯等溅射膜，在长时间放置后性能变化不大，这对长时间备用、突然使用又要求可靠的设备如防震、报警、防火、保险装置等是较为理想的固体润滑剂。 内容来源：宝钢代理商https://www.doczj.com/doc/2715409520.html, 欢迎多多交流！！！
黑色实验总结 1、材料对比 ⑴ TiC TiC是最常见、最经济的一种黑色硬质膜。颜色可以做到比较深，耐磨性能也很好，但其色调不够纯正，总是黑中略带黄色。并且由于钛的熔点相对较低，在溅射时易出现大的颗粒，使其光令度不易得到改善。防指印的能力也不好，擦后变黄、变朦。 ⑵ CrC CrC的总体色调相对TiC要好，虽然达不到TiC那样黑，但更纯正，带白。由于铬在溅射时直接由固态直接变为气态，故虽然铬的溅射系数很大，膜层沉积速率很快，但其光令度却比TiC好。防指印性能也比TiC好。Cr为脆性材料，膜层的残余应力对耐磨性能的影响尤为重要。 ⑶ TiAlC 由于铝有细化晶粒的作用，所以TiAlC膜层的光令度和防指印的能力均较好。但是铝的熔点很低，要求铝靶的冷却效果要好，施加在铝靶上的功率也不能太大。从TiAlC膜层本身来说，也要求铝的含量要低，不然不够黑。但如果铝靶的功率太低，很容易中毒。建议采用平面铝靶或使用一定铝含量的铝钛合金靶材。 ⑷ TiCrAlC TiCrAlC是用小平面靶试电的，结果光令度和防指印的能力很好，这可能有两个原因：①材料本身的光令度和防指印的能力较好；②采用平面靶轰击打底。其耐磨能力也比较好，这可能是由于：①TiCrAl靶材致密；②TiCrAlC本身比较耐磨；③小平面靶的功率密度比较高，溅射出的粒子能量较高，故膜层致密。 ⑸ TiCN TiCN是一种硬度与耐磨性能较好的薄膜，其颜色甚至可以比TiC更黑，手摸起来不光滑，有粘粘的感觉，但防指印的能力却很好，擦后不会变色，也不会变朦。 2、实验机配置 ⑴ 电源 ① AE中频电源 AE电源的精度很高，对靶材的要求不高，电源自我保护的能力比较强，也因此对真空度等外界条件的要求更苛刻，易灭辉。镀出的CrC膜层光令度与防指印的效果较好，但颜色黑中带蓝。耐磨性能也是试过的电源中最好的。 ② 新达中频电源 新达电源的功率比较大，可以并机使用的它的一大优势。镀出的CrC膜层很黑，但带白，耐磨能力比AE电源镀出的膜层要查差。 ③ 盛普中频电源 盛普电源的稳定性相对其它电源来说要差一些，实际功率不大。镀出的CrC膜层略显黄色，
PVD镀膜工艺 PVD镀膜工艺 1.装饰件材料（底材） (1)金属。不锈钢、钢基合金、锌基合金等。 (2)玻璃、陶瓷。 (3)塑料。abs、pvc、pc、sheet、尼龙、水晶等。 (4)柔性材料。涤纶膜、pc、纸张、布、泡沫塑料、钢带等。 2.装饰膜种类 (1)金属基材装饰膜层：tin、zrn、tic、crnx、ticn、crcn、ti02、al等。 (2)玻璃、陶瓷装饰膜层：tio2、cr2o3、mgf2、zns等。 (3)塑料基材装饰膜层：ai、cu、ni、si02、ti02、ito、mgf2。 (4)柔性材料装饰膜层：al、lto、ti02、zns等。 3.部分金属基材装饰膜颜色 金属基材装饰膜的种类和色调很多。表1为部分金属基材装饰膜的种类及颜色。 表1 部分金属基材装饰膜的种类及颜色膜层种类 色调 tinx 浅黄、金黄、棕黄、黑色 tic 浅灰色、深灰色 ticxny
赤金黄色、玫瑰金色、棕色、紫色 tin+ au 金色 zrn 金黄色 zrcxny 金色、银色 tio2 紫青蓝、绿、黄、橙红色 crnx 银白色 tixal-nx 金黄色、棕色、黑色 tixzral-nx 金黄色 3.装饰膜的镀制工艺 一．金属件装饰膜镀制工艺 比较成熟的镀膜技术有电弧离子镀、磁控溅射离子镀和复合离子镀。下面分别从各类镀膜技术中选取一种具有代表性的典型镀制工艺进行介绍。 1)用电弧离子镀的方法为黄铜电镀亮铬或镍手表壳镀制ticn膜。 采用小弧源镀膜机和脉冲偏压电源； (1)工件清洗、上架、入炉
工件在入炉之前要经过超声波清洗、酸洗和漂洗三道工序。 首先是在超声波清洗槽中放入按使用要求配制的金属清洗剂，利用超声波进行脱脂、清洗。清洗之后，进行酸洗，它可以中和超声波清洗时残余的碱液，还能起到活化处理的作用。然后进行漂洗以彻底除去酸液，漂洗时必须采用去离子纯净水或蒸馏水。经过三洗后，即时进行烘干，温度一般控制在100℃左右，时间为1h左右。也可以风吹干后马上人炉。 (2)镀膜前的准备工作 ①清洁真空镀膜室。用吸尘器将真空镀膜室清洁一遍。当经过多次镀膜时，真空镀膜室的内衬板还需作定期清洗，一般是半个月清洗一次。 ②检查电弧蒸发源。工作前，要确保电弧蒸发源发源安装正确，绝缘良好，引弧针控制灵活,程合适，恰好能触及阴极表面。 ③检查工件架的绝缘情况。工件架与地之间的绝缘必须须良好，负偏压电源与工件架的接触点点必须接触良好。 以上几项工作确保没有问题后，才可以关闭真空镀膜室的门，进行抽气和镀膜。 (3)抽真空 真空抽至6.6 x 10-3pa。开始是粗抽，从大气抽至5pa左右，用油扩散泵进行细抽。在粗抽时，可以烘烤加热至150℃。伴随镀膜室温度的升高，器壁放气会使真空度降低，然后又回升，等到温度回升到6.6 x 10-3pa时方可进行镀膜工作。 (4)轰击清洗 ①氩离子轰击清洗
薄膜/涂层制备技术 (磁控溅射和电弧离子镀)及应用
雷浩
薄膜/涂层的概念与特点
概念：薄膜/涂层是一类用特殊方法获得的，依 靠基体支撑并具有与基体不同的结构和性能的 二维材料。薄膜(Films)：厚度 < 1m,如光电功 能薄膜等；涂层(Coatings)：厚度 ≥ 1m,如硬质 涂层、防护涂层等。
薄膜/涂层特征： 1）厚度 （纳米，微米，毫米） 2）有基体支撑（不是单独存在的） 3）特殊的结构和性能（与块体材料相区别） 4）特殊的形成方式
薄膜/涂层的概念与特点与分类
应用： 光学薄膜、微电子薄膜、光电子学薄膜、集成电路薄 膜、防护功能薄膜。
? 种类：
（1）以材料种类划分：金属、合金、陶瓷、半导体、化 合物、高分子薄膜等。 （2）以晶体结构划分：单晶、多晶、纳米晶、非晶 （3）以厚度划分：纳米薄膜，微米薄膜和厚膜。 （4）以薄膜组成结构划分：多层薄膜，梯度薄膜，复合 薄膜。
薄膜/涂层的种类及应用
? 电子工业：电极、电阻膜、电介质膜、绝缘膜、 透明导电膜、超导膜等。
? 光学工业：荧光膜、反射膜、增透膜、干涉膜 等。
? 机械工业：硬化膜、耐热膜、耐腐蚀膜等。 ? 能源工业：聚热膜、防反射膜、透射膜等。 ? 传感器：热敏、气敏、压敏、氧气传感器、红
外线传感器等。 ? 其它：装饰膜等。
薄膜和涂层的制备方法
湿式成膜 干式成膜
电镀 化学镀 微弧氧化 溶胶-凝胶膜
涂敷法（喷涂、甩胶、浸涂）
热浸渗（化学热处理）、热扩散法 电阻热蒸发
物理气相沉积 （PVD）
真空蒸发镀 溅射沉积
电子束蒸发 激光蒸发
电弧离子镀
化学气相沉积 （CVD）
等离子体增强CVD(PECVD) 辉光CVD，热丝CVD
真空磁控溅射镀膜控制系统 用 户 手 册 2008-07-09 V1.1
目录 1.系统简述 (4) 1.1真空系统 (4) 1.2 传送系统 (4) 1.3 加热系统 (4) 1.4 溅射电源 (4) 1.5 冷却水 (4) 1.6 工艺气路 (5) 2.系统供电 (5) 2.1 柜体通电前检查 (5) 2.2 现场设备通电前检查 (5) 2.3 电源送电顺序 (5) 2.3.1 PLC控制柜 (5) 2.3.2 电加热柜 (6) 2.3.3 泵组柜 (6) 3.PLC运行程序 (6) 3.1 环境模式 (7) 3.2 工作模式 (7) 3.3 安全连锁 (9) 3.4 系统报警 (10) 4.上位机软件操作 (12) 4.1 上位机画面 (12) 4.1.1 介绍 (12) 4.1.1.1 图例 (12) 4.1.2总貌 (14) 4.1.3 真空 (15) 4.1.4 传动 (17) 4.1.5加热 (19) 4.1.6 参数设定 (21) 4.1.7 溅射电源 (23) 4.1.8 控制模式 (25)
4.1.9 分子泵使能操作 (27) 4.1.10 历史报警 (28) 4.1.11 框架信息 (29) 4.1.12运行注意事项 (30) 4.1.12.1 开机注意事项 (30) 4.1.12.1 停机注意事项 (31) 5. 工程维护 (31) 5.1 传输设置 (31) 5.1.1 传输工程文件 (32) 5.2 WINGP运行 (33) 6.变量地址表 (34)
TFT系统需要实现玻璃在真空环境下自动化的连续镀膜，生产线布置为“回”字型矩形结构，生产线划分为4个区，位于生产线左右侧的上片区和下片区，位于上下片平台间的工艺区和回传区，其中呈”->”方向移动的区域为工艺区，呈”<-“方向移动的区域为回送区。TFT控制系统实现对生产过程中的真空、加热、传动、电源、冷却水、工业气体在镀膜过程中的连续控制。 1.1真空系统 真空系统设备集中于真空室区域，由抽气设备（机械泵、罗茨泵、分子泵）检测设备（PG 表，CG表）、安全阀（分子泵前蝶阀、机械泵罗茨泵间自吸阀、管道阀和破空阀）；通过机械泵 ->罗茨泵->分子泵接力抽气，将腔室内压力由大气变为真空，并在生产过程中保持适合生产的真空环境； 1.2 传送系统 传送系统共24台操作电机，上下片平台各4台，工艺区11台，回传区5台传动电机，除上下片平台各有2台电机可实现双向传动外，其余电机均为单向传动；其中除M3 –M9 可以通过端子通断和模拟量信号协同控制电机转速外，其余电机的传动速度由端子通断直接控制； 1.3 加热系统 加热系统共66台，在连续生产过程中，逐段加热工艺区腔室内的温度，以确保在玻璃在镀膜过程中的环境温度，加热系统进行PID运算，通过固态继电器的电压脉冲控制加热器的加热频率； 1.4 溅射电源 在工艺区有4个溅射室，室内配置MF中频溅射电源和DC直流溅射电源，通过电源产生的高电压电离气体分子； 1.5 冷却水 机械泵、分子泵、溅射电源冷却管路安装有压力检测设备，通过水流开关检测冷却水压力是否符合设备冷却的要求； 1.6 工艺气路 气路由供气管道，流量计和切断阀组成；
磁控溅射镀膜的简介及其实际操作 作者：徐超群 作者单位：乐山师范学院物理与电子工程系 【摘要】溅射技术的最新成就之一是磁控溅射。对于二级溅射、偏压溅射、三级或四级溅射和射频溅射而言。它们的缺点是沉积速率较低，特别是阴极溅射。因为它们在放电过程中只有大约0.3~0.5%的气体分子被电离。为了在低气压下进行高速溅射，必须有效的提高气体的离化率。由于在磁控溅 射中引入了正交电磁场使离化率提高到5~6%。于是溅射速率比三级溅射提高10倍左右，对许多材料，溅射速率达到了电子束蒸发的水平。 【关键字】溅射电子电场磁场高速 1.磁控溅射的工作原理： 电子e在电厂E的作用下在飞向基板的过程中与Ar原子发生碰撞使其电离Ar+和一个新的电子e，电子飞向基片，Ar+在电场的作用下加速飞向阴极靶，并以高能能量轰击靶表面使靶材发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子则由于不显电性而直接沉积在基片上形成薄膜。二次电子e一旦离开了靶面，就会同时受到电场和磁场的作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。 综上所述：磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。
磁控溅射镀膜机 产品型号：TSV1200-S 用途：磁控溅射PVD镀膜，氮化钛（TiN）、氮碳化钛（TiCN）、氮化锆（ZrN）、氮化铬（CrN）、氮化铝钛（TiAIN）、碳化钛（TiC）等 基材：不锈钢,锌合金,塑料 应用：手机外壳，MP3外壳，数码相机外壳，各种标牌的装饰改性加硬镀膜 颜色：白色，金色，银色，黑色，兰色等 基本参数： ● 真空室尺寸：1210mm（直径）×1200mm（高）； ● 抽气时间速：大气到5×10-3Pa≤20min (空载, 冷态,洁净)； ● 最高烘烤温度:300℃ ● 采用侧面对开门方式,便于工件装卸； ● 2台φ400mm口径分子泵、1台ZJP300型罗茨泵，2台2X-70型机械泵抽气； ● 一套公、自转工转机构，采用下驱动方式的二维平面行星机构；自转轴20根； ● 所有驱动引入采用带水冷套磁流体密封； ● 四对磁控溅射靶平行安装且成圆周分布，靶材尺寸：910mm×120mm（长×宽）； ● 4路进口质量流量计进气； ● 预溅射小车挡板，控制预溅射工艺； ● 三台30KW中频电源及一台30KW脉冲偏压电源； ● 控制系统采用触摸屏上位机（工控机）+下位机（PLC）的控制形式 ● 控制系统有手动和自动，全系统具有互保护, 泵阀互锁。 主要技术参数和配置： （一）真空系统技术指标 1. 极限真空：优于2x10-3Pa； 2. 抽速:大气到5x10-3Pa≤30mm（空载、冷态，洁净）； 3. 压升率：小于0.5Pa/hr. (二) 真空室和真空系统配置 1.度模式尺寸：1210mm（直径）x1200mm(高); 2.采用侧面对开门方式,便于工件装卸； 3.外壁通冷却水，冷却水管采用半圆管焊接方式，焊缝美观、平整； 4. 3个观察窗口，左右门上各一个，室体正前方一个； 5. 抽气室内安装一个旋转挡气挡板，旋转角度范围0~90° 6．两台φ400mm口径分子泵； 7. 1台ZJP300型罗茨泵，增加气动旁通阀； 8. 2台2x-70型机械泵，一台为粗抽泵，一台为分子泵维持泵； 9. φ400mm口径高真空气动阀门2套； （三）工件架以及驱动装置 1. 一套公、自转工转机构，采用下驱动方式的二维平面行星机构；自转轴20根； 2. 转速0-8圈/分钟可控可调； 3. 驱动引入采用带水冷套磁流体密封； (四) 真空测量系统 1. 采用一台数字式复合真空计； 2.一路高真空测量，两路低真空测量（室体一路，低真空管道一路）
磁控溅射镀膜机/电子束蒸发镀膜仪技术参数 一、电子束蒸发镀膜仪技术要求： 1. 整机需采用柜式一体化集成封闭结构。高压强电系统需密封在柜内。 2. 镀膜技术：采用高真空电子束镀膜和电阻式热蒸发镀膜两种技术。 3. 电子枪及热蒸发源： 3.1）1台E型电子枪（功率≥8KW） 3.2）四穴水冷坩埚（无氧铜材料）。与基片的距离必须350～400mm可调。 3.3）3套水冷电极柱 3.4）3套电阻热蒸发源 3.5）4套挡板。 4. 真空腔体： 4.1）需用真空专用奥氏体，304不锈钢。立式D形前开门结构； 4.2）真空室内外全部电化学抛光。 4.3）必须预留膜厚仪接口及两个CF35接口； 4.4）腔体上要有≥Φ100mm观察窗，需配不锈钢挡板。观察窗。 4.5）极限真空≤8×10-5Pa 4.6）不锈钢金属波纹管路，真空规管用金属规，需用微机型复合真空计。 5. 真空系统： 真空系统需采用分子泵（抽速≥1200L/S）+机械泵真空机组（抽速≥8L/S）。 6. 控制系统：采用PLC控制。同时具有手动操控方式和半自动运行方式。 7. 电源系统：恒流，0～300A，可控可调。能在三套热蒸发源之间切换使用。 8. 基片台： 8.1）需配1套尺寸不小于Ф200mm可水冷样品台。 8.2）4块独立挡板，可通过磁控拉杆独立控制4部分区域镀膜； 8.3）基片转速2～20转/分，可控可调。基片台可旋转、可升降。 9. 膜厚仪：四通道，分辨率≥0.1埃；至少配1支水冷膜厚探头。 10. 水冷系统：需配1台循环制冷恒温水箱，确保能满足冷却要求。 11. 动力气源：需配1台低噪声气泵，确保系统能正常工作。 12. 安全及报警系统： 具有完善的真空互锁及保护系统，对泵、电极等缺水、过流过压、断路等 异常情况报警并执行相应保护措施。至少配6台水流流量计，观察窗必须 加装铅玻璃和滤光片。 二、磁控溅射镀膜机技术要求： 1. 整机需采用柜式一体化集成封闭结构。高压强电系统需密封在柜内。 2. 镀膜形式：三个磁控溅射靶向心溅射镀膜。 3. 磁控溅射靶： 需配3套Φ2英寸圆形平面磁控溅射靶及挡板，靶头可调角度。挡板需气动 驱动控制。 4. 真空腔体： 4.1需用真空专用奥氏体，304不锈钢，立式D形前开门结构； 4.2真空室内外全部电化学抛光； 4.3必须预留膜厚仪接口及两个CF35接口； 4.4腔体上要有≥Φ100mm观察窗，配不锈钢挡板； 4.5极限真空≤7×10-5Pa；大气到7×10-4Pa,30分钟。 4.6采用不锈钢金属波纹管路，真空规管用金属规，需用微机型复合真空计。 5. 真空系统：需采用分子泵（抽速≥600L/S）+机械泵真空机组（抽速≥8L/S）。插板阀手动电控两用，CF 刀口密封结构。旁抽阀由气动或电动驱动。 6. 控制系统：计算机＋PLC 两级控制系统1套。 7. 电源系统： 配智能型直流溅射电源及智能型射频溅射电源各1台，电源与电脑控制系统可互联通讯，可形成溅射过程的反馈控制。